本發(fā)明涉及超導(dǎo)體監(jiān)測領(lǐng)域，特別是涉及一種抗磁測量探頭、抗磁測量桿及抗磁測量裝置。

背景技術(shù)：

邁斯納效應(yīng)是實驗上判定一個材料是否為超導(dǎo)體的重要要素。邁斯納效應(yīng)指明了超導(dǎo)態(tài)是一個動態(tài)平衡狀態(tài)，與如何進入超導(dǎo)態(tài)的途徑無關(guān)，超導(dǎo)態(tài)的零電阻現(xiàn)象和邁斯納效應(yīng)是超導(dǎo)態(tài)的兩個相互獨立，又相互聯(lián)系的基本屬性。單純的零電阻并不能保證邁斯納效應(yīng)的存在，但零電阻效應(yīng)又是邁斯納效應(yīng)的必要條件。因此，衡量一種材料是否是超導(dǎo)體，必須看是否同時具備零電阻和邁斯納效應(yīng)。

當(dāng)一個磁體和一個處于超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體相互靠近時，磁體的磁場會使超導(dǎo)體表面中出現(xiàn)超導(dǎo)電流。此超導(dǎo)電流在超導(dǎo)體內(nèi)部形成的磁場，恰好和磁體的磁場大小相等，方向相反。這兩個磁場抵消，使超導(dǎo)體內(nèi)部的磁感應(yīng)強度為零。即完全抗磁性。具有完全抗磁性的物體磁場無法穿過，會使得其附近的線圈互感降低。這種現(xiàn)象即為邁斯納效應(yīng)。

傳統(tǒng)的抗磁測量裝置是將兩個線圈放置在超導(dǎo)樣品兩側(cè)來測量互感。傳統(tǒng)的測量方法只能用于測量不依附于襯底的超導(dǎo)樣品。而對于生長在絕緣襯底上的薄膜超導(dǎo)材料，在襯底的一側(cè)無法放置線圈，導(dǎo)致無法測量互感。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對傳統(tǒng)的抗磁測量裝置無法測量生長在絕緣襯底上的薄膜超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)的問題，提供一種抗磁測量探頭、抗磁測量桿及抗磁測量裝置。

一種抗磁測量探頭，用于測量超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)，包括絕緣棒，繞置于所述絕緣棒的導(dǎo)電線圈，密封所述導(dǎo)電線圈的密封層；

所述導(dǎo)電線圈包括第一導(dǎo)電線圈和第二導(dǎo)電線圈，所述第二導(dǎo)電線圈用以提供磁場，所述第一導(dǎo)電線圈靠近所述第二導(dǎo)電線圈設(shè)置，用以監(jiān)測感應(yīng)電動勢的變化。

在一個實施例中，所述第一導(dǎo)電線圈和所述第二導(dǎo)電線圈同軸設(shè)置。

在一個實施例中，以所述絕緣棒為軸心，所述第一導(dǎo)電線圈環(huán)繞所述絕緣棒設(shè)置，所述第二導(dǎo)電線圈環(huán)繞所述第一導(dǎo)電線圈設(shè)置；

所述密封層將所述第一導(dǎo)電線圈和所述第二導(dǎo)電線圈密封。

在一個實施例中，所述第一導(dǎo)電線圈至少500匝，所述第一導(dǎo)電線圈與所述第二導(dǎo)電線圈的匝數(shù)比為1:1-5:1。

在一個實施例中，所述絕緣棒為陶瓷棒，所述絕緣棒的直徑為0.5mm-2mm，所述導(dǎo)電線圈為漆包銅線，所述漆包銅線的直徑為25-50um。

在一個實施例中，所述待測超導(dǎo)體為設(shè)置在絕緣襯底上的薄膜超導(dǎo)材料，所述第一導(dǎo)電線圈和所述第二導(dǎo)電線圈設(shè)置在薄膜超導(dǎo)材料遠離絕緣襯底的一側(cè)。

一種抗磁測量桿，用于原位測量超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)，包括上述任一所述的抗磁測量探頭、連接件和支撐件，所述連接件的一端與所述絕緣棒固定連接，所述連接件的另一端與所述支撐件固定連接。

在一個實施例中，所述連接件為夾板，所述支撐件為磁力桿；通過所述夾板將所述抗磁測量探頭固定于所述磁力桿，所述磁力桿帶動所述抗磁測量探頭移動以實現(xiàn)原位測量。

一種抗磁測量裝置，包括上述任一所述的抗磁測量桿、與所述第一導(dǎo)電線圈電連接的測量設(shè)備、與所述第二導(dǎo)電線圈電連接的供電設(shè)備，所述測量設(shè)備與所述供電設(shè)備之間通信連接，用以監(jiān)測所述測量設(shè)備與所述供電設(shè)備交流電壓之間的相位差。

在一個實施例中，所述供電設(shè)備與所述測量設(shè)備集成于一鎖相放大器，所述第一導(dǎo)電線圈與所述鎖相放大器的參考信號相連，所述第二導(dǎo)電線圈與所述鎖相放大器的輸入信號相連。

上述抗磁測量探頭、抗磁測量桿及抗磁測量裝置，用于測量超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)。所述抗磁測量探頭的所述導(dǎo)電線圈包括第一導(dǎo)電線圈和第二導(dǎo)電線圈。以所述絕緣棒為軸心，所述第一導(dǎo)電線圈直接繞置于所述絕緣棒。所述第二導(dǎo)電線圈繞置于所述第一導(dǎo)電線圈。所述密封層將所述第一導(dǎo)電線圈和所述第二導(dǎo)電線圈密封于所述絕緣棒。所述第一導(dǎo)電線圈和所述第二導(dǎo)電線圈的設(shè)置方式使所述抗磁測量探頭能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的原位測量生長在絕緣襯底上的薄膜超導(dǎo)材料邁斯納效應(yīng)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一個實施例提供的抗磁測量探頭的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一個實施例提供的抗磁測量探頭中導(dǎo)電線圈的纏繞方式示意圖；

圖3為本發(fā)明一個實施例提供的抗磁測量桿的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一個實施例提供的抗磁測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一個實施例提供的超導(dǎo)體樣品的邁斯納效應(yīng)測試圖。

主要元件符號說明

抗磁探頭 10

抗磁測量桿 20

抗磁測量裝置 30

絕緣棒 110

導(dǎo)電線圈 200

第一導(dǎo)電線圈 210

第二導(dǎo)電線圈 220

密封層 310

連接件 410

支撐件 420

測量設(shè)備 510

供電設(shè)備 520

具體實施方式

為了使本發(fā)明的發(fā)明目的、技術(shù)方案及技術(shù)效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的抗磁測量探頭、抗磁測量桿及抗磁測量裝置的實施例進行具體描述。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請參閱圖1-2，本發(fā)明提供一種抗磁測量探頭10，用于測量超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)。所述抗磁測量探頭10能夠測量襯底是絕緣材料的薄膜超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)。所述抗磁測量探頭10包括絕緣棒110、導(dǎo)電線圈200和密封層310。所述導(dǎo)電線圈200纏繞于所述絕緣棒110。所述密封層310將所述導(dǎo)電線圈200密封于所述絕緣棒110。

所述絕緣棒110為所述導(dǎo)電線圈200提供中心支撐。所述絕緣棒110的材質(zhì)并不限制，只要有一定機械強度，能夠承受所述導(dǎo)電線圈200的重量并能夠完全密封即可。在一個實施例中，所述絕緣棒110可以為陶瓷棒，所述陶瓷棒的材質(zhì)是剛玉。主要由于剛玉的絕緣性好，有一定機械強度，且在超高真空中不漏氣。所述絕緣棒110的形狀并不限制，只要能夠保證所述導(dǎo)電線圈200纏繞后，不會損壞即可。優(yōu)選地，所述絕緣棒110可以為圓柱形。所述絕緣棒110選擇圓柱形，避免了所述導(dǎo)電線圈200在纏繞過程中不必要的彎折，保證了所述導(dǎo)電線圈200的使用壽命。所述絕緣棒110的直徑并不限制，根據(jù)具體的測量樣品不同，所述絕緣棒110可以選擇不同的直徑。在一個實施例中，所述絕緣棒110的直徑為0.5mm-2mm。在所述絕緣棒110的直徑選取過程中還要考慮機械強度。所述絕緣棒110的直徑可以根據(jù)測試樣品的尺寸大小而選擇。為避免影響測量精度，所述絕緣棒110的直徑選取應(yīng)與測量樣品的尺寸相差不大。在一個實施例中，所述絕緣棒110的直徑為1mm，用于測量表面積為1mm*1mm到5mm*5mm的測試樣品。

所述導(dǎo)電線圈200包括第一導(dǎo)電線圈210和第二導(dǎo)電線圈220。所述第二導(dǎo)電線圈220可用于通入交變電壓，以提供磁場。所述第一導(dǎo)電線圈210用于監(jiān)測感應(yīng)電動勢變化。當(dāng)待測超導(dǎo)體為襯底是絕緣材料的薄膜超導(dǎo)體時，所述第一導(dǎo)電線圈210和所述第二導(dǎo)電線圈220設(shè)置于超導(dǎo)體的同側(cè)。所述第一導(dǎo)電線圈210靠近所述第二導(dǎo)電線圈220設(shè)置。所述第一導(dǎo)電線圈210和所述第二導(dǎo)電線圈220的相對位置并不做具體的限定，只要保證所述第一導(dǎo)電線圈210能夠監(jiān)測到感應(yīng)電動勢的變化即可。所述第一導(dǎo)電線圈210和所述第二導(dǎo)電線圈220可以同軸設(shè)置，也可以分開設(shè)置。當(dāng)所述第二導(dǎo)電線圈220通入交變電壓以后，所述第二導(dǎo)電線圈220就會產(chǎn)生第一磁場。所述第一磁場靠近超導(dǎo)體表面時，超導(dǎo)體表面會產(chǎn)生超導(dǎo)電流，此超導(dǎo)電流在超導(dǎo)體內(nèi)部形成第二磁場。所述第一磁場與所述第二磁場大小相等，方向相反。這兩個磁場相互抵消，使超導(dǎo)體內(nèi)部的磁感應(yīng)強度為零。此時超導(dǎo)體處于完全抗磁狀態(tài)。處于完全抗磁狀態(tài)的超導(dǎo)體使附近的線圈互感降低。此時所述第一導(dǎo)電線圈210可測量到感應(yīng)電動勢降低。。

在一個實施例中，所述導(dǎo)電線圈200為具有絕緣層的導(dǎo)線，即在所述導(dǎo)電線圈200兩端通交變電壓就能夠產(chǎn)生磁場。所述導(dǎo)電線圈200包括第一導(dǎo)電線圈210和第二導(dǎo)電線圈220。所述第一導(dǎo)電線圈210具有第一入線頭和第一出線頭。以所述絕緣棒110為軸心，所述第一導(dǎo)電線圈210直接繞置于所述絕緣棒110。在繞置過程中，將所述第一導(dǎo)電線圈210的第一入線頭固定在所述絕緣棒110的第一端，之后轉(zhuǎn)動所述絕緣棒110使得所述導(dǎo)電線圈200一圈一圈平鋪在所述絕緣棒110上。然后將所述導(dǎo)電線圈200搭在繞置好的第一層線圈上，進而使得第二層線圈反向平鋪在之前繞好的第一層線圈上。如此反復(fù)，可以一層一層地將所述導(dǎo)電線圈200繞在所述絕緣棒110上，形成所述第一導(dǎo)電線圈210，并留出第一出線頭。所述第一導(dǎo)電線圈210可以繞置多層，每一層可以繞置多匝。繞制過程中，盡量保證所述導(dǎo)電線圈200之間緊密接觸，使單位體積內(nèi)的匝數(shù)最多。所述第二導(dǎo)電線圈220的繞置過程與所述第一導(dǎo)電線圈210的繞置過程基本相似。將所述第二導(dǎo)電線圈220的第二入線頭固定在所述第一導(dǎo)電線圈210的第一端，之后轉(zhuǎn)動所述絕緣棒110使得所述第二導(dǎo)電線圈220一圈一圈平鋪在所述第一導(dǎo)電線圈210上。所述第二導(dǎo)電線圈220可以繞置多層，每一層可以繞置多匝。所述第二導(dǎo)電線圈220的層與層之間的繞線方式與所述第一導(dǎo)電線圈210的層與層之間的繞線方式一致。同樣地，將所述第二導(dǎo)電線圈220一層一層地繞置于所述第一導(dǎo)電線圈210上，并留出第二出線頭。繞置完成后，從所述絕緣棒110的第一端看向第二端，所述第一導(dǎo)電線圈210的每一層的繞制方向相同。從所述絕緣棒110的第一端看向第二端，所述第一導(dǎo)電線圈210的每一層的繞制方向相同。所述第一導(dǎo)電線圈210與所述第一導(dǎo)電線圈210的繞制方向并不一定相同。在一個實施例中，所述導(dǎo)電線圈200通過繞線機繞制。所述繞線機可以自動旋轉(zhuǎn)所述絕緣棒110，從而使所述導(dǎo)電線圈200一圈一圈卷在所述絕緣棒110上。所述密封層310將所述導(dǎo)電線圈200密封于所述絕緣棒110。在一個實施例中，所述密封層310將所述第一導(dǎo)電線圈210和所述第二導(dǎo)電線圈220密封于所述絕緣棒110。所述密封層310采用密封膠將所述導(dǎo)電線圈200密封。所述密封層310的厚度并不限制，只要能夠保證所述抗磁測量探頭10在超高真空下不漏氣能夠?qū)崿F(xiàn)原位測量即可。在一個實施例中，所述密封層310的厚度1-3mm。具體的，密封膠可以選擇進口真空密封膠、Torrseal真空密封膠、Vacseal真空密封膠、Agilent真空密封膠等，耐高溫耐低溫的真空密封膠。所述真空密封膠，用于快速、永久性的真空泄露密封。

具體的，所述導(dǎo)電線圈200的材質(zhì)并不限制，所述導(dǎo)電線圈200的導(dǎo)電性能越高越好。所述導(dǎo)電線圈200可以選擇銀導(dǎo)線、銅導(dǎo)線。所述導(dǎo)電線圈200具有絕緣層，如漆包線。所述導(dǎo)電線圈200具有一定的機械強度。所述導(dǎo)電線圈200的直徑并不限制，能夠完成所述第一導(dǎo)電線圈210和所述第二導(dǎo)電線圈220的繞置，并能夠正常工作即可。所述導(dǎo)電線圈200的直徑可以為25-50um。在一個實施例中，所述導(dǎo)電線圈200為漆包銅線，所述漆包銅線的直徑范圍為25um。本實施例中，選取漆包銅線作為所述導(dǎo)電線圈200主要考慮到經(jīng)濟成本的問題。所述導(dǎo)電線圈200的直徑選為25um，既滿足了繞置過程中的機械承受力，又滿足了單位體積繞置匝數(shù)高的需求。

在理想狀態(tài)下所述導(dǎo)電線圈200不論有多少匝都能感測到邁斯納效應(yīng)。所述導(dǎo)電圈數(shù)的匝數(shù)越多信噪比越高，測量精度越高。在測試過程中，只要保證信噪比到達一定程度即可明顯看到邁斯納效應(yīng)。在一個實施例中，直接繞置于所述絕緣棒110的所述第一導(dǎo)電線圈210至少500匝。在實際測量過程中，所述第一導(dǎo)電線圈210為測量線圈，所述第二導(dǎo)電線圈220為勵磁線圈。所述激勵線圈的匝數(shù)越多，產(chǎn)生的交變磁場越大。在一個實施例中，所述第一導(dǎo)電線圈210與所述第二導(dǎo)電線圈220的匝數(shù)比為1:1-5:1。對于所述第一導(dǎo)電線圈210和所述第二導(dǎo)電線圈220選擇合適的匝數(shù)比，使所述導(dǎo)電線圈200能夠保證合適的直徑。所述抗磁測量探頭10的直徑能夠保證與測量樣品的尺寸相匹配。

在一個實施例中，所述導(dǎo)電線圈200可以選擇直徑為25um的漆包銅線。所述絕緣棒110的直徑可以選擇1mm的陶瓷棒。所述導(dǎo)電線圈200纏繞設(shè)置在所述陶瓷棒的一端。所述第一導(dǎo)電線圈210纏繞所述絕緣棒110共600匝。所述第二導(dǎo)電線圈220纏繞所述第一導(dǎo)電線圈210共200匝。所述抗磁測量探頭10的最終直徑為3mm。所述密封層310選用Torrseal膠將所述導(dǎo)電線圈200圍繞所述絕緣棒110密封，從而制成所述抗磁測量探頭10。所述抗磁測量探頭10的尺寸很小，測量精度高。

在使用過程中，將所述抗磁測量探頭10放置于待測樣品的上方，并且使所述第二導(dǎo)電線圈220產(chǎn)生的磁場能夠覆蓋到待測樣品。較優(yōu)地，所述抗磁測量探頭10與待測樣品間隔一定的角度。最優(yōu)地，將所述抗磁測量探頭10與待測樣品垂直設(shè)置。即所述絕緣棒110與待測樣品表面垂直。所述抗磁測量探頭到待測樣品的距離小于可以0.5mm。但所述抗磁測量探頭與所述待測樣品表面并不接觸。

另外，由于超導(dǎo)體的生長和測量所依賴的環(huán)境因素很苛刻，超導(dǎo)體一旦暴露在生長環(huán)境外部，超導(dǎo)特性很可能消失。所述密封層310的設(shè)置，使所述抗磁測量探頭10能夠承受原位測量的實驗條件。由于所述絕緣棒110的直徑可以選擇1mm的陶瓷棒。所述導(dǎo)電線圈200可以選擇直徑為25um的漆包銅線。因此，所述抗磁測量探頭10能夠?qū)崿F(xiàn)超小尺寸的待測樣品邁斯納效應(yīng)的測量。

請參閱圖3，本發(fā)明提供一種抗磁測量探桿20，包括所述抗磁測量探頭10、連接件410和支撐件420。

所述連接件410用于連接所述抗磁測量探頭10與所述支撐件420。所述連接件410可以是套設(shè)于所述抗磁測量探頭10與所述支撐件420的卡合件或螺紋固定件?？梢岳斫?，所述連接件410的具體形式并不限制只要能夠?qū)⑺隹勾艤y量探頭10與所述支撐件420固定連接即可。

所述支撐件420用于固定并支撐所述抗磁測量探頭10。所述支撐件420可以將所述抗磁測量探頭10伸入超導(dǎo)體的制備腔體。所述支撐件420的具體形狀和具體長度并不限制，在具體的應(yīng)用過程中可以單獨配置。

在一個實施例中，所述連接件410為夾板，所述支撐件420為磁力桿。通過所述夾板將所述抗磁測量探頭10固定于所述磁力桿。所述磁力桿帶動所述抗磁測量探頭10移動以實現(xiàn)原位測量。具體的所述夾板和所述磁力桿的材質(zhì)和規(guī)格并不做具體的限定，只要能夠幫助所述抗磁測量探頭10實現(xiàn)原位測量超導(dǎo)體材料的邁斯納效應(yīng)即可。在實現(xiàn)原位測量過程中，先將所述抗磁測量探頭10通過所述連接件410和所述支撐件420設(shè)置于待測樣品的生長環(huán)境。待超導(dǎo)體實驗完成以后，通過所述支撐件420的移動，帶動所述抗磁測量探頭10的移動。使所述抗磁測量探頭10位于待測樣品的測試位。所述的測試位就是所述抗磁測量探頭10和待測樣品相對垂直的位置。

在一個實施例中，所述絕緣棒110預(yù)留出一定長度，將所述導(dǎo)電線圈200繞置于所述絕緣棒110的一端。在所述導(dǎo)電線圈200的外周設(shè)置好所述密封層310，以形成所述抗磁測量探頭10。將預(yù)留出一定長度的所述絕緣棒110的另一端固定設(shè)置于所述夾板。用機械的方法夾住所述絕緣棒110預(yù)留的長度以固定所述抗磁測量探頭10。所述夾板與所述磁力桿連接，所述第一導(dǎo)電線圈210的第一入線頭、第一出線頭和所述第二導(dǎo)電線圈220的第二入線頭、第二出線頭可以連接到所述磁力桿對應(yīng)的電極上。通過所述磁力桿相應(yīng)的外部連接線，將所述第一導(dǎo)電線圈210和所述第二導(dǎo)電線圈220與外界連通。

請參閱圖4，本發(fā)明提供一種抗磁測量裝置30。所述抗磁測量裝置30包括：所述的抗磁測量桿20、測量設(shè)備510、供電設(shè)備520。

所述測量設(shè)備510與所述第一導(dǎo)電線圈210電連接。所述測量設(shè)備510測量所述第一導(dǎo)電線圈210的感應(yīng)電動勢。在一個實施例中，所述測量設(shè)備510為示波器或萬用表，用以測量所述第一導(dǎo)電線圈210的感應(yīng)電動勢。

所述供電設(shè)備520與所述第二導(dǎo)電線圈220電連接。所述供電設(shè)備520為所述第二導(dǎo)電線圈220供電。在一個實施例中，所述供電設(shè)備520為交流電源，用以為所述第二導(dǎo)電線圈220提供交流電壓。所述供電設(shè)備520可以提供1-5V的交流電壓。交流電壓的設(shè)置可以根據(jù)具體情況進行選擇。但需要考慮到，交流電壓過高會產(chǎn)生熱量不利于邁斯納效應(yīng)的測試。在一個實施例中，交流電壓的頻率可以是20Hz到100kHz，所述第一導(dǎo)電線圈210都能夠接收互感電動勢，同時又可以濾除噪聲。

所述測量設(shè)備510與所述供電設(shè)備520之間可以連接示波器，用于監(jiān)測所述測量設(shè)備510與所述供電設(shè)備520交流電壓之間的相位差。

本實施例中，在使用過程中，利用所述抗磁測量桿20將所述抗磁測量探頭10推入反應(yīng)腔體中，測試樣品處，實現(xiàn)原位測量。將抗磁測量探頭10、測量設(shè)備510、供電設(shè)備520連接完畢。打開所述供電設(shè)備520為所述第二導(dǎo)電線圈220提供交變電壓，測量所述第一導(dǎo)電線圈210的感應(yīng)電動勢。這里需要說明的是，在所述測量設(shè)備510所測量的信號中，分為兩部分—實部信號和虛部信號。所述實部信號，是指測量到的與輸入信號同相位的信號。所述虛部信號是測量到的與輸入信號相差90度相位的信號。從物理含義上講，所述實部信號表示電路損耗，即電阻大小。而所述虛部信號表示電感信號，即可以從所述虛部信號直接得到互感大小。所以為了將測量到的信號的實部和虛部分開，所述測量設(shè)備510需要與所述供電設(shè)備520進行通訊，即兩個儀器需要連接。在一個實施例中可以通過示波器連接，所述示波器能夠監(jiān)測到輸入電壓和感應(yīng)電動勢之間的相位差。

在一個實施例中，所述抗磁測量裝置30包括所述抗磁測量桿20和鎖相放大器，所述第一導(dǎo)電線圈210與所述鎖相放大器的參考信號相連，所述第二導(dǎo)電線圈220與所述鎖相放大器的輸入信號相連。在使用過程中，與上述實施例相似。利用所述抗磁測量桿20將所述抗磁測量探頭10推入超導(dǎo)體制備腔體中，測試樣品處。將抗磁測量探頭10和鎖相放大器完成電連接。所述第二導(dǎo)電線圈220與所述鎖相放大器的輸入信號相連，用于為所述第二導(dǎo)電線圈220提供交流電壓。所述第一導(dǎo)電線圈210與所述鎖相放大器的參考信號相連，用于測試所述第一導(dǎo)電線圈210的感應(yīng)電動勢。所述鎖相放大器提供的交流電壓的特征可以與上述的相同。此處不再贅述。

請參閱圖5，超導(dǎo)體樣品的邁斯納效應(yīng)測試圖。在一個實施例中，采用所述抗磁測量裝置30測量超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)。本實施例中，所述抗磁測量探頭10的設(shè)置如下：所述絕緣棒110采用直徑1mm的陶瓷棒。設(shè)置所述第一導(dǎo)電線圈210環(huán)繞所述陶瓷棒600匝，所述第二導(dǎo)電線圈220環(huán)繞所述陶瓷棒200匝。所述導(dǎo)電線圈200為直徑是25um的漆包銅線。所述密封層310厚度為1mm。所測量的樣品表面積是3mm*3mm。具體實施方式如下：利用所述抗磁測量桿20將所述抗磁測量探頭10置于超導(dǎo)體的上方。打開所述鎖相放大器的輸入信號端，設(shè)置向所述第二導(dǎo)電線圈220中輸入10uA，10kHz的交變電流。此時顯示輸入的交流電壓為3V。保持所述第二導(dǎo)電線圈220的電流不變，降低溫度，并通過所述第一導(dǎo)電線圈210測量出感應(yīng)電動勢信號隨溫度的變化。需要說明的是，左側(cè)縱坐標虛部信號，即測量到的與輸入信號相差90度相位的信號，表示電感信號。右側(cè)縱坐標為實部信號，所述實部信號表示電路損耗，即電阻大小。

在測試過程中，所述供電設(shè)備520提供的交變電壓或交變電流可根據(jù)具體測試需求自行設(shè)置。圖5中可以看出，在超導(dǎo)體轉(zhuǎn)變溫度90開爾文附近，感應(yīng)電動勢顯著下降。說明本發(fā)明所提供的抗磁測量探頭10、所述抗磁測量桿20及所述抗磁測量裝置30的精度足以探測到超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)?？梢岳斫猓隹勾艤y量裝置30同樣能夠?qū)崿F(xiàn)原位測量超導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。