金氧半場效晶體管熱阻測試裝置和測試板的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種金氧半場效晶體管熱阻測試裝置和測試板，其中，裝置包括：電壓源、第一電流源、第二電流源、二極管和電壓測量裝置；所述電壓源的正負極分別連接被測金氧半場效晶體管的柵極和源極；所述第一電流源的正負極分別連接所述被測金氧半場效晶體管的漏極和源極；所述第二電流源的正極通過所述二極管連接所述被測金氧半場效晶體管的漏極，其中，所述第二電流源的負極連接源極，所述二極管的負極連接漏極；所述電壓測量裝置正負極分別連接所述被測金氧半場效晶體管的源極和漏極。通過在第二電流源和被測金氧半場效晶體管之間加入二極管，可以屏蔽第二電流源的泄露信號對測試信號的干擾，從而無需串聯(lián)焊接兩個測試器件，提高測試效率。
【專利說明】金氧半場效晶體管熱阻測試裝置和測試板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及熱阻測試【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種金氧半場效晶體管熱阻測試裝置和金氧半場效晶體管熱阻測試板。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管)向更小巧輕薄、更高功率密度方向發(fā)展，器件單位體積內(nèi)的熱量也相應(yīng)增加，如果不能有效地將熱量釋放出去，將會影響器件性能，因此，現(xiàn)今對金氧半場效晶體管的散熱性能提出了更高要求。而表征器件散熱性能的關(guān)鍵指標是熱阻，從而對于金氧半場效晶體管熱阻測試的需求增大。
[0003]現(xiàn)有的金氧半場效晶體管熱阻測試中，通過電壓源提供柵壓、同時給漏源施加正向電流使器件充分發(fā)熱，然后給漏、源間的反向二極管施加測試電流并采集反向二極管結(jié)壓，得到器件結(jié)溫，從而得到芯片到參考點的熱阻。在測試時，對于正向電流泄露信號干擾測試信號的現(xiàn)象，會采用串聯(lián)兩個相同金氧半場效晶體管，一個為輔助金氧半場效晶體管另一個為待測金氧半場效晶體管的方法來消除。利用輔助金氧半場效晶體管與待測金氧半場效晶體管串聯(lián)的方法，雖然解決了泄漏信號對測試信號干擾的問題，但需要同時焊接兩個器件，效率比較低，而且也不適用于同個電路里具有多個金氧半場效晶體管的場合。
[0004]由此可見，上述金氧半場效晶體管熱阻測試需要同時焊接兩個金氧半場效晶體管器件，效率比較低。
實用新型內(nèi)容
[0005]基于此，有必要針對現(xiàn)有金氧半場效晶體管熱阻測試效率比較低的問題，提供一種金氧半場效晶體管熱阻測試裝置和金氧半場效晶體管熱阻測試板。
[0006]一種金氧半場效晶體管熱阻測試裝置，包括:
[0007]電壓源、第一電流源、第二電流源、二極管和電壓測量裝置；
[0008]所述電壓源的正負極分別連接被測金氧半場效晶體管的柵極和源極；
[0009]所述第一電流源的正負極分別連接所述被測金氧半場效晶體管的漏極和源極；
[0010]所述第二電流源的正極通過所述二極管連接所述被測金氧半場效晶體管的漏極，其中，所述第二電流源的負極連接源極，所述二極管的負極連接漏極；
[0011]所述電壓測量裝置分別連接所述被測金氧半場效晶體管的源極和漏極；
[0012]所述電壓源用于向所述被測金氧半場效晶體管的柵極施加正向電壓，所述第一電流源用于向所述被測金氧半場效晶體管提供由源極到漏極方向的反向電流；所述第二電流源通過所述二極管向所述被測金氧半場效晶體管提供單向的加熱電流，所述二極管用于屏蔽所述第二電流源的泄漏信號；所述電壓測量裝置用于測量所述被測金氧半場效晶體管漏極和源極之間的反向二極管的結(jié)壓。
[0013]上述金氧半場效晶體管熱阻測試裝置通過在第二電流源和被測金氧半場效晶體管之間加入二極管，在加熱階段時不影響所述第二電流源向所述被測金氧半場效晶體管的漏極提供加熱電流，而在測試階段，所述二極管可以屏蔽所述第二電流源的泄露信號對測試信號的干擾，可以提高測試的準確性，同時無需串聯(lián)焊接兩個被測金氧半場效晶體管，可以適用同個電路有多個金氧半場效晶體管的情況，從而使得測試效率比較高。
[0014]一種金氧半場效晶體管熱阻測試板，包括:
[0015]柵極焊接口，漏極焊接口，源極焊接口、第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤、第四焊盤、第五焊盤和所述二極管；
[0016]所述柵極焊接口與所述金氧半場效晶體管的柵極連接，所述漏極焊接口與所述金氧半場效晶體管的漏極連接，所述源極焊接口與所述金氧半場效晶體管的源極連接；
[0017]所述柵極焊接口通過傳輸線連接所述第一焊盤，所述第一焊盤連接所述電壓源正極；
[0018]所述漏極焊接口通過所述傳輸線連接所述二極管的負極，所述二極管的正極通過所述第二焊盤連接所述第二電流源正極；
[0019]所述漏極焊接口通過所述傳輸線連接所述第三焊盤，所述第三焊盤連接所述第一電流源正極；
[0020]所述漏極焊接口通過所述傳輸線連接所述第四焊盤，所述第四焊盤連接所述電壓測量裝置正極；
[0021]所述源極焊接口通過所述傳輸線連接所述第五焊盤，所述第五焊盤連接所述電壓測量裝置負極；
[0022]所述源極焊接口通過傳輸線分別連接所述電壓源負極、第二電流源負極、第一電流源負極。
[0023]上述金氧半場效晶體管熱阻測試板提供所述柵極焊接口、漏極焊接口、源極焊接口、第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤、第四焊盤、第五焊盤，利用該測試板可以使得對金氧半場效晶體管熱阻測量更便捷和快速，提高測試效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為一實施例金氧半場效晶體管熱阻測試裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為一實施例金氧半場效晶體管熱阻測試板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為另一實施例金氧半場效晶體管熱阻測試板結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖對本實用新型的金氧半場效晶體管熱阻測試裝置和金氧半場效晶體管熱阻測試板的【具體實施方式】作詳細描述。
[0028]請參閱圖1，圖1為一實施例金氧半場效晶體管熱阻測試裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]一種金氧半場效晶體管熱阻測試裝置，包括:
[0030]電壓源110、第一電流源120、第二電流源130、二極管140和電壓測量裝置150 ；
[0031]所述電壓源110的正負極分別連接被測金氧半場效晶體管的柵極和源極；
[0032]所述第一電流源120的正負極分別連接所述被測金氧半場效晶體管的漏極和源極；
[0033]所述第二電流源130的正極通過所述二極管140連接所述被測金氧半場效晶體管的漏極，其中，所述第二電流源130的負極連接源極，所述二極管140的負極連接漏極；
[0034]所述電壓測量裝置150分別連接所述被測金氧半場效晶體管的源極和漏極；
[0035]所述電壓源110用于向所述被測金氧半場效晶體管的柵極施加正向電壓，所述第一電流源120用于向所述被測金氧半場效晶體管提供由源極到漏極方向的反向電流；所述第二電流源130通過所述二極管140向所述被測金氧半場效晶體管提供單向的加熱電流，所述二極管140用于屏蔽所述第二電流源130的泄漏信號；所述電壓測量裝置150用于測量所述被測金氧半場效晶體管漏極和源極之間的反向二極管的結(jié)壓。
[0036]上述金氧半場效晶體管熱阻測試裝置通過在第二電流源130和被測金氧半場效晶體管之間加入二極管140，在加熱階段時不影響所述第二電流源130向所述被測金氧半場效晶體管的漏極提供加熱電流，而在測試階段，所述二極管140可以屏蔽所述第二電流源130的泄露信號對測試信號的干擾，可以使得測試準確性比較高，同時也可以適用同個電路有多個金氧半場效晶體管的場合從而使得測試效率比較高。
[0037]在一實施例中，所述電壓源可以為30V電壓源。
[0038]所述電壓源采用30V的電壓源可以更快的使金氧半場效晶體管溝道打開。
[0039]在一實施例中，所述第一電流源可以為10mA電流源。
[0040]所述第一電流源采用10mA電流源，所述10mA電流源提供的反向電流不會造成因反向電流過小而測不到反向二極管的結(jié)壓的結(jié)果。
[0041]在一實施例中，所述第二電流源可以為5A電流源。
[0042]所述第二電流源采用5A電流源可以使得對金氧半場效晶體管加熱的效率更高。
[0043]請參閱圖2，圖2為一實施例金氧半場效晶體管熱阻測試板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]一種金氧半場效晶體管熱阻測試板，包括:
[0045]柵極焊接口 310，漏極焊接口 320，源極焊接口 330、第一焊盤340、第二焊盤350、第三焊盤360、第四焊盤370、第五焊盤390和所述二極管380 ；
[0046]所述柵極焊接口 310與所述金氧半場效晶體管的柵極連接，所述漏極焊接口 320與所述金氧半場效晶體管的漏極連接，所述源極焊接口 330與所述金氧半場效晶體管的源極連接；
[0047]所述柵極焊接口 310通過傳輸線連接所述第一焊盤340，所述第一焊盤340連接所述電壓源110正極；
[0048]所述漏極焊接口 320通過所述傳輸線連接所述二極管380的負極，所述二極管380的正極通過所述第二焊盤350連接所述第二電流源130正極；
[0049]所述漏極焊接口 320通過所述傳輸線連接所述第三焊盤360，所述第三焊盤360連接所述第一電流源120正極；
[0050]所述漏極焊接口 320通過所述傳輸線連接所述第四焊盤370，所述第四焊盤370連接所述電壓測量裝置150正極；
[0051 ] 所述源極焊接口 320通過所述傳輸線連接所述第五焊盤390，所述第五焊盤390連接所述電壓測量裝置150負極；
[0052]所述源極焊接口 330通過傳輸線分別連接所述電壓源110負極、第二電流源130負極、第一電流源120負極。
[0053]上述金氧半場效晶體管熱阻測試板通過提供所述柵極焊接口 310、漏極焊接口320、源極焊接口 330、第一焊盤340、第二焊盤350、第三焊盤360、第四焊盤370、第五焊盤390可以使得對金氧半場效晶體管熱阻測量更便捷和快速，提高測試效率。
[0054]在一實施例中，所述第一焊盤340、第二焊盤350、第三焊盤360、第四焊盤370和/或第五焊盤390可以為方形焊盤。
[0055]方形焊盤在焊接時更方便，更有效率，從而可以使得金氧半場效晶體管熱阻測試效率更高。
[0056]為了更進一步的詳細解釋本實用新型金氧半場效晶體管熱阻測試板，下面將結(jié)合具體應(yīng)用實例進行說明。
[0057]本具體應(yīng)用實例的所述第二電流源采用5A電流源，所述第一電流源采用1mA電流源，電壓源采用15V電壓源。
[0058]請參閱圖3，圖3為另一實施例金氧半場效晶體管熱阻測試板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0059]在進行將金氧半場效晶體管熱阻測試時，將4根線纜包括:加熱電壓線纜410、加熱電流線纜420、測試電流線纜430、采集信號線纜440分別焊接于測試板的焊盤上。其中所述加熱電壓線纜410連接15V電壓源；所述加熱電流線纜420連接5A電流源；所述測試電流線纜430連接1mA電流源；采集信號線纜440連接測試設(shè)備的信號采集端。
[0060]在焊接所述加熱電壓線纜410、加熱電流線纜420、測試電流線纜430、采集信號線纜440后，通過固定孔450上的固定線纜用的綁帶460，使線纜固定于測試板中；然后將待測的金氧半場效晶體管的柵極G，漏極D，源級S按照如圖所示位置安裝，即可對待測的金氧半場效晶體管進行熱阻測試。每次測試只需一個器件，而且更換便捷，同時又避免了泄漏信號對測試的影響。
[0061]需要聲明的是，在本實用新型的金氧半場效晶體管熱阻測試裝置和測試板中，并不限定于上述優(yōu)選實施例中闡述的技術(shù)方案，也可以采用其它形式的技術(shù)方案，可實現(xiàn)測試效率比較高的效果。
[0062]以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種金氧半場效晶體管熱阻測試裝置，其特征在于，包括: 電壓源、第一電流源、第二電流源、二極管和電壓測量裝置； 所述電壓源的正負極分別連接被測金氧半場效晶體管的柵極和源極； 所述第一電流源的正負極分別連接所述被測金氧半場效晶體管的漏極和源極； 所述第二電流源的正極通過所述二極管連接所述被測金氧半場效晶體管的漏極，其中，所述第二電流源的負極連接源極，所述二極管的負極連接漏極； 所述電壓測量裝置分別連接所述被測金氧半場效晶體管的源極和漏極； 所述電壓源用于向所述被測金氧半場效晶體管的柵極施加正向電壓，所述第一電流源用于向所述被測金氧半場效晶體管提供由源極到漏極方向的反向電流；所述第二電流源通過所述二極管向所述被測金氧半場效晶體管提供單向的加熱電流，所述二極管用于屏蔽所述第二電流源在測試時產(chǎn)生的泄漏信號；所述電壓測量裝置用于測量所述被測金氧半場效晶體管漏極和源極之間的反向二極管的結(jié)壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金氧半場效晶體管熱阻測試裝置，其特征在于，所述電壓源為30V電壓源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金氧半場效晶體管熱阻測試裝置，其特征在于，所述第一電流源為10mA電流源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金氧半場效晶體管熱阻測試裝置，其特征在于，所述第二電流源為5A電流源。
5.一種金氧半場效晶體管熱阻測試板，其特征在于，包括: 柵極焊接口，漏極焊接口，源極焊接口、第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤、第四焊盤、第五焊盤和二極管； 所述柵極焊接口與所述金氧半場效晶體管的柵極連接，所述漏極焊接口與所述金氧半場效晶體管的漏極連接，所述源極焊接口與所述金氧半場效晶體管的源極連接； 所述柵極焊接口通過傳輸線連接所述第一焊盤，所述第一焊盤連接電壓源正極；所述漏極焊接口通過所述傳輸線連接所述二極管的負極，所述二極管的正極通過所述第二焊盤連接第二電流源正極； 所述漏極焊接口通過所述傳輸線連接所述第三焊盤，所述第三焊盤連接第一電流源正極； 所述漏極焊接口通過所述傳輸線連接所述第四焊盤，所述第四焊盤連接所述電壓測量裝置正極； 所述源極焊接口通過所述傳輸線連接所述第五焊盤，所述第五焊盤連接所述電壓測量裝置負極； 所述源極焊接口通過傳輸線分別連接所述電壓源負極、第二電流源負極、第一電流源負極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金氧半場效晶體管熱阻測試板，其特征在于，所述第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤、第四焊盤和/或第五焊盤為方形焊盤。
【文檔編號】G01R31/26GK204215001SQ201420623733
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月24日
【發(fā)明者】李汝冠, 周斌, 何小琦, 游金程, 曾暢, 廖雪陽 申請人:工業(yè)和信息化部電子第五研究所