于25μπι。在一些實施方案中，采用復(fù)合材料層而不是單一聚合物;例如，可順次地向該座上涂布一系列層(例如帕利靈-金屬-帕利靈，其中，金屬例如鉑)。該含聚合物層的總厚度可以等于或大于4μπι并小于或等于30μπι。該復(fù)合材料層的每個聚合物層可具有等于或大于2μπι并且小于或等于15μπι的厚度。該復(fù)合材料層的金屬層可具有等于或大于0.05μπι并且小于或等于0.5μπι的厚度。該含聚合物層還可包括一組或多組帕利靈-金屬層。該帕利靈層與藥物儲器交界(即存在朝向藥物儲器的表面)。帕利靈層或金屬層可與該電解儲器交界。在其中金屬層與電解儲器交界的多個實施方案中，金屬(即鉑)可充當(dāng)再化合催化劑并使該電解氣體生成反應(yīng)逆轉(zhuǎn)。再化合率可通過控制暴露在面向電解儲器的膜表面上的再化合催化劑的量來改變。
[0025]步驟4.利用掩膜通過氧等離子體蝕刻來在該聚合物層形成圖案。每個隔膜的外輪廓被形成并可包括用于在后續(xù)加工步驟中操縱該隔膜的一個或多個凸片。這些凸片之后通過機械或激光切割被移除，以形成待整合至最終產(chǎn)品(即藥栗)中的隔膜輪廓。此外，這種步驟將一個或多個隔膜與在單個硅晶片上形成的相鄰隔膜分離來。
[0026]步驟5.將已涂布的基底浸漬在針對該可移除的材料的溶劑中并脫離出成品聚合物膜130。
[0027]可在步驟2中應(yīng)用任何合適的施加方法，例如逐點沉積(例如使用噴墨設(shè)備)、光刻圖案化(例如光蝕刻)、絲網(wǎng)印刷、模版印刷、層壓、寬表面涂布(例如旋轉(zhuǎn)涂布、繞線棒涂布等)之后選擇性地移除(例如利用激光或刀片)?？赡苄枰鄠€涂層來實現(xiàn)足夠的厚度，例如ΙΟΟμπ?ο
[0028]在步驟3中，若果必要的話，固化可以按適合于所施加的聚合物的任何方式實現(xiàn)，例如暴露于光化輻射或簡單干燥。一些聚合物如帕利靈沒有固化周期。
[0029]類似地，在步驟5中，溶劑是基于所施加的材料選擇的。例如，在光刻膠的情況下，該溶劑可以是異丙醇、光刻膠顯影劑等。常用的光刻膠組合物包括Hoechst AZ 4620、Hoechst AZ 4562、Shipley 1400_17、Shipley 1400_27、Shipley 1400-37以及ShipleyMicroposit 顯影劑。
[0030]如在圖2中示出地，可在基底100上沉積附加的脫離層140，以縮短在步驟5中的浸漬和釋放時間。這種脫離層140可以是與可移除的材料110相同的材料或者不同的材料。例如，在光刻膠層110的情況下，該附加層140可以是與光刻膠相同的類型或不同的類型，并且該層140可以是難烘烤的(即在較高溫度下烘烤或較長時間地烘烤)以防止被層110滲透。
[0031]替代地，層140可以是如上所述地根據(jù)步驟2沉積的可移除的層110的一部分。在這種情況下，該附加的脫離層140可以按兩種方式中的任一種方式形成。一種方式是簡單地順次施加相同材料的獨立層，第一層構(gòu)成該附加的脫離層140并且該第二層接收模具凹凸圖案。另一種方式是使用單一層110并以僅影響層厚度的上部以形成圖案的方式使其形成圖案。例如，如果層110是光刻膠，則其可以使用正性光蝕刻來形成圖案，所述正性光蝕刻涉及以形成圖案的方式暴露于光化(例如紫外線)輻射，之后經(jīng)受移除光刻膠的被暴露區(qū)域的化學(xué)顯影劑。(在負(fù)性光蝕刻中，未暴露的區(qū)域被移除)。在這種情況下，暴露在這樣的能量密度水平下發(fā)生，即在僅影響層厚度的頂部而留下幾乎未受損的底部，該底部將構(gòu)成該附加的脫離層;相同的效果可通過暴露在較高的能量密度下但縮短顯影時間來實現(xiàn)。例如，如果ΙΟΟμπι的模具高度是形成波紋的必要條件，則光刻膠層可被施加120μπι的厚度，在波紋結(jié)構(gòu)的底部留下20μπι來充當(dāng)?shù)诙撾x層。
[0032]在另一替代方式中，該附加的脫離層是不同于光刻膠的材料。例如，該附加脫離層可以是Si02或金屬(例如鋁、鉻、銅、金等KS1s層可以采用熱氧化或化學(xué)氣相沉積法來施加。金屬層可通過濺射、熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)法來沉積。該金屬也可以例如利用粘合劑如環(huán)氧樹脂來以片的形式施加至該基底。
[0033]如果該附加的脫離層140是與疊加的層110不同的材料，則其可能需要不同的溶劑來移除。例如，如果該附加的脫離層140是Si02，則可首先使用氫氟酸(HF)來移除Si02層140，之后使用化學(xué)顯影劑來移除例如光刻膠層110。如果該層是金屬，例如鋁，則使用合適的蝕刻劑來蝕刻掉鋁層。聚合物如帕利靈不受這些溶劑和蝕刻劑的影響。
[0034]在移除附加的脫離層140之后，疊加結(jié)構(gòu)從基底100上抬離并在化學(xué)顯影劑的作用下移除該層110。這將會因為暴露的下表面而迅速發(fā)生。
[0035]上文已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些實施方案。但應(yīng)特別注意的是，本發(fā)明并不限于那些實施方案，相反地本發(fā)明是這樣的，即本文中明確描述的附加和變形也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文描述的多個不同實施方案的特征并不是相互排斥的并且能夠以各種不同的組合和排列的形式存在，即使這些組合或排列并未在本文中明確表達(dá)。事實上，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將想到本文所述內(nèi)容的變化、變型和其它實施。如此，本發(fā)明并不僅限于前面的示例性說明。
【主權(quán)項】
1.一種制造適于在栗中使用的波紋隔膜的方法，該方法包括以下步驟: 將可化學(xué)移除的層施加至基底上，該可移除的層中具有凹凸圖案； 將包含可硬化的聚合物的膜形成層以液相形式涂布在形成圖案的可移除的層上；以及 在該可硬化的聚合物硬化之后，移除該可移除的層以脫出該膜形成層，從而形成具有對應(yīng)于所述凹凸圖案的波紋的波紋隔膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述可化學(xué)移除的層作為均勻涂層施加在該基底上，并且該方法還包括使該均勻施加的涂層形成圖案以獲得凹凸圖案的步驟。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，該可移除的層是光刻膠并且所述形成圖案可包括(a)使所述光刻膠以形成圖案的方式暴露于光化輻射以及(b)使被暴露的光刻膠經(jīng)受顯影劑。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，該光刻膠是正性光刻膠。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，該光刻膠是負(fù)性光刻膠。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述聚合物是帕利靈。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在膜形成層硬化后使用掩膜通過氧等離子體蝕刻來使所述膜形成層形成圖案的步驟。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該膜形成層由多個層構(gòu)成，所述多個層包括至少一個可硬化的聚合物層和至少一個金屬層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基底是硅。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該移除步驟包括使該可移除的層經(jīng)受針對其的溶劑。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在施加該膜形成層之前將附加的脫離層施加在該基底上。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，該附加的脫離層由與所述可化學(xué)移除的層不同的材料構(gòu)成。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，脫離步驟包括使所述附加的脫離層經(jīng)受針對其的溶劑并使該可移除的層經(jīng)受針對其的溶劑。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，該附加的脫離層由與該可化學(xué)移除的層相同的材料構(gòu)成。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述可化學(xué)移除的層通過沉積以形成圖案的方式被施加。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該凹凸圖案包括多個同心圓。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該凹凸圖案包括多個同心橢圓。18.一種用于給送液體的裝置，該裝置包括: 殼體； 在該殼體內(nèi)的栗組件，包括儲器、包括電解儲器和力傳送媒介的電解施力機構(gòu)，以及用于響應(yīng)于該施力機構(gòu)施加的壓力而將液體從儲器引導(dǎo)至在殼體外的排出部位的套管， 其中，該力傳送媒介包括面向并與電解儲器的內(nèi)部流體接觸的再化合催化劑。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中，該力傳送媒介是活塞、撓曲隔膜或柔性膜。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中，該再化合催化劑包括鉑。
【專利摘要】一種可移除的材料用對應(yīng)于在膜例如撓曲隔膜中的期望波紋的圖案被沉積或以其它方式被施加至平坦的基底表面。所施加的材料充當(dāng)施加在其上并且隨后固化或硬化的聚合物材料的座，該聚合物材料被移除以形成成品波紋膜。
【IPC分類】A61M5/142, F15C5/00, F04B45/04, F16K99/00, B81C1/00, F04B43/00
【公開號】CN105492372
【申請?zhí)枴緾N201480036535
【發(fā)明人】C·龐, J·什, F·蔣, C·劉, S·卡菲, A·烏拉扎基
【申請人】迷你泵有限責(zé)任公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2014年6月27日
【公告號】CA2916685A1, EP3013736A1, US20150005709, WO2014210488A1