為任何可 用介質(zhì)，其可由計(jì)算機(jī)720存取，并且包括易失性和非易失性介質(zhì)，可除去和非可除去的介 質(zhì)。經(jīng)由實(shí)例，并且不限制，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可包括計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存介質(zhì)和通信介質(zhì)。計(jì)算機(jī)儲(chǔ) 存介質(zhì)包括W用于儲(chǔ)存信息的任何方法或技術(shù)實(shí)施的易失性和非易失性介質(zhì)、可除去和非 可除去的介質(zhì)，如，計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊或其它數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存介質(zhì)包括 但不限于RAM、R0M、EEPR0M、閃速存儲(chǔ)器或其它存儲(chǔ)器技術(shù)、CD-ROM、數(shù)字多功能盤（DVD)或 其它光盤儲(chǔ)存器、磁帶盒、磁帶、磁盤儲(chǔ)存器或其它磁儲(chǔ)存裝置，或可用于儲(chǔ)存期望的信息 并且可由計(jì)算機(jī)720存取的任何其它介質(zhì)。W上中的任一個(gè)的組合也應(yīng)當(dāng)包括在可用于儲(chǔ) 存用于實(shí)施本文所述的方法和系統(tǒng)的源代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的范圍內(nèi)。本文公開的特征 或元件的任何組合可用于一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例中。
[0055] 本文中所述的實(shí)施例的技術(shù)效果在于提供用于使用冷卻裝置將膜處理提供至表 面（如，滿輪機(jī)或更具體的是燃?xì)鉂M輪的表面）的系統(tǒng)及方法，其給予免除污垢和與其相關(guān) 的損壞的保護(hù)，在燃?xì)鉂M輪聯(lián)機(jī)或脫機(jī)時(shí)人工地或自動(dòng)地執(zhí)行，并且/或者其使用燃?xì)鉂M 輪的現(xiàn)有裝備，從而延長修理和/或維護(hù)間隔之間的時(shí)間段、延長構(gòu)件的壽命和/或改進(jìn)燃 氣滿輪的生產(chǎn)力。
[0056] 本文所述的術(shù)語用于僅描述特定實(shí)施例的目的，并且不旨在限制本發(fā)明。在用語 定義脫離用語的常用意義的情況下，申請(qǐng)人旨在使用本文提供的定義，除非明確指出。單數(shù) 形式"一"、"一個(gè)"和"該"旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指出。將理解 的是，盡管用語第一、第二等可用于描述各種元件，但運(yùn)些元件不應(yīng)當(dāng)由運(yùn)些用語限制。運(yùn) 些用語僅用于將一個(gè)元件與另一個(gè)區(qū)分開。用語"和/或"包括相關(guān)聯(lián)的所列物品中的一 個(gè)或更多個(gè)的組合中的任一個(gè)和所有。短語"聯(lián)接于"和"與…聯(lián)接"構(gòu)想為直接或間接 聯(lián)接。
[0057] 實(shí)例 實(shí)例1 樣本1-4中的各個(gè)根據(jù)表1中提出的比率準(zhǔn)備來產(chǎn)生成膜劑。樣本1-4的成膜劑中的 各個(gè)通過W1:1的比率混合識(shí)別的第一硅烷和第二硅烷來制備。此外，樣本1-4中的各個(gè) 根據(jù)含水配方或有機(jī)溶劑配方來制備。對(duì)于含水配方，蒸饋水的抑使用乙酸調(diào)整至4. 5到 5. 5,并且接著硅烷混合物W連續(xù)攬拌加入。適合量的非離子表面活性劑按需要添加在一些 樣本中，W提高硅烷混合物在蒸饋水中的可溶性。對(duì)于有機(jī)溶劑配方，95%的乙醇和5%的蒸 饋水的混合物的抑使用乙酸調(diào)整至4. 5到5. 5,并且接著硅烷混合物W連續(xù)攬拌加入。

實(shí)例2 膜處理分別使用樣本1-4的成膜劑來施加于燃?xì)鉂M輪構(gòu)件。膜處理燃?xì)鉂M輪構(gòu)件預(yù)熱 至200°C，并且浸泡在污垢滲合物中30分鐘。在W150°C整夜干燥之后，較少或沒有污垢存 在于燃?xì)鉂M輪構(gòu)件上。 W59] 實(shí)例3 樣本5為通過利用連續(xù)攬拌W0. 5到2. 0%的濃度使硅烷與去離子水混合來制備的含 水成膜溶液。pH使用乙酸調(diào)整至4. 5到5. 5。在樣本6中，0.1%的非離子表面活性劑添加 來改進(jìn)去離子水中的硅烷的可溶性。 W60] 實(shí)例4 膜處理分別使用樣本5-6的成膜溶液施加至燃?xì)鉂M輪構(gòu)件。膜處理燃?xì)鉂M輪構(gòu)件預(yù)熱 至200°C，并且浸泡在污垢混合物中30分鐘。在W150°C整夜干燥之后，較少或沒有污垢存 在于燃?xì)鉂M輪構(gòu)件上。
[0061] 實(shí)例1-4的結(jié)果因此展示了本文所述的燃?xì)鉂M輪膜處理方法和系統(tǒng)導(dǎo)致燃?xì)鉂M 輪構(gòu)件的顯著減少的結(jié)垢。
[0062] 雖然已經(jīng)結(jié)合僅有限數(shù)量的實(shí)施例來詳細(xì)描述本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)容易理解，本發(fā)明 不限于此類公開的實(shí)施例。相反，可修改本發(fā)明，W并入迄今未描述但與本發(fā)明的精神和范 圍相稱的任何數(shù)量的變型、更改、替換或等同布置。另外，雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的多種實(shí) 施例，但將理解，本發(fā)明的方面可包括所描述的實(shí)施例中的僅一些。因此，本發(fā)明不視為由 前述描述限制，而是僅由所附權(quán)利要求的范圍限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種方法，包括： 使成膜劑與液體混合來形成成膜溶液，其中所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅 烷、氨基硅烷、四乙氧基硅烷、琥珀酐硅烷，或包括前述中的至少一個(gè)的組合；以及 使用入口空氣冷卻裝置將所述成膜溶液分配到表面上。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面為渦輪機(jī)表面或燃?xì)鉁u輪表面。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面為燃?xì)鉁u輪表面，其為外殼、導(dǎo) 葉、葉片、轉(zhuǎn)子輪或渦輪中的至少一個(gè)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述液體為去離子水。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以乙酸調(diào)整所述成膜溶 液的pH。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述成膜溶液的pH為從大約5到大約9。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述入口空氣冷卻裝置為噴霧器。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述入口空氣冷卻裝置為蒸發(fā)冷卻器。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基 硅烷、氨基硅烷、四乙氧基硅烷或琥珀酐硅烷中的至少兩個(gè)的組合。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述成膜劑將一個(gè)或更多個(gè)性質(zhì)給予所 述表面，所述一個(gè)或更多個(gè)性質(zhì)包括被動(dòng)性、疏水性、疏油性、抗粘性質(zhì)，或包括前述中的至 少一個(gè)的組合。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述成膜劑使用與燃?xì)鉁u輪流體連通的 快速斷開設(shè)備分配。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括使非離子表面活性劑與 所述成膜劑混合。13. -種系統(tǒng)，包括： 處理器；以及 通信性地聯(lián)接于所述處理器的系統(tǒng)存儲(chǔ)器，所述系統(tǒng)存儲(chǔ)器具有儲(chǔ)存在其上的可執(zhí)行 指令，其在由所述處理器執(zhí)行時(shí)，引起所述處理器執(zhí)行操作，所述操作包括： 從傳感器接收數(shù)據(jù)；以及 基于從所述傳感器接收的數(shù)據(jù)提供指令來使用入口空氣冷卻裝置將成膜劑分配到表 面上，其中所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、四乙氧基硅烷、琥珀酐 硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫 基硅烷、氨基硅烷、四乙氧基硅烷或琥珀酐硅烷中的至少兩個(gè)的混合物。15. -種成膜控制系統(tǒng)，包括： 構(gòu)造成容納成膜劑的儲(chǔ)存罐； 入口空氣冷卻裝置；以及 在第一端上聯(lián)接于所述儲(chǔ)存罐并且在第二端上聯(lián)接于所述入口空氣冷卻裝置的供應(yīng) 導(dǎo)管；其中所述成膜控制系統(tǒng)構(gòu)造成將所述成膜劑從所述儲(chǔ)存罐輸送并且通過所述空氣入 口冷卻裝置排出所述成膜劑，并且所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、 四乙氧基硅烷、琥珀酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的成膜控制系統(tǒng)，其特征在于，所述成膜控制系統(tǒng)還包括與 所述供應(yīng)導(dǎo)管流體連通的第二儲(chǔ)存罐，其中所述第二儲(chǔ)存罐包含去離子水，并且其中所述 去離子水在通過所述空氣入口冷卻裝置排出所述去離子水和所述成膜劑之前添加至所述 成膜劑。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的成膜控制系統(tǒng)，其特征在于，所述成膜控制系統(tǒng)還包括： 與待處理的表面連通的傳感器； 設(shè)置在所述供應(yīng)導(dǎo)管內(nèi)的閥和具有處理器和操作性地聯(lián)接于所述處理器的存儲(chǔ)器的 控制器，所述存儲(chǔ)器具有可執(zhí)行指令，其在由所述處理器執(zhí)行時(shí)引起所述處理器執(zhí)行操作， 所述操作包括： 從所述傳感器接收信號(hào)并且響應(yīng)于所述接收將指令提供至所述閥以開啟，以容許將所 述去離子水和所述成膜劑通過所述入口空氣冷卻裝置排出到所述表面上。
【專利摘要】本文公開了用于利用成膜劑使用入口空氣冷卻裝置處理表面如燃?xì)鉁u輪表面的系統(tǒng)和方法。成膜控制系統(tǒng)包括構(gòu)造成容納成膜劑的儲(chǔ)存罐；入口空氣冷卻裝置；以及在第一端上聯(lián)接于儲(chǔ)存罐并且在第二端上聯(lián)接于入口空氣冷卻裝置的供應(yīng)導(dǎo)管；其中成膜控制系統(tǒng)構(gòu)造成將成膜劑從儲(chǔ)存罐輸送并且通過空氣入口冷卻裝置排出成膜劑，并且成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、四乙氧基硅烷、琥珀酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。
【IPC分類】F02C7/00, B08B3/08
【公開號(hào)】CN105422283
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510581036
【發(fā)明人】S.埃卡納亞克, R.胡利, E.門多扎, A.I.西皮奧
【申請(qǐng)人】通用電氣公司
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年9月14日
【公告號(hào)】DE102015115092A1, US20160076458