專利名稱：具有納米線的發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及具有納米線的發(fā)光顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
由于已經(jīng)被廣泛用作主要的平面顯示設(shè)備的液晶顯示設(shè)備不使用自發(fā)光元件，額外的發(fā)光兀件(例如，背光源(backlight))對(duì)于液晶顯不設(shè)備是需要的。由于上述結(jié)構(gòu),液晶顯示器在厚度或者被簡(jiǎn)化的結(jié)構(gòu)上有限制。由于被設(shè)想用于克服液晶顯示設(shè)備的上述限制的有源矩陣有機(jī)發(fā)光設(shè)備(AMOLED)采用了自發(fā)光的有機(jī)發(fā)光設(shè)備，不需要背光源或者彩色濾光片(filter)。由于上述原因，有源矩陣有機(jī)發(fā)光設(shè)備具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)以及高的光提取效率。盡管自發(fā)光元件有上述優(yōu)點(diǎn)，但是由于材料限制，到目前為止很難采用AMOLED。由于材料易受水分影響的特點(diǎn)，封裝過程應(yīng)該是必要的，以及除了真空沉積過程之外沒有用于制造元件的特定過程。為了克服上述限制，材料已經(jīng)被擴(kuò)展為高分子材料，并且已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了另一方法，例如噴墨方法、激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)方法等，然而，滿足特點(diǎn)的方法以及元件的壽命還沒有被泛化。

發(fā)明內(nèi)容
將由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的技術(shù)解決方案將提供具有納米線發(fā)光元件的發(fā)光顯示設(shè)備，其中納米線形成在具有不同功函數(shù)的電極之間，以當(dāng)電流施加于該納米線時(shí)發(fā)射光。將由本發(fā)明的另一實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的技術(shù)解決方案將提供具有納米線發(fā)光元件的發(fā)光顯示設(shè)備，其中發(fā)光元件和晶體管以及電容由該納米線制造，以使制造過程能夠被簡(jiǎn)化。將由本發(fā)明的另一實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的技術(shù)解決方案將提供具有納米線發(fā)光元件的發(fā)光顯示設(shè)備，該納米線發(fā)光元件利用具有半導(dǎo)體的功能和發(fā)光功能的納米線發(fā)光晶體管，以簡(jiǎn)化制造過程并與驅(qū)動(dòng)電路部分比較增加一個(gè)發(fā)光區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明，所述發(fā)光顯示設(shè)備包括被電連接到第一電源線的發(fā)光元件；被電連接到所述發(fā)光元件和第二電源線的驅(qū)動(dòng)晶體管；被電連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第二電源線和數(shù)據(jù)線的電容；以及被電連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述數(shù)據(jù)線、以及掃描線之間的開關(guān)晶體管。這里，所述發(fā)光元件由納米線制成。所述發(fā)光元件還包括覆蓋所述納米線的一端和該一端的內(nèi)圓周表面和外圓周表面、并且被電連接到所述第一電源線的第一電極；以及覆蓋所述納米線的另一端和該另一端的內(nèi)圓周表面和外圓周表面、并且被電連接到所述第二電源線的的第二電極。這里，所述第一電極具有不同于所述第二電極的功函數(shù)。所述第一電極與所述第二電極齊平，并且在水平方向與所述第二電極隔開。
所述發(fā)光元件還包括在所述納米線下面形成的第一電極；以及在所述納米線上面形成的第二電極。這里，所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。所述第一電極不與所述第二電極齊平，并且在垂直方向與所述第二電極隔開。所述發(fā)光元件包括至少一個(gè)第一電極；以及在水平方向與所述第一電極隔開、并且包圍所述第一電極的至少三個(gè)側(cè)表面的第二電極，以及所述納米線形成在所述第一電極和所述第二電極之間。這里，所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。彩色濾光片被進(jìn)一步形成在所述發(fā)光元件之上或之下。所述驅(qū)動(dòng)晶體管或者開關(guān)晶體管包括柵電極；覆蓋所述柵電極的柵絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的第二納米線；被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；以及被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極。所述驅(qū)動(dòng)晶體管或者所述開關(guān)晶體管包括第二納米線；覆蓋所述第二納米線的柵絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述第二納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極；覆蓋所述柵電極以及對(duì)應(yīng)于外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體；貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；以及貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述第二納米 線的另一端的第二電極。所述驅(qū)動(dòng)晶體管或者所述開關(guān)晶體管包括第二納米線；被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極；覆蓋所述第二納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及在對(duì)應(yīng)于所述第二納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極。所述電容包括在襯底上形成的第二納米線；包圍所述第二納米線的絕緣層；包圍所述絕緣層的第一電極；以及被連接到通過所述絕緣層暴露的所述第二納米線的第二電極。一個(gè)凹槽在對(duì)應(yīng)于絕緣體的襯底的一個(gè)區(qū)域上形成。所述電容包括第二納米線；被連接到所述第二納米線的第一電極；覆蓋所述第二納米線的絕緣層；以及在對(duì)應(yīng)于所述第二納米線的所述絕緣層上形成的第二電極。所述納米線由CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3:Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4: Eu、(Ca, Sr) S: Eu、SrS: Eu、Y2O3: Eu、YVO4: Eu, Bi、ZnS: Tb、ZnS: Ce, Cl、ZnS: Cu, Al、Gd2O2S: Tb、Gd2O3: Tb, Zn、Y2O3: Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2SiO5: Tb, Y2Si2O7: Tb, Y2O2S: Tb, ZnO: Ag, ZnO: Cu, Ga, CdS:Mn、BaMgAl10017:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga)2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn、YBO3: Ce, Tb、Ba2SiO4:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu>SrS: Ce, ZnS: Tm, ZnS:Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn, YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6C12:Eu、BaMgAlltlO17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、YAG (釔、鋁、石榴石)的混合物或化合物形成，或者由利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3 :Eu+2的混合物或者化合物形成，或者從由ZnO, ln203、SnO2, SiGe、GaN、InP, InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物形成。為從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物的摻雜物可以被進(jìn)一步添加到所述第二納米線。第二納米線是由從ZnO、ln203、SnO2, SiGe、GaN、InP, InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物形成。為從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物的摻雜物可以被進(jìn)一步添加。所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一電極和所述第二電極或者所述開關(guān)晶體管的所述第一電極和所述第二電極具有相同的功函數(shù)。否則，所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述開關(guān)晶體管的第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)，以及遮光構(gòu)件(member)進(jìn)一步形成在所述驅(qū)動(dòng)晶體管或者所述開關(guān)晶體管之上或者之下。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的所述發(fā)光顯示設(shè)備包括被電連接到第一電源線和第二電源線的納米線發(fā)光晶體管；被電連接到所述納米線發(fā)光晶體管、所述第二電源線、以及數(shù)據(jù)線的電容；被電連接到所述納米線發(fā)光晶體管、所述數(shù)據(jù)線、所述電容、以及掃描線的開關(guān)晶體管。所述納米線發(fā)光晶體管包括柵電極；覆蓋所述柵電極的柵絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及被連接到所述納米線的另一端的第二電極。這里，所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。 所述納米線發(fā)光晶體管包括納米線；覆蓋所述納米線的柵絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極；覆蓋所述柵電極以及對(duì)應(yīng)于外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體；貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述納米線的另一端的第二電極。這里，所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。所述納米線發(fā)光晶體管包括納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；被連接到所述納米線的另一端的第二電極；覆蓋所述納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極，這里，所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。所述開關(guān)晶體管包括柵電極；覆蓋所述柵電極的柵絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的柵絕緣層上形成的納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及被連接到所述納米線的另一端的第二電極。所述開關(guān)晶體管包括納米線；覆蓋所述納米線的柵絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極；覆蓋所述柵電極以及對(duì)應(yīng)于外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體；貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述納米線的另一端的第二電極。所述開關(guān)晶體管包括納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；被連接到所述納米線的另一端的第二電極；覆蓋所述納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極。所述電容包括在所述襯底上形成的納米線；包圍所述納米線的絕緣層；包圍所述絕緣層的第一電極；以及被連接到通過所述絕緣層暴露的所述納米線的第二電極。所述襯底具有一個(gè)在對(duì)應(yīng)于所述絕緣體的襯底的區(qū)域上形成的凹槽。所述電容包括納米線；被連接到所述納米線的第一電極；覆蓋所述納米線的絕緣層；以及在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述絕緣層上形成的第二電極。所述第一電極被電連接到所述第一電源線，以及所述第二電極被電連接到所述第二電源線。這里，所述第一電極的功函數(shù)大于所述第二電極的功函數(shù)。
所述柵電極由透明導(dǎo)電氧化物或者不透明金屬形成。所述納米線由CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3:Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4: Eu、(Ca, Sr) S: Eu、SrS: Eu、Y2O3: Eu、YVO4: Eu, Bi、ZnS: Tb、ZnS: Ce, Cl、ZnS: Cu, Al、Gd2O2S: Tb、Gd2O3: Tb, Zn、Y2O3: Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2SiO5: Tb, Y2Si2O7: Tb, Y2O2S: Tb, ZnO: Ag, ZnO: Cu, Ga, CdS:Mn、BaMgAl10017:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga)2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn、YBO3: Ce, Tb、Ba2SiO4:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu>SrS: Ce, ZnS: Tm, ZnS:Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn, YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6C12:Eu、BaMgAlltlO17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、YAG (釔、鋁、石榴石)的混合物或化合物形成，或者由利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3 :Eu+2的混合物或者化合物形成，或者從由ZnO、ln203、SnO2, SiGe、GaN、InP, InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物形成。為從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物的摻雜物可以被進(jìn)一步添加到所述納米線。所述開關(guān)晶體管或者所述電容的所述納米線是由從ZnO、ln203、SnO2> SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS> ZnSe> CdS> CdSe 組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物形成。為從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、 Ga組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物的摻雜物可以被進(jìn)一步添加到所述開關(guān)晶體管或者所述電容的所述納米線。所述開關(guān)晶體管的所述第一電極和所述第二電極具有相同的功函數(shù)。而不是互不相同的功函數(shù)，遮光構(gòu)件形成在所述開關(guān)晶體管之上或者之下。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供了利用納米線發(fā)光元件的所述發(fā)光顯示設(shè)備，其中納米線形成在具有不同功函數(shù)的電極之間，以在電流被施加于納米線時(shí)發(fā)出特定顏色的光，并因此所述發(fā)光顯示設(shè)備具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，而不使用具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)的、且在傳統(tǒng)的液晶顯示設(shè)備中采用的背光源和彩色濾光片。此外，本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式提供了所述發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述發(fā)光元件和所述晶體管以及所述電容由納米線制造，并因此不需要使用復(fù)雜的過程(如真空沉積)以及工具(如，用于制造過程的精細(xì)(fine)金屬掩膜)。另外，本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式提供了利用具有半導(dǎo)體功能和發(fā)光功能的所述納米線發(fā)光晶體管的所述發(fā)光顯示設(shè)備，以使制造工程能夠被簡(jiǎn)化以及與驅(qū)動(dòng)電路部分相比能夠增加一個(gè)發(fā)光區(qū)域。此外，本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式提供了對(duì)水分或者空氣不敏感的發(fā)光顯示設(shè)備，以使發(fā)光特性能夠僅由稀薄保護(hù)層維持。


圖Ia是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光顯示設(shè)備的平面視圖，圖Ib是示出了圖Ia的(紅藍(lán)綠)RGB像素的平面視圖，以及圖Ic是示出了另一個(gè)RGB像素的橫截面視圖；圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的具有納米線的發(fā)光顯示設(shè)備的電路圖；圖3a和圖3b是分別示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的具有臥式和立式發(fā)光元件的發(fā)光顯示設(shè)備的像素的平面視圖；圖4a和圖4b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的臥式發(fā)光元件的平面視圖；圖5a和圖5b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的臥式發(fā)光元件的平面視圖和橫截面視圖；圖6a和圖6b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的立式發(fā)光元件的平面視圖和橫截面視圖；圖7a是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的納米線底部柵晶體管的橫截面視 圖，以及圖7b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的納米線底部柵晶體管的橫截面視圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的納米線頂部柵晶體管的橫截面視圖；圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的納米線頂部柵晶體管的橫截面視圖；圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的納米線電容的橫截面視圖；圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的電容的橫截面視圖；圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的具有納米線發(fā)光晶體管的發(fā)光顯示設(shè)備的電路圖；圖13a和圖13b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的底部柵納米線發(fā)光晶體管的平面視圖和橫截面視圖，以及根據(jù)圖13c是示出了本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的納米線底部柵晶體管(開關(guān)晶體管)的橫截面視圖；圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的頂部柵納米線發(fā)光晶體管的橫截面視圖；圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的頂部柵納米線發(fā)光晶體管的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式將通過參考附圖被詳細(xì)的描述。以下示例性實(shí)施方式被描述是為了使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠具體化(embody)和實(shí)踐本發(fā)明。這里，具有類似的結(jié)構(gòu)以及執(zhí)行類似的功能的元件在整個(gè)說(shuō)明書中由相同的參考數(shù)字指示。另外，“一部分被電連接到另一部分”的表達(dá)不僅包括所述部分和所述另一部分被直接地互相連接的情況，而且還包括所述部分和所述另一部分通過布置于二者之間的另一個(gè)元件而互相連接的情況。圖Ia是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光顯示設(shè)備的平面視圖，圖Ib是示出了圖Ia的RGB像素的平面視圖，以及Ic是示出了另一個(gè)RGB像素的橫截面視圖。如圖Ia所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光顯示設(shè)備10包括顯示區(qū)域11，非顯示區(qū)域12，驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器13，以及外部連接部分14。NXM個(gè)數(shù)量的像素15在顯示區(qū)域11上形成，并且每一個(gè)像素15由三個(gè)像素(紅(R)，綠(G)，藍(lán)(B)像素)組成。這里，從R、G和B像素發(fā)出的光的顏色取決于形成納米線的材料。如圖Ib所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的所述像素15可以由納米線15a、電路和導(dǎo)線截面15b組成。所述納米線15a是發(fā)出紅色光、藍(lán)色光和綠色光中的一者的部分，所述電路和所述導(dǎo)線截面15b是在其上被提供用來(lái)驅(qū)動(dòng)和控制所述納米線的晶體管、電容和導(dǎo)線的部分。如圖Ic所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的RGB像素可以包括發(fā)出白色光的納米線150a、電路和導(dǎo)線截面15b。為了顯示紅色、綠色和藍(lán)色光中的每一個(gè)，此時(shí)，RGB彩色濾光片17可以被排列在發(fā)出所述白色光的納米線150a之上或之下。因此，盡管所述納米線150a發(fā)出白色光，但由于所述RGB彩色濾光片17被排列在所述納米線之上或之下，利用 上述的顯示設(shè)備能夠顯示彩色光。沒有被說(shuō)明的參考數(shù)字16指示襯底。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的具有納米線的發(fā)光顯示設(shè)備的電路圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的具有納米線的發(fā)光顯示設(shè)備20包括第一電源線Vdd，發(fā)光元件LED，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl，第二電源線Vss，電容C，開關(guān)晶體管T2，數(shù)據(jù)線Vdata和掃描線Sn。 例如，所述第一電源線Vdd供應(yīng)約5V的電壓。與傳統(tǒng)的AMOLED相比，具有所述納米線的所述發(fā)光元件LED以低電流運(yùn)行，并因此供應(yīng)5伏的電力到所述第一電源線Vdd是足夠的。然而，本發(fā)明并不限于上述。換句話說(shuō)，比上述電壓更高或者更低的電壓都可以通過第一電源線Vdd被供應(yīng)給具有所述納米線的所述發(fā)光元件。具有所述納米線的所述發(fā)光元件LED包括多個(gè)由無(wú)機(jī)發(fā)光材料形成的納米線，被電連接到所述納米線的一端的第一電極以及被電連接到所述納米線的另一端的第二電極。這里，所述第一電極被電連接到第一電源線Vdd。因此，所述第一電極可以是陽(yáng)極。所述第二電極被電連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl。因此，所述第二電極可以是陰極。具有所述納米線、且如上述描述那樣進(jìn)行構(gòu)建的所述發(fā)光元件LED的多種結(jié)構(gòu)將在下文被描述。所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl被電連接到所述發(fā)光元件LED。所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl包括第一電極，第二電極和柵電極。所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的所述第一電極(源電極或者漏電極)被電連接到所述發(fā)光元件LED的所述第二電極。所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的所述第二電極(漏電極或者源電極)被電連接到所述第二電源線Vss。所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的所述柵電極被電連接到所述電容C以及所述開關(guān)晶體管T2。另一方面，上述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl還可以包括所述納米線。這種驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的多種結(jié)構(gòu)將在下文被描述。所述第二電源線Nss供應(yīng)比被所述第一電源線Vdd供應(yīng)的電壓更低的電壓。例如，所述第二電源線Vss可以供應(yīng)地電壓。然而，本發(fā)明并不限于上述。換句話說(shuō)，比所述地電壓更高或者更低的電壓可以通過第二電源線Vss被供應(yīng)給具有所述納米線的所述發(fā)光元件 LED。所述電容C被電連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、所述開關(guān)晶體管T2和所述第二電源線Vss。所述電容C具有第一電極和第二電極。所述電容C的所述第一電極被電連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl和所述開關(guān)晶體管T2的柵電極。所述電容C的所述第二電極被電連接到第二電源線Vss和所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的所述第二電極。與此同時(shí)，上述電容C還可以包括所述納米線。所述電容C的多種結(jié)構(gòu)將在下文被描述。所述開關(guān)晶體管T2被電連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、所述電容C、所述數(shù)據(jù)線Vdate和所述掃描線Sn。所述開關(guān)晶體管T2包括第一電極、第二電極和柵電極。所述開關(guān)晶體管T2的所述第一電極被電連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的所述柵電極以及所述電容C的所述第一電極。所述開關(guān)晶體管T2的所述第二電極被電連接到所述數(shù)據(jù)線Vdata。所述開關(guān)晶體管T2的所述柵電極被電連接到所述掃描線Sn。與此同時(shí)，上述開關(guān)晶體管T2還可以包括所述納米線。所述開關(guān)晶體管T2的多種結(jié)構(gòu)將在下文被描述。所述數(shù)據(jù)線Vdata供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)。由數(shù)據(jù)線Vdata供應(yīng)的數(shù)據(jù)通過所述開關(guān)晶體管T2被保存在所述電容C中。所述掃描線Sn供應(yīng)掃描信號(hào)。所述開關(guān)晶體管T2被通過所述掃描線Sn而供應(yīng)的所述掃描信號(hào)打開。另外，當(dāng)所述開關(guān)晶體管T2如上面描述的那樣被打開時(shí)，通過所述數(shù)據(jù)線Vdata而供應(yīng)的數(shù)據(jù)被保存在所述電容C中。 在上文中，由兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容(2TR 1CAP)組成的所述發(fā)光顯示電路20作為示例被闡述。然而，用于改善所述發(fā)光顯示設(shè)備的性能的所有已知的或者將要被知道的所述發(fā)光顯示電路會(huì)很自然地被采用。圖3a和圖3b是分別示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的具有臥式和立式發(fā)光元件的發(fā)光顯示設(shè)備的像素的平面視圖。如圖3a所示，具有臥式發(fā)光元件的所述發(fā)光顯示設(shè)備的像素30包括具有以水平方向形成的納米線的發(fā)光元件31，被電連接到所述發(fā)光元件31的驅(qū)動(dòng)晶體管32，電容33和開關(guān)晶體管34。這里，為了提高所述光提取效率，所述臥式發(fā)光元件31具有最大的尺寸或者區(qū)域，且其結(jié)構(gòu)將在下文被闡述。如圖3b所述，具有立式發(fā)光元件的所述發(fā)光顯示設(shè)備的像素40包括具有以垂直方向形成的納米線的發(fā)光元件41，被電連接到所述發(fā)光元件41的驅(qū)動(dòng)晶體管42，電容43和開關(guān)晶體管44。這里，為了提高所述光提取效率，所述立式發(fā)光元件41具有最大的尺寸或者區(qū)域，且其結(jié)構(gòu)將在下文被闡述。在上文中，由兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容組成的像素30、40的像素布局作為示例被闡述。然而，用于改善所述像素的性能的所有已知的或者將要被知道的所有像素的布局會(huì)很自然地被采用。圖4a和圖4b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的臥式發(fā)光元件的平面視圖。如圖4a所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的臥式發(fā)光元件31包括具有粗略的(rough) “丄”形狀的第一電極31a (或者第二電極)；與所述第一電極31a隔開、并且包圍所述第一電極31a的粗略的“ H ”形狀的第二電極31b (或者第一電極);以及在所述第一電極31a和所述第二電極31b之間形成的、并且被電連接到所述第一電極31a和所述第二電極31b的多個(gè)納米線31c。如圖4b所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的臥式發(fā)光元件31包括具有粗略的“ _U_ ”形狀的第一電極31a’(或者第二電極)；與所述第一電極31a’隔開、并且包圍所述第一電極31a’的粗略的“Π”形狀的第二電極31b’(或者第一電極);以及在所述第一電極31a’和所述第二電極31b’之間形成的多個(gè)納米線31c’。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的所述臥式發(fā)光元件31、31’中，由于以上結(jié)構(gòu)，盡可能多的納米線被形成并且被排列在所述第一電極和所述第二電極之間，并且被電連接所述第一電極和所述第二電極，因此所述光提取效率被最大化。圖5a和圖5b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的臥式發(fā)光元件的平面視圖和橫截面視圖。如圖5a和圖5b所不,根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光兀件310包括在襯底310上形成的多個(gè)納米線313 ;覆蓋所述納米線313的一端部分以及該一端部分的內(nèi)圓周表面和外圓周表面的第一電極311 ;以及覆蓋所述納米線313的另一端部分以及該另一端部分的內(nèi)圓周表面和外圓周表面的第二電極312。這里，所述第一電極311可以被電連接到第一電源線，以及所述第二電極312可以被電連接到第二電源線。另外，所述第一電極311和所述第二電極312可以彼此齊平，并且在水平方向彼此分開。所述襯底301可以從陶瓷襯底、硅襯底、晶圓襯底、玻璃襯底、聚合物襯底和它們的等價(jià)物之中選擇。特別的是，在具有所述納米線的所述發(fā)光元件被提供在透明的發(fā)光顯示設(shè)備中的情況下，所述襯底可以由玻璃或者透明塑料形成。所述玻璃襯底可以由硅氧化 物形成。另外，所述聚合物襯底可以由聚合物形成，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺。在圖中沒有被說(shuō)明的參考數(shù)字302指示緩沖層。所述第一電極311以薄層的形狀形成，并且可以被用作陽(yáng)極。另外，所述第一電極311同時(shí)覆蓋所述納米線313的一端部分以及所述納米線的一端部分的內(nèi)圓周表面和外圓周表面，以使所述第一電極被電連接到所述納米線313。所述第一電極311可以由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)金屬來(lái)形成。另外，所述第一電極311可以由從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物來(lái)形成。多個(gè)納米線313被提供用來(lái)形成具有一定厚度的薄層。不言而喻，這樣的納米線313被電連接到所述第一電極311和所述第二電極322。另外，所述納米線313可以被排列，使得納米線的縱向并行于或者垂直于所述第一電極311 (或者所述第二電極)的縱向。換句話說(shuō)，所述納米線313可以被形成使得所述納米線在第一電極311 (或者所述第二電極)的縱向中從所述第一電極311 (或者所述第二電極)的一端穿到另一端，或者在向外的方向中，所述納米線可以被定向?yàn)閺乃龅谝浑姌O311 (或者所述第二電極)的平面向外。所述納米線313以具有長(zhǎng)度大于直徑的線的形狀形成。所述納米線的直徑大概是lnm-300nm,以及長(zhǎng)度大概是2nm_500 μ m。所述納米線313的所述薄層的厚度的均勻性與所述納米線313的所述直徑成反比。另一方面，如果所述納米線313的所述直徑約大于300nm，所述納米線313的所述薄層的厚度被部分地增加，以使所述納米線313的薄層的平整度被破壞。與此同時(shí)，所述納米線311由無(wú)機(jī)發(fā)光材料形成。根據(jù)顏色，各種熒光粉可以作為無(wú)機(jī)發(fā)光材料被使用。例如，例如CaS:Eu、ZnS: Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3:Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg)P2O7:Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4:Eu、(Ca, Sr) S:Eu、SrS:Eu、Y2O3:Eu、YVO4:Eu, Bi 的混合物或者化合物的熒光粉(其是紅色的熒光粉)可以作為無(wú)機(jī)發(fā)光材料被使用。
另外，例如ZnS:Tb、ZnS:Ce, Cl、ZnS:Cu, Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb, Zn、Y2O3:Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2Si05:Tb、Y2Si2O5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2SiTb, ZnO:Ag、ZnO:Cu, Ga、CdS:Mn,BaMgAl10O17 = Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn, YBO23: Ce, Tb、Ba2Si04:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu中的每一個(gè)的熒光粉(其是綠色的熒光粉)或者它們的混合物或者化合物可以作為無(wú)機(jī)發(fā)光材料被使用。而且，例如SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS :Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2Si04:Mn、YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca)10(P04)6Cl2:Eu、BaMgAlltlO17:Eu、BaMg2Al16O27 = Eu 中的每一個(gè)的熒光粉(其是藍(lán)色的熒光粉)或者它們的混合物或者化合物可以作為無(wú)機(jī)發(fā)光材料被使用。另外，例如YAG (釔、鋁、石榴石)的白色熒光粉可以作為無(wú)機(jī)發(fā)光材料被使用。而且，作為無(wú)機(jī)發(fā)光材料，利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O :Eu+2的混合物或者化合物可以被采用。另外，白色光可以通過混合ZnO+SnO和以上無(wú)機(jī)發(fā)光材料被得到。這里，所述無(wú)機(jī)發(fā)光材料包括形成物質(zhì)的主體(host)和在所述物質(zhì)中作為發(fā)光中心的摻雜物。總的來(lái)說(shuō)，例如Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C (包括金剛石)P、B_C、B-P (BP6)、B-Si、Si-C, Si-Ge, Si-Sn 和 Ge_Sn、SiC、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb, ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe、CdS/CdSe/CdTe、HgS/HgSe/HgTe、BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe、GeS、GeSe、GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO、PbS、PbSe、PbTe, CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr, AgKBeSiN2, CaCN2,ZnGeP2,CdSnAs2,ZnSnSb2, CuGeP3, CuSi2P3, Si3N4,Ge3N4, Al2O3, Al2Co的物質(zhì)可以被應(yīng)用于形成半導(dǎo)體納米線。基本上，特別的是，由例如Zn。、In2O3' SnO2, SiGe、GaN, InP、InAs, Ge、GaP、GaAs,GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe中的每一個(gè)、或者它們的混合物或者化合物的材料形成的納米線通過添加單獨(dú)的摻雜物而具有半導(dǎo)體的功能和發(fā)光功能。當(dāng)然，通過調(diào)整所述摻雜物的組分，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整發(fā)出的光的顏色是可能的。另外，Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga中的每一個(gè)、或者它們的混合物或者化合物可以被應(yīng)用為摻雜物，然而，本發(fā)明不僅限于上述材料。與此同時(shí),平坦化(planarizing)層(沒有示出)可被進(jìn)一步形成在所述納米線313之間的間隔之中或之上。根據(jù)納米線313的電特性，介電層或者導(dǎo)電層可以被形成作為平坦化層。如果所述納米線313具有電導(dǎo)率，由于電荷不被累積在所述納米線的表面，介電層或者絕緣層可以被形成作為所述平坦化層。另外，所述納米線313沒有電導(dǎo)率，由于當(dāng)?shù)碗妷罕患?lì)(excited)時(shí)電荷被累積在所述納米線的表面，為了保護(hù)電荷的積累，導(dǎo)電層可以被形成作為平坦化層。所述平坦化層填補(bǔ)在所述納米線313之間的間隔，使整個(gè)納米線能夠被平坦化。所述平坦化層可以由介電材料、高分子樹脂或者氧化物形成。所述第二電極312也以具有一定厚度的薄層的形狀形成，并且具有與第一電極311相反的極性。換句話說(shuō)，如果第一電極311是陽(yáng)極，所述第二電極312可以被用作陰極。所述第二電極312被電連接到納米線313。也就是說(shuō)，所述第二電極312同時(shí)覆蓋所述納米線313的另一端以及該另一端的內(nèi)圓周表面和外圓周表面，以使所述第二電極312被電連接到所述納米線313。另外，所述第二電極312可以是由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一者形成的金屬層。而且，所述第二電極312可以由從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物形成。同時(shí)，如果所述第一電極311的功函數(shù)與所述第二電極312的功函數(shù)不同，那么很難從所述納米線313發(fā)光。因此，如果第一電極311被用作陽(yáng)極，則所述第一電極311優(yōu)選地由從具有相對(duì)高的功函數(shù)的銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)形成。上述材料的所述功函數(shù)大約是4. 9eV,是相對(duì)高的功函數(shù)。另外，如果所述第二電極312被用作陰極，所述第二電極312優(yōu)選地由從具有相對(duì)低的功函數(shù)的鋁和與它的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)形成。上述材料的功函數(shù)大概是4. IeV,是相對(duì)低的功函數(shù)。此外，在由銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(IZO )、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)形成的所述第一電極311被用作陰極的情況下，為了保持所述第一電極和所述第二電極312之間的功函數(shù)的不同，鎂和鋁可以在形成所述第一電極311之前預(yù)先被沉積。另外，所述第一電極311與所述第二電極312齊平,并且所述第一電極311和所述第二電極312在水平方向被相互分開，以使所述臥式發(fā)光元件310被實(shí)現(xiàn)。此外，在上述臥式發(fā)光兀件310的情況中,雙向發(fā)光結(jié)構(gòu)能夠被獲得,其中通過該雙向發(fā)光結(jié)構(gòu),光在向上的方向和向下的方向中被發(fā)出，并且通過在所述發(fā)光元件之上或者之下額外形成不透明的反射層，所述發(fā)光方向能被調(diào)整成僅在一個(gè)方向中發(fā)光。圖6a和圖6b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的立式發(fā)光元件的平面視圖和橫截面視圖。如圖6a和圖6b所不,根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的立式發(fā)光兀件410包括納米線413、在所述納米線413下面形成的第一電極411、以及在所述納米線413上面形成的第二電極412。如上述描述的，所述納米線413、所述第一電極411和所述第二電極412由相同的材料形成。另外，所述第一電極411的功函數(shù)不同于上述納米線413的第二電極的功函數(shù)，以在納米線413上生成發(fā)光現(xiàn)象。另外，所述第一電極411與所述第二電極412不齊平，并且所述第一電極和所述第二電極在垂直方向被互相分開，以使所述立式發(fā)光兀件310被提供。在上述立式發(fā)光兀件410的情況中，由于分別形成所述第一電極411和所述第二電極412的位置能夠被相互交換，根據(jù)發(fā)光的方向，透明陽(yáng)極電極(例如，由ΙΤ0/ΙΖ0等形成)以及不透明陰極電極(例如，由鋁形成)能夠被恰當(dāng)?shù)呐帕幸源_定發(fā)光的方向。所述附圖中沒有被說(shuō)明的參考數(shù)字414指示絕緣層。下面闡述的本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式闡述了所述發(fā)光元件和所述驅(qū)動(dòng)晶體管，所述開關(guān)晶體管和所述電容由納米線組成。因此，根據(jù)本發(fā)明的所述發(fā)光顯示設(shè)備能利用公共納米線實(shí)現(xiàn)多個(gè)元件(所述發(fā)光元件，所述驅(qū)動(dòng)晶體管，所述開關(guān)晶體管和所述電容)，并因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解這個(gè)結(jié)構(gòu)明顯地簡(jiǎn)化了制造過程。
在下文中，由所述納米線形成的所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述開關(guān)晶體管和所述電容的結(jié)構(gòu)將被闡述。這里，由于所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述開關(guān)晶體管具有相同的結(jié)構(gòu)，應(yīng)該理解的是底部柵晶體管或者頂部柵晶體管被視為所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述開關(guān)晶體管。另外，與具有上面提到的發(fā)光特性的納米線相同種類的納米線被采用。換句話說(shuō)，該納米線是由例如ZnO, ln203、SnO2, SiGe、GaN、InP, InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe中的每一個(gè)或者它們的混合物或者化合物的材料形成的。毫無(wú)疑問，摻雜物被添加到上述材料中，所述摻雜物可以是Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga的中一者或者它們的混合物或者化合物。與此同時(shí)，由于以下被描述的晶體管的第一電極和第二電極沒有不同，發(fā)光現(xiàn)象基本不發(fā)生。因此，不必要的發(fā)光現(xiàn)象在所述晶體管的運(yùn)行期間不會(huì)被產(chǎn)生。然而，盡管所述第一電極和具有彼此不同的功函數(shù)的所述第二電極被使用，通過在所述晶體管之上或者在所述晶體管之下形成遮光構(gòu)件，可以阻止從所述晶體管發(fā)出的光被散發(fā)到所述發(fā)光設(shè)備之外。
圖7a是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的納米線底部柵晶體管的橫截面視圖，以及圖7b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的納米線底部柵晶體管的橫截面視圖。如圖7a所示，根據(jù)被發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的納米線底部柵晶體管510包括在襯底501的緩沖層502上形成的柵電極511 ;覆蓋所述柵電極511的柵絕緣層512 ;在對(duì)應(yīng)于所述柵電極511的所述柵絕緣層512上形成的納米線512 ;被連接到納米線513的一端的第一電極514 ;以及被連接到所述納米線513的另一端的第二電極515。這里，所述第一電極514和所述第二電極515可以是由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)金屬形成的金屬層。另外，所述第一電極514和所述第二電極515可以由從銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物形成。另外，由于被布置在所述第一電極514和第二電極515之間、且被電連接到所述第一電極514和第二電極515的所述納米線不應(yīng)該發(fā)光，因此優(yōu)選的是所述第一電極514和所述第二電極515由具有相同功函數(shù)的材料形成。例如，如果所述第一電極514由鋁形成，那么所述第二電極515也由鋁形成。如圖7b所示，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的遮光構(gòu)件516可以進(jìn)一步在底部柵晶體管510a之上或者之下形成。如上文所述，在具有彼此不同的功函數(shù)的所述第一電極514和所述第二電極515被使用的情況下，所述納米線513能夠發(fā)光。然而，通過遮光構(gòu)件516可以阻止從所述納米線513發(fā)出的光被散發(fā)到所述發(fā)光設(shè)備之外。基本上，上述遮光構(gòu)件可以被提供在下面介紹的驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管中。圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的納米線頂部柵晶體管的橫截面視圖。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的頂部柵晶體管610包括在襯底601的緩沖層602上形成的納米線611 ;覆蓋所述納米線611的柵絕緣層612 ;在對(duì)應(yīng)于所述納米線611的所述柵絕緣層612上形成的柵電極613 ;覆蓋所述柵電極613和對(duì)應(yīng)于外圍柵電極的所述柵絕緣層612的層間絕緣體614 ;貫穿所述層間絕緣體614并通過其貫穿部分而被連接到所述納米線611的一端的第一電極615 ；以及貫穿所述層間絕緣體614并通過其貫穿部分而被連接到所述納米線611的另一端的第二電極616。這里，所述第一電極615和所述第二電極616可以由與上文所述材料相同的材料形成。另外，為了不允許所述納米線611發(fā)光，所述第一電極615和所述第二電極616分別由具有相同的功函數(shù)的材料形成。圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的頂部柵晶體管的橫截面視圖。如圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的頂部柵晶體管710包括在襯底701的緩沖層702上形成的納米線711 ;被連接到所述納米線711的一端的第一電極712 ;被連接到所述納米線711的另一端的第二電極712 ;覆蓋所述納米線711、所述第一電極712和所述第二電極712的柵絕緣層714 ;以及在對(duì)應(yīng)于所述納米線711的所述柵絕緣層714上形成的柵電極715。這里，所述第一電極712和所述第二電極713可以由與上文所述的材料相同的材料形成。另外，為了不允許所述納米線711發(fā)光，所述第一電極712和所述第二電極713分·別由具有相同的功函數(shù)的材料形成。圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的電容的橫截面視圖。如圖10所示，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的電容810包括在具有其上形成的凹槽803且具有一定深度的襯底801上形成的納米線811 ;包圍所述納米線811的絕緣層812 ;包圍所述絕緣層812的第一電極813 ;以及被連接到通過絕緣層812暴露的所述納米線811的第二電極814。這里，由于所述納米線811被電連接到所述第二電極814，所述納米線811阻止所述第一電極811形成一個(gè)電容。這里，所述第一電極813和所述第二電極814可以由與上文所述材料相同的材料形成。另外，為了不允許所述納米線811發(fā)光，所述第一電極813和所述第二電極814分別由具有相同的功函數(shù)的材料形成。沒有被描述的參考數(shù)字802指示緩沖層。毫無(wú)疑問，基本上，盡管在所述第一電極813和所述第二電極814之間有不用的功函數(shù)，但由于所述電容不是電流元件，所述光不被發(fā)出。換句話說(shuō)，相互之間具有不同的功函數(shù)的所述第一電極813和所述第二電極814可以在電容上被使用。圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的電容的橫截面視圖。如圖11所示，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的電容910包括在襯底901上形成的納米線911 ;被電連接到所述納米線911的第一電極912 ;覆蓋所述納米線911的絕緣層913;以及在對(duì)應(yīng)于所述納米線911的所述絕緣層913上形成的第二電極914。這里，由于所述納米線911也被電連接到所述第一電極912，所述納米線911阻止所述第二電極914形成一個(gè)電容。所述第一電極912和所述第二電極914可以由與上文所述材料相同的材料形成。另外，為了不允許所述納米線911發(fā)光，所述第一電極912和所述第二電極914分別由具有相同的功函數(shù)的材料形成。圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的具有納米線發(fā)光晶體管的發(fā)光顯示設(shè)備的電路圖。如圖12所示，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光顯示設(shè)備50包括第一電源線Vdd,納米線發(fā)光晶體管LED Tl，第二電源線Vss，電容C，開關(guān)晶體管T2，數(shù)據(jù)線Vdate和掃描線Sn。例如，所述第一電源線Vdd供應(yīng)大約5V的電壓。這里，與傳統(tǒng)的AMOLED相比，由于所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl以低電流運(yùn)行，5V的電壓足夠用于將被供應(yīng)到所述第一電源線Vdd的電力。然而，本發(fā)明不限于此。換句話說(shuō)，比上述電壓更高或者更低的電壓也可以通過第一電源線Vdd被供應(yīng)給所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl。所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl被電連接到所述第一電源線Vdd。所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl包括第一電極、第二電極和柵電極。所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl的所述第一電極(源電極或者漏電極)被電連接到所述第一電極線Vdd。所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl的所述第二電極(漏電極或者源電極)被電連接到所述第二電源線Vss。所述納米線發(fā)光晶體管LEDTl的所述柵電極被電連接到所述電容C和所述開關(guān)晶體管T2。與此同時(shí)，所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl包括具有半導(dǎo)體功能和發(fā)光功能的納米線。換句話說(shuō)，所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl在例如Vgs > Vth的情況下被打開。此時(shí)，發(fā)出規(guī)定顏色的光。上述納米線發(fā)光晶體管LED Tl的詳細(xì)結(jié)構(gòu)將在下文被描述。 所述第二電源線Vss提供比從第一電源線Vdd提供的電壓更低的電壓。例如，所述第二電源線Vss能提供地電壓。然而，本發(fā)明不限于此。換句話說(shuō)，比所述地電壓更高或者更低的電壓也能夠通過第二電源線Vss被供應(yīng)給所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl。所述電容C被電連接到所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl、所述開關(guān)晶體管T2和所述第二電源線Vss。所述電容C具有第一電極和第二電極。所述電容C的所述第一電極被電連接到所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl和所述開關(guān)晶體管T2的柵電極。所述電容C的所述第二電極被電連接到所述第二電源線Vss和所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl的第二電極。上述電容C可以包括所述納米線。這種電容C的多種結(jié)構(gòu)將在下文再一次被描述。所述開關(guān)晶體管T2被電連接到所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl、所述電容C、所述數(shù)據(jù)線Vdata和所述掃描線Sn。所述開關(guān)晶體管T2包括第一電極、第二電極和柵電極。所述開關(guān)晶體管T2的所述第一電極被電連接到所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl的柵電極和所述電容C的所述第一電極。所述開關(guān)晶體管T2的所述第二電極被電連接到數(shù)據(jù)線Vdata。所述開關(guān)晶體管T2的所述柵電極被電連接到所述掃描線Sn。與此同時(shí)，上述開關(guān)晶體管T2也可以包括所述納米線。這樣開關(guān)晶體管T2本質(zhì)上與所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl是相同的。在所述開光晶體管T2中，所述第一電極的功函數(shù)與第二電極的功函數(shù)相同。然而，在所述納米線發(fā)光晶體管LED Tl中，所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。所述數(shù)據(jù)線Vdata供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)。由數(shù)據(jù)線Vdata供應(yīng)的數(shù)據(jù)通過所述開關(guān)晶體管T2被保存在所述電容C中。所述掃描線Sn供應(yīng)掃描信號(hào)。所述開關(guān)晶體管T2由通過所述掃描線Sn供應(yīng)的所述掃描信號(hào)打開。另外，當(dāng)開關(guān)晶體管T2如上文描述的那樣被打開時(shí)，通過所述數(shù)據(jù)線Vdata供應(yīng)的數(shù)據(jù)被保存在所述電容C中。在上文，盡管通過示例示出了由兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容(2TR 1CAP)組成的所述發(fā)光顯示電路20，但是用于改善發(fā)光顯示設(shè)備的性能的所有已知的或者將要知道的發(fā)光顯示電路可以被應(yīng)用。圖13a和圖13b是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的底部柵納米線發(fā)光晶體管的平面視圖和橫截面視圖，以及圖13c是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的納米線底部柵晶體管(開關(guān)晶體管)的橫截面視圖。如圖13a和13b所示，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的底部柵納米線發(fā)光晶體管1010包括在襯底1001的緩沖層1002上形成的柵電極1011 ;覆蓋所述柵電極1011的柵絕緣層1012 ;在對(duì)應(yīng)于所述柵電極1011的所述柵絕緣層1012上形成的納米線1013 ;被連接到所述納米線1013的一端的第一電極1014 ;以及被連接到所述納米線1013的另一端的第二電極1015。所述襯底1001可以是從陶瓷襯底、硅晶圓襯底、玻璃襯底、聚合物襯底和它們的等價(jià)物中選擇出的一個(gè)。特別的是，在所述襯底被應(yīng)用在雙向發(fā)光顯示設(shè)備中的情況下，所述襯底可以由玻璃或者透明塑料形成。所述玻璃襯底可以由硅氧化物形成。另外，所述聚合物襯底可以由聚合物材料形成，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂(PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚酰亞胺。所述柵電極1011在所述襯底1001的所述緩沖層襯底1001上形成。在從所述顯示設(shè)備發(fā)出的光被向上散發(fā)的情況下，這個(gè)柵電極1011可以由不透明反射金屬形成。例 如，所述柵電極1011可以由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)不透明發(fā)射金屬形成。另外，在從所述顯示設(shè)備發(fā)出的光被向下或者向兩方向散發(fā)的情況下，這個(gè)柵電極1011可以由透明導(dǎo)電氧化物形成。例如，柵第二電極1011可以由從銦錫氧化物(ΙΤ0 )、銦鋅氧化物(ΙΖ0 )、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物形成。所述柵絕緣層1012覆蓋所述柵電極1012和對(duì)應(yīng)于所述外圍柵電極的緩沖層1012。所述柵絕緣層1012可以是從傳統(tǒng)的氧化層、氮化層和它們的等價(jià)物之中選擇出的一者。所述納米線1013在對(duì)應(yīng)于所述柵電極1011的所述柵絕緣層1012上形成。這樣納米線1013具有發(fā)光功能和半導(dǎo)體功能。多個(gè)納米線1013被提供以在所述柵絕緣層1012上形成具有一定厚度的薄層。毫無(wú)疑問的是，所述納米線1013被電連接到在下文被描述的第一電極1014和第二電極1015。另外，所述納米線1313可以被排列使得所述納米線的縱向平行于或者垂直于所述第一電極1014 (或者所述第二電極)的縱向。換句話說(shuō)，所述納米線1013可以被形成使得所述納米線在第一電極1014 (或者第二電極)的縱向方向中從所述第一電極1014 (或者第二電極)的一端貫穿到另一端，或者在向外的方向中，所述納米線可以被定向?yàn)閺乃龅谝浑姌O1014 (或者第二電極)的平面表面向外。所述納米線1013以具有比直徑大的長(zhǎng)度的線的形狀形成。所述納米線的直徑大概是lnm-300nm,并且長(zhǎng)度大概是2nm_500 μ m。所述納米線313的所述薄層的厚度的均勻性與所述納米線1013的直徑成反比。另一方面，如果所述納米線1013的直徑約大于300nm，那么所述納米線1013的所述薄層的厚度被部分地增加以使所述納米線1013的所述薄層的
平整度被破壞。與此同時(shí)，所述納米線1311由無(wú)機(jī)發(fā)光材料形成。根據(jù)顏色，熒光粉可以用作無(wú)機(jī)發(fā)光材料。例如，例如CaS:Eu、ZnS: Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3:Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4: Eu、(Ca, Sr) S: Eu、SrS: Eu、Y3O3: Eu、YV04:Eu, Bi中的每一個(gè)的熒光粉(其是紅色的熒光粉)或者它們的混合物或者化合物可以用作無(wú)機(jī)發(fā)光材料。另夕卜，例如ZnS:Tb(主體;摻雜物)、ZnS:Ce, Cl、ZnS:Cu, Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb, Zn、Y2O3:Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2SiTb, ZnO:Ag, ZnO:Cu, Ga、CdS:Mn,BaMgAl10017:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga)2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn、YBO3: Ce, Tb、Ba2Si04:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu中的每一個(gè)的熒光粉(其是綠色的熒光粉)或者它們的混合物或者化合物可以用作無(wú)機(jī)發(fā)光材料。而且，例如SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS:Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2Si04:Mn、YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca)10(P04)6Cl2:Eu、BaMgAlltlO17:Eu、BaMg2Al16O27 = Eu 中的每一個(gè)的熒光粉(其是藍(lán) 色的熒光粉)或者它們的混合物或者化合物可以用作無(wú)機(jī)發(fā)光材料。另外，例如YAG (釔、鋁、石榴石)的白色熒光粉可以用作無(wú)機(jī)發(fā)光材料。而且，作為無(wú)機(jī)發(fā)光材料，利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3:Eu+2的混合物或者化合物可以被應(yīng)用。另外，白色光可以通過混合ZnO+SnO和以上無(wú)機(jī)發(fā)光材料被得到。換句話說(shuō)，所述無(wú)機(jī)發(fā)光材料包括形成物質(zhì)的主體和在所述物質(zhì)中作為發(fā)光中心的摻雜物。另外，這種無(wú)機(jī)發(fā)光材料在晶體管中的半導(dǎo)體活動(dòng)層和半導(dǎo)體通道區(qū)上形成?？偟膩?lái)說(shuō)，例如Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C (包括金剛石)P、B_C、B-P (BP6)、B-Si,Si-C, Si-Ge, Si-Sn 和 Ge_Sn、SiC、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb,BN/BP/BAs,AlN/AlP/AlAs/AlSb,GaN/GaP/GaAs/GaSb,InN/InP/InAs/InSb, ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe、CdS/CdSe/CdTe、HgS/HgSe/HgTe、BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe、GeS、GeSe、GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO、PbS、PbSe、PbTe, CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr,AgKBeSiN2, CaCN2,ZnGeP2,CdSnAs2,ZnSnSb2, CuGeP3, CuSi2P3, Si3N4,Ge3N4, Al2O3, Al2Co的物質(zhì)可以用于形成所述半導(dǎo)體納米線?；旧?，特別的是，由例如Zn。、In2O3' SnO2, SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe中的每一個(gè)、或者它們的混合物或者化合物的材料形成的納米線通過添加單獨(dú)的摻雜物而具有半導(dǎo)體的功能和發(fā)光功能。當(dāng)然，通過調(diào)整所述摻雜物的組分，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整發(fā)出的光的顏色是可能的。另外，Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga中的每一個(gè)、或者它們的混合物或者化合物可以用作摻雜物，然而，本發(fā)明不僅限于上述材料。與此同時(shí)，平坦化層(沒有示出)可以被進(jìn)一步形成在所述納米線1013之間的間隔之中或者之上。根據(jù)納米線1313的電特性，介電層或者導(dǎo)電層可以被形成作為平坦化層。如果所述納米線1013具有電導(dǎo)率，由于電荷不被累積在所述納米線的表面，介電層或者絕緣層可以被形成作為所述平坦化層。另外，如果所述納米線1013沒有電導(dǎo)率，由于在低電壓被激勵(lì)時(shí)電荷被累積在所述納米線的表面，因此為了防止電荷的積累，導(dǎo)電層可以被形成作為平坦化層。所述平坦化層填補(bǔ)在所述納米線1013之間的間隔，以使整個(gè)納米線能夠被平坦化。所述平坦化層可以由介電材料、高分子樹脂或者氧化物形成。所述第一電極1014以薄層的形狀形成，并且可以用作源電極(或者漏電極)。而且，所述第一電極1014同時(shí)覆蓋所述納米線1013的一端和該一端的內(nèi)圓周表面和外圓周表面，使得所述第一電極被電連接到所述納米線1013。所述第一電極1014可以由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)金屬形成。另外，所述第一電極1014可以由從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物、錫氧化物(Sn02)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物形成。所述第二電極1015也以具有一定厚度的薄層的形狀形成，并且具有與第一電極1014相反的極性。換句話說(shuō)，如果第一電極1014是源電極，所述第二電極1015可以被用作漏電極(或者源電極)。所述第二電極1015被電連接到納米線1013。也就是說(shuō)，所述第二電極1015同時(shí)覆蓋所述納米線1013的另一端以及該另一端的內(nèi)圓周表面和外圓周表面，以使所述第二電極被電連接到所述納米線1013。另外，所述第二電極1015可以被形成作為由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)形成的金屬層。另外，所述第二電極1015可以由從銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物形成?！?br> 同時(shí)，如果所述第一電極1014的功函數(shù)不與所述第二電極1015的功函數(shù)不同，那么很難從所述納米線1013發(fā)光。舉一個(gè)例子，第一電極1014可以由從具有相對(duì)高的功函數(shù)的銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(Sn02)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)形成。上述材料的功函數(shù)大概是4. 9eV，其是相對(duì)高的工作函數(shù)。同時(shí)，所述第二電極312可以由從具有相對(duì)低的功函數(shù)的鋁和它的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)形成。上述材料的功函數(shù)大概是4. leV，其是相對(duì)低的功函數(shù)。此外，在例如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)等的材料被用于同時(shí)形成所述第一電極1014和所述第二電極1015的情況下，為了產(chǎn)生所述第一電極1014和所述第二電極312之間的功函數(shù)的差，鎂和鋁可以在形成任意一個(gè)電極之前預(yù)先被沉積。另外，所述第一電極1014與所述第二電極1015齊平,并且所述第一電極和所述第二電極在水平方向相互分開，以使所述臥式納米線發(fā)光晶體管LED Tl被實(shí)現(xiàn)。此外，在上述臥式納米線發(fā)光晶體管LED Tl的情況中，雙向發(fā)光結(jié)構(gòu)能夠被獲得，其中通過該雙向發(fā)光結(jié)構(gòu)，光在向上的方向和向下的方向被發(fā)出，并且通過形成較低的柵電極1011作為不透明的反射金屬層或者在所述納米線發(fā)光晶體管上額外形成不透明的金屬反射層，所述發(fā)光方向能被調(diào)整成僅在一個(gè)方向中發(fā)光。如圖13c所示，單獨(dú)的遮光構(gòu)件1016可以被進(jìn)一步形成在根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的底部柵晶體管IOlOa (開關(guān)晶體管)之上或者之下。如上文描述的，如果具有不同的功函數(shù)的第一電極1014和第二電極1015被應(yīng)用，所述納米線1013能夠發(fā)光。然而，由于所述遮光構(gòu)件1016，阻止從所述納米線1013發(fā)出的光被散發(fā)到所述顯示設(shè)備的外面是可能的。當(dāng)然，在這種開關(guān)晶體管中，如果具有相同的功函數(shù)的第一電極和所述第二電極被應(yīng)用，抑制光如上文被發(fā)出是可能的。圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的頂部柵納米線發(fā)光晶體管的橫截面視圖。
如圖14所示，頂部柵納米線發(fā)光晶體管1110包括在襯底1101的緩沖層1102上形成的納米線1111 ;覆蓋所述納米線1111的柵絕緣層1112 ;在對(duì)應(yīng)于所述納米線1111的所述柵絕緣層1112上形成的柵電極1113 ;覆蓋所述柵絕緣電極1113和對(duì)應(yīng)于外圍柵電極1113的所述柵絕緣層1112的層間絕緣體1114 ;貫穿所述層間絕緣體1114并且通過其貫穿部分被連接到所述納米線1111的一端的第一電極1115 ;以及貫穿所述層間絕緣體1114并且通過其貫穿部分被連接到所述納米線1111的另一端的第二電極1116。這里，所述納米線1111由具有發(fā)光功能和半導(dǎo)體功能的上述材料形成，以及第一電極1115和第二電極1116可以由上述材料形成。當(dāng)然，為了使所述納米線1111能夠具有發(fā)光功能和半導(dǎo)體功能，所述第一電極1114和所述第二電極1115分別由功函數(shù)彼此不同的材料形成。 圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的頂部柵納米線發(fā)光晶體管的橫截面視圖。如圖15所示，頂部柵納米線發(fā)光晶體管1210包括在襯底1201的緩沖層1202上形成的納米線1211 ;被連接到所述納米線1211的一端的第一電極1212 ;被連接到所述納米線1211的另一端的第二電極1212 ;覆蓋所述納米線1211、所述第一電極1212和所述第二電極1212的柵絕緣層1214 ;以及在對(duì)應(yīng)于所述納米線1211的所述柵絕緣層1214上形成的柵電極1215。這里，所述納米線1211由具有發(fā)光功能和半導(dǎo)體功能的上述材料形成，以及第一電極1212和第二電極1213可以由上述材料形成。當(dāng)然，為了使所述納米線1211能夠具有發(fā)光功能和半導(dǎo)體功能，所述第一電極1212和所述第二電極1213分別由功函數(shù)彼此不同的材料形成。另一方面，圖12所示的所述開關(guān)晶體管T2具有實(shí)質(zhì)上與上文描述的納米線發(fā)光晶體管1010、1110和1210的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。除了第一電極和第二電極由相同的材料形成(即，所述第一電極和第二電極由具有相同的功函數(shù)的材料形成)以阻止所述開關(guān)晶體管T2的所述納米線發(fā)光，所述開關(guān)晶體管具有與納米線發(fā)光晶體管1010、1110和1210的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。舉一個(gè)例子，在所述開關(guān)晶體管T2中的第一電極和第二電極可以由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)金屬形成。另外，所述第一電極和所述第二電極可以由從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價(jià)物之中選擇出的一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物形成。如上文所描述的，所述第一電極和所述第二電極由具有相同功函數(shù)的材料形成，以阻止被布置在所述第一電極和所述第二電極之間、并且被電連接到所述第一電極和所述第二電極的所述納米線發(fā)光。例如，如果第一電極由鋁形成，所述第二電極也由鋁形成。另夕卜，如果第一電極由銦錫氧化物形成，所述第二電極也由銦錫氧化物形成。毫無(wú)疑問的，圖12所示的所述開關(guān)晶體管T2可以具有與所述納米線發(fā)光晶體管1010、1110和1210的結(jié)構(gòu)完全相同的結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，具有不同功函數(shù)的所述第一電極和所述第二電極能夠被應(yīng)用。同時(shí)，像所述納米線發(fā)光晶體管1010、1110和1210那樣，所述開關(guān)晶體管T2發(fā)出規(guī)定顏色的光。通過在所述開關(guān)晶體管T2之上或者之下形成單獨(dú)的遮光構(gòu)件，阻止從所述納米線513發(fā)出的光被散發(fā)到外面是可能的(見圖13c)。上述說(shuō)明書僅僅描述了用于實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的具有納米線的發(fā)光顯示設(shè)備的一個(gè)示例，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不偏離本發(fā)明所附的權(quán)利要求書所要求的范圍內(nèi)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行 修改。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光顯示設(shè)備，該發(fā)光顯示設(shè)備包括； 被電連接到第一電源線的發(fā)光元件； 被電連接到所述發(fā)光元件和第二電源線的驅(qū)動(dòng)晶體管； 被電連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第二電源線、以及數(shù)據(jù)線的電容；以及 被電連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述數(shù)據(jù)線、以及掃描線之間的開關(guān)晶體管， 其中所述發(fā)光元件由納米線制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述發(fā)光元件還包括 第一電極，該第一電極覆蓋所述納米線的一端以及該一端的內(nèi)圓周表面和外圓周表面，并且該第一電極被電連接到所述第一電源線；以及 第二電極，該第二電極覆蓋所述納米線的另一端以及該另一端的內(nèi)圓周表面和外圓周表面，并且該第二電極被電連接到所述第二電源線， 其中所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極與所述第二電極齊平，并且所述第一電極在水平方向上與所述第二電極隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述發(fā)光元件還包括 在所述納米線之下形成的第一電極；以及 在所述納米線之上形成的第二電極， 其中所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極不與所述第二電極齊平，并且所述第一電極在垂直方向上與所述第二電極隔開。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述發(fā)光元件包括 至少一個(gè)第一電極；以及 第二電極，該第二電極在水平方向上與所述第一電極隔開，并且該第二電極包圍所述第一電極的至少三個(gè)側(cè)表面， 其中所述納米線形成在所述第一電極與所述第二電極之間，并且 其中所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示設(shè)備，該發(fā)光顯示設(shè)備還包括在所述發(fā)光元件之上或之下形成的彩色濾光片。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管或所述開關(guān)晶體管包括 柵電極； 覆蓋所述柵電極的柵絕緣層； 在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的第二納米線； 被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；以及 被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管或所述開關(guān)晶體管包括 第二納米線； 覆蓋所述第二納米線的柵絕緣層；在覆蓋所述第二納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極； 覆蓋所述柵電極以及對(duì)應(yīng)于外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體； 貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；以及 貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管或所述開關(guān)晶體管包括 第二納米線； 被連接到所述第二納米線的一端的第一電極； 被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極； 覆蓋所述第二納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及 在對(duì)應(yīng)于所述第二納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述電容包括 在襯底上形成的第二納米線； 包圍所述第二納米線的絕緣層； 包圍所述絕緣層的第一電極；以及 被連接到通過所述絕緣層暴露的所述第二納米線的第二電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述襯底具有在該襯底對(duì)應(yīng)于所述絕緣層的區(qū)域上形成的凹槽。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述電容包括 第二納米線； 被連接到所述第二納米線的第一電極； 覆蓋所述第二納米線的絕緣層；以及 在對(duì)應(yīng)于所述第二納米線的所述絕緣層上形成的第二電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線由下列的混合物或化合物形成CaS: Eu>ZnS: Sm>ZnS:Mn>Y2O2S: Eu>Y2O2S: Eu, Bi ^Gd2O3: Eu> (Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu, Mn、CaLa2S4:Ce, SrY2S4:Eu, (Ca, Sr) S:Eu, SrS:Eu, Y203Eu, YVO4:Eu, Bi, ZnS: Tb, ZnS:Ce, Cl,ZnS: Cu, Al、Gd2O2SiTb, Gd2O3: Tb, Zn、Y2O3: Tb, Zn、SrGa2S4: Eu, Y2Si05:Tb、Y2Si207:Tb、Y2O2S:Tb> ZnO:Ag、ZnO:Cu, Ga、CdS:Mn、BaMgAl10O17:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2S4:Eu、Ca8Mg(SiO4) 4C12:Eu, Mn、YBO3:Ce, Tb、Ba2SiO4:Eu, (Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu,(Ba, Sr)Al2O4:Eu> Sr2Si308、2SrCl2:Eu、SrS:Ce> ZnS:Tm、ZnS:Ag, Cl> ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn>YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6C12: Eu、BaMgAlltlO17: Eu、BaMg2Al16O27: Eu、YAG (釔、鋁、石榴石)，或者由利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3:Eu+2的混合物或化合物形成，或者由從由 Zn。、In203、Sn02、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS> ZnSe> CdS> CdSe組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求8至13中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二納米線由從由 Zn。、ln203、Sn02、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe> CdS> CdSe組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線還包含摻雜物，所述摻雜物是從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二納米線還包含摻雜物，所述摻雜物是從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極具有相同的功函數(shù)。
19.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，該發(fā)光顯示設(shè)備還包括在所述驅(qū)動(dòng)晶體管或所述開關(guān)晶體管之上或之下形成的遮光構(gòu)件。
20.一種發(fā)光顯示設(shè)備，該發(fā)光顯示設(shè)備包括； 被電連接到第一電源線和第二電源線的納米線發(fā)光晶體管； 被電連接到所述納米線發(fā)光晶體管、所述第二電源線、以及數(shù)據(jù)線的電容； 被電連接到所述納米線發(fā)光晶體管、所述數(shù)據(jù)線、所述電容、以及掃描線的開關(guān)晶體管。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線發(fā)光晶體管包括 柵電極； 覆蓋所述柵電極的柵絕緣層； 在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的納米線； 被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及 被連接到所述納米線的另一端的第二電極， 其中所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線發(fā)光晶體管包括 納米線； 覆蓋所述納米線的柵絕緣層； 在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極； 覆蓋所述柵電極以及對(duì)應(yīng)于外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體； 貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述納米線的另一端的第二電極， 其中所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線發(fā)光晶體管包括 納米線； 被連接到所述納米線的一端的第一電極； 被連接到所述納米線的另一端的第二電極； 覆蓋所述納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及 在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極， 其中所述第一電極的功函數(shù)不同于所述第二電極的功函數(shù)。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述開關(guān)晶體管包括 柵電極； 覆蓋所述柵電極的柵絕緣層； 在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及 被連接到所述納米線的另一端的第二電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述開關(guān)晶體管包括 納米線； 覆蓋所述納米線的柵絕緣層； 在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極； 覆蓋所述柵電極以及對(duì)應(yīng)于外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體； 貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及 貫穿所述層間絕緣體、并且被連接到所述納米線的另一端的第二電極。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述開關(guān)晶體管包括 納米線； 被連接到所述納米線的一端的第一電極； 被連接到所述納米線的另一端的第二電極； 覆蓋所述納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及 在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極。
27.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述電容包括 在所述襯底上形成的納米線； 包圍所述納米線的絕緣層； 包圍所述絕緣層的第一電極；以及 被連接到通過所述絕緣層暴露的所述納米線的第二電極。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述襯底具有在該襯底對(duì)應(yīng)于所述絕緣層的區(qū)域上形成的凹槽。
29.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述電容包括 納米線； 被連接到所述納米線的第一電極； 覆蓋所述納米線的絕緣層；以及 在對(duì)應(yīng)于所述納米線的所述絕緣層上形成的第二電極。
30.根據(jù)權(quán)利要求21-23中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述柵電極由透明導(dǎo)電氧化物或不透明金屬形成。
31.根據(jù)權(quán)利要求21-29中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線由下列的混合物或化合物形成CaS:Eu、ZnS: Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3: Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) P207 : Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4: Eu、(Ca, Sr) S: Eu、SrS: Eu、Y2O3: Eu、YVO4: Eu, Bi、ZnS: Tb、ZnS: Ce, Cl、ZnS: Cu, Al、Gd2O2S: Tb、Gd2O3: Tb, Zn、Y2O3:Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2SiTb, ZnO:Ag, ZnO:Cu, Ga、CdS:Mn,BaMgAl10017:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga)2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn、YBO3: Ce, Tb、Ba2SiO4:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu>SrS: Ce, ZnS: Tm, ZnS:Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2si04:Mn、YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6C12:Eu、BaMgAl10O17: Eu > BaMg2Al16O27: Eu、YAG (宇乙、招、石槽石)，或者由利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3:Eu+2的混合物或化合物形成,或者由從由ZnO、ln203、SnO2>SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe 組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物形成。
32.根據(jù)權(quán)利要求21-29中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線由從由 ZnO> ln203、SnO2> SiGe> GaN> InP、InAs> Ge、GaP> GaAs> GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe>CdS> CdSe組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物形成。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線還包含摻雜物，所述摻雜物是從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述納米線還包含摻雜物，所述摻雜物是從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物。
35.根據(jù)權(quán)利要求24-26中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極具有相同的功函數(shù)。
36.根據(jù)權(quán)利要求24-26中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，該發(fā)光顯示設(shè)備還包括在所述開關(guān)晶體管之上或之下形成的遮光構(gòu)件。
37.根據(jù)權(quán)利要求21-23中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光顯示設(shè)備，該發(fā)光顯示設(shè)備還包括在所述納米線發(fā)光晶體管之上或之下形成的彩色濾光片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有納米線的發(fā)光顯示設(shè)備，目的是提供一種具有在電流通過時(shí)發(fā)光的納米線的發(fā)光顯示設(shè)備。為此，本發(fā)明公開了一種發(fā)光顯示設(shè)備，包括被電連接到第一電源線的發(fā)光元件；被電連接在發(fā)光元件和第二電源線之間的驅(qū)動(dòng)晶體管；被電連接在驅(qū)動(dòng)晶體管、第二電源線、以及數(shù)據(jù)線之間的電容；被電連接在驅(qū)動(dòng)晶體管、數(shù)據(jù)線、以及掃描線之間的開關(guān)晶體管，其中發(fā)光元件由納米線制成。此外，本發(fā)明公開了一種發(fā)光顯示設(shè)備，包括被電連接在第一電源線和第二電源線之間的納米線發(fā)光晶體管；被電連接在納米線發(fā)光晶體管、第二電源線、以及數(shù)據(jù)線之間的電容；被電連接在納米線發(fā)光晶體管、數(shù)據(jù)線、電容、以及掃描線之間的開關(guān)晶體管。
文檔編號(hào)B82B1/00GK102884651SQ201180013258
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2011年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月8日
發(fā)明者朱祥玄, 徐美淑 申請(qǐng)人:京畿大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)