技術(shù)特征：

1.一種基于霍爾傳感效應(yīng)的保護(hù)壓板狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，包括：

步驟1.在保護(hù)壓板的連片上設(shè)置磁鐵，并在靠近所述保護(hù)壓板的屏柜本體上設(shè)置霍爾元件，其中，所述保護(hù)壓板設(shè)置在變電站中的電力屏柜上，且與屏柜本體連接，所述霍爾元件為單極型霍爾開(kāi)關(guān)；

步驟2.根據(jù)所述霍爾元件的觸發(fā)距離及釋放距離，調(diào)整各所述霍爾元件的位置；

步驟3.將所述霍爾元件接入霍爾開(kāi)關(guān)集成電路，并設(shè)置所述霍爾開(kāi)關(guān)集成電路輸出至上位機(jī)；

步驟4.根據(jù)所述霍爾開(kāi)關(guān)集成電路實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)所述保護(hù)壓板狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟1包括：

步驟1-1.判斷變電站中電力屏柜上的保護(hù)壓板的結(jié)構(gòu)類(lèi)型；

若所述保護(hù)壓板為分立式保護(hù)壓板，則進(jìn)入步驟1-2；

若所述保護(hù)壓板為線簧式保護(hù)壓板，則進(jìn)入步驟1-3；

步驟1-2.在各分立式保護(hù)壓板的連片上、面對(duì)屏柜的一面上設(shè)置磁鐵，在各分立式保護(hù)壓板的兩個(gè)立柱之間的屏柜本體上設(shè)置霍爾元件，進(jìn)入步驟2；

步驟1-3.在各線簧式保護(hù)壓板的連片的頂端設(shè)置磁體，并在靠近所述磁體的屏柜本體上設(shè)置霍爾元件，進(jìn)入步驟2。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，若所述保護(hù)壓板為分立式保護(hù)壓板，則所述步驟2包括：

根據(jù)式(1)確定設(shè)置在靠近所述分立式保護(hù)壓板處的霍爾元件的觸發(fā)距離D_cf和釋放距離D_sf：

$\left\{\begin{array}{c}\min (k_2\·D_{f1},D_{f2})\>D_{sf}\>D_{cf}\>k_1\·D_h\\ \begin{array}{cc}s.t.& D_h=D_0-D_1-D_2\end{array}\\ k_1=\sqrt{{(D_0+\mathrm{\Δ}d)}^2+{(d_3/2)}^2}/D_0\\ \sqrt{{(D_0+\mathrm{\Δ}d)}^2+{(d_3/2)}^2}/D_{f1}\<k_2\<1\\ D_{f1}=\sqrt{{(D_0-D_1-D_2)}^2+{\left(d_3\sin \right({\mathrm{\θ}}_f/2\left)\right)}^2}\\ D_{f2}=\sqrt{{(D_0-D_1-D_2)}^2+(d_4-d_3\sin {({\mathrm{\θ}}_f/2)}^2+{(d_3/2-d_3/2\·{\mathrm{cos\θ}}_f)}^2}\end{array}\right.---\left(1\right)$

式(1)中，D_h是保護(hù)壓板在投入狀態(tài)時(shí)霍爾元件與保護(hù)壓板的連片上的所述磁體的距離；D_f1是分立式保護(hù)壓板在退出狀態(tài)時(shí)時(shí)霍爾元件與分立式保護(hù)壓板的連片上的所述磁體的距離；k₁是霍爾元件的觸發(fā)系數(shù)且k₁大于1；△d是保護(hù)壓板的寬度；D_f2是分立式保護(hù)壓板在退出狀態(tài)時(shí)分立式保護(hù)壓板的連片上的所述磁體與設(shè)置在靠近鄰近分立式保護(hù)壓板處的霍爾元件間的距離；k₂是霍爾元件的釋放系數(shù)且k₂小于1；D₀是在保護(hù)壓板的連片上的螺帽緊固時(shí)，所述連片與屏柜本體之間的垂直距離；D₁是霍爾元件的厚度；D₂是磁體的厚度；d₃是屏柜本體上的保護(hù)壓板的兩個(gè)支柱間的中心距離；θ_f是連片從合上轉(zhuǎn)至最遠(yuǎn)端時(shí)旋轉(zhuǎn)的角度；d₄是相鄰兩個(gè)保護(hù)壓板下支柱的中心距離；

根據(jù)所述霍爾元件的觸發(fā)距離D_cf和釋放距離D_sf，調(diào)整各所述霍爾元件的位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，若所述保護(hù)壓板為線簧式保護(hù)壓板，則所述步驟2包括：

根據(jù)式(2)確定設(shè)置在靠近所述線簧式保護(hù)壓板處的霍爾元件的觸發(fā)距離D_cf¹和釋放距離D_sf¹：

$\left\{\begin{array}{c}\min (k_4\·D_{f3},D_{f4})\>{D_{sf}}^1\>{D_{cf}}^1\>k_3\·D_h\\ \begin{array}{cc}s.t.& D_h=D_0-D_1-D_2\end{array}\\ D_{f3}=\sqrt{{(D_0-D_1-D_2)}^2+{\left(\right(d_3+d_5\left)\sin \right({\mathrm{\θ}}_f/2\left)\right)}^2}\\ D_{f4}=\sqrt{{D_h}^2+{(d_4-(d_3+d_5){\mathrm{sin\θ}}_f/2)}^2+{\left(\right(d_3+d_5\left)\right(1-{\mathrm{cos\θ}}_f)/2)}^2}\end{array}\right.---\left(2\right)$

式(2)中，D_f3是線簧式保護(hù)壓板在退出狀態(tài)時(shí)霍爾元件與線簧式保護(hù)壓板的連片上的所述磁體的距離；D_f4是線簧式保護(hù)壓板在退出狀態(tài)時(shí)線簧式保護(hù)壓板的連片上的所述磁體與靠近鄰近線簧式保護(hù)壓板處的霍爾元件之間的距離；D_h是保護(hù)壓板在投入狀態(tài)時(shí)霍爾元件與保護(hù)壓板的連片上的所述磁體的距離；D₀是在保護(hù)壓板的連片上的螺帽緊固時(shí)，所述連片與屏柜本體之間的垂直距離；D₁是霍爾元件的厚度；D₂是磁體的厚度；d₃是屏柜本體上的保護(hù)壓板的兩個(gè)支柱間的中心距離；θ_f是連片從合上轉(zhuǎn)至最遠(yuǎn)端時(shí)旋轉(zhuǎn)的角度；d₄是相鄰兩個(gè)保護(hù)壓板下支柱的中心距離；d₅為磁體的寬度；k₃和k₄為可靠系數(shù)，k₃>1且k₄<1；

根據(jù)所述霍爾元件的觸發(fā)距離D_cf¹和釋放距離D_sf¹，調(diào)整各所述霍爾元件的位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟3中的所述將所述霍爾元件接入霍爾開(kāi)關(guān)集成電路，包括：

將所述霍爾元件的輸入端經(jīng)電阻R1連接至電源正極，組成支路一，且所述電源為所述霍爾元件提供電流；

將所述霍爾元件的輸出端與三極管的基極連接，組成支路二，且所述支路一及支路二之間連接有電阻R2；其中，所述三極管的集電極經(jīng)電阻R3連接至所述電源正極；

所述霍爾元件及所述三極管的發(fā)射極均連接至公共地電位，組成支路三；

在所述支路三與所述支路一之間連接電源電壓監(jiān)測(cè)繼電器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟3中的所述設(shè)置所述霍爾開(kāi)關(guān)集成電路輸出至上位機(jī)，包括：

將所述霍爾開(kāi)關(guān)集成電路中的電源電壓監(jiān)測(cè)繼電器的接點(diǎn)狀態(tài)輸出至上位機(jī)，并將所述三極管的集電極開(kāi)路門(mén)電路的電平輸出至所述上位機(jī)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟4包括：

4-1.所述上位機(jī)接收所述集電極開(kāi)路門(mén)電路的輸出電平及電源電壓監(jiān)測(cè)繼電器的接點(diǎn)狀態(tài)，監(jiān)控所述保護(hù)壓板的投切狀態(tài)；

4-2.根據(jù)所述集電極開(kāi)路門(mén)電路的輸出電平，監(jiān)控所述保護(hù)壓板的投切狀態(tài)，并在所述電源電壓消失時(shí)報(bào)警。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟4-1中的所述上位機(jī)接收所述集電極開(kāi)路門(mén)電路的輸出電平，包括：

當(dāng)所述保護(hù)壓板的連片未發(fā)生位移時(shí)，所述霍爾元件的輸出端開(kāi)路，電源電壓經(jīng)電阻R1和R2輸出至所述三極管的基極，使得所述三極管工作于飽和態(tài)，且所述三極管的集電極和發(fā)射極導(dǎo)通，集電極開(kāi)路門(mén)電路輸出電平小于1V，所述上位機(jī)接收該輸出電平；

當(dāng)所述保護(hù)壓板的連片發(fā)生位移時(shí)，所述霍爾元件輸出霍爾電勢(shì)，使得所述三極管工作于截止態(tài)，且所述三極管的集電極和發(fā)射極均斷開(kāi)，集電極開(kāi)路門(mén)電路輸出電平等于電源電壓值，所述上位機(jī)接收該輸出電平。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟1-3中的所述在各線簧式保護(hù)壓板的連片的頂端上設(shè)置磁體，包括：

將所述磁體設(shè)置在所述塑料外殼的頂端與所述連片頂端間的空隙中。

10.一種基于霍爾傳感效應(yīng)的保護(hù)壓板狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括：磁鐵、霍爾元件及上位機(jī)；

所述磁鐵設(shè)置在保護(hù)壓板的連片上，且所述磁鐵用于在所述連片發(fā)生位移時(shí)與所述霍爾元件之間產(chǎn)生磁場(chǎng)；其中，所述保護(hù)壓板設(shè)置在變電站中的電力屏柜上且與屏柜本體連接；

所述霍爾元件為單極型霍爾開(kāi)關(guān)，且所述霍爾元件設(shè)置在靠近所述保護(hù)壓板的屏柜本體上，所述霍爾元件上連接有霍爾開(kāi)關(guān)集成電路位機(jī)；以及所述霍爾元件在接受磁場(chǎng)并產(chǎn)生霍爾電動(dòng)勢(shì)，并將所述霍爾電動(dòng)勢(shì)輸出至所述上位機(jī)；

所述上位機(jī)與所述霍爾開(kāi)關(guān)集成電路輸出端連接，且所述上位機(jī)根據(jù)所述霍爾元件產(chǎn)生的霍爾電動(dòng)勢(shì)對(duì)所述保護(hù)壓板進(jìn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)。