1.一種基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于：所述基底為表面覆有多孔結(jié)構(gòu)石墨烯的絕緣襯底，金屬顆粒修飾于多孔結(jié)構(gòu)石墨烯表面；其中，多孔結(jié)構(gòu)石墨烯為多孔洞石墨烯膜或不連續(xù)的石墨烯晶疇。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于：所述多孔洞石墨烯膜由等離子體轟擊絕緣襯底上的石墨烯膜而成；不連續(xù)的石墨烯晶疇由化學(xué)氣相沉積CVD法在過渡金屬襯底上生長分立的石墨烯晶疇，再轉(zhuǎn)移到絕緣襯底上而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于：所述石墨烯薄膜為單層或少層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于：所述等離子體為氧氣、氬氣或氮?dú)獾牡入x子體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于：所述多孔洞石墨烯膜孔洞的孔徑為1nm～20μm；不連續(xù)的石墨烯晶疇大小為10nm～2μm，石墨烯晶疇之間的距離小于2μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于：所述絕緣襯底為SiO2/Si襯底或玻璃襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于：所述金屬顆粒為金、銀或銅，金屬顆粒直徑為20nm～500nm，金屬顆粒之間的距離為20nm～2μm。
8.一種基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底的制備方法，包括：
(1)通過CVD法在過渡金屬襯底上生長石墨烯膜，通過干法或濕法轉(zhuǎn)移到絕緣襯底上，再用等離子體轟擊石墨烯膜，得到表面覆有多孔結(jié)構(gòu)石墨烯的絕緣襯底；
或者通過PECVD法直接在絕緣襯底上生長石墨烯膜，再用等離子體轟擊石墨烯膜，得到表面覆有多孔結(jié)構(gòu)石墨烯的絕緣襯底；
或者將石墨烯粉體溶液旋涂到絕緣襯底上形成石墨烯膜，再用等離子體轟擊石墨烯膜，得到表面覆有多孔結(jié)構(gòu)石墨烯的絕緣襯底；
或者通過PECVD法直接在絕緣襯底上生長分立的石墨烯晶疇，得到表面覆有多孔結(jié)構(gòu)石墨烯的絕緣襯底；
或者通過CVD法直接在過渡金屬襯底上生長分立的石墨烯晶疇，通過干法或濕法轉(zhuǎn)移到絕緣襯底上，得到表面覆有多孔結(jié)構(gòu)石墨烯的絕緣襯底；
(2)將金屬顆粒溶于乙醇溶液中，通過勻膠機(jī)旋涂于多孔結(jié)構(gòu)石墨烯表面，再干燥，即得基于石墨烯的表面增強(qiáng)拉曼基底。