一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，可以簡單、方便地對硅通孔轉(zhuǎn)接板進(jìn)行電測試，有效地防止了測試中對硅通孔轉(zhuǎn)接板產(chǎn)生劃痕和損傷，保證了硅通孔轉(zhuǎn)接板的電測試效率和測試效果，而且保證了后續(xù)芯片的封裝質(zhì)量，其特征在于：其包括以下步驟：（1）、測試轉(zhuǎn)接板制備，在測試轉(zhuǎn)接板上制備好壓焊點(diǎn)（pad），用探針引線將焊盤引出測試轉(zhuǎn)接板另外一面；（2）、采用臨時(shí)焊接的方法，將硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)（焊球）物理連接到所述測試轉(zhuǎn)接板上。
【專利說明】一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子行業(yè)微電子測試的【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，線路越來越細(xì)，傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體制造技術(shù)面臨巨大挑戰(zhàn)，而采用三維集成技術(shù)，可以縮短互連路徑，減少延遲，降低功耗，同時(shí)獲得更高性能，成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢。硅通孔技術(shù)是實(shí)現(xiàn)三維集成的核心技術(shù)，它通過在不同類型芯片上直接制作導(dǎo)電通孔，從而形成垂直互連通道。目前一種方式則通過硅通孔制作轉(zhuǎn)接板，將不同類型的芯片通過轉(zhuǎn)接板實(shí)現(xiàn)高密度互連，由于它不完全是三維垂直方向的集成，因而被稱為2.5D集成。以Xilinx為代表的FPGA產(chǎn)品已經(jīng)將2.5D集成技術(shù)推向產(chǎn)品應(yīng)用。硅通孔轉(zhuǎn)接板技術(shù)仍然面臨著很多技術(shù)難題和挑戰(zhàn)，成品率不高，其中轉(zhuǎn)接板的測試被認(rèn)為是主要的挑戰(zhàn)之一。由于硅通孔轉(zhuǎn)接板非常薄，材料脆，焊盤(凸點(diǎn))密度高，需要進(jìn)行雙面測試，傳統(tǒng)的測試技術(shù)難以使用。由于半導(dǎo)體芯片上的I/O密度越來越高，壓焊點(diǎn)尺寸越來越小，對硅通孔轉(zhuǎn)接板進(jìn)行電測試時(shí)，見圖1，現(xiàn)有的電測試采用探針接觸的方法，把探針3與硅通孔轉(zhuǎn)接板I上的壓焊點(diǎn)2接觸，將待測試的硅通孔轉(zhuǎn)接板弓I出，通過探針實(shí)現(xiàn)硅通孔轉(zhuǎn)接板的電測試，這種測試方法會對硅通孔轉(zhuǎn)接板產(chǎn)生劃痕和損傷，影響后續(xù)封裝質(zhì)量，硅片厚度越來越薄，給拿持和測試帶來困難，從而影響了硅通孔轉(zhuǎn)接板的電測試效率和測試效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述問題，本發(fā)明提供了一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，可以簡單、方便地對硅通孔轉(zhuǎn)接板進(jìn)行電測試，有效地防止了測試中對硅通孔轉(zhuǎn)接板產(chǎn)生劃痕和損傷，保證了硅通孔轉(zhuǎn)接板的電測試效率和測試效果，而且保證了后續(xù)芯片的封裝質(zhì)量。
[0004]其技術(shù)方案如下:
一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，包括以下步驟:
(I )、測試轉(zhuǎn)接板制備，在測試轉(zhuǎn)接板上制備好壓焊點(diǎn)(pad)，用引線將焊盤引出測試轉(zhuǎn)接板另外一面；
(2)、采用臨時(shí)焊接的方法，將硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)(焊球)物理連接到所述測試轉(zhuǎn)接板上。
[0005]其進(jìn)一步特征在于，在硅通孔轉(zhuǎn)接板兩側(cè)對應(yīng)設(shè)置步驟(I)制備的測試轉(zhuǎn)接板； 其更進(jìn)一步特征在于，測試轉(zhuǎn)換板上壓焊點(diǎn)(pad)表面涂有低于硅通孔轉(zhuǎn)接板上凸點(diǎn)
(焊球)熔點(diǎn)的焊料；硅通孔轉(zhuǎn)接板上壓焊點(diǎn)的面積大于測試轉(zhuǎn)換板上壓焊點(diǎn)的面積；硅通孔轉(zhuǎn)接板上壓焊點(diǎn)和測試轉(zhuǎn)接板上壓焊點(diǎn)選擇不同的下凸點(diǎn)合金(UBM)金屬。
[0006]測試板材料包括:娃，玻璃，聚合物，陶瓷，PCB中的一種。
[0007]采用本發(fā)明的上述方法中，由于在測試轉(zhuǎn)接板制備好壓焊點(diǎn)(pad)，用探針引線將壓焊點(diǎn)(pad )引出測試轉(zhuǎn)接板外，采用臨時(shí)焊接的方法，將硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)(焊球)物理連接到所述測試轉(zhuǎn)接板，通過探針引線將硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)引出，可以簡單、方便地對硅通孔轉(zhuǎn)接板進(jìn)行電測試，有效地防止了測試中對硅通孔轉(zhuǎn)接板產(chǎn)生劃痕和損傷，保證了晶圓的電測試效率和測試效果，而且保證了后續(xù)芯片的封裝質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為現(xiàn)有的晶圓探針電測試不意圖；
圖2為測試轉(zhuǎn)接板制備示意圖；
圖3為測試轉(zhuǎn)接板制備與硅通孔轉(zhuǎn)接板單側(cè)連接示意圖；
圖4為測試轉(zhuǎn)接板制備與硅通孔轉(zhuǎn)接板雙側(cè)連接示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]以下結(jié)合附圖來對發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但是本實(shí)施方式并不限于本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法或者功能上的變換，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0010]一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，包括以下步驟:
見圖2，(I)、測試轉(zhuǎn)接板制備，在測試轉(zhuǎn)接板I上制備好壓焊點(diǎn)(pad) 2，用探針引線3將焊盤引出測試轉(zhuǎn)接板I的另外一面； 見圖3，(2)、采用臨時(shí)焊接的方法，將硅通孔轉(zhuǎn)接板4上的凸點(diǎn)5 (焊球)物理連接到測試轉(zhuǎn)接板I ;
見圖4，(3)、在硅通孔轉(zhuǎn)接板4兩側(cè)對應(yīng)設(shè)置測試轉(zhuǎn)接板1，通過測試轉(zhuǎn)接板I上的探針引線3將硅通孔轉(zhuǎn)接板4上的壓焊點(diǎn)(pad)2從硅通孔轉(zhuǎn)接板4的兩次引出，從而實(shí)現(xiàn)了硅通孔轉(zhuǎn)接板的雙面測試，大大提高了硅通孔轉(zhuǎn)接板的測試效率。
[0011]由于在測試轉(zhuǎn)接板制備好壓焊點(diǎn)(pad)，用探針引線將壓焊點(diǎn)(pad)引出測試轉(zhuǎn)接板外，采用臨時(shí)焊接的方法，將硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)(焊球)物理連接到所述測試轉(zhuǎn)接板，通過探針引線將硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)引出，可以簡單、方便地對硅通孔轉(zhuǎn)接板進(jìn)行電測試，有效地防止了測試中對硅通孔轉(zhuǎn)接板產(chǎn)生劃痕和損傷，保證了硅通孔轉(zhuǎn)接板的電測試效率和測試效果，而且保證了后續(xù)芯片的封裝質(zhì)量。
[0012]測試轉(zhuǎn)換板I上壓焊點(diǎn)2 (pad)表面涂有低于硅通孔轉(zhuǎn)接板上凸點(diǎn)5 (焊球)熔點(diǎn)的焊料，從而在低于回流溫度進(jìn)行測試轉(zhuǎn)換板I與硅通孔轉(zhuǎn)接板鍵合和分離，對硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)(焊球)不造成影響。
[0013]選用不同熔點(diǎn)的釬料成分:
例如錫鉛系列:Pb90Snl0熔點(diǎn)268度 Pb60Sn40 熔點(diǎn) 183 度
Sn95Pb5 熔點(diǎn) 238 度 SnAgCu 系列:
Sn97Cu2.75Ag0.25 熔點(diǎn) 228 度
Sn95.6Ag3.5Cu0.9 熔點(diǎn) 217 度。
[0014]采用不同熔點(diǎn)的焊料，使得低熔點(diǎn)測試轉(zhuǎn)換板上壓焊點(diǎn)先分離，對硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)與硅通孔轉(zhuǎn)接板結(jié)合的穩(wěn)定性。
[0015]硅通孔轉(zhuǎn)接板4上壓焊點(diǎn)2的面積大于測試轉(zhuǎn)換板I上壓焊點(diǎn)2的面積，在凸點(diǎn)5 (焊球)熔融下，凸點(diǎn)5 (焊球)停留在較大的表面張力一邊。
[0016]硅通孔轉(zhuǎn)接板4上壓焊點(diǎn)2和測試轉(zhuǎn)接板I上壓焊點(diǎn)2選擇不同的下凸點(diǎn)合金(UBM)金屬，對凸點(diǎn)(焊球)有不同的潤濕性，使得壓焊點(diǎn)與焊球的結(jié)合程度不同，焊球高溫熔化后，兩側(cè)對焊球的表面張力不同，使凸點(diǎn)(焊球)留在轉(zhuǎn)接板上。
[0017]本專利提出了一種通過定制專門的測試電路板，采用臨時(shí)焊接方式將待測轉(zhuǎn)接板機(jī)械固定并電互連，從而實(shí)現(xiàn)雙面、細(xì)節(jié)距的TSV轉(zhuǎn)接板測試。
【權(quán)利要求】
1.一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，其特征在于:其包括以下步驟: (I )、測試轉(zhuǎn)接板制備，在測試轉(zhuǎn)接板上制備好壓焊點(diǎn)(pad)，用探針引線將焊盤引出測試轉(zhuǎn)接板另外一面； (2)、采用臨時(shí)焊接的方法，將硅通孔轉(zhuǎn)接板上的凸點(diǎn)(焊球)物理連接到所述測試轉(zhuǎn)接板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，其特征在于:在硅通孔轉(zhuǎn)接板兩側(cè)對應(yīng)設(shè)置步驟(I)制備的測試轉(zhuǎn)接板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，其特征在于:測試轉(zhuǎn)換板上壓焊點(diǎn)(pad)表面涂有低于硅通孔轉(zhuǎn)接板上凸點(diǎn)(焊球)熔點(diǎn)的焊料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1任何所述的一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，其特征在于:硅通孔轉(zhuǎn)接板上壓焊點(diǎn)的面積大于測試轉(zhuǎn)換板上壓焊點(diǎn)的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅通孔轉(zhuǎn)接板測試方法，其特征在于:硅通孔轉(zhuǎn)接板上壓焊點(diǎn)和測試轉(zhuǎn)接板上壓焊點(diǎn)選擇不同的下凸點(diǎn)合金(UBM)金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的一種娃通孔轉(zhuǎn)接板測試方法,其特征在于:測試板材料包括:硅，玻璃，聚合物，陶瓷，PCB中的一種。
【文檔編號】G01R1/04GK103926430SQ201410167044
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年4月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月23日
【發(fā)明者】靖向萌 申請人:華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司