一種mos場(chǎng)效晶體管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及MOS技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種MOS場(chǎng)效晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。傳統(tǒng)的MOS管轉(zhuǎn)換效率低，發(fā)熱嚴(yán)重，散熱性不好，穩(wěn)定性不好。
[0003]基于以上原因，需要一種MOS場(chǎng)效晶體管，可以有效提升期工作性能，有良好的散熱性能，利于電流的傳導(dǎo)，大大降低了感抗和阻抗。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種MOS場(chǎng)效晶體管。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種MOS場(chǎng)效晶體管，包括:源極、漏極銅片、柵極和PCB銅箔，所述源極下方設(shè)置有所述PCB銅箔，所述源極上方設(shè)置有硅片，所述硅片下方設(shè)置有所述柵極，所述硅片上方設(shè)置有所述漏極銅片，所述漏極銅片與裸片黏合材料相連接。
[0007]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，所述源極與所述PCB銅箔和所述硅片相連接。
[0008]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，所述硅片下方與所述柵極相連接，所述硅片上方與所述漏極銅片相連接。
[0009]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，所述漏極銅片通過(guò)所述裸片黏合材料與所述硅片相黏合。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:該MOS場(chǎng)效晶體管有效的提高了傳導(dǎo)效率，大大提升了穩(wěn)定性，有利于工作的進(jìn)行，具有了良好的散熱效果，沒(méi)有引腳，避免了引腳經(jīng)常斷裂的情況，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理。
【附圖說(shuō)明】
[0011]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0012]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)圖。
[0013]1、源極，2、PCB銅箔，3、柵極，4、漏極銅片，5、硅片，6、裸片黏合材料。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0015]如圖1所示，一種MOS場(chǎng)效晶體管，包括:源極1、漏極銅片4、柵極3和PCB銅箔2，源極I下方設(shè)置有PCB銅箔2，源極I上方設(shè)置有硅片5，硅片5下方設(shè)置有柵極3，硅片5上方設(shè)置有漏極銅片4，漏極銅片4與裸片黏合材料6相連接。
[0016]作為本實(shí)用新型一個(gè)較佳的實(shí)施例，如圖1所示，源極I與PCB銅箔2和硅片5相連接，電流通過(guò)兩邊的大墊片流到銅箔然后通過(guò)源極I的焊盤(pán)直接流向PCB，依靠大面積連接大大減少了電流的損耗，使其性能有效得到提高，硅片5下方與柵極3相連接，硅片5上集成大量的晶體管，可以快速準(zhǔn)確的進(jìn)行運(yùn)算，提高其工作效率，柵極3輸入電阻高、噪聲小、功耗低、安全工作區(qū)寬，有利于工作的穩(wěn)定性，硅片5上方與漏極銅片4相連接，漏極銅片4通過(guò)裸片黏合材料6與硅片相黏合，黏合牢固，有利于電流的傳導(dǎo)，并且外部設(shè)置有銅金屬外殼覆蓋，轉(zhuǎn)換效率高，發(fā)熱量低，可以與設(shè)備直接黏合，有利于傳導(dǎo)電流，散熱效果好。
[0017]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MOS場(chǎng)效晶體管，包括:源極(1)、漏極銅片(4)、柵極(3)和PCB銅箔(2)，所述源極(I)下方設(shè)置有所述PCB銅箔(2 )，所述源極(I)上方設(shè)置有硅片(5 )，所述硅片(5 )下方設(shè)置有所述柵極(3 )，所述硅片(5 )上方設(shè)置有所述漏極銅片(4)，所述漏極銅片(4)與裸片黏合材料(6)相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOS場(chǎng)效晶體管，其特征在于:所述源極(I)與所述PCB銅箔(2)和所述硅片(5)相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOS場(chǎng)效晶體管，其特征在于:所述硅片(5)下方與所述柵極(3)相連接，所述硅片(5)上方與所述漏極銅片(4)相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOS場(chǎng)效晶體管，其特征在于:所述漏極銅片(4)通過(guò)所述裸片黏合材料(6)與所述硅片相黏合。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種MOS場(chǎng)效晶體管，包括：源極、漏極銅片、柵極和PCB銅箔，所述源極下方設(shè)置有所述PCB銅箔，所述源極上方設(shè)置有硅片，所述硅片下方設(shè)置有所述柵極，所述硅片上方設(shè)置有所述漏極銅片，所述漏極銅片與裸片黏合材料相連接。本實(shí)用新型的有益效果是：該MOS場(chǎng)效晶體管有效的提高了傳導(dǎo)效率，大大提升了穩(wěn)定性，有利于工作的進(jìn)行，具有了良好的散熱效果，沒(méi)有引腳，避免了引腳經(jīng)常斷裂的情況，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理。
【IPC分類(lèi)】H01L29/78, H01L23/48, H01L23/367
【公開(kāi)號(hào)】CN204857732
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520462615
【發(fā)明人】屠小慧
【申請(qǐng)人】屠小慧
【公開(kāi)日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年6月27日