專利名稱：模擬標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)、檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)以及產(chǎn)生用于檢測(cè)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)工藝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及一種模擬標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)、檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)以及產(chǎn)生用于檢測(cè)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)工藝的方法。某些實(shí)施例涉及計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括識(shí)別具有就標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第二區(qū)域的印刷性而言對(duì)工藝改變更敏感的印刷性的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域。
背景技術(shù)：
下面的說明和例子不應(yīng)當(dāng)因?yàn)樗鼈儽话ㄔ谶@個(gè)章節(jié)中而被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。
設(shè)計(jì)集成電路(IC)包括產(chǎn)生包含配置和耦合以執(zhí)行特定功能的單獨(dú)器件的概要設(shè)計(jì)。由于IC變得日趨復(fù)雜，IC的設(shè)計(jì)的復(fù)雜性也在增加。例如，IC總體趨向于具有較小尺寸和較大電路密度以提高IC的速度和其它特性。
可使用業(yè)內(nèi)已知的任何方法或系統(tǒng)開發(fā)IC設(shè)計(jì)，例如電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)、計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)以及其它IC設(shè)計(jì)軟件。可使用這些方法和系統(tǒng)以產(chǎn)生來自IC設(shè)計(jì)的電路圖案數(shù)據(jù)庫(kù)。電路圖案數(shù)據(jù)庫(kù)包括對(duì)各IC層表現(xiàn)出多種圖案的數(shù)據(jù)。表示各IC層圖案的數(shù)據(jù)被用來確定多個(gè)標(biāo)線的圖案。標(biāo)線或“掩?！北挥糜谄桨嬗∷⒐に囈詫D案轉(zhuǎn)化成晶片上的抗蝕層。術(shù)語“標(biāo)線”和“掩?！痹诒疚闹锌苫Q地使用。
標(biāo)線圖案總體包括限定標(biāo)線上圖案特征的多個(gè)多邊形。典型地，這些多邊形總體由它們的尺寸和以及標(biāo)線的位置而限定。每條標(biāo)線被用來制造諸IC層的其中一層。IC層可包括例如半導(dǎo)體襯底中的結(jié)圖案、柵極介質(zhì)圖案、柵極電極圖案、內(nèi)層介質(zhì)中的觸點(diǎn)圖案以及金屬層上的互連圖案。
特別地，標(biāo)線被用來在平版印刷工藝步驟中布圖抗蝕層，然后經(jīng)布圖的抗蝕層被用來形成晶片上的IC特征。因此，形成在標(biāo)線上并被轉(zhuǎn)印到晶片上的經(jīng)布圖的特征反映出IC設(shè)計(jì)中所含的特征屬性。換句話說，可基于或使用形成在標(biāo)線上的特征以形成如上所述的IC的各個(gè)元件。因此IC設(shè)計(jì)的復(fù)雜性具有對(duì)制造和標(biāo)線檢查具有直接影響。
因此，隨著IC設(shè)計(jì)復(fù)雜度的增加，成功的標(biāo)線制造變得更為困難。例如，隨著IC特征尺寸以及特征間距的減小，標(biāo)線上的尺寸和特征間距同樣減小。這樣，由于例如標(biāo)線制造工藝的局限性，將這些特征形成在標(biāo)線上變得更困難。另外，由于標(biāo)線檢查步驟的局限性，對(duì)這些特征進(jìn)行檢查變得更加困難。此外，如業(yè)內(nèi)公知的那樣，隨著尺寸和間距減小，在晶片上成功地復(fù)制這些特征的難度增加。
由于標(biāo)線在半導(dǎo)體制造中扮演的重要角色，對(duì)成功的半導(dǎo)體制造而言，確保標(biāo)線被令人滿意地制造(從而將標(biāo)線用來在晶片上產(chǎn)生所希望的圖象)是關(guān)鍵的?？偟貋碚f，在標(biāo)線檢查工藝中，典型地將標(biāo)線的光學(xué)圖象與基線圖象比較?；€圖象可從電路圖案數(shù)據(jù)中產(chǎn)生或從標(biāo)線上的毗鄰芯片中產(chǎn)生。對(duì)于任何一種方法，用基線圖象的相應(yīng)特征對(duì)光學(xué)圖象特征進(jìn)行分析和比較。隨后將每個(gè)特征差異與單個(gè)閾值進(jìn)行比較。如果光學(xué)圖象特征相對(duì)于基線特征的變化超過預(yù)設(shè)的閾值，則定義一個(gè)缺陷。
盡管傳統(tǒng)標(biāo)線檢查為某些應(yīng)用提供足夠的檢測(cè)精度級(jí)，然而其它場(chǎng)合需要更高的敏感度或更低的閾值(以識(shí)別缺陷)，而其它應(yīng)用則需要不嚴(yán)格的、較高的閾值水平。由于傳統(tǒng)檢測(cè)用相同閾值和分析算法分析所給出類型標(biāo)線的所有特征，因此可能會(huì)過于嚴(yán)格地檢查一些特征而不夠嚴(yán)格地檢查其它特征。
IC的電氣關(guān)鍵特征典型地包括半導(dǎo)體晶體管器件的柵極。即標(biāo)線上的柵極寬度需要在相對(duì)小的誤差裕量?jī)?nèi)在電路圖案上產(chǎn)生相應(yīng)柵極寬度以制造正確地實(shí)現(xiàn)功能的IC器件。如果將閾值設(shè)得太高，這些關(guān)鍵柵極區(qū)域無法受到充分地檢查。相反，其它特征(例如柵極區(qū)域之間互連的寬度)不象柵極區(qū)域?qū)挾饶菢映潭鹊赜绊慖C的功能并因此無需象其它特征那樣嚴(yán)格地受到檢查。如果將閾值設(shè)得太低則會(huì)將過多關(guān)鍵特征定義為缺陷，因此檢查結(jié)果將難以解釋和/或計(jì)算資源超負(fù)荷。
概括地說，如果過于嚴(yán)格地檢查標(biāo)線區(qū)域，傳統(tǒng)檢查系統(tǒng)會(huì)浪費(fèi)寶貴資源，并且不可靠地對(duì)其它區(qū)域進(jìn)行足夠嚴(yán)格的檢查。換句話說，上述檢查系統(tǒng)無法可靠地檢測(cè)電氣關(guān)鍵區(qū)域中的缺陷并且會(huì)徒勞地檢查電氣非關(guān)鍵區(qū)域，在電氣非關(guān)鍵區(qū)域中有些較大的缺陷也不會(huì)引起問題。傳統(tǒng)檢查系統(tǒng)和技術(shù)無法在標(biāo)線的電氣關(guān)鍵和非關(guān)鍵區(qū)域之間進(jìn)行區(qū)別。從另一種途徑說，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)檔案(例如電子標(biāo)線或集成電路信息)無法充分地傳遞IC設(shè)計(jì)者關(guān)于電路容限和為標(biāo)線作者系統(tǒng)、標(biāo)線檢查系統(tǒng)以及最終的晶片檢查系統(tǒng)產(chǎn)生IC器件尺寸的意圖。
至少為了這些原因，已研究出一些檢查方法，它們通過基于IC設(shè)計(jì)者意圖改變嚴(yán)格度地檢查標(biāo)線。這些方法的例子在Glasser等人的6529621號(hào)美國(guó)專利以及Glasser等人的6748103美國(guó)專利中有闡述，這些文獻(xiàn)如同全文闡述那樣被援引于此以供參考。這樣，基于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的特征的電氣重要性而作出有關(guān)用來檢測(cè)標(biāo)線上缺陷的適當(dāng)嚴(yán)格度的判定。
這些方法具有從本質(zhì)上提高的標(biāo)線檢查的精確性、意義性、實(shí)用性以及產(chǎn)量。然而，這些方法不考慮用于進(jìn)一步增加標(biāo)線檢查值的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的多種其它變化。例如，基于設(shè)計(jì)者意圖的檢查方法在為數(shù)據(jù)確定適當(dāng)嚴(yán)格度的同時(shí)不考慮標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的印刷性。尤其是標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的各種屬性(例如尺寸等)將確定精確地印刷或根據(jù)需要復(fù)制標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的難度。精確地確定印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的難度的一種方法是通過用于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的工藝窗(例如具有窄工藝窗的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)比具有寬工藝窗的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)更難印刷)。這樣，可能要求更嚴(yán)格地檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的區(qū)域并且比那些印刷難度較小的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)區(qū)域更難以實(shí)現(xiàn)印刷。盡管IC的某些電氣關(guān)鍵區(qū)域也可能難以印刷，但當(dāng)前使用的標(biāo)線檢查方法不基于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)不同區(qū)域的印刷性而調(diào)整標(biāo)線檢查方法的嚴(yán)格度。
因此，研究出一種用來產(chǎn)生檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的工藝的方法是有利的，從而在考慮標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)各區(qū)域印刷性的同時(shí)，檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)和/或模擬標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種產(chǎn)生用于檢測(cè)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的工藝的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法。該方法包括在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中識(shí)別第一區(qū)域，在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中，第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化。在一個(gè)實(shí)施例中，第一區(qū)域的面積可具有近似等于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中一個(gè)特征的面積。該方法還包括將一個(gè)或多個(gè)檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域和第二區(qū)域，從而在加工過程中以比第二區(qū)域更高的敏感度檢查第一區(qū)域。
第一和第二區(qū)域的印刷性可以是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性。在該實(shí)施例中，工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)?；蛘?，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性。在該實(shí)施例中，工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
在另一實(shí)施例中，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更窄的工藝窗。在其它實(shí)施例中，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更高的掩模誤差改善因子(MEEF)。
在一些實(shí)施例中，該方法還包括為標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)產(chǎn)生再檢查工藝。產(chǎn)生再檢查工藝包括將一個(gè)或多個(gè)再檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域和第二區(qū)域以在再檢查加工期間用比第二區(qū)域更高的敏感度對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行再檢查。上述方法的每個(gè)實(shí)施例可包括這里描述的任何其它步驟。
另一實(shí)施例涉及用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)應(yīng)用方法。該方法包括識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域。在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中，第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化。在一個(gè)實(shí)施例中，第一區(qū)域的面積近似等于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中一個(gè)特征的面積。該方法還包括用比第二區(qū)域更高敏感度檢查第一區(qū)域。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二區(qū)域的印刷性可以是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性。在該實(shí)施例中，工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)。在另一實(shí)施例中，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性。在該實(shí)施例中，工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
在某些實(shí)施例中，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更窄的工藝窗。在另一實(shí)施例中，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更高M(jìn)EEF。
在一個(gè)實(shí)施例中，檢查第一和第二區(qū)域包括檢查將由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的第一和第二區(qū)域產(chǎn)生的印刷缺陷。在另一實(shí)施例中，可在用標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)制造標(biāo)線前執(zhí)行對(duì)第一和第二區(qū)域的檢查。在該實(shí)施例中，該方法包括基于檢查結(jié)果改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。在另一實(shí)施例中，該方法包括確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的每個(gè)區(qū)域的印刷性對(duì)于工藝參數(shù)變化的敏感度如何。在該實(shí)施例中，檢查第一和第二區(qū)域包括用基于每個(gè)區(qū)域的印刷性的敏感度而檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的每個(gè)區(qū)域。上述方法的每個(gè)實(shí)施例可包括這里描述的任何其它步驟。
另一實(shí)施例涉及用于模擬標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的方法。該方法包括識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域。在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中，第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化。該方法還包括對(duì)如何印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。用一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)進(jìn)行第一區(qū)域和第二區(qū)域的模擬，從而以比第二區(qū)域更高的保真度對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行模擬。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二區(qū)域的印刷性可以是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性。在該實(shí)施例中，工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)。在其它實(shí)施例中，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性。在該實(shí)施例中，工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
在某些實(shí)施例中，對(duì)如何印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬包括對(duì)如何以不同工藝參數(shù)印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。在這些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)包括比第二區(qū)域更高的第一區(qū)域的不同工藝參數(shù)的采樣。在另一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)包括比第二區(qū)域更大數(shù)量的第一區(qū)域的像素。
該方法還包括基于模擬檢查將由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)產(chǎn)生的印刷缺陷。另外，該方法還包括基于模擬改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。此外，該方法包括對(duì)整個(gè)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。上述方法的每個(gè)實(shí)施例包括這里描述的任何其它步驟。
又一實(shí)施例涉及包括可執(zhí)行于計(jì)算機(jī)上的程序指令的載體介質(zhì)以執(zhí)行本文中描述的任何一種計(jì)算機(jī)應(yīng)用方法。其它實(shí)施例涉及被配置成執(zhí)行本文所述的任何一種計(jì)算機(jī)應(yīng)用方法的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括被配置成執(zhí)行程序指令以執(zhí)行本文所述的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)應(yīng)用方法的處理器。在一個(gè)實(shí)施例中，該系統(tǒng)可以是獨(dú)立系統(tǒng)。在另一實(shí)施例中，該系統(tǒng)是耦合于檢查系統(tǒng)的一部分。在不同的實(shí)施例中，系統(tǒng)可以是耦合于缺陷再檢查系統(tǒng)的一部分。在又一實(shí)施例中，系統(tǒng)可以耦合于制造(fab)數(shù)據(jù)庫(kù)。該系統(tǒng)可通過諸如導(dǎo)線、電纜、無線傳輸路徑和/或網(wǎng)絡(luò)耦合于檢查系統(tǒng)、再檢查系統(tǒng)或制造數(shù)據(jù)庫(kù)。傳輸介質(zhì)可包括“有線”和“無線”部分。


對(duì)本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員而言，通過參閱下面對(duì)較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明并結(jié)合附圖，本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)將變得更為明顯，其中圖1是根據(jù)本文所述實(shí)施例執(zhí)行若干步驟的方法的一個(gè)例子的流程圖；圖2是示出標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域的一個(gè)例子的俯視圖；圖3是示出如何使標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域具有不同的印刷性敏感度和不同工藝窗的一個(gè)例子的曲線圖；圖4示出用于將不同模擬參數(shù)賦予標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)不同區(qū)域的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子；圖5示出用于將不同檢查參數(shù)賦予標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)不同區(qū)域的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子；圖6示出用于將不同再檢查參數(shù)賦予標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)不同區(qū)域的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子；圖7是示出可用于執(zhí)行本文所述的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)應(yīng)用方法的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖的示意圖。
盡管本發(fā)明可以有各種修正和變化形式，但其特別實(shí)施例通過附圖示出并在本文中進(jìn)行詳細(xì)說明。附圖可以不成比例。然而應(yīng)該理解，附圖及其詳細(xì)說明不旨在將本發(fā)明限制于所公開的特定形式，相反，本發(fā)明覆蓋落在本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的所有修正物、等效物和替換物，由所附權(quán)利要求定義。
具體實(shí)施例方式
術(shù)語“標(biāo)線”和“掩模”在本文中可互換地使用。標(biāo)線一般包括透明的襯底，例如玻璃、硼硅酸鹽玻璃以及其上形成有不透明材料的熔融硅。標(biāo)線可包括形成在不透明材料下的附加材料，例如粘合層。另外，標(biāo)線包括形成在不透明材料頂部的附加材料，例如底部抗反射涂層、抗蝕劑(或“光致抗蝕劑”)以及頂部抗反射層?？捎梦g刻于透明襯底內(nèi)的區(qū)域代替透明區(qū)域。
多種不同類型的標(biāo)線是業(yè)內(nèi)公知的，并且本文中使用的術(shù)語標(biāo)線旨在包含所有類型的標(biāo)線。例如，術(shù)語標(biāo)線指不同類型的標(biāo)線，包括但不局限于明域(clear-field)標(biāo)線、暗域(dark-field)標(biāo)線、二元標(biāo)線、相移掩模(PSM)、交替PSM、衰減或半調(diào)PSM以及三元衰減PSM。明域標(biāo)線具有透明的域或背景區(qū)域，而暗域標(biāo)線具有不透明的域或背景區(qū)域。二元標(biāo)線是具有透明或不透明的布圖區(qū)域的標(biāo)線。二元掩模不同于包括僅局部透光膜的相移掩模(PSM)，其一種類型可包括部分透光(薄膜的)并且這些標(biāo)線一般被稱為半調(diào)或嵌入式相移標(biāo)線。如果相移材料被置于標(biāo)線的交替的明域空間上，該標(biāo)線被稱為交替PSM、ALT PSM或Levenson PSM。一種施加于任意布局圖案的相移材料被稱為衰減的半調(diào)PSM，這種衰減的半調(diào)PSM可通過用局部透光膜或“半調(diào)”膜代替不透明材料而制造產(chǎn)生。三元衰減PSM是還包含完全不透明特征的衰減的PSM。
本文所述的標(biāo)線可以包括也可以不包括作為密封標(biāo)線表面以使其不受到空氣中懸浮的微粒以及其它種類污垢影響的光學(xué)透明薄膜。術(shù)語“標(biāo)線”還被用來指包含光學(xué)接近校正(OPC)特征的標(biāo)線。通過減少光學(xué)接近效果而將OPC特征設(shè)計(jì)成減少使用標(biāo)線印刷的圖象的失真度。術(shù)語“光學(xué)接近效果”大體指由于標(biāo)線上其它特征的接近性而引起的印刷特征橫向尺寸或形狀的變化?？赏ㄟ^確定由于光學(xué)接近性效果引起的失真而確定這類效果并改變標(biāo)線上的特征以補(bǔ)償這類失真。
諸如OPC和相移掩模(PSM)的分辨率提高技術(shù)(RET)越來越多地被應(yīng)用于集成電路(IC)設(shè)計(jì)以將特征印刷到比用作為曝光源的光的波長(zhǎng)更小的器件晶片上。RET一般包括對(duì)包含子分辨率輔助特征(SRAF)以及襯線的設(shè)計(jì)而言額外特征的附加，其結(jié)果是光掩?；驑?biāo)線上的設(shè)計(jì)圖案變得極端復(fù)雜。是否將RET特征正確地印刷到標(biāo)線以及SRAF未被印刷于晶片但將主要特征正確地印刷于晶片上的這種的校驗(yàn)稱為越來越難的任務(wù)。此外，諸如掩模誤差改善因子(MEEF)的光學(xué)效果將造成晶片層最終圖象的進(jìn)一步失真。MEEF總地被定義成印刷于抗蝕層中的關(guān)鍵特征與形成于標(biāo)線上的結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸之比。
本文中使用的術(shù)語“晶片”總地指由半導(dǎo)體或非半導(dǎo)體材料形成的襯底。這類半導(dǎo)體或非半導(dǎo)體材料的例子包括但不局限于，單晶硅、砷化鎵以及磷化銦。這些襯底可公開地獲得和/或用半導(dǎo)體制造設(shè)備處理。
晶片包括形成于襯底上的一個(gè)或多個(gè)層。例如，這些層包括但不局限于，抗蝕層、介電材料和導(dǎo)體材料?！翱刮g層”包括由光學(xué)平版印刷技術(shù)、電子束平版印刷技術(shù)或X射線平版印刷技術(shù)布圖而成的材料。介電材料的例子可包括但不局限于，二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅以及氮化鈦。介電材料的其它例子包括“低k”介電材料，例如從Applied Materials Inc.Santa Clara，Califonia售得的BLACK DIAMONDTM以及從Novellus Systems，Inc，San Jose，California售得的CORALTM以及諸如“干凝膠”的“超低k”介電材料以及諸如五氧化鉭的“高k”介電材料。另外導(dǎo)電材料包括但不局限于鋁、多晶硅和銅。
可對(duì)形成在晶片上的一個(gè)或多個(gè)層進(jìn)行布圖。例如，晶片包括多個(gè)芯片，每個(gè)芯片具有可再布圖特征。對(duì)這類材料層的形成和處理最終導(dǎo)致成品的半導(dǎo)體器件。這樣，晶片包括其上不形成成品半導(dǎo)體器件的所有層的襯底或其上形成成品半導(dǎo)體器件的所有層的襯底。術(shù)語“半導(dǎo)體器件”在本文中可與術(shù)語“IC”互換地使用。另外，諸如微機(jī)電(MEMS)器件之類的其它器件也能形成于晶片上。
現(xiàn)在參閱附圖，圖1示出根據(jù)本文所述實(shí)施例進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)步驟的方法的一個(gè)例子。要注意圖1所示步驟不是實(shí)現(xiàn)該方法所必須的?？蓪⒁粋€(gè)或多個(gè)步驟省去或添加到圖1所示方法中，并且可在實(shí)施例的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)該方法。
圖1所示的方法總地示出使用標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)10所執(zhí)行的各步驟?？梢詷I(yè)內(nèi)公知的任何方式形成標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)10。標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)確定將被印刷于晶片上以形成諸如IC的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。因此標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)還定義了被印刷到用于印刷晶片的標(biāo)線上的結(jié)構(gòu)。
標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域具有不同的電氣關(guān)鍵性，如Glasser等人的6529621號(hào)美國(guó)專利以及6748103號(hào)美國(guó)專利所描述的那樣，這些文獻(xiàn)如同全文參數(shù)那樣被援引于此作為參考。例如，可將包括晶體管結(jié)構(gòu)的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的區(qū)域視為電氣關(guān)鍵的而將包括互連結(jié)構(gòu)的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)區(qū)域視為非電氣關(guān)鍵的。
標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域也具有不同的印刷特性。例如，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)某些區(qū)域包括比標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)其它區(qū)域更加難以印刷于標(biāo)線上的特征。圖2示出這種區(qū)域的兩個(gè)例子。標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的區(qū)域14中的特征12是晶體管的柵極結(jié)構(gòu)。由于柵極寬度將很大程度地確定晶體管的速度，因此用標(biāo)線印刷的最小尺寸一般是柵極結(jié)構(gòu)的尺寸。因此，特征12典型地具有比印刷以標(biāo)線的其它特征(例如區(qū)域18中的特征16)的標(biāo)線上的較小尺寸，它可以是測(cè)試結(jié)構(gòu)或諸如互連結(jié)構(gòu)的其它結(jié)構(gòu)。
此外，由于確定晶體管和IC特性的柵極結(jié)構(gòu)的重要性，印刷于標(biāo)線的柵極結(jié)構(gòu)還包括SRAF 20，它如上所述地進(jìn)行配置以提高印刷于晶片上的柵極結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀。由于SRAF的尺寸被設(shè)計(jì)成低于用來將標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)印刷于晶片上的平版印刷系統(tǒng)的分辨率，SRAF處于將要制造在標(biāo)線上的最小特征之間。因此，柵極結(jié)構(gòu)(尤其是包含SRAF的柵極結(jié)構(gòu))一般也處于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中要印刷的最困難結(jié)構(gòu)當(dāng)中。盡管柵極結(jié)構(gòu)也是電氣關(guān)鍵的并因此由上述設(shè)計(jì)者意圖方法確定為關(guān)鍵的，但要理解不是所有的電氣重要特征都具有印刷重要性，反之亦然。
由于印刷SRAF和包含SRAF的結(jié)構(gòu)的困難性，SRAF會(huì)在標(biāo)線上產(chǎn)生比標(biāo)線上其它結(jié)構(gòu)更多的印刷缺陷。本文中使用的“印刷缺陷”指標(biāo)線(或另一背景中的晶片)上的印刷結(jié)構(gòu)中的缺陷，例如過度圓角化、不滿意尺寸等。另外，其中能令人滿意地印刷SRAF結(jié)構(gòu)的工藝窗(或工藝參數(shù)范圍)可能比包括含有結(jié)構(gòu)的非SRAF的其它結(jié)構(gòu)更窄。然而，由于不被印刷在晶片上但能夠改善工藝窗，因此可能希望用比其它非SRAF結(jié)構(gòu)更低的敏感度檢查SRAF結(jié)構(gòu)。此外，SRAF對(duì)檢查和制造兩者而言是困難的并因此產(chǎn)生許多討厭的缺陷，除非不被檢測(cè)到(desensed)。
這里描述的方法的實(shí)施例包括識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中具有不同印刷性的不同區(qū)域(例如第一區(qū)域和第二區(qū)域)。例如，如上所述，區(qū)域14的印刷性很可能比區(qū)域18的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化。換句話說，區(qū)域14可能比區(qū)域18具有更不完美的印刷性。在一些實(shí)施例中，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的區(qū)域的印刷性是標(biāo)線上區(qū)域的印刷性。在這些實(shí)施例中，確定印刷性敏感度的工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造參數(shù)。在其它實(shí)施例中，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的區(qū)域的印刷性是晶片上區(qū)域的印刷性。在這些實(shí)施例中，用來確定印刷性敏感度的工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)(由于晶片印刷性取決于標(biāo)線印刷性)以及晶片制造工藝參數(shù)。因此，本文中所述的方法被用來在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中自動(dòng)定義或產(chǎn)生具有關(guān)鍵或不關(guān)鍵印刷性的不同區(qū)域，這與基于電氣重要性在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中定義不同區(qū)域的并手動(dòng)執(zhí)行的其它方法不同。
要理解本文中使用的術(shù)語“第一”和“第二”不旨在表示標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中區(qū)域的瞬時(shí)、空間或連續(xù)量。術(shù)語“第一”和“第二”僅用來表示本文所述的具有不同印刷靈敏度的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的不同區(qū)域。另外要理解可采用任何其它合適的術(shù)語來表示文本所述的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的不同區(qū)域。
標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中不同區(qū)域的印刷性敏感度的差異的一個(gè)例子如圖3所示。如圖3所示，第一區(qū)域(例如圖2所示的區(qū)域14)中的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的屬性在印刷于標(biāo)線時(shí)作為工藝參數(shù)改變的函數(shù)而變化。圖3所示的屬性可包括任何感興趣的屬性，諸如寬度、高度、圓角度或以隨著可測(cè)量形式的工藝參數(shù)改變的任何其它屬性。以這種形狀圖解的屬性會(huì)改變曲線的形狀。例如，圖3所示的曲線可以是印刷在標(biāo)線上的特征高度。這樣，最高特征高度表示厚度損失的最小量以及用于減少收縮的最佳工藝參數(shù)，而隨著工藝參數(shù)遠(yuǎn)離最佳工藝參數(shù)，特征中的收縮增加。盡管圖3所示的曲線被表示為具有最大值并在最大值的兩側(cè)上表現(xiàn)出對(duì)稱性，但要理解曲線可以是任何形狀，這些形狀是通過標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)改變的印刷特征屬性如何作為工藝參數(shù)的函數(shù)改變而確定的。
圖3所示的曲線的沿x軸分布的工藝參數(shù)可以是任何已知的使標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的印刷特征(諸如曝光劑、曝光焦點(diǎn)等)改變的工藝參數(shù)。此外，可對(duì)不同特性和/或不同的工藝參數(shù)產(chǎn)生標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的一個(gè)以上這種曲線。此外，可產(chǎn)生不同的曲線以表示將被印刷在標(biāo)線或晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的特征的屬性作為工藝參數(shù)函數(shù)的變化。顯然，工藝參數(shù)根據(jù)所評(píng)估的是標(biāo)線印刷性還是晶片印刷性而改變。
如圖3進(jìn)一步所示，與例如圖2所示印刷于標(biāo)線上的區(qū)域18的第一區(qū)域不同的第二區(qū)域中的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的屬性作為工藝參數(shù)變化的函數(shù)而變化。圖3所示第二區(qū)域的屬性與圖3所示第一區(qū)域的屬性相同，因此可使用曲線就一個(gè)屬性在兩個(gè)區(qū)域之間進(jìn)行直接比較。如圖3所示，第一和第二區(qū)域的屬性彼此偏離。這種偏離是由涉及不同區(qū)域設(shè)計(jì)的不同屬性造成的。然而，第一和第二區(qū)域不一定要彼此偏離，或者第一和第二區(qū)域的曲線的某些部分可彼此重疊和/或有一個(gè)以上的交點(diǎn)。
在任何情況下，圖3所示曲線表示標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)上不同區(qū)域可具有作為工藝參數(shù)改變函數(shù)而以不同方式和不同程度改變的屬性。例如如圖3所示，兩條曲線均在由箭頭22表示的同一工藝參數(shù)附近表現(xiàn)出最小收縮(盡管標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域的相同屬性的最佳工藝參數(shù)可以不同)。另外，如箭頭24所示，隨著工藝參數(shù)遠(yuǎn)離最佳工藝參數(shù)，第一區(qū)域的屬性比第二區(qū)域的屬性更劇烈地變化。因此，第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化。
結(jié)果在某些情況下，第一區(qū)域的工藝窗將更小并且甚至比第二區(qū)域的工藝窗小得多。例如，如箭頭26所示，包括在具有可接收屬性值的第二區(qū)域中產(chǎn)生印刷特征的工藝參數(shù)的值的第二區(qū)域的工藝窗相對(duì)較大(例如包括幾乎所評(píng)估的所有工藝參數(shù))。相反，如箭頭28所示的第一區(qū)域的工藝窗基本上小于第二區(qū)域的工藝窗，在該例中這是第一區(qū)域中的印刷特征的屬性作為工藝參數(shù)變化函數(shù)的急劇變化的直接結(jié)果。換句話說，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更窄的工藝窗口。
因此，如上所述，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的區(qū)域的印刷性的敏感度可以基于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)自身(例如尺寸)屬性和/或標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)工藝窗的估計(jì)。然而，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)印刷性的敏感度也可基于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的MEEF而確定。例如，具有相對(duì)高M(jìn)EEF的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的區(qū)域可具有就具有相對(duì)低MEEF的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)而言對(duì)一個(gè)或多個(gè)工藝參數(shù)更高敏感度的印刷性。另外，可使用這些印刷靈敏性指標(biāo)(例如屬性、處理窗、MEEF)中的一個(gè)或這些指標(biāo)的結(jié)合而確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)區(qū)域的敏感度。此外可用任何其它業(yè)內(nèi)已知方式確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中不同區(qū)域的印刷性的敏感度。
如圖2所示，區(qū)域14、18包括多個(gè)具有相同印刷性的特征。該方法可將各區(qū)域界定為標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中具有相同印刷性的區(qū)域。因此，區(qū)域尺寸的變化很大程度地取決于例如具有相同印刷性的相鄰特征的數(shù)量、那些特征的尺寸以及那些特征之間的距離。
然而，可配置該方法以減少或最小化界定于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的區(qū)域的面積。這樣，可用“微敏感度”界定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的區(qū)域。例如，可將該方法配置成將各特征指定為單獨(dú)區(qū)域。在一個(gè)這樣的例子中，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的區(qū)域30的面積近似等于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中特征32的面積。在另一例子中，可將區(qū)域界定為特征的一部分。在該例中，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的區(qū)域的面積小于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中特征的面積。另外，一個(gè)特征可由多個(gè)不同區(qū)域組成，每個(gè)區(qū)域具有不同的或獨(dú)立的印刷性敏感度。
可對(duì)具有不同印刷性敏感度的區(qū)域進(jìn)行不同的處理。例如，如本實(shí)施例所描述地那樣，具有不同印刷性的區(qū)域可用不同模擬參數(shù)進(jìn)行模擬，用不同檢查參數(shù)進(jìn)行檢查和/或用不同再檢查參數(shù)進(jìn)行再檢查。
特別地，該方法包括對(duì)如何印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬，如圖1步驟34所示。可執(zhí)行該模擬以確定如何在標(biāo)線上印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。因此，可使用描述標(biāo)線制造工藝的模型以對(duì)如何印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。另外，或作為代替，可執(zhí)行模擬以確定如何將標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)印刷在晶片上。因此，描述標(biāo)線制造工藝和描述晶片制造工藝(包括抗蝕層模型)的模型被用來對(duì)如何印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可用不同模擬參數(shù)對(duì)具有不同印刷性的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的區(qū)域的模擬進(jìn)行模擬。較佳地，可用比印刷性敏感度較低的其它區(qū)域具有更高保真度模擬的模擬參數(shù)對(duì)具有更敏感印刷性的區(qū)域進(jìn)行模擬?？捎枚喾N方法在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中逐區(qū)域地調(diào)整模擬的保真度。例如，可通過增加用于模擬的像素?cái)?shù)量而增加保真度?？赏ㄟ^改變像素?cái)?shù)量而降低保真度。這樣，就第二區(qū)域而言具有更敏感印刷性的第一區(qū)域的模擬參數(shù)包括更大的像素?cái)?shù)量。另外，可在各種工藝參數(shù)(例如標(biāo)線制造工藝和/或晶片制造參數(shù))下進(jìn)行模擬以確定如何用不同工藝參數(shù)或如何橫跨一系列工藝參數(shù)范圍而對(duì)區(qū)域中的特征進(jìn)行印刷。因此，增加模擬保真度的另一方法將是使用對(duì)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的區(qū)域的不同工藝參數(shù)的更高采樣，前述標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)具有比印刷性敏感度較低的其它區(qū)域更敏感的印刷性?？梢詷I(yè)內(nèi)公知任何其它方法改變模擬保真度。
圖4示出一種數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，該數(shù)據(jù)庫(kù)為標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)不同區(qū)域賦值和存儲(chǔ)模擬參數(shù)。另外，圖4示出用來表示用于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)模擬的參數(shù)的數(shù)據(jù)庫(kù)的內(nèi)容。圖示的數(shù)據(jù)庫(kù)36包括賦值于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中區(qū)域40的模擬參數(shù)38。盡管在圖36所示數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)中僅有兩個(gè)區(qū)域，但要理解該數(shù)據(jù)庫(kù)可包括標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)兩個(gè)以上區(qū)域或所有區(qū)域的模擬參數(shù)。
圖4所示第一和第二區(qū)域在該例中對(duì)應(yīng)于圖2所示第一和第二區(qū)域。同樣，第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更敏感的印刷性。如圖4所示，賦予各區(qū)域的模擬參數(shù)可以是不同的，由此可用不同保真度對(duì)不同區(qū)域進(jìn)行模擬。尤其可將模擬參數(shù)賦予第一區(qū)域從而以相對(duì)高的保真度對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行模擬?？扇缟纤龅馗淖兡M的保真度。另外，如圖4所示，對(duì)不同區(qū)域賦予的模擬保真度表示在數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)的模擬參數(shù)列中，而用于不同保真度的實(shí)際模擬參數(shù)(例如像素?cái)?shù)量等)被定義于另一數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中(未圖示)?；蛘?，定義高、低或其它保真度模擬的各個(gè)參數(shù)被包含在數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)36中。如圖4所示，可將模擬參數(shù)賦予第二區(qū)域從而以相對(duì)低保真度對(duì)第二區(qū)域進(jìn)行模擬。對(duì)不同區(qū)域進(jìn)行的模擬中的其它差異也可被包含入數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)36或包含入不同的、單獨(dú)的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)中(未圖示)。
可能要求在步驟34中對(duì)如何印刷一個(gè)標(biāo)線(即標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)整體)的所有標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。顯然，這些模擬要求大量的計(jì)算資源和時(shí)間，并且對(duì)這些模擬的計(jì)算負(fù)載可能是繁重的。然而，使用如上所述的關(guān)鍵印刷性特征區(qū)域以直接進(jìn)行模擬會(huì)使計(jì)算更高效率地進(jìn)行。尤其可如上所述地確定構(gòu)成標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的每個(gè)區(qū)域的印刷性的敏感度，并如上所述在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中逐區(qū)域地改變模擬的保真度，由于使用比不敏感區(qū)域更高的保真度對(duì)具有敏感印刷性的那些區(qū)域進(jìn)行模擬，因此大量減少了用于模擬的計(jì)算資源和時(shí)間，并且不減少模擬結(jié)果的有用性和目的性。
步驟34的模擬結(jié)果被用于步驟44所示的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的檢查。標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的檢查包括檢測(cè)由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)不同區(qū)域產(chǎn)生的印刷缺陷。例如，該方法包括基于模擬而檢測(cè)由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)產(chǎn)生的印刷缺陷。另外，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的檢查可包括確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的哪些特征會(huì)在標(biāo)線上產(chǎn)生印刷缺陷。例如，檢查涉及將標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)特征的模擬與由IC設(shè)計(jì)者或IC制造商設(shè)置的特征規(guī)格進(jìn)行比較。在一個(gè)例子中，將模擬特征的尺寸與由IC設(shè)計(jì)者印刷在標(biāo)線上的特征規(guī)定的尺寸范圍進(jìn)行比較。
檢查可包括用于確定標(biāo)線上的印刷缺陷的任何其它方法，例如設(shè)計(jì)規(guī)則檢查。在另一例子中，可將模擬標(biāo)線數(shù)據(jù)與來自空氣(aerial)傳感器的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，該空氣傳感器在由Stokowski等人共同擁有的、提交于2003年10月6日的序列號(hào)為10/679857號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)中有描述，該文獻(xiàn)就象全文闡述那樣被援引于此作為參考?；蛘撸蓪⒛M標(biāo)線數(shù)據(jù)與另一種空氣圖象傳感器進(jìn)行比較，這種空氣圖象傳感器在Ye等人的6803554號(hào)美國(guó)專利、Ye等人的6807503號(hào)美國(guó)專利以及Ye等人的2003/0226951號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公開中有描述，這些文獻(xiàn)就象全文闡述那樣被援引于此作為參考。
另外，可對(duì)標(biāo)線上不同區(qū)域進(jìn)行不同的檢查。例如，對(duì)于具有相對(duì)敏感印刷性的標(biāo)線上的區(qū)域，用于識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中缺陷的閾值被設(shè)置成相對(duì)于具有相對(duì)不敏感印刷性的標(biāo)線區(qū)域上的區(qū)域而言較低的值(或接近于目標(biāo)值)。換句話說，可用特征變化的較低容限檢測(cè)具有敏感印刷性的區(qū)域中的印刷缺陷。同樣，可用特征變化的較高容限檢測(cè)具有不敏感印刷性的區(qū)域中的印刷缺陷。這樣能夠以根據(jù)各區(qū)域的印刷性敏感度而逐區(qū)域地改變一個(gè)或多個(gè)檢查闡述的方式進(jìn)行檢查。尤其可用比其它區(qū)域更高的敏感度檢查比標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中其它區(qū)域?qū)に噮?shù)變化更敏感的印刷性的區(qū)域。結(jié)果，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的檢查能夠檢測(cè)到對(duì)用戶而言更重要的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的缺陷。
如步驟42所示，該方法包括產(chǎn)生檢查工藝。檢查工藝是基于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)而產(chǎn)生的。尤其可基于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中不同區(qū)域印刷性而產(chǎn)生檢查工藝。例如，產(chǎn)生用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的工藝的計(jì)算機(jī)應(yīng)用方法包括識(shí)別如上所述標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的不同區(qū)域以及將一個(gè)或多個(gè)檢查參數(shù)賦予不同區(qū)域。特別地，對(duì)檢查參數(shù)賦值從而以不同的敏感度對(duì)不同區(qū)域進(jìn)行檢查。例如，可對(duì)檢查參數(shù)賦值從而以比第二區(qū)域更高的敏感度在加工過程中對(duì)上述第一區(qū)域進(jìn)行檢查。為不同區(qū)域賦予不同參數(shù)，例如上述閾值或以業(yè)內(nèi)公知變化的其它檢查參數(shù)?？呻S后將步驟42中產(chǎn)生的檢查工藝用于步驟44以檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。
產(chǎn)生檢查工藝包括產(chǎn)生如圖5所示的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)。圖5示出能對(duì)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)不同區(qū)域賦予和存儲(chǔ)檢查參數(shù)的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。另外，圖5示出用來表示用于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)檢查的參數(shù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)內(nèi)容。圖示的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)46包括賦予標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中區(qū)域50的檢查參數(shù)48。盡管數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)46中僅示出兩個(gè)區(qū)域，但要理解該數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)可包括標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中兩個(gè)以上區(qū)域或所有區(qū)域的模擬參數(shù)。
圖5所示第一和第二區(qū)域在該例中與圖2所示第一和第二區(qū)域?qū)?yīng)。如圖所示，被賦予每個(gè)區(qū)域的檢查參數(shù)是不同的，因此能以不同的敏感度對(duì)不同區(qū)域進(jìn)行檢查。尤其將檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域，從而用相對(duì)高的敏感度檢查第一區(qū)域?？扇缟纤龅馗淖儥z查的敏感度。例如可使用圖5所示的不同算法(例如高敏感度算法或低敏感度算法)而改變敏感度。可以其它方式(例如改變用于檢測(cè)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中缺陷的閾值)改變檢查工藝的敏感度。另外如圖5所示，用于特定敏感度的檢查參數(shù)(例如特定算法等)被定義在檢查參數(shù)列中?；蛘咴跀?shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)的檢查參數(shù)列中指示檢查敏感度，并且在不同數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)中指示這些參數(shù)。正如如圖5所示那樣，檢查參數(shù)被賦予第二區(qū)域，從而以低敏感度檢查第二區(qū)域。也可將對(duì)每個(gè)區(qū)域進(jìn)行的檢查中的其它差異包含入數(shù)據(jù)庫(kù)46或包含入不同的、單獨(dú)的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)中(未圖示)。
標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的檢查較佳地在用標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)制造標(biāo)線之前進(jìn)行。以此方法在制造標(biāo)線前對(duì)標(biāo)線圖案中的缺陷進(jìn)行糾正，這費(fèi)時(shí)而且代價(jià)很高。例如圖1所示，該方法還包括步驟52中所示的改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)?？苫谀M和/或檢查結(jié)果改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。則較佳地執(zhí)行標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的改變以減少如果將改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)印刷于標(biāo)線上而形成在標(biāo)線上的印刷缺陷的數(shù)量。另外，改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)包括改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中一個(gè)或多個(gè)特征的一個(gè)或多個(gè)屬性以減少標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)印刷性的敏感度。例如可改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中SRAF的一個(gè)或多個(gè)屬性以在可接受限值內(nèi)和/或橫跨工藝參數(shù)更寬的范圍將特征印刷在標(biāo)線上，由此增加特征的印刷性。在改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)后，可如上所述地再次進(jìn)行改變后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的模擬、對(duì)于改變后的檢查工藝的產(chǎn)生以及改變后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的檢查。
該方法還包括再檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)，如步驟54所示那樣。再檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)包括再檢查在由步驟44中執(zhí)行的檢查確定為將產(chǎn)生印刷缺陷的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的特征或區(qū)域。標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查包括將關(guān)于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)缺陷部分的信息顯示給用戶以使用戶對(duì)缺陷部分作出判定。這樣，再檢查包括手動(dòng)再檢查。顯示給用戶的信息包括模擬結(jié)果、檢查結(jié)果、實(shí)際標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)或任何其它關(guān)于可獲得和有助于用戶了解標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)缺陷部分的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的信息。用戶可對(duì)進(jìn)行關(guān)于例如忽略缺陷部分(即指示缺陷部分是可接受的)、指示缺陷部分應(yīng)當(dāng)改變(例如使該部分可接受)、指示應(yīng)當(dāng)進(jìn)行對(duì)缺陷部分附加的模擬等的判決。
或者，該方法包括自動(dòng)再檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)或半自動(dòng)地檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)，在半自動(dòng)地檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中可對(duì)關(guān)于缺陷部分作出相似的判定。再檢查結(jié)果還被用來改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)，其執(zhí)行如上所述。另外，再檢查結(jié)果被用來改變所產(chǎn)生的檢查工藝或方法，其中檢查工藝被生成(例如產(chǎn)生更精確或更敏感的檢查工藝)。
在某些實(shí)施例中，這里所述的方法還包括產(chǎn)生對(duì)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查工藝(未圖示)。如上所述，產(chǎn)生再檢查工藝包括將一個(gè)或多個(gè)再檢查參數(shù)賦予第一和第二區(qū)域，由此可用比第二區(qū)域更高的敏感度在再檢查工藝中對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行再檢查。產(chǎn)生再檢查工藝包括產(chǎn)生如圖6所示的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)。圖6示出為標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域賦予或存儲(chǔ)再檢查參數(shù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。另外，圖6示出用來表示標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)再檢查參數(shù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的內(nèi)容。圖示的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)56包括賦予標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的區(qū)域60的再檢查參數(shù)58。盡管在數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)56中僅示出兩個(gè)區(qū)域，但要理解該數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)可包括標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中兩個(gè)以上或所有區(qū)域的再檢查參數(shù)。
圖6所示第一和第二區(qū)域在該例中與圖2所示第一和第二區(qū)域?qū)?yīng)。如圖6所示，賦予每個(gè)區(qū)域的再檢查參數(shù)是不同的，由此可用不同的放大率或其它再檢查參數(shù)對(duì)不同區(qū)域進(jìn)行再檢查。特別地，在該例中將再檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域從而使第一區(qū)域以高放大率被再檢查。可例如通過改變光學(xué)檢查器件的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)而改變觀察的放大率。可通過改變用來觀察標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的區(qū)域的再檢查器件(例如從光學(xué)再檢查工具到電子束再檢查工具)而改變放大率。另外如圖6所示，可在數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)的再檢查參數(shù)列中指示再檢查的敏感度或放大率，而可將用于特定再檢查的實(shí)際再檢查參數(shù)定義于另一數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)中(未圖示)?；蛘撸蓪⒍x高或低敏感度再檢查的各參數(shù)包含在數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)56中。如圖6所示，可將再檢查參數(shù)賦予第二區(qū)域，從而以低放大率檢查第二區(qū)域或根本不對(duì)第二區(qū)域進(jìn)行再檢查。對(duì)每個(gè)區(qū)域進(jìn)行的再檢查中的其它差異也被包含入數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)56或被包含在不同的、單獨(dú)的數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)中(未圖示)。
因此，如上所述，該方法包括多個(gè)步驟，這些步驟可以迭代方式進(jìn)行以產(chǎn)生以可接受方式印刷于標(biāo)線上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。可以相同方式執(zhí)行上述步驟以確定如何將標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)印刷在晶片上。例如可改變上述模擬步驟以使模擬不僅使用標(biāo)線制造模型還使用晶片印刷模型(存在多個(gè)模型，例如平版印刷工藝模型和抗蝕劑模型)?？梢韵嗤绞綄?duì)上述其它步驟進(jìn)行改變。這樣可確定由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)產(chǎn)生在晶片上的印刷缺陷，并且可改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)以減少印刷在晶片上的印刷缺陷數(shù)量。
在已判定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)(改變后的或未改變的)將以可接受方式印刷(在標(biāo)線和/或晶片上)，可用標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)制造標(biāo)線，如步驟62所示那樣。用于制造標(biāo)線的工藝與晶片布圖工藝相似。例如，標(biāo)線制造的目的總地來說是形成不透明材料的圖案，諸如在基本呈透明狀的襯底(例如玻璃)上的相對(duì)薄的鉻層。另外，其它適用于標(biāo)線制造的不透明材料包括，但不局限于鉻、氧化鉻、氮化鉻以及鉬/硅。鉻層的合適厚度接近1000并通過濺射沉積在玻璃襯底上。用于標(biāo)線制造的其它合適的透明材料包括硼硅酸鹽玻璃或熔融硅(SiO2，“石英”)，它具有相對(duì)穩(wěn)定的尺寸和對(duì)曝光系統(tǒng)波長(zhǎng)的透射特性。其它材料也能用于標(biāo)線制造。例如，在不透明材料下的膜可用作粘合層。這種粘合層包括例如鉻、氮和氧的混合物。另外，形成在不透明材料頂部的膜可作為抗反射層。合適的抗放射層可由例如氧化鉻(Cr2O3)的相對(duì)薄層構(gòu)成。
標(biāo)線制造包括多個(gè)不同步驟，諸如產(chǎn)生布圖?；蛘撸墒褂眉す馄毓饣螂娮邮苯訉懫毓舛纬蓸?biāo)線。激光曝光允許使用標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)抗蝕劑并且比電子束直接寫曝光更快。另外，激光系統(tǒng)能更便宜地購(gòu)得并操作。直接寫激光源通過聲一光調(diào)制器(AOM)被導(dǎo)通和截止。商用直接寫激光系統(tǒng)的一個(gè)例子是ALTA3000R激光寫入器，他可從California、Hayward、ETECSystems Inc購(gòu)得。由于能夠產(chǎn)生比激光系統(tǒng)更精細(xì)的線分辨率，直接寫電子束系統(tǒng)經(jīng)常被用來制造復(fù)雜的標(biāo)線。另外，直接寫電子束系統(tǒng)還寫入比激光系統(tǒng)更大的芯片尺寸。商用直接寫電子束系統(tǒng)的例子包括從ETECSystem Inc購(gòu)得的MEBES4500和5000系統(tǒng)。標(biāo)線制造還包括其它步驟，例如蝕刻以將圖案從標(biāo)線上的抗蝕劑轉(zhuǎn)移到底層材料上(例如不透明材料或透明材料)。
不管用于制造標(biāo)線的實(shí)際工藝參數(shù)如何，標(biāo)線制造的結(jié)果是印刷在標(biāo)線上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)，如步驟64所示。然后在使用標(biāo)線前執(zhí)行多個(gè)步驟以形成布圖晶片。例如，如步驟66所示，該方法包括對(duì)印刷在標(biāo)線上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行檢查。與步驟44中執(zhí)行的檢查不同，該檢查是使用在實(shí)際制造完畢的標(biāo)線上進(jìn)行的測(cè)量而實(shí)現(xiàn)的。例如，可在步驟66中從光學(xué)上或用基于電子束的工具檢查標(biāo)線。
與步驟44中執(zhí)行的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)上的檢查相同，步驟66中進(jìn)行的標(biāo)線檢查具有一個(gè)或多個(gè)檢查參數(shù)，這些參數(shù)在標(biāo)線上逐區(qū)域地改變。例如，基于上面確定的標(biāo)線上不同區(qū)域的印刷性敏感度，用于標(biāo)線檢查的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可橫跨標(biāo)線地改變。在步驟66中改變的一個(gè)或多個(gè)檢查參數(shù)可包括任何檢查參數(shù)，這些檢查參數(shù)能改變?cè)跇?biāo)線上檢查到缺陷的敏感度(例如閾值)。另外，在標(biāo)線上進(jìn)行的檢查涉及檢測(cè)標(biāo)線上的印刷缺陷和標(biāo)線上的非印刷缺陷(例如微粒污染、刮傷等)。
該方法還包括再檢查印刷在標(biāo)線上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)，如步驟68所示那樣?？扇缟纤龅剡M(jìn)行印刷后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查(例如手動(dòng)、自動(dòng)或半自動(dòng)地)。另外，可根據(jù)上述標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域的印刷性敏感度改變?cè)贆z查工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。然而，與上述方法不同，步驟68中進(jìn)行的再檢查是對(duì)實(shí)際印刷在標(biāo)線上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查。因此，印刷后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查包括收集關(guān)于印刷后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的附加信息。例如，可使用標(biāo)線再檢查器件檢查標(biāo)線上印刷后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。標(biāo)線再檢查器件可以是高放大率光學(xué)器件和/或電子束器件。標(biāo)線再檢查工具一般被配置成產(chǎn)生關(guān)于步驟66中在標(biāo)線上檢測(cè)到的缺陷的附加信息或更詳細(xì)的信息。
印刷后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的檢查和再檢查結(jié)果被用來確定標(biāo)線的其它工藝。例如，如果在具有相對(duì)敏感的印刷性的標(biāo)線區(qū)域中檢測(cè)到印刷缺陷，則判斷這些印刷缺陷是可修復(fù)的?？墒褂美缇劢闺x子束(FIB)修復(fù)器件或業(yè)內(nèi)公知的任何其它合適的修復(fù)器件進(jìn)行標(biāo)線缺陷修復(fù)工藝。另外，可一次修復(fù)標(biāo)線上的各個(gè)缺陷(例如多個(gè)缺陷同時(shí)修復(fù))。還應(yīng)判斷是否應(yīng)清洗標(biāo)線，如果在標(biāo)線上發(fā)現(xiàn)相對(duì)大量的缺陷(例如微粒缺陷)，則進(jìn)行清洗。另外，基于檢查和再檢查的結(jié)果，可判斷標(biāo)線能再被使用(例如重新加工以去除一個(gè)或多個(gè)加工工序的結(jié)果并用期望的較佳結(jié)果重復(fù)這些加工步驟)還是應(yīng)當(dāng)舍棄該標(biāo)線(即丟棄)。
如果印刷后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)經(jīng)過檢查和再檢查，則如步驟70所示，用標(biāo)線制造晶片。制造晶片總地來說包括將標(biāo)線用來對(duì)晶片布圖前的一個(gè)或多個(gè)(或更多)步驟。然而，用標(biāo)線制造晶片總地來說包括其中將抗蝕層形成在晶片上的平版印刷工藝，而形成在晶片上的圖案通過使光透過標(biāo)線并投影在抗蝕層上并加工抗蝕層而被轉(zhuǎn)移至抗蝕層(通常是通過對(duì)化學(xué)溶劑的曝光)。標(biāo)線上的圖案或者以非光學(xué)方式被轉(zhuǎn)移到抗蝕層上(例如用x射線平版印刷的x射線)。
可根據(jù)標(biāo)線上不同區(qū)域的印刷性敏感度而改變平版印刷工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)(光學(xué)和/或非光學(xué)參數(shù))。例如，基于如上所述那樣確定的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)逐區(qū)域的敏感度而在晶片上逐區(qū)域地改變平版印刷工藝(例如曝光和/或反射性劑量(dose))。理想地，可改變平版印刷工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)以增加將具有敏感的印刷性的區(qū)域印刷在晶片上的精確度。因此，該方法包括基于標(biāo)線上不同區(qū)域的印刷性敏感度而產(chǎn)生用于制造晶片(未圖示)的平版印刷工藝。另外，在晶片上進(jìn)行的其它布圖工藝(例如蝕刻)的參數(shù)也基于不同區(qū)域的印刷性的敏感度而逐區(qū)域地改變。標(biāo)線制造參數(shù)可以相同方式逐區(qū)域地變化。
如步驟72所示，用標(biāo)線制造晶片的結(jié)果是印刷在晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)?？稍趯?duì)晶片進(jìn)行其它晶片制造工藝前對(duì)晶片進(jìn)行多個(gè)工藝。例如步驟74所示那樣，該方法包括對(duì)印刷在晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行檢查?？墒褂脴I(yè)內(nèi)公知的任何方法(光學(xué)、非光學(xué)、電子束、散射儀、橢圓光度法、反射計(jì))對(duì)印刷在晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行檢查?？筛鶕?jù)晶片上不同區(qū)域的敏感度而在晶片上逐區(qū)域地改變晶片檢查的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)?？扇缟纤龅鼗谂c晶片上區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域的敏感度而確定晶片上不同區(qū)域的敏感度。晶片檢查工藝的改變的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)包括能改變晶片檢查敏感度的任何參數(shù)(例如閾值)。該方法還包括產(chǎn)生晶片檢查工藝，其中將不同的檢查參數(shù)賦予不同的晶片區(qū)域。
如步驟76所示，該方法還包括對(duì)印刷在晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行再檢查?？扇缟纤龅?例如手動(dòng)、自動(dòng)或半自動(dòng)地)進(jìn)行對(duì)印刷在晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查。另外，可如上所述地根據(jù)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的不同區(qū)域的印刷性敏感度而改變晶片再檢查工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。然而，與上述方法不同，在步驟76中進(jìn)行的再檢查是對(duì)實(shí)際印刷在晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查。因此，印刷后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查包括收集關(guān)于印刷于晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的附加信息。例如，印刷后的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的再檢查包括收集關(guān)于印刷于晶片上的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的附加信息。例如，可使用晶片再檢查工具檢查在晶片上印刷完成的標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。晶片再檢查工具可以是高放大率的光學(xué)工具、電子束器件或任何業(yè)內(nèi)公知的其它適合工具。晶片再檢查工具總地來說被配置成產(chǎn)生關(guān)于在步驟74中在晶片上檢測(cè)到的缺陷的附加信息或更詳細(xì)信息。
圖1所示的方法還包括本文中描述的任何其它步驟。另外，圖1所示的方法還包括業(yè)內(nèi)公知的任何其它步驟，例如在晶片上完成器件的制造并在制成的器件上進(jìn)行電氣測(cè)試。
實(shí)現(xiàn)本文中所描述的方法的程序指令被發(fā)送于或存儲(chǔ)于載體介質(zhì)上。載體介質(zhì)可以是導(dǎo)線、電纜或無線傳輸鏈路的傳輸介質(zhì)或沿諸如導(dǎo)線、電纜或鏈路傳送的信號(hào)。載體介質(zhì)還可以是存儲(chǔ)介質(zhì)，例如只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁盤或光盤或磁帶。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可采取各種形式，包括個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工作站、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、電視系統(tǒng)或其它設(shè)備?？偟貋碚f，術(shù)語“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”被廣泛地定義成圍繞具有一個(gè)或多個(gè)處理器的任何設(shè)備，它執(zhí)行來自存儲(chǔ)介質(zhì)的指令。
可以任何方式實(shí)現(xiàn)程序指令，例如基于進(jìn)程的技術(shù)、基于組件的技術(shù)和/或面向?qū)ο虻募夹g(shù)等。例如，可根據(jù)需要使用ActiveX控制、C++對(duì)向、JavaBeans、Microsoft Foundation Classes(MFC)或其它技術(shù)或方法實(shí)現(xiàn)程序指令。
圖7示出用來執(zhí)行本文所述方法的一個(gè)或多個(gè)步驟的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例。該系統(tǒng)包括計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包括處理器78。處理器包括業(yè)內(nèi)公知的任何適當(dāng)處理器。例如，處理器可以是映象計(jì)算機(jī)或并行處理器。系統(tǒng)還包括一個(gè)以上的處理器(未圖示)。系統(tǒng)還包括載體介質(zhì)80。載體介質(zhì)被如上所述地配置。例如，載體介質(zhì)80包括可執(zhí)行與處理器78上的程序指令82。程序指令是可執(zhí)行的以實(shí)現(xiàn)上述方法的各實(shí)施例。程序指令也如上所述地被配置。
在某些實(shí)施例中，系統(tǒng)還包括標(biāo)線檢查和/或度量工具84。標(biāo)線檢查和/或度量工具84被配置成檢測(cè)標(biāo)線86上的缺陷(未圖示)和/或測(cè)量形成于標(biāo)線86上的特征(未圖示)的一個(gè)或多個(gè)屬性。標(biāo)線檢查和/或度量工具84耦合于處理器78。例如，工具84的一個(gè)或多個(gè)組件通過傳輸介質(zhì)(未圖示)耦合于處理器78。傳輸介質(zhì)包括“有線”和“無線”部分。在另一例子中，工具84的檢測(cè)器88被配置成產(chǎn)生輸出90。輸出沿傳輸介質(zhì)而從檢測(cè)器88傳送至處理器78。另外，工具84的檢測(cè)器92被配置成產(chǎn)生輸出94，輸出94沿傳輸介質(zhì)從檢測(cè)器92傳送到處理器78。在某些實(shí)施例中，可通過耦合在檢測(cè)器和處理器之間的一個(gè)或多個(gè)電子部件而傳輸輸出90、94。因此，輸出90、94從工具84被傳輸?shù)教幚砥?。輸?0、94可包括例如檢測(cè)數(shù)據(jù)和/或度量數(shù)據(jù)。程序指令82可在處理器上執(zhí)行以使用輸出90和/或94實(shí)現(xiàn)本文中所述的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。
標(biāo)線檢查和/或度量器件84包括平臺(tái)96，在檢查和/或測(cè)量期間將標(biāo)線86置于平臺(tái)96上。該平臺(tái)包括業(yè)內(nèi)公知的任何合適的機(jī)構(gòu)或機(jī)械手組件。標(biāo)線檢查和/或度量工具84還包括光源98。光源98包括任何業(yè)內(nèi)公知的合適光源。另外，該工具包括分束器100，分束器100被配置成將來自光源98的光沿近似垂直于標(biāo)線86的上表面的角度進(jìn)行導(dǎo)向。分束器包括業(yè)內(nèi)公知的任何合適的分束器?；蛘撸膳渲霉庠匆允构庋貎A斜于標(biāo)線86表面的照明角被導(dǎo)向。檢測(cè)器88被配置成檢測(cè)從標(biāo)線86上表面反射并由分束器100透射的光。檢測(cè)器88還被配置成產(chǎn)生輸出90。檢測(cè)器92被配置成檢測(cè)由標(biāo)線86透射的光。檢測(cè)器92還產(chǎn)生輸出94。這樣，可配置器件84以使用反射的和/或透射的光而檢測(cè)標(biāo)線上的缺陷。檢測(cè)器可包括業(yè)內(nèi)公知的任何合適的檢測(cè)器。
盡管標(biāo)線檢測(cè)和/或度量器件的總體配置如圖7所示，但要理解該器件包括任何業(yè)內(nèi)公知的合適配置。例如，該平臺(tái)包括可從KLA-Tebcor商業(yè)購(gòu)得的8250、8250-R或8450工具中的一種。另外該工具可具有各種結(jié)構(gòu)，例如光學(xué)成像系統(tǒng)、基于橢圓光度的系統(tǒng)、基于散射儀的系統(tǒng)或諸如CD SEM的電子束系統(tǒng)。此外，工具84可由諸如晶片檢查工具、標(biāo)線再檢查工具、晶片再檢查工具等的不同工具代替。處理器還耦合于一個(gè)以上的這種工具。
另外，盡管計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的處理器如圖所示那樣耦合于標(biāo)線檢查和/或度量工具，但要理解在另一實(shí)施例中可將該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)配置成單獨(dú)器件。例如，該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包括專門設(shè)計(jì)(和有選擇地專用)的一個(gè)或多個(gè)組件以執(zhí)行本文中所述的一個(gè)或多個(gè)方法。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)還被配置成執(zhí)行本文中所述的任何其它方法，例如模擬如何將標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)印刷在標(biāo)線和/或晶片上。另外，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可耦合于制造(fab)數(shù)據(jù)庫(kù)，從而計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可將信息發(fā)送到/接收自制造數(shù)據(jù)庫(kù)。
本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員通過對(duì)說明書的閱讀能夠很方便地理解本發(fā)明各方面的進(jìn)一步修正和其它實(shí)施例。例如，提供了用于模擬標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)、檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)以及產(chǎn)生用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)工藝的方法。因此本說明書被解釋為示例性的并且旨在教會(huì)本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的一般方式。要理解所圖示的和本文中描述的本發(fā)明的形式作為目前的較佳實(shí)施例。構(gòu)成和材料可由本文中描述的其它構(gòu)成和材料替代，部件和工藝順序可逆，另外可獨(dú)立地采用本發(fā)明的某些特征，這些在本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員閱讀本發(fā)明說明書后就會(huì)變得很明顯?？稍诓幻撾x由下面權(quán)利要求所述的本發(fā)明精神和范圍的前提下對(duì)本文中所述構(gòu)成作出改變。
權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)1.一種產(chǎn)生用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的工藝的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中不同區(qū)域?qū)に噮?shù)改變的印刷性的敏感度；識(shí)別在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域，其中，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化；以及將一個(gè)或多個(gè)檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域和第二區(qū)域，從而在加工過程中以比第二區(qū)域更高的敏感度檢查第一區(qū)域；基于一個(gè)或多個(gè)檢查參數(shù)而產(chǎn)生用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的工藝。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的面積近似等于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中一個(gè)特征的面積。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，因?yàn)榈谝粎^(qū)域具有比第二區(qū)域更窄的工藝窗。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，因?yàn)榈谝粎^(qū)域具有比第二區(qū)域更高的掩模誤差改善因子。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括為標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)產(chǎn)生再檢查工藝，其中產(chǎn)生再檢查工藝包括將一個(gè)或多個(gè)再檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域和第二區(qū)域以在再檢查加工期間用比第二區(qū)域更高的敏感度對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行再檢查。
8.一種用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中不同區(qū)域?qū)に噮?shù)改變的印刷性的敏感度；識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域，其中標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化；以及用比第二區(qū)域更高的敏感度檢查第一區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的面積近似等于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中一個(gè)特征的面積。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，因?yàn)榈谝粎^(qū)域具有比第二區(qū)域更窄的工藝窗。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，因?yàn)榈谝粎^(qū)域具有比第二區(qū)域更高的掩模誤差改善因子。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述檢查包括檢測(cè)將由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的第一和第二區(qū)域產(chǎn)生的印刷缺陷。
15.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在用標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)制造標(biāo)線前執(zhí)行所述檢查，所述方法還包括基于所述檢查的結(jié)果而改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。
16.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述確定包括確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的每個(gè)區(qū)域的印刷性對(duì)于工藝參數(shù)變化的敏感度如何，其中所述檢查包括用基于每個(gè)區(qū)域的印刷性的敏感度而檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的所述每個(gè)區(qū)域。
17.一種用于模擬標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中不同區(qū)域?qū)に噮?shù)改變的印刷性的敏感度；識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域；其中標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化；以及對(duì)如何印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬，其中用一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)進(jìn)行第一區(qū)域和第二區(qū)域的模擬，從而以比第二區(qū)域更高的保真度對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行模擬。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述模擬包括對(duì)如何以不同工藝參數(shù)印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬，其中一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)包括比第二區(qū)域更高的對(duì)于第一區(qū)域的不同工藝參數(shù)的采樣。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)包括比第二區(qū)域更大數(shù)量的第一區(qū)域的像素。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，還包括基于所述模擬而檢測(cè)將由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)產(chǎn)生的印刷缺陷。
23.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，還包括基于所述模擬而改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。
24.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述模擬包括對(duì)整個(gè)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。
權(quán)利要求
1.一種產(chǎn)生用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的工藝的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，包括在標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中識(shí)別第一區(qū)域，其中，標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化；以及將一個(gè)或多個(gè)檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域和第二區(qū)域，從而在加工過程中以比第二區(qū)域更高的敏感度檢查第一區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的面積近似等于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中一個(gè)特征的面積。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更窄的工藝窗。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更高的掩模誤差改善因子。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括為標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)產(chǎn)生再檢查工藝，其中產(chǎn)生再檢查工藝包括將一個(gè)或多個(gè)再檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域和第二區(qū)域以在再檢查加工期間用比第二區(qū)域更高的敏感度對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行再檢查。
8.一種用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)應(yīng)用方法，包括識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域，其中標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化；以及用比第二區(qū)域更高的敏感度檢查第一區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的面積近似等于標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中一個(gè)特征的面積。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更窄的工藝窗。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化，其中第一區(qū)域具有比第二區(qū)域更高的掩模誤差改善因子。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述檢查包括檢測(cè)將由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的第一和第二區(qū)域產(chǎn)生的印刷缺陷。
15.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在用標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)制造標(biāo)線前執(zhí)行所述檢查，所述方法還包括基于所述檢查的結(jié)果而改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。
16.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括確定標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的每個(gè)區(qū)域的印刷性對(duì)于工藝參數(shù)變化的敏感度如何，其中所述檢查包括用基于每個(gè)區(qū)域的印刷性的敏感度而檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的所述每個(gè)區(qū)域。
17.一種用于模擬標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域；其中標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化；以及對(duì)如何印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬，其中用一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)進(jìn)行第一區(qū)域和第二區(qū)域的模擬，從而以比第二區(qū)域更高的保真度對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行模擬。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是標(biāo)線上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，第一和第二區(qū)域的印刷性是晶片上的第一和第二區(qū)域的印刷性，其中工藝參數(shù)包括標(biāo)線制造工藝參數(shù)以及晶片制造工藝參數(shù)。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述模擬包括對(duì)如何以不同工藝參數(shù)印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬，其中一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)包括比第二區(qū)域更高的對(duì)于第一區(qū)域的不同工藝參數(shù)的采樣。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)包括比第二區(qū)域更大數(shù)量的第一區(qū)域的像素。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，還包括基于所述模擬而檢測(cè)將由標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)產(chǎn)生的印刷缺陷。
23.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，還包括基于所述模擬而改變標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)。
24.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述模擬包括對(duì)整個(gè)標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。
全文摘要
這里提供多種計(jì)算機(jī)應(yīng)用方法，一種產(chǎn)生用于檢查標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)的工藝的方法包括識(shí)別標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域。標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域的印刷性比第二區(qū)域的印刷性更敏感于工藝參數(shù)的變化。該方法還包括將一個(gè)或多個(gè)檢查參數(shù)賦予第一區(qū)域和第二區(qū)域，從而在加工過程中以比第二區(qū)域更高的敏感度檢查第一區(qū)域。另一方法包括以比第二區(qū)域更高的敏感度檢查第一區(qū)域。又一方法包括對(duì)如何印刷標(biāo)線圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬。用一個(gè)或多個(gè)不同的模擬參數(shù)進(jìn)行第一和第二區(qū)域的模擬，從而以比第二區(qū)域更高的保真度模擬第一區(qū)域。
文檔編號(hào)G06F17/50GK1890670SQ200480035963
公開日2007年1月3日 申請(qǐng)日期2004年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月4日
發(fā)明者C·黑斯, 熊亞霖 申請(qǐng)人:克拉-坦科技術(shù)股份有限公司