專利名稱：：制造和使用碳納米管探針的制作方法制造和使用碳納米管探針
背景技術：
：碳納米管——二十世紀90年代早期發(fā)現的材料——具有很多合乎需要的性質。例如，碳納米管可具有諸如高剛度、韌性和彈性之類的合乎需要的機械性質。作為另一個例子，碳納米管可具有諸如電導率之類的合乎需要的電性質。由于這些和/或其它性質，碳納米管可以是構造在諸如原子力顯微鏡之類的應用中使用的探針的期望材料(參見美國專利申請US2007/0051887)。然而，這種探針固有地在垂直方向上脆弱，且當探針與表面進行導致碳納米管彎曲或變形的壓力接觸時很容易變形超過有效使用點。通常由碳納米管以外的材料制成的彈性的、順應的、可變形的或彈性探針(不管是機械的還是機電的)已經在各種應用中使用。例如，可將探針組(例如，陣列)放置成與將由探針探測(例如，物理接觸)的對象的圖案相對應的圖案。這種探針可以是導電的且可接觸電子器件(例如，一個或多個半導體管芯)的輸入和/或輸出端子，以建立臨時的基于壓力的與電子器件的電連接，通過該電連接能夠將測試信f提供給電子器件且能夠感測由電子器件生成的響應信號。通過這種測試，能夠評價電子器件以確定器件是否正確地運行和/或器件的運算速率。取決于特定的探測應用，期望這種探針具有一個或多個特定的機械性質。例如，在某些應用中，期望探針對施加到探針的力的響應是順應的且彈性的。例如，通過響應于施加到探針的接觸部分的力而壓縮、變形、彎曲或以其它方式移動，這種探針可以是順應的，且通過響應于施加到探針的接觸部分的力而產生反力、然后在從探針的接觸部分去除所施加的力后基本返回到探針的原始形狀、位置或方位，該探針可以是彈性的。在某些應用中，期望將探針調整成具有特定的機械性質。諸如在持續(xù)時間段內反復使用時的韌性、耐久性和一致性之類的其它機械性質也可能是合乎需要的。例如，期望這種探針在持續(xù)的時間段內承受反復壓縮，而不會經歷機械性質的實質變化。此外，如果探測應用是有關電的，則這種探針具有一個或多個特定的電性質是合乎需要的。例如，在某些應用中，電探針具有低電阻和/或高載流能力是合乎需要的。無論探測應用是否是有關電的，探針具有諸如可制造性之類的其它期望電性質是合乎需要的。例如，在某些應用中，可能需要將探針形成為其中探針彼此接近地分隔開(例如，探針之間的間距或間隔很小)的圖案(例如，陣列)。在這種應用中，探針雖然彼此接近地分隔開但能夠響應于施加到探針上的力壓縮、變形或以其它方式移動，且探針不相互接觸或其它方式相互干擾是合乎需要的。在某些應用中，使探針的接觸部分(例如接觸尖端)平坦化，使得組中所有探針的接觸部分都位于特定平面的指定距離內是合乎需要的。在某些應用中，探針能夠在極端溫度下(例如，高溫或低溫)承受反復使用是合乎需要的。當然，能夠有效地且經濟地制造這種探針和/或將這種探針結合到探測裝置是合乎需要的。以下描述的本發(fā)明的某些實施例能夠在某些情形中幫助包括具有上述期望的機械、電、可制造性或其它性質中的一個或多個性質的碳納米管的探針的生產和/或使用。
發(fā)明內容在某些實施例中，包括多個垂直對齊的碳納米管的柱可被構造為機電接觸結構或探針。在某些實施例中，柱可在犧牲襯底上生長，并轉移到產品襯底上，或者柱可在產品襯底上生長。在某些實施例中，柱可被處理以增強諸如剛度之類的機械性質、諸如電導率之類的電性質和/或物理接觸特性。在某些實施例中，可機械地調節(jié)柱以使其具有預定的彈簧性質。在某些實施例中，可將柱用作例如機電探針，以接觸和測試諸如半導體管芯的電子器件，且柱可在電子器件的端子上作出獨特的標記。圖1A示出根據本發(fā)明某些實施例的襯底上的碳納米管的示例性柱。圖1B和1C示出圖1A中的碳納米管柱中的一個。圖2-5A示出根據本發(fā)明某些實施例的制造碳納米管柱的示例性浮游催化劑工藝。圖6和7示出根據本發(fā)明某些實施例的制造碳納米管柱的示例性固定催化劑工藝。圖8和9示出根據本發(fā)明某些實施例的將碳納米管柱從犧牲襯底轉移到另一個襯底的示例性工藝。圖10示出根據本發(fā)明某些實施例的將碳納米管柱從犧牲襯底轉移到另一個襯底的另一個示例性工藝。圖IIA和IIB示出根據本發(fā)明某些實施例的布線襯底上的碳納米管柱。圖12-15示出根據本發(fā)明某些實施例的制造碳納米管柱的示例性工藝，其中該工藝包括將柱轉移到襯底。圖15A-16示出根據本發(fā)明某些實施例的在布線襯底上生長碳納米管柱、將柱錨固到布線襯底和/或將柱電連接到布線襯底的示例性工藝。圖17A-18B示出根據本發(fā)明某些實施例的在布線襯底上生長碳納米管柱、將柱錨固到布線襯底和/或將柱電連接到布線襯底的另一個示例性工藝。圖19A示出根據本發(fā)明某些實施例的示例性碳納米管柱，其中粘合劑通過所包含柱吸附到柱的接觸端。圖19B示出根據本發(fā)明某些實施例的示例性碳納米管柱，其中粘合劑吸附到柱的基部、柱的接觸端具有突出結構。圖20示出根據本發(fā)明某些實施例的對圖19B的碳納米管柱進行處理以增加從接觸端突出的突出結構的數目。圖21示出根據本發(fā)明某些實施例的向圖20的碳納米管柱添加導電材料。圖22A和22B示出根據本發(fā)明某些實施例的具有能夠用導電材料填充的中空的示例性碳納米管柱。圖23A示出根據本發(fā)明某些實施例的示例性碳納米管柱，且具有一般沿接觸端的周長在拐角或其它點上形成的突出結構。圖23B、23C、23D和23E示出根據本發(fā)明某些實施例的制造圖23A的柱的示例性方法。圖24示出根據本發(fā)明某些實施例的調節(jié)碳納米管柱以使其具有特定彈簧性質的示例性工藝。圖25示出根據本發(fā)明某些實施例的根據圖24工藝調節(jié)碳納米管柱的示例性示例。圖26示出根據本發(fā)明某些實施例的包括具有探針的接觸器的示例性測試系統，這些探針包括碳納米管柱。圖27示出根據本發(fā)明某些實施例的制造探針卡組件形式的接觸器的示例性工藝。圖28-34示出根據本發(fā)明的某些實施例的圖27工藝的示例，其中制造圖34中所示的探針卡組件。圖35示出根據本發(fā)明某些實施例的具有探針的圖26接觸器的立體圖，探針包括其圖案與待測試的一個或多個電子器件的端子的圖案相對應的碳納米管柱。圖36示出根據本發(fā)明某些實施例的在與圖26的測試系統類似的測試系統中測試和進一步處理一個或多個電子器件的示例性過程。圖37和38示出根據本發(fā)明某些實施例的接觸器的探針與圖26的電子器件的端子的示例性接觸，以及由如圖20所示處理成在其接觸端具有突出結構的探針在端子上制作的穿孔標記形式的探針標記。圖40示出根據本發(fā)明某些實施例的由與圖23A探針相像的探針在端子上留下的穿孔標記形式的示例性探針標記。圖40示出根據本發(fā)明某些實施例的通過在探針的接觸端上一般缺少圖20中所示的突出結構的探針在端子上的碳納米管壓印形式的示例性探針標記。圖41A、41B和41C示出在管芯的端子上具有類似圖38-40所示的探針標記的探針標記的示例性半導體管芯。圖42示出由現有技術探針制作的擦過管芯端子的示例性現有技術探針標記。圖43A和43B示出根據本發(fā)明某些實施例的包括彈簧接觸結構的示例性內插器，該彈簧接觸結構可包括碳納米管柱。圖44示出根據本發(fā)明某些實施例的包括彈簧接觸結構的示例性半導體管芯，該彈簧接觸結構可包括碳納米管柱。示例性實施例詳述本說明書描述本發(fā)明的示例性實施例和應用。然而，本發(fā)明不限于本文所描述的這些示例性實施例和應用或這些示例性實施例和應用工作的方式。而且，附圖可以示出簡化或部分視圖，而且為了清楚起見附圖中的元件尺寸可以放大或不成比例。此外，作為本文中使用的術語"在……上面"和"附連到"，一個物體(例如，材料，層，襯底等)可以在另一物體"上面"或"附連到"另一物體，而不管該物體是直接在其它物體上面或附連到其它物體上或在該物體和其它物體之間有一個或多個中間插入物體。此外，方向(例如，上方，下方，頂部，底部，側面，上，下，"x"，"y"，"z"等)——如果設置的話——是相對的，并且僅作為示例且為了說明和討論的方便而不是作為限制提供。此外，在對一系列的元件(例如，元件a、b、c)進行引用時，這些引用旨在包括所列出元件本身中的任一個、少于全部所列出元件的任意組合和/或全部所列出元件的組合。圖1A示出根據本發(fā)明某些實施例的襯底102上包括碳納米管柱104的示例性組。(襯底102可以是生長襯底、中間襯底或產品襯底，且襯底102可以是布線襯底或產品襯底的非限制示例。)在襯底102上示出15個柱104，但襯底102上可以有更多或更少的柱104。事實上，襯底102上可以有數百或數千個柱104。正如已知的，碳納米管可以是纖維狀結構，該結構可以是纏繞的一塊，且柱104可包括多個碳納米管的纏繞塊。柱104因此可被稱為碳納米管柱。正如已知的，單個碳納米管可具有多個屬性，包括但不限于以下碳納米管壁的數目和壁的厚度，碳納米管的直徑和碳納米管的手性(滾動角)。此外，纏繞成形成類似柱104的結構的一組碳納米管可具有多個屬性，包括但不限于以下該組中各個碳納米管之間的平均間距、該組中碳納米管的平均長度和該組中碳納米管的對齊或取向。各個柱104中的碳納米管不限于具有任意特定數量的壁、壁厚、直徑或手性，形成柱104的碳納米管也不限于具有碳納米管之間的特定平均間距、平均長度或對齊。然而，在某些實施例中，各個柱104可包括垂直對齊的碳納米管。包括垂直對齊的碳納米管的柱可被稱為"垂直對齊的"碳納米管柱。包括但不限于柱104的本文所描述的碳納米管柱中的任一個可以是垂直對齊的碳納米管柱。正如本文所使用的，如果構成柱的大多數碳納米管(即50%或更多)沿柱的長度形成在柱的一端(例如端108)開始并在相對端(例如端106)終止的連續(xù)路徑，則碳納米管的柱(例如，柱104)是"垂直對齊的"。圖1B和1C示出示例，其示出柱104之一的側視圖。在圖1B和1C中，示出構成柱104的幾個碳納米管IIO。然而，柱104可包括數千或幾十萬個這種碳納米管110。正如所看到的，構成柱104的碳納米管110可彎曲和/或扭曲且因此相互纏繞。在圖1B中，碳納米管之一110a被突出顯示，并且如所看到的，碳納米管110a在柱104的端部106、108處開始和終止，且碳納米管110a在端部106、108之間(即沿柱104的長度L)是連續(xù)的。(端部106可以是基底端、接觸端、第一端或第二端的非限制示例；端部108同樣可以是基底端、接觸端、第一端或第二端的非限制示例。)在圖1C中，另一個碳納米管110b被突出顯示，并且如所看到的，碳納米管110b同樣在柱104的端部106、108處開始和終止，且碳納米管110b在端部106、108之間(即沿柱104的長度L)是連續(xù)的。因此根據以上的定義碳納米管110a和110b兩者都是"垂直對齊的"，且只要圖1A的柱104中的多數碳納米管(即至少50%)也是"垂直對齊的"，則柱104可被稱為"垂直對齊碳納米管柱"。在某些實施例中，柱104中大于50%的碳納米管可以是垂直對齊的。例如，在某些實施例中，60%、70%、75%、80%、90%、95°/。、98%、99%或更大百分比的構成柱104的碳納米管可以是垂直對齊的。在某些實施例中，單個碳納米管可包括一個管直接生長在另一個管的頂部的多個管，從而得到連續(xù)路徑。例如，這些管可利用類似以下討論的示例性固定催化劑法的固定催化劑生長法來生長。有多種生長柱104的工藝，如上文提到地柱104可以是垂直對齊的碳納米管柱104，且可將已知或未來開發(fā)的工藝用于生長柱104。浮游催化劑工藝和固定催化劑工藝是兩種用于生長柱104的示例性、非限制工藝。一般而言，在浮游催化劑工藝和固定催化劑工藝中，在存在碳源和催化劑的情況下柱104可在生長表面上生長。此外，如所提及的，柱104可生長為垂直對齊的碳納米管柱。圖2-5示出根據本發(fā)明某些實施例的生長類似柱104的柱的浮游催化劑工藝的非限制性示例。如圖2所示，可提供襯底202。襯底202可以是適用于支承柱的任意結構。適當襯底202的非限制性示例包括半導體晶片、陶瓷襯底、包括有機材料的襯底、包括無機材料的襯底或其任意組合。如圖3所示，可將生長材料300沉積在襯底202上，或者襯底202上可設置有生長材料300。正如所看到的，生長材料300的表面302可以是其上能夠生長碳納米管柱的生長表面302。生長材料300可以是適用于生長碳納米管柱的任何材料。例如，材料300可以是帶有氧化膜或其上可形成氧化膜使得生長表面302包括氧化物的任意材料。例如，生長材料300可以是硅材料，且生長表面302可包括硅材料上的氧化膜。圖3中的元件300和302因此可以是不同的層。此外，襯底202可以是硅襯底(例如，空白硅晶片)，在這種情形中，襯底202和生長材料300可以是同一層(即，硅襯底)。生長材料300不限于帶有氧化膜的材料。例如，生長材料300可以是石英。如圖4A和4B所示(其分別示出立體圖和橫截面?zhèn)纫晥D)，可將掩模層402沉積到生長表面302上，并在掩模層402中形成開口404，從而曝露生長表面302的所選區(qū)域。正如將看到的，碳納米管柱(圖5中的502)可在生長表面302的通過開口404曝露的區(qū)域上生長。開口404因此可處于并具有與待生長的碳納米管柱的期望位置和橫截面形狀相對應的位置和圖案。掩模層402可包括可沉積在生長表面302上并具有開口404的任意一種或多種材料。例如，掩模層402可包括光反應性材料(例如光刻膠材料)，它能夠在生長表面302上沉積成覆蓋層，然后光反應性材料的所選部分通過曝露于光而固化且該材料的未固化部分被去除以形成開口404。用于掩模層402的適當材料的其它非限制性示例包括可沉積成包括開口404的圖案或沉積然后圖案化成具有開口404的任意材料。金是這種材料的非限制性示例。盡管圖4A及所附文字以及在本說明書中其它位置的其它附圖及所附文字示出正方形橫截面，但僅僅是為了方便描述使用正方形橫截面。其它橫截面同樣是可能的且可明確地構想的。例如，還可使用圓、環(huán)(或環(huán)形)、三角形以及其它橫截面形狀。如圖5A和5B所示(其分別示出立體圖和橫截面?zhèn)纫晥D)，碳納米管柱504可在生長表面302的通過開口404曝露的區(qū)域上生長?？稍诖嬖谶m當環(huán)境條件的情況下通過提供包括催化劑和碳源的材料(例如氣體)來生長柱504。例如，具有生長表面302和掩模層402的襯底202可置于諸如爐(未示出)之類的封閉室內，且封閉室的內部可被加熱，并將包括催化劑和碳源的氣體引入(例如泵入)封閉室的內部。特定的催化劑材料、碳源材料和任何其它材料、這些材料的濃度和混合物以及特定的環(huán)境條件(例如溫度)可被稱為"制法"，即適于在生長表面302上生長碳納米管的任何制法。以下是可用于生長柱504的非限制性、示例性制法?？蓪⒁r底202置于可被加熱到約750°C的爐(未示出)中。包括作為碳源的二甲苯(C8H1())和作為催化劑的二茂鐵(Fe(C5H5)2)的氣體可與載體氣體(例如，氬或另一種一般為惰性的氣體)混合并被引入(例如泵入)到爐(未示出)中。在某些實施例中，與載體氣體混合的二茂鐵與二甲苯的比率約是每IOO毫升二甲苯1克二茂鐵，且二茂鐵/二甲苯混合物可在150°C的溫度下以每小時6毫升的速率與載體氣體混合。以上的制法可產生作為垂直對齊柱的柱504。如所提及的，以上的制法僅僅是示例性的，且可使用包括催化劑和碳源的其它材料。此外，生長表面302可在750°C以外的溫度下曝露于以上的催化劑和碳源。無論使用何種特定制法，在特定溫度下生長表面302對包括催化劑和碳源的材料的曝露可導致柱504從生長表面302的通過掩模層402中的開口404曝露的區(qū)域生長，一般如圖5A和5B所示。(盡管兩個柱504被示出從襯底202生長，但更多或更少的柱504可從襯底202生長。)如所提及的，柱504可以是垂直對齊的碳納米管柱。柱504可以是圖1A中的柱104的示例，且襯底202可以是襯底102的示例。因此，在本文中對柱104的任何引用可包括作為柱104的示例的柱504，且在本文中對襯底102的任何引用可包括作為襯底102的示例的襯底202。圖2-5B所示的工藝因此是可生長柱104的一種示例性方式。圖6和7示出根據本發(fā)明某些實施例的生長類似柱104的柱的固定催化劑工藝的非限制性示例。開始時，可如以上圖2中所示提供襯底202。如圖6所示，可將緩沖層602沉積在襯底202上，且圖案化的催化劑層604可形成于緩沖層602上。盡管在圖6和圖7中未示出，但還可圖案化緩沖層602。例如，可將緩沖層602圖案化成具有與催化劑層604基本相同或類似的圖案。催化劑層604可包括如以上一般討論的催化劑材料，它可在存在碳源的情況下使碳納米管(可以是垂直對齊的)生長。緩沖層602可在襯底202和催化劑層604之間提供緩沖。緩沖層602可以是與催化劑材料和/或碳源材料沒有可觀反應的任何材料。氧化鋁(Al203)是適當緩沖層602的非限制性示例。催化劑層604可包括在存在碳源的情況下使碳納米管生長的材料。催化劑層604可通過僅在緩沖層602的所選區(qū)域上沉積催化劑材料來形成?；蛘?，催化劑層604可通過以下步驟來形成在緩沖層602上將催化劑材料沉積為覆蓋層、然后去除所沉積的催化劑材料的所選部分，留下其圖案和形狀與將在催化劑層604上生長的碳納米管的期望位置和橫截面形狀相對應的催化劑材料(例如，如圖6所示)。如圖7所示，碳納米管柱704可生長在圖案化的催化劑層604上?？赏ㄟ^在存在適當環(huán)境條件的情況下提供包括碳源的材料(例如氣體)來生長柱704。例如，具有緩沖層602和催化劑層604的襯底202(如圖6所示)可置于諸如爐(未示出)之類的封閉室內，且封閉室的內部可被加熱，并將包括碳源的氣體引入(例如泵入)封閉室的內部。構成催化劑層604的特定材料、構成碳源的特定材料和任意其它材料、這些材料的濃度和混合物以及特定的環(huán)境條件(例如溫度)可被稱為"制法"，且任何適于在催化劑層604上生長碳納米管的制法可被用于生長柱704。以下是可用于生長柱704的示例性、非限制性制法。催化劑層604可包括任意過渡金屬。例如，催化劑層604可包括鐵(Fe)。例如，催化劑層可包括鐵(Fe)層，且緩沖層602可包括氧化鋁(八1203)。在某些實施例中，鐵(Fe)膜與氧化鋁(^203)膜的厚度比可以是約1.2部分的鐵(Fe)膜比10部分的氧化鋁(八1203)膜。可將襯底202置于可被加熱到約750°C的爐(未示出)中，并可將烴氣引入到爐中。在這種條件下，催化劑層604可催化由烴氣中的碳在圖案化的催化劑層604上生長碳納米管。在某些實施例中，在將襯底202置于爐(未示出)中之后，可如下地操作爐。可在爐處于約0°C溫度時持續(xù)約10分鐘泵入惰性氣體(例如氬)使其以約400標準立方厘米/分鐘(sccm)的流速通過爐。然后，可在爐(未示出)中的溫度從0。C變?yōu)?50。C時持續(xù)約15分鐘，且在其后溫度維持在750°C時持續(xù)約10分鐘，繼續(xù)泵入惰性氣體使其以約400sccm的流速通過爐。其后，在溫度維持在約750。C時持續(xù)約5分鐘，含氫氣H2的氣體與以400sccm流過爐(未示出)的惰性氣體混合。例如，含氫氣的氣體可以是約40部分的H2比約15部分的Ar比率的H2/Ar。其后，在將爐維持在750°C時可將碳源添加到流過爐的惰性氣體。例如，碳源可以是包括比率為約10部分的C2H4、40部分的112和10部分的Ar的C2H4/H2/Ar的氣體，該碳源可導致如圖7所示的來自氣體中的碳在催化劑層604生長碳納米管。柱704可從催化劑層604生長為垂直對齊的碳納米管柱。如所提及的，以上的制法僅僅是示例性的，且其它材料可包括催化劑層604，且可使用不同的碳源。此外，催化劑層604可在750。C以外的溫度下曝露于以上的碳源。此外，可使用不同的氣體混合物、流速和時間段。無論使用何種特定制法，在特定溫度下催化劑層604對碳源的曝露可使柱704從催化劑層604生長，一般如圖7所示。(盡管兩個柱704被示出從襯底202生長，但更多或更少的柱704可從襯底202生長。)柱704可以是垂直對齊的碳納米管柱。柱704可以是圖1中的柱104的示例，且襯底202可以是襯底102的示例。因此，在本文中對柱104的任何引用可包括作為柱104的示例的柱704，并且在本文中對襯底102的任何引用可包括作為襯底102的示例的襯底202。圖6和7所示的工藝因此是生長柱104的另一種示例性方式。無論使用何種工藝生長柱104——不管是浮游催化劑工藝、固定催化劑工藝還是生長柱104的另一工藝，其上生長柱104的襯底可以是其上柱104將用于最終應用的產品襯底的全部或部分?；蛘?，其上生長柱104的襯底可以是犧牲襯底，柱可從該犧牲襯底轉移到中間襯底或產品襯底。"生長襯底"(即其上生長柱的襯底)因此可以是產品襯底的全部或部分或犧牲襯底。如果柱104生長在犧牲襯底上，則柱可以任何適當方式被轉移到中間襯底或產品襯底。圖8和9示出將柱104轉移到另一個襯底的非限制性示例性工藝。圖8示出具有根據圖2-5B或圖6和7所示的工藝之一生長在例如襯底102上的柱104的襯底102。如圖8和9所示，可使柱104的端部106與沉積到柱104被轉移至的襯底802上的粘合劑804接觸(例如，粘合劑材料或包括粘合劑的材料)。粘合劑804可以是例如環(huán)氧樹脂，它可以是可固化環(huán)氧樹脂。如所提及的，襯底802可以是其上柱104將被用于其最終應用的產品襯底，或者襯底802可以是柱104稍后將從其轉移的中間襯底。(襯底802可以是布線襯底的非限制性示例。)如圖9所示，一旦柱104的端部106(參見圖8)通過粘合劑804粘合到襯底802，就可將襯底102從柱104剝離或以其它方式去除。粘合劑804可以是粘合柱104的端部106的任何材料。在某些實施例中，粘合劑804可以是以大于柱104附連到襯底102的粘合強度將柱104的端部106接合到襯底802的材料。在某些實施例中，粘合劑804可以是可固化材料，其在未固化狀態(tài)時一般是液態(tài)或半液態(tài)或者是處于可流動或半流動狀態(tài)?？稍诠袒澈蟿r保持柱104的端部106與粘合劑804接觸?；蛘呋蛄硗?，粘合劑804可以是導電的。例如，粘合劑804可包括導電材料。適當的粘合劑804的非限制性示例包括諸如導電環(huán)氧樹脂之類的環(huán)氧樹脂。圖8和9所示的轉移工藝僅僅是示例性的，且很多變形是可能的。圖10示出非限制性變形。如圖10所示，粘合劑804(參見圖8)可被圖案化為粘合劑804的沉積804'。例如，粘合劑804可僅被選擇性地沉積為圖10所示的沉積804'?；蛘撸澈蟿?04可被沉積為如圖8所示的覆蓋層，并去除粘合劑804的選擇部分，留下圖10所示的粘合劑804的沉積804'。如圖10所示，粘合劑804的沉積804'的圖案可對應于柱104的端部106的圖案，且可使柱104的端部106與粘合劑804的沉積804'接觸。另外，圖10中柱104向襯底802的轉移可類似于如圖8-9所示及以上論述的柱104向襯底802的轉移。盡管被示為正方形，但沉積804'的圖案可以是正方形以外的圖案(例如圓)。圖8和9所示的示例性轉移工藝的其它變形是可能的。例如，在如圖9所示柱104的端部106粘合到粘合劑804且根據需要固化粘合劑804之后，可從襯底802去除部分粘合劑804。例如，可去除除柱104的端部106和襯底802之間的粘合劑以外的基本全部粘合劑804。轉移柱104的工藝可包括將柱轉移到電子器件，其中柱104可以是附連和電連接到該電子器件上的電端子、跡線或其它導電元件的導電互連結構(例如，彈簧探針或其它類型的彈簧接觸結構)。圖IIA和11B(其分別示出立體圖和橫截面?zhèn)纫晥D)示出非限制性示例。如圖IIA和IIB所示，柱104可將例如導電粘合劑1104附連到布線襯底(可以是產品襯底)1102的端子1106(或其它電元件)，該布線襯底可包括至其它端子1110和/或諸如電路元件(例如集成電路、電阻器、電容器、晶體管等)(未示出)之類的電元件(未示出)的內部布線1108(例如導電跡線和/或通孔)。(布線1108可以是電連接的非限制性示例。)布線襯底1102可以是其中柱104用作諸如彈簧探針或其它類型的彈簧觸點結構的彈性互連結構的電子器件(未示出)或其一部分。布線襯底1102可以是例如印刷電路板或多層陶瓷布線襯底的布線襯底。另外，布線襯底1102可以是其中電路被集成其中的半導體管芯。另外，布線襯底1102可以是可附連柱的其它類型的襯底(例如，半導體晶片)。此外，多個布線襯底1102能夠以各種方式與其它布線襯底1102組合(諸如安裝或粘合到固定或支承結構)以形成復合布線或產品襯底(未示出)。有很多能將柱104附連到端子1104的方式。例如，圖8-10中的襯底802可以是導電材料(諸如銅的導電金屬)板。例如如圖8和9或圖IO所示，在將柱104附連到襯底802之前，襯底802可能已被附連到布線襯底1102。例如，襯底802最初可能是布線襯底1102的外部導電層。在柱104附連到襯底802之后，如圖9或圖10所示，襯底802的一部分可能被去除(例如通過蝕刻)，留下因此可以是襯底802的殘余(或未去除部分)的端子1106。在這種情形中，粘合劑1104可以是圖8和9中的粘合劑804的殘余或圖10中的粘合劑804的沉積804'?；蛘撸r底802可以在如圖8和9或圖10所示柱104附連到襯底802之后附連到布線襯底1102，然后可去除襯底802的選擇部分以形成如上論述的端子1106。作為另一個選擇，柱104可被轉移到布線襯底1102的端子1104，一般如圖10所示。例如，圖10中的襯底802可被布線襯底1102替換，且粘合劑804的沉積804'可在布線襯底1102的端子1106上。(示出九個端子1106，但可以有更多或更少的端子。)然后使柱104的端部106與粘合劑804的沉積804'接觸，并如上所論述地從柱104剝離襯底102。如果粘合劑804是可固化材料，則可在襯底102從柱104剝離之前固化沉積804'。再次參照圖1-10，圖2-7中示出的制造柱104的工藝和圖8-11B中示出的將柱104轉移到另一個襯底的工藝僅僅是示例性的，且很多變形是可能的。圖12-14示出某些示例性變形。圖12示出帶有一般如圖3所示地具有生長表面302的生長材料300的襯底202。如圖12所示，碳納米管塊1204(例如連續(xù)膜或連續(xù)叢)可在生長表面302上生長。例如，碳納米管可按照與以上論述的圖5A和5B中生長柱504相同的方式生長，但不包括掩模層402，且生長表面302的曝露區(qū)不限于掩模層402的開口404。相反，碳納米管可基本上從整個生長表面302生長，從而產生圖12所示的碳納米管塊1204。形成塊1204的碳納米管可以是垂直對齊的，且塊1204因此可以是垂直對齊的碳納米管塊?；蛘呖衫闷渌椒ㄉL碳納米管塊1204，包括例如諸如圖6和7所示的示例性固定催化劑方法的固定催化劑方法。在這種情形中，可用類似緩沖層602的緩沖層和類似圖6所示的催化劑層604的催化劑層代替圖12-14中的生長材料300，但催化劑層604可以是連續(xù)的覆蓋層。然后，如以上參照圖7所一般論述地碳納米管從催化劑層生長，這可生產碳納米管塊1204。如圖13所示，可使碳納米管塊1204的端部1206與圖10的襯底802上的粘合劑804的沉積804'接觸。碳納米管塊1204的端部1206的部分因此可通過襯底802上粘合劑的沉積804'粘合到襯底802。粘合劑的沉積804'能夠以大于碳納米管塊1204粘合到襯底202的粘合強度粘合到碳納米管塊1204。如圖14所示，當從襯底802移去碳納米管塊1204時，碳納米管柱1404能夠從碳納米管塊1204拉出且因此與其分離。柱1404可對應于通過粘合劑804的沉積804'粘合到襯底802的碳納米管塊1204的一部分。盡管在圖14中示出九個柱1404,但可從塊1204中拉出更多或更少的柱1404。圖12-14所示的工藝因此是制造圖1的柱104的另一種示例性工藝，且柱1404因此可以是柱104的示例。襯底802可以是襯底102的示例。因此，在本文中對柱104的任何引用可包括作為柱104的示例的柱1404，且在本文中對襯底102的任何引用可包括作為襯底102的示例的襯底802。柱1404可按照以上參照圖IIA和IIB所論述的任何方式附連到圖IIA禾口11B中的端子1106。盡管圖2-10和12-14所示的示例示出在犧牲襯底202上生長柱504或704或1404(其生長為塊1204的一部分)，但類似柱104的碳納米管柱或者可在產品襯底上生長(例如其上柱用于其最終應用的襯底)。圖15A-16B示出其中碳納米管柱1604(可以是垂直對齊的碳納米管柱)可在布線襯底1502(其可以是產品襯底)上生長的示例。如圖15A和15B所示(其分別示出俯視圖和側向橫截面圖)，可與布線襯底1102相同或類似的布線襯底1502可包括電端子1504(示出四個但可有更多或更少的電端子)，該電端子1504通過內部布線1508(例如導電跡線或通孔)電連接到其它端子或諸如電路元件(例如集成電路、電阻器、電容器、晶體管等)(未示出)的電元件(未示出)。(布線1508可以是電連接的非限制性示例。)參照圖16A和16B，可利用本文描述或提及的用于生長碳納米管柱的工藝或技術中的任一種在端子1504上生長柱1604。例如，可利用以上參照圖2-5B示出和討論的浮游催化劑工藝生長柱1604。如圖16A和16B所示(分別示出俯視圖和側向橫截面圖)，具有生長表面的材料1608可被沉積到端子1504上。例如，材料1608可與圖3-5B中的材料300相同或類似，且生長表面1602可與生長表面302相同或類似。材料1608可被沉積為類似圖2-5B中的材料300的覆蓋材料，并用類似掩模層402的掩模層進行掩模，且具有類似開口404的開口，限定要生長柱1604的位置(例如，在端子1504上)?；蛘?，材料1608可被圖案化以使材料1608僅位于要生長柱1604的位置(例如端子1504)。然后利用諸如以上參照圖5A和5B所述工藝的浮游催化劑工藝從生長表面1602生長柱1604。柱1604可以是垂直對齊的碳納米管柱。圖6和7所示的固定催化劑工藝是可用于在端子1504上生長柱1604的工藝的另一個示例。如果使用固定催化劑工藝，則材料1608可以是包括催化劑材料的催化劑層。例如，材料1608可與構成圖6和7中的催化劑層604的材料相同或類似?？蓪⑴c圖6和7中的緩沖層602相同或類似的緩沖層(圖16A和16B中未示出)沉積在端子1504和材料1608之間。然后利用諸如以上參照圖7所述工藝的固定催化劑工藝從材料1608(在本示例中可以是催化劑層)生長柱1604。柱1604可以是垂直對齊的碳納米管柱。無論使用何種工藝在端子1504上生長柱1604，可如圖16A和16B所示將錨固結構1606設置在柱1604部分的周圍。錨固結構1606可將柱1604錨固到端子1504和/或布線襯底1502，因此增強柱1604與端子1504和/或布線襯底1502的附連。(因為端子1504可以是布線襯底1502的一部分，所以將柱1604錨固到端子1504被認為是將柱1604錨固到布線襯底1502。)錨固結構1606可包括適于沉積在柱1604的端部周圍的任何材料，且能夠以任何適當的方式沉積形成錨固結構1606的材料。例如，錨固結構1606可包括電鍍到端子1504和柱1604的一部分上的導電材料。作為另一示例，錨固結構1606可包括在布線1502上沉積為覆蓋層的光反應材料。可僅在柱1604的一部分周圍選擇性地硬化光反應材料，并可去除光反應材料的未硬化部分。作為又一個示例，如果將浮游催化劑工藝用于生長柱1604且材料1608最初在布線襯底1502上沉積為覆蓋層、并在材料1608上沉積掩模層(例如類似層402)且具有曝露端子1504上的材料1608的開口(例如類似掩模層402中的開口404)，則錨固結構1606可以是掩模層，在這種情況下錨固結構1606可基本位于整個布線襯底1502上?；蛘?，這種掩模層(未示出)可被選擇地去除，留下如圖16A和16B所示的形成錨固結構1606的掩模層殘余。錨固結構1606可包括其它材料。例如，錨固結構1606可包括以可流動或半流動狀態(tài)沉積在柱1604的周圍然后硬化的可固化材料。在某些實施例中，錨固結構1606可以是導電的，因此除將柱1604錨固到端子1504和/或布線襯底1502之外，還將柱1604電連接到端子1504。在某些實施例中，錨固結構1606不需要用于可觀地增加柱1604至端子1504和/或布線結構1502的附連強度，因此不需要錨固結構。在這種情形中，結構1606可僅用于或主要用于將柱1604電連接到端子1504。如果錨固結構1606用于增加柱1604至端子1504和/或布線襯底1502的附連強度，以增強錨固結構1608將柱1604錨固到端子1504和/或布線襯底1502的強度，則錨固結構1606被選擇為具有與柱1604不同的熱膨脹系數。例如，錨固結構1606可被選擇為對于溫度的每單位變化比柱1604膨脹更多。錨固結構1606可在低于環(huán)境溫度的溫度下沉積在柱1604的端部周圍，使得當錨固結構1606變暖至環(huán)境溫度時，錨固結構1606膨脹、因此"擠壓"柱1604。圖17A-18B示出根據本發(fā)明某些實施例的在產品襯底上生長碳納米管柱并將柱錨固到產品襯底的另一示例性工藝。圖17A-18B還示出根據本發(fā)明某些實施例的將碳納米管柱電連接到產品襯底上的其它電元件的另一個示例性工藝。圖17A和17B(分別示出立體圖和側向橫截面圖)示出示例性布線襯底1702(它可以是產品襯底且可類似于布線襯底1102和/或1502)。如圖所示，布線襯底1702可包括多個電端子1704(示出兩個但可以有更多或更少)，它們可通過內部布線1708(例如導電跡線和/或通孔)電連接到其它端子1710和/或諸如電路元件(例如集成電路、電阻器、電容器、晶體管等)(未示出)的電元件(未示出)。(布線1708可以是電連接的非限制性示例。)同樣如圖17A和17B所示，可在布線襯底1702內形成(例如蝕刻、切割等)凹坑1705。如圖18A和18B所示(其分別示出俯視圖和側向橫截面圖)，碳納米管柱1804(可以是垂直對齊的碳納米管柱)可生長在凹坑1705中。因此，凹坑1705可形成于生長柱1804的位置中。可利用本文所描述或提及的用于生長碳納米管柱的任一種工藝或技術來在凹坑1705中生長柱1804。例如，可利用在圖2-5B中示出和以上參照圖2-5B討論的浮游催化劑工藝生長柱1804。如圖18A和18B所示，可將具有生長表面1802的生長材料1808沉積在凹坑1705中。例如，材料1808可與圖3-5B中的材料300相同或類似，且生長表面1802可與生長表面302相同或類似。然后利用諸如以上參照圖5A和5B所述工藝的浮游催化劑工藝從生長表面1804生長柱1802。圖6和7所示的固定催化劑工藝是可用于在凹坑1705中生長柱1804的工藝的另一個示例。如果使用固定催化劑工藝，則材料1808可以是包括催化劑材料的催化劑層。例如，材料1808可與構成圖6和7中的催化劑層604的材料相同或類似?？蓪⑴c圖6和7中的緩沖層602相同或類似的緩沖層(圖18A和18B中未示出)沉積在凹坑1705的底部和凹坑1705中的材料1808之間。然后利用諸如以上參照圖7所述工藝的固定催化劑工藝從材料1808(在本示例中是催化劑層)生長柱1804。無論使用何種工藝在凹坑1705中生長柱1804，凹坑1705可將柱1804錨固到布線襯底1702。即，柱1804在布線襯底1702的凹坑1705中的事實可幫助將柱1804錨固到布線襯底1702。任選地，在某些實施例中，如圖18A和18B所示可在布線襯底1702上和柱1804周圍形成錨固結構1806。錨固結構1806還可將柱1804錨固到布線襯底1702，因此可進一步增強柱1804至布線襯底1702的附連。錨固結構1806可包括適于沉積到布線襯底1702上和柱1804周圍的任何材料，且該材料能夠以任何適當方式沉積。在某些實施例中，錨固結構1806可類似圖16A和16B中的錨固結構1606、且可類似圖16A和16B中的錨固結構1606形成或沉積。如上所述，錨固結構1806可以是導電的，且如圖18A和18B所示，錨固結構1806可電連接到導電跡線1807，導電跡線1807可將錨固結構1806并由此將柱1804電連接到布線襯底1702之上或之中的電元件。例如，如圖18A和18B所示，跡線1807可將錨固結構1806并由此將柱1804連接到端子1704?；蛘呋蛄硗猓E線1807中的一個或多個可將錨固結構1806(并由此將柱1804)連接到諸如布線襯底1702之上或之中的電阻器、電容器或晶體管之類的電元件。在某些實施例中，錨固結構不需要用于增加柱至布線襯底1702的附連強度，而是僅僅或主要將柱1804電連接到跡線1807。參照圖15A-18B,柱1604和1804可以是圖1中的柱104的示例，且布線襯底1102、1502和1702可以是圖1的襯底102的示例。因此，在本文中對柱104的任何引用可包括作為柱104的示例的柱1604和/或柱1804，且在本文中對襯底102的任何引用可包括作為襯底102的示例的布線襯底1102、布線襯底1502和/或布線襯底1702。圖15A-18B所示的工藝僅僅是示例性的，且很多變形是可能的。例如，與在布線襯底1502上生長柱1604不同，柱1604可在犧牲襯底上(如圖2-5B或圖6和7所示)生長并被轉移到布線襯底1502(例如，利用參照圖8-11B中的任一個示出或論述的技術中的任一種)。例如，可利用類似沉積到端子1504上的粘合劑804的粘合劑將柱1604粘合到端子1504。作為另一個示例，與在布線襯底1702上生長柱1804不同，柱1804可在犧牲襯底上(如圖2-5B或圖6和7所示)生長并被轉移到布線襯底1702(例如，利用參照圖8-11B中的任一個示出或論述的技術中的任一種)。例如，可利用類似沉積在凹坑1705中的粘合劑804的粘合劑將柱1804粘合到凹坑1705。無論如何制造柱104或在何種襯底上制造柱104，在某些實施例中，柱104可被處理以增強柱104的一種或多種性質。盡管可如下所述地類似處理柱1604和/或1804，但為了簡化起見以下的論述使用柱104。例如，柱104可被處理以增強柱104的機械剛度。作為另一個示例，柱104可被處理以增強柱104的電導率。作為又一個示例，柱104的接觸部分可被處理以增強柱104的接觸性質。圖19A示出在根據以上論述并在圖8-10中示出的轉移工藝之一將柱104粘合到轉移襯底802之后柱104的詳細示圖。例如，如以上一般論述的，柱104的端部106可被置于襯底802(在圖19A的部分視圖中示出)上的粘合劑804中(在圖19A的部分視圖中示出)，粘合劑804可能已經固化，且襯底102可能已經如圖8和9或圖10中地從柱104剝離?；蛘撸?04可能已經轉移到襯底或襯底802以外的對象。例如，如圖11A和UB所示，柱104可能已經通過粘合劑1104附連到布線襯底1102上的端子U06，在這種情況下粘合劑1104可替換圖19A中的粘合劑804，且端子1106可替換圖19A中的襯底802。作為又一個選擇，柱104可通過類似粘合劑804的粘合劑附連到類似襯底802的其它襯底或端子或其它元件或對象。再次參照圖19A所示的示例，如以上討論的，柱104可包括多個碳納米管，其中的幾個在圖19A中示為碳納米管110。當粘合劑804固化時，粘合劑804可通過柱104的各個碳納米管IIO之間的毛細管作用吸引。換言之，粘合劑804可在碳納米管110之間"吸附"并因此進入柱104。一般而言，粘合劑804可從置于粘合劑804中的端106開始吸附到柱104，且粘合劑然后可繼續(xù)朝向相對端108沿柱104向上吸附，在本示例中相對端108可以是接觸端1904(例如，構造成與諸如電器件的端子之類的對象接觸的端)。(接觸端1904可以是第一端或第二端的非限制性示例。)粘合劑804從端106沿柱104向上吸附的距離可取決于多種因素，包括但不限于粘合劑804固化的時間量、粘合劑的粘性、諸如溫度、氣壓的環(huán)境條件和/或其它因素。任選地，可將阻止粘合劑804通過柱104擴展的材料涂覆到柱104的全部或部分上。例如，可將聚對二甲苯(未示出)涂覆(例如通過化學氣相沉積)到部分柱104上以防止粘合劑804擴展到柱的那些部分，或至少阻止或顯著減慢粘合劑804擴展到涂覆聚對二甲苯的柱104的部分。圖19A示出根據本發(fā)明某些實施例的非限制性示例，其中粘合劑804可吸附通過整個或基本上整個柱104。例如，如果粘合劑804已經吸附通過柱104的長度的90%則可認為粘合劑804吸附通過基本上整個柱104。固化粘合劑804遍及或基本上遍及柱104的存在可顯著增加柱104的機械剛度。例如，在某些實施例中，柱104的機械剛度可比在粘合劑不吸附到柱104的情況下柱104的機械剛度的大100、200、300、400、500倍。在某些實施例中，柱104機械剛度的增加可小于100倍。圖19B示出其中粘合劑804僅吸附到柱104中接近端部106的部分的非限制性示例。因此，在圖19B所示的示例中，大部分柱104基本上沒有粘合劑804，且粘合劑804僅吸附到柱104的接近端部106的基部。在圖19B所示的示例中，粘合劑804可對柱104的剛度幾乎沒有或沒有影響。圖19A和19B中所示的示例僅僅是示例性的，且很多變形是可能的。例如，粘合劑804可從端106沿柱104向上向端108擴展任何距離。例如，粘合劑804可在柱104內從端106向相對端108擴展柱104的總長度的2%、5%、10%、20%、40%、60%、80%、90%或100%?；蛘?，粘合劑804可在柱104中從端106擴展小于柱104的長度的2%，或以上給出的百分比之間的任意百分比。一般而言，粘合劑804在柱104中從端106向上吸附得越遠，柱104的剛度越大。如圖20所示，柱104可被處理成在柱104的接觸端形成突出結構1912(可以是尖端、特征或結構的非限制性示例)，該接觸端如上所討論的可以是構造成與電器件(未示出)接觸的柱104的端106、108(在本示例中是端108)之一。結構1912可包括碳納米管110的各個(例如一簇)的端或端部。在某些實施例中，接觸端l卯4可被蝕刻以形成突出結構1912。圖20示出其中蝕刻機構2002可濺射蝕刻接觸端1904以在接觸端l卯4上形成突出結構1912的非限制性示例。在這種情形中，蝕刻機構2002可以是濺射蝕刻機?；蛘撸墒褂闷渌g刻技術。例如，接觸端1904可受到反應離子蝕刻以產生突出結構1912。在這種情形中，蝕刻機構2002可以是反應離子蝕刻機。可將其它蝕刻技術用在接觸端1904上以產生結構1912或類似的結構。這種其它蝕刻技術可包括但不限于濕法蝕刻技術。此外，除蝕刻以外的技術可用于產生結構1912。例如，可將機械研磨機構用于使接觸端l卯4的表面變粗糙，這可產生突出狀結構1912。作為另一個示例，可將機械壓印技術用于接觸端1904以形成結構1912。盡管上述的處理在圖20中示為對其中如圖19B所示粘合劑804已經吸附到其中的柱104(即粘合劑804僅部分地吸附到柱104)進行，但在接觸端1904上形成結構1912的處理可被施加到柱1.04上，其中如圖19A所示粘合劑804已經吸附到整個柱104和接觸端1904中。事實上，形成在接觸端1904上結構1912的處理可被施加到任何柱104，無論粘合劑804在柱104中從端106吸附多遠，且處理還可被施加到沒有吸附粘合劑804的柱104上。如以上所提及的，柱104可同樣或者選擇性地被處理以增強導電性。例如，可以多種方式將導電材料施加于柱104。在某些實施例中可將導電材料涂覆于柱104的外表面，在其它實施例中可將導電材料涂覆于柱104中的各個碳納米管，在另外的實施例中可使導電材料分散在柱104上(例如在各個碳納米管之間)，而在另一些實施例中可使用上述的任意組合。在某些實施例中，可將導電材料一般地沉積在柱104的外部。例如，導電材料可電鍍或以其它方式一般地沉積(例如濺射)到柱104的外部。在其它實施例中，可利用例如原子層沉積(ALD)或化學氣相沉積(CVD)將導電材料涂覆到各個碳納米管或各個碳納米管之間的間隙中。圖21示出在將導電材料添加到柱104之后的柱104。除將導電材料2102一般地沉積在柱104的外部之外或作為其備選方案，利用諸如原子層沉積(ALD)或化學氣相沉積(CVD)之類的技術，可將導電材料沉積在柱104內的各個碳納米管上或注入在各個碳納米管之間。例如，通過ALD或CVD沉積的導電材料2102可穿透柱104并注入到各個碳納米管110上和/或周圍和/或柱104的各個碳納米管110之間。在某些實施例中，各個碳納米管110上材料2102的厚度可以是構成柱104的各個碳納米管110之間的平均間距的一半或一半以下。各個碳納米管的這種處理可增強各個管的電和/或機械性質，同時允許管維持其獨立的運動。例如，如所提及的，這種處理可增加柱104的電導率和/或柱104的剛度。此外，這種處理(例如，在構成柱104的各個碳納米管之上、周圍和/或之間存在的導電材料2102)基本上可不干擾各個碳納米管相對于構成柱104的其它碳納米管的單獨移動。例如，如所提及的，各個碳納米管110上材料2102的厚度可以是構成柱104的各個碳納米管110之間的平均間隔的一半或一半以下，這可在碳納米管110之間留下允許各個碳納米管110彼此相對移動的空間。如果柱104被如圖19A所示地處理且因此包括吸附到柱內碳納米管110之間的粘合劑804，則ALD或CVD可將導電材料注入到粘合劑804內。導電材料2102可包括任何導電材料，且其電導率大于構成柱104的碳納米管。適當材料的非限制性示例包括金、銅及其它導電金屬以及導電非金屬。導電材料2102除增強柱104的電導率以外還增強柱104的剛度。作為另一種選擇，可將非導電材料(未示出)以與前面參照沉積導電材料2102所述相同的方式沉積在柱104內(例如，在各個碳納米管110之上和/或周圍和/或在柱104的碳納米管110之間)。例如，可沉積這種非導電材料(未示出)以增強柱104的機械特性(例如剛度)?？沙练e這種非導電材料(未示出)來代替導電材料2102或添加到導電材料2102上。將導電粒子吸附到柱104中可以是用于增強柱104的電導率的處理的另一個非限制性示例。例如，含有導電粒子的溶液可被吸附到柱104中。在某些實施例中，可利用諸如以上參照將粘合劑804吸附到柱中所論述的技術和原理將這種溶液吸附到柱104。在某些實施例中，這種溶液可包含導電材料的納米尺度粒子。例如，這種溶液可包含銀納米粒子。諸如銀納米粒子的納米尺度導電粒子可吸附到柱104，并固定在構成柱104的各個碳納米管110之上和/或周圍和/或之間。這些粒子因此可增強柱104的電導率。以上關于增強柱104的電導率論述的處理中的任一個或多個——包括但不限于圖21所示的處理，通過該處理導電材料2102被添加到柱104——可被應用到任何柱104，不管粘合劑804在柱104中從端106吸附多遠，且該處理還可被應用到其中沒有吸附粘合劑804的柱104。此外，導電材料2102被添加到柱104以增強柱104的電導率的圖21所示處理可被應用到柱104，而不管柱104是否已被如圖20所示地處理以形成結構1912。因此，圖21所示的結構1912并不必需存在。如所提及或將要提及的，柱504、704、1404、1604、1804、2204、2304和2304'在本文中是柱104的示例。因此，圖19A-21所示處理中的任一個或多個可被施加到柱504、704、1404、1604、1804、2204、2304和2304'的任一個。圖22A和22B示出增強碳納米管柱的電導率的另一個示例性工藝。圖22A和22B示出附連到襯底2202的端子2206的單個柱2204的立體圖。如圖所示，柱2204可包括中空部分2208(它是內部空腔的非限制性示例)，如圖所示它可沿柱2204的長度從端2202延伸到端子2206。一般而言，柱2204利用本文所述的用于生長垂直對齊的碳納米管柱的技術中的任一種來生長?？梢匀魏芜m當方式形成中空部分2208。例如，可在犧牲塞結構(未示出)周圍生長柱2204。例如，圖2-5B所示的制作柱504的工藝可通過將中空部分2208形狀和大小的犧牲塞結構放在生長表面302的由掩模層402中的開口404所曝露的區(qū)域的一部分上而被修改。類似柱504的柱然后可從生長表面302的由開口404曝露的且未被犧牲塞結構覆蓋的區(qū)域生長。這些柱可類似于柱504，但這些柱的中心可包括犧牲塞結構(未示出)，該犧牲塞結構可被去除從而得到帶有中空部分2208的柱2204。犧牲塞結構(未示出)可以任何適當的方式去除，包括將塞結構物理地拉出柱2204或蝕刻或以其他方式溶解犧牲塞結構。事實上，本文所示的用于生長碳納米管柱的任何工藝可被修改，以便一般如上所述在犧牲塞結構周圍生長納米管柱，以形成類似帶有中空部分2208的柱2204的柱。與在犧牲塞結構周圍生長碳納米管的柱不同，可利用本文所述的任何生長技術生長沒有中空部分2208的柱2204。之后，可通過蝕刻或切割部分柱來形成中空部分2208。構成柱2204的碳納米管(未示出)可垂直對齊，且柱2204因此可以是垂直對齊的碳納米管柱。盡管中空部分2208被示出具有正方形橫截面，但同樣可構想其它類型的橫截面。無論如何制作柱2204，如圖22A和22B所示，可用導電材料2210填充中空部分2208，該導電材料2210可以是能夠沉積到中空部分2208中的任何導電材料2210。(為了便于說明，在圖22A和22B中示出中空部分2208被導電材料2210部分填充，但中空部分2208可被導電材料2210完全填充。)在某些實施例中，導電材料2210的電導率可比構成柱104的碳納米管110的大。在某些實施例中，導電材料2210可包括具有相對較低熔點的導電材料，且在熔化時可被沉積到中空2208然后使其冷卻。例如，導電材料2210可以是焊料。作為另一個示例，導電材料2210可以是以可流動或半流動狀態(tài)沉積到中空部分2208然后固化的可固化材料，從而使導電材料2210在中空部分2208內硬化。例如，導電材料2210可以是可固化導電環(huán)氧樹脂。柱2204可以是圖1中柱104的示例，且襯底2202可以是襯底102的示例。因此，在本文中對柱104的任何引用可包括作為柱104的示例的柱2204，在本文中對襯底102的任何引用可包括作為襯底102的示例的襯底2202。例如，柱504、704、1404、1604、1804、2204、2304和2304'中的任一個可被構造成類似具有可用導電材料等2210填充的中空部分2208的柱2204。柱2204的剛度可以是橫截面面積和長度的函數，而通過處理納米管柱的表面賦予的電導率可以是表面面積的函數。使柱2204的中心中空、然后通過以上提及的方法處理內表面和外表面使其更導電能使電導率增加同時對剛度的影響最小。盡管圖19-22B示出一個柱104(或柱2204，它可以是柱104的示例)，但圖19-22B所示的用于增強柱104的機械剛度、接觸和/或電導率性質的技術可應用于很多柱104。此外，圖19-22B所示的技術僅僅是示例性的，且很多變形和選擇是可能的。圖23A示出根據本發(fā)明某些實施例的碳納米管柱的接觸性質的示例性選擇增強。圖23A示出襯底2300上的碳納米管柱2304(在部分視圖中示出)，該襯底2300可以是犧牲襯底、中間襯底或產品襯底。如圖所示，柱2304可在柱2304的接觸端2302處包括峰結構2312(它可以是突出結構或尖端、特征或結構的非限制性示例)。例如，如圖23A所示峰結構2312可在接觸端2302的拐角上?；蛘撸褰Y構2312可以在接觸端2302的其它位置。這種其它位置可以沿著或接近接觸端2302的外周或外圍。此外，盡管在圖23A中示出了四個峰結構2312，但接觸端2302可具有更多或更少的峰結構2312。峰結構2312可包括構成柱2304的各個(例如各簇)碳納米管的端部。峰結構2312可增強接觸端2302的接觸性質。例如，在使用時，柱2304的接觸端2302可向電子器件(未示出)的端子施壓從而形成與電子器件的臨時、基于壓力的電連接。峰結構2312可穿透端子，包括端子上的任何碎屑或層(例如氧化層)，因此增強接觸端2302接觸端子的能力。例如，假設柱具有大致相同或相似的橫截面面積，對于柱和端子之間相同的接觸力，峰結構2312的存在與沒有峰結構的柱相比能夠有效地提供對端子的更大壓力。產生類似峰結構2312的結構的任何方法可用于制造柱2304。例如，而非限制，圖2-5B所示的浮游催化劑法或圖6和7所示的固定催化劑法可用于生長柱2304。在生長柱2304的工藝中，一旦柱2304生長到期望長度，氣體的流速(如果使用浮游催化劑法則包含催化劑材料和碳源，或者如果使用固定催化劑法則包括碳源)可被改變，使得指向柱2304的端部中期望有峰結構2312的位置的氣體的流速增加，而不增加柱2304的端部的其它部分的氣體的流速?；蛘撸辉黾又赶蛑?304的端部中期望有峰結構2312的柱2304的位置的氣體的流速，指向柱2304的端部中其它位置處的氣流顯著減小或停止。實現它的一種方法可以是在期望時間將模板移動到位，其中氣體僅流過模板的期望區(qū)域以形成峰結構2312。作為增加指向柱2304的端部中期望有峰結構2312的位置的氣體的流速的又一種選擇，指向柱2304的端部中期望有峰結構2312的位置的氣體中的活性成分(如果使用浮游催化劑法則是催化劑材料和作為碳源的材料，或者如果使用固定催化劑法則是作為碳源的材料)的濃度增加，但不增加至柱2304的端部的其它部分的氣流中活性成分的濃度。上述方法可導致在柱2304的端部中期望有峰結構2312的位置處碳納米管的生長速度增加。作為形成峰結構2312的非限制性方法的另一個示例，已經發(fā)現大多數制法能夠一般均勻地生長碳納米管柱至特定長度，其后柱繼續(xù)生長但不均勻。在某些情況下，柱的非均勻連續(xù)生長導致類似峰結構2312的異常。圖23B-23E示出根據本發(fā)明某些實施例的用于形成具有類似峰結構2312的峰結構的類似柱2304的柱的技術的附加非限制性示例。圖23B和23C示出可用于形成峰結構2312的機械壓印沖模2330的使用(可以是模具的非限制性示例)。如圖所示，包括具有期望峰結構的反轉(或反向)形狀的模頭2332(它可以是模的非限制性示例)的沖模2330可置于柱2304上并向柱2304的端部2302施壓，這可在圖23C中(它示出柱2304和沖模2330的側向橫截面圖)最好地看到，該沖模2330能夠將峰結構2312壓印到柱2304的端部2302。圖23D和23E示出類似柱2304的柱2304'從生長材料2306生長的技術。生長材料2306可被圖案化成具有中心部分2309和從中心部分2309延伸的一個或多個延伸部2307。(示出四個延伸部2307，但可使用更多或更少的延伸部。)可利用本文公開的用于生長碳納米管柱的工藝中的任一種——包括但不限于圖2-7所示的工藝——來在生長材料2306(它可類似于圖3中的生長材料300或圖6中的催化劑層604)上生長柱2304'。已經發(fā)現柱2304'—般可從生長材料2306的中心部分2309均勻地生長，但可在延伸部2307且尤其是延伸部2307的尖端附近以更快的速度生長。因此，如圖23E所示，峰結構2312'傾向于在柱2304'的拐角處形成，柱2304'的拐角對應于延伸部2307的尖端。柱2304'的拐角處更快的生長可導致如圖23E所示的峰結構2312'，這一般可類似于峰結構2312。無論柱2304如何形成，柱2304可以是圖1中的柱104的示例，且襯底2300可以是襯底102的示例。因此，在本文中對柱104的任何引用可包括作為柱104的示例的柱2204，在本文中對襯底102的任何引用可包括作為襯底102的示例的襯底2300。類似柱104的碳納米管柱，尤其是垂直對齊的碳納米管柱(例如，以上所討論的柱104可以是垂直對齊的碳納米管柱，但并不必需是垂直對齊的碳納米管柱)可具有彈簧性質。例如，在將力(所施加的力)施加到柱104的自由端后，柱104可壓縮、彎曲、變形或移動且還生成與所施加力相反的反力。在去除所施加的力后，柱104可基本恢復到其原始形狀和/或位置，或至少恢復到其原始形狀和/或位置的一部分(例如，柱104可彈性變形)。類似柱104的碳納米管柱(如上所述可以是垂直對齊的碳納米管柱)可被調節(jié)成具有一種或多種特定彈簧性質?？赏ㄟ^將特定水平的調節(jié)力施加到柱來調節(jié)柱，且調節(jié)力可給予一種或多種彈簧性質，該彈簧性質具有與調節(jié)力的水平相對應的一個或多個值。通常，其后，柱將響應于施加到柱的小于調節(jié)力的力而基本維持經調節(jié)的性質。如果大于原始調節(jié)力的力被施加到柱，則較大的力可重新調節(jié)柱，從而將彈簧性質改變成對應于較大的力。圖24示出根據本發(fā)明某些實施例的用于調節(jié)一個或多個碳納米管柱的示例性工藝2400。為了便于論述和說明的目的，圖24的工藝2400在下面示出并論述為調節(jié)柱104的彈簧常數(也被稱為k值或剛度)。如已知的，彈簧結構的彈簧常數可以是力除以力移動彈簧的距離的水平(在彈簧的彈性范圍內)。即，k=F/d，其中"k"是彈簧常數，"F"是施加到彈簧的力，且"d"是力F移動彈簧的距離。然而，該工藝2400不限于調節(jié)柱104的彈簧常數，且工藝2400也不限于調節(jié)柱104的彈簧性質。相反，工藝2400可被用于調節(jié)柱104的其它彈簧性質或其它類型的碳納米管結構。在2402，可獲得使幾個調節(jié)力水平與一個或多個彈簧性質的值或值的范圍相關的數據。例如，這樣的數據可通過實驗獲得。特定類型的柱(例如柱104)(例如利用特定的生長制法制成，具有特定大小和形狀等)可被用于通過實驗獲取使特定調節(jié)力水平與該類型柱的一個或多個彈簧性質的特定值或值的范圍相關的數據。例如，可將第一調節(jié)力沿大致平行于柱104的長度的方向施加到可類似于柱104的實驗柱(未示出)。在第一調節(jié)力施加到實驗柱之后，可對實驗柱進行測試以確定一個或多個彈簧性質的值。例如，可對實驗柱進行測試，以測量其彈簧常數和其中彈簧常數有效的彈性范圍。然后可記錄第一調節(jié)力的水平并使其與所測量的彈簧常數和彈性范圍相關聯。然后，可將大于第一調節(jié)力的第二調節(jié)力施加到實驗柱，且可再次測量所得的彈簧常數和柱的彈性范圍。然后可記錄第二調節(jié)力的水平并使其與所測量的彈簧常數和彈性范圍相關聯。這種將不斷增加的調節(jié)力施加到柱并記錄所得的彈簧常數和柱的彈性范圍的過程可反復，直到已經針對幾個調節(jié)力記錄了所得的彈簧常數和彈性范圍。表1示出使用以上描述的示例性制法制作的柱104的實驗彈簧常數和彈性范圍數據。例如，可將柱104選擇作為"實驗"柱，將對該柱施加連續(xù)的調節(jié)力以確定所得到的每個調節(jié)力賦予柱104的彈簧常數和彈性范圍。該選定柱104可被稱為"實驗性"，因為該特定柱104將被用于獲得前面的數據而不是作為將集成到產品(例如，類似于將參照圖26論述的接觸器2606，或將參照圖34論述的探針卡組件3400)的最后工作柱104。在將最初的0.6克的調節(jié)力施加到被選作實驗柱的柱104的自由端(例如配置成響應于所施加的力移動或移位的柱的端部)后，發(fā)現實驗柱104在自由端0-5微米位移的彈性范圍內具有約0.17克/微米的彈簧常數。類似地，在將另一個0.7克的調節(jié)力施加到實驗柱104的自由端后，發(fā)現實驗柱104在自由端0-10微米位移的彈性范圍內具有約0.12克/微米的彈簧常數。然后以0.8克、0.9克、l.O克和l.l克的調節(jié)力重復該工藝，并獲得以下表l中所得到的彈簧常數和彈性范圍數據。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>0.6克0.17克/微米0-5微米位移0.7克0.12克/微米0-10微米位移0.8克0.10克/微米0-15微米位移0.9克0.09克/微米0-20微米位移1,0克0.08克/微米0-25微米位移1.1克0.07克/微米0-30微米位移表1中的數據僅僅是示例性的，且僅出于論述和說明的目的提供。對于不同類型的柱，這些數據可以改變。例如，該數據可基于用于制作柱的制法、柱的大小、柱的形狀等而改變。再次參照圖24，一旦在2402獲得使調節(jié)力的水平與特定彈簧性質的值相關的數據，與實驗柱相同的一般類型的工作柱可被調節(jié)成具有彈簧常數彈簧性質的特定值。這些柱可被稱為"工作柱"，因為這些柱將用在產品中(例如，類似于將參照圖26討論的接觸器2606或將參照圖34討論的探針卡組件3400)。工作碳納米管柱一般應類似于在2402使用的實驗柱且應是與該實驗柱相同的一般類型。例如，可利用與用于在2402獲取數據的實驗柱相同或相似的制法、大致相同或相似的大小和/或大致相同或相似的形狀制作工作柱。取決于工作柱的一種或多種特定用途，可在2404選擇彈簧常數的特定值或值的范圍。然后，在2406，參考在2402獲得的實驗數據以確定與在2404選擇的彈簧常數的值或值的范圍最相關的調節(jié)力水平。在2408，將在2406選擇的調節(jié)力施加到工作柱，它可賦予工作柱與在2404選擇的彈簧常數的期望值近似相等的彈簧常數。圖25示出其中襯底102上的柱104可利用以上表1中的數據進行調節(jié)的圖24的工藝2400中的2404、2406和2408的非限制性示例。圖25還示出在柱104被調節(jié)之后柱104的示例性行為。圖25的柱104可以是本文論述且標識為柱104的示例的柱中的任一個，或本文所提及的任何其它柱，諸如柱504、704、1404、1604、1804、1904、2204、2304和/或2304'。襯底102(和/或用于柱504、704、1404、1604、1804、1904、2204和/或2304的相應襯底)可以是犧牲襯底、中間襯底或產品襯底，且可以47是其上生長柱104的生長襯底，或者可以是柱104從生長襯底向其轉移的襯底。襯底102因此可以是在本文中標識為襯底102的示例的襯底中的任一個。此外，如果襯底102是布線襯底1502或布線襯底1702，則可在任何錨固結構1606和/或1608形成于柱104的周圍之前或之后并在圖19B-22所示的柱104的任何處理之前或之后，對柱104進行圖25所示的調節(jié)工藝。圖25包括示出一個柱104的襯底102的部分視圖。然而，如圖l所看到的，多個(從2至數百、數千或幾十萬或更多)柱104可以在襯底102上，且可調節(jié)每個柱(同時、順序地或分組)。圖25中的標號2500、2502和2540示出在調節(jié)工藝中各種狀態(tài)下的柱104，其中調節(jié)力Ft被施加(例如沿大致平行于柱的長度的方向)到柱104的自由端2506(它可以是接觸端的非限制性示例)，且圖25中的標號2560和2580示出響應于大致沿平行于柱104的長度的方向施加到自由端2506的工作力Fw的調節(jié)柱104。自由端2506可以是能夠響應于所施加的力移動的柱104的端部，且取決于柱104的特定配置自由端因此可以是端104或106，并可對應于接觸端(例如，類似接觸端1904)。標號2500示出在力施加到自由端2506之前處于最初狀態(tài)2500的柱104。然而，在最初狀態(tài)2500中，柱104可能已經經歷本文所示出、論述或提及的處理工藝中的任一個或多個，包括但不限于圖19B-22B所示的處理工藝?；蛘咴谧畛鯛顟B(tài)2500中，柱104可能還沒有經歷本文所示出、論述或提及的處理工藝，包括但不限于圖19B-22B所示的處理工藝。參照圖24的工藝2400，在2404，可選擇針對柱104的期望彈簧常數?？苫谥亩瞬炕虍a品用途選擇期望彈簧常數。例如，可確定給出柱104的特定端或產品用途，需要0.10克/微米的彈簧常數。在圖24工藝2400中的2406，可確定賦予柱1040.10克/微米或約0.10克/微米的彈簧常數的調節(jié)力FT。在該示例中，這可通過參考以上的表1來完成，表1示出將約0.8克的調節(jié)力FT施加到柱104的自由端2506可將柱104調節(jié)成在自由端2506的0-15微米位移范圍內具有0.10克/微米的彈簧常數。然后在工藝2400的2408，可將調節(jié)力Ft施加到柱104的自由端2506。參照圖25，狀態(tài)2520示出調節(jié)力ft施加到自由端2506的柱104。如圖25中狀態(tài)2520所描述的，調節(jié)力ft的施加可壓縮柱104并導致可逆變形區(qū)2522沿柱104的長度形成，其一般可垂直于柱104的長度。盡管在圖25中示出三個區(qū)域2522在柱104上，但在柱104上可以有三個以上的這樣的區(qū)域2522，或在柱104上可以有三個以下的區(qū)域2522。在某些實施例中，在柱104上可以有一個可逆變形區(qū)2522。柱104中的褶皺或褶皺區(qū)是可逆變形區(qū)2522的非限制性示例。如圖所示，可沿大致平行于柱104的長度的方向將調節(jié)力Ft施加到自由端2506，在某些實施例中該方向大致垂直于附連柱104的襯底102的表面。作為響應，柱104可沿大致平行于調節(jié)力ft方向的方向壓縮，該方向大致平行于柱104的長度L且大致垂直于附連柱104的襯底102的表面。如圖25中所看到的，可逆變形區(qū)2522可大致垂直于柱104的長度L。一般而言，調節(jié)力ft越大，所形成的可逆變形區(qū)2522的數目越多。每個可逆變形區(qū)2522可具有彈簧性質且可用作單個彈簧。沿柱104的長度的多個這種可逆變形區(qū)2522可類似多個串聯彈簧起作用，且柱104的彈簧性質可包括可變形區(qū)2522的彈簧性質的串聯和。例如，柱104的彈簧常數可包括各個可變形區(qū)2522的彈簧常數的串聯和。(正如已知的，可根據以下公式獲得"n"個串聯彈簧的彈簧常數(或其它彈簧性質)的串聯和1/k和=(l/ka)+(l/kb)+(l/kc)...+(l/kn)，其中k，。是具有彈簧常數ka的第一彈簧的彈簧常數、具有彈簧常數kb的第二彈簧的彈簧常數、具有彈簧常數ke的第三彈簧的彈簧常數和具有彈簧常數kn的第"n"彈簧的彈簧常數的串聯和。因此，例如，各自具有一(1)的彈簧常數的五個串聯彈簧的串聯和可以是如下k^=k/5，其中kw是五個串聯彈簧的每一個的彈簧常數k的串聯和。)可逆變形區(qū)2522連同柱104的固有彈簧性質可以是自由端2506和附連到襯底102的柱的端(可以是基底端的非限制性示例)之間柱中的彈簧機構的非限制性示例。盡管被示為組合在一起，但可逆變形區(qū)2522不必彼此相鄰。如上所述，皺褶或皺褶區(qū)可以是可逆變形區(qū)的非限制性示例。如圖25的狀態(tài)2520所描述的，調節(jié)力ft可壓縮柱104并將自由端2506移位初始壓縮距離2526，該距離可以是在施加調節(jié)力Ft之前自由端2506的初始位置2508和在施加調節(jié)力Ft之后自由端2506的位置2524之間的差值。狀態(tài)2540示出在在去除調節(jié)力Ft之后的柱104。如圖25中的狀態(tài)2540所描述的，至少部分地由于可逆變形區(qū)2522的彈簧作用，自由端2506可移動到恢復位置2542。自由端2806移動到恢復位置2542的距離2546可表示柱104的彈性恢復，且恢復位置2542和初始位置2508之間的距離可表示柱104響應于調節(jié)力Ft的弾性変形2544?，F在將柱104調節(jié)成具有特定的彈簧常數。在所論述的非限制性示例中，假設柱104具有以上表1所示的性質，且如上所論述的，施加到柱上的調節(jié)力Ft是0.8克。按照以上的表l，柱104現在在0-15微米位移的彈性范圍內可具有0.10克/微米的彈簧常數。其后，柱104可用作在自由端2506的0-15微米位移的彈性范圍內具有0.10克/微米的彈簧常數的彈簧。只要小于調節(jié)力FT(例如在本示例中小于0.8克)的力被施加到自由端2506，柱104就可維持0.10克/微米的大致恒定的彈簧常數。圖25中的狀態(tài)2560和2580示出其中小于調節(jié)力Ft的工作力Fw施加到自由端2506的示例。如狀態(tài)2560中的柱104所示，工作力Fw可使柱104大致沿平行于柱104的長度L的方向壓縮(例如可逆變形區(qū)2522壓縮)，這可將自由端2506從位置2542移動到位置2562。如處于狀態(tài)2580的柱104所示的，在去除工作力Fw之后，柱104的自由端2506可基本移回位置2542并因此經歷基本的彈性恢復。柱104可響應于反復地施加然后去除小于調節(jié)力FT的工作力Fw而繼續(xù)經歷基本的彈性恢復(例如基本移回位置2542)。如以上所提及的，施加到自由端2506的大于調節(jié)力FT的力可用作新的調節(jié)力，其可沿柱104的長度形成另外的一個或多個可逆變形區(qū)2522，這可改變彈簧常數。例如，繼續(xù)利用表1的非限制性示例，施加到自由端2506的1.0克或約1.0克的調節(jié)力可使柱104在0-25微米位移或約0-25微米位移的彈性范圍內具有0.08克/微米或約0.08克/微米的彈簧常數。其后，柱104可對小于新調節(jié)力的工作力的施加作出反應，一般如圖25中的狀態(tài)2560和2580所示。類似以上論述的可以是垂直對齊的碳納米管柱的柱104的碳納米管柱可在很多應用中使用。例如，柱104可以是用于測試諸如電子器件的器件的測試系統中的機電彈簧探針。圖26示出根據本發(fā)明某些實施例的示例性測試系統2600，其中機電探針2610包括類似柱104的碳納米管柱。如圖所示，測試系統2600可包括配置成控制一個或多個電子被測試器件(DUT)2614的測試的測試器2602。DUT因此可以是電子器件。多個通信信道2604和接觸器2606可在測試器2602和DUT2614之間提供用于電源和接地及測試、響應和其它信號的多個電路徑。測試器2602可通過生成通過通信信道2604和接觸器2606提供給DUT2614的各個端子2616的測試信號來測試DUT2614。測試器2602然后可評價DUT2614響應于測試信號生成的響應信號。可在DUT2614的各個端子2616處感測到響應信號，并通過接觸器2606和通信信道2604將其提供給測試器2602。測試器2602可包括諸如一個或多個計算機或計算機系統的電子控制設備。接觸器2606可包括電接口2608、導電彈簧探針2610以及穿過接觸器2606在電接口2608和探針2610之間的電連接2618(接觸器2606之上或之中的導電跡線和/或通孔)。探針2610的布局和數目可大致對應于DUT2614的端子2616的布局和數目，使得各個探針2610可接觸各個端子2616并由此形成與各個端子2616的基于壓力的電連接。DUT2614可設置在可移動卡盤2612上，卡盤2612可移動DUT2614以使端子2616與探針2610對齊，然后移動DUT2614使得對齊的端子2616和探針2610以足夠的力接觸，從而在對齊的探針2610和端子2616之間建立電連接?；蛘呋蛄硗猓B接器2606可被移動。電接口2608——其可包括至信號2604的電接口——可連接到通信信道2604，其可包括至測試器2602的電路徑或來自測試器2602的電路徑。盡管電接口2608被連接到通信信道2604且探針2610與端子2616接觸，但通信信道、接觸器2606(包括電接口2608和探針2610)可在測試器2602和DUT2614的端子2616之間提供多個電路徑。另外，可將一個或多個中間襯底(未示出)設置在探針2610和接觸器2606之間。DUT2614可以是未單片化(unsingulated)的半導體晶片的一個或多個管芯、一個或多個從晶片單片化(singulated)所得的半導體管芯(已封裝或未封裝)、設置在載體或其它支承器件中的單片化半導體管芯陣列的一個或多個管芯、一個或多個多管芯電子模塊、一個或多個印刷電路板、或任何其它類型的一個或多個電子器件。圖26中的DUT2614因此可以是一個或多個任意上述器件或類似器件。正如已知的，半導體管芯可包括其中集成有電路的半導體材料，且端子2616可以是提供去至和來自電路的電連接的接合焊盤。如所提及的，探針2610可包括碳納米管柱，它可以是垂直對齊的碳納米管柱。例如，探針2610可包括柱104，它可以是利用本文所述的任意工藝制造的柱104(例如，柱504、704、1404、1604、1804、2204、2304和2304，)，且還可包括在本文所述的任一種或多種處理之后的柱104(例如，如圖19A-22B中的任一圖所示)。此外，構成探針2610的柱104能夠以本文所述的任何方式——包括圖IIA、11B和15A-l犯所示的示例中的任一種或多種——錨固到接觸器2606，和/或電連接到接觸器2606的端子或其它電元件。圖27示出根據本發(fā)明某些實施例的制造具有包括碳納米管柱的探針2610的接觸器2606的示例性工藝2700，而圖28-34示出工藝2700的示例性實現，其中可制造帶有包括柱104的探針的探針卡組件3400形式的示例性接觸器2606。然而，工藝2700不限于制造探針卡組件3400形式的接觸器2606或帶有包括柱104的探針2610的接觸器2606。例如，工藝2700可用于制造帶有包括其它類型的碳納米管柱的探針2610的接觸器2606。如圖27所示，可在2702獲得碳納米管柱。在2702獲得柱可包括獲得先前生長的柱，或者在2702獲得柱可包括生長柱。圖28示出圖27的2702的非限制性示例。如圖28所示，獲得柱2702可包括在襯底102上獲得柱104，襯底102可以是柱104在其上生長的生長襯底、或者可以是柱104被轉移至其上并且柱104在其上被傳送或運輸的中間襯底。再次參照圖27，在2704可將在2702獲得的柱轉移到布線襯底(可以是將柱排列在第一布線襯底的非限制性示例)。在2704的轉移可利用本文所述的轉移工藝中的任一種來實現，包括圖2-5B及圖6和7所示的轉移工藝。圖29和30示出其中柱104從襯底102轉移到布線襯底2902的非限制性示例，布線襯底2902可包括一個表面上的導電端子2904、相對表面上的導電端子2卯6和布線襯底2902之上和/或穿過其中的電路徑2908(例如，跡線和/或通孔)。(電路徑2908可以是電連接的非限制性示例。)如圖29所示，可將粘合劑804沉積在端子2904上，且柱104的端部106可與一般如圖10所示的粘合劑804接觸。如上所述，粘合劑804可以是可固化導電粘合劑。在柱104的端106與粘合劑804接觸后，可固化粘合劑804。例如，可通過加熱粘合劑804、通過使粘合劑804曝露于環(huán)境氣體特定時間段或任何其它適當方式來固化粘合劑804。如圖30所示，可從柱104剝離襯底102，這一般可通過與上文參照圖9所論述的相同的方式來實現。圖30所示的襯底102的剝離可在粘合劑804固化后進行。如以上參照圖19A和19B所論述的，粘合劑804可吸附到柱104。因此，在圖27中的2704將柱104從襯底102轉移到布線襯底2902不僅可導致柱104在端106附連到布線襯底2902的端子2904，還可導致各個柱104包括吸附到柱104中的粘合劑804。如以上參照圖19A和19B所論述的，粘合劑804可沿柱104的長度在柱104中吸附較短的距離，粘合劑804可在柱104中吸附柱104的整個或基本上整個長度，或者，粘合劑可在柱104中吸附上述兩個末端之間的距離。在圖30中，示出粘合劑804僅在柱104中吸附較短的距離，一般如圖19B所示。與如圖29所示的將柱104粘合到端子2904不同，可在布線襯底2902中形成或設置凹坑(例如類似圖17A和17B中的凹坑1705)，且柱104可在凹坑(未示出)中粘合到布線襯底2卯2。例如，可將粘合劑804沉積在凹坑(未示出)中，并將柱104的端106插入凹坑(未示出)。然后可固化粘合劑804，并可如上所論述地從柱104剝離襯底102。作為圖29-31所示示例的示例性備選方案，可通過利用以上參照圖IIA和11B所論述的示例中的任一種將柱104轉移到布線襯底2902來選擇性地實現圖27的2704。例如，圖28-34中的布線襯底2902因此可用圖11A和11B的布線襯底1102有效地替換。作為示例性備選方案，圖27的2702和2704可被其中柱104在布線襯底2902上生長的動作所替換。例如，以與圖15A-16B中在布線襯底1502上生長柱1604相同或類似的方式在布線襯底2902上生長柱104，或者以與圖17A-18B中在布線襯底1702上生長柱1804相同或類似的方式在布線襯底2902上生長柱104。例如，圖28-34中的布線襯底2902因此可用圖15A-16B的布線襯底1502或圖17A-18B的布線襯底1702有效地替換。作為圖27中的2702和2704的又一個示例性備選方案，可在2702獲得附連到布線襯底2902的柱104，如圖31所示。在這種情形中，不需要執(zhí)行圖27的2704。返回到圖27的工藝2700的論述，在2706，柱104可被處理以增強柱10453的一個或多個性質。例如，如圖20所示，接觸端1904可被處理——例如諸如通過反應離子蝕刻或濺射蝕刻之類的蝕刻——以形成從接觸端1904突出的結構1912。作為另一個示例，可將導電材料沉積在柱104上(例如在其外部)和/或嵌入在柱104內，如圖21—般所示和以上參照圖21所討論的。如上所述，前面可增強柱104的電導率。任選地，可生長具有或使其具有與圖22A和22B所示的柱2204的中空部分2208相似的中空部分的柱104，且可用導電材料(例如類似圖22A和22B中的材料2210)填充該中空部分，這可選擇性地或另外增加柱104的電導率。圖31示出其中利用原子層沉積或化學氣相沉淀劑或以上一般參照圖21論述的類似技術將導電材料嵌入柱104之上或之中(例如，在各個碳納米管上和/或周圍和/或構成柱104的各個碳納米管之間)的非限制性示例。導電材料存在于柱104上或嵌入其中(例如，在各個碳納米管上和/或周圍和/或構成柱104的各個碳納米管之間)由圖31中的柱104的濃陰影指示。這可使柱104一般類似于圖21所示的柱104。盡管未示出，但圖31中的柱104的接觸端1904可具有類似圖20所示的結構1912的突出結構。再次參照圖27的工藝2700，在2708作出將柱錨固到布線襯底的動作，和/或在2708作出將柱電連接到布線襯底的端子的動作。在圖32中示出非限制性示例，其示出在布線襯底2902上和柱104周圍設置或形成的錨固結構3202。例如，錨固結構3202可類似于圖16A和16B中的錨固結構1606且可被制造成類似圖16A和16B中的錨固結構1606。錨固結構3202可以是導電的，因此可電連接柱104與布線襯底2902上的端子2904或增強它們之間的電連接。或者，錨固結構3202可類似于圖18A和18B所示的錨固結構1806，其如圖18A和18B所示可電連接布線襯底2902上的導電跡線(例如類似圖18A和18B中的跡線1807)。例如，如果如上所述柱104被設置在與端子2904分隔開的凹坑(例如類似圖17A和17B中的凹坑1705)中(例如，類似于圖17A和17B中凹坑1705與端子1704分隔開)，這種跡線可將錨固結構3202并由此將柱104電連接到布線襯底2卯2上的端子2904。再次參照圖27的工藝2700，在2710可調節(jié)柱的一種或多種彈簧性質。例如，可根據以上參照圖24和25中示出和論述的調節(jié)及其調節(jié)柱104的一種或多種彈簧性質。例如，一旦在圖24中的2402獲得針對類似柱104的柱的使各種調節(jié)力水平與特定的彈簧性質相關聯的數據，如一般參照圖24所論述的，在2406確定將賦予柱104—種或多種期望彈簧性質的調節(jié)力，且將所選的調節(jié)力施加(例如圖24的2408)到柱104的接觸端1904以賦予柱104期望的彈簧性質。例如，如以上參照圖24和25所論述的，可通過將特定調節(jié)力施加到柱104的接觸端1904來將柱104調節(jié)成具有特定彈簧常數值(或在彈簧常數值的期望范圍內的彈簧常數值)?？蓡为殞⒄{節(jié)力施加到每個柱104?；蛘撸鐖D33所示——其示出根據某些實施例的非限制性示例，板3302的大致平坦表面3304能夠以所選調節(jié)力Ft圧向柱104的接觸端1904，這可將調節(jié)力Ft同吋施加到多個(包括所有或少于所有的柱)柱104的接觸端1904。除調節(jié)柱104的彈簧性質以外，圖33所示的板3302的使用還可使柱104的接觸端l卯4平坦化。例如，在將調節(jié)力Ft施加到板3302之后，柱104的接觸端1904可大致位于與表面2608的平面對應的空間中的平面內。再次參照圖27的工藝2700，在2712布線襯底可與一個或多個組件組合以形成接觸器2606。圖34示出其中布線襯底2902與接口襯底3402和電互連器3406組合以形成探針卡組件3400的非限制性示例，它可以是圖26中的測試系統2600的接觸器2606的非限制性示例。如圖34所示，接口襯底3402可包括帶有至通信信道2604(參見圖26)的電接口2608的板或其它襯底結構，且接口襯底3402可包括穿過接口襯底3402至電互連器3406的布線3412(例如接口襯底3402之上或之中的導電跡線和/或通孔)。接口襯底3402可以是例如印刷電路板或其它類型的布線板。電互連器3406可以是可電連接各個布線3412和布線襯底2卯2的端子2906的任何電連接器。在某些實施例中，電互連器3406可以是柔性或順應的。電連接器3406的非限制性示例包括電布線、導電彈簧和焊料?；ミB器3406的其它非限制性示例包括導電柱、球、彈簧針和凸起結構。內插器(例如，類似圖43A和43B所示的內插器)是電互連器3406的又一個非限制性示例。在某些實施例中，內插器包括設置在接口襯底3402和布線襯底2902之間的布線襯底(例如圖43A和43B的4302)。第一組導電彈簧觸點(例如，類似從圖43A和43B中的4302的一側延伸的104)可從內插器布線襯底(未示出)延伸到布線3412，且第二組導電彈簧觸點(例如，類似從圖43A和43B中的4302的另一側延伸的104)可從內插器布線襯底延伸到布線襯底2902上的端子2906。第一組導電彈簧觸點可通過內插器布線襯底電連接(例如通過圖43B中的4308)到第二組導電彈簧觸點。與端子2906和包括柱104的探針2610—起可構成探針頭3410的布線襯底2902可通過支架3408附連到接口襯底3402。或者，布線襯底2902可通過其它裝置附連到接口襯底3402，包括但不限于螺釘、螺栓、夾子和/或其它類型的緊固件。在某些實施例中，布線襯底2902可附連到探針卡組件3400的另一個組件(例如，加固板(未示出)或附連結構，探針本組件3400通過該結構附連到測試架(未示出)中或安裝到測試架中)。在某些實施例中，探針卡組件3400可包括多個類似探針頭3410的探針頭，且探針頭(例如類似探針頭3410)中的一個或多個的位置和方位可獨立地調節(jié)。如果電互連器3406是柔性的，則即使當探針頭3410(如果探針卡組件具有多個探針頭3410則是多個探針頭3410)的位置或方位相對于接口襯底3402調節(jié)或改變時，電互連器3406還可維持布線3412和端子2906之間的電連接。如上所述，探針卡組件3400可以是接觸器2606的示例，因此可用作測試系統2600中的接觸器2606。例如當卡盤2612移動各個端子2616使其接觸各個探針2610時(例如圖34中的柱104)，探針卡組件3400的探針2610可形成與DUT2614的端子126的基于壓力的電連接。圖34中的探針卡組件3400僅僅是示例性的，且很多變形是可能的。例如，如上所述，圖IIA和11B中的布線襯底1102可代替圖34中的布線襯底2902。同樣如上所述，柱104可在布線襯底2902上生長而不是從襯底102轉移到布線襯底2902。因此，例如，可用在布線襯底2902的端子2906上生長柱104的動作代替圖27的工藝2700中的2702和2704。例如，圖15A-16B所示的工藝可用于生長柱104。因此，在某些實施例中，可用如圖16A和16B所示的帶有柱1604(代替圖34中的柱104)的布線襯底1502替換圖34的探針卡組件3400中的布線襯底2卯2。作為另一個示例，圖17A-18B所示的工藝可用于生長柱104。因此，在某些實施例中，可用如圖18A和18B所示的帶有柱180456(代替圖34中的柱104)的布線襯底1702替換圖34的探針卡組件3400中的布線襯底2902。圖27的工藝2700僅僅是示例性的，且很多變形是可能的。例如，除已經提到的示例性變形以外，在某些實施例中可改變2702、2704、2708、2710和/或2712的順序。例如，2710可在2704、2706和/或2708之前執(zhí)行。作為另一個示例，2708可在2706之前執(zhí)行。作為又一個示例，2712可在2706、2708和/或2710之前執(zhí)行。圖34中所示的探針卡組件3400只是接觸器2606(參見圖26)的一個示例。接觸器2606可采用其它形式。例如，接觸器2606可包括柔性膜接觸器。作為又一個示例，接觸器2606可基本由布線襯底2902構成。例如，在柱104如圖33所示地調節(jié)和/或平坦化后，布線襯底2902可以是接觸器2606。例如，端子2906可以是圖26中的電接口2608，且柱104可以是探針2610。很多其它的變形是可能的。無論接觸器2606的形式或實施例如何，與常規(guī)探針相比垂直對齊碳納米管柱104作為探針2610有幾個優(yōu)點。圖35示出這種優(yōu)點的示例，該圖示出將柱104作為探針的布線襯底2606的立體圖和帶有端子2516(它可以是例如接合焊盤)的DUT2514的部分立體圖。例如，如圖所示，柱104的接觸端1卯4(如上所述可對應于柱104的端106或端108)可設置成與DUT2514上的各個端子2516的圖案對應的圖案。端子2616的間距3512和/或3514可被定義為如圖35所示的相鄰端子2516的中心之間的距離(對應于3512和/或3514)。柱104的間距3502和/或3504可被類似地定義為如圖35所示的相鄰柱104的接觸端1904的中心之間的距離(對應于3502和/或3504)。柱104的間距3502可與端子2516的間距2512近似相等(例如在可接受的誤差容限或界限內)。在某些實施例中，每個柱104可響應于與端子2516的接觸基本上在沿柱104的長度定向的垂直軸3420上移動(例如，壓縮、褶皺、變形等)，這可在接觸端1904上產生基本平行于垂直軸3420的力(一般可平行于柱104的長度)。在某些實施例中，垂直軸3420還可大致垂直于柱104從其延伸的布線襯底3902的表面，其還可大致垂直于端子2516設置于其上的DUT2514的表面。垂直軸3420還可大致平行于由探針2610和端子2516之間的接觸產生的對探針2610的接觸端1904的力的方向。因為接觸端1904的移動基本上僅沿垂直軸3420，所以柱104的間距3502和/或2504可顯著小于(或比探針更密集)探針(未示出)，探針響應于與DUT(類似DUT2514)的端子(例如類似端子2516)的接觸的移動包括不沿垂直軸3420的相當大的分量。這是因為垂直于垂直軸的相鄰探針的移動的任何分量可導致相鄰探針的接觸部分向彼此移動。這種探針的最小間距必需大于相鄰探針的接觸部分向彼此的移動量；否則，相鄰探針的接觸部分將相互接觸。在某些實施例中，針對圖35所示的柱104實現了至少20微米那樣小(或密集)的間距3502和/或3504，這表示圖35中所示的柱104可接觸具有20微米那樣小(或密集)的間距3512和/或3514的端子2516的DUT2514。在某些實施例中，針對圖35所示的柱104可實現小于20微米的間距3502和/或3504。正如以下參照圖44更詳細論述的，柱104可附連到DUT2514的端子2516而不是接觸器2606。在這種情形中，可用配置成接觸從端子2516延伸的柱104的扁端子替換接觸器2606(或探針卡組件3400)上的探針2610。另外，圖26的測試系統2600和圖36的測試過程3600(以下將描述)可大致如所示和所述地工作。圖36示出用于在類似圖26的測試系統2600的測試系統中測試DUT(例如類似DUT2614)的示例性過程3600。如圖36所示，在3602可將一個或多個DUT置于工作臺上。例如，可將一個或多個DUT2614置于圖26的測試系統2600的工作臺2612上。再次參照圖36的過程3600，在3604可使各個探針2610(如上所述可包括如圖34和35所示的柱104)與DUT2614的各個端子2516接觸。例如，可移動平臺3602以使各個端子2516與各個探針2610對齊，然后可移動平臺以使對齊的各個端子2516與探針2610相互接觸?；蛘呋蛄硗?，連接器2606可被移動。前面的各個探針2610和端子2516之間的接觸可在探針2610和端子2516之間建立臨時的基于壓力的電連接。各個探針2610和各個端子2516之間的這種接觸可在接觸端l卯4處的探針2610(并因此在柱104上)上生長大致平行于柱104的長度的力，這可導致柱104在大致平行于柱的長度的方向和力的方向上的彈性變形。再次參照圖36，在3606可測試DUT2514。例如，圖26中的測試器2602可將電源和接地及測試信號發(fā)送到通過通信信道2604和至與探針2610接觸的各個DUT端子2616的接觸器2606集成到DUT2514的電路中，且測試器2602可通過感測通過與DUT端子2616接觸的各個探針2610、接觸器2606和通信信道2604的響應信號來感測由DUT2514(例如，由集成到DUT2514的電路)響應于測試信號產生的響應信號。測試器2602然后可將所感測的響應信號與預期的響應信號作比較。如果感測的響應信號與預期的響應信號相同，則測試器2602可推斷DUT2514正確地工作且通過測試；否則，測試器2602可推斷DUT2514有缺陷。再次參照圖36的過程3600，通過在3606的測試的DUT2514可在3608被進一步處理。例如，如果DUT2514是半導體管芯，則在3608可將管芯封裝或以其它方式制備以用于在3610運輸到終端用戶。在3604探針2610和端子2616之間的接觸可產生端子2616上的探針標記(有時稱為"擦痕")。(探針標記還可被稱為接觸標記。)因為探針2610包括碳納米管柱104，所以由探針2610(參見圖26)留在DUT端子2516上的探針標記可以是獨特的，且至少可與由針狀探針、懸臂形探針或其它類型探針所作出的標記從視覺上區(qū)分開。例如，圖37示出與包括柱104的探針2610(同樣在部分視圖中示出)接觸的DUT2514的端子2516的部分視圖，而圖38示出移動從而不與探針2610接觸的端子2516。如圖38所示，由探針2610在端子2516的表面3704上作出的標記3802基本上由從探針2610的接觸端1904突出的突出結構1912在表面3704中形成的小穿孔組成。此外，標記3802位于端子2516的表面3704上的有限區(qū)域中(圖38中由周長3804示出)。有限區(qū)域3804可對應于探針2610的接觸端1904的接觸區(qū)域。(面向端子2516的接觸端1904的部分可被稱為接觸端1904的面。有限區(qū)域3804可對應于接觸端1904的面的區(qū)域。)例如，有限區(qū)域3804可以是70(或更小)微米乘70(或更小)微米(這可對應于4900平方微米的面積)，如上所述這在某些實施例中可以是接觸端1904的接觸區(qū)域的近似尺寸。取決于結構1912(如果存在的話)的大小，每個穿孔標記3802的尺寸在端子2516的表面3704上通常小于25平方微米，且通常從表面3704穿入端子2516小于5微米。在各實施例中，每個穿孔標記3802在端子2516的表面3704上通?？尚∮?0、15或IO平方微米，且通常從表面3704穿入端子2516小于4、3或2微米。取決于各個柱104的接觸端904處的結構1912的大小和數量，端子2516的表面3704上被穿孔標記3802妨礙的總面積可小于端子3516的表面3704的總面積的30°/。。在各實施例中，端子2516的表面3704上被穿孔標記3802妨礙的總面積可小于端子3516的表面3704的總面積的25%、20%、15%、10%或5%。此外，在某些實施例中，被標記3802妨礙(或占據)的以周長3804為邊界的有限區(qū)域的百分比可小于或等于40%、30%、20%或15%。在某些實施例中，被標記3802妨礙(或占據)的以周長3804為邊界的有限區(qū)域的百分比可大于或等于40%、或小于或等于15%。如上所述，構成探針2610的柱104不需要被處理(例如圖20所示)成形成結構1912。如圖39所示，由包括未被處理成形成突出結構1912的接觸端1904的探針2610在端子2516的表面3704上形成的壓痕3902(例如，點凹陷)可基本上由表面3704中的壓痕3902組成。未被處理成形成結構1912的柱104的接觸端1904——因此缺少尖角或突出狀突出結構——可不平坦，至少在顯微水平上不平坦。因此在接觸端1904可以有微小的突出區(qū)，包括例如從構成接觸端1904的碳納米管的其它端部略微突出的一簇碳納米管端部。上述可導致端子2516的表面3704中的壓痕3902。壓痕3902可位于端子2516的表面3704上的有限區(qū)域中(圖39中由以周長3904為邊界的區(qū)域示出)。有限區(qū)域3904可對應于探針2610的接觸端1904的接觸區(qū)域(例如接觸面)。(面向端子2516的接觸端1904的部分可被稱為接觸端l卯4的面。有限區(qū)域3904可對應于接觸端1904的面的區(qū)域。)例如，有限區(qū)域3904可以是70(或更小)微米乘70(或更小)微米(這可對應于4900平方微米的面積)，如上所述這在某些實施例中可以是接觸端1904的接觸區(qū)域的近似尺寸。各個壓痕3902的尺寸就橫過端子2516的表面3704上的壓痕3902而言通?？尚∮诩s5微米，且壓痕通常從表面3704穿入端子2516小于5微米。在各實施例中，每個壓痕3902橫過壓痕的尺寸通?？尚∮?、3或2微米，且通常從表面3704穿入端子2516小于4、3或2微米。在某些實施例中，端子2516的表面3704上被壓痕3902妨礙(或占據)的總面積可小于端子3516的表面3704的總面積的30%。在各實施例中，端子2516的表面3704上被壓痕3902妨礙的總面積可小于端子3516的表面3704的總面積的25%、20%、15%、10%或5%。此外，在某些實施例中，被壓痕3卯2妨礙(或占據)的以周長3904為邊界的有限區(qū)域的百分比可小于或等于40%、30%、20%或15%。在某些實施例中，被壓痕3902妨礙(或占據)的以周長3904為邊界的有限區(qū)域的百分比可大于或等于40%、或小于或等于15%。如上所述，探針2610可選擇地包括柱2304，該柱如圖23A所示可包括峰結構2312。例如，峰結構2312可位于柱2304的接觸端2302的拐角上。圖40示出在包括柱2304和端子2516的探針接觸(例如在圖36的3604)后的DUT端子2516的表面3704。如圖40所示，由包括柱2304的探針2610在端子2516的表面3704上形成的標記4002可基本由峰結構2312所形成的小穿孔組成。如圖所示，峰結構2312可位于柱2304的接觸端2302的拐角上，且由峰結構2312形成的標記4002可位于區(qū)域(在圖40中由周長4004示出)的拐角上。有限區(qū)域4004可對應于柱2304的接觸端2302的接觸區(qū)域。(參見圖23A。)(面向端子2516的接觸端1904的部分可被稱為接觸端1904的面。有限區(qū)域4004可對應于接觸端1904的面的區(qū)域。)例如，有限區(qū)域4004可以是70(或更小)微米乘70(或更小)微米(這可對應于4卯0平方微米的面積)，如上所述這在某些實施例中可以是接觸端2304的接觸區(qū)域的近似尺寸。如上所述，柱2304可具有如圖23A所示的四個峰結構2312，或者柱2304可具有多于或少于四個峰結構2312。圖40中所示的端子2516的表面3704因此可具有更多或更少的標記4002。取決于峰結構2312的尺寸，每個穿孔標記4002的尺寸在端子2516的表面3704上通常小于20平方微米，且通常從表面3704穿入端子2516小于5微米。在各實施例中，每個穿孔標記4002在端子2516的表面3704上通?？尚∮?5平方微米、10平方微米或5平方微米，且通常從表面3704穿入端子2516小于4、3或2微米。取決于各個柱2304的接觸端2302處的峰結構2312的尺寸和數量，端子2516的表面3704上被穿孔標記4002妨礙的總面積可小于端子3516的表面3704的總面積的15%。在各實施例中，端子2516的表面3704上被穿孔標記4002妨礙的總面積可小于端子3516的表面3704的總面積的10%、5%或3%。此外，在某些實施例中，被標記4004妨礙(或占據)的以周長4002為邊界的有限區(qū)域的百分比可小于或等于40%、30%、20%或15%。在某些實施例中，被標記4002妨礙(或占據)的以周長4004為邊界的有限區(qū)域的百分比可大于或等于40%、或小于或等于15%。圖41A示出示例性半導體管芯2514'，它可以是DUT2514的非限制性示例。如圖所示，管芯2514'可具有多個端子2516'，它可以是例如接合焊盤。圖41A示出在端子2516'被如圖37和38構造的探針2610(g卩，探針2610包括被處理成在柱104的接觸端1904形成結構1912的柱104(參見圖20))接觸并如圖36的工藝3600所示地測試之后的端子2516'。如圖41A所示，管芯2514'的端子2516'上的探針標記基本上由位于周長3904內的穿孔標記3802組成(即，一般限于這些)，周長3904對應于如圖38所示的探針2610的接觸端1904。如以上參照圖38所論述的，穿孔標記3802可由從探針2610的接觸端l卯4突出的結構1912形成。端子2514'上的穿孔標記3802可如上參照圖38所述。圖41B示出在端子2514'被如參照圖39和38所論述地構造的探針2610(即，探針2610包括柱104，其接觸端l卯4未被處理成在柱104的接觸端1904形成結構1912(參見圖20))接觸并如圖36的工藝3600所示地測試之后的端子2514'。如圖41B所示，管芯2514'的端子2516'上的壓痕基本上由位于周長3804內的壓痕3902組成(即，一般限于這些)，周長3804對應于如圖39所示的探針2610的接觸端1904。如以上參照圖39所論述的，壓痕3902可由構成柱104的碳納米管的端部形成，而柱104又構成探針2610。端子2514'上的壓痕3卯2可如上參照圖39所述。圖41C示出另一個示例性半導體管芯2514"，它可以是DUT2514的另一個非限制性示例。類似于管芯2514'，管芯2514"可具有多個端子2516"，它可以是例如接合焊盤。在該示例中，接觸器2606(參見圖26和35)或圖34中的探針卡組件3400的探針2610可包括圖23A中的柱2304。如圖所示，在管芯2514"被包括柱2304的探針2610接觸并如圖36的工藝3600所示地測試之后，管芯2514"的端子2516"上的探針標記基本上由位于周長3804內的穿孔標記4002組成(即，一般限于這些)，周長4004對應于如圖40所示的探針2610(包括如圖23A所示的柱2304)的接觸端2302。圖40A-41C中的半導體管芯2514'和2514"僅僅是示例性的，且很多變形是可能的。例如，各個管芯2514'、2514"上的端子2516'、2516"的數量和布局僅僅是示例性的。管芯2514'可具有不同數量的端子2516'，其可被布置成與圖40所示不同的圖案。同樣，管芯2514"可具有不同數量的端子2516"，其可被布置成與圖41所示不同的圖案。圖42示出由構造成接觸管芯4202的端子4204然后在端子4204上擦過的典型現有技術探針(未示出)形成的典型探針標記4208。如圖所示，探針標記4208通常由端子4204的表面4206中的刻度(gauge)或凹槽組成。探針標記4208通常從對應于與現有技術探針(未示出)的最初接觸點的跟部4210延伸62到通常對應于現有技術探針(未示出)在端子4204上的擦拭運動結束處的趾部4212。因此在現有技術探針(未示出)接觸跟部4210然后擦過端子4204至趾部4212時形成探針標記4208。如圖42所示，探針標記的尺寸通常如下探針標記2408的寬度W通?？蓪诮佑|端子4204的現有技術探針(未示出)部分的寬度；探針標記2408的長度L通常可對應于現有技術探針(未示出)在端子4204上的擦拭運動的長度；且從表面4206進入端子4204的探針標記240S的深度D通?？蓪诔叹嚯x，該距離是現有技術探針(未示出)和/或端子4204在現有技術探針(未示出)和端子4204之間的最初接觸后向彼此移動的距離。W、D和L的某些典型示例包括20微米的W、20微米的L和IO微米的D。此外，如圖42所示，碎屑堆4214通常形成于探針標記4208的趾部4212。碎屑堆4214可包括端子4202的材料和/或端子4202的表面4206上的材料(例如氧化物膜)等等，其在現有技術探針(未示出)從探針標記4208的跟部4210向趾部4212擦拭時挖開端子4202和/或刮擦端子4202的表面4206形成。盡管本發(fā)明不限于此，但基本由圖38所示的穿孔標記3802、圖39中的壓痕3卯2或圖40中所示的穿孔標記4002構成的示例性探針標記可比圖42所示的現有技術探針標記更有優(yōu)勢。這是因為半導體管芯的端子(例如接合焊盤)上的探針標記可引起很多問題。第一，探針標記能夠阻止布線接合到端子。(半導體器件的端子通常通過布線連接到保護性封裝的導體。)第二，即使當布線被成功地接合到帶有探針標記的端子，探針標記可能減少布線和端子之間的接合的有效壽命。第三，探針標記可削弱端子，導致端子松弛甚至與半導體器件分離。(參見授予Puar的美國專利No.5,506,499("Puar"),欄2第21-40行和欄3第7-25行，關于探針標記的有害效果的論述。)以上的問題可通過減小探針標記的大小和/或通過減小以端子的表面形成的探針標記的不連續(xù)水平來減少。因此，例如，因為圖38所示的端子2516的表面3704中穿孔標記3802比圖42所示的現有技術探針標記4208小很多，所以穿孔標記3802與現有技術標記4208相比更不可能導致以上參照探針標記論述的任何問題。此外，因為圖38所示端子2516的表面3704上的穿孔標記3802所形成的不連續(xù)比圖42中端子4206的表面4206上的探針標記4208和碎屑堆4214所形成的不連續(xù)小很多，所以穿孔標記3802與現有技術探針標記4208和碎屑堆4214相比更不可能導致以上參照探針標記論述的任何問題。圖39中的壓痕3902和圖40所示的穿孔標記4002與現有技術探針標記4208和碎屑堆4214相比同樣小很多且在端子2516的表面3704上形成較少的不連續(xù)，因此更不可能導致以上參照探針標記論述的任何問題。正如應該顯而易見的，探針標記4208比圖38中的穿孔標記3802、圖39中的壓痕或圖40中的各個穿孔標記4002中的任一個大很多。此外，與圖38中的穿孔標記3802妨礙端子2516'的表面3704、圖39中的壓痕3902妨礙端子2516'的表面3704或圖40中的穿孔標記4002妨礙端子2516"的表面3704相比，探針標記4208和碎屑堆4214妨礙更大百分比的端子4204的表面4206。類似圖26接觸器2606的接觸器和類似圖35探針卡組件3400的探針卡組件不是碳納米管的柱104的唯一應用。圖43A和43B(分別示出立體圖和橫截面?zhèn)纫晥D)示出另一個示例性應用，其中柱104可包括內插器4300的彈簧接觸結構(例如互連結構)。內插器4300可包括附連柱104的布線襯底4302(例如，印刷電路板、陶瓷襯底或其它布線襯底)。如圖所示，柱104(可以是第一彈簧接觸結構和第二彈簧接觸結構的非限制性示例)可附連到布線襯底4302的對側(可以是第一表面和第二表面的示例)。例如，如圖43B所示，柱104中的一些可附連至布線襯底4302的一側上的端子4306，且其它柱104可附連到布線襯底的對側上的端子4306。布線4308(例如布線襯底4302之中或之上的跡線和/或通孔)可將布線襯底4302的一側上的端子與布線襯底4302的對側上的端子4306電連接，從而還可將布線襯底4302的一側上的柱104與布線襯底4302的對側上的柱104電連接。布線4308可以是電連接的非限制性示例?？衫帽疚乃龌蛩峒暗娜魏渭夹g或工藝生長柱104。此外，例如如圖2-7和12-14所示可在犧牲襯底(例如襯底202)上生長柱104，并將其轉移到布線襯底4302(例如利用圖8-llB或12-14所示的技術中的任一種)。或者，可利用本文所述或所提及的任何適當技術或工藝在布線襯底4302的端子4306上生長柱104。例如，能夠以與圖15A-16B中在端子1504上生長柱1604相同的方式在端子4306上生長柱104。作為又一個選擇，能夠以與圖17A-18B中在凹坑1705中生長柱1804相同的方式在布線襯底4302的凹坑(未示出)中生長柱104。此外，可利用圖19-22B所示處理中的一種或多種或本文描述或提及的其它方式處理柱104，且柱104可通過錨固結構4304或利用本文所述或所提及的任何錨固技術錨固到端子4306和/或布線襯底4302，錨固結構4304可類似于圖16A和16B中的錨固結構1606或圖18A和18B中的錨固結構1806。在某些實施例中，柱104可類似于柱2204或2304。圖44示出另一個示例性應用，其中柱104可包括附連到半導體管芯4402的端子(例如接合焊盤)4404的彈簧接觸結構(例如互連結構)，該半導體管芯4402是布線襯底的非限制性示例。管芯4402可以是任何類型的半導體管芯。例如，管芯4402可包括存儲器或數據存儲電路、數字邏輯電路處理器電路等等。正如已知的，端子4404可與集成到管芯4402的電路電連接，因此可提供關于信號、電源和接地的輸入和輸出?？衫帽疚乃龌蛩峒暗娜魏渭夹g或工藝生長柱104。此外，例如如圖2-7和12-14所示，可在犧牲襯底(例如襯底202)上生長柱104，并將其轉移到管芯4402(例如利用圖8-llB或12-14所示的技術中的任一種)。或者，可利用本文所述或所提及的任何適當技術或工藝在管芯4402的端子4404上生長柱104。例如，能夠以與圖15A-16B中在端子1504上生長柱1604相同的方式在端子4404上生長柱104。作為又一個選擇，能夠以與圖17A-18B中在凹坑1705中生長柱1804相同的方式在管芯4402中的凹坑(未示出)中生長柱104。此外，可利用圖19-22B所示處理中的一種或多種或本文描述或提及的其它方式處理柱104，且柱104可通過錨固結構(未示出)或利用本文所述或所提及的任何錨固技術錨固到端子4404和/或管芯4402，該錨固結構可類似于圖16A和16B中的錨固結構1606或圖18A和18B中的錨固結構1806。在某些實施例中，柱104可類似于柱2204或2304。管芯4404可以是單片化管芯(g卩，從其上制造管芯4404的硅晶片單片化)，且管芯4404可以是封裝或未封裝的?；蛘?，管芯4404可能未從其上制造管芯4404的晶片單片化。例如，柱104可被附連到管芯4402，同時管芯4402仍是其上制造管芯4402的晶片的一部分。在某些實施例中，柱104可在管芯從晶片單片化之前附連到硅晶片上的部分或所有管芯(例如，類似管芯4402)。如上所述，可在類似圖26的測試系統2600的測試系統中并根據類似圖36的過65程3600的測試過程測試這種管芯(在從晶片單片化之前或之后)。如上所論述的，在這種情形中，柱104可附連到DUT2614的端子2616上，且可用構造成接觸從DUT2614的端子2616延伸的柱104的扁端子替換接觸器2606的探針2610。如果探針卡組件3400被用作接觸器2606，則探針2610可同樣地被扁端子替換。柱104(因此柱504、704、1404、1604、1804、2204、2304和2304，)以及探針2610可以是彈簧接觸結構、探針、彈簧探針、第一彈簧結構、第二彈簧接觸結構或測試探針的非限制性示例。雖然在本說明書中描述了本發(fā)明的特定實施例和應用，但這不是為了使本發(fā)明限于本文所描述的這些典型實施例和應用或其中這些典型實施例和應用工作的方式。例如，盡管在本文中示出了其中柱104附連到和/或電連接到布線襯底的端子的實施例，但柱104可附連到布線襯底之上或之中的其它電元件。事實上，端子可以是電元件的非限制性示例。作為另一個示例，柱104(因此柱504、704、1404、1604、1804、2204、2304和2304，)以及探針2610可以是彈簧接觸結構、探針、彈簧探針、第一彈簧結構、第二彈簧接觸結構或測試探針的非限制性示例。權利要求1.一種彈簧接觸結構，包括包括多個垂直對齊的碳納米管的柱，所述柱包括在所述柱的第一端和所述柱的第二端之間的可逆變形區(qū)，所述可逆變形區(qū)響應于施加到所述柱的第一端的力沿所述柱的長度彈性地且軸向地變形。2.如權利要求1所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱包括導電材料，所述導電材料的電導率大于所述碳納米管的電導率。3.如權利要求2所述的彈簧接觸，其特征在于，所述導電材料的至少一部分在所述柱內被設置于構成所述柱的各個所述碳納米管上。4.如權利要求3所述的彈簧接觸，其特征在于，所述導電材料不會顯著影響其上設置所述導電材料的各個所述碳納米管相對于其上設置所述導電材料的其它碳納米管的移動的自由。5.如權利要求2所述的彈簧接觸，其特征在于，所述導電材料的至少一部分在所述柱內被設置于構成所述柱的各個所述碳納米管之間。6.如權利要求2所述的彈簧接觸，其特征在于，所述導電材料的至少一部分被設置于所述柱的外部，涂覆所述柱的至少一部分。7.如權利要求2所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱包括內部空腔，所述導電材料的至少一部分填充所述空腔。8.如權利要求1所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱的第一端包括接觸端，所述接觸端包括多個從所述接觸端突出的突出結構。9.如權利要求8所述的彈簧接觸，其特征在于，在所述柱的接觸端上的每個突出結構包括構成所述柱的各個碳納米管的一簇端部。10.如權利要求1所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱包括設置在所述柱內部的構成所述柱的各個碳納米管之間的粘合材料。11.如權利要求10所述的彈簧接觸，其特征在于，所述粘合材料從所述柱的第二端基本沿所述柱的整個長度設置在所述柱內。12.如權利要求1所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱被機械地調節(jié)成具有預定彈簧性質。13.如權利要求12所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱包括沿所述柱的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述柱的預定彈簧性質包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧性質的串聯和。14.如權利要求12所述的彈簧接觸，其特征在于，所述預定彈簧性質是彈簧常數。15.如權利要求14所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱包括沿所述柱的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述柱的預定彈簧常數包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。16.如權利要求12所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱包括導電材料，所述導電材料的電導率大于所述碳納米管的電導率。17.如權利要求16所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱的第一端包括接觸端，所述接觸端包括多個從所述接觸端突出的突出結構。18.如權利要求12所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱的第一端包括接觸端，所述接觸端包括多個從所述接觸端突出的突出結構。19.如權利要求1所述的彈簧接觸，其特征在于所述柱包括導電材料，所述導電材料的電導率大于所述碳納米管的電導率；以及所述柱的第一端包括接觸端，所述接觸端包括多個從所述接觸端突出的突出結構。20.如權利要求1所述的彈簧接觸，其特征在于，所述柱包括沿所述柱的長度設置的多個可逆變形區(qū)。21.如權利要求20所述的彈簧接觸，其特征在于，所述可逆變形區(qū)一般垂直于所述柱的長度。22.—種電接觸結構，包括布線襯底；以及包括多個垂直對齊的碳納米管的垂直對齊的碳納米管柱，其中所述柱的基底端附連到所述布線襯底并且電連接到所述布線襯底的電元件，且與所述基底端相對的所述柱的接觸端被設置成離開所述布線襯底，所述柱包括在所述柱的接觸端和所述柱的基底端之間的彈簧機構，從而所述柱響應于施加到柱的接觸端的力沿所述柱的長度彈性地且軸向地變形，以及所述柱從所述接觸端至所述基底端是導電的。23.如權利要求22所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱包括導電材料。24.如權利要求23所述的電接觸結構，其特征在于，所述導電材料沿所述柱的長度覆蓋所述柱的外部的相當大的一部分。25.如權利要求23所述的電接觸結構，其特征在于，所述導電材料被設置在構成所述柱的各個碳納米管之間的區(qū)域中。26.如權利要求23所述的電接觸結構，其特征在于，所述導電材料被設置在構成所述柱的各個碳納米管上。27.如權利要求26所述的電接觸結構，其特征在于，所述導電材料不會顯著影響其上設置所述導電材料的各個所述碳納米管相對于其上設置所述導電材料的其它碳納米管的移動的自由。28.如權利要求23所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱包括從所述接觸端突出的多個突出結構。29.如權利要求23所述的電接觸結構，其特征在于，還包括設置在所述柱的基底端周圍的材料，其中所述材料將所述柱的基底端錨固到所述布線襯底。30.如權利要求23所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱包括內部空腔，且所述導電材料填充所述內部空腔。31.如權利要求22所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱的接觸端包括從所述接觸端突出的多個結構。32.如權利要求31所述的電接觸結構，其特征在于，從所述柱的接觸端突出的每個結構包括所述柱之一的各個碳納米管的多個端部。33.如權利要求22所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱包括設置在所述柱內部的構成所述柱的各個碳納米管之間的粘合材料。34.如權利要求33所述的電接觸結構，其特征在于，所述粘合劑沿所述柱的長度的相當大的部分設置在所述柱內。35.如權利要求22所述的電接觸結構，其特征在于，還包括設置在所述柱的基底端周圍的錨固機構。36.如權利要求35所述的電接觸結構，其特征在于，所述錨固機構將所述柱的基底端錨固到所述布線襯底。37.如權利要求35所述的電接觸結構，其特征在于，所述錨固機構將所述柱的基底端電連接到所述布線襯底上的電端子。38.如權利要求35所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱設置在所述布線襯底中蝕刻的凹坑中。39.如權利要求22所述的電接觸結構，其特征在于，所述基底端電連接到所述電元件，但與所述電元件分隔開。40.如權利要求22所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱被機械調節(jié)成具有基于沿所述柱的長度設置的每一個可逆變形區(qū)的彈簧性質的串聯和的預定彈簧性質。41.如權利要求22所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱的彈簧機構包括沿所述柱的長度設置的至少一個可逆變形區(qū)。42.如權利要求41所述的電接觸結構，其特征在于，所述柱被機械地調節(jié)成具有預定彈簧常數，所述柱的預定彈簧常數包括所述至少一個可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。43.如權利要求41所述的電接觸結構，其特征在于，所述至少一個可逆變形區(qū)一般垂直于所述柱的長度。44.一種用于測試電子器件的測試系統，所述測試系統包括配置成控制所述電子器件的測試的測試器；所述測試器和所述電子器件之間的多個電路徑；以及設置在所述電路徑之一中的導電彈簧接觸結構，所述彈簧接觸結構包括多個垂直對齊的碳納米管。45.如權利要求44所述的測試系統，其特征在于，所述彈簧接觸結構包括設置在構成所述彈簧接觸結構的各個碳納米管之間的導電材料。46.如權利要求44所述的測試系統，其特征在于，所述彈簧接觸結構的接觸端包括從所述接觸端突出的多個結構。47.如權利要求46所述的測試系統，其特征在于，從所述彈簧接觸結構的接觸端突出的每個結構包括構成所述彈簧接觸結構的各個碳納米管的多個端部。48.如權利要求44所述的測試系統，其特征在于，所述彈簧接觸結構包括設置在構成所述彈簧接觸結構的各個碳納米管的至少多個部分之間的粘合材料。49.如權利要求44所述的測試系統，其特征在于，所述彈簧接觸結構被機械地調節(jié)成具有預定彈簧性質。50.如權利要求44所述的測試系統，其特征在于，所述彈簧接觸結構被機械地調節(jié)成具有預定彈簧常數。51.如權利要求50所述的測試系統，其特征在于，所述彈簧接觸結構包括沿所述彈簧接觸結構的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述彈簧接觸結構的預定彈簧常數包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。52.如權利要求44所述的測試系統，其特征在于，所述彈簧接觸結構包括沿所述彈簧接觸結構的長度設置的至少一個可逆變形區(qū)。53.如權利要求52所述的測試系統，其特征在于，所述至少一個可逆變形區(qū)一般垂直于所述彈簧接觸結構的長度。54.如權利要求44所述的測試系統，其特征在于，還包括設置在所述各個電路徑中的導電彈簧接觸結構，所述彈簧接觸結構的每一個包括多個垂直對齊的碳納米管。55.如權利要求54所述的測試系統，其特征在于，所述各個彈簧接觸結構是具有用于接觸所述電子器件的端子的接觸端的探針，從而所述探針各自包括多個垂直對齊的碳納米管。56.如權利要求55所述的測試系統，其特征在于，所述探針的每一個的接觸端包括從所述接觸端突出的多個結構。57.如權利要求56所述的測試系統，其特征在于，在所述接觸端上的所述突出結構的每一個包括構成所述探針的各個碳納米管的多個端部。58.如權利要求55所述的測試系統，其特征在于，所述探針的每一個包括設置在所述探針的至少部分內構成所述探針的各個碳納米管之間的粘合劑材料。59.如權利要求55所述的測試系統，其特征在于，還包括設置在所述探針的每一個的基底端周圍的材料，所述基底端與所述接觸端相對，其中所述材料將所述各個探針錨固到布線襯底。60.如權利要求55所述的測試系統，其特征在于，每一個所述探針被機械地調節(jié)成具有預定彈簧性質。61.如權利要求55所述的測試系統，其特征在于，每一個所述探針被機械地調節(jié)成具有預定彈簧常數。62.如權利要求61所述的測試系統，其特征在于，所述每一個探針包括沿所述探針的長度設置的至少一個可逆變形區(qū)。63.如權利要求62所述的測試系統，其特征在于，所述探針的預定彈簧常數包括所述至少一個可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。64.如權利要求62所述的測試系統，其特征在于，所述至少一個可逆變形區(qū)一般垂直于所述柱的長度。65.—種探針卡組件，包括至配置成控制電子器件的測試的測試器的多個通信信道的電接口；以及多個導電彈簧探針，其包括設置成與所述電子器件的端子的圖案相對應的圖案的接觸端，每個所述探針包括多個垂直對齊的碳納米管，每個所述探針包括彈簧機構，從而所述探針響應于通過與所述電子器件接觸而施加到所述探針的所述接觸端的力彈性地且在一般平行于所述力的方向的方向上變形。66.如權利要求65所述的探針卡組件，其特征在于，每個所述探針包括設置在構成所述探針的各個所述碳納米管之上或之間的導電材料。67.如權利要求66所述的探針卡組件，其特征在于，每個所述探針包括從所述探針的接觸端突出的多個結構。68.如權利要求67所述的探針卡組件，其特征在于，還包括附連所述探針的布線襯底；以及設置在所述探針的一部分周圍的材料，其中所述材料將所述探針錨固到所述布線襯底。69.如權利要求65所述的探針卡組件，其特征在于，所述探針的每一個的接觸端包括從所述接觸端突出的多個結構。70.如權利要求69所述的探針卡組件，其特征在于，所述每個探針的所述接觸端上的所述結構的每一個包括構成所述探針的各個碳納米管的多個端部。71.如權利要求65所述的探針卡組件，其特征在于，還包括布線襯底，每個所述探針的基底端通過粘合劑粘合到所述布線襯底，所述每個探針包括在構成所述探針的各個碳納米管之間吸附到所述探針的一部分粘合劑。72.如權利要求71所述的探針卡組件，其特征在于，所述粘合劑在每個所述探針內從所述探針的基底端沿所述探針的至少一半長度設置。73.如權利要求65所述的探針卡組件，其特征在于，還包括附連所述探針的布線襯底；以及設置在所述探針的一部分周圍的材料，其中所述材料將所述探針錨固到所述布線襯底。74.如權利要求73所述的探針卡組件，其特征在于，所述材料將各個所述探針電連接到所述布線襯底上的各個電端子。75.如權利要求74所述的探針卡組件，其特征在于，所述探針設置在所述電端子上。76.如權利要求74所述的探針卡組件，其特征在于，所述探針設置在所述布線襯底中蝕刻的凹坑中，且所述電端子與所述探針分隔開。77.如權利要求65所述的探針卡組件，其特征在于，每一個所述探針被機械地調節(jié)成具有預定彈簧性質。78.如權利要求77所述的探針卡組件，其特征在于，每個所述探針的彈簧機構包括沿所述探針的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述探針的預定彈簧性質包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧性質的串聯和。79.如權利要求65所述的探針卡組件，其特征在于，每一個所述探針被機械地調節(jié)成具有預定彈簧常數。80.如權利要求79所述的探針卡組件，其特征在于，每個所述探針的彈簧機構包括沿所述探針的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述探針的預定彈簧常數包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。81.如權利要求65所述的探針卡組件，其特征在于，所述每一個探針的彈簧機構包括沿所述探針的長度設置的至少一個可逆變形區(qū)。82.如權利要求81所述的探針卡組件，其特征在于，所述至少一個可逆變形區(qū)一般垂直于所述探針的長度。83.—種內插器，包括包括第一表面和相對的第二表面的布線襯底；從所述襯底的第一表面延伸的多個導電第一彈簧接觸結構，其中每個所述第一彈簧接觸結構包括多個垂直對齊的碳納米管；從所述襯底的第二表面延伸的多個導電第二彈簧接觸結構；以及穿過所述襯底的電連接，所述電連接將各個所述第一彈簧接觸結構與各個所述第二彈簧接觸結構電連接。84.如權利要求83所述的內插器，其特征在于，每個所述第一彈簧接觸結構包括設置在構成所述第一彈簧接觸結構的各個碳納米管之上或之間的導電材料。85.如權利要求84所述的內插器，其特征在于，每個所述第一彈簧接觸結構包括從第一彈簧接觸結構的接觸端突出的多個結構。86.如權利要求85所述的內插器，其特征在于，還包括設置在所述第一彈簧接觸結構的一部分周圍的材料，其中所述材料將所述第一彈簧接觸結構錨固到所述布線襯底。87.如權利要求83所述的內插器，其特征在于，每個所述第一彈簧接觸結構的接觸端包括從所述接觸端突出的多個結構。88.如權利要求87所述的內插器，其特征在于，在每個所述第一彈簧接觸結構的接觸端上的每一個突出結構包括構成所述第一彈簧接觸結構的各個碳納米管的多個端部。89.如權利要求83所述的內插器，其特征在于，每個所述第一彈簧接觸結構的基底端通過粘合劑粘合到所述布線襯底，每個所述第一彈簧接觸結構包括在構成所述第一彈簧接觸結構的各個所述碳納米管之間吸附到所述第一彈簧接觸結構的一部分粘合劑。90.如權利要求83所述的內插器，其特征在于，還包括設置在所述第一彈簧接觸結構的一部分周圍的材料，其中所述材料將所述第一彈簧接觸結構錨固到所述布線襯底。91.如權利要求90所述的內插器，其特征在于，所述材料將各個所述第一彈簧接觸結構電連接到所述布線襯底上的各個電端子。92.如權利要求83所述的內插器，其特征在于，每個所述第一彈簧接觸結構被機械地調節(jié)成具有預定彈簧常數。93.如權利要求92所述的內插器，其特征在于，每個所述第一彈簧接觸結構的彈簧機構包括沿所述第一彈簧接觸結構的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述第一彈簧接觸結構的預定彈簧常數包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。94.如權利要求83所述的內插器，其特征在于，每個所述第一彈簧接觸結構的彈簧機構包括沿所述第一彈簧接觸結構的長度設置的至少一個可逆變形區(qū)。95.如權利要求94所述的內插器，其特征在于，所述至少一個可逆變形區(qū)一般垂直于所述第一彈簧接觸結構的長度。96.如權利要求83所述的內插器，其特征在于，每個所述第二彈簧接觸結構包括多個垂直對齊的碳納米管。97.如權利要求96所述的內插器，其特征在于，所述第一彈簧接觸結構和所述第二彈簧接觸結構的每一個包括設置在構成所述第一彈簧接觸結構或所述第二彈簧接觸結構的各個所述碳納米管之上或之間的導電材料。98.如權利要求97所述的內插器，其特征在于，所述第一彈簧接觸結構和所述第二彈簧接觸結構的每一個包括從所述第一彈簧接觸結構或所述第二彈簧接觸結構的接觸端突出的多個結構。99.如權利要求98所述的內插器，其特征在于，還包括設置在所述第一彈簧接觸結構的一部分周圍的第一材料，所述第一材料將所述第一彈簧接觸結構錨固到所述布線襯底；以及設置在所述第二彈簧接觸結構的一部分周圍的第二材料，所述第二材料將所述第二彈簧接觸結構錨固到所述布線襯底。100.如權利要求96所述的內插器，其特征在于，每個所述第一彈簧接觸結構和接觸端和每個所述第二彈簧接觸結構的接觸端包括從所述接觸端突出的多個結構。101.如權利要求100所述的內插器，其特征在于，在每個所述第一彈簧接觸結構和所述第二彈簧接觸結構的接觸端處的每個結構包括構成所述第一彈簧接觸結構或所述第二彈簧接觸結構的各個碳納米管的多個端部。102.如權利要求96所述的內插器，其特征在于每個所述第一彈簧接觸結構的基底端通過第一粘合劑粘合到所述布線襯底，每個所述第一彈簧接觸結構包括在構成所述第一彈簧接觸結構的各個所述碳納米管之間吸附到所述第一彈簧接觸結構的一部分第一粘合劑；以及每個所述第二彈簧接觸結構的基底端通過第二粘合劑粘合到所述布線襯底，每個所述第二彈簧接觸結構包括在構成所述第二彈簧接觸結構的各個所述碳納米管之間吸附到所述第二彈簧接觸結構的一部分第二粘合劑。103.如權利要求96所述的內插器，其特征在于，還包括設置在所述第一彈簧接觸結構的一部分周圍的第一材料，所述第一材料將所述第一彈簧接觸結構錨固到所述布線襯底；以及設置在所述第二彈簧接觸結構的一部分周圍的第二材料，所述第二材料將所述第二彈簧接觸結構錨固到所述布線襯底。104.如權利要求103所述的內插器，其特征在于所述第一材料將各個所述第一彈簧接觸結構電連接到所述布線襯底的第一表面上的各個所述第一電端子；以及所述第二材料將各個所述第二彈簧接觸結構電連接到所述布線襯底的第二表面上的各個所述第二電端子。105.如權利要求96所述的內插器，其特征在于各個所述第一彈簧接觸結構被機械調節(jié)成具有預定的彈簧常數；以及各個所述第二彈簧接觸結構被機械調節(jié)成具有預定的彈簧常數。106.如權利要求105所述的內插器，其特征在于每個所述第一彈簧接觸結構包括沿所述第一彈簧接觸結構的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述第一彈簧接觸結構的預定彈簧常數包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。每個所述第二彈簧接觸結構包括沿所述第二彈簧接觸結構的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述第二彈簧接觸結構的預定彈簧常數包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。107.如權利要求96所述的內插器，其特征在于每個所述第一彈簧接觸結構包括沿所述第一彈簧接觸結構的長度設置的多個可逆變形區(qū)，其中所述可逆變形區(qū)一般垂直于所述第一彈簧接觸結構的長度；以及每個所述第二彈簧接觸結構包括沿所述第二彈簧接觸結構的長度設置的多個可逆變形區(qū)，其中所述可逆變形區(qū)一般垂直于所述第二彈簧接觸結構的長度。108.—種制造導電接觸結構的工藝，所述工藝包括獲得包括多個垂直對齊的碳納米管的柱；以及將導電材料從所述柱的第一端至所述柱的第二相對端地添加到所述柱，其中所述碳納米管具有第一電導率,且所述導電材料具有大于所述第一電導率的第二電導率。109.如權利要求108所述的工藝，其特征在于，所述添加包括將所述導電材料設置在構成所述柱的各個碳納米管之間的區(qū)域中。110.如權利要求108所述的工藝，其特征在于，所述添加包括沉積設置在構成所述柱的各個碳納米管上的所述導電材料。111.如權利要求108所述的工藝，其特征在于，所述添加包括將所述導電材料沿所述柱的長度至少部分地沉積在所述柱的外部。112.如權利要求lll所述的工藝，其特征在于，所述沉積包括通過原子層沉積沉積所述導電材料。113.如權利要求lll所述的工藝，其特征在于，所述沉積包括通過化學氣相沉積沉積所述導電材料。114.如權利要求lll所述的工藝，其特征在于，所述沉積包括通過濺射沉積所述導電材料。115.如權利要求108所述的工藝，其特征在于，所述柱包括中空內部部分，且所述添加包括將所述導電材料沉積到所述中空內部部分。116.如權利要求115所述的工藝，其特征在于，所述中空內部部分延伸所述柱的整個長度。117.如權利要求108所述的工藝，其特征在于，所述添加包括將所述導電材料至少部分地沉積在所述柱的外部。118.—種制造導電接觸結構的工藝，所述工藝包括獲得包括多個垂直對齊的碳納米管的柱；以及對所述柱的接觸端施加處理，所述處理形成從所述接觸端延伸的尖結構。119.如權利要求118所述的工藝，其特征在于，所述施加包括蝕刻所述柱的接觸端。120.如權利要求118所述的工藝，其特征在于，所述蝕刻包括反應離子蝕刻所述柱的接觸端。121.如權利要求119所述的工藝，其特征在于，所述蝕刻包括濺射蝕刻所述柱的接觸端。122.如權利要求118所述的工藝，其特征在于，所述施加包括機械壓印所述接觸端。123.如權利要求118所述的工藝，其特征在于，所述施加包括將包括對應于尖結構形狀的模的模具壓向所述柱的接觸端。124.如權利要求118所述的工藝，其特征在于，各個所述尖結構分別包括所述柱的各個碳納米管的多個端部。125.—種制造導電接觸結構的工藝，所述工藝包括獲得包括多個垂直對齊的碳納米管的柱，所述柱附連到布線襯底；以及在所述柱的一部分的周圍設置錨固結構，所述錨固結構將所述柱錨固到所述布線襯底。126.如權利要求125所述的工藝，其特征在于，所述柱在所述柱的基底附連到所述布線襯底，所述設置包括在所述柱的基底周圍沉積構成所述錨固結構的材料。127.如權利要求126所述的工藝，其特征在于，所述材料是導電的，且所述沉積包括在所述襯底上將所述材料沉積為將所述柱電連接到所述布線襯底的端子的圖案。128.如權利要求127所述的工藝，其特征在于，所述柱被設置在所述端子上。129.如權利要求127所述的工藝，其特征在于，所述柱與所述端子分隔開。130.如權利要求129所述的工藝，其特征在于，所述柱設置在所述布線襯底的凹坑中。131.如權利要求125所述的工藝，其特征在于所述設置包括在所述布線襯底中蝕刻凹坑，以及所述獲得包括在所述凹坑中生長所述柱。132.如權利要求131所述的工藝，其特征在于，所述設置還包括在延伸出所述凹坑的柱的一部分周圍沉積材料。133.如權利要求125所述的工藝，其特征在于，所述設置包括在所述柱的一部分的周圍沉積構成所述錨固結構的材料；以及致使所沉積的材料膨脹。134.如權利要求125所述的工藝，其特征在于所述沉積包括在材料低于環(huán)境溫度的溫度時沉積所述材料；以及所述致使包括允許所沉積的材料變暖至環(huán)境溫度。135.—種調節(jié)接觸結構的工藝，所述工藝包括獲得包括多個垂直對齊的碳納米管的柱；確定將賦予所述柱期望彈簧性質的特定調節(jié)力；以及將所述特定的調節(jié)力施加到所述柱的接觸端，所述特定的調節(jié)力賦予所述柱期望彈簧性質。136.如權利要求135所述的工藝，其特征在于，所述彈簧性質是所述柱的彈簧常數。137.如權利要求136所述的工藝，其特征在于，所述確定包括根據各自與不同的彈簧常數相關聯的多個不同調節(jié)力之一選擇所述特定調節(jié)力。138.如權利要求137所述的工藝，其特征在于，對所述多個不同的調節(jié)力中的每一個確定相關聯的彈簧常數。139.如權利要求138所述的工藝，其特征在于，所述確定包括向包括多個垂直對齊的碳納米管的測試柱施加一系列的不斷增大的力，并確定由各個力賦予所述測試柱的彈簧常數。140.如權利要求136所述的工藝，其特征在于，所述施加特定的調節(jié)力在所述柱中形成沿所述柱的長度設置的至少一個可逆變形區(qū)。141.如權利要求140所述的工藝，其特征在于，所賦予的彈簧常數包括所述至少一個可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。142.如權利要求140所述的工藝，其特征在于，所賦予的彈簧常數與所述可逆變形區(qū)的數目成比例。143.如權利要求140所述的工藝，其特征在于，所述至少一個可逆變形區(qū)一般垂直于所述柱的長度。144.如權利要求136所述的工藝，其特征在于，所述確定包括根據各自與不同水平的合乎需要彈簧性質相關聯的多個不同的調節(jié)力之一選擇所述特定調節(jié)力。145.如權利要求144所述的工藝，其特征在于，對所述多個不同的調節(jié)力中的每一個確定相關聯水平的期望彈簧性質。146.如權利要求145所述的工藝，其特征在于，所述確定包括向包括多個垂直對齊的碳納米管的測試柱施加一系列的不斷增大的力，并確定由各個力賦予所述測試柱的期望彈簧性質水平。147.如權利要求135所述的工藝，其特征在于，所述施加特定的調節(jié)力在所述柱中形成沿所述柱的長度設置的多個可逆變形區(qū)。148.如權利要求147所述的工藝，其特征在于，所賦予的期望彈簧性質包括可逆變形區(qū)的每一個的期望彈簧性質的串聯和。149.如權利要求147所述的工藝，其特征在于，所賦予的期望彈簧常數對應于所述可逆變形區(qū)的數目。150.如權利要求147所述的工藝，其特征在于，所述可逆變形區(qū)一般垂直于所述柱的長度。151.—種制造探針卡組件的工藝，所述工藝包括-在第一布線襯底上安排多個導電彈簧探針，所述導電彈簧探針包括設置成與待測試的電子器件的端子的圖案相對應的圖案的接觸端，每個探針包括垂直對齊的碳納米管柱，所述柱包括彈簧機構，從而所述柱響應于通過與所述電子器件接觸而施加到所述接觸端的力彈性地且在一般平行于所述力的方向的方向上變形；將所述第一布線襯底與至少一個組件組合以形成探針卡組件，所述組合包括利用電接口將所述探針電連接到配置成控制所述電子器件的測試的測試器。152.如權利要求151所述的工藝，其特征在于，還包括獲得附連到犧牲襯底的垂直對齊的碳納米管柱，其中所述安排包括將所述柱從所述犧牲襯底轉移到所述第一布線襯底。153.如權利要求152所述的工藝，其特征在于，所述轉移包括使所述柱的端部與設置在所述第一布線襯底上的粘合劑接觸；以及固化所述粘合劑。154.如權利要求153所述的工藝，其特征在于，所述固化導致所述粘合劑至少部分地吸附到所述柱。155.如權利要求151所述的工藝，其特征在于，還包括將所述柱調節(jié)成具有期望彈簧性質。156.如權利要求155所述的工藝，其特征在于，所述彈簧性質是彈簧常數。157.如權利要求156所述的工藝，其特征在于，所述調節(jié)包括確定將賦予所述柱期望彈簧性質的特定調節(jié)力；以及將所述特定的調節(jié)力施加到所述柱的接觸端。158.如權利要求157所述的工藝，其特征在于，所述施加包括將所述特定調節(jié)力同時施加到多個柱的接觸端。159.如權利要求157所述的工藝，其特征在于，所述確定包括根據各自與不同彈簧常數相關聯的多個不同調節(jié)力之一選擇所述特定調節(jié)力。160.如權利要求157所述的工藝，其特征在于，所述施加所述特定調節(jié)力在每個所述柱中形成所述柱中沿所述柱的長度設置的至少一個可逆變形區(qū)，所述彈簧機構包括所述至少一個可逆變形區(qū)。161.如權利要求160所述的工藝，其特征在于，賦予每個柱的所述彈簧常數包括所述柱中的所述至少一個可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。162.如權利要求160所述的工藝，其特征在于，賦予每個柱的彈簧常數與所述柱中的所述可逆變形區(qū)的數目成比例。163.如權利要求160所述的工藝，其特征在于，每個柱中的所述至少一個可逆變形區(qū)一般垂直于所述柱的長度。164.如權利要求156所述的工藝，其特征在于，還包括利用導電材料增強所述柱的電性質。165.如權利要求164所述的工藝，其特征在于，還包括將所述導電材料沿所述柱的長度沉積在所述柱的外部的相當大的一部分上。166.如權利要求164所述的工藝，其特征在于，還包括將所述導電材料沉積在構成所述柱的各個碳納米管之間的區(qū)域中。167.如權利要求164所述的工藝，其特征在于，還包括將所述導電材料沉積在構成所述柱的各個碳納米管上。168.如權利要求164所述的工藝，其特征在于，還包括對所述柱的接觸端施加處理，所述處理產生從所述柱的接觸端突出的結構。169.如權利要求168所述的工藝，其特征在于，所述施加處理包括蝕刻所述柱的接觸端。170.如權利要求151所述的工藝，其特征在于，還包括利用導電材料增強所述柱的電性質。171.如權利要求170所述的工藝，其特征在于，還包括將所述導電材料沿所述柱的長度沉積在所述柱的外部的相當大的一部分上。172.如權利要求170所述的工藝，其特征在于，還包括將所述導電材料沉積在構成所述柱的各個碳納米管之間的區(qū)域中。173.如權利要求170所述的工藝，其特征在于，還包括將所述導電材料沉積在構成所述柱的各個碳納米管上。174.如權利要求151所述的工藝，其特征在于，還包括對所述柱的接觸端施加處理，所述處理產生從所述柱的接觸端突出的突出結構。175.如權利要求174所述的工藝，其特征在于，所述施加處理包括蝕刻所述柱的接觸端。176.如權利要求151所述的工藝，其特征在于，還包括將材料沉積到布線襯底和所述柱的部分周圍，所述材料將所述柱錨固到所述布線襯底。177.如權利要求151所述的工藝，其特征在于，在其中設置所述彈簧探針的接觸端的圖案中，至少一對相鄰彈簧探針的中心之間的間隔小于20微米。178.如權利要求151所述的工藝，其特征在于，所述至少一個組件包括接口襯底，所述接口襯底包括至所述測試器的電接口，所述組合包括將所述第一布線襯底電連接到所述接口襯底從而利用所述電接口將各個所述彈簧探針電連接到所述測試器。179.—種測試半導體管芯的過程，所述過程包括提供包括多個導電彈簧探針的接觸器，所述多個導電彈簧探針包括設置成與所述半導體管芯的焊盤的圖案相對應的圖案的接觸端，至少一個探針包括垂直對齊的碳納米管柱。實現各個所述焊盤和各個所述探針的接觸端之間的接觸，各個所述探針的接觸端在各個所述焊盤上形成接觸標記；以及通過將測試信號經由各個所述探針的至少一個提供給集成到所述管芯的電路來測試所述半導體管芯。180.如權利要求179所述的過程，其特征在于，每個所述柱還包括彈簧機構，從而所述柱響應于通過與所述半導體管芯的焊盤之一接觸而施加到所述接觸端的力彈性地且在一般平行于所述力的方向的方向上變形。181.如權利要求180所述的過程，其特征在于，每個所述柱被機械地調節(jié)成具有預定彈簧性質。182.如權利要求181所述的過程，其特征在于，每個所述柱的彈簧機構包括沿所述柱的長度設置的多個可逆變形區(qū)，所述柱的預定彈簧常數包括所述可逆變形區(qū)的每一個的彈簧常數的串聯和。183.如權利要求180所述的過程，其特征在于，所述每一個柱的彈簧機構包括沿所述柱的長度設置的至少一個可逆變形區(qū)。184.如權利要求183所述的過程，其特征在于，所述至少一個可逆變形區(qū)一般垂直于所述柱的長度。185.如權利要求183所述的過程，其特征在于，所述各個探針的接觸端中的每一個包括從所述接觸端的面突出的多個結構，且所述實現接觸導致穿過所述各個焊盤的每一個的表面的結構且在所述各個焊盤的表面上形成相對應的穿孔標記。186.如權利要求185所述的過程，其特征在于，每個焊盤上的所述接觸標記基本由所述穿孔標記組成。187.如權利要求186所述的過程，其特征在于，所述穿孔標記位于所述焊盤的表面上與接觸端的所述面的區(qū)域對應的區(qū)域中。188.如權利要求187所述的過程，其特征在于，所述接觸端的所述面的面積小于4900平方微米。189.如權利要求187所述的過程，其特征在于，所述焊盤的所述表面上的所述穿孔標記的總面積小于所述接觸端的所述面的面積的40%。190.如權利要求187所述的過程，其特征在于，所述焊盤的所述表面上的所述穿孔標記的總面積小于所述接觸端的所述面的面積的30%。191.如權利要求186所述的過程，其特征在于，所述焊盤的所述表面上的每個所述穿孔標記的大小小于625平方微米。192.如權利要求186所述的過程，其特征在于，所述焊盤的所述表面上的每個所述穿孔標記的大小小于225平方微米。193.如權利要求186所述的過程，其特征在于，每個所述穿孔標記從所述焊盤的所述表面進入所述焊盤的深度小于5微米。194.如權利要求185所述的過程，其特征在于，各個所述探針的接觸端中的每一個包括構成所述各個探針的各個碳納米管在所述接觸端的面上的端部，且所述實現接觸導致各個所述碳納米管的端部在各個所述焊盤的每一個的表面中形成其圖案與從所述接觸端突出的所述結構的圖案相對應的壓痕。195.根據權利要求179、180和185-194中的任一項測試的半導體管芯。196.如權利要求179所述的過程，其特征在于，各個所述柱包括設置在每個所述柱內構成所述柱的各個碳納米管之間的導電材料。197.—種經測試的半導體管芯，包括半導體材料；集成到所述半導體材料的電路；以及電連接到所述電路的多個焊盤，其中多個焊盤包括因與測試探針接觸產生的探針標記，每個探針標記基本由位于小于整個所述焊盤的區(qū)域中的多個成簇的穿孔標記或壓痕組成。198.如權利要求197所述的管芯，其特征在于，每個焊盤上的所述探針標記基本由所述穿孔標記組成。199.如權利要求198所述的管芯，其特征在于，所述焊盤的表面的總面積小于4900平方微米。200.如權利要求198所述的管芯，其特征在于，所述焊盤的所述表面上的所述成簇的穿孔標記的總面積小于所述焊盤的所述表面的總面積的40%。201.如權利要求198所述的管芯，其特征在于，所述焊盤的所述表面上的所述成簇的穿孔標記的總面積小于所述焊盤的所述表面的總面積的30%。202.如權利要求198所述的管芯，其特征在于，所述焊盤的所述表面上的每個所述成簇的穿孔標記的大小小于625平方微米。203.如權利要求198所述的管芯，其特征在于，所述焊盤的所述表面上的每個所述成簇的穿孔標記的大小小于225平方微米。204.如權利要求198所述的管芯，其特征在于，每個所述穿孔標記從所述焊盤的所述表面進入所述焊盤的深度小于5微米。205.如權利要求197所述的管芯，其特征在于，各個所述穿孔標記位于限定所述探針面區(qū)域的邊界的周長的拐角上。206.如權利要求205所述的管芯，其特征在于，所述周長是多邊形。207.如權利要求206所述的管芯，其特征在于，所述探針標記基本由位于所述周長的拐角處的所述穿孔標記組成。208.如權利要求207所述的管芯，其特征在于，所述多邊形是矩形。209.如權利要求208所述的管芯，其特征在于，所述多邊形是正方形。210.如權利要求205所述的管芯，其特征在于，所有所述穿孔標記都被置于所述探針面區(qū)域的周長上。全文摘要包括多個垂直對齊的碳納米管柱可被構造為機電接觸結構或探針。柱可在犧牲襯底上生長，并轉移到產品襯底上，或者柱可在產品襯底上生長。柱可被處理成增強諸如剛度之類的機械性質、諸如電導率之類的電性質和/或物理接觸特性?？蓹C械地調節(jié)柱以使其具有預定的彈簧性質?？蓪⒅米骼鐧C電探針，以接觸和測試諸如半導體管芯的電子器件，且柱可在電子器件的端子上制作獨特的標記。文檔編號F16F1/36GK101529116SQ200780038467公開日2009年9月9日申請日期2007年10月15日優(yōu)先權日2006年10月16日發(fā)明者A·H·斯洛克姆,B·N·埃爾德里奇,J·K·格里特斯,O·亞格里奧戈魯,R·I·馬騰斯申請人:佛姆法克特股份有限公司