專利名稱：一種基于pxi總線的多通道高精度鉑熱電阻模擬板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及測試、測量領(lǐng)域，具體來說，是一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板
背景技術(shù)：
隨著PXI總線技術(shù)在測試、測量領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，許多PXI模塊和系統(tǒng)被開發(fā)出來以滿足不同用戶的需求。目前市場上有多家公司提供了基于PXI總線技術(shù)的鉬熱電阻模擬板，如Pickering的40-262等，但是其輸出電阻由大量的控制開關(guān)和不同阻值的固定電阻組成，如圖I所示，通過控制開關(guān)的開啟和閉合，調(diào)整輸出電阻的大小，因此，此種鉬熱電阻 模擬板結(jié)構(gòu)復雜，占用的面積較大，價格較高。又如泛華測控公司的PXI-3110，受其輸出電阻結(jié)構(gòu)，板卡面積的限制，其僅能提供2個通道的輸出電阻。且現(xiàn)有鉬熱模擬電路板輸出電阻精度普遍不高，影響了無法滿足客戶對更多通道輸出電阻的需求。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板，具有結(jié)構(gòu)簡單、精度高，單通道體積小，輸出電阻個數(shù)易于擴展等優(yōu)點，是傳感器仿真，實驗室及工業(yè)自動化領(lǐng)域應(yīng)用的理想選擇。本發(fā)明一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板，包括位于總線板卡上的模擬部分、數(shù)字部分以及連接器J5 ;所述數(shù)字部分包括FPGA芯片、溫度傳感器、FRAM存儲芯片、PXI總線以及PXI觸發(fā)總線；模擬部分包括校準單元與n個輸出電阻模塊，n彡I。 所述模擬部分中，輸出電阻模塊采用4線制電阻接口連接外部儀器，通過連接器J5與外部儀器連接，用來實現(xiàn)高精度低溫漂的模擬鉬熱電阻輸出；輸出電阻包括電阻R、數(shù)字電位器、DC-DC轉(zhuǎn)換器與數(shù)字隔離器構(gòu)成；其中，數(shù)字電位器為m個，2 ;m個數(shù)字電位器間并聯(lián)后再與電阻R并聯(lián)個數(shù)字電位器與數(shù)字隔離器相連、通過數(shù)字隔離器與鉬熱電阻模擬板中的數(shù)字部分中FPGA芯片相連；m個數(shù)字電位器與數(shù)字隔離器均與DC-DC轉(zhuǎn)換器相連，通過DC-DC為輸出電阻模塊供電。所述校準單元包括內(nèi)部電阻模塊、校準模塊、多路開關(guān)；其中，內(nèi)部電阻模塊與多路開關(guān)相連，外部電阻通過連接器J5實現(xiàn)與多路開關(guān)相連，多路開關(guān)與校準模塊相連，且與數(shù)字部分中的FPGA芯片相連，通過FPGA芯片控制多路開關(guān)的通斷實現(xiàn)外部電阻、內(nèi)部電阻模塊與校準模塊間的連接斷開，從而通過校準模塊實現(xiàn)內(nèi)部電阻模塊或外部電阻阻值的測量與校準。所述校準模塊包括V/I轉(zhuǎn)換電路、調(diào)理電路、基準電壓源、參考電壓與24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器與DC-DC轉(zhuǎn)換器；其中，V/I轉(zhuǎn)換電路與多路開關(guān)相連，且與基準電壓源相連，通過基準電壓源用來為V/I轉(zhuǎn)換電路提供電壓信號；通過V/I轉(zhuǎn)換電路將電壓信號轉(zhuǎn)換為高精度的電流信號I，并根據(jù)外部電阻或內(nèi)部電阻模塊的阻值得到外部電阻或內(nèi)部電阻模塊的電壓信號V發(fā)送給調(diào)理電路；調(diào)理電路與24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器相連，用來將接受到的電壓信號V進行放大，發(fā)送給24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器將經(jīng)放大后的電壓信號V轉(zhuǎn)換為24位的串行電壓數(shù)據(jù)；24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器通過數(shù)字隔離器B與數(shù)字模塊中的FPGA相連，通過數(shù)字隔離器B將轉(zhuǎn)換后的24位串行電壓數(shù)據(jù)發(fā)送到數(shù)字模塊中的FPGA芯片中，通過FPGA芯片進行存儲；24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器還與參考電壓源相連，根據(jù)參考電壓源提供的參考電壓調(diào)整24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的測量范圍；上述V/I轉(zhuǎn)換電路、基準電壓源、參考電壓源、24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器、調(diào)理電路、數(shù)字隔離器B均與DC-DC相連，通過DC-DC轉(zhuǎn)換器為校準模塊供電。所述數(shù)字部分中FPGA芯片通過接收PXI總線與PXI觸發(fā)總線的地址、數(shù)據(jù)、控制信號，通過數(shù)字隔離器A與數(shù)字隔離器B自動控制模擬部分中校準單元中的內(nèi)部電阻模塊與各個輸出電阻內(nèi)的數(shù)字電位器輸出阻值進行設(shè)置，從而控制內(nèi)部電阻模塊與輸出電阻模塊的輸出阻值。上位機采集FPGA芯片中存儲的24位串行電壓數(shù)據(jù)，通過PXI總線發(fā)送給上位機，上位機根據(jù)24位串行電壓數(shù)據(jù)便可得到被測量對象的電阻值R=V/I，V為電壓、I為電流。
溫度傳感器用來實時測量鉬熱電阻模擬板工作過程中的實際溫度數(shù)值，由FPGA定時讀取溫度傳感器測得的溫度數(shù)據(jù)，通過PXI總線將溫度數(shù)據(jù)傳遞給上位機。FRAM存儲器用來存儲模擬部分中校準單元的校準系數(shù)、每個輸出電阻的輸出電阻阻值，以及外部電阻或內(nèi)部電阻的阻值測量數(shù)據(jù)；PXI總線通過FPGA芯片讀取FRAM的存儲數(shù)據(jù)，獲得鉬熱電阻模擬板的固有信息。本發(fā)明的優(yōu)點在于I、本發(fā)明鉬熱電阻模擬板是一款符合PXI標準規(guī)范的6U PXI總線板卡，提供多通道鉬熱電阻輸出；2、本發(fā)明鉬熱電阻模擬板作為一款標準PXI模塊可以直接應(yīng)用于所有的PXI機箱；3、本發(fā)明鉬熱電阻模擬板采用高速數(shù)字隔離器件對數(shù)字、模擬電路進行隔離以保護上位機免受現(xiàn)場異常信號的干擾；4、本發(fā)明鉬熱電阻模擬板支持板上溫度測試、支持對模擬鉬熱電阻的校準，且校準單元可同時對內(nèi)部電阻與各個電阻輸出模塊校準；5、本發(fā)明鉬熱電阻模擬板中的輸出電阻模塊在不改變數(shù)字電位器的情況下，通過更換電阻R，可以輕松調(diào)整輸出電阻模塊電阻的輸出范圍，但不影響輸出電阻的精度；6、本發(fā)明鉬熱電阻模擬板中校準單元中得內(nèi)部電阻模塊與輸出電阻模塊采用相同結(jié)構(gòu)，由此通過校準單元對內(nèi)部電阻模塊進行校準后所獲取的校準參數(shù)，可直接用來供各個輸出電阻模塊對自身輸出阻值進行修正。


圖I為現(xiàn)有電阻模擬板中輸出電阻結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明鉬熱電阻模擬板整體結(jié)構(gòu)框圖。圖3為本發(fā)明鉬熱電阻模擬板中輸出電阻模塊進行多次輸出電阻模塊的有效性測試結(jié)果圖。
具體實施例方式本發(fā)明鉬熱電阻模擬板符合PXI標準規(guī)范的6U PXI總線板卡，提供多通道高精度的鉬熱電阻輸出，包括位于總線板卡上的模擬部分、數(shù)字部分以及連接器J5，如圖2所示，所述數(shù)字部分包括FPGA芯片、溫度傳感器、FRAM存儲芯片、PXI總線以及PXI觸發(fā)總線；模擬部分包括校準單元與n個輸出電阻模塊，I。下面具體對數(shù)字部分與模擬部分中各個電路以及I旲塊間的關(guān)系進行說明如圖2所示，所述模擬部分中，輸出電阻模塊通過連接器J5與外部儀器連接，用來實現(xiàn)高精度低溫漂的模擬鉬熱電阻輸出，滿足客戶對可編程模擬鉬熱電阻的需求，包括電阻R、數(shù)字電位器、DC-DC轉(zhuǎn)換器(直流轉(zhuǎn)直流電源)與數(shù)字隔離器構(gòu)成；其中，數(shù)字電位器為m個，m > 2; m個數(shù)字電位器間并聯(lián)后再與電阻R并聯(lián)，由此m個數(shù)字電位器通過數(shù)字信號控制電阻R的阻值變化。從而減小了 m個數(shù)字電位器步長對輸出電阻模塊輸出精度的影 響，實現(xiàn)了高精度低溫漂的模擬鉬熱電阻輸出；且在不改變數(shù)字電位器的情況下，通過更換電阻R，可以輕松調(diào)整輸出電阻模塊的電阻輸出范圍，但不影響輸出電阻的精度。所述m個數(shù)字電位器均采用至少10位的數(shù)字電位器，由此可保證輸出電阻模塊的電阻輸出精度。由于相互并聯(lián)的數(shù)字電位器個數(shù)影會影響輸出電阻模塊的電阻輸出精度以及范圍，同時考慮到輸出電阻模塊的體積與成本，因此本發(fā)明輸出電阻模塊的電阻輸出精度與范圍的前提下，采用兩個10位的AD5270數(shù)字電位器并聯(lián)后與電阻R并聯(lián)，AD5270數(shù)字電位器電阻R的最大輸出阻值為20KQ，具有1%電阻誤差，溫度系數(shù)為5ppm/° C，由此可在保證輸出電阻模塊的電阻輸出精度的同時，還可使輸出電阻模塊具有較快的響應(yīng)。本發(fā)明中電阻R的阻值為124歐，0. 1%精度，IOppm溫漂的高精密電阻。m個數(shù)字電位器與數(shù)字隔離器相連、通過數(shù)字隔離器(高速數(shù)字隔離器件)與鉬熱電阻模擬板中的數(shù)字部分相連，通過數(shù)字隔離器防止模擬信號對數(shù)字信號的造成影響，損害，從而保護上位機免受現(xiàn)場異常信號的干擾。m個數(shù)字電位器與數(shù)字隔離器均與DC-DC轉(zhuǎn)換器相連，通過DC-DC為輸出電阻模塊供電。由于數(shù)字電位器價格低，體積小，溫漂小，精度高，因此使輸出電阻模塊價格低、體積小、溫漂小，精度高，由此大大節(jié)約的制作成本，同時根據(jù)需要可在總線板卡上設(shè)置多個輸出電阻模塊，占用的空間較小，大大的縮小了整個鉬熱電阻模擬器的體積。本發(fā)明中輸出電阻模塊采用4線制電阻接口連接外部儀器，由此可排除用戶連接線纜的電阻對輸出電阻模塊電阻輸出的影響。如果采用2線制電阻接口，則無法消除連接線纜的影響，用戶需要自己校準連接線纜的影響。所述校準單元包括內(nèi)部電阻模塊、校準模塊、多路開關(guān)；其中，內(nèi)部電阻模塊作為校準單元中的一部分，供校準單元使用。內(nèi)部電阻模塊與外部電阻作為被校準對象，內(nèi)部電阻模塊與多路開關(guān)相連，外部電阻通過連接器J5實現(xiàn)與多路開關(guān)相連，多路開關(guān)與校準模塊相連，且與數(shù)字部分中的FPGA芯片相連，由此通過FPGA芯片控制多路開關(guān)的通斷實現(xiàn)外部電阻、內(nèi)部電阻模塊與校準模塊間的連接斷開(即決定被校準對象是內(nèi)部電阻模塊還是外部電阻)，從而通過校準模塊實現(xiàn)內(nèi)部電阻模塊或外部電阻阻值的測量與校準。通過校準電路對內(nèi)部電阻模塊進行校準，可防止鉬熱電阻電路板長時間使用后精度和性能降低。所述校準模塊包括V/I轉(zhuǎn)換電路、調(diào)理電路、基準電壓源、參考電壓與24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(24-Bit ADC, 24-Bit Analog to Digital Converter)與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其中，V/I轉(zhuǎn)換電路與多路開關(guān)相連，且與基準電壓源相連，通過基準電壓源用來為V/I轉(zhuǎn)換電路提供穩(wěn)定、高精度的電壓信號；由此通過V/I轉(zhuǎn)換電路將基準電壓源提供的電壓信號轉(zhuǎn)換為高精度的電流信號I (固定值)，并根據(jù) 外部電阻或內(nèi)部電阻模塊的阻值得到外部電阻或內(nèi)部電阻模塊的電壓信號V發(fā)送給調(diào)理電路；調(diào)理電路與24 bit ADC相連，用來將接受到的微弱電壓信號V進行放大，發(fā)送給24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為24位串行電壓數(shù)據(jù)(即將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號)。24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器通過數(shù)字隔離器B (高速數(shù)字隔離器件)與數(shù)字模塊中的FPGA相連，通過數(shù)字隔離器B將轉(zhuǎn)換后的24位的串行數(shù)據(jù)將24位串行電壓數(shù)據(jù)發(fā)送到數(shù)字模塊中的FPGA芯片中，通過FPGA芯片進行存儲。24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器還與參考電壓源相連，根據(jù)參考電壓源提供的參考電壓，從而可根據(jù)參考電壓調(diào)整24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的測量范圍。上述V/I轉(zhuǎn)換電路、基準電壓源、參考電壓源、24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器、調(diào)理電路、數(shù)字隔離器B均與DC-DC相連，通過DC-DC轉(zhuǎn)換器為校準模塊供電。所述數(shù)字部分中FPGA芯片作為本發(fā)明鉬熱電阻模擬板的主控制器，是模擬部分和PXI總線、PXI觸發(fā)總線之間的橋梁，PXI總線和觸發(fā)總線的信號來自于PXI總線控制器，即為上位機(工業(yè)電腦)。FPGA芯片通過接收PXI總線與PXI觸發(fā)總線的地址、數(shù)據(jù)、控制信號，通過數(shù)字隔離器A與數(shù)字隔離器B自動控制模擬部分中校準單元中的內(nèi)部電阻模塊與各個輸出電阻模塊內(nèi)的數(shù)字電位器輸出阻值進行設(shè)置，從而控制內(nèi)部電阻模塊與輸出電阻模塊的輸出阻值。上位機采集FPGA芯片中存儲的經(jīng)24位串行電壓數(shù)據(jù)，通過PXI總線發(fā)送給上位機，以供上層應(yīng)用程序使用，由此上位機便可得到被測量對象的電阻數(shù)值R=V/I ;由于在鉬熱電阻模擬板中校準單元在出廠前，需要使用高精度儀器對其進行校準，因此校準單元具有很高的精度；對于外部電阻或者內(nèi)部電阻來說，通過校準單元獲得外部電阻或內(nèi)部電阻的阻值R為真實值，并通過上位機設(shè)定外部電阻或者內(nèi)部電阻阻值期望值R’；由此得到R與R’間的函數(shù)關(guān)系R=kR’ +b，b為常數(shù)，k即為校準系數(shù)，從而實現(xiàn)對R’進行修正，從而完成內(nèi)部電阻模塊或外部電阻的校準，且同時可獲得校準系數(shù)k。本發(fā)明中內(nèi)部電阻模塊的結(jié)構(gòu)與輸出電阻模塊采用相同結(jié)構(gòu)，由此使內(nèi)部電阻模塊具有輸出電阻模塊的全部特征，且校準單元通過對內(nèi)部電阻模塊進行校準后所獲取的校準參數(shù)k，可直接用來供各個輸出電阻模塊對自身輸出阻值進行修正。所述溫度傳感器用來實時測量鉬熱電阻模擬板工作過程中的實際溫度數(shù)值，由FPGA定時讀取溫度傳感器測得的溫度數(shù)據(jù)，通過PXI總線將溫度數(shù)據(jù)傳遞給上層應(yīng)用程序。上層應(yīng)用程序根據(jù)溫度數(shù)據(jù)可以獲得不同溫度條件下，鉬熱電阻模擬板的溫度變化曲線，為鉬熱電阻模擬板的溫度補償算法等提供依據(jù)。FRAM存儲器用來存儲模擬部分中校準單元的校準系數(shù)k、每個輸出電阻模塊的輸出電阻阻值，以及外部電阻或內(nèi)部電阻模塊的阻值測量數(shù)據(jù)。PXI總線通過FPGA芯片讀取FRAM的存儲數(shù)據(jù)，獲得本發(fā)明鉬熱電阻模擬板的固有信息。上述模擬部分中輸出電阻模塊采用4線制電阻接口連接外部儀器，由此可以排除用戶連接線纜的電阻對輸出電阻的影響。如果采用2線制電阻接口，則無法消除連接線纜的影響，用戶需要自己校準連接線纜的影響。本發(fā)明中內(nèi)部電阻或各個電阻輸出模塊中的輸出阻值和數(shù)字電位器的關(guān)系為
Z = 1/(1/X+1/Y+1/R) (I)Z為輸出阻值，X為數(shù)字電位器阻值，Y為電位器阻值，R為與數(shù)字電位器并聯(lián)電阻阻值。令Z = 1/P、P = 1/X+1/Y+1/R，則根據(jù)誤差傳遞方法可得到

權(quán)利要求
1.一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板，其特征在于包括位于總線板卡上的模擬部分、數(shù)字部分以及連接器J5;所述數(shù)字部分包括FPGA芯片、溫度傳感器、FRAM存儲芯片、PXI總線以及PXI觸發(fā)總線；模擬部分包括校準單元與n個輸出電阻模塊，n ^ I ； 所述模擬部分中，輸出電阻模塊采用4線制電阻接口連接外部儀器，通過連接器J5與外部儀器連接，用來實現(xiàn)高精度低溫漂的模擬鉬熱電阻輸出；輸出電阻包括電阻R、數(shù)字電位器、DC-DC轉(zhuǎn)換器與數(shù)字隔離器A構(gòu)成；其中，數(shù)字電位器為m個，m ^ 2 ；m個數(shù)字電位器間并聯(lián)后再與電阻R并聯(lián)個數(shù)字電位器與數(shù)字隔離器A相連、通過數(shù)字隔離器A與鉬熱電阻模擬板中的數(shù)字部分中FPGA芯片相連；m個數(shù)字電位器與數(shù)字隔離器A均與DC-DC轉(zhuǎn)換器相連，通過DC-DC為輸出電阻模塊供電； 所述校準單元包括內(nèi)部電阻模塊、校準模塊、多路開關(guān)；其中，內(nèi)部電阻模塊與多路開關(guān)相連，外部電阻通過連接器J5實現(xiàn)與多路開關(guān)相連，多路開關(guān)與校準模塊相連，且與數(shù)字部分中的FPGA芯片相連，通過FPGA芯片控制多路開關(guān)的通斷實現(xiàn)外部電阻、內(nèi)部電阻模塊與校準模塊間的連接斷開，從而通過校準模塊實現(xiàn)內(nèi)部電阻模塊或外部電阻阻值的測量與校準； 所述校準模塊包括V/I轉(zhuǎn)換電路、調(diào)理電路、基準電壓源、參考電壓與24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器與DC-DC轉(zhuǎn)換器；其中，V/I轉(zhuǎn)換電路與多路開關(guān)相連，且與基準電壓源相連，通過基準電壓源用來為V/I轉(zhuǎn)換電路提供電壓信號；通過V/I轉(zhuǎn)換電路將電壓信號轉(zhuǎn)換為高精度的電流信號I，并根據(jù)外部電阻或內(nèi)部電阻模塊的阻值得到外部電阻或內(nèi)部電阻模塊的電壓信號V發(fā)送給調(diào)理電路；調(diào)理電路與24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器相連，用來將接受到的電壓信號V進行放大，發(fā)送給24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器將經(jīng)放大后的電壓信號V轉(zhuǎn)換為24位的串行電壓數(shù)據(jù)；24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器通過數(shù)字隔離器B與數(shù)字模塊中的FPGA相連，通過數(shù)字隔離器B將轉(zhuǎn)換后的24位串行電壓數(shù)據(jù)發(fā)送到數(shù)字模塊中的FPGA芯片中，通過FPGA芯片進行存儲；24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器還與參考電壓源相連，根據(jù)參考電壓源提供的參考電壓調(diào)整24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的測量范圍；上述V/I轉(zhuǎn)換電路、基準電壓源、參考電壓源、24位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器、調(diào)理電路、數(shù)字隔離器B均與DC-DC相連，通過DC-DC轉(zhuǎn)換器為校準模塊供電； 所述數(shù)字部分中=FPGA芯片通過接收PXI總線與PXI觸發(fā)總線的地址、數(shù)據(jù)、控制信號，通過數(shù)字隔離器A與數(shù)字隔離器B自動控制模擬部分中校準單元中的內(nèi)部電阻模塊與各個輸出電阻內(nèi)的數(shù)字電位器輸出阻值進行設(shè)置，從而控制內(nèi)部電阻模塊與輸出電阻模塊的輸出阻值； 上位機采集FPGA芯片中存儲的24位串行電壓數(shù)據(jù)，通過PXI總線發(fā)送給上位機，上位機根據(jù)24位串行電壓數(shù)據(jù)便可得到被測量對象的電阻值R=V/I，V為電壓、I為電流； 溫度傳感器用來實時測量鉬熱電阻模擬板工作過程中的實際溫度數(shù)值，由FPGA定時讀取溫度傳感器測得的溫度數(shù)據(jù)，通過PXI總線將溫度數(shù)據(jù)傳遞給上位機； FRAM存儲器用來存儲模擬部分中校準單元的校準系數(shù)、每個輸出電阻的輸出電阻阻值，以及外部電阻或內(nèi)部電阻的阻值測量數(shù)據(jù)；PXI總線通過FPGA芯片讀取FRAM的存儲數(shù)據(jù)，獲得鉬熱電阻模擬板的固有信息。
2.如權(quán)利要求I所述一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板，其特征在于所述數(shù)字電位器為2個。
3.如權(quán)利要求I所述一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板，其特征在于所述數(shù)字電位器為至少10位的數(shù)字電位器。
4.如權(quán)利要求I所述一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板，其特征在于所述數(shù)字電位器為10位AD5270數(shù)字電位器。
5.如權(quán)利要求I所述一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板，其特征在于所述電阻R為124歐阻值，0. 1%精度，IOppm溫漂的高精密電阻。
6.如權(quán)利要求I所述一種基于PXI總線的多通道高精度鉬熱電阻模擬板，其特征在于所述輸出電阻采用4線制電阻接口連接外部儀器。
全文摘要
本發(fā)明公開一種基于PXI總線的多通道高精度鉑熱電阻模擬板，包括模擬部分、數(shù)字部分；模擬部分包括校準單元與多個輸出電阻模塊；輸出電阻模塊用來連接外部儀器，由m個數(shù)字電位器間并聯(lián)后再與電阻R并聯(lián)構(gòu)成；校準單元具有與輸出電阻模塊結(jié)構(gòu)相同的內(nèi)部電阻模塊，用來實現(xiàn)內(nèi)部電阻模塊或外部電阻阻值的測量與校準；由此通過校準電路對內(nèi)部電阻模塊校準獲得的校準參數(shù)對輸出電阻模塊輸出阻值進行修正。數(shù)字部分用來對各個部分進行控制，并實現(xiàn)與PXI總線控制器間的數(shù)據(jù)交互。本發(fā)明鉑熱電阻模擬板可提供多通道鉑熱電阻輸出，且輸出電阻模塊精度高、價格低、體積小、溫漂小，通過更換電阻R，可以調(diào)整輸出電阻的輸出范圍，不影響輸出電阻的精度。
文檔編號G01R27/08GK102749520SQ20121020792
公開日2012年10月24日 申請日期2012年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月19日
發(fā)明者盧俊娥, 呂建民, 吳秀峰, 吳飛, 唐穎倩, 岳世鋒, 張新, 戚朝暉, 李菲, 楊緒達, 鄭海源, 韓小兵, 韓慧媛, 魏勇 申請人:北京康拓科技有限公司