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      銣光譜燈加熱線圈的制作方法

      文檔序號(hào):6140740閱讀:264來源:國知局
      專利名稱:銣光譜燈加熱線圈的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種銣光譜燈加熱線圈,尤其適用于原子頻率、標(biāo)準(zhǔn)。
      銣光譜燈加熱線圈直接用于光譜燈泡的加熱與溫度控制,在銣光譜燈中除加熱線圈外還有射頻激勵(lì)線圈,由射頻源提供的射頻信號(hào)在射頻線圈中形成射頻場以激勵(lì)銣光譜燈泡發(fā)出所需光譜,在現(xiàn)有技術(shù)中射頻線圈與加熱線圈均取水平方向繞在銣燈泡周圍,因此兩線圈構(gòu)成了一變壓器,加熱線圈由此途徑取走了射頻激勵(lì)線圈中的射頻能量。致使射頻源須提供更大的功率才能保證銣燈的正常工作,增大了射頻功耗。此外,加熱電流在加熱線圈中產(chǎn)生的磁場與銣原子頻標(biāo)中由恒流源產(chǎn)生的要求恒定的磁場一C場指向相同,直接迭加在C場上,當(dāng)加熱電流隨外界溫度變化時(shí)使C場隨外界溫度變化,從而使原子的精細(xì)躍遷頻率發(fā)生變化,導(dǎo)致銣原子標(biāo)的主要指標(biāo)—頻率穩(wěn)定度變壞。為了消除射頻激勵(lì)線圈和加熱線圈之間的耦合及由此造成的射頻功耗增大,C場不穩(wěn),有的采用雙線并繞的方式繞制加熱線圈,這種方法雖然能減小兩線圈間的耦合,但實(shí)際證明仍殘存有部分耦合,且這種殘存的耦合不容忽視。為此人們又加大加熱線圈的直徑使其比緊貼燈泡的射頻激勵(lì)線圈的直徑大得多,并且在垂直方向上拉開加熱線圈與射頻激勵(lì)線圈、C場線圈的距離,使射頻激勵(lì)線圈靠近燈泡頂部,加熱線圈靠近燈泡的底部,上述措施雖然解決了兩線圈間的耦合,但是同時(shí)帶來兩個(gè)弊病A、加熱線圈直徑增大拉大了發(fā)熱體—加熱線圈和被加熱體—銣燈泡間的距離,增大了熱阻、增大了熱功耗;B、加熱線圈靠近燈泡底部,使燈泡底部溫度高,頂部溫度低,則違背了燈泡頂部溫度高及底部溫度低的設(shè)計(jì)要求。
      本實(shí)用新型的目的是提供了一種銣光譜燈加熱線圈,使加熱線圈貼近燈泡繞制,減小了加熱功耗,消除了加熱線圈與射頻激勵(lì)線圈間的耦合,降低了射頻激勵(lì)功耗,減小了加熱線圈磁場對(duì)C場的影響。
      為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)措施射頻激勵(lì)線圈取水平繞向緊貼在銣光譜燈燈泡上,加熱線圈沿垂直方向繞在導(dǎo)熱性能好的環(huán)形襯套上,此襯套緊貼在射頻激勵(lì)線圈周圍,對(duì)銣光譜燈泡加熱。
      本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)和效果,消除了射頻激勵(lì)功率的耦合損失,降低了射頻激勵(lì)功耗,減小了加熱線圈與銣光譜燈燈泡間的熱阻,降低了加熱功耗,大大減小了加熱電流產(chǎn)生的剩余磁場對(duì)C場的影響。


      圖1為加熱線圈的示意圖。
      圖2為銣光譜燈加熱線圈結(jié)構(gòu)示意圖。
      根據(jù)圖1、圖2可知,銣光譜燈燈泡3裝在燈座上,激勵(lì)線圈4用0.7mm-1mm的漆包線繞成,銣光譜燈燈泡3周圍緊貼水平繞向激勵(lì)線圈4,用于對(duì)銣光譜燈燈泡進(jìn)行射頻激勵(lì)。加熱線圈2沿垂直方向繞在環(huán)形襯套1上,對(duì)銣光譜燈燈泡加熱。
      權(quán)利要求1.一種銣光譜燈加熱線圈,銣光譜燈燈泡(3)裝在燈座上,其特征在于銣光譜燈燈泡(3)周圍緊貼水平繞向激勵(lì)線圈(4),加熱線圈(2)沿垂直方向繞在環(huán)形襯套(1)上。
      專利摘要本實(shí)用新型公開了一種銣光譜燈加熱線圈,銣光譜燈泡裝在燈座上,銣光譜燈燈泡周圍緊貼水平繞向激勵(lì)線圈,加熱線圈沿垂直方向繞在環(huán)形襯套上。本實(shí)用新型消除了射頻激勵(lì)功率的耦合損失,降低了射頻激勵(lì)功耗,減小了加熱線圈與銣光譜燈燈泡的熱阻,減小了加熱功耗,減小了加熱電流產(chǎn)生的剩余磁場對(duì)C場的影響。
      文檔編號(hào)G01J3/12GK2382130SQ9923819
      公開日2000年6月7日 申請(qǐng)日期1999年7月28日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月28日
      發(fā)明者盛榮武, 管妮娜, 李凱臻 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院武漢物理與數(shù)學(xué)研究所
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