專利名稱：強(qiáng)磁聚合管路處理器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于管道中對(duì)水或油進(jìn)行處理的裝置，特別是一種強(qiáng)磁聚合管路處理器。
該種類的處理器現(xiàn)有美國(guó)產(chǎn)的美格潔和北京能佳科技公司的產(chǎn)品，它們是由單個(gè)的磁源構(gòu)成，在需處理的水或油的管道外壁吸附一個(gè)個(gè)的磁源。磁源在管壁上的排列有成對(duì)成對(duì)的，也有呈螺旋狀的?，F(xiàn)有產(chǎn)品的不足在于(1)處理的能力受管壁厚薄的影響大，在管壁稍厚時(shí)，處理能力急劇下降，有時(shí)穿透管壁后的磁場(chǎng)強(qiáng)度還不足1000GS。在對(duì)低溫設(shè)備和特高硬度水的除垢、防垢、殺菌和滅藻方面效果較差。(2)磁源裸露在管道外壁，有一定的磁能輻射散發(fā)，相應(yīng)降低了處理能力。
本實(shí)用新型的目的在于提出一種不受管道壁厚的影響，處理能力強(qiáng)且恒定的強(qiáng)磁聚合管路處理器。
通過下述技術(shù)方案可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，一種強(qiáng)磁聚合管路處理器，包括磁源，其特征在于它為一種內(nèi)、外兩管構(gòu)成的夾管結(jié)構(gòu)，內(nèi)管外壁布置至少三個(gè)磁源，相鄰的磁源間呈斜面等腰三角形，磁源與內(nèi)管接觸處的壁厚為1.5～2.5mm，在內(nèi)、外兩管夾層的空隙中充有填料鹽，內(nèi)管的兩端為聯(lián)接法蘭。
充填的鹽為氯化鈉。
本實(shí)用新型的效果在于1．處理能力恒定，它串接于所處理的管道中，所以不受處理管道壁厚的影響。2．處理能力強(qiáng)，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)可提高處理能力達(dá)22～45％。處理能力提高的途徑是①磁源與內(nèi)管接觸外的管壁厚度僅為1.5～2.5mm，磁場(chǎng)穿透強(qiáng)度增大。②填充的鹽可阻止輻射散發(fā)的磁力線，降低了磁場(chǎng)的損耗，相應(yīng)則增強(qiáng)了穿透管壁的磁場(chǎng)。③磁源相鄰間接斜面等腰三角形排列，經(jīng)實(shí)踐摸索可提高處理能力。本實(shí)用新型的除垢率＞95％，防垢率＞97％，殺菌率＞90％，滅藻率100％。
以下結(jié)合附圖
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步闡述。
附圖為本實(shí)用新型的示意圖(局部剖視)。
參見附圖內(nèi)管1的外壁上吸附五個(gè)磁源2(有二個(gè)未顯示，磁源2的數(shù)量按處理對(duì)象確定，但至少是三個(gè))相鄰的磁源2同呈斜面等腰三角形，磁源2與內(nèi)管1接觸的管壁處的厚度為1.5～2.5mm。內(nèi)管1與外管3夾層的空隙中充有填料鹽4，該填料鹽4為氯化鈉，亦可為其它鹽，為防止鹽腐蝕設(shè)備或吸潮等不利因素，可將鹽包裝密封成塊狀進(jìn)行充填。內(nèi)管1略長(zhǎng)于外管3；內(nèi)管1的兩端為聯(lián)接法蘭5。本實(shí)用新型串接于所處理的管道中。
權(quán)利要求1.一種強(qiáng)磁聚合管路處理器，包括磁源，其特征在于它是由內(nèi)、外兩管構(gòu)成的夾管結(jié)構(gòu)，內(nèi)管外壁布置至少三個(gè)磁源，相鄰的磁源間呈斜面等腰三角形，磁源與內(nèi)管接觸處的壁厚為1.5～2.5mm，在內(nèi)、外兩管夾層的空隙中充有填料鹽，內(nèi)管的兩端為聯(lián)接法蘭。
2.按權(quán)利要求1所述的強(qiáng)磁聚合管路處理器，其特征在于填料鹽為氯化鈉。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種對(duì)管道的水或油進(jìn)行處理的強(qiáng)磁聚合管理處理器,它為一種內(nèi)、外兩管構(gòu)成的夾管結(jié)構(gòu),在內(nèi)管外壁布置至少三個(gè)磁源,磁源與內(nèi)管接觸處的壁厚為1.5～2.5mm,在內(nèi)、外兩管夾層的空隙中充有填料鹽,內(nèi)管的兩端為聯(lián)接法蘭,它的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)高于現(xiàn)有產(chǎn)品,其除垢率>95%,防垢率>97%,殺菌率>90%,滅藻率100%。
文檔編號(hào)F16L55/24GK2450500SQ0026417
公開日2001年9月26日 申請(qǐng)日期2000年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月1日
發(fā)明者謝世昭, 謝峰 申請(qǐng)人:謝世昭