專利名稱：結(jié)合小特征尺寸和大特征尺寸組件的裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的領(lǐng)域一般地涉及既具有大特征尺寸組件又具有小特征尺寸組件的裝置，以及制造這種裝置的方法。本發(fā)明尤其涉及組合VLSI集成電路和大規(guī)模組件以形成單個設(shè)備。
背景技術(shù)：
VLSI提供了許多用于產(chǎn)生極小規(guī)模(microscopic-scale)和較小組件的有效方法。這種微型化在運(yùn)行速度、占用面積(footprint)大小、必要資源量以及制造速度方面為電子設(shè)備提供了許多優(yōu)點(diǎn)。
不幸的是，電子設(shè)備的某些組件不是很適合通過公知的VLSI工藝來形成。這些組件相對于通過VLSI形成的設(shè)備或設(shè)備的組件來說通常必然很大(巨觀規(guī)模(macroscopic-scale))。一種這樣的組件是天線，它可能需要具有某個特性長度以允許優(yōu)選頻率上的適當(dāng)發(fā)射，并且對于它來說，所討論的特性長度可能例如要以厘米或米為單位來適當(dāng)?shù)囟攘?。利用VLSI來形成用作天線的導(dǎo)體往往是浪費(fèi)時間和材料資源的，因?yàn)?0cm的導(dǎo)體(例如)可以很容易通過不那么昂貴的工藝來形成。
從而，問題就變成了將比如天線這樣的大規(guī)模組件與比如集成電路這樣的小規(guī)模組件相結(jié)合的問題。對于傳統(tǒng)的無線電設(shè)備，這可能涉及使用對集成電路、印刷電路板上的導(dǎo)體、附接到印刷電路板的連接器以及附接到連接器的天線的封裝。對于具有嚴(yán)格的封裝限制和靈活的尺寸限制的設(shè)備來說，該方法足夠簡單。但是，其他應(yīng)用對于尺寸和材料成本可能有更多的要求。
具體而言，擁有這樣一種小型無線電發(fā)射器可能是有用的其具有柔性材料，以允許彎曲和其他過分動作，而不會造成功能惡化。類似地，這種小型無線電發(fā)射器可能需要能夠迅速地以幾百萬或幾十億的量來生產(chǎn)，從而要求組裝簡單并且每個單元的材料相對廉價(jià)。將印刷電路板方法用于這種無線電發(fā)射器很可能不會成功。此外，避免比如熱固化這樣的耗時(和/或空間)的處理操作也可能是有利的。
有可能單獨(dú)地生產(chǎn)元件，例如集成電路，然后在需要時將它們放置在不同的、可能較大的基片(substrate)上。現(xiàn)有技術(shù)一般可被劃分成兩類確定性方法或隨機(jī)方法。確定性方法，例如拾取和放置，利用人或機(jī)械臂來拾取每個元件，并將它們放置在不同基片中其相應(yīng)的位置中。拾取和放置方法一般以每次一個的方式放置器件，一般不適用于非常小或數(shù)目眾多的元件，例如像有源矩陣液晶顯示器這樣的需要大型陣列的那些元件。如果要放置的元件具有適當(dāng)?shù)男螤睿瑒t隨機(jī)放置技術(shù)更為有效并且會帶來更高的產(chǎn)量。美國專利No.5,545,291和美國專利No.5,904,545描述了使用隨機(jī)放置的方法。在該方法中，微結(jié)構(gòu)通過流體傳輸被組裝到不同的基片上。這有時被稱為流體式自組裝(FSA)。利用該技術(shù)，各自包含一個功能性組件的各種集成電路可以被制作在一個基片上，然后與該基片分離，并且通過流體式自組裝工藝被組裝到一個分別的基片上。該過程涉及將集成電路與流體結(jié)合，并且將流體和集成電路分布在具有接受體區(qū)域(receptor region)或開口的接收基片的表面上。集成電路在表面上的流體中流動，并且隨機(jī)地對準(zhǔn)到接受體區(qū)域中，從而變得嵌入在基片中。
一旦集成電路已經(jīng)被沉積在了接受體區(qū)域中，設(shè)備的剩余部分就可以被組裝。一般，這涉及用平坦化層來涂覆基片，以為集成電路提供電絕緣和物理保持力。平坦化層通過填充接受體區(qū)域中未被集成電路填充的區(qū)域，來在基片頂部上產(chǎn)生水平表面。在已經(jīng)沉積平坦化層之后，可以安裝其他元件，例如包括像素電極和跡線。
利用FSA，可以與設(shè)備的其他部分分別地制造和測試設(shè)備的功能組件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及在基片上制作元件的領(lǐng)域。一個實(shí)施例涉及一種裝置，該裝置包括基片，其中嵌入、包含或結(jié)合有集成電路。集成電路被附接到布置在基片上的第一導(dǎo)體。第一導(dǎo)體可以是熱固性材料或熱塑性材料。該裝置還包括附接到第一導(dǎo)體的大規(guī)模組件；大規(guī)模組件從而被電耦合到集成電路。大規(guī)模組件包括第二基片。
另一個實(shí)施例涉及一種方法，包括將導(dǎo)電介質(zhì)附接到其中嵌入或包含有集成電路的基片，從而使得導(dǎo)電介質(zhì)被電連接到集成電路。該方法還包括將導(dǎo)電介質(zhì)附接到集成電路的第一導(dǎo)體。該方法還包括將大規(guī)模組件附接到導(dǎo)電介質(zhì)，從而使得大規(guī)模組件被電連接到集成電路。
在其他實(shí)施例中，描述了用于將大規(guī)模組件附接到第一導(dǎo)體的各種方法和材料。在某些實(shí)施例中，各向異性導(dǎo)電材料被用于將來自大規(guī)模組件的導(dǎo)體附接到其中包含或嵌入有集成電路(IC)的基片上的第一導(dǎo)體，以便在大規(guī)模組件和IC之間存在電和物理連接。在其他實(shí)施例中，各向同性導(dǎo)電材料被用于將來自大規(guī)模組件的導(dǎo)體附接到其中包含或嵌入有IC的基片上的第一導(dǎo)體，以便在IC和大規(guī)模組件之間存在電和物理連接。在某些實(shí)施例中，利用機(jī)械方法連接其中包含或嵌入有IC的基片上的導(dǎo)體和大規(guī)模組件的導(dǎo)體，以保持導(dǎo)體緊密接觸。這種機(jī)械方法包括卷曲(crimping)、釘合(clinching)、按壓(pressing)、超聲能量、熱和壓力、捆綁(taping)、壓縮(compressing)、扒釘釘合(stapling)、沖壓(punching)、鉚接(riveting)、熱超聲接合(thermosonic bonding)、以及熱壓接合(thermo compression bonding)方法。這些機(jī)械方法使得導(dǎo)體緊密接觸，以允許大規(guī)模組件和IC之間的必要的電互連。


在附圖中以示例方式而不是限制方式說明了本發(fā)明。
圖1示出了帶片(strap)的實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖2示出了附接到大規(guī)模組件的圖1的帶片的實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖3A示出了圖1的裝置的實(shí)施例沿所示方向的線A-A的視圖。
圖3B示出了圖2的裝置的實(shí)施例沿所示方向的線B-B的視圖。
圖4示出了天線的實(shí)施例。
圖5示出了一個連接板(web)部分的實(shí)施例，該連接板部分上附著有包括例如NanoBlockIC(NanoBlock是ALIEN科技有限公司的商標(biāo)和/或商品名)這樣的功能塊的帶片。
圖6示出了形成既包括小特征尺寸組件又包括大特征尺寸組件的裝置的方法的實(shí)施例。
圖7示出了形成既包括小特征尺寸組件又包括大特征尺寸組件的裝置的方法的替換實(shí)施例。
圖8示出了帶片的替換實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖9示出了帶片的另一個替換實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖10示出了帶片的另一個替換實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖11示出了形成既包括小特征尺寸組件又包括大特征尺寸組件的裝置的方法的另一個替換實(shí)施例。
圖12A示出了基片的另一個實(shí)施例的頂視圖。
圖12B示出了基片的另一個實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖13示出了基片的另一個實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖14示出了基片的另一個實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖15示出了將帶片的導(dǎo)體連接到大規(guī)模組件的導(dǎo)體的實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖16示出了將帶片的導(dǎo)體連接到大規(guī)模組件的導(dǎo)體的另一個實(shí)施例的側(cè)視圖。
圖17A～圖17C示出了將帶片的導(dǎo)體連接到大規(guī)模組件的導(dǎo)體的其他
具體實(shí)施例方式
描述了結(jié)合了小特征尺寸組件和大特征尺寸組件的裝置以及用于制造該裝置的方法。在下面的描述中，出于說明目的，闡述了許多具體細(xì)節(jié)，以提供對本發(fā)明的徹底理解。但是，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員很明顯的是，沒有這些具體細(xì)節(jié)也能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。在其他實(shí)例中，以框圖形式示出結(jié)構(gòu)和設(shè)備，以避免模糊本發(fā)明的主題。
在說明書中提到“一個實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指聯(lián)系該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個實(shí)施例中。說明書中各處出現(xiàn)的短語“在一個實(shí)施例中”不一定都是指同一個實(shí)施例，也不一定是與其他實(shí)施例互斥的單獨(dú)的或替換的實(shí)施例。
本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及在基片上制作元件的領(lǐng)域。在一個實(shí)施例中，本發(fā)明是一種裝置。該裝置包括帶片，帶片包括基片，基片中嵌入了或包含有嵌入的集成電路(IC)。第一導(dǎo)體被布置在基片上，并且附接到IC。導(dǎo)電介質(zhì)在第一導(dǎo)體處附接到帶片。該裝置還包括附接到導(dǎo)電介質(zhì)的大規(guī)模組件，所述導(dǎo)電介質(zhì)允許大規(guī)模組件被電耦合到集成電路。大規(guī)模組件可以包括第二導(dǎo)體，其附接到導(dǎo)電介質(zhì)，以將大規(guī)模組件耦合到IC。大規(guī)模組件可以被包括在另一個基片中。帶片的基片和承載大規(guī)模組件的基片可以被翻倒在彼此的頂部上，以幫助大規(guī)模組件耦合到IC。在一個實(shí)施例中，IC具有有源表面。有源表面可以是IC表面，在該表面處，第一導(dǎo)體可以被附接到IC。在一個實(shí)施例中，有源表面面向大規(guī)模組件。
本發(fā)明的某些實(shí)施例涉及一種進(jìn)行組裝的方法。該方法包括通過將第一導(dǎo)體附接到其中包含或嵌入有集成電路的基片，以使得第一導(dǎo)體電連接到集成電路，來產(chǎn)生帶片。該方法還包括將大規(guī)模組件附接到第一導(dǎo)體，以使得大規(guī)模組件電連接到集成電路。在某些實(shí)施例中，第二導(dǎo)體被包括在大規(guī)模組件中。第二導(dǎo)體電連接到第一導(dǎo)體。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)電介質(zhì)被用于將第一導(dǎo)體連接到第二導(dǎo)體。
有許多可以形成第一導(dǎo)體和/或?qū)щ娊橘|(zhì)的方式。用于形成第一導(dǎo)體和/或?qū)щ娊橘|(zhì)的材料可以通過以下技術(shù)來施加絲網(wǎng)印刷(例如，平臺絲網(wǎng)印刷或輪轉(zhuǎn)絲網(wǎng)印刷)、模版印刷、噴墨印刷、凹版印刷、苯胺印刷(flexography printing)、戳印(pad stamping)、靜電印刷、層壓、熱壓、激光輔助化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積(例如濺射)、掩模(shadowmasking)、蒸發(fā)、擠壓涂覆、簾式淋涂、電鍍或其他添加技術(shù)。也可以通過將適當(dāng)量的材料計(jì)量(例如通過針、噴嘴或吸管，或其他傳統(tǒng)計(jì)量工具)到特定的基片或表面上來施加材料。
導(dǎo)電介質(zhì)可以是流體、墨(熱塑性或熱固樹脂基的銀墨)、導(dǎo)電帶(具有導(dǎo)電填充物的熱塑性或熱固性聚合物)、導(dǎo)電膏(焊膏或聚合物基材中的導(dǎo)電填充物)、焊料，金屬膜、懸浮在載體中的金屬顆粒、導(dǎo)電聚合物、碳基導(dǎo)體，或者例如其他厚膜材料。一個示例性導(dǎo)電介質(zhì)產(chǎn)品是Acheson Colloids 479SS。
在另一個替換實(shí)施例中，本發(fā)明是一種裝置。該裝置包括嵌入在基片內(nèi)的集成電路。該裝置還包括在集成電路的一部分和基片的一部分上形成的電介質(zhì)層。該裝置還包括在電介質(zhì)層的一部分上形成的第一導(dǎo)體，第一導(dǎo)體與集成電路具有直接電連接。該裝置被稱為帶片。
在另一個替換實(shí)施例中，本發(fā)明是一種方法。該方法包括在集成電路的一部分和基片的一部分上形成電介質(zhì)，該集成電路嵌入在基片內(nèi)。該方法還包括將第一導(dǎo)體附接到電介質(zhì)和集成電路，第一導(dǎo)體電連接到集成電路。
在另一個替換實(shí)施例中，本發(fā)明是一種裝置。該裝置包括其中嵌入或包含有集成電路的基片。第一導(dǎo)體被附接到基片，并且集成電路被附接到第一導(dǎo)體。該裝置被稱為帶片。該裝置還包括附接到集成電路的第一導(dǎo)體的導(dǎo)電介質(zhì)。
在另一個替換實(shí)施例中，本發(fā)明是一種裝置。該裝置包括其中嵌入有比如NanoBlock IC這樣的功能塊的帶片。功能塊是包括能夠驅(qū)動特定設(shè)備的集成電路的小結(jié)構(gòu)或微結(jié)構(gòu)。并且第一導(dǎo)體電耦合到NanoBlock IC。NanoBlock IC例如是利用傳統(tǒng)的VLSI過程生產(chǎn)的，并且利用流體式自組裝(FSA)被嵌入。NanoBlock IC也可以通過其他傳遞方法被附接或包含在基片中?；细浇佑袑?dǎo)電介質(zhì)，從而允許NanoBlock IC和第一導(dǎo)體之間的電耦合。導(dǎo)電介質(zhì)電連接到第一導(dǎo)體。附接到導(dǎo)電介質(zhì)的是包括天線的基片，從而允許天線和NanoBlock IC之間的電耦合。
雖然這里的描述集中于以NanoBlock IC作為被結(jié)合、包含、嵌入或包括在基片中的IC，但是可以預(yù)期也可以使用其他功能塊來代替。
在另一個替換實(shí)施例中，本發(fā)明是一種方法。該方法包括將第一導(dǎo)體附接到其中嵌入有NanoBlock IC的基片，以使得第一導(dǎo)體電耦合到NanoBlock IC，從而形成帶片。該方法還包括將大規(guī)模組件附接到第一導(dǎo)體，以使得大規(guī)模組件電連接或耦合到第一導(dǎo)體。該方法還可以包括布置在第一導(dǎo)體和大規(guī)模組件之間的導(dǎo)電介質(zhì)，以將NanoBlock IC互連到大規(guī)模組件。在一個實(shí)施例中，該方法還可以包括制作NanoBlock IC并執(zhí)行FSA，以將NanoBlock IC嵌入到基片中。該方法還可以涉及大規(guī)模組件，其可以是天線、比如電池或鈕扣電池這樣的電源、或者印刷在帶片或其他基片上的厚膜單元；顯示電極或顯示器；邏輯器件，或傳感器；以及其他示例。
在另一個替換實(shí)施例中，本發(fā)明是一種裝置。該裝置包括其中嵌入或包含有NanoBlock IC的基片?；细浇佑械谝粚?dǎo)體，這允許了NanoBlock IC和導(dǎo)電介質(zhì)之間的電連接。導(dǎo)電介質(zhì)被附接到另一基片，例如天線。導(dǎo)電介質(zhì)允許了天線和NanoBlock IC之間的電耦合。
本文檔中，出于討論目的，實(shí)施例可能涉及其中沉積有NanoBlock IC的帶片。但是，也可以使用其他功能塊或其他IC器件，而不會影響實(shí)施例的范圍。此外，NanoBlock IC或其他IC器件可以被嵌入在帶片中，或者以其他方式被包含、包括或結(jié)合在帶片中。
圖1示出了帶片的一個實(shí)施例的側(cè)視圖，其中包括基片，基片具有比如NanoBlock IC這樣的嵌入的功能塊IC、平坦化層以及與NanoBlockTMIC接觸的第一導(dǎo)體。如本領(lǐng)域已知的，NanoBlock IC包括至少一個導(dǎo)電焊盤。第一導(dǎo)體通過接觸導(dǎo)電焊盤與NanoBlock IC接觸。基片110中具有開口，以容納功能塊或NanoBlock IC 120，并且例如可以是柔性塑料基片。在一個實(shí)施例中，IC 120是經(jīng)由傳統(tǒng)VLSI形成的NanoBlock IC。NanoBlock IC 120在一個實(shí)施例中可以通過FSA被嵌入或沉積在基片110的開口中，而在其他實(shí)施例中，可以通過其他傳遞方法被嵌入或沉積在基片110的開口中。IC 120也可以通過比如拾取-放置這樣的其他方法被傳遞到基片110。也可以利用其他方法將IC容納在基片110中，例如利用可以通過其他方便的方法將IC 120按壓到基片110中或?qū)C 120附接到基片110的工具。
NanoBlock IC 120可以具有與集成電路相一致的多種功能或結(jié)構(gòu)。在一個實(shí)施例中，NanoBlock IC 120包括適合于從外部天線接收無線電信號并經(jīng)由外部天線發(fā)送無線電信號的電路。NanoBlock IC 120還具有有源表面，例如具有NanoBlock IC 120電路的表面。此外，在一個實(shí)施例中，NanoBlock IC 120可以經(jīng)由外部天線從外部源接收電力，并且利用這種電力來經(jīng)由外部天線發(fā)送無線電信號。應(yīng)當(dāng)意識到，即使討論集中于NanoBlock IC 120，也可以使用其他IC來代替，并且實(shí)施例并不局限于NanoBlock 120。
形成在NanoBlock IC 120上的是平坦化層130，它例如可以通過傳統(tǒng)的有機(jī)電介質(zhì)層壓或涂覆、圖案化和蝕刻或其他類似的方法來形成。形成在平坦化層130上的是兩個第一導(dǎo)體140，其例如可以由絲網(wǎng)印刷的導(dǎo)電膏形成，并且占據(jù)平坦化層130中的兩個接觸孔。在一個實(shí)施例中，兩個第一導(dǎo)體140附接到NanoBlock IC 120的導(dǎo)電焊盤，并且兩個第一導(dǎo)體140最好彼此不直接連接。
在一個實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140由含有散布在熱固性聚合物中的導(dǎo)電填充物(例如像銀這樣的導(dǎo)電金屬，或者固有導(dǎo)電的聚合物(ICP)，如聚苯胺)的熱固性墨形成。或者，第一導(dǎo)體140由含有散布在熱塑性聚合物中的與熱固性墨類似的導(dǎo)電填充物的熱塑性墨形成。在某些實(shí)施例中不需要導(dǎo)電填充物，例如當(dāng)熱固性材料或熱塑性材料固有地導(dǎo)電時。
用于形成第一導(dǎo)體140的導(dǎo)電熱固性墨可以是單組分原料、雙組分原料或者多組分可聚合原料。在熱固性墨被沉積之后，可以通過將其暴露給比如氧這樣的活性組分、熱、濕氣，或者暴露給比如IR、可見光、UV、電子束、RF和微波射頻之類的電磁輻射，來固化它。
用于形成第一導(dǎo)體140的導(dǎo)電熱塑性墨可以作為經(jīng)軟化的聚合物被沉積(通過加熱)，并且可被允許凝固。在某些實(shí)施例中，可以用導(dǎo)電熱塑性墨來形成第一導(dǎo)體140，并且使其凝固以形成第一導(dǎo)體140。第一導(dǎo)體140被接合到其他導(dǎo)體(例如大規(guī)模組件的導(dǎo)體)。這些實(shí)施例允許了第一導(dǎo)體140和其他導(dǎo)體之間的直接電連接。在其他實(shí)施例中，可以利用適當(dāng)?shù)娜軇┸浕瘜?dǎo)電熱塑性墨，以便以經(jīng)軟化的形式來傳遞/沉積導(dǎo)電熱塑性墨，然后允許經(jīng)軟化的熱塑性墨凝固，以形成第一導(dǎo)體140。使用導(dǎo)電熱塑性墨就可以不再需要中間導(dǎo)電介質(zhì)270來將第一導(dǎo)體140電連接到其他導(dǎo)體(例如下面的大規(guī)模組件的導(dǎo)體280)，這是因?yàn)闊崴苄圆牧显谀虝r可被直接接合到另一導(dǎo)體。這些實(shí)施例允許了第一導(dǎo)體140和其他導(dǎo)體之間的直接電連接。
第一導(dǎo)體140也可以由其他導(dǎo)電材料形成，這些材料例如是銀、鋁或銅。第一導(dǎo)體140可以通過本領(lǐng)域中已知的各種技術(shù)來沉積，這些技術(shù)例如是物理氣相沉積(例如濺射)、化學(xué)氣相沉積或低壓氣相沉積、絲網(wǎng)印刷(例如平臺絲網(wǎng)印刷或輪轉(zhuǎn)絲網(wǎng)印刷)、模版印刷、噴墨印刷、凹版印刷、苯胺印刷、靜電印刷、層壓、熱壓、激光輔助化學(xué)氣相沉積、掩模、蒸發(fā)、擠壓涂覆、簾式淋涂、電鍍或其他添加技術(shù)。在一個實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140由導(dǎo)電膏(例如可從Acheson獲得的那些，包括479SS)制成，并且例如可以通過絲網(wǎng)印刷工藝形成或沉積在基片110上。在另一個實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140可以通過焊盤轉(zhuǎn)移形成，其中預(yù)先形成的導(dǎo)電焊盤被自動工具拾起，并且被轉(zhuǎn)移到基片110，以形成第一導(dǎo)體140。導(dǎo)電焊盤一般是在它們的經(jīng)軟化狀態(tài)下傳遞的，并且被允許在被傳遞到基片110上之后固化或凝固。
在一個實(shí)施例中，在第一導(dǎo)體140上形成絕緣層150。絕緣層150例如可以通過薄膜或厚膜工藝形成，并且可以填充在兩個第一導(dǎo)體140之間的空間中。將會意識到，在某些情況下，通過設(shè)計(jì)，第一導(dǎo)體140可以連接到集成電路的多個焊盤。這種情況的一個示例是將IC的所有接地焊盤連接到單個導(dǎo)體以實(shí)現(xiàn)公共地電勢。
在某些實(shí)施例中，薄膜是通過使用真空或低壓工藝來施加的。厚薄是利用非真空工藝、一般在大氣壓或接近大氣壓下施加的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會意識到，相對于大氣壓，真空低壓的環(huán)境壓力的確切大小可能難以指定。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員也將會意識到，低壓和大氣壓之間的差異與大氣壓相比是相對較大的。
在某些實(shí)施例中，NanoBlock IC 120被形成有足夠大的焊盤，以允許第一導(dǎo)體140和其他導(dǎo)體(例如大規(guī)模組件281的第二導(dǎo)體280，圖2)以及NanoBlock IC之間的直接連接，從而避免對中間或居間導(dǎo)體的需要。在其他實(shí)施例中，任何大規(guī)模組件和NanoBlock IC之間的直接(垂直)連接是通過具有各向同性導(dǎo)電性的導(dǎo)體形成的。
圖2示出了附接到大規(guī)模組件281的圖1的帶片的實(shí)施例的側(cè)視圖。本申請中討論的大規(guī)模組件例如可以是天線、電子顯示器或顯示電極、傳感器、比如電池或太陽能電池之類的電源、或者其他邏輯器件或存儲器件(例如但不限于微處理器、存儲器和其他邏輯器件)。
在將帶片附接到大規(guī)模組件281時，第一導(dǎo)體140被電耦合到大規(guī)模組件上提供的其他導(dǎo)體，并且在一個實(shí)施例中，被電耦合到第二導(dǎo)體280。在一個實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140通過導(dǎo)電介質(zhì)270被電耦合到第二導(dǎo)體280。在一個實(shí)施例中，導(dǎo)電介質(zhì)270包括兩個導(dǎo)體270，或者包括至少兩個導(dǎo)體270。
在一個實(shí)施例中，導(dǎo)體270中的每個具有與第一導(dǎo)體140之一的直接連接，并且可能具有與絕緣層150、平坦化層130和基片110中的一個或多個的接觸。附接到導(dǎo)電介質(zhì)270中每一個上的是第二導(dǎo)體280之一，它例如可以是天線的導(dǎo)電焊盤或天線的導(dǎo)電末端。或者，第二導(dǎo)體可以是比如電子器件、顯示電極、傳感器、電源和邏輯器件/存儲器件之類的其他器件的導(dǎo)體。在一個實(shí)施例中，存在兩個或至少兩個第二導(dǎo)體280。從而，如圖所示，第二導(dǎo)體280中的每一個可以被說成是(電地)耦合到NanoBlock IC 120。導(dǎo)電介質(zhì)270充當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的中間導(dǎo)體。在一個實(shí)施例中，基片290是第二導(dǎo)體280被嵌入其中或第二導(dǎo)體280所附接到的材料，并且其性質(zhì)最好是絕緣的。這樣，在一個實(shí)施例中，基片290和第二導(dǎo)體280構(gòu)成了大規(guī)模組件281。
空間260是兩個導(dǎo)體270之間的空間，它可能由基片290和/或絕緣體150占據(jù)，在結(jié)構(gòu)上可以被留為空白，或者例如如果是各向異性的則可以由導(dǎo)電介質(zhì)270填充。重要的是要注意在大多數(shù)應(yīng)用中，兩個導(dǎo)電介質(zhì)270中的每一個可能不被直接連接到另一個導(dǎo)電介質(zhì)270，并且對于兩個第二導(dǎo)體280情況也是類似的。
在導(dǎo)電介質(zhì)270為各向同性的實(shí)施例中，可以利用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)品或利用傳統(tǒng)的圖案化技術(shù)(例如蝕刻)，來使不需要導(dǎo)電的區(qū)域失活。例如，可將一層各向同性材料覆蓋沉積在第一導(dǎo)體140上，以形成導(dǎo)電介質(zhì)270的導(dǎo)電層。可以使沉積在不需要導(dǎo)電的區(qū)域(例如空間260)上的各向同性材料失活，留下被稱為導(dǎo)電介質(zhì)270的導(dǎo)電區(qū)域。
在一個實(shí)施例中，導(dǎo)電介質(zhì)270是導(dǎo)電帶(tape)(例如可從3M公司獲得的那些，例如包括3M Z-Axis 7303)。此外，導(dǎo)電帶可以是各向同性或各向異性導(dǎo)電的?？梢匀缦聛硎┘?附著)這種導(dǎo)電帶通過沿一行帶片滾動該帶，施加足夠的壓力以及可能施加熱量來將該帶附著到帶片，然后切割該帶和帶片以分離開個體帶片。這可以按各種方式來完成。
或者，導(dǎo)電介質(zhì)270可以由導(dǎo)電膏(例如可從Acheson獲得的那些，包括479SS)制成，其例如是通過絲網(wǎng)印刷工藝被沉積。在一個實(shí)施例中，導(dǎo)電膏被以相對于整體制造容限而言的中等分辨率，被絲網(wǎng)印刷在帶片上(例如在帶片的基片110部分上，或者在第一導(dǎo)體140的至少某些部分上)，從而允許導(dǎo)電介質(zhì)270與第一導(dǎo)體140的有用連接。此外，導(dǎo)電介質(zhì)270也可以使用懸浮在例如是熱塑性材料或熱固性材料的聚合物載體中的金屬顆粒、導(dǎo)電聚合物、碳基導(dǎo)體、焊料或本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會意識到的其他導(dǎo)電介質(zhì)制成。
在替換實(shí)施例中，導(dǎo)電介質(zhì)270是其中懸浮有導(dǎo)電顆粒的聚合膜。導(dǎo)電顆?？梢允墙饘倩?qū)щ娎w維(例如碳)?；蛘?，導(dǎo)電顆粒可以具有各種形狀的不導(dǎo)電核心，例如涂覆有導(dǎo)電材料的球形或連續(xù)長纖維?；蛘?，聚合膜可以是碳納米管。此外，聚合膜可以是熱固性材料或熱塑性材料。
在某些實(shí)施例中，導(dǎo)電介質(zhì)270是由懸浮在載體中的顆粒、導(dǎo)電聚合物、膏、銀墨、碳基導(dǎo)體、焊料和其他合適的導(dǎo)電材料制成的。
在另一個實(shí)施例中，導(dǎo)電介質(zhì)270是具有導(dǎo)電填充物(例如銀屑或顆粒、金屬、涂覆有導(dǎo)電材料的纖維或涂覆有導(dǎo)電材料的玻璃珠)的壓敏粘合劑(PSA)。作為具有導(dǎo)電填充物的PSA的導(dǎo)電介質(zhì)270在兩個剛性層(例如第一導(dǎo)體140和另一個導(dǎo)體(例如第二導(dǎo)體280))之間提供了柔軟的保形層，以促進(jìn)更好地接觸。使用具有導(dǎo)電纖維的PSA膜的一個優(yōu)點(diǎn)是只需要較小的壓力(例如小于25psig)就能造成第一導(dǎo)體140和導(dǎo)電介質(zhì)270之間的或?qū)щ娊橘|(zhì)270和第二導(dǎo)體280之間的連接。
在另一個實(shí)施例中，不是使用導(dǎo)電介質(zhì)270作為連接第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的中間導(dǎo)體，而是用不導(dǎo)電粘合劑271來取代導(dǎo)電介質(zhì)270，如圖15所示。在該實(shí)施例中，用熱量和壓力來使不導(dǎo)電粘合劑271的一部分?jǐn)嗔?，如圖15所示，以使得第二導(dǎo)體280和第一導(dǎo)體140彼此直接接觸。從而，不導(dǎo)電粘合劑271的某些部分被局部加壓和加熱，從而使得它們變薄或斷裂，以允許第二導(dǎo)體280與第一導(dǎo)體140接觸。在一個實(shí)施例中，不導(dǎo)電粘合劑271用來將基片290(大規(guī)模組件281的基片)和基片110保持在一起，同時在專用于第二導(dǎo)體280和第一導(dǎo)體140之間的接觸的部分處斷裂。在另一個實(shí)施例中，不導(dǎo)電粘合劑271用來將第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的某些部分保持在一起，如圖15所示，并且被容性耦合。在一個實(shí)施例中，可以用卷曲或按壓來選擇性地在基片290上下壓，以使得在不導(dǎo)電粘合劑271中的被卷曲或按壓的部分處斷裂。第二導(dǎo)體280被按壓到斷裂部分中，并且被按壓成與第一導(dǎo)體140接觸，如圖15所示。在一個實(shí)施例中，不導(dǎo)電粘合劑271是在被選擇性地卷曲或按壓時能夠斷裂的粘合劑薄層。
在一個實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140按前述方式形成在基片110上。不導(dǎo)電粘合劑271被布置在第二導(dǎo)體280和第一導(dǎo)體140之間，作為居間層。不導(dǎo)電粘合劑271例如可以是熱熔或壓敏粘合劑膜。然后在有或沒有熱量或壓力的情況下，組合件被機(jī)械地卷曲在一起，卷曲的方式使得第二導(dǎo)體280彎曲并且刺破或穿透不導(dǎo)電粘合劑271，從而在第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間產(chǎn)生緊密連接。
在另一個實(shí)施例中，不導(dǎo)電粘合劑271被用于形成第二導(dǎo)體280和第一導(dǎo)體140的邊緣密封，如圖16所示。邊緣密封將保持第二導(dǎo)體280和第一導(dǎo)體140緊密接觸，這樣，就不需要中間導(dǎo)體(例如導(dǎo)電介質(zhì)270)了。在該實(shí)施例中，粘合劑薄層首先被沉積在第二導(dǎo)體280和第一導(dǎo)體140之間。然后，將會把基片290按壓接近基片110的機(jī)械技術(shù)被用于在組件上向下壓。隨著基片290和基片110被按壓在一起，不導(dǎo)電粘合劑271被按壓到第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的側(cè)面或邊緣。在第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280接觸的一個實(shí)施例中，不導(dǎo)電粘合劑271被選擇性地按壓或壓縮，以使得它移動或流動到第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的邊緣，以允許第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280電連接，如圖10所示。
不導(dǎo)電粘合劑271可以是熱熔粘合劑、壓敏粘合劑、電磁輻射可同化粘合劑(例如，UV、IR、可見光、RF或微波可固化粘合劑)、熱可固化粘合劑、熱固性材料、熱塑性材料或能夠在壓力和/或熱量下流出以在凝固時形成邊緣密封的材料。不導(dǎo)電粘合劑271可以在未固化或經(jīng)軟化的狀態(tài)下被直接沉積在第二導(dǎo)體280上和/或第一導(dǎo)體140上，并且被允許在基片110和基片290被按壓在一起之后固化或凝固。隨著不導(dǎo)電粘合劑271凝固，它在第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280周圍形成邊緣密封，以保持這兩個導(dǎo)體彼此直接接觸以形成電連接。
在前述實(shí)施例的任何一個中，可以結(jié)合如圖17A～圖17C所示的小且尖的顆粒291，以直接或通過使用中間層(例如導(dǎo)電介質(zhì)270或不導(dǎo)電粘合劑271)來增強(qiáng)第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間的物理互連和/或電互連。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體140和第二導(dǎo)體280包含可能阻礙連接的少量污染物或氧化物殘余時，顆粒291尤其有益。小且尖的顆粒(例如細(xì)微的鉆石、玻璃或任何其他具有不規(guī)則形狀的硬且小的顆粒)可以與導(dǎo)電墨或膏或不導(dǎo)電粘合劑混合。導(dǎo)電墨/膏或不導(dǎo)電粘合劑隨后可以被絲網(wǎng)印刷或模版印刷或按前述方式分布。在一個實(shí)施例中，在將第一導(dǎo)體140接合到第二導(dǎo)體280的過程期間，顆粒將會穿透表面并且磨損污染物，從而改善對第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280形成的接觸或連接。在另一個實(shí)施例中，小且尖的顆粒291可以充當(dāng)機(jī)械互鎖，以增強(qiáng)連接，如圖17A～圖17C所示。
在一個實(shí)施例中，如圖17A所示，小且尖的顆粒(例如鉆石)291被分布在用于形成第一導(dǎo)體140或第二導(dǎo)體280的導(dǎo)電膏或墨中。在該實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280將在不使用中間層的情況下被彼此直接連接。在一個實(shí)施例中，小且尖的顆粒(例如鉆石)291被分布在用于形成第一導(dǎo)體140或第二導(dǎo)體280的具有導(dǎo)電填充物的熱固性墨中。在另一個實(shí)施例中，小且尖的顆粒(例如鉆石)291被分布在用于形成第一導(dǎo)體140或第二導(dǎo)體280的具有導(dǎo)電填充物的熱塑性墨中。用于熱塑性墨的顆粒291的大小可能略大，以補(bǔ)償墨的軟化。隨后允許利用前述方法或其他方便的方法凝固具有顆粒291的熱固性墨或具有顆粒291的熱塑性墨，以形成第一導(dǎo)體140或第二導(dǎo)體280。在第一導(dǎo)體140或第二導(dǎo)體280被凝固之后，小且尖的顆粒291位于第一導(dǎo)體140或第二導(dǎo)體280的表面。這些顆粒291隨后充當(dāng)機(jī)械互鎖，以幫助保持第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間的接觸。在替換實(shí)施例中，顆粒291被涂覆以導(dǎo)電材料，以進(jìn)一步增強(qiáng)或確保第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間的電互連。
在另一個實(shí)施例中，尖且小的顆粒291被結(jié)合到不導(dǎo)電粘合劑271中，并且基片110和基片290被按壓在一起，從而使得不導(dǎo)電粘合劑271被推到第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的外邊緣，如圖17B所示。在該實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280在不使用中間層的情況下被直接彼此連接。不導(dǎo)電粘合劑271可以是粘合劑薄層，并且可以首先被沉積在第二導(dǎo)體280和第一導(dǎo)體140之間。將把基片290按壓接近基片110的機(jī)械技術(shù)隨后被用于在組合上向下壓。由于基片290和基片110被按壓在一起，不導(dǎo)電粘合劑271被按壓到了第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的側(cè)面或邊緣。在第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280接觸的一個實(shí)施例中，不導(dǎo)電粘合劑271被選擇性地按壓或壓縮，以使得它移動或流動到第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的邊緣，以允許第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280電連接。
不導(dǎo)電粘合劑271可以是熱熔性粘合劑、壓敏粘合劑、電磁輻射可固化粘合劑(例如，UV、IR、可見光、RF或微波可固化粘合劑)、熱固性材料或熱塑性材料。不導(dǎo)電粘合劑271可以在未固化或經(jīng)軟化的狀態(tài)下被直接沉積在第二導(dǎo)體280上和/或第一導(dǎo)體140上，并且被允許在基片110和基片290被按壓在一起之后凝固。隨著不導(dǎo)電粘合劑271凝固，它在第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280周圍形成邊緣密封，以保持這兩個導(dǎo)體彼此直接接觸以形成電連接。此外，顆粒291充當(dāng)進(jìn)一步維持第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間的附接的機(jī)械互鎖。
在一個實(shí)施例中，顆粒291被結(jié)合到導(dǎo)電介質(zhì)270中。顆粒291將會位于導(dǎo)電介質(zhì)270的表面，如圖17C所示。顆粒291為導(dǎo)電介質(zhì)270提供了額外的機(jī)械互鎖特征。如前所述，導(dǎo)電介質(zhì)270可以是其中懸浮有導(dǎo)電顆粒的聚合膜，例如具有導(dǎo)電填充物的熱固性墨或具有導(dǎo)電填充物的熱塑性墨。不導(dǎo)電粘合劑271充當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的中間導(dǎo)體。此外，分布在導(dǎo)電介質(zhì)270中的顆粒(例如鉆石)291為導(dǎo)電介質(zhì)270提供了對第一導(dǎo)體140和/或第二導(dǎo)體280的額外的機(jī)械互鎖。顆粒291還可被涂覆導(dǎo)電材料以增加導(dǎo)電性。
在另一個實(shí)施例中，不是用導(dǎo)電介質(zhì)270、不導(dǎo)電粘合劑271或小且尖的顆粒291來產(chǎn)生和/或增強(qiáng)第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間的電和機(jī)械連接，第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280被直接彼此連接。在一個實(shí)施例中，使用焊接(soldering)來將第一導(dǎo)體140直接附接到導(dǎo)體280。傳統(tǒng)的焊接技術(shù)或激光焊接可以用來將第一導(dǎo)體140焊接到第二導(dǎo)體280。傳統(tǒng)的焊料接合一般使用低熔點(diǎn)合金來接合兩個金屬表面(例如第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280)。焊料被加熱到其熔點(diǎn)，并且在仍處于熔化狀態(tài)的同時被置于要接合的兩個金屬表面之間。特別準(zhǔn)備兩個金屬表面以促進(jìn)與焊料的粘合通常是很重要的。從而，第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280都需要被準(zhǔn)備以促進(jìn)與焊料的粘合。在激光焊接技術(shù)中，少許焊料(例如以膏的形式)可以被置于第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間，并且激光被用于加熱焊料，以將第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280接合在一起。激光焊接使得能夠?qū)⒑噶嫌米鲙浇臃椒?，即使過程中涉及塑料基片(例如基片110和/或290)。激光加熱焊料的速度和位置精度可以高到使得塑料基片可能能夠經(jīng)受得住該操作。
在替換實(shí)施例中，用激光熔焊(welding)將第一導(dǎo)體140直接附接到第二導(dǎo)體280。一般，在激光熔焊中，高能量IR激光被用于提供精確定位的熱源，以將兩個相容的金屬熔合在一起?？梢灶A(yù)期，激光的高速度和高精度可被用于附接過程中，以將第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280熔化/熔合在一起以形成強(qiáng)導(dǎo)電接合。完成它的一種方式是將基片110適當(dāng)?shù)囟ㄎ辉诨?90上，并且用激光來將附接區(qū)域(例如第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280需要接觸或連接的區(qū)域)加熱到高到足以將兩個第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的表面熔合在一起的溫度?？梢栽O(shè)想，所需的熱量實(shí)際上可能在支撐塑料材料中灼燒出孔。只要為第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280形成了機(jī)械/電接合，這是可接受的。
當(dāng)使用焊接或熔焊方法時，第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280一般是由彼此相容的導(dǎo)電材料制成的。在某些實(shí)施例中，在第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280被焊接或熔焊在一起時，在基片290或110中可能產(chǎn)生孔。這是可接受的，因?yàn)檫@些孔沒有大到影響組合件的功能。
在另一個實(shí)施例中，用卷曲來使第一導(dǎo)體140電耦合到第二導(dǎo)體280。在該實(shí)施例中，卷曲工具(例如鉗子、沖模(die)和板)可用于將第一導(dǎo)體140壓到第二導(dǎo)體280。
在其他實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140可以直接耦合到第二導(dǎo)體280，而不如前所述那樣添加任何導(dǎo)電介質(zhì)/粘合劑或不導(dǎo)電粘合劑。這些實(shí)施例可以使用機(jī)械接合技術(shù)來為第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280產(chǎn)生連接。金屬鉚釘(rivet)、桿(rod)、扒釘(staple)或線(wire)可用于穿通第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280，以建立機(jī)械附接，從而允許第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間的電互連。鉚釘槍、加壓空氣槍、槌、自動致動器、釘機(jī)、空氣槍、機(jī)械沖擊設(shè)備或其他方便的工具被用于完成機(jī)械附接。
在一個實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140被置于與第二導(dǎo)體280臨時接觸的狀態(tài)，然后被卷曲在一起以產(chǎn)生耐久的電連接。卷曲可以按多種方式來完成。例如，第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280可以被壓在一對鉗子的齒之間、卷曲沖模和平板之間，或者卷曲沖模和互補(bǔ)板之間。卷曲沖模上可能具有多種組件特征，它們被設(shè)計(jì)為在一個組件特征上沖擊第一導(dǎo)體140的一部分，在另一個組件特征上沖擊第二導(dǎo)體280。例如來自槌、空氣活塞或機(jī)械致動器的下方?jīng)_擊也可以用于幫助卷曲。
在另一個實(shí)施例中，在相對的一側(cè)具有相應(yīng)的板的針狀沖模被用于將第一導(dǎo)體140和280機(jī)械地接合在一起。將沖模推到板中使得頂部板中的導(dǎo)電變形至底部板上的導(dǎo)體。當(dāng)此變形足夠大時，頂部導(dǎo)體的一部分將會部分變形地留在底部導(dǎo)體內(nèi)，從而建立了電接觸。
第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280的電連接也可以用縫合到第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280中的線(未示出)來連接在一起。可以利用比如縫紉這樣的純手工系統(tǒng)，或者比如導(dǎo)電絲附接這樣的更自動化的系統(tǒng)，來將該金屬線拉過導(dǎo)體或縫到導(dǎo)體中?？p合連接可以是一針或多針，這依賴于所需的連接強(qiáng)度。
在一個實(shí)施例中，可以簡單地利用傳統(tǒng)的捆綁技術(shù)將基片110捆綁到可能是大規(guī)模組件的基片的基片290，以將兩個基片緊緊保持在一起，從而使得第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280彼此接觸，以允許電連接。在一個實(shí)施例中，支撐第一導(dǎo)體140的基片110被安放在支撐第二導(dǎo)體280的基片240上。然后，粘合帶被施加在基片110上和基片290上，從而使得基片110與基片290靠在一起，其中第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280彼此緊密接觸。粘合帶例如可以是壓敏粘合劑膜、具有B段(B-staged)熱固粘合劑的干膜、UV固化粘合劑，它們是幾種可能。粘合帶可以施加到基片290上的基片110，或者，基片110開始可以被置于粘合帶上，然后粘合帶可以被施加到基片290，從而使得基片110上的第一導(dǎo)體140與基片290上的第二導(dǎo)體280適當(dāng)?shù)貙?zhǔn)。
在另一個實(shí)施例中，第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280可以通過各種機(jī)械方法電連接。在一個實(shí)施例中，熱超聲接合被用于將第一導(dǎo)體140和導(dǎo)體280接合在一起。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體140和第二導(dǎo)體280由易于熔合在一起的材料制成時，熱超聲接合是有用的。在一個實(shí)施例中，基片110或基片290將需要被加熱。這可以通過將要加熱的基片放置在經(jīng)加熱的臺上來完成。如果必要的話，可以通過加熱拾取工具來加熱基片(110或290)。也可以使用其他加熱基片的方法，例如經(jīng)加熱的氣體?；?10隨后被置于基片290上，從而使得第一導(dǎo)體140接觸第二導(dǎo)體280。然后向組合件施加壓力，以確保良好的接觸。接下來在預(yù)定長的一段時間中，超聲能量(振動)被施加到組合件。在一個實(shí)施例中，為了適應(yīng)接合工具和部件之間的任何平面角，可以在接合工具的接合頭與基片110或基片290之間引入聚合物層。熱超聲接合比起其他某些方面來要求的時間較少。熱超聲接合可用于熔合金屬(例如Au-Au)，從而可提供較低的接觸阻抗。超聲能量的添加允許了界面溫度低于若采用其他方式可能會需要的溫度。
在一個實(shí)施例中，熱壓縮接合被用于將第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280接合在一起。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體140和第二導(dǎo)體280由不易于熔合在一起的材料制成時，熱壓接合也是有用的。熱壓接合與壓超聲接合類似，除了熱壓不是使用超聲能量，而不是使用壓力來獲得物理接觸。
此外，當(dāng)中間介質(zhì)(例如導(dǎo)電介質(zhì)270或不導(dǎo)電粘合劑271)如前所述被沉積在第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280之間時，熱超聲接合和熱壓接合可用于將第一導(dǎo)體140和第二導(dǎo)體280接合在一起。
圖3A示出了圖1的帶片的實(shí)施例沿所示方向的線A-A的視圖。示出了基片110、NanoBlock IC 120、平坦化層130、第一導(dǎo)體140和絕緣層150之間的各種交疊。此外，示出了平坦化層130中接觸孔315，從而使得第一導(dǎo)體140和NanoBlock IC 120之間的連接清楚。
圖3B示出了圖2的裝置的實(shí)施例沿所示方向的線B-B的視圖。示出了第一導(dǎo)體140、絕緣層150和第二導(dǎo)體280之間的交疊。為了清晰，還示出了基片110，但未示出基片290。
圖4示出了天線的實(shí)施例。每條臂455被連接到天線導(dǎo)體焊盤283，在一個實(shí)施例中它與第二導(dǎo)體280相同。注意，在替換實(shí)施例中，臂455可以簡單地形成包括天線導(dǎo)體焊盤283的天線導(dǎo)體，從而使得它們成為臂和焊盤兩者的單一整體結(jié)構(gòu)。
圖5示出了一個連接板部分的實(shí)施例，其上附著有包括NanoBlock IC的帶片。每個帶片505(其中一個示例性帶片505被標(biāo)記)被附著到一對導(dǎo)電帶條(tape strip)515。帶條515形成更大的卷軸(spool)的一部分，該卷軸還包括用于繞線目的的通孔525。在一個實(shí)施例中，帶條515可以是各向異性導(dǎo)電膜(ACF)，其中帶片505的導(dǎo)體(例如第一導(dǎo)體140)附著到ACF。此外，帶卷軸可以形成為在帶片515的列之間存在縫隙，以允許通過縫隙割開帶，以產(chǎn)生單列帶片。
圖6示出了形成既包括小特征尺寸組件又包括大特征尺寸組件的裝置的方法的實(shí)施例。在塊610處，例如通過傳統(tǒng)VLSI方法制作集成電路。在塊620處，將集成電路被嵌入到(一個或多個)基片中。在塊630處，發(fā)生用于形成平坦化和絕緣層的處理，并且形成絕緣體(本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會意識到也可以形成薄膜或厚膜絕緣層)。在塊640處，例如通過膏上絲網(wǎng)印刷或通過其他添加工藝將導(dǎo)電介質(zhì)施加到基片。在塊650處，將大規(guī)模組件附接到導(dǎo)電介質(zhì)。注意，在一個實(shí)施例中，圖5的帶卷軸可被用于通過單獨(dú)附接每個帶片然后在附接之后切割帶，來將大量帶片附接到大規(guī)模組件。在替換實(shí)施例中，導(dǎo)電介質(zhì)640被直接施加到包含IC 620的基片，而省略絕緣層。
圖7示出了形成既包括小特征尺寸組件又包括大特征尺寸組件的裝置的方法的替換實(shí)施例，特別參考了使用比如NanoBlock IC之類的功能塊的RF-ID標(biāo)簽的制作。在塊710處，例如通過傳統(tǒng)VLSI方法制作NanoBlockIC。應(yīng)當(dāng)意識到，可以通過其他適合的方法將NanoBlock IC沉積、附接或以其他方式包含在基片中。在塊720處，通過FSA將NanoBlock IC嵌入在基片中。在塊730處，發(fā)生用于形成平坦化層和/或絕緣層的任何必要的后FSA處理。具體而言，形成至少一個薄膜電介質(zhì)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會意識到，在替換實(shí)施例中，薄膜電介質(zhì)可能不是必要的。在塊740處，將例如采取被絲網(wǎng)印刷在基片上的膏的形式的第一導(dǎo)電介質(zhì)施加到基片，從而產(chǎn)生帶片。在塊750處，將導(dǎo)電帶附著到帶片上的導(dǎo)電介質(zhì)。在塊760處，將天線附接到帶片，從而使得天線被電耦合到相應(yīng)帶片的NanoBlock IC。
圖8示出了帶片的替換實(shí)施例的側(cè)視圖。將會意識到，圖8的實(shí)施例與圖1的實(shí)施例類似。但是，圖8示出了基片810，其中(在開口中)嵌入或包含有集成電路820，其具有焊盤825。焊盤825中的每一個上通過添加工藝沉積有第一導(dǎo)體840，例如銀墨。通常，但不是總是，第一導(dǎo)體840被沉積成使之與一個且只與一個焊盤825直接接觸，從而允許對于電路每個電接觸有單獨(dú)的導(dǎo)體。
此外，將會意識到，焊盤825的大小可能大于如圖1的NanoBlock IC120這樣的集成電路上的類似焊接的大小，這是因?yàn)楹副P825必須與特征尺寸遠(yuǎn)大于VLSI設(shè)備通常的特征尺寸的材料(第一導(dǎo)體840)直接接口。注意，在一個實(shí)施例中，可以預(yù)期第一導(dǎo)體840具有約10～15μm的沉積厚度，以及1μm量級或更小的最終厚度，并且焊盤825的最小尺寸為20×20μm量級或更大。
圖9示出了帶片的另一個替換實(shí)施例的側(cè)視圖。圖9示出了與圖8類似的實(shí)施例，它還包括了絕緣體。提供了包括嵌入或包含在其中的集成電路920的基片910。焊盤925是集成電路920的一部分，并且可以預(yù)期它具有與焊盤825類似的尺寸。通過使用厚膜工藝，絕緣層(電介質(zhì))930被沉積在集成電路920上。可以預(yù)期絕緣層930具有10微米量級的厚度。同樣利用添加工藝沉積的是第一導(dǎo)體940，它覆蓋絕緣層930和焊盤925的某些部分，從而允許集成電路920和大規(guī)模組件之間的電接觸(例如通過大規(guī)模組件中包括的第二導(dǎo)體)。可以預(yù)期第一導(dǎo)體940具有與第一導(dǎo)體840類似的特性。
圖10示出了帶片的另一個替換實(shí)施例的側(cè)視圖。在該實(shí)施例中，提供了包括其中結(jié)合或包含有集成電路1020的基片1010。在基片1010的頂部，形成絕緣體1030。絕緣體1030被形成通孔圖案，通過這些通孔，第一導(dǎo)體1040可以實(shí)現(xiàn)與集成電路1020的導(dǎo)電焊盤1025的接觸。將會意識到，通孔要求比圖8和圖9的導(dǎo)體組件的任何絕緣體更高的圖案化精度。此外，將會意識到，基片1010的幾乎整個表面都可能被絕緣體1030覆蓋，而不是像圖9那樣只是有限區(qū)域被覆蓋。此外，將會意識到，集成電路1020上的焊盤1025可能比集成電路920和820的類似焊盤要小。
圖11示出了形成既包括小特征尺寸組件又包括大特征尺寸組件的裝置的方法的另一個替換實(shí)施例。在塊1110處，將集成電路嵌入在支撐基片內(nèi)。在塊1120處，將絕緣體施加到基片。在塊1130處，例如通過光刻薄膜工藝圖案化絕緣體，從而去除絕緣體的某些部分，以暴露基片或集成電路的某些部分，例如接合物或?qū)щ姾副P。作為施加、圖案化或者甚至后蝕刻階段的一部分，可能涉及進(jìn)一步的清潔，例如洗掉光刻膠?；蛘撸瑢庾R到，可以使用光敏絕緣體或電介質(zhì)，從而例如消除對光刻膠的需要。
在塊1140處，將導(dǎo)電材料施加到基片，涂覆絕緣體的全部或部分，以形成第一導(dǎo)體。在塊1150處，根據(jù)需要處理(例如通過熱固化)導(dǎo)電材料，以形成適當(dāng)?shù)膶?dǎo)體(例如第一導(dǎo)體)。注意，本領(lǐng)域中已知，對于各種制造工藝，對于某些配方，在90～100℃下可以以合理的固化時間實(shí)現(xiàn)銀墨的固化。將會意識到，固化時間會發(fā)生變化，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以使固化工藝適應(yīng)于周邊制造工藝和要生產(chǎn)的設(shè)備的需要。在塊1160處，將大規(guī)模組件附接到第一導(dǎo)體，從而實(shí)現(xiàn)與集成電路的電耦合。在一個實(shí)施例中，大規(guī)模組件包括第二導(dǎo)體，其中第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體(或者直接，或者通過導(dǎo)電介質(zhì)，如前所述)將IC電互連到大規(guī)模組件。還注意到，塊1160的對第一導(dǎo)體的最終處理可以在塊1170處大規(guī)模組件被附接之后執(zhí)行。
前面的描述大部分集中在結(jié)合將其中嵌入、包含或結(jié)合有集成電路的帶片附接到單獨(dú)的大規(guī)模組件來使用本發(fā)明。將會意識到，存在其中并不涉及單獨(dú)的大規(guī)模組件的其他實(shí)施例。具體而言，大特征尺寸組件可以作為帶片的一部分被結(jié)合，例如充當(dāng)天線的嵌入式導(dǎo)體，或者可以形成在帶片上，如圖12A和圖12B所示。印刷或以其他方式使用添加處理技術(shù)來在帶片上形成導(dǎo)電介質(zhì)的天線1240是一種選擇。
或者，其他大特征尺寸組件，例如電源、傳感器或邏輯器件，可以被形成在帶片上或附接到帶片。將NanoBlock IC或其他小型或微型功能塊與帶片上的這種大特征尺寸組件互連可通過使用導(dǎo)體1440來完成，從而允許大特征尺寸組件1460和小特征尺寸(例如NanoBlock IC)組件1420之間的電耦合，如圖14所示。此外，導(dǎo)電介質(zhì)1340可被用于互連嵌入在單個基片中的兩個或更多個小特征尺寸組件，例如兩個NanoBlock IC，如圖13所示。
圖12A示出了基片的另一個實(shí)施例的頂視圖?；?210可以是例如如前所述的基片，包括柔性或剛性材料。IC 1220被嵌入在基片1210中的開口中。絕緣體1230是形成在基片1210和IC 1220兩者頂部之上的一層絕緣材料(或電介質(zhì)層)，并且可以具有平坦化屬性。接觸孔1215是絕緣體1230中位于IC 1220的接觸焊盤之上的孔，從而允許IC 1220和第一導(dǎo)體1240之間的物理接觸和電連接。絕緣層1250是第一導(dǎo)體1240、絕緣體1220和基片1210的某些部分之上以及整個IC 1220之上的另一個絕緣體或電介質(zhì)。注意，各種層的實(shí)際配置可能會相當(dāng)不同。例如，第一導(dǎo)體1240被形成到例如對于射頻應(yīng)用可能有用的天線的兩條臂中。但是，電池、傳感器、電源、鈕扣電池以及顯示器和顯示電極也可以通過用導(dǎo)體和/或?qū)щ娊橘|(zhì)和其他材料來形成。
圖12B示出了基片的另一個實(shí)施例的側(cè)視圖。如圖所示，第一導(dǎo)體1240占據(jù)圖12A的接觸孔1215，以與IC 1220直接接觸。此外，將會意識到，在其沿絕緣體1230的表面繪出其路徑時，針對第一導(dǎo)體1240示出的片段對應(yīng)于天線的各個片段。沿著這些線，將會意識到在某些情況下絕緣體1230的存在并不是必要的。
圖13示出了基片的另一個實(shí)施例的側(cè)視圖?；?310包括第一IC1320和第二IC 1325。絕緣體1330形成在IC 1320、IC 1325和基片1310上。第一導(dǎo)體1340形成在上述絕緣體1330上，并且與IC 1320和IC 1325兩者接觸。第一導(dǎo)體1340的一部分形成IC 1320和IC 1325之間的電連接，從而將IC 1320電耦合到IC 1325。在IC 1320和IC 1325兩者之上形成了絕緣體層1350。
圖14示出了基片的另一個實(shí)施例的側(cè)視圖。基片1410在其中的開口中嵌入或包含有IC 1420。形成在基片1410和IC 1420之上的是絕緣體1430。形成在絕緣體1430之上并連接到IC 1420的是導(dǎo)體1440，其一部分連接到傳感器1460，從而將IC 1420電耦合到傳感器1460。形成在導(dǎo)體1440和絕緣體1430的一部分之上的是絕緣體1450，其與絕緣體1430可能是相同材料也可能不是相同材料。
在前面的詳細(xì)描述中，已經(jīng)參考本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明的方法和裝置。但是，很明顯，在不脫離本發(fā)明的實(shí)施例的范圍的情況下，可對其作出各種修改和改變。具體而言，各個框圖的相分離的塊代表方法或裝置的功能塊，但不一定是指示物理或邏輯上的分離或者本發(fā)明的實(shí)施例的范圍中固有的操作順序。例如，圖1的各個塊可以集成到組件中，或者可以被細(xì)分為組件，或者可以形成為與圖示的那些不同的物理形狀。類似地，圖6(例如)的塊代表一種方法的某些部分，在某些實(shí)施例中，這些部分可以被重新排序或被并行而不是按直線或逐步方式組織。本說明書和附圖因此應(yīng)當(dāng)被視為說明性的而不是限制性的。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括包括基片的帶片，所述基片中包含有集成電路，所述集成電路耦合到布置在所述基片上的第一導(dǎo)體，所述第一導(dǎo)體由熱固性材料或熱塑性材料制成；以及具有第二導(dǎo)體的大規(guī)模組件，所述第二導(dǎo)體被電耦合到所述第一導(dǎo)體，以將所述大規(guī)模組件電耦合到所述集成電路，所述大規(guī)模組件包括第二基片。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二導(dǎo)體被直接電耦合到所述第一導(dǎo)體，并且其中，所述集成電路具有面向所述第二導(dǎo)體的有源表面。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一導(dǎo)體通過加熱、電磁輻射、濕氣、UV曝光和暴露給活性組分中的任何一種而凝固。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一導(dǎo)體由具有導(dǎo)電填充物的熱塑性材料制成，所述具有導(dǎo)電填充物的熱塑性材料直接耦合到所述大規(guī)模組件的第二導(dǎo)體到所述集成電路。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一導(dǎo)體是由固有導(dǎo)電的熱塑性材料制成的。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一導(dǎo)體是由固有導(dǎo)電的熱固性材料制成的。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括形成在所述第一導(dǎo)體上的導(dǎo)電介質(zhì)，以將所述第一導(dǎo)體互連到所述大規(guī)模組件的第二導(dǎo)體。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中，所述導(dǎo)電介質(zhì)是各向同性材料和各向異性材料中的一種。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述各向同性材料在不需要導(dǎo)電的區(qū)域被使得失活。
10.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中，所述導(dǎo)電介質(zhì)是以下之一具有導(dǎo)電顆粒的聚合物載體、固有導(dǎo)電的熱塑性材料、具有導(dǎo)電顆?；蛲扛灿袑?dǎo)電材料的不導(dǎo)電顆粒的熱塑性材料、固有導(dǎo)電的熱固性材料、具有導(dǎo)電顆?；蛲扛灿袑?dǎo)電材料的不導(dǎo)電顆粒的熱固性材料、導(dǎo)電聚合物、碳基導(dǎo)體、具有導(dǎo)電纖維的載體、具有導(dǎo)電碳納米管的載體、具有導(dǎo)電填充物的壓敏粘合劑、以及焊料。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述集成電路是適合用于以下應(yīng)用中的一種或多種的電路射頻識別標(biāo)簽、傳感器、顯示器或相位陣列天線。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述大規(guī)模組件包括形成在所述第二基片上的天線、電子顯示器、顯示電極、傳感器、電源、存儲器件和邏輯器件中的任何一種。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述天線是所述第二導(dǎo)體的一部分。
14.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括布置在所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間的不導(dǎo)電粘合劑，所述不導(dǎo)電粘合劑包括斷裂部分以允許所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間的接觸，或者包括所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間的充分薄的部分，以使得能夠通過所述不導(dǎo)電材料將所述兩個導(dǎo)體容性耦合。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，卷曲或按壓被用于引起所述不導(dǎo)電粘合劑中的斷裂。
16.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括不導(dǎo)電粘合劑層，所述不導(dǎo)電粘合劑層在所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體的邊緣周圍形成邊緣密封，以使所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體保持緊密接觸。
17.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括分布在所述第一導(dǎo)體或所述第二導(dǎo)體之一中的多個小顆粒，所述顆粒當(dāng)所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體被放置為彼此緊密接觸時，產(chǎn)生所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間的機(jī)械互鎖。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體中的至少一個是由熱固性或熱塑性材料制成的。
19.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述顆粒被涂覆以導(dǎo)電材料。
20.如權(quán)利要求17所述的裝置，還包括不導(dǎo)電粘合劑層，所述不導(dǎo)電粘合劑層在所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體的邊緣周圍形成邊緣密封。
21.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括分布在所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之一中的多個小且尖的顆粒，以增強(qiáng)與所述第一導(dǎo)體或所述第二導(dǎo)體的接觸。
22.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括形成在所述第一導(dǎo)體上以將所述第一導(dǎo)體互連到所述第二導(dǎo)體的導(dǎo)電介質(zhì)，所述導(dǎo)電介質(zhì)包括分布在其中的多個小顆粒，以增強(qiáng)所述第一導(dǎo)體到所述第二導(dǎo)體的互連。
23.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括鉚釘、桿、扒釘和線中的一個或多個，以將所述第一導(dǎo)體互連到所述第二導(dǎo)體，其中所述鉚釘、桿、扒釘和線中的一個或多個插過所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體，所述鉚釘、桿、扒釘或線將所述第一導(dǎo)體連接到所述第二導(dǎo)體。
24.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體通過機(jī)械接合連接，所述機(jī)械接合包括但不限于捆綁、卷曲或釘合。
25.一種方法，包括將包含功能塊的第一基片的第一導(dǎo)體附接到大規(guī)模組件的第二導(dǎo)體，所述功能塊被嵌入在第一基片中并且被電連接到所述第一導(dǎo)體，并且所述大規(guī)模組件被形成在第二基片上；所述第一導(dǎo)體利用熱超聲接合和熱壓接合中的一種被附接到所述第二導(dǎo)體；所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體中的每一個是獨(dú)立地由金屬、熱塑性材料和熱固性材料中的任何一種制成的。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述熱塑性材料和所述熱固性材料中的任何一種或兩者是固有導(dǎo)電的。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括將多個小且尖的顆粒分布到用于制造所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之一的材料中，以產(chǎn)生機(jī)械互鎖，以增強(qiáng)所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間的附接。
28.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括利用流體式自組裝將所述功能塊分布到所述第一基片中。
29.一種方法，包括將第一導(dǎo)體附接到嵌入在第一基片中的集成電路，所述第一導(dǎo)體被電連接到所述集成電路；以及將大規(guī)模組件附接到所述第一導(dǎo)體，所述大規(guī)模組件被電連接到所述第一導(dǎo)體，并且所述大規(guī)模組件形成在第二基片上。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，還包括將所述集成電路嵌入在所述第一基片中。
31.如權(quán)利要求29所述的方法，還包括利用流體式自組裝將所述集成電路嵌入在所述第一基片中。
32.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，將所述第一導(dǎo)體附接到所述集成電路是通過以下任何一種實(shí)現(xiàn)的絲網(wǎng)印刷、平臺或輪轉(zhuǎn)絲網(wǎng)印刷、模版印刷、噴墨印刷、凹版印刷、苯胺印刷、戳印、靜電印刷、通過針和吸管分布、層壓、熱壓、激光輔助化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、掩模、蒸發(fā)、擠壓涂覆、簾式淋涂和電鍍。
33.如權(quán)利要求29所述的方法，還包括將導(dǎo)電介質(zhì)附接到所述第一導(dǎo)體，將所述導(dǎo)電介質(zhì)附接到所述大規(guī)模組件中包括的第二導(dǎo)體，以將所述集成電路互連到所述大規(guī)模組件。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，還包括利用熱超聲接合和熱壓接合之一來促進(jìn)所述導(dǎo)電介質(zhì)到所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體中任何一個的附接。
35.一種方法，包括將集成電路嵌入到第一基片中，并將第一導(dǎo)體布置在所述第一基片上，所述集成電路被電連接到所述第一導(dǎo)體，所述第一導(dǎo)體由熱固性材料或熱塑性材料制成；以及將具有第二導(dǎo)體的大規(guī)模組件電耦合到所述集成電路，所述第二導(dǎo)體被耦合到所述第一導(dǎo)體，以將所述大規(guī)模組件電耦合到所述集成電路，所述大規(guī)模組件包括第二基片。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述熱塑性材料和所述熱固性材料中的任何一種或兩者是固有導(dǎo)電的。
37.如權(quán)利要求35所述的方法，還包括將所述第二導(dǎo)體直接耦合到所述第一導(dǎo)體，其中所述集成電路的有源表面面向所述第二導(dǎo)體。
38.如權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述集成電路的有源表面面向所述第二導(dǎo)體。
39.如權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述熱塑性材料具有導(dǎo)電填充物。
40.如權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述熱固性材料具有導(dǎo)電填充物。
41.如權(quán)利要求35所述的方法，還包括將導(dǎo)電介質(zhì)布置在所述第一導(dǎo)體，以將所述第一導(dǎo)體互連到所述大規(guī)模組件的第二導(dǎo)體。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，所述導(dǎo)電介質(zhì)是各向同性材料和各向異性中的任何一種。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，還包括在不需要導(dǎo)電的區(qū)域中使所述各向同性材料失活。
44.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，所述導(dǎo)電介質(zhì)是以下任何一種具有導(dǎo)電顆粒的聚合物載體、固有導(dǎo)電的熱塑性材料、具有導(dǎo)電顆粒的熱塑性材料、固有導(dǎo)電的熱固性材料、具有導(dǎo)電顆粒的熱固性材料、導(dǎo)電聚合物、碳基導(dǎo)體、具有導(dǎo)電纖維的載體、具有導(dǎo)電碳納米管的載體、具有導(dǎo)電填充物的壓敏粘合劑、以及焊料。
45.如權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述集成電路是適合用于射頻、顯示器、傳感器、或相位陣列天線應(yīng)用的電路。
46.如權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述大規(guī)模組件包括形成在所述第二基片上的天線、電子顯示器、顯示電極、傳感器、電源、存儲器件和邏輯器件。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其中，所述天線是所述第二導(dǎo)體的一部分。
48.如權(quán)利要求35所述的方法，還包括將不導(dǎo)電粘合劑布置在所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間，并且選擇性地使所述不導(dǎo)電粘合劑的預(yù)定部分?jǐn)嗔岩栽试S所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間的接觸，或者使所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體充分接近以使得能夠通過所述不導(dǎo)電材料將所述兩個導(dǎo)體容性耦合。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，其中，卷曲或按壓被用于使所述不導(dǎo)電粘合劑的預(yù)定部分?jǐn)嗔选?br> 50.如權(quán)利要求49所述的方法，還包括在所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體的邊緣周圍形成邊緣密封，以使所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體保持緊密接觸。
51.如權(quán)利要求35所述的方法，還包括將多個小且尖的顆粒分布在所述第一導(dǎo)體或所述第二導(dǎo)體之一中，所述顆粒當(dāng)所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體被放置為彼此緊密接觸狀態(tài)時，產(chǎn)生所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間的機(jī)械互鎖。
52.如權(quán)利要求51所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體中的至少一個是由熱固性或熱塑性材料制成的。
53.如權(quán)利要求51所述的方法，其中，所述顆粒被涂覆以導(dǎo)電材料。
54.如權(quán)利要求51所述的方法，還包括在所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體的邊緣周圍形成邊緣密封。
55.如權(quán)利要求35所述的方法，還包括將多個小且尖的顆粒分布在所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之一中，以增強(qiáng)與所述第一導(dǎo)體或所述第二導(dǎo)體的接觸。
56.如權(quán)利要求35所述的方法，還包括在所述第一導(dǎo)體上形成導(dǎo)電介質(zhì)以將所述第一導(dǎo)體互連到所述第二導(dǎo)體，并且將多個小且尖的顆粒分布在所述導(dǎo)電介質(zhì)中。
57.如權(quán)利要求35所述的方法，還包括穿過所述第一導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體布置鉚釘、桿、扒釘和線中的一個或多個，以將所述第一導(dǎo)體附接到所述第二導(dǎo)體。
全文摘要
一種結(jié)合了小特征尺寸組件和大特征尺寸組件的裝置。該裝置包括帶片，該帶片包括基片，基片中包含有集成電路。集成電路耦合到布置在基片上的第一導(dǎo)體，第一導(dǎo)體由包括導(dǎo)電填充物的熱固性材料或熱塑性材料制成。具有第二導(dǎo)體的大規(guī)模組件被電耦合到第一導(dǎo)體，以將大規(guī)模組件電耦合到集成電路。大規(guī)模組件包括第二基片。
文檔編號G06K19/077GK1914730SQ200580003454
公開日2007年2月14日 申請日期2005年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月30日
發(fā)明者蘇珊·斯文德勒哈爾斯特, 馬克·A·哈德雷, 保羅·S·德扎伊克, 戈登·S·W·克雷格, 格倫·甘格爾, 斯科特·赫爾曼恩, 阿里·徹, 倫道夫·W·埃森哈爾特 申請人:阿利安科技有限公司