本實(shí)用新型涉及線路板加工領(lǐng)域，具體涉及一種化銅缸用新型打氣管。

背景技術(shù)：

所述化學(xué)沉銅是一種自身催化氧化還原反應(yīng)，可以在非導(dǎo)電的基體上進(jìn)行沉積。沉銅的目的是利用化學(xué)反應(yīng)原理在孔壁上沉積一層0 .3um-0 .5um的銅，使原本絕緣的孔壁具有導(dǎo)電性，便于后續(xù)板面電鍍及圖形電鍍的順利進(jìn)行，從而完成PCB電路網(wǎng)絡(luò)間的電性互通。

化銅缸的化銅過程需要在底部設(shè)置有多個(gè)出氣孔的打氣管道，通過打氣管道排出的氣體進(jìn)行打氣攪拌，從而使化銅缸內(nèi)的藥水均勻化?，F(xiàn)有的化銅缸一般在底部設(shè)置U型的打氣管道，由于U型的設(shè)計(jì)本身不具備較好的對(duì)稱結(jié)構(gòu)，打氣不夠均勻，極易造成局部藥液濃度過高引起線路板局部反應(yīng)過快從而造成銅渣塞孔不良的情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型目的是提供一種化銅缸用新型打氣管，它能有效地解決背景技術(shù)中所存在的問題。

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn) ：

一種化銅缸用新型打氣管，包括缸體，所述缸體底部設(shè)置有打氣管組，所述打氣管組包括多個(gè)并列設(shè)置的打氣單元，所述打氣單元包括兩個(gè)水平且并列放置的矩形出氣管，所述矩形出氣管之間通過連接管連通，所述連接管中部連接有進(jìn)氣管，所述矩形出氣管均勻布置有多個(gè)出氣孔。

本實(shí)用新型工作原理如下：

在缸體底部并列設(shè)置多個(gè)打氣單元保證整體打氣的均勻性，將打氣單元設(shè)置為并列布置的矩形出氣管，而矩形出氣管具備極好的對(duì)稱性，能夠有效保證打氣單元內(nèi)打氣均勻，而出氣孔均勻布置于矩形出氣管，保證矩形出氣管每個(gè)出氣孔之間的出氣量越趨向于平衡化。

進(jìn)一步的，所述連接管包括由矩形出氣管中部沿長(zhǎng)度方向連接矩形出氣管兩端的平衡連接管及豎直連接平衡連接管中部的豎向連接管，所述豎向連接管端部之間通過一總連接管進(jìn)行連接，所述總連接管中部與進(jìn)氣管連接。

設(shè)置平衡連接管并由平衡連接管中部向矩形出氣管進(jìn)氣，保證矩形出氣管進(jìn)氣的均勻性，而通過總連接管中部向兩個(gè)平衡連接管進(jìn)行進(jìn)氣，保證打氣單元內(nèi)兩個(gè)矩形出氣管進(jìn)氣的均勻性。

進(jìn)一步的，所述出氣孔豎直布置于矩形出氣管上部。

出氣孔設(shè)置于矩形出氣管上部有利于形成均勻氣泡，提高打氣均勻性。

本實(shí)用新型的有益效果是 ：

本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，打氣管的設(shè)計(jì)對(duì)稱性好，進(jìn)氣及出氣均勻性高，平衡性好，打氣攪拌極均勻，有效避免了線路板局部反應(yīng)過快造成銅渣塞孔不良的情況。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型局部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。

實(shí)施例1

一種化銅缸用新型打氣管，如圖1-圖2所示，包括缸體1，所述缸體1底部設(shè)置有打氣管組，所述打氣管組包括多個(gè)并列設(shè)置的打氣單元2，所述打氣單元2包括兩個(gè)水平且并列放置的矩形出氣管3，所述矩形出氣管3之間通過連接管連通，所述連接管中部連接有進(jìn)氣管4，所述矩形出氣管3均勻布置有多個(gè)出氣孔5。

所述連接管包括由矩形出氣管3中部沿長(zhǎng)度方向連接矩形出氣管3兩端的平衡連接管6及豎直連接平衡連接管6中部的豎向連接管7，所述豎向連接管7端部之間通過一總連接管8進(jìn)行連接，所述總連接管8中部與進(jìn)氣管4連接。

所述出氣孔5豎直布置于矩形出氣管3上部。

以上為本實(shí)用新型的其中具體實(shí)現(xiàn)方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些顯而易見的替換形式均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。