專利名稱：電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路板的測(cè)試方法，尤其涉及一種噴錫后的電路板的孔內(nèi)焊錫裂縫或孔內(nèi)缺錫等焊錫不良的測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
噴錫作為電路板板面處理的一種常見的表面涂敷形式，被廣泛地用于線路的生產(chǎn)，噴錫的質(zhì)量的好壞直接會(huì)影響到后續(xù)客戶生產(chǎn)時(shí)焊接的質(zhì)量和焊錫性，因此噴錫的質(zhì)量成為電路板生產(chǎn)廠家質(zhì)量控制一個(gè)重點(diǎn)。在對(duì)較厚的電路板的孔內(nèi)噴錫時(shí)，常因焊料的粘度高而導(dǎo)致焊料不易進(jìn)入孔內(nèi)，從而使孔內(nèi)上錫不良，部分區(qū)域出現(xiàn)缺錫的狀況。另外，因應(yīng)力等原因，孔內(nèi)焊錫還容易發(fā)生焊錫裂縫等不良?？變?nèi)焊錫裂縫或孔內(nèi)缺錫等不良常會(huì)導(dǎo)致電路板的可信賴性下降，故在電路板測(cè)試時(shí)，必須將這些不良找出來?？變?nèi)焊錫裂縫或孔內(nèi)缺錫較難通過外觀檢測(cè)而檢出，一般需要制作切片后使用顯微鏡進(jìn)行觀察才能發(fā)現(xiàn)，切片的制作較為繁瑣，一般需要灌膠、固化、粗磨以及細(xì)磨等流程才能在顯微鏡下觀察，并且切片的制作需要有一定的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)，沒有經(jīng)驗(yàn)的操作工制作切片較為困難，很難將切片打磨平整和均勻，而切片制作質(zhì)量的好壞，將直接關(guān)系到對(duì)切片樣品的品質(zhì)研究和判斷的正確性。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種操作簡便的電路板孔內(nèi)焊錫不良的測(cè)試方法。一種電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，包括步驟:提供一待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板包括一基材，所述基材具有相對(duì)的第一表面和第二表面，所述基材上開設(shè)有一個(gè)貫穿第一表面和第二表面的通孔，所述通孔的孔壁鍍有孔銅層，所述第一表面形成有圍繞所述通孔的第一環(huán)狀銅層，所述第二表面形成有圍繞所述通孔的第二環(huán)狀銅層，所述第一環(huán)狀銅層、所述孔銅層以及所述第二環(huán)狀銅層無縫連接，所述第一環(huán)狀銅層、所述孔銅層以及所述第二環(huán)狀銅層的表面分別形成有無縫連接的第一噴錫層、第二噴錫層及第三噴錫層；量測(cè)所述第一噴錫層與第三噴錫層之間的電阻值，記錄為Rl ;將所述待測(cè)電路板浸泡于一堿性蝕刻液中后取出，并進(jìn)行清潔干燥，所述堿性蝕刻液的組分包括氨水、氯化銨及氯化銅，所述堿性蝕刻液的PH范圍為7.8-9.0 ;再次量測(cè)所述第一噴錫層與第三噴錫層之間的電阻值，記錄為R2 ;及計(jì)算比值A(chǔ)R= (R2-R1)/R1，如果比值Λ R大于一設(shè)定值，則判定所述第二噴錫層存在焊錫不良。一種電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，包括步驟:提供一待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板具有相對(duì)的第一表面和第二表面，并開設(shè)有均貫穿第一表面和第二表面的多個(gè)通孔，每個(gè)所述通孔的孔壁鍍有孔銅層，所述第一表面形成有多個(gè)依次連接的第一環(huán)狀銅層，每個(gè)第一環(huán)狀銅層圍繞一個(gè)對(duì)應(yīng)的通孔，并與該通孔內(nèi)的孔銅層無縫連接，所述第二表面形成有多個(gè)依次連接的第二環(huán)狀銅層，每個(gè)第二環(huán)狀銅層圍繞一個(gè)對(duì)應(yīng)的通孔，并與該通孔內(nèi)的孔銅層無縫連接，每個(gè)第一環(huán)狀銅層、每個(gè)孔銅層以及每個(gè)第二環(huán)狀銅層的表面分別形成有第一噴錫層、第二噴錫層及第三噴錫層；量測(cè)第一噴錫層與第三噴錫層之間的電阻值，記錄為Rl ;將所述待測(cè)電路板浸泡于堿性蝕刻液中I至5分鐘后取出，并進(jìn)行清潔干燥，所述堿性蝕刻液的組分包括氨水、氯化銨及氯化銅，所述堿性蝕刻液的PH范圍為7.8-9.0 ;再次量測(cè)第一噴錫層與第三噴錫層之間的電阻值，記錄為R2 ;及計(jì)算比值A(chǔ)R= (R2-R1)/R1，若比值Λ R大于一設(shè)定值，則判定所述多個(gè)通孔內(nèi)的至少一個(gè)第二噴錫層存在焊錫不良。本技術(shù)方案的電路板孔內(nèi)焊錫不良的測(cè)試方法具有如下優(yōu)點(diǎn):采用測(cè)試堿性蝕刻液浸泡前后所述第一噴錫層及第三噴錫層之間或所述長導(dǎo)線的電阻值的變化來判斷所述第二噴錫層存在有焊錫裂縫或部分位置有缺錫等異常，無需制作切片，操作簡便，不需要經(jīng)驗(yàn)技術(shù)即可進(jìn)行測(cè)試及結(jié)果判定。


圖1是本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的測(cè)試方法的流程圖。圖2待測(cè)電路板是本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的待測(cè)電路板的正面示意圖。圖3待測(cè)電路板是本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的待測(cè)電路板的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說明
權(quán)利要求
1.一種電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，包括步驟: 提供一待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板包括基材，所述基材具有相對(duì)的第一表面和第二表面，所述基材上開設(shè)有一個(gè)貫穿第一表面和第二表面的通孔，所述通孔的孔壁鍍有孔銅層，所述第一表面形成有圍繞所述通孔的第一環(huán)狀銅層，所述第二表面形成有圍繞所述通孔的第二環(huán)狀銅層，所述第一環(huán)狀銅層、所述孔銅層以及所述第二環(huán)狀銅層無縫連接，所述第一環(huán)狀銅層、所述孔銅層以及所述第二環(huán)狀銅層的表面分別形成有無縫連接的第一噴錫層、第二噴錫層及第三噴錫層； 量測(cè)所述第一噴錫層與第三噴錫層之間的電阻值，記錄為Rl ； 將所述待測(cè)電路板浸泡于一堿性蝕刻液中后取出，并進(jìn)行清潔干燥，所述堿性蝕刻液的組分包括氨水、氯化銨及氯化銅，所述堿性蝕刻液的PH范圍為7.8-9.0 ； 再次量測(cè)所述第一噴錫層與第三噴錫層之間的電阻值，記錄為R2 '及 計(jì)算比值A(chǔ)R= (R2-R1)/R1，如果比值Λ R大于一設(shè)定值，則判定所述第二噴錫層存在焊錫不良。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其特征在于，所述基材為含增強(qiáng)材料的樹脂基材、純樹脂基材或內(nèi)層形成有線路的多層電路板。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其特征在于，所述堿性蝕刻液中的銅離子的濃度范圍為120-190g/L。
4.如權(quán)利要求1所述的電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其特征在于，所述堿性蝕刻液中的氯離子的濃度范圍為160-240g/L。
5.如權(quán)利要求1所述的電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其特征在于，所述堿性蝕刻液的比重為 1.21±0.01。
6.如權(quán)利要求1所述的電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其特征在于，所述堿性蝕刻液的溫度范圍為45-55 °C。
7.如權(quán)利要求1所述的電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其特征在于，所述浸泡步驟的時(shí)間為1-5分鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其特征在于，所述比值A(chǔ)R為10%。
9.如權(quán)利要求1所述的電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其特征在于，所述量測(cè)電阻步驟所用的儀器為四線制精密電阻計(jì)。
10.一種電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，包括步驟: 提供一待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板具有相對(duì)的第一表面和第二表面，并開設(shè)有均貫穿第一表面和第二表面的多個(gè)通孔，每個(gè)所述通孔的孔壁鍍有孔銅層，所述第一表面形成有多個(gè)依次連接的第一環(huán)狀銅層，每個(gè)第一環(huán)狀銅層圍繞一個(gè)對(duì)應(yīng)的通孔，并與該通孔內(nèi)的孔銅層無縫連接，所述第二表面形成有多個(gè)依次連接的第二環(huán)狀銅層，每個(gè)第二環(huán)狀銅層圍繞一個(gè)對(duì)應(yīng)的通孔，并與該通孔內(nèi)的孔銅層無縫連接，每個(gè)第一環(huán)狀銅層、每個(gè)孔銅層以及每個(gè)第二環(huán)狀銅層的表面分別形成有第一噴錫層、第二噴錫層及第三噴錫層； 量測(cè)第一噴錫層與第三噴錫層之間的電阻值，記錄為Rl ； 將所述待測(cè)電路板浸泡于堿性蝕刻液中I至5分鐘后取出，并進(jìn)行清潔干燥，所述堿性蝕刻液的組分包括氨水、氯化銨及氯化銅，所述堿性蝕刻液的PH范圍為7.8-9.0 ；再次量測(cè)第一噴錫層與第三噴錫層之間的電阻值，記錄為R2 ;及計(jì)算比值A(chǔ)R= (R2-R1)/R1，若比值Λ R大于一設(shè)定值，則判定所述多個(gè)通孔內(nèi)的至少一個(gè)第二噴錫層存在焊錫不良。
全文摘要
一種電路板孔內(nèi)焊錫的測(cè)試方法，其包括以下步驟提供一待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板包括至少一個(gè)通孔，所述通孔孔壁及孔開口外側(cè)鍍有銅層，所述銅層表面分別形成有噴錫層；量測(cè)所述通孔兩個(gè)開口外的噴錫層之間的電阻值，記錄為R1；將所述待測(cè)電路板于一堿性蝕刻液中浸泡，之后取出并清潔干燥，其中，所述堿性蝕刻液的組分包括氨水、氯化銨及氯化銅，所述堿性蝕刻液的PH范圍為7.8-9.0；再次量測(cè)所述通孔兩個(gè)開口外的噴錫層之間的電阻值，記錄為R2；及計(jì)算ΔR=(R2-R1)/R1，如果ΔR大于一設(shè)定值，則判定所述第二噴錫層有焊錫裂縫或孔內(nèi)缺錫不良。
文檔編號(hào)G01N27/20GK103185736SQ20121000013
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2012年1月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月3日
發(fā)明者白耀文 申請(qǐng)人:宏恒勝電子科技(淮安)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司