本申請(qǐng)涉及納米技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種納米結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)：

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，電子科學(xué)、光子科學(xué)、光電科學(xué)、生物科學(xué)等領(lǐng)域都對(duì)納米結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)提出了更高的要求，需要提供一種更加可靠、更加快速、更低成本的納米加工技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用表面化學(xué)改性的方法制造納米結(jié)構(gòu)。具體來(lái)說(shuō)，首先可以采用微納加工技術(shù)制備表面化學(xué)性質(zhì)不同的納米圖案，然后通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或化學(xué)吸附的手段引入納米顆粒，從而形成納米結(jié)構(gòu)。然而，由于化學(xué)反應(yīng)或化學(xué)吸附不可控性較高，因此，上述方法存在嚴(yán)重的非特異性吸附問(wèn)題，容易導(dǎo)致形成的納米結(jié)構(gòu)不干凈。

基于此，目前亟需一種納米結(jié)構(gòu)的制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中納米加工技術(shù)存在非特異性吸附的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N納米結(jié)構(gòu)的制造方法，可用于解決現(xiàn)有技術(shù)中納米加工技術(shù)存在非特異性吸附的技術(shù)問(wèn)題。

第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種納米結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括：

提供第一圖案模板，所述第一圖案模板包括具有低表面能的襯底和待形成的納米圖案；

根據(jù)所述待形成的納米圖案，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案；

在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，形成第一納米結(jié)構(gòu)。

可選地，在所述形成第一納米結(jié)構(gòu)之后，所述方法還包括：

采用定位系統(tǒng)確定所述第一納米結(jié)構(gòu)的空間位置；

根據(jù)所述第一納米結(jié)構(gòu)之間的空間位置，調(diào)整二次形成的納米圖案的位置信息；所述位置信息包括位置坐標(biāo)、圖案方向和圖案尺寸中的至少一項(xiàng)；

根據(jù)調(diào)整后的二次形成的納米圖案的位置信息，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第二納米圖案；

在所述具有高表面能的第二納米圖案所在的區(qū)域引入第二納米顆粒，形成第二納米結(jié)構(gòu)；

組裝所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)，得到復(fù)合納米結(jié)構(gòu)。

可選地，所述第一納米顆粒為原子、分子、離子、團(tuán)簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、絕緣體納米顆粒、超順磁納米顆粒中的任意一項(xiàng)；

所述第二納米顆粒為原子、分子、離子、團(tuán)簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、絕緣體納米顆粒、超順磁納米顆粒中除所述第一納米顆粒以外的任意一項(xiàng)。

可選地，在所述形成第一納米圖案之前，還包括：

在導(dǎo)電襯底上涂覆一層具有低表面能的駐極體薄層，組成所述具有低表面能的襯底。

可選地，所述具有低表面能的襯底為含氟的化合物制成的具有低表面能的襯底、含氟的聚合物制成的具有低表面能的襯底、含氯的化合物制成的具有低表面能的襯底、含氯的聚合物制成的具有低表面能的襯底中的任意一項(xiàng)。

可選地，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案，包括：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用導(dǎo)電的納米探針在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案，包括：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用導(dǎo)電的納米印章在與所述具有低表面能的襯底接觸的區(qū)域?qū)懭腚姾桑允顾鲆r底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案，包括：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用施加電子束的方式在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案，包括：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用施加離子束的方式在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，形成第一納米結(jié)構(gòu)，包括：

將由所述第一納米顆粒組成的溶液滴在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域，同時(shí)按照預(yù)設(shè)的旋轉(zhuǎn)速度以所述襯底的中心軸線為旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)所述襯底，形成所述第一納米結(jié)構(gòu)；所述襯底的中心軸線為垂直于所述襯底所在的平面且穿過(guò)所述襯底的中心點(diǎn)的軸線。

第二方面，本申請(qǐng)還提供了一種納米結(jié)構(gòu)的制造裝置，所述裝置包括模板提供單元、電荷注入單元和納米顆粒引入單元；

所述模板提供單元，用于提供第一圖案模板，所述第一圖案模板包括具有低表面能的襯底和待形成的納米圖案；

所述電荷注入單元，用于根據(jù)所述待形成的納米圖案，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案；

所述納米顆粒引入單元，用于在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，形成第一納米結(jié)構(gòu)。

可選地，所述裝置還包括定位單元和組裝單元；

所述定位單元，用于采用定位系統(tǒng)確定所述第一納米結(jié)構(gòu)的空間位置；以及，根據(jù)所述第一納米結(jié)構(gòu)之間的空間位置，調(diào)整二次形成的納米圖案的位置信息；所述位置信息包括位置坐標(biāo)、圖案方向和圖案尺寸中的至少一項(xiàng)；

所述電荷注入單元，還用于根據(jù)調(diào)整后的二次形成的納米圖案的位置信息，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第二納米圖案；

所述納米顆粒引入單元，用于在所述具有高表面能的第二納米圖案所在的區(qū)域引入第二納米顆粒，形成第二納米結(jié)構(gòu)；

所述組裝單元，用于組裝所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)，得到復(fù)合納米結(jié)構(gòu)。

可選地，所述第一納米顆粒為原子、分子、離子、團(tuán)簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、絕緣體納米顆粒、超順磁納米顆粒中的任意一項(xiàng)；

所述第二納米顆粒為原子、分子、離子、團(tuán)簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、絕緣體納米顆粒、超順磁納米顆粒中除所述第一納米顆粒以外的任意一項(xiàng)。

可選地，所述模板提供單元具體用于：

在導(dǎo)電襯底上涂覆一層具有低表面能的駐極體薄層，組成所述具有低表面能的襯底。

可選地，所述具有低表面能的襯底為含氟的化合物制成的具有低表面能的襯底、含氟的聚合物制成的具有低表面能的襯底、含氯的化合物制成的具有低表面能的襯底、含氯的聚合物制成的具有低表面能的襯底中的任意一項(xiàng)。

可選地，所述電荷注入單元具體用于：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用導(dǎo)電的納米探針在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，所述電荷注入單元具體用于：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用導(dǎo)電的納米印章在與所述具有低表面能的襯底接觸的區(qū)域?qū)懭腚姾?，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，所述電荷注入單元具體用于：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用施加電子束的方式在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，所述電荷注入單元具體用于：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用施加離子束的方式在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，所述納米顆粒引入單元具體用于：

將由所述第一納米顆粒組成的溶液滴在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域，同時(shí)按照預(yù)設(shè)的旋轉(zhuǎn)速度以所述襯底的中心軸線為旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)所述襯底，形成所述第一納米結(jié)構(gòu)；所述襯底的中心軸線為垂直于所述襯底所在的平面且穿過(guò)所述襯底的中心點(diǎn)的軸線。

第三方面，本申請(qǐng)還提供了一種納米結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、一個(gè)或多個(gè)處理器以及一個(gè)或多個(gè)程序，其中，所述一個(gè)或多個(gè)程序在由所述一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)執(zhí)行下述操作：

提供第一圖案模板，所述第一圖案模板包括具有低表面能的襯底和待形成的納米圖案；

根據(jù)所述待形成的納米圖案，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案；

在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，形成第一納米結(jié)構(gòu)。

第四方面，本申請(qǐng)還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令響應(yīng)于執(zhí)行使得納米結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備執(zhí)行操作，所述操作包括：

提供第一圖案模板，所述第一圖案模板包括具有低表面能的襯底和待形成的納米圖案；

根據(jù)所述待形成的納米圖案，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案；

在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，形成第一納米結(jié)構(gòu)。

第五方面，本申請(qǐng)還提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。當(dāng)其在納米結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備上運(yùn)行時(shí)，使得納米結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備執(zhí)行操作，所述操作包括：

提供第一圖案模板，所述第一圖案模板包括具有低表面能的襯底和待形成的納米圖案；

根據(jù)所述待形成的納米圖案，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案；

在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，形成第一納米結(jié)構(gòu)。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，由于襯底本身是具有低表面能的，而第一納米圖案是采用寫(xiě)入電荷的方式，使得襯底表面的化學(xué)鍵斷裂，產(chǎn)生化學(xué)改性，從而能夠在襯底上形成具有高表面能的第一納米圖案。因此，在引入第一納米顆粒時(shí)，第一納米顆粒在高表面能的作用下，可以精確吸附在第一納米圖案所在的區(qū)域，而襯底上除第一納米圖案以外的區(qū)域的表面能較低，不會(huì)吸附第一納米顆粒，能夠提高納米結(jié)構(gòu)的精度，也不會(huì)產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中的非特異性吸附的問(wèn)題，與現(xiàn)有的納米結(jié)構(gòu)的制造方法相比，采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方法制成的納米結(jié)構(gòu)更加干凈。

附圖說(shuō)明

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種納米結(jié)構(gòu)的制造方法所對(duì)應(yīng)的流程示意圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種具有低表面能的襯底的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種形成納米圖案的示意圖之一；

圖3b為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種形成納米圖案的示意圖之一；

圖3c為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種形成納米圖案的示意圖之一；

圖4a為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用旋涂法引入納米顆粒的示意圖；

圖4b為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用涂覆法引入納米顆粒的示意圖；

圖4c為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用提拉法引入納米顆粒的示意圖；

圖4d為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用氣相噴涂法引入納米顆粒的示意圖；

圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例中納米顆粒組裝的示意圖；

圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的制造方法所對(duì)應(yīng)的流程示意圖；

圖7為本申請(qǐng)還提供了一種納米結(jié)構(gòu)的制造裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請(qǐng)還提供了一種納米結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的用于制造納米結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)程序的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1示例性示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種納米結(jié)構(gòu)的制造方法所對(duì)應(yīng)的流程示意圖。如圖1所示，具體包括如下步驟：

步驟101，提供第一圖案模板。

步驟102，根據(jù)待形成的納米圖案，在具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案。

步驟103，在具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，形成第一納米結(jié)構(gòu)。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，由于襯底本身是具有低表面能的，而第一納米圖案是采用寫(xiě)入電荷的方式使得襯底表面的化學(xué)鍵斷裂，產(chǎn)生化學(xué)改性，從而能夠在襯底上形成具有高表面能的第一納米圖案。因此，在引入第一納米顆粒時(shí)，第一納米顆粒在高表面能的作用下，可以精確吸附在第一納米圖案所在的區(qū)域，而襯底上除第一納米圖案以外的區(qū)域的表面能較低，不會(huì)吸附第一納米顆粒，能夠提高納米結(jié)構(gòu)的精度，也不會(huì)產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中的非特異性吸附的問(wèn)題，與現(xiàn)有的納米結(jié)構(gòu)的制造方法相比，采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方法制成的納米結(jié)構(gòu)更加干凈。

在執(zhí)行步驟101之后，可以先制備具有低表面能的襯底。具體來(lái)說(shuō)，可以在導(dǎo)電襯底上涂覆一層具有低表面能的駐極體薄層，從而組成具有低表面能的襯底。

其中，駐極體可以指的是一種電介質(zhì)材料，它具備幾乎永久的電荷或極化的保存能力，可以在其內(nèi)部和外部產(chǎn)生電場(chǎng)。比如，鐵電材料，聚合物材料等都是駐極體。

進(jìn)一步地，采用上述方法制成的襯底的結(jié)構(gòu)如圖2所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種具有低表面能的襯底的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，在導(dǎo)電襯底的表面涂覆有一層駐極體薄層。

更進(jìn)一步地，駐極體薄層可以為多種類型的駐極體材料，從而可以制備多種類型的具有低表面能的襯底。例如，駐極體薄層可以為含氟的駐極體化合物；或者，也可以為含氟的駐極體聚合物；或者，也可以為含氯的駐極體化合物；或者，還可以含氯的駐極體聚合物。

步驟101中，第一圖案模板可以包括具有低表面能的襯底和待形成的納米圖案。

其中，表面能可以是指恒溫、恒壓、恒組成的情況下，可逆地增加物系表面積須對(duì)物質(zhì)所做的非體積功；換言之，表面能可以是表面粒子相對(duì)于內(nèi)部粒子所多出的能量。

步驟102中，在襯底上寫(xiě)入電荷，從而形成第一納米圖案的方法有多種。一個(gè)示例中，如圖3a所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種形成納米圖案的示意圖之一。具體來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)待形成的納米圖案，采用導(dǎo)電的納米探針在具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，從而形成具有高表面能的第一納米圖案。

其中，導(dǎo)電的納米探針可以是導(dǎo)電原子力顯微鏡探針。

又一個(gè)示例中，如圖3b所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種形成納米圖案的示意圖之二。具體來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)待形成的納米圖案，采用導(dǎo)電的納米印章對(duì)與具有低表面能的襯底接觸的區(qū)域施加電壓，以寫(xiě)入電荷，從而形成具有高表面能的第一納米圖案。

其中，導(dǎo)電的納米印章可以為刻有預(yù)設(shè)的第一圖案模板的金屬或半導(dǎo)體模板，或者可以為刻有預(yù)設(shè)的第一圖案模板且表面鍍有導(dǎo)電金屬層的氧化物模板，或者可以為刻有預(yù)設(shè)的第一圖案模板且表面鍍有導(dǎo)電金屬層的聚合物模板，具體不做限定。

又一個(gè)示例中，如圖3c示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種形成納米圖案的示意圖之三。具體來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)待形成的納米圖案，在具有低表面能的襯底上施加電子束或離子束，以寫(xiě)入電荷，從而形成具有高表面能的第一納米圖案。

在其它可能的示例中，也可以采用其它方法在襯底上寫(xiě)入電荷，具體不做限定。

需要說(shuō)明的是，無(wú)論是上述哪種示例給出的寫(xiě)入電荷的方法，所形成的第一納米圖案可以直接由開(kāi)爾文探針技術(shù)(kalvinprobeforcemicroscope，kpfm)測(cè)量。在寫(xiě)入電荷的過(guò)程中，電子或離子會(huì)導(dǎo)致襯底出現(xiàn)表面改性的現(xiàn)象，以襯底表面裝飾有含氟(或含氯)化合物為例，電子或離子會(huì)導(dǎo)致含氟(或含氯)化合物的改性，從而能夠提高所形成的第一納米圖案所在的區(qū)域的表面能，進(jìn)而可以使得該第一納米圖案所在的區(qū)域易于吸附第一納米顆粒。進(jìn)而，由于高表面能對(duì)應(yīng)高摩擦力(即切向力)，第一納米圖案可直接由原子力顯微鏡的切向力模式進(jìn)行表征。

相比于傳統(tǒng)的納米圖案的制備方法，本申請(qǐng)實(shí)施例中可以直接寫(xiě)入電荷制備納米圖案，無(wú)需引入新的材料(比如現(xiàn)有的基于表面化學(xué)改性的方法制備的納米圖案，需要引入化學(xué)材料)，本申請(qǐng)的制備方法更加簡(jiǎn)便快捷。

步驟103中，第一納米顆粒可以采用多種方法引入到具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域，例如，可以采用旋涂法引入納米顆粒，或者也可以采用涂覆法引入納米顆粒，或者也可以采用提拉法引入納米顆粒，或者還可以采用氣相噴涂發(fā)引入納米顆粒，具體不做限定。

以旋涂法為例，如圖4a所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用旋涂法引入納米顆粒的示意圖。具體來(lái)說(shuō)，可以將由第一納米顆粒組成的溶液滴在具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域，同時(shí)按照預(yù)設(shè)的旋轉(zhuǎn)速度以襯底的中心軸線(圖4a中示出的l軸)為旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)襯底，從而形成第一納米結(jié)構(gòu)。其中，襯底的中心軸線為垂直于襯底所在的平面且穿過(guò)襯底的中心點(diǎn)(圖4a中示出的o點(diǎn))的軸線。

進(jìn)一步地，預(yù)設(shè)的旋轉(zhuǎn)速度可以設(shè)置在1000轉(zhuǎn)/分鐘至10000轉(zhuǎn)/每分鐘的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要來(lái)確定旋轉(zhuǎn)速度的取值，具體不做限定。

以涂覆法為例，如圖4b所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用涂覆法引入納米顆粒的示意圖。具體來(lái)說(shuō)，可以使用刷子將由第一納米顆粒組成的溶液刷在具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域，從而形成第一納米結(jié)構(gòu)。

以提拉法為例，如圖4c所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用提拉法引入納米顆粒的示意圖。具體來(lái)說(shuō)，可以將襯底浸入由第一納米顆粒組成的溶液中，如此，第一納米顆粒被吸附到具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域，從而形成第一納米結(jié)構(gòu)。

以氣相噴涂法為例，如圖4d所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用氣相噴涂法引入納米顆粒的示意圖。具體來(lái)說(shuō)，噴槍中存放有由第一納米顆粒組成的氣體，然后使用噴槍向具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域噴射該氣體，從而形成第一納米結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，由于本申請(qǐng)實(shí)施例提供的納米結(jié)構(gòu)的制造方法不存在非特異性吸附的問(wèn)題，因此，上述四種納米顆粒的引入方法均可實(shí)現(xiàn)納米顆粒在大面積納米圖案上均勻且快速的引入。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的納米顆粒的引入方法，具體不做限定。

進(jìn)一步地，第一納米顆粒被引入后，將自行在第一納米圖案所在區(qū)域進(jìn)行組裝，從而形成第一納米結(jié)構(gòu)。如圖5所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例中納米顆粒組裝的示意圖。具體組裝過(guò)程涉及到兩個(gè)過(guò)程，過(guò)程一是第一納米顆粒被靜電誘導(dǎo)在第一納米圖案附近，并實(shí)現(xiàn)快速富集；過(guò)程二是富集在一起的納米顆粒由于襯底在第一納米圖案所在的區(qū)域和除第一納米圖案以外的其它區(qū)域之間表面能存在差異，第一納米顆粒將選擇性的吸附于高表面能區(qū)域，即吸附于第一納米圖案所在的區(qū)域。

在具體的表面吸附過(guò)程中，第一納米顆粒將選擇性的吸附于高表面能區(qū)域是由于襯底的表面能的調(diào)制，由于第一納米圖案所在的區(qū)域被改性，有著更高的表面能，相對(duì)襯底上除第一納米圖案以外的區(qū)域(即未被改性的區(qū)域)，第一納米顆粒將有選擇的吸附在被改性區(qū)域。

并且，上述過(guò)程屬于物理吸附，與現(xiàn)有的表面化學(xué)改性的方法相比，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方法不依賴于特定的化學(xué)官能團(tuán)間的非特異性性吸附，因此，該過(guò)程對(duì)納米顆粒的表面也沒(méi)有要求。這一點(diǎn)上與其它依賴于表面改性的方法有著本質(zhì)不同。同時(shí)，由于未改性區(qū)域表面能低，不會(huì)吸附納米顆粒，因此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方法可以解決現(xiàn)有技術(shù)中的納米結(jié)構(gòu)存在非特異性吸附的問(wèn)題。

在具體的靜電誘導(dǎo)使得納米顆粒富集過(guò)程中，如果襯底本身攜帶電荷，則納米顆粒主要受到兩種靜電作用力，一種作用力是襯底所攜帶的電荷與納米顆粒所攜帶的電荷之間的庫(kù)倫力，另一種作用力是納米顆粒在非均勻電場(chǎng)中受到的梯度力。如果襯底本身不攜帶電荷，則納米顆粒主要受到梯度力的作用。

進(jìn)一步地，在梯度力的作用下，第一納米顆粒被推向第一納米圖案所在的區(qū)域，這一過(guò)程與納米顆粒本身是否攜帶電荷無(wú)關(guān)。如此，采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的納米結(jié)構(gòu)的制造方法，無(wú)需考慮納米顆粒的材料，適用范圍較廣。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于攜帶電荷的納米顆粒，由于同種納米顆粒(即納米顆粒同攜帶正電荷，或同攜帶負(fù)電荷)相互排斥，故納米顆?？山M裝成單分散顆粒構(gòu)成的納米結(jié)構(gòu)；對(duì)于不攜帶電荷的納米顆粒，由于各納米顆粒之間不存在靜電排斥作用，故納米顆粒可組裝成密排的納米結(jié)構(gòu)，這就可以實(shí)現(xiàn)制造需要連續(xù)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用(比如電極，波導(dǎo)等)。

在執(zhí)行步驟103之后，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的制造方法，如圖6所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的制造方法所對(duì)應(yīng)的流程示意圖，具體包括如下步驟：

步驟601，采用定位系統(tǒng)確定所述第一納米結(jié)構(gòu)的空間位置。

其中，顯微鏡探針可以是導(dǎo)電的原子力顯微鏡探針。

步驟602，根據(jù)第一納米結(jié)構(gòu)之間的空間位置，調(diào)整二次形成的納米圖案的位置信息。

其中，二次形成的納米圖案的位置信息可以包括二次形成的納米圖案的位置坐標(biāo)、二次形成的納米圖案的圖案方向和二次形成的納米圖案的圖案尺寸中的至少一項(xiàng)。

采用上述第一納米結(jié)構(gòu)之間的空間位置來(lái)調(diào)整第二圖案模板，可以保證第二納米結(jié)構(gòu)與第一納米結(jié)構(gòu)之間的精確對(duì)準(zhǔn)。

步驟603，根據(jù)調(diào)整后的二次形成的納米圖案的位置信息，在具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第二納米圖案。

步驟604，在具有高表面能的第二納米圖案所在的區(qū)域引入第二納米顆粒，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成第二納米結(jié)構(gòu)。

其中，第二納米結(jié)構(gòu)的制造方法與上文所描述的第一納米結(jié)構(gòu)的制造方法類似，此處不再詳細(xì)描述。

步驟605，組裝第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)，得到復(fù)合納米結(jié)構(gòu)。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的制造方法，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的納米結(jié)構(gòu)由于存在非特異性吸附的問(wèn)題，在組裝成復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，非特異性吸附造成的缺陷將被累計(jì)放大，因此，現(xiàn)有的復(fù)合納米結(jié)構(gòu)精度較低。而本申請(qǐng)實(shí)施例中，第一納米結(jié)構(gòu)在形成的過(guò)程中無(wú)非特異性吸附的問(wèn)題，具有極高的特異性，適合多次組裝納米結(jié)構(gòu)，從而形成復(fù)合納米結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，本申請(qǐng)實(shí)施例中，納米圖案的制備僅依靠電荷制備，無(wú)需對(duì)襯底形貌進(jìn)行改變，也無(wú)需引入新的化學(xué)材料作為模板，從而適合多次組裝納米結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，圖6示出的復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的制造方法僅為一種示例，在其它可能的示例中，步驟601中也可以通過(guò)預(yù)先設(shè)計(jì)的標(biāo)記物來(lái)來(lái)實(shí)現(xiàn)，具體可以使用光學(xué)顯微鏡(或電子顯微鏡、或掃描探針顯微鏡)精確確定標(biāo)記的位置，并利用其對(duì)第二納米圖案的尺寸進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，第一納米顆?？梢詾槎喾N類型的材料制成的納米顆粒，比如，可以為原子、分子、離子、團(tuán)簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、絕緣體納米顆粒、超順磁納米顆粒中的任意一項(xiàng)，具體不做限定。

第二納米顆粒的材料可以與第一納米顆粒相同，也可以不同?？紤]到復(fù)合納米結(jié)構(gòu)中通常存在材料不同的納米結(jié)構(gòu)，基于此，第二納米顆粒可以為原子、分子、離子、團(tuán)簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、絕緣體納米顆粒、超順磁納米顆粒中除所述第一納米顆粒以外的任意一項(xiàng)，具體不做限定。

進(jìn)一步地，納米顆粒的材料可以是液相的，從而可以在液-固界面形成納米結(jié)構(gòu)，如圖4a、圖4b和圖4c示出的示意圖中，液態(tài)的納米顆粒在固態(tài)的襯底上形成納米結(jié)構(gòu)；或者，納米顆粒也可以是氣相的，從而在氣-固界面形成納米結(jié)構(gòu)，如圖4d示出的示意圖中，液態(tài)的納米顆粒在固態(tài)的襯底上形成納米結(jié)構(gòu)。

更進(jìn)一步地，采用本申請(qǐng)?zhí)峁┑姆椒ㄖ圃斓募{米結(jié)構(gòu)，該納米結(jié)構(gòu)的尺寸由納米顆粒的尺寸和納米圖案的尺寸決定的，而納米顆粒的尺寸和納米圖案的尺寸均可達(dá)到10納米以下，甚至到1納米尺度，因此本申請(qǐng)中的制造方法可以高速度、高精度、低成本地實(shí)現(xiàn)更高精度的納米結(jié)構(gòu)的制造。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，所形成的納米結(jié)構(gòu)的尺寸可通過(guò)調(diào)節(jié)制造過(guò)程中的參數(shù)(該參考可以包括納米圖案的尺寸、寫(xiě)入電荷所需的電壓、納米顆粒組成的溶液的濃度以及引入納米顆粒的方式和參數(shù))來(lái)調(diào)節(jié)。舉個(gè)例子，本申請(qǐng)實(shí)施例中，可以固定納米圖案的尺寸、納米顆粒組成的溶液的濃度以及引入納米顆粒的方式和參數(shù)，但改變寫(xiě)入電荷所需的電壓，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)納米結(jié)構(gòu)的尺寸的精確調(diào)節(jié)。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，所形成的納米結(jié)構(gòu)可通過(guò)轉(zhuǎn)移技術(shù)轉(zhuǎn)移到其它襯底上，其中，其它襯底可以是硬基底，或者也可以是柔性基底，或者還可以是已預(yù)先制備有納米結(jié)構(gòu)的襯底，具體不做限定。以熒光材料所形成的納米結(jié)構(gòu)為例，可以通過(guò)直接接觸的方式將該納米解耦股轉(zhuǎn)移到其它襯底上，最終實(shí)現(xiàn)納米顯示的功能。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，所形成的納米結(jié)構(gòu)可以通過(guò)后處理的辦法實(shí)現(xiàn)不同器件的功能。以金屬材料的納米顆粒所形成的納米結(jié)構(gòu)為例，該納米結(jié)構(gòu)可以通過(guò)直接加熱(或液相生長(zhǎng))的方法使得金屬納米顆粒之間產(chǎn)生融合，從而形成導(dǎo)電的納米電極。

圖7示例性示出了本申請(qǐng)還提供了一種納米結(jié)構(gòu)的制造裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7所示，所述裝置包括模板提供單元701、電荷注入單元702、納米顆粒引入單元703、定位單元704和組裝單元705；其中，

所述模板提供單元701，用于提供第一圖案模板，所述第一圖案模板包括具有低表面能的襯底和待形成的納米圖案；

所述電荷注入單元702，用于根據(jù)所述待形成的納米圖案，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第一納米圖案；

所述納米顆粒引入單元703，用于在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，形成第一納米結(jié)構(gòu)。

可選地，所述定位單元704，用于用定位系統(tǒng)確定所述第一納米結(jié)構(gòu)的空間位置；以及，根據(jù)所述第一納米結(jié)構(gòu)之間的空間位置，調(diào)整二次形成的納米圖案的位置信息；所述位置信息包括位置坐標(biāo)、圖案方向和圖案尺寸中的至少一項(xiàng)；

所述電荷注入單元702，還用于根據(jù)調(diào)整后的二次形成的納米圖案的位置信息，在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成具有高表面能的第二納米圖案；

所述納米顆粒引入單元703，用于在所述具有高表面能的第二納米圖案所在的區(qū)域引入第二納米顆粒，形成第二納米結(jié)構(gòu)；

所述組裝單元705，用于組裝所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)，得到復(fù)合納米結(jié)構(gòu)。

可選地，所述第一納米顆粒為原子、分子、離子、團(tuán)簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、絕緣體納米顆粒、超順磁納米顆粒中的任意一項(xiàng)；

所述第二納米顆粒為原子、分子、離子、團(tuán)簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、絕緣體納米顆粒、超順磁納米顆粒中除所述第一納米顆粒以外的任意一項(xiàng)。

可選地，所述模板提供單元701具體用于：

在導(dǎo)電襯底上涂覆一層具有低表面能的駐極體薄層，組成所述具有低表面能的襯底。

可選地，所述具有低表面能的襯底為含氟的化合物制成的具有低表面能的襯底、含氟的聚合物制成的具有低表面能的襯底、含氯的化合物制成的具有低表面能的襯底、含氯的聚合物制成的具有低表面能的襯底中的任意一項(xiàng)。

可選地，所述電荷注入單元702具體用于：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用導(dǎo)電的納米探針在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，所述電荷注入單元702具體用于：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用導(dǎo)電的納米印章在與所述具有低表面能的襯底接觸的區(qū)域?qū)懭腚姾?，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，所述電荷注入單元702具體用于：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用施加電子束的方式在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，所述電荷注入單元702具體用于：

根據(jù)所述待形成的納米圖案，采用施加離子束的方式在所述具有低表面能的襯底上寫(xiě)入電荷，以使所述襯底在寫(xiě)入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)改性，形成所述具有高表面能的第一納米圖案。

可選地，所述納米顆粒引入單元703具體用于：

將由所述第一納米顆粒組成的溶液滴在所述具有高表面能的第一納米圖案所在的區(qū)域，同時(shí)按照預(yù)設(shè)的旋轉(zhuǎn)速度以所述襯底的中心軸線為旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)所述襯底，形成所述第一納米結(jié)構(gòu)；所述襯底的中心軸線為垂直于所述襯底所在的平面且穿過(guò)所述襯底的中心點(diǎn)的軸線。

采用本申請(qǐng)實(shí)施例的納米結(jié)構(gòu)的制造裝置，由于襯底本身是具有低表面能的，而第一納米圖案是采用寫(xiě)入電荷的方式使得襯底表面的化學(xué)鍵斷裂，產(chǎn)生化學(xué)改性，從而能夠在襯底上形成具有高表面能的第一納米圖案。因此，在引入第一納米顆粒時(shí)，第一納米顆粒在高表面能的作用下，可以精確吸附在第一納米圖案所在的區(qū)域，而襯底上除第一納米圖案以外的區(qū)域的表面能較低，不會(huì)吸附第一納米顆粒，能夠提高納米結(jié)構(gòu)的精度，也不會(huì)產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中的非特異性吸附的問(wèn)題，與現(xiàn)有的納米結(jié)構(gòu)的制造方法相比，采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方法制成的納米結(jié)構(gòu)更加干凈。

圖8示例性示出了本申請(qǐng)還提供了一種納米結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖8所示，本申請(qǐng)實(shí)施例的納米結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備包括：存儲(chǔ)器801、一個(gè)或多個(gè)處理器802以及一個(gè)或多個(gè)程序803。

其中，所述一個(gè)或多個(gè)程序803在由一個(gè)或多個(gè)處理器802執(zhí)行時(shí)執(zhí)行上述實(shí)施例中的任意一種方法。

采用本申請(qǐng)實(shí)施例的納米結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備，由于襯底本身是具有低表面能的，而第一納米圖案是采用寫(xiě)入電荷的方式使得襯底表面的化學(xué)鍵斷裂，產(chǎn)生化學(xué)改性，從而能夠在襯底上形成具有高表面能的第一納米圖案。因此，在引入第一納米顆粒時(shí)，第一納米顆粒在高表面能的作用下，可以精確吸附在第一納米圖案所在的區(qū)域，而襯底上除第一納米圖案以外的區(qū)域的表面能較低，不會(huì)吸附第一納米顆粒，能夠提高納米結(jié)構(gòu)的精度，也不會(huì)產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中的非特異性吸附的問(wèn)題，與現(xiàn)有的納米結(jié)構(gòu)的制造方法相比，采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方法制成的納米結(jié)構(gòu)更加干凈。

圖9為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的用于制造納米結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)程序的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，本申請(qǐng)實(shí)施例的用于制造納米結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品901，可以包括信號(hào)承載介質(zhì)902。信號(hào)承載介質(zhì)902可以包括一個(gè)或更多個(gè)指令903，該指令903在由例如處理器執(zhí)行時(shí)，處理器可以提供以上針對(duì)圖1描述的功能。例如，指令903可以包括：用于提供第一圖案模板的一個(gè)或多個(gè)指令；用于形成具有高表面能的第一納米圖案的一個(gè)或多個(gè)指令；以及用于形成第一納米結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)指令。因此，例如，參照?qǐng)D1，納米結(jié)構(gòu)的制造裝置可以響應(yīng)于指令93來(lái)進(jìn)行圖1中所示的步驟中的一個(gè)或更多個(gè)。

在一些實(shí)現(xiàn)中，信號(hào)承載介質(zhì)902可以包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)904，諸如但不限于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、壓縮盤(pán)(cd)、數(shù)字通用盤(pán)(dvd)、數(shù)字帶、存儲(chǔ)器等。在一些實(shí)現(xiàn)中，信號(hào)承載介質(zhì)902可以包括可記錄介質(zhì)905，諸如但不限于存儲(chǔ)器、讀/寫(xiě)(r/w)cd、r/wdvd等。在一些實(shí)現(xiàn)中，信號(hào)承載介質(zhì)902可以包括通信介質(zhì)906，諸如但不限于數(shù)字和/或模擬通信介質(zhì)(例如，光纖線纜、波導(dǎo)、有線通信鏈路、無(wú)線通信鏈路等)。因此，例如，計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品901可以通過(guò)rf信號(hào)承載介質(zhì)902傳送給納米結(jié)構(gòu)的制造裝置的一個(gè)或多個(gè)模塊，其中，信號(hào)承載介質(zhì)902由無(wú)線通信介質(zhì)(例如，符合ieee802.11標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線通信介質(zhì))傳送。

本申請(qǐng)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，由于襯底本身是具有低表面能的，而第一納米圖案是采用寫(xiě)入電荷的方式使得襯底表面的化學(xué)鍵斷裂，產(chǎn)生化學(xué)改性，從而能夠在襯底上形成具有高表面能的第一納米圖案。因此，在引入第一納米顆粒時(shí)，第一納米顆粒在高表面能的作用下，可以精確吸附在第一納米圖案所在的區(qū)域，而襯底上除第一納米圖案以外的區(qū)域的表面能較低，不會(huì)吸附第一納米顆粒，能夠提高納米結(jié)構(gòu)的精度，也不會(huì)產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中的非特異性吸附的問(wèn)題，與現(xiàn)有的納米結(jié)構(gòu)的制造方法相比，采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方法制成的納米結(jié)構(gòu)更加干凈。

通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到各實(shí)施方式可借助軟件加必需的通用硬件平臺(tái)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，當(dāng)然也可以通過(guò)硬件?；谶@樣的理解，上述技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，如rom/ram、磁碟、光盤(pán)等，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說(shuō)明書(shū)及實(shí)踐這里公開(kāi)的發(fā)明后，將容易想到本公開(kāi)的其它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開(kāi)的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開(kāi)的一般性原理并包括本公開(kāi)未公開(kāi)的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說(shuō)明書(shū)和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開(kāi)的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開(kāi)并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本公開(kāi)的范圍僅由所附的權(quán)利要求來(lái)限制。