專利名稱：金屬霧化片的二元電沉積加工方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種霧化片的加工方法，具體講是涉及一種金屬霧化片的二元 電沉積加工方法，屬于超高精密制造技術領域。
背景技術：
隨著人民生活水平的逐漸提高，對生活質量有更高的要求，以及醫(yī)療技術 的不斷發(fā)展，業(yè)界對霧化器的性能提出了更高的技術要求。傳統(tǒng)蝕刻加工不銹 鋼工藝不能滿足更高要求的技術規(guī)格，其加工的不銹鋼霧化片微孔直徑不小于
20um，蝕刻工藝巳經(jīng)到了極限，不能滿足更微小孔的加工要求。因此業(yè)界亟需 一種微孔達到3 10um的霧化片，來滿足國內霧化器的膨大需求，擺脫由國外 供應高精度微孔霧化片的高價格供應格局。

發(fā)明內容
為解決現(xiàn)有蝕刻加工技術的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種金屬霧化片的 二元電沉積加工方法，滿足高性能霧化器對微孔霧化片的制造要求，降低使用成本。
為解決上述問題，本發(fā)明是通過以下的技術方案來實現(xiàn)的 一種金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于采用光電加工和二元電 沉積技術，具體包括以下步驟
(1) 、設計金屬霧化片的圖形文件；
(2) 、采用304不銹鋼基板，經(jīng)表面研磨處理、外觀檢査符合要求后，將基 板置于烘箱中烘烤30分鐘，烘烤溫度為70 80度；
(3) 、將光阻材料熱壓或印刷在基板上；
(4) 、按照設i十好的金屬霧化片的圖形文件，制作2000DPI的負片光罩菲林， 在平行光機上進行高精度曝光； -
(5) 、將曝光后的基板在1%的顯影劑中進行清洗，使圖形停留在基板上， 并作圖形尺寸及外觀檢査；(6) 、將基板放入鎳金電鑄槽中的電鑄溶液中進行二元電鑄沉積加工，所述 的二元電鑄沉積加工是利用一定的電流沉積厚度，分別在光阻材料四周及上面 沉積兩次而成；
(7) 、電鑄沉積達到所需要的厚度后，將基板上的金屬霧化片取下，放入超 聲波清洗機中進行清洗；
(8) 、抽樣檢査、包裝。 前述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于所述的光阻材料為干
膜、油膜或油墨。
前述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于所述的干膜、油膜或 油墨，經(jīng)由300 400mn的光照射后可以發(fā)生固化反應。
前述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于在所述的步驟(3) 中，將光阻材料熱壓或印刷在基板上，是利用干膜機在溫度110 130度、壓力 在1. 2KG 1. 5KG、速度在0. 8 1. Om/S的條件下，將25mn的干膜熱壓在304不 銹鋼基板上，保證外觀達到要求；或采用油墨印刷的方法，將一定厚度的油墨 在100 200目絲網(wǎng)印刷下，使油墨平均涂覆在304不銹鋼基板上，厚度為20 25um。
前述的金屬雩化片的二元電沉積加工方法，其特征在于所述的步驟(4)中 的高精度曝光，曝光時UV光能量控制在3 5KW。
前述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于所述的電鑄溶液為鎳 鈷溶液或鎳磷溶液。
'前述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于所述的鎳鈷溶液的主
要成分和含量如下
氨基磺酸鎳溶液350 550g/L; 氨基磺酸鈷溶液50 300g/L;
氯化鎳溶液10 30g/L; 硼酸20 45g/L; 光亮劑XS-L: l 5ml/L; 添加劑P900: 2 10ml/L。本發(fā)明的有益效果是采用本發(fā)明的二元電沉積加工方法來制造微孔金屬 霧化片，可以使微孔金屬霧化片的孔徑達到2 10um的孔徑要求，并滿足霧化 片2000 5000小時的使用壽命，使霧化片可以霧化液體顆粒達到5um以下的直 徑水平，降低了使用成本。并且，電鑄沉積的鎳金合金材料硬度達到450 550hv， 厚度達到0. 020 0. 060mm，圓度誤差達到lum。


圖1為本發(fā)明的工藝流程圖。
具體實施例方式
以下結合附圖具體介紹本發(fā)明的方法。
本發(fā)明中的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，采用光電加工及二元電鑄 沉積技術，光阻材料采用干膜、油膜或油墨，電鑄沉積基板采用304不銹鋼基 板，電鑄溶液采用鎳磷或鎳鈷溶液。所采用的干膜、濕膜或油墨，經(jīng)由波長300 400nm的uv光照射后可以發(fā)生固化反應。
本發(fā)明的工藝過程為(如圖1):
設計金屬霧化片的圖形文件；采用304不銹鋼基板，經(jīng)表面研磨處理，檢查 外觀符合要求后，將基板置于烘箱中烘烤30分鐘，溫度70 80度；利用干膜 機在溫度U0 130度，壓力在l. 2KG 1.5KG，速度在0. 8 1. Om/S的參數(shù)下， 將25um的干膜熱壓在不銹鋼基板上，保證外觀達到要求；或采用油墨印刷的辦 法，將一定厚度的油墨在100 200目絲網(wǎng)印刷下，使油墨平均涂覆在不銹鋼板 上面，使厚度在20 25um左右即可。按照設計好的金屬霧化片的圖形文件，制 作2000DPI.的負片光罩菲林，在平行光機上進行高精度曝光，UV光能量控制在 3 5KW即可。曝光后的基板在1%的顯影劑中進行清洗，使圖形停留在基板上， 并作圖形尺寸及外觀檢查。然后將基板放入鎳金電鑄槽中的電鑄溶液中進行二 元電鑄沉積加工，達到所需要的厚度后即可將基板上的金屬霧化片取下，放入 超聲波清洗機上進行清洗，最后需要按照抽樣頻率檢查金屬霧化片的各項尺寸。
二元電沉積加工方法是利用一定電流沉積厚度，分別在光阻材料四周及上面 沉積兩次而成。'
當采用鎳鈷電鑄溶液時，所采用的鎳鈷電鑄溶液主要成分及含量如下
6氨基磺酸鎳溶液350 550g/U 氨基磺酸鈷溶液50 300g/L;
氯化鎳溶液10 30g/L; 硼酸20 45g/L;
光亮劑XS-L: l 5ml/L; 添加劑P900: 2 10ml/L。
電鑄沉積的鎳金合金材料硬度達到450 550hv，厚度為0. 020 0. 060mm， 微孔直徑可以達到2 10um，圓度誤差為2um?？讖叫?，精度高，使用壽命長， 滿足金屬霧化片2000 5000的使用壽命，使金屬霧化片可以霧化液體顆粒達到 5um以下的直徑水平，并價格較低，降低了使用成本。
上述實施例不以任何形式限制本發(fā)明，凡采取等同替換或等效變換的方式 所獲得的技術方案，均落在本發(fā)明的保護范圍內。
權利要求
1、一種金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于采用光電加工和二元電沉積技術，具體包括以下步驟(1)、設計金屬霧化片的圖形文件；(2)、采用304不銹鋼基板，經(jīng)表面研磨處理、外觀檢查符合要求后，將基板置于烘箱中烘烤；(3)、將光阻材料熱壓或印刷在基板上；(4)、按照設計好的金屬霧化片的圖形文件，制作2000DPI的負片光罩菲林，在平行光機上進行高精度曝光；(5)、將曝光后的基板在1％的顯影劑中進行清洗，使圖形停留在基板上，并作圖形尺寸及外觀檢查；(6)、將基板放入鎳金電鑄槽中的電鑄溶液中進行二元電鑄沉積加工，所述的二元電鑄沉積加工是利用一定的電流沉積厚度，分別在光阻材料四周及上面沉積兩次而成；(7)、電鑄沉積達到所需要的厚度后，將基板上的金屬霧化片取下，放入超聲波清洗機中進行清洗；(8)、抽樣檢查、包裝。
2、 根據(jù)權利要求1所述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于 所述的光阻材料為干膜、油膜或油墨。
3、 根據(jù)權利要求2所述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于 所述的干膜、油膜或油墨，經(jīng)由300 400nm的光照射后可以發(fā)生固化反應。
4、 根據(jù)權利要求1所述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于 在所述的步驟(2)中，所述的基板在烘箱中烘烤30分鐘，烘烤溫度為70 80 度。 .
5、 根據(jù)權利要求1所述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于 在所述的歩驟(3)中，將光阻材料熱壓或印刷在基板上，是利用干膜機在溫度 110 130度、壓力在1.2KG 1.5KG、速度在0. 8 1. Om/S的條件下，將25um 的干膜熱壓在304不銹鋼基板上，保證外觀達到要求；或采用油墨印刷的方法，將一定厚度的油墨在100 200目絲網(wǎng)印刷下，使油墨平均涂覆在304不銹鋼基 板上，厚度為20 25um。
6、 根據(jù)權利要求1所述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于 所述的步驟(4)中的高精度曝光，曝光時UV光能量控制在3 5KW。
7、 根據(jù)權利要求1所述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于 所述的電鑄溶液為鎳鈷溶液或鎳磷溶液。
8、 根據(jù)權利要求7所述的金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于所述的鎳鈷溶液的主要成分和含量如下氨基磺酸鎳溶液350 550g/L;氨基磺酸鈷溶液50 300g/L; 氯化鎳溶液10 30g/L; 硼酸20 45g/L;光亮劑XS-L: 1 5ml/L; 添加劑P900: 2 10ml/L。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種金屬霧化片的二元電沉積加工方法，其特征在于采用光電加工和二元電沉積技術，包括設計金屬霧化片的圖形文件；采用不銹鋼基板，將基板置于烘箱中烘烤；將光阻材料熱壓或印刷在基板上；按照設計好的金屬霧化片的圖形文件，制作負片光罩菲林，進行高精度曝光；將曝光后的基板在顯影劑中清洗；將基板放入鎳金電鑄槽中進行二元電鑄沉積加工；電鑄沉積達到所需要的厚度后，將基板上的金屬霧化片取下，放入超聲波清洗機中進行清洗；抽樣檢查。本發(fā)明可以使金屬霧化片的孔徑達到2～10um的孔徑要求，誤差小，并滿足霧化片2000～5000小時的使用壽命，使霧化片可以霧化液體顆粒達到5um以下的直徑水平，降低了使用成本。
文檔編號C25D1/00GK101586247SQ20091003346
公開日2009年11月25日 申請日期2009年6月22日 優(yōu)先權日2009年6月22日
發(fā)明者濤 周, 李真明, 黎增祺 申請人:昆山美微電子科技有限公司