1.一種基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其包括：襯底、半導(dǎo)體材料層和微流控芯片；所述襯底上設(shè)置有所述半導(dǎo)體材料層；所述微流控芯片覆蓋在所述半導(dǎo)體材料層上，其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述襯底包括具有絕緣層的硅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料層是由半導(dǎo)體材料形成的層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料包括石墨烯、黑磷、碳納米管、二硫化鉬或有機(jī)半導(dǎo)體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料為石墨烯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一電極通道和所述第二電極通道以所述中央流道為對(duì)稱軸呈對(duì)稱分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一電極通道和所述第二電極通道的端部各自分別進(jìn)一步設(shè)置有低熔點(diǎn)金屬入口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述低熔點(diǎn)金屬層是由低熔點(diǎn)金屬形成的層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述低熔點(diǎn)金屬為錫銦合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)一步包括：若干電線，所述電線的一端分別設(shè)置于所述第一電極通道和所述第二電極通道的電線插口內(nèi)，并且至少部分位于所述低熔點(diǎn)金屬層之中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料層與所述中央流道接觸的區(qū)域覆蓋有離子液體，且所述離子液體與所述金屬電極接觸；所述金屬電極和所述離子液體形成離子液體柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述基于微流控芯片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)一步包括：夾具，所述夾具用于固定并夾緊所述襯底和所述微流控芯片。