專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及有效適用于具有在布線襯底上 層疊存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片而形成的封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近年來，為了謀求半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的大容量化和裝置尺寸的小型 化，開發(fā)出了在布線襯底上層疊有多個(gè)存儲(chǔ)器芯片的各種半導(dǎo)體器件。
日本特開2006-351664號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中公開了一種在布 線襯底上層疊有多個(gè)存儲(chǔ)器芯片和微機(jī)芯片的SIP (System In Package:系統(tǒng)封裝)。該SIP在布線村底的表面上層疊多個(gè)存儲(chǔ)器芯 片和微機(jī)芯片，與微機(jī)芯片相鄰而在存儲(chǔ)器芯片的表面上配置有由硅 襯底構(gòu)成的中介(interposer)芯片。另外，微機(jī)芯片的焊盤經(jīng)中介芯 片和接合線而與布線襯底的焊盤相連接。
日本特開2002-33442號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2 )、日本特開2002-217356 號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3 )以及日本特開2007-59541號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4) 中公開了一種將一邊形成有多個(gè)接合焊盤的半導(dǎo)體芯片層疊于布線 襯底上的半導(dǎo)體器件。各半導(dǎo)體芯片分別以如下狀態(tài)層疊，即形成有 接合焊盤的一邊朝相互相反方向地配置，且在與上述一邊正交的方向 上相互錯(cuò)開。
曰本特開2006-86149號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)5 )中公開了 一種在布線 村底上層疊搭載了多個(gè)半導(dǎo)體芯片和再布線用元件(中介片)的堆疊 型多芯片封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。再布線元件具有將多個(gè)半導(dǎo)體芯片 之間、布線襯底與半導(dǎo)體芯片之間連接的布線，利用再布線元件實(shí)施 多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間的相互連接、半導(dǎo)體芯片的焊盤的再配置等。日本特開2005-244143號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)6)中公開了一種在層 疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片上層疊接口芯片的半導(dǎo)體器件。在多個(gè)半導(dǎo)體芯 片下方配置有Si中介片和樹脂中介片。Si中介片配置于樹脂中介片 與多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間，厚度厚于半導(dǎo)體芯片的厚度，且線膨脹系數(shù) 小于樹脂中介片的線膨脹系數(shù)、大于等于多個(gè)半導(dǎo)體芯片的線膨脹系 數(shù)。
日本特開2007-66922號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)7)中公開了一種具有堆 疊構(gòu)造的封裝的半導(dǎo)體集成電路器件。該半導(dǎo)體集成電路器件具有在 印刷線路板上層疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片而成的堆疊構(gòu)造，在搭載于最下部 的半導(dǎo)體芯片上設(shè)有接口電路。該接口電路由緩存器和靜電保護(hù)電路 等構(gòu)成，在多個(gè)半導(dǎo)體芯片輸入輸出的信號(hào)都經(jīng)該接口電路進(jìn)行輸入 輸出。
日本特開2007-128953號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)8)中公開了一種在具
有連接焊盤的布線襯底上層疊安裝分別具有長(zhǎng)邊單側(cè)焊盤構(gòu)造的第 一和第二半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件。第二半導(dǎo)體芯片比第一半導(dǎo)體芯
片小，且具有細(xì)長(zhǎng)形狀。第一和第二半導(dǎo)體芯片經(jīng)接合線與布線襯底 2的連接焊盤電連接，第二半導(dǎo)體芯片配置成長(zhǎng)邊L與線接合時(shí)的超 聲波施加方向X平行。
日本特開2007-96071號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)9)中公開了一種可搭載 大容量的非易失性存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡包括 矩形的電路襯底、矩形的非易失性存儲(chǔ)器芯片和矩形的控制器芯片， 該非易失性存儲(chǔ)器芯片載置于電路襯底上，僅沿第 一 邊形成有多個(gè)第 一接合焊盤，并將該第 一接合焊盤與同第 一邊接近形成的多個(gè)第 一村 底端子線連接；上述控制器芯片以與第 一邊相鄰的非易失性存儲(chǔ)器芯 片的第二邊的方向同長(zhǎng)邊方向大致平行的方式載置于非易失性存儲(chǔ) 器芯片上。并且，在長(zhǎng)邊方向形成有多個(gè)第二接合焊盤，并將該第二 接合焊盤與同長(zhǎng)邊接近地形成在電路襯底上的多個(gè)第二襯底端子線 連接。
日本特開2004-63579號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)10)中公開了一種將在相互正交的兩邊形成有接合焊盤的兩片半導(dǎo)體芯片層疊而成的半導(dǎo) 體器件。層疊于第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片以在X和Y方 向錯(cuò)開的狀態(tài)層疊，從而使第一半導(dǎo)體芯片的兩邊的接合焊盤露出。
曰本特開2005-339496號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)11 )中公開了一種在布 線襯底的主面上層疊安裝多片閃存芯片，并在最上層的閃存芯片上安 裝了控制器芯片以及作為安全控制器的IC卡微機(jī)芯片的多功能存儲(chǔ) 卡。多片閃存芯片分別在一短邊形成接合焊盤，在長(zhǎng)邊方向錯(cuò)開預(yù)定 距離地層疊，以使該接合焊盤露出。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-351664號(hào)公才艮
專利文獻(xiàn)2:日本特開2002-33442號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開2002-217356號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4:日本特開2007-59541號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)5:日本特開2006-86149號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)6:日本特開2005-244143號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)7:日本特開2007-66922號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)8:日本特開2007-128953號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)9:日本特開2007-96071號(hào)公才艮
專利文獻(xiàn)10:日本特開2004-63579號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)11:日本特開2005-339496號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
存儲(chǔ)卡用作移動(dòng)電話、數(shù)字照相機(jī)、數(shù)字播放機(jī)等各種便攜式電 子設(shè)備的記錄介質(zhì)。
如上述專利文獻(xiàn)11所示，存儲(chǔ)卡的一般結(jié)構(gòu)是在布線襯底的主 面上層疊安裝多片閃存芯片，在最上層的閃存芯片之上安裝控制器芯 片。多片閃存芯片分別在與其一邊正交的方向上錯(cuò)開預(yù)定距離地層 疊，以使形成于芯片一邊的接合焊盤露出。
近年來，沿著以移動(dòng)電話為代表的各種便攜式電子設(shè)備的記錄介 質(zhì)所要求的存儲(chǔ)容量的增加，搭載于存儲(chǔ)卡的閃存芯片的層疊片數(shù)增加，而且閃存芯片的尺寸大型化。另外，各種便攜式電子設(shè)備逐漸小 型、薄型化，因此，也要求存儲(chǔ)卡小型、薄型化。
在布線襯底上安裝多片閃存芯片時(shí)，如上述專利文獻(xiàn)U所述那樣采 用在 一 方向上錯(cuò)開地層疊閃存芯片的方法時(shí)，無法將上述閃存芯片收 容到存儲(chǔ)卡。
存儲(chǔ)卡在層疊的閃存芯片的最上層搭載用于控制閃存的控制器
芯片，并通過形成于布線襯底的布線和Au線將閃存芯片與控制器芯 片電連接。但是，若閃存芯片的尺寸接近存儲(chǔ)卡的布線襯底的尺寸， 則在布線襯底的表面配置存儲(chǔ)器芯片連接用接合焊盤和控制器芯片 連接用接合焊盤的空間減小以致消除。
本發(fā)明的目的在于提供一種如下的技術(shù)在具有布線村底上層疊 了存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中能夠增加層 疊安裝于布線襯底上的存儲(chǔ)器芯片的數(shù)量。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種如下的技術(shù)在具有布線襯底上 層疊了存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中能夠提 高連接存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的布線的自由度。
本發(fā)明的上述及其他目的和新特征，將通過本說明書的記載和附 圖而得以清楚。
簡(jiǎn)要說明本申請(qǐng)公開的發(fā)明中的代表性技術(shù)方案，如下所示。 (1) 一種半導(dǎo)體器件，包括
布線襯底，其具有主面和背面，在上述背面形成有外部連接端子； 存儲(chǔ)器芯片，其安裝于上述布線襯底的上述主面上； 控制器芯片，其安裝于上述存儲(chǔ)器芯片上，控制上述存儲(chǔ)器芯片； 中介片，其安裝于上述存儲(chǔ)器芯片上，與上述控制器芯片電連接，
其特征在于
在上述存儲(chǔ)器芯片的第一邊形成有第一端子， 上述中介片配置于上述存儲(chǔ)器芯片的上述第一邊與上述控制器
芯片之間，上述中介片的第一邊形成有第二端子，在與上述第一邊正交的第 二邊形成有第三端子，在與上述第一邊相對(duì)的第三邊形成有第四端 子，
形成于上述中介片的第一邊的上述第二端子與形成于上述存儲(chǔ) 器芯片的第一邊的上述第一端子電連接，
形成于上述中介片的第二邊的上述第三端子經(jīng)由設(shè)置于上述布 線襯底的上述主面上一邊的第五端子而與上述外部連接端子電連接，
形成于上述中介片的第三邊的上述第四端子與上述控制器芯片 電連接。
(2) —種半導(dǎo)體器件，包括
布線襯底，其具有主面和背面，在上述背面形成有外部連接端子；
存儲(chǔ)器芯片，其安裝于上述布線襯底的上述主面上；
控制器芯片，其安裝于上述存儲(chǔ)器芯片上，其特征在于
在上述存儲(chǔ)器芯片的第一邊形成有第一端子，
上述控制器芯片的第一邊形成有第二端子，在與上述第一邊正交 的第二邊形成有第三端子，
形成于上述控制器芯片的第一邊的上述第二端子與形成于上述 存儲(chǔ)器芯片的第一邊的上述第一端子電連接，
形成于上述控制器芯片的第二邊的上述第三端子經(jīng)由設(shè)置于上 述存儲(chǔ)器芯片的與第一邊正交的第二邊一側(cè)的上述布線襯底的上述 主面上的第四端子而與上迷外部連接端子電連接，
以層疊有多片上述存儲(chǔ)器芯片的狀態(tài)被安裝在上述布線襯底的 上述主面上，
上述多片存儲(chǔ)器芯片在與上述第一邊正交的方向上錯(cuò)開而層疊， 以使各自的上述第一邊上設(shè)置的第一端子露出，
上述多片存儲(chǔ)器芯片中的最下層存儲(chǔ)器芯片和其他存儲(chǔ)器芯片 在上述布線襯底的上述主面內(nèi)以錯(cuò)開180度的狀態(tài)而層疊，以使形成 有上述第一端子的上述第一邊彼此朝向相反的方向，
上述最下層的存儲(chǔ)器芯片的上述第一端子經(jīng)由與上述第四端子
12相連接的上述布線襯底的布線而與上述控制器芯片電連接，
上述其他存儲(chǔ)器芯片的上述第一端子與上述控制器芯片的上述 第二端子電連接。
(3)—種半導(dǎo)體器件，以層疊有多片上述存儲(chǔ)器芯片的狀態(tài)被
安裝在布線襯底的主面上，其特征在于
在上述多片存儲(chǔ)器芯片的各自的第一邊形成有第一端子， 上述多片存儲(chǔ)器芯片在與上述第一邊正交的方向上錯(cuò)開而層疊，
以使各自的上述第一邊的第一端子露出，
上述多片存儲(chǔ)器芯片內(nèi)的最下層的存儲(chǔ)器芯片的第一邊與上述
布線襯底的第一邊并列配置，
上述多片存儲(chǔ)器芯片的片數(shù)為n片(n為4以上)時(shí)，在同一方 向上連續(xù)錯(cuò)開的存儲(chǔ)器芯片的片數(shù)為(n/2)片以下且2片以上，
上述多片存儲(chǔ)器芯片內(nèi)的除了最上層存儲(chǔ)器芯片、在同一方向上 連續(xù)錯(cuò)開的多片存儲(chǔ)器芯片組中的最上層的存儲(chǔ)器芯片，與組內(nèi)的其 他存儲(chǔ)器芯片以上述第一邊錯(cuò)開180度的狀態(tài)層疊。
簡(jiǎn)要說明本申請(qǐng)公開的發(fā)明中的代表性技術(shù)方案所得到的效果， 如下所示。
在具有布線村底上層疊了存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的封裝結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體器件中，能夠增加層疊安裝于布線襯底上的存儲(chǔ)器芯片的數(shù)量。
在具有布線襯底上層疊了存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的封裝結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體器件中，能夠提高連接存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的布線的自由度。


圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的內(nèi)部構(gòu)造的概略俯視圖。
圖2是表示本發(fā)明 一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的背面外觀的俯視圖。 圖3是圖1的A-A剖視圖。圖4 (a) 、 (b)是改變了存儲(chǔ)器芯片的層疊方法的存儲(chǔ)卡的剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡中控制器芯片、中介片、 存儲(chǔ)器芯片和布線襯底的連接關(guān)系的概略俯視圖。
圖6是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡中控制器芯片、中介片、 存儲(chǔ)器芯片和布線襯底的連接關(guān)系的框圖。
圖7是在未圖示中介片的情況下表示各芯片之間的連接關(guān)系的框圖。
圖8 (a)是將中介片的芯片選擇用焊盤與存儲(chǔ)器芯片的芯片選擇 用焊盤的連接部放大表示的俯視圖，圖8(b)是將控制器芯片的存儲(chǔ) 器固有控制焊盤與存儲(chǔ)器芯片的芯片選擇用焊盤的連接部放大表示 的俯碎見圖。
圖9是表示存儲(chǔ)器芯片的層疊方法的另 一 例子的剖視圖。 圖10是表示存儲(chǔ)器芯片的層疊方法的另 一例子的剖視圖。 圖11是表示存儲(chǔ)器芯片的層疊方法的另一例子的剖視圖。 圖12是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的剖視圖。 圖13是表示比較例的層疊方法的概略圖。
圖14是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的內(nèi)部構(gòu)造的概略俯視圖。
圖15 (a)是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的外觀(表面?zhèn)? 的俯視圖，圖15 (b)是該存儲(chǔ)卡的側(cè)視圖，圖15(c)是表示該存 儲(chǔ)卡外觀(背面?zhèn)?的俯視圖。
圖16是表示圖15所示的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。 圖17是表示圖15所示的存儲(chǔ)卡的布線襯底的剖視圖。 圖18是示意表示圖15所示的存儲(chǔ)卡的布線襯底、存儲(chǔ)器芯片、 控制器芯片和中介片的連接關(guān)系的電路圖。
圖19是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。 圖20是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的剖視圖。 圖21是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。圖22是表示本發(fā)明另 一 實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的剖視圖。 圖23是表示本發(fā)明另 一 實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。 圖24是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線村底的剖視圖。 圖25是用于制作中介片的圖形化村底的俯視圖。 圖26是表示由圖25所示的圖形化襯底制作中介片的方法的俯視圖。
圖27是表示由圖25所示的圖形化襯底制作中介片的方法的俯視圖。
圖28是表示使用由圖25所示的圖形化襯底得到的中介片組裝存
儲(chǔ)卡的方法的俯視圖。
圖29是表示使用由圖25所示的圖形化襯底得到的中介片組裝存
儲(chǔ)卡的方法的俯視圖。
圖30是表示使用由圖25所示的圖形化襯底得到的中介片組裝存
儲(chǔ)卡的方法的俯視圖。
圖31是表示使用由圖25所示的圖形化襯底得到的中介片組裝存
儲(chǔ)卡的方法的另 一例子的俯視圖。
圖32是表示使用由圖25所示的圖形化襯底得到的中介片組裝存
儲(chǔ)卡的方法的另 一例子的俯視圖。
圖33是表示使用由圖25所示的圖形化村底得到的中介片組裝存
儲(chǔ)卡的方法的另 一例子的俯視圖。
圖34是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。 圖35是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。 圖36是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。 圖37是表示圖36所示的存儲(chǔ)卡的布線襯底的剖視圖。 圖38是示意表示圖36所示的存儲(chǔ)卡的布線襯底、存儲(chǔ)器芯片控
制器芯片和中介片的連接關(guān)系的電路圖。
圖39是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。 圖40是表示本發(fā)明另 一 實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。 圖41是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的球柵陣列構(gòu)造的系統(tǒng)封裝的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。在用于說明實(shí)施方 式的所有附圖中對(duì)同樣構(gòu)件標(biāo)注相同附圖標(biāo)記，并省略其重復(fù)說明。 (實(shí)施方式1 )
本實(shí)施方式適用于用作移動(dòng)電話用記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)卡。 <層疊構(gòu)造的概要>
圖1是表示本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的內(nèi)部構(gòu)造的概略俯視圖，圖2
是表示該存儲(chǔ)卡背面外觀的俯視圖，圖3是圖1的A-A剖視圖。
本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡1A安裝在移動(dòng)電話機(jī)的卡槽中而使用，其 外形尺寸例如長(zhǎng)邊x短邊為15mmxl2.5mm，厚度為1.2mm。該存儲(chǔ)卡 1A包括以玻璃環(huán)氧樹脂為主體而構(gòu)成的布線襯底2;層疊于布線襯 底2的主面(表面)上的4片存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、 M3、 M4;安裝 于最上層的存儲(chǔ)器芯片M4的表面上的控制器芯片3;以及中介片 (interposer) 4。在此，存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、 M3、 M4大致為相同 形狀、相同尺寸。
布線襯底2和存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、 M3、 M4通過粘結(jié)劑等而被 相互固定。另夕卜，控制器芯片3和中介片4通過粘結(jié)劑等而被分別固 定于存儲(chǔ)器芯片M4的表面。
布線襯底2的表面?zhèn)缺挥糜诿芊馍鲜龃鎯?chǔ)器芯片M1 M4、控制 器芯片3和中介片4的模制樹脂5覆蓋。模制樹脂5例如由摻入了石 英填料的熱固性環(huán)氧樹脂等構(gòu)成。雖然未圖示，在相當(dāng)于存儲(chǔ)卡1A 表面的模制樹脂5的表面上貼附有記載了產(chǎn)品名、制造廠商、存儲(chǔ)容 量等的絕緣性標(biāo)簽。也可以在模制樹脂5的表面直接印刷上述內(nèi)容， 來代替這樣的標(biāo)簽。
如圖3所示，在將模制樹脂5的一側(cè)面(圖中右端部)、即存儲(chǔ) 卡1A插入移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)，成為前端部(圖中右端部)的一邊 (箭頭所表示的部位)被施加了錐加工，以使前端部的厚度薄于其他部分的厚度。通過將前端部做成這樣的形狀，從而在將存儲(chǔ)卡1A插 入卡槽時(shí)無論插入角度在上下方向偏離多少，都可以順利插入。另外， 在將存儲(chǔ)卡1A插入移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)成為后端部(圖中左端部)
的一邊(短邊)附近的模制樹脂5上設(shè)有凹槽5A。該凹槽5A在將存 儲(chǔ)卡1A插入移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)成為防止存儲(chǔ)卡1A的前端部與后 端部反向的引導(dǎo)槽。通過設(shè)置凹槽5A,能夠容易從卡槽拔出存儲(chǔ)卡 1A。
存儲(chǔ)器芯片M1 M4分別由厚度為0.09mm左右的長(zhǎng)方形的硅芯 片構(gòu)成，其主面(表面)上形成有可電擦除、寫入的非易失性存儲(chǔ)器 (閃存)，在此，該非易失性存儲(chǔ)器具有8千兆位的存儲(chǔ)容量。因此， 搭載了 4片存儲(chǔ)器芯片M1 M4的本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡1A具有存儲(chǔ) 容量8千兆位x442千兆位(4千兆字節(jié))。作為該閃存，使用例如 NAND型閃存，4旦也可以4吏用AG畫AND ( Assist Gate-AND )型閃存、 NOR型閃存等。在各存儲(chǔ)器芯片M1 M4的表面的一邊(短邊)附近， 多個(gè)焊盤(端子)6在該短邊方向集中形成。為了簡(jiǎn)化圖示，圖l中 僅示出一部分焊盤6。
各存儲(chǔ)器芯片M1 M4分別以其長(zhǎng)邊與布線襯底2長(zhǎng)邊朝向相同 方向的方式層疊在布線村底2的表面上。布線襯底2配置成其長(zhǎng)邊與 存儲(chǔ)卡1A長(zhǎng)邊朝向相同的方向。
<控制器芯片>
控制器芯片3由面積小于存儲(chǔ)器芯片M1 M4面積的長(zhǎng)方形硅芯 片構(gòu)成?？刂破餍酒?的厚度為O.lmm左右。在控制器芯片3的主面 (表面)上形成用于在存儲(chǔ)器芯片M1 M4與外部之間進(jìn)行數(shù)據(jù)收發(fā) 的接口電路，以遵從于來自外部的指示的控制方式來控制外部接口工 作和對(duì)存儲(chǔ)器芯片M1 M4的存儲(chǔ)器接口工作。在控制器芯片3的表 面的一邊(長(zhǎng)邊)附近形成有多個(gè)焊盤(端子)7列。
形成于控制器芯片3上的接口電路具有多個(gè)接口控制方式，以遵 從于外部指示的控制方式對(duì)外部接口工作和對(duì)存儲(chǔ)器芯片M1 M4的 存儲(chǔ)器接口工作進(jìn)行控制。存儲(chǔ)卡接口方式基于各種單體存儲(chǔ)卡的接口標(biāo)準(zhǔn)。例如，接口控制器通過程序控制來實(shí)現(xiàn)支持這些存儲(chǔ)卡的接 口標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)卡控制器的功能。通過經(jīng)網(wǎng)絡(luò)下載等對(duì)接口控制器增加 控制程序即格式軟件，從而也可以以后支持預(yù)定的存儲(chǔ)卡接口標(biāo)準(zhǔn)。 而且，若利用經(jīng)網(wǎng)絡(luò)取得的許可信息等來禁止執(zhí)行規(guī)定控制程序，則 也可使以后不能使用預(yù)定的存儲(chǔ)卡接口標(biāo)準(zhǔn)。 <中介片>
中介片4是其長(zhǎng)邊比存儲(chǔ)器芯片M1 M4的短邊稍短的長(zhǎng)方形樹 脂襯底，其厚度為0.13mm左右。中介片4以其長(zhǎng)邊與布線襯底2的 短邊朝向相同方向的方式安裝于控制器芯片3的附近。中介片4用作 在將控制器芯片3連接于存儲(chǔ)器芯片M1 M4和布線村底2時(shí)的中繼 襯底，其表面的三邊附近各形成一列多個(gè)焊盤(端子)8構(gòu)成的列。
在此，在相對(duì)的兩邊的長(zhǎng)邊一邊配置控制器芯片連接用焊盤，在 另一邊的邊配置存儲(chǔ)器芯片連接用焊盤。在一個(gè)短邊配置布線襯底連 接用焊盤。
中介片4上形成有多層布線。在此，由在表面和背面形成有布線 的樹脂襯底構(gòu)成。雖然表述為中介片4是樹脂襯底，但也可由例如形 成了布線的硅芯片等構(gòu)成該中介片。在布線襯底、存儲(chǔ)器芯片、控制 器芯片之間的連接不復(fù)雜時(shí)，可以不形成多層布線，而是形成單層布線。
如圖l所示，中介片4和控制器芯片3由Au線10電連接。中介 片4和存儲(chǔ)器芯片M2、 M3、 M4以及存儲(chǔ)器芯片M2 M4之間分別 由Au線11電連接。中介片4和布線襯底2由Au線12電連接。該 Au線12的一端所連接的布線襯底2側(cè)的焊盤(端子)9沿布線襯底 2的一長(zhǎng)邊形成。
由于在控制器芯片3與存儲(chǔ)器芯片M2 M4和布線襯底2之間設(shè) 置了中介片4,因此，通過改變中介片4的焊盤8、布線布局，就能 調(diào)換在中介片4輸入輸出的信號(hào)的順序或改變焊盤間距。因此，與將 控制器芯片3與存儲(chǔ)器芯片M2 M4和布線襯底2直接連接的情況相 比，提高了布線設(shè)計(jì)的自由度。尤其能增加線的布線自由度。在本實(shí)施方式中，將中介片4的長(zhǎng)邊設(shè)定為比控制器芯片3的長(zhǎng) 邊更接近存儲(chǔ)器芯片M1 M4的短邊長(zhǎng)度。因此，通過調(diào)整中介片4 內(nèi)的布線，就能將存儲(chǔ)器芯片M1 M4的焊盤6和中介片4的焊盤8 的連接中的傾斜布線減少、縮短。
通過使中介片4的長(zhǎng)邊接近存儲(chǔ)器芯片M1 M4的短邊長(zhǎng)度，與 使中介片4符合控制器芯片3的尺寸相比，能夠縮短設(shè)置于中介片4 短邊上的焊盤8與布線襯底2上的焊盤9的距離。因此，能夠縮短焊 盤之間的引線長(zhǎng)。尤其本構(gòu)造應(yīng)用于對(duì)高低差嚴(yán)格的部位，因此能夠 縮短引線長(zhǎng)，則會(huì)具有顯著的可使引線連接穩(wěn)定化的效果。
存儲(chǔ)器芯片M1 M4的外形尺寸、焊盤6的布局因半導(dǎo)體廠商而 異，但即使在安裝不同半導(dǎo)體廠商的存儲(chǔ)器芯片M1 M4的情況下， 通過改變中介片4的規(guī)格即可，不需改變控制器芯片3的規(guī)格，因此， 提高了控制器芯片3的通用性。
<布線才于&>
布線襯底2是厚度為0.2mm左右的長(zhǎng)方形樹脂襯底，雖然圖1~ 圖3未圖示，具有表面布線20、背面布線21和將它們連接起來的導(dǎo) 通孔22。在布線襯底2的主面(表面)上，除了存儲(chǔ)器芯片M1 M4 之外，還可根據(jù)需要安裝芯片電容器等小型被動(dòng)元件(未圖示)。
布線襯底2的背面不覆蓋模制樹脂5，而是在存儲(chǔ)卡1A的背面?zhèn)?露出。如圖2所示，在布線襯底2的背面形成多個(gè)外部連接端子23。 外部連接端子23由電源端子(Vcc)、接地端子(Vss)和數(shù)據(jù)輸入 輸出端子構(gòu)成，如后述那樣，外部連接端子23經(jīng)布線襯底2的背面 布線21、導(dǎo)通孔22和表面布線20等與控制器芯片3連接。
外部連接端子23形成在將存儲(chǔ)卡1A插入移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)成 為前端部的一邊(短邊)附近，沿該短邊方向配置。因此，當(dāng)將存儲(chǔ) 卡1A安裝于移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)，內(nèi)置于卡槽內(nèi)的連接器的端子與 外部連接端子23接觸，在存儲(chǔ)卡1A與移動(dòng)電話機(jī)之間進(jìn)行信號(hào)的收 發(fā)和電源的供給。本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡是用單一電源(例如3.3V)進(jìn) 行工作的規(guī)格，但也能用多個(gè)電源(例如1.8V和3.3V)進(jìn)行工作。
19此時(shí)，在最上層的存儲(chǔ)器芯片M4的表面上另外安裝電源控制用芯片。 <層疊界面構(gòu)造〉
如上所述，各存儲(chǔ)器芯片M1 M4分別以其長(zhǎng)邊與布線襯底2的 長(zhǎng)邊朝向相同方向的狀態(tài)層疊于布線襯底2的表面上。如圖3所示， 最下層的存儲(chǔ)器芯片Ml配置成形成有焊盤6的一側(cè)的短邊位于存儲(chǔ) 卡1A的后端部(將存儲(chǔ)卡1A插入移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)的后端部)。 在位于存儲(chǔ)卡1A后端部的布線襯底2的一邊(短邊)附近形成有多 個(gè)焊盤9,這些焊盤9和存儲(chǔ)器芯片Ml的焊盤6由Au線13電連接。 即，最下層的存儲(chǔ)器芯片Ml以在存儲(chǔ)卡1A的前端部方向錯(cuò)開預(yù)定 距離的狀態(tài)安裝在布線襯底2上，以使得不與布線襯底2的焊盤9重 疊。
另外，層疊于存儲(chǔ)器芯片Ml上的3片存儲(chǔ)器芯片M2 M4與存 儲(chǔ)器芯片Ml相反，配置成形成有焊盤6的一側(cè)的短邊位于存儲(chǔ)卡1A 的前端部。并且，為了使下層的存儲(chǔ)器芯片Ml的焊盤6露出，存儲(chǔ) 器芯片M2以在存儲(chǔ)卡1A的前端部方向錯(cuò)開預(yù)定距離的狀態(tài)安裝在 存儲(chǔ)器芯片M1上。同樣，為了使存儲(chǔ)器芯片M2的焊盤6和存儲(chǔ)器 芯片M3的焊盤6露出，存儲(chǔ)器芯片M3、 M4以在存儲(chǔ)卡1A的后端 部方向錯(cuò)開預(yù)定距離的狀態(tài)層疊。
如上述這樣層疊存儲(chǔ)器芯片M1 M4時(shí)，存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、 M3的各一端(存儲(chǔ)卡1A的前端部側(cè)的一端)比布線襯底2的端部 更向外側(cè)伸出。但是，如上所述，存儲(chǔ)卡1A的前端部側(cè)的模制樹脂 5被施加了錐加工，模制樹脂5的厚度方向的中央部比上部和下部更 向橫向伸出，因此，存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、 M3的各端部即使從布線 襯底2的端部伸出，也不會(huì)露出到模制樹脂5的外部。
圖4 (a) 、 (b)表示用與上述不同的方法層疊4片存儲(chǔ)器芯片 M1 M4、并用與存儲(chǔ)卡1A的模制樹脂5相同尺寸的模制樹脂5將其 密封而成的存儲(chǔ)卡的截面。
圖4 (a)是表示將存儲(chǔ)器芯片Ml、 M3和存儲(chǔ)器芯片M2、 M4 相互反向地配置、并沿布線襯底2的長(zhǎng)邊方向交替錯(cuò)開而層疊存儲(chǔ)器芯片M1 M4的例子。此時(shí)，需要在布線襯底2A的靠存儲(chǔ)卡1A前端 部側(cè)和后端部側(cè)分別設(shè)置焊盤9,因此與本實(shí)施方式的布線襯底2相 比，布線襯底2A的長(zhǎng)邊方向尺寸變長(zhǎng)，露出到模制樹脂5的外側(cè)。
圖4 (b)是將4片存儲(chǔ)器芯片M1 M4按同一朝向配置并使其沿 存儲(chǔ)卡的后端部方向錯(cuò)開預(yù)定距離而層疊以使存儲(chǔ)器芯片M2 M4各 自的焊盤6露出的例子。此時(shí)，布線襯底2B可以與本實(shí)施方式的布 線襯底2為相同尺寸，但從最下層的存儲(chǔ)器芯片Ml的一端(存儲(chǔ)卡 的前端部側(cè))到最上層的存儲(chǔ)器芯片M4的另一端(存儲(chǔ)卡的后端部) 的距離變長(zhǎng)，因此，存儲(chǔ)器芯片M1 M4露出到模制樹脂5的外側(cè)。
與此不同，本實(shí)施方式的構(gòu)造為，最下層的存儲(chǔ)器芯片Ml與設(shè) 置于布線襯底2的一短邊側(cè)的焊盤9連接，最下層之上的存儲(chǔ)器芯片 M2 M4與布線襯底2的短邊側(cè)的焊盤9不連接。即，最下層之上的 存儲(chǔ)器芯片M2 M4經(jīng)由設(shè)置于布線襯底2 —長(zhǎng)邊側(cè)的焊盤9和設(shè)置 于存儲(chǔ)器芯片M4上的中介片4而相連接。由此，與在布線襯底2的 兩短邊設(shè)置焊盤9的情況相比，可減少一邊的焊盤面積。通過在布線 襯底2的一邊的長(zhǎng)邊側(cè)設(shè)置焊盤9，可自最下層連接上方的存儲(chǔ)器芯 片M2 M4。
通過在布線村底2的一短邊側(cè)和一長(zhǎng)邊側(cè)設(shè)置焊盤9,與在短邊 側(cè)的兩邊設(shè)置焊盤的情況相比，短邊和長(zhǎng)邊具有相同程度的尺寸余 量，可使布線襯底2與存儲(chǔ)器芯片M1 M4的尺寸接近。
在本實(shí)施方式中，最下層的存儲(chǔ)器芯片Ml的焊盤6配置在布線 襯底2的一短邊側(cè)，最下層以外的存儲(chǔ)器芯片M2 M4的焊盤6層疊 在布線村底2的另一短邊側(cè)。從布線襯底2看時(shí)，從下側(cè)起第一層和 第二層的存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2向圖3的右方向依次錯(cuò)開，第三層和第 四層的存儲(chǔ)器芯片M3、 M4向相反側(cè)(圖3的左方向)依次錯(cuò)開。這 樣層疊4片存儲(chǔ)器芯片M1 M4，從而能夠減小4片存儲(chǔ)器芯片 M1 M4的層疊構(gòu)造的長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度。由此，即使在沿著形成于存儲(chǔ) 器芯片M1 M4的閃存的容量增加而芯片尺寸增加的情況下，可層疊 4片存儲(chǔ)器芯片M1 M4而收容于存儲(chǔ)卡1A中，因此可促進(jìn)存儲(chǔ)卡1A的大容量化。
在本實(shí)施方式中，如圖3所示，存儲(chǔ)卡1A的側(cè)面的外形不是左
右對(duì)稱。即，圖3的右側(cè)側(cè)面具有錐部，該錐部上延伸有上層的存儲(chǔ)
器芯片M2。在圖3的左側(cè)側(cè)面(沒有錐形的部分)不像在右側(cè)那樣
延伸。如此，通過能在錐部配置存儲(chǔ)器芯片M2,從而能夠消除層疊
時(shí)的錯(cuò)開而對(duì)長(zhǎng)度擴(kuò)大的影響。 <與中介片的連接關(guān)系〉
圖5是比圖1進(jìn)一步詳細(xì)地表示控制器芯片3、中介片4、存儲(chǔ) 器芯片M1 M4、布線襯底2的連接關(guān)系的概略俯視圖。
圖6是表示控制器芯片3、中介片4、存儲(chǔ)器芯片M1 M4、布線 襯底2的連接關(guān)系的框圖。為了便于圖示，對(duì)于焊盤(6 9)和與其 連接的信號(hào)布線僅圖示了一部分。為了便于圖示，對(duì)電源用外部連接 端子23V僅圖示了 Vcc和Vss中的一者，但實(shí)際上設(shè)置Vcc和Vss 雙方。圖示中的"存儲(chǔ)器通用"是指分別通用地施加于各存儲(chǔ)器芯片， "存儲(chǔ)器固有"是指施加于多個(gè)存儲(chǔ)器芯片的某一個(gè)。
圖7未圖示中介片4，表示了各芯片之間的連接關(guān)系。Vcc和GND (Vss)通用地施加于控制器芯片3和存儲(chǔ)器芯片M1 M4。在與控制 器芯片3之間用于命令信號(hào)、地址信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的I/Ob與各存儲(chǔ) 器芯片M1 M4和控制器芯片3連接。根據(jù)來自控制器芯片3的Select 信號(hào)(1 ~4)選擇存儲(chǔ)器芯片M1 M4中的某一個(gè)。在此，與上述的 "存儲(chǔ)器通用"對(duì)應(yīng)的是I/Ob,與"存儲(chǔ)器固有"對(duì)應(yīng)的是Select。
接著，使用圖5說明上述的連接關(guān)系。經(jīng)中介片4對(duì)存儲(chǔ)器芯片 M1 M4和控制器芯片3供給電源(Vcc、 Vss)。即，通過中介片4 的表面布線15al連接控制器芯片3的電源焊盤7al和存儲(chǔ)器芯片 M2 M4的電源焊盤6al。
表面布線15al經(jīng)導(dǎo)通孔17而與背面布線16al和表面布線15a2 連接，進(jìn)而經(jīng)Au線12等與布線襯底2的表面布線20a連接。表面布 線20a與存儲(chǔ)器芯片Ml的電源焊盤9al連接，進(jìn)而與圖2所示的布 線襯底2的背面的外部連接端子23 (電源端子)連接。
22存儲(chǔ)器芯片M1 M4分別具有命令信號(hào)、地址信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)所 使用的存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤6a2和芯片選擇信號(hào)所使用的芯片選擇 用焊盤(存儲(chǔ)器固有信號(hào)用焊盤)6b。中介片4的一長(zhǎng)邊附近配置有 存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤8a2和芯片選擇用焊盤(存儲(chǔ)器固有信號(hào)用焊 盤)8b。
4片存儲(chǔ)器芯片M1 M4中除了最下層的存儲(chǔ)器芯片Ml以外的存 儲(chǔ)器芯片M2 M4的各存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤6a2經(jīng)Au線11而相互 連接，經(jīng)中介片4的存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤8a2而與控制器芯片3的 存儲(chǔ)器通用控制焊盤7a2連接。存儲(chǔ)器芯片M2 M4的各芯片選擇用 焊盤6b經(jīng)Au線ll和中介片4的芯片選擇用悍盤8b而與控制器芯片 3的存儲(chǔ)器固有控制焊盤7b連接。
另外，存儲(chǔ)器芯片Ml的存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤6a經(jīng)Au線12、 13、布線襯底2的存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤9a2和形成于布線襯底2長(zhǎng) 邊的表面布線20而與中介片4的存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤8a3連接。 該存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤8a3配置于中介片4的一短邊附近，經(jīng)表面 布線15、導(dǎo)通孔17和背面布線16而與存儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤8a2 和控制器芯片3的存儲(chǔ)器通用控制焊盤7a連接。
存儲(chǔ)器芯片Ml的芯片選擇用焊盤6b經(jīng)Au線12、 13、布線襯底 2的芯片選擇用焊盤(存儲(chǔ)器固有信號(hào)用焊盤)9b和沿布線襯底2長(zhǎng) 邊形成的表面布線20而與中介片4的芯片選擇用焊盤8b連接。該芯 片選擇用焊盤8b配置于中介片4的一短邊附近，經(jīng)表面布線15與控 制器芯片3的存儲(chǔ)器固有控制焊盤7b連接。
在中介片4的一短邊附近形成有與上述存儲(chǔ)器芯片Ml連接的存 儲(chǔ)器通用信號(hào)用焊盤8a3和芯片選擇用焊盤8b、以及外部輸入輸出用 焊盤8c。控制器芯片3的外部輸入輸出用焊盤7c經(jīng)中介片4的外部 輸入輸出用焊盤8c、布線村底2的表面布線20、導(dǎo)通孔22和背面布 線21而與外部連接端子23連接。
如此，在本實(shí)施方式中，將中介片4的長(zhǎng)邊的一邊用于與層疊的 第二層以上的存儲(chǔ)器芯片M2 M4的連接，將中介片4的長(zhǎng)邊的另一邊用于與控制器芯片3的連接。進(jìn)而，將中介片4的短邊的一邊用于
與布線襯底的連接。進(jìn)一步詳細(xì)而言，在第一層的存儲(chǔ)器芯片Ml和 控制器芯片3的連接、控制器芯片3、存儲(chǔ)器芯片M2 M4的電源連 接、與布線襯底2的背面的外部連接端子23的連接使用中介片的短 邊的一邊。
如此，將中介片4的各邊分別用于各連接對(duì)象，從而有效使用中 介片4。將排列有用于與布線襯底2連接的焊盤的中介片4的邊(在 此為短邊)構(gòu)成為比設(shè)有焊盤的其他邊更接近對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器芯片的 邊。由此，能夠縮短將高低差較大的中介片4和布線襯底2連接的引 線長(zhǎng)，因此能夠謀求連接的穩(wěn)定性。
<中介片和芯片選擇>
圖8(a)是將中介片4的芯片選擇用焊盤8b與存儲(chǔ)器芯片M2~ M4的各芯片選擇用焊盤6b的連接部放大的俯視圖。如上所述，當(dāng)在 控制器芯片3與存儲(chǔ)器芯片Ml M4之間設(shè)有中介片4時(shí)，能夠適當(dāng) 改變中介片4的焊盤8的間距和布局等。
因此，例如如圖8 (a)所示，若將與存儲(chǔ)器芯片M4連接的芯片 選擇用焊盤8b配置于正中，將與存儲(chǔ)器芯片M2、 M3連接的芯片選 擇用焊盤8b配置于其兩側(cè)，則Au線11之間的間距擴(kuò)大，因此能夠 抑制它們之間發(fā)生短路。
如圖8 (b)所示，在將控制器芯片3的存儲(chǔ)器固有控制焊盤7b 和存儲(chǔ)器芯片M2~M4的各芯片選擇用焊盤6b直接連接時(shí)，存儲(chǔ)器 固有控制焊盤7b彼此之間的間距較窄，且不能改變它們的布局，因 此，Au線11彼此之間的間距變窄，它們之間容易產(chǎn)生短路。如此， 在控制器芯片3和存儲(chǔ)器芯片M2 M4之間設(shè)置中介片4對(duì)于防止 Au線11彼此之間的短路也是有效的。
實(shí)施方式2
<存儲(chǔ)器芯片的層疊方法〉
在本實(shí)施方式中，表示與實(shí)施方式1不同的4片存儲(chǔ)器芯片的層 疊方法，即使如圖9、圖10或圖11所示那樣配置層疊存儲(chǔ)器芯片
24Ml ~M4時(shí)，也能減小4片存儲(chǔ)器芯片Ml ~M4的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度。 <圖9的層疊構(gòu)造>
采用圖9所示的層疊方法時(shí)，存儲(chǔ)器芯片Ml、 M3配置成形成有 焊盤6—側(cè)的短邊位于存儲(chǔ)卡1A的后端部，存儲(chǔ)器芯片M2、 M4配 置成形成有焊盤6 —側(cè)的短邊位于存儲(chǔ)卡1A的前端部。
存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2相對(duì)于布線襯底2層疊于圖中右側(cè)。存儲(chǔ)器 芯片M3以與布線襯底2大致重疊的方式層疊于存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2 的圖中左側(cè)，存儲(chǔ)器芯片M4相對(duì)于存儲(chǔ)器芯片M3層疊于圖中右側(cè)。
存儲(chǔ)器芯片Ml通過引線13與布線襯底2連接。存儲(chǔ)器芯片M2、 M4在圖中右側(cè)與中介片4連接，存儲(chǔ)器芯片M3在圖中左側(cè)與中介 片4連接。中介片4通過引線12與布線襯底2的長(zhǎng)邊側(cè)連接。
此時(shí)，為了分別縮短將存儲(chǔ)器芯片Ml、 M3與中介片4連接的 Au線11的長(zhǎng)度、和將存儲(chǔ)器芯片M2、 M4與中介片4連接的Au線 11的長(zhǎng)度，使沿存儲(chǔ)器芯片Ml ~M4的長(zhǎng)邊方向的中介片4的長(zhǎng)度 長(zhǎng)于實(shí)施方式1中的中介片4長(zhǎng)度。
此時(shí)，由于中介片4的面積變大，因此控制器芯片3安裝于中介 片4的表面上。在該層疊構(gòu)造中，能夠?qū)⒕€11分散于圖中左右兩側(cè)。
<圖10的層疊構(gòu)造>
在圖IO中，存儲(chǔ)器芯片Ml和布線襯底2以大致重疊的方式配置。 存儲(chǔ)器芯片M2經(jīng)存儲(chǔ)器芯片Ml與中介片4連接，存儲(chǔ)器芯片M3、 M4在與存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2相反一側(cè)的邊上與中介片4連接。對(duì)于 其他的與圖9的層疊構(gòu)造相同的部分，省略其說明。
在該層疊構(gòu)造中，由于存儲(chǔ)器芯片Ml和布線襯底2不直接連接， 因此，在布線襯底2的短邊側(cè)不設(shè)置與存儲(chǔ)器芯片Ml直接連接的焊 盤也可以。
<圖11的層疊構(gòu)造>
在圖11中，存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2的圖中左側(cè)與布線襯底2連接， 存儲(chǔ)器芯片M3、 M4的圖中右側(cè)與中介片4連接。
在該層疊構(gòu)造中，由于存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2和布線襯底2直接連接，因此，與將中介片4和3片以上的存儲(chǔ)器芯片連接的構(gòu)造相比，
中介片4的連接不會(huì)復(fù)雜。
本實(shí)施方式的層疊方法與圖9~圖ll所示的層疊方法的共同點(diǎn)在 于，將存儲(chǔ)器芯片M2 M4的2片或3片以在最下層的存儲(chǔ)器芯片 Ml的長(zhǎng)邊方向錯(cuò)開預(yù)定距離的狀態(tài)層疊、和一部分存儲(chǔ)器芯片M3、 M4經(jīng)中介片4與布線襯底2連接。圖9、圖10的共同點(diǎn)在于從圖中 左右兩側(cè)連接中介片4。
實(shí)施方式3
圖12是表示本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的剖視圖。該存儲(chǔ)卡1B是自下 層起按Ml ~M8的順序在布線襯底2的表面上層疊8片存儲(chǔ)器芯片 Ml ~M8而成的。
存儲(chǔ)器芯片M1 M8都在一邊(短邊)附近形成有多個(gè)焊盤6。 在最上層的存儲(chǔ)器芯片M8的表面上安裝中介片4,在中介片4的表 面上安裝控制器芯片3。中介片4的兩個(gè)短邊附近形成有多個(gè)焊盤8， 這些焊盤8和存儲(chǔ)器芯片M3 M8的焊盤6由Au線11連接。
最下層的存儲(chǔ)器芯片Ml和其上方的存儲(chǔ)器芯片M2經(jīng)Au線13 與布線襯底2的表面布線(未圖示)連接。該表面布線沿布線村底2 的一長(zhǎng)邊形成，經(jīng)Au線12與中介片4的焊盤(未圖示)連接，進(jìn)而 經(jīng)Au線IO與控制器芯片3連接。雖然未圖示，Au線12的一端所連 接的中介片4的焊盤沿中介片4的長(zhǎng)邊形成。
沿中介片4的長(zhǎng)邊形成的上述焊盤的一部分經(jīng)Au線12與布線襯 底2的表面布線(未圖示)連接，進(jìn)而經(jīng)該表面布線和未圖示的導(dǎo)通 孔、背面布線而與外部連接端子23連接。
在圖12所示的例子中，經(jīng)布線襯底2的表面布線將下層的2片 存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2與中介片4連接，上層的存儲(chǔ)器芯片M3~M8 不經(jīng)表面布線而與中介片4連接，但也可以下層的3片存儲(chǔ)器芯片 Ml M3經(jīng)布線村底2的表面布線與中介片4連接，上層的存儲(chǔ)器芯 片M4 M8不經(jīng)表面布線而與中介片4連接。
在此，對(duì)在布線襯底2的表面上層疊8片存儲(chǔ)器芯片Ml ~M8時(shí)的層疊方法進(jìn)行說明，通常在布線襯底的表面上層疊多片存儲(chǔ)器芯片
時(shí)，設(shè)存儲(chǔ)器芯片的片數(shù)為n片(其中n為4以上)，則通過使在同 一方向上連續(xù)錯(cuò)開的存儲(chǔ)器芯片的片數(shù)為(n/2)片以下且2片以上， 能夠減小存儲(chǔ)器芯片層疊而成的長(zhǎng)度。
例如如本實(shí)施方式這樣，在布線襯底2的表面上層疊8片存儲(chǔ)器 芯片M1 M8時(shí)，只要使在同一方向上連續(xù)錯(cuò)開的存儲(chǔ)器芯片的片數(shù) 小于4片且2片以上即可。在圖示的例子中，3片存儲(chǔ)器芯片M1 M3在存儲(chǔ)卡1B的前端部方向錯(cuò)開配置，其上部的3片存儲(chǔ)器芯片 M4 M6在存儲(chǔ)卡1B的后端部方向4昔開配置，進(jìn)而其上部的2片存 儲(chǔ)器芯片M7、 M8在存儲(chǔ)卡1B的前端部方向錯(cuò)開配置。連續(xù)錯(cuò)開的 多片存儲(chǔ)器芯片內(nèi)(組內(nèi))的最上層的存儲(chǔ)器芯片的設(shè)有(組內(nèi)的) 焊盤的邊與其他存儲(chǔ)器芯片的相反。即，存儲(chǔ)器芯片M3和存儲(chǔ)器芯 片Ml、 M2的焊盤的邊相反，存儲(chǔ)器芯片M6和存儲(chǔ)器芯片M4、 M5 的焊盤的邊也相反。
關(guān)于所有存儲(chǔ)器芯片中的最上層的存儲(chǔ)器芯片、與中介片4最接 近的存儲(chǔ)器芯片，既可相反，也可不相反。在圖示的例子中，存儲(chǔ)器 芯片M8和存儲(chǔ)器芯片M7不相反。
例如如圖13所示，在將存儲(chǔ)器芯片M1 M4逐個(gè)交替錯(cuò)開的層疊 方法中，在存儲(chǔ)器芯片Ml的焊盤6的上方重疊兩個(gè)以上的存儲(chǔ)器芯 片M3，因此，若不在存儲(chǔ)器芯片Ml的焊盤6接合上Au線13,就 無法層疊存儲(chǔ)器芯片M3。另外，若在同一方向上連續(xù)錯(cuò)開的存儲(chǔ)器 芯片的片數(shù)大于(n/2)片，則層疊的存儲(chǔ)器芯片的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。
如此，做成使用了中介片4的層疊構(gòu)造，從而能夠縮短層疊存儲(chǔ) 器芯片時(shí)的長(zhǎng)度。
實(shí)施方式4
近年來，移動(dòng)電話機(jī)用的存儲(chǔ)卡如微SD卡(microSD card)所代 表的那樣追求小型化、薄型化。但是，另外收容于存儲(chǔ)卡中的存儲(chǔ)器 芯片追求大容量化，因此盡可能使存儲(chǔ)器芯片的尺寸接近存儲(chǔ)卡的布 線襯底的尺寸，且層疊多片存儲(chǔ)器芯片，從而來謀求大容量化。對(duì)此，
27收容于存儲(chǔ)卡的控制器芯片為了增加能由1片半導(dǎo)體晶片制得的片 數(shù)，傾向于芯片尺寸變小，與存儲(chǔ)器芯片的尺寸差逐漸變大。與存儲(chǔ) 器芯片相比，控制器芯片的焊盤(接合焊盤)的數(shù)量較多，因此芯片 尺寸變小時(shí)，則必須將以往沿芯片的1邊或2邊配置的焊盤沿芯片的
3邊或4邊配置。
出于以上理由，在微SD卡那樣的小型薄型存儲(chǔ)卡中，在布線村
底上配置線接合用的焊盤的空間變得極其窄，難以用引線將控制器芯 片和布線襯底連接。
若將焊盤沿控制器芯片的3邊或4邊配置，則用引線連接控制器 芯片和其他部件(布線襯底、存儲(chǔ)卡)時(shí)，由于其他部件的焊盤位置 的影響，難以連線。而且，即使能用引線將控制器芯片和其他部件連 接，在線長(zhǎng)變長(zhǎng)，因此產(chǎn)生接合不穩(wěn)定的問題、由于無法降低線環(huán)路 高度而難以使存儲(chǔ)卡薄型化的問題。
以下，詳細(xì)說明適用于微SD卡的實(shí)施方式。圖15(a)是表示本實(shí) 施方式的存儲(chǔ)卡的外觀(表面?zhèn)?的俯視圖，圖15 (b)是該存儲(chǔ)卡 的側(cè)視圖，圖15 (c)是表示該存儲(chǔ)卡的外觀(背面?zhèn)?的俯視圖， 圖16是表示該存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖，圖17是表示該存儲(chǔ)卡的 布線襯底的剖視圖。
本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡1B由合成樹脂制的蓋部30、收容于該蓋部 30的布線襯底2C構(gòu)成，其外形尺寸是長(zhǎng)邊x短邊為15mmxllmm, 厚度是除了形成突起31的部分之外為l.Omm。雖然未圖示，在構(gòu)成 存儲(chǔ)卡1B的表面的蓋部30的表面上印刷了產(chǎn)品名、制造廠商、存儲(chǔ) 容量等。突起31沿將存儲(chǔ)卡1B插入移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)成為后端部 的蓋部30的一邊(短邊)設(shè)置。通過設(shè)置該突起31,使得將存儲(chǔ)卡 1B插入卡槽、或從卡槽拔出存儲(chǔ)卡1B的操作變得容易。
收容于蓋部30的布線村底2C的主體由玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu)成，其主 面(表面)上安裝有2片存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、 1片控制器芯片3、 1 片中介片4。根據(jù)需要在布線襯底2C的主面上安裝芯片電容器24等小型被動(dòng)元件。
如圖17所示，布線村底2C的主面被將上述存儲(chǔ)器芯片M1、M2、 控制器芯片3和中介片4密封的模制樹脂5覆蓋。模制樹脂5例如由 摻入了石英填料的熱固性環(huán)氧樹脂構(gòu)成。布線襯底2C的厚度為 0.2mm左右，將布線襯底2C和模制樹脂5合起來的厚度為0.7mm左右。
布線襯底2C的背面不覆蓋蓋部30，而是在存儲(chǔ)卡1B的背面?zhèn)?露出。如圖15(c)所示，在布線襯底2C的背面形成8個(gè)外部連接 端子23。這些外部連接端子23例如由1個(gè)電源端子(Vdd) 、 1個(gè)接 地端子(Vss) 、 1個(gè)命令端子(CMD)、 1個(gè)時(shí)鐘端子(CLK)和4 個(gè)數(shù)據(jù)輸入輸出端子(I/O)構(gòu)成，與上述實(shí)施方式1的存儲(chǔ)卡1A相 同，這些外部連接端子23經(jīng)形成于布線襯底2C的未圖示的背面布線、 導(dǎo)通孔和表面布線等與中介片4連接，進(jìn)而經(jīng)中介片4與控制器芯片 3和存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2電連接。這些外部連接端子23與上述實(shí)施 方式1的形成于存儲(chǔ)卡1A的外部連接端子23相同，沿將存儲(chǔ)卡1B 插入移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)成為前端部的一邊(短邊)配置。因此，當(dāng) 將存儲(chǔ)卡1B安裝于移動(dòng)電話機(jī)的卡槽時(shí)，內(nèi)置于卡槽內(nèi)的連接器的 端子與外部連接端子23接觸，在存儲(chǔ)卡1B與移動(dòng)電話機(jī)之間進(jìn)行信 號(hào)的收發(fā)和電源的供給。
如圖16所示，安裝于布線村底2C的主面上的2片存儲(chǔ)器芯片 Ml、 M2分別以其長(zhǎng)邊與布線襯底2C的長(zhǎng)邊朝向相同方向的方式安 裝于布線襯底2C的表面上，布線襯底2C以其長(zhǎng)邊與存儲(chǔ)卡1B的長(zhǎng) 邊朝向相同方向的方式配置。在存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2的各主面的一邊 (短邊)附近形成有與芯片內(nèi)的存儲(chǔ)元件(電路)部連接的多個(gè)焊盤 (端子)6,存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2分別以形成這些焊盤6的一側(cè)短邊 位于存儲(chǔ)卡1B的前端部的方式配置。因此，層疊于存儲(chǔ)器芯片Ml 上方的存儲(chǔ)器芯片M2以露出下層存儲(chǔ)器芯片Ml的焊盤6、且存儲(chǔ) 器芯片Ml的后端部不超過存儲(chǔ)卡1B后端部的程度在存儲(chǔ)卡1B的后 端部方向錯(cuò)開的狀態(tài)安裝于存儲(chǔ)器芯片Ml上。存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2的各主面上形成有可電擦除、寫入的非易失 性存儲(chǔ)器(閃存)，該非易失性存儲(chǔ)器具有例如8千兆位的存儲(chǔ)容量。 因此，搭載了 2片存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2的本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡1B具 有存儲(chǔ)容量8千兆位x2-16千兆位(2千兆字節(jié))。
在上層的存儲(chǔ)器芯片M2之上安裝中介片4。中介片4由例如形 成有2層布線的、厚度為0.09mm左右的由玻璃環(huán)氧樹脂襯底等構(gòu)成。 該中介片4的長(zhǎng)邊比存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2的短邊稍短，以其一長(zhǎng)邊位 于存儲(chǔ)器芯片M2的焊盤6附近的方式安裝于存儲(chǔ)器芯片M2上。中 介片4的上述長(zhǎng)邊附近形成有一列多個(gè)焊盤8,這些焊盤8和存儲(chǔ)器 芯片M2的焊盤6經(jīng)Au線11而電連接。下層的存儲(chǔ)器芯片Ml的焊 盤6和上層的存儲(chǔ)器芯片M2的焊盤6經(jīng)Au線11而電連接。即，2 片存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2經(jīng)Au線11而彼此電連接，且與中介片4電 連接。用Au線11將存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2和中介片4電連接時(shí)，如 上所述，通過將中介片4的焊盤8配置于存儲(chǔ)器芯片M2的焊盤6附 近，從而能夠縮短Au線11的長(zhǎng)度，因此能夠降低Au線11的環(huán)路 南度。
在中介片4之上安裝控制器芯片3。控制器芯片3由長(zhǎng)方形硅芯 片構(gòu)成，其厚度為O.lmm左右。該控制器芯片3上沿其主面的3邊形 成有多個(gè)焊盤7。另外，在中介片4上以沿控制器芯片3的多個(gè)焊盤 7的方式形成多個(gè)焊盤8，這些焊盤8與控制器芯片3的焊盤7經(jīng)Au 線10而電連4妻。
控制器芯片3和中介片4經(jīng)Au線IO電連接時(shí)，如上所述，在中 介片4之上安裝控制器芯片3,在控制器芯片3的附近配置中介片4 的焊盤8，從而能夠縮短將沿3邊形成有多個(gè)焊盤7的控制器芯片3 和中介片4電連接的Au線10的長(zhǎng)度，因此能夠降低Au線10的環(huán)
路高度。
在布線襯底2C的主面上沿其一長(zhǎng)邊形成有多個(gè)焊盤9。雖然未圖 示，與上述實(shí)施方式1的存儲(chǔ)卡1A相同，這些焊盤9經(jīng)形成于布線 村底2C的表面布線、導(dǎo)通孔和背面布線而與外部連接端子23連接。另外，在中介片4上在這些焊盤9的附近形成有多個(gè)焊盤8,這些焊 盤8和布線襯底2C的焊盤9經(jīng)Au線12電連接。用Au線12將焊盤 8和布線襯底2C的焊盤9電連接時(shí)，如上所述，將中介片4的焊盤8 配置在布線襯底2C的焊盤9附近，從而能夠縮短Au線12的長(zhǎng)度， 能夠降低Au線12的環(huán)路高度。
如圖16所示，在布線村底2C的一長(zhǎng)邊設(shè)有稍突出的突出部。布 線襯底2C的主面的大部分被存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2占有，在除該突出 部以外的區(qū)域沒有配置焊盤9的空間。因此，本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡1B 利用設(shè)置于布線襯底2C —長(zhǎng)邊的稍突出的突出部分，在此突出部分 配置焊盤9和小型被動(dòng)元件(芯片電容器24)。并且，在該焊盤9 的附近配置中介片4的焊盤8，經(jīng)Au線12而將焊盤9和焊盤8電連 接。
圖18是示意表示布線襯底2C、存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、控制器芯 片3和中介片4的連接關(guān)系的電路圖。
與上述實(shí)施方式1的中介片4相同，在中介片4上形成有2層布 線15、 16。并且，存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、控制器芯片3和布線襯底 2C經(jīng)中介片4的布線15、 16而彼此電連接。因此，與上述實(shí)施方式 1的存儲(chǔ)卡1A相同，通過改變中介片4的焊盤8、布線15、 16的布 局，就能調(diào)換在中介片4輸入輸出的信號(hào)的順序或改變焊盤間距。由 此，與經(jīng)形成于布線襯底2C的布線將存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、控制器 芯片3和布線襯底2C相互連接的情況相比，提高了布線設(shè)計(jì)的自由 度，可在有限的布線襯底2C上安裝大面積的存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2。
如上所述，在中介片4之上安裝控制器芯片3，在控制器芯片3 的附近配置中介片4的焊盤8,從而能夠縮短將沿3邊形成有焊盤7 的控制器芯片3和中介片4電連接的Au線IO的長(zhǎng)度。由此，可在與 模制樹脂5合起來厚度為0.7mm左右的極薄的布線襯底2C上層疊安 裝存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、控制器芯片3和中介片4。
中介片4除了由形成2層布線的玻璃環(huán)氧樹脂村底構(gòu)成之外，還 能夠由例如形成了 2層布線的硅芯片或撓性樹脂襯底等構(gòu)成。在布線襯底2C、存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2和控制器芯片3的相互連接不復(fù)雜的 情況下，還能夠使用單層布線構(gòu)造的中介片。
在本實(shí)施方式中，對(duì)安裝沿3邊形成了多個(gè)焊盤7的控制器芯片 3的情況進(jìn)行了說明，但也可適用于安裝沿4邊形成了多個(gè)焊盤7的 控制器芯片3的情況。即，如圖19和圖20所示，將沿4邊形成了多 個(gè)焊盤7的控制器芯片3安裝在中介片4之上，將中介片4的焊盤8 配置在控制器芯片3的焊盤7附近，從而能夠得到與上述效果同樣的 效果。
本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡1B在中介片4內(nèi)側(cè)的密封區(qū)域連接存儲(chǔ)器 芯片Ml、 M2和控制器芯片3。因此，可將連接于中介片4的布線襯 底2C的焊盤9的數(shù)量減少為8個(gè)(1個(gè)電源端子(Vdd) 、 1個(gè)接地 端子(Vss) 、 1個(gè)命令端子(CMD) 、 1個(gè)時(shí)鐘端子(CLK)和4 個(gè)數(shù)據(jù)輸入輸出端子(I/O))。由此，可在設(shè)置于布線襯底2C的一 長(zhǎng)邊上的稍突出的突出部分配置焊盤9。
在根據(jù)存儲(chǔ)卡1B的品種而改變存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2和控制器芯 片3的制造廠商、或芯片數(shù)量變多時(shí)，芯片尺寸和焊盤的配置也發(fā)生 改變。但是，在這樣的情況下，也可利用上述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)而僅改 變中介片4的規(guī)格來應(yīng)對(duì)品種，即使品種改變也能通用地使用布線襯 底2C。
實(shí)施方式5
與上述實(shí)施方式相同，本實(shí)施方式4適用于微SD卡。圖21是表 示該存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖，圖22是表示該存儲(chǔ)卡的布線村底
的剖視圖。
上述實(shí)施方式4的存儲(chǔ)卡1B中，在中介片4之上安裝了控制器 芯片3,但本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的特征在于，在存儲(chǔ)器芯片M2之上 并列安裝控制器芯片3和中介片4。
如圖21所示，中介片4具有3字形的平面形狀，控制器芯片3 被配置于中介片4的-字形所包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)，并與中介片4并列 安裝。中介片4與上述實(shí)施方式4的中介片4相同，由例如形成了2
32層布線的厚度為0.09mm左右的玻璃環(huán)氧樹脂襯底等構(gòu)成。
中介片4的長(zhǎng)邊比存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2的短邊稍短，以其一長(zhǎng)邊 位于存儲(chǔ)器芯片M2的焊盤6附近的方式安裝于存儲(chǔ)器芯片M2上。 中介片4的長(zhǎng)邊附近形成有一列多個(gè)焊盤8，這些焊盤8和存儲(chǔ)器芯 片M2的焊盤6經(jīng)Au線11而電連接。下層的存儲(chǔ)器芯片Ml的焊盤 6和上層的存儲(chǔ)器芯片M2的焊盤6經(jīng)Au線11而電連接。即，2片 存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2經(jīng)Au線11而彼此電連接，且與中介片4電連 接。用Au線11將存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2和中介片4電連接時(shí)，如上 所述，通過將中介片4的焊盤8配置于存儲(chǔ)器芯片M2的焊盤6附近， 從而能夠縮短Au線11的長(zhǎng)度，因此能夠降低Au線11的環(huán)路高度。
配置于中介片4的3字形所包圍的區(qū)域內(nèi)側(cè)的控制器芯片3由長(zhǎng) 方形硅芯片構(gòu)成，其厚度為0.1mm左右。該控制器芯片3上沿其主面 的3邊形成有多個(gè)焊盤7。另外，在中介片4上以沿控制器芯片3的 多個(gè)焊盤7的方式形成多個(gè)焊盤8,這些焊盤8與控制器芯片3的焊 盤7經(jīng)Au線10而電連接?？刂破餍酒?和中介片4經(jīng)Au線10電 連接時(shí)，如上所述，在中介片4的-字形所包圍的區(qū)域內(nèi)側(cè)配置控制 器芯片3，在控制器芯片3的附近配置中介片4的焊盤8，從而能夠 縮短將沿3邊形成有多個(gè)焊盤7的控制器芯片3和中介片4電連接的 Au線IO的長(zhǎng)度，因此能夠降低Au線IO的環(huán)路高度。
在布線村底2C的主面上沿其一長(zhǎng)邊形成有多個(gè)焊盤9。雖然未圖 示，與上述實(shí)施方式4的存儲(chǔ)卡1B相同，這些焊盤9經(jīng)形成于布線 襯底2C的表面布線、導(dǎo)通孔和背面布線而與外部連接端子23連接。 另外，在中介片4上在這些焊盤9的附近形成有多個(gè)焊盤8，這些焊 盤8和布線襯底2C的焊盤9經(jīng)Au線12電連接。用Au線12將布線 襯底2C和中介片4電連接時(shí)，如上所述，將中介片4的焊盤8配置 在布線襯底2C的焊盤9附近，從而能夠縮短Au線12的長(zhǎng)度，能夠 降低Au線12的環(huán)路高度。
雖然未圖示，但與上述實(shí)施方式4的中介片4相同，在中介片4 上形成有2層布線。并且，存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、控制器芯片3和布
33線襯底2C經(jīng)中介片4的布線而彼此電連接。因此，與上述實(shí)施方式 4的存儲(chǔ)卡1B相同，通過改變中介片4的焊盤8、布線的布局，就能 調(diào)換在中介片4輸入輸出的信號(hào)的順序或改變焊盤間距。由此，與經(jīng) 形成于布線襯底2C的布線將存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、控制器芯片3和 布線襯底2C相互連接的情況相比，提高了布線設(shè)計(jì)的自由度，可在 有限的布線襯底2C上安裝大面積的存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2。
如上所述，中介片4的平面形狀為-字形，在該-字形所包圍的 區(qū)域內(nèi)側(cè)配置控制器芯片3，從而能夠縮短將沿3邊形成有多個(gè)焊盤 7的控制器芯片3和中介片4電連接的Au線10的長(zhǎng)度。進(jìn)而，與在 中介片4之上安裝控制器芯片3的上述實(shí)施方式4不同，將控制器芯 片3和中介片4并列安裝在存儲(chǔ)器芯片M2之上，從而能夠降低從布 線襯底2C的主面到Au線10的環(huán)路最頂部的高度。由此，容易在與 模制樹脂5合起來厚度為0.7mm左右的極薄的布線襯底2C上層疊安 裝存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、控制器芯片3和中介片4。
在本實(shí)施方式中，對(duì)安裝沿3邊形成了多個(gè)焊盤7的控制器芯片 3的情況進(jìn)行了說明，但也可適用于安裝沿4邊形成了多個(gè)焊盤7的 控制器芯片3的情況。此時(shí)，如圖23和圖24所示，使用具有口字形 平面形狀的中介片4。即，在中介片4的內(nèi)側(cè)設(shè)置比控制器芯片3稍 大的矩形開口，在該開口的內(nèi)側(cè)配置控制器芯片3,并沿該開口配置 焊盤8,從而能夠得到與上述效果同樣的效果。
具有3字形平面形狀的中介片4能夠由作為一例的如下方法制作。 圖25是用于制作中介片4的圖形化襯底33的俯視圖。該圖形化襯底 33是面積大于中介片4面積的玻璃環(huán)氧樹脂村底，沿圖中橫向和縱向 形成焊盤8和布線的多個(gè)單元。圖中雙點(diǎn)劃線所示的區(qū)域表示構(gòu)成1 個(gè)中介片4的區(qū)域U單元)。在該圖形化襯底33上形成有例如橫向 IO單元、縱向4單元的焊盤8和布線。因此，從該圖形化襯底33能 夠得到10x4=40片中介片4。
由上述圖形化襯底33制作中介片4時(shí)，首先如圖26所示，在圖 形化襯底33的背面粘貼稱為貼膜(die attach film)的厚度為10pm 20(im的雙面粘結(jié)帶34。該雙面粘結(jié)帶34是通過加熱而產(chǎn)生粘 著性的帶，通過在將雙面粘結(jié)帶34鋪敷圖形化襯底33之下的狀態(tài)下 進(jìn)行加熱，能夠?qū)㈦p面粘結(jié)帶34貼附于圖形化襯底33的背面。
接著，在該狀態(tài)下從上方對(duì)圖形化襯底33照射激光束，將各單 元切斷為3字形。此時(shí)，也可以同時(shí)切斷貼附于圖形化村底33背面 的雙面粘結(jié)帶34,但在此調(diào)節(jié)激光束能，而僅切斷圖形化襯底33而 不切斷背面的雙面粘結(jié)帶34。
接著，如圖27所示，沿各單元的分界部將圖形化襯底33切斷成 橫向和縱向?yàn)橹本€狀。將圖形化襯底33切斷成直線狀時(shí)，使用切斷 速度快于激光束速度的切割刀，將貼附于圖形化襯底33的雙面粘結(jié) 帶34也同時(shí)切斷。也可以在用切割刀將圖形化襯底33切斷成直線狀 后，再用激光束切斷成3字形，但若將圖形化襯底33切斷成直線狀， 則各單元彼此分離而自原來的位置錯(cuò)開，因此，在切斷成-字形后再 切斷成直線狀，能夠高精度地切斷。通過至此的工序能夠制作在背面 貼附有雙面粘結(jié)帶34的多個(gè)中介片4。
在將圖形化襯底33切斷成直線狀時(shí)可以使用激光束，此時(shí)，切 斷圖形化襯底33的裝置為1種即可。此時(shí)，將各單元切斷成-字形 時(shí)，降低激光束能而僅切斷圖形化襯底33,切斷成直線狀時(shí)，提高能 量而同時(shí)切斷雙面粘結(jié)帶34。
接著，如圖28所示，在安裝于布線襯底2C上的存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2上定位了中介片4后，加熱布線村底2C,從而通過雙面粘結(jié)帶34 在存儲(chǔ)器芯片M2之上安裝中介片4。此時(shí)，在中介片4的以3字形 包圍的區(qū)域內(nèi)側(cè)露出雙面粘結(jié)帶34。
接著，如圖29所示，在雙面粘結(jié)帶34上定位了控制器芯片3， 接著對(duì)布線襯底2C加熱，從而能夠通過該雙面粘結(jié)帶34在存儲(chǔ)器芯 片M2之上安裝控制器芯片3。如此，將圖形化村底33分片化來制作 中介片4時(shí)，在以3字形包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)殘留雙面粘結(jié)帶34,從而 能夠簡(jiǎn)化安裝控制器芯片3的工序。
其后，如圖30所示，將布線襯底2C輸送到線接合工序，分別用
35Au線lO、 11、 12將中介片4的焊盤8、控制器芯片3的焊盤7、存 儲(chǔ)器芯片Ml、 M2的焊盤6和布線襯底2C的焊盤9電連接。
在此，說明了具有-字形平面形狀的中介片4的制作方法，但對(duì) 于具有圖23所示那樣的口字形平面形狀的中介片4，也能用與上述同 樣的方法制作。
在此，對(duì)用切割刀或激光束切斷圖形化襯底33時(shí)圖形化襯底33 的背面粘貼有雙面粘結(jié)帶34的情況進(jìn)行了說明。但此時(shí)，檢查由圖 形化襯底33取得的中介片4而發(fā)現(xiàn)其中一部分不良時(shí)，必須將不良 的中介片4和粘結(jié)于其背面的雙面粘結(jié)帶34 —起廢棄，因此，會(huì)無 端浪費(fèi)雙面粘結(jié)帶34。因此，也可以在不在背面貼附雙面粘結(jié)帶34 而切斷圖形化襯底33后，在中介片4的背面涂覆粘結(jié)劑來安裝到存 儲(chǔ)器芯片M2上。
作為其他方法可以是如圖31所示，預(yù)先將矩形的雙面粘結(jié)帶 34粘結(jié)于存儲(chǔ)器芯片M2之上，接著，如圖32所示，將切斷圖形化 襯底33而得到的中介片4粘結(jié)于該雙面粘結(jié)帶34之上，進(jìn)而如圖33 所示，在中介片4的3字形所包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)露出的雙面粘結(jié)帶3 4 之上粘結(jié)控制器芯片3。如此，能夠防止無端浪費(fèi)雙面粘結(jié)帶34。
在此，說明了使用具有-字形平面形狀的中介片4的例子，但對(duì) 于使用圖23所示那樣的具有口字形平面形狀的中介片4時(shí)，通過預(yù) 先將雙面粘結(jié)帶34粘結(jié)于存儲(chǔ)器芯片M2之上，也能夠防止無端浪 費(fèi)雙面粘結(jié)帶34。
圖34是不使用具有n字形平面形狀的中介片4、而將具有矩形平 面形狀的3片中介片4a、 4b、 4c組合成-字形地安裝于存儲(chǔ)器芯片 M2之上后，在-字形所包圍區(qū)域的內(nèi)側(cè)配置控制器芯片3的例子。 此時(shí)，3片中介片4a、 4b、 4c的焊盤數(shù)量、配置以及布線圖案各不相 同，因此，由三種圖形化襯底制作三種中介片4a、 4b、 4c。此時(shí)，中 介片4a、 4b、 4c的平面形狀都是矩形，因此，切斷圖形化襯底時(shí)， 只要用切割刀切斷成直線狀即可，因此能夠簡(jiǎn)化圖形化襯底的切斷工 序。在安裝沿4邊形成有多個(gè)焊盤7的控制器芯片3時(shí)也可以不使用 上述圖23所示那樣的具有口字形平面形狀的中介片4,而是如圖35 所示那樣將具有矩形平面形狀的4片中介片4d、 4e、 4f、 4g組合成口 字形來安裝于存儲(chǔ)器芯片M2之上，然后在口字形所包圍區(qū)域的內(nèi)側(cè) 配置控制器芯片3。
實(shí)施方式6
圖36是表示本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖，圖37是 表示該存儲(chǔ)卡的布線村底的剖視圖，圖38是示意表示該存儲(chǔ)卡的布 線襯底、存儲(chǔ)器芯片、控制器芯片和中介片的連接關(guān)系的電路圖。
例如沿著晶片工藝的進(jìn)步，雖然是相同存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)器芯片， 但與上一代芯片相比芯片尺寸變小，則不僅可在存儲(chǔ)卡的布線襯底2C 的長(zhǎng)邊側(cè)配置焊盤9,還可在短邊側(cè)配置焊盤9,因此，可構(gòu)成如下 的安裝構(gòu)造。
在布線襯底2C的一長(zhǎng)邊和一短邊分別形成多個(gè)焊盤9。在該布線 襯底2C的主面上安裝兩個(gè)存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2,存儲(chǔ)器芯片M2層 疊于存儲(chǔ)器芯片Ml之上。在上層的存儲(chǔ)器芯片M2之上安裝中介片 4,在中介片4之上安裝控制器芯片3。
存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、中介片4和控制器芯片3具有長(zhǎng)方形的平 面形狀，以各自的長(zhǎng)邊朝向相同方向的方式配置，中介片4和控制器 芯片3以各自的一長(zhǎng)邊與存儲(chǔ)器芯片M1、M2的一長(zhǎng)邊重疊的方式層 疊。
2片存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2的沿各自短邊形成的焊盤6經(jīng)Au線11 與布線襯底2C的短邊的烊盤9電連接。
在控制器芯片3的主面上沿其三邊(一長(zhǎng)邊和兩個(gè)短邊)形成焊 盤7。沿控制器芯片3的長(zhǎng)邊形成的焊盤7經(jīng)Au線14與布線襯底2C 的長(zhǎng)邊的焊盤9電連接。沿控制器芯片3的兩個(gè)短邊形成的焊盤7經(jīng) Au線10與中介片4的焊盤8電連接。這些焊盤8與將控制器芯片3 的短邊的焊盤7坐標(biāo)變換90度的中介片4的布線18的一端連接，經(jīng) 形成于該布線18另一端的焊盤8和與該焊盤8連接的Au線12而與布線襯底2C的長(zhǎng)邊的焊盤9電連接。
根據(jù)上述那樣構(gòu)成的本實(shí)施方式，能夠減小中介片4的尺寸，且
簡(jiǎn)化布線的繞線布置。
實(shí)施方式7
圖39是表示本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡的布線襯底的俯視圖。本實(shí)施 方式的存儲(chǔ)卡以在布線襯底2C的主面上層疊有4片存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2、 M3、 M4的狀態(tài)安裝。最上層的存儲(chǔ)器芯片M4之上安裝有兩片 控制器芯片3。如此，在安裝于布線襯底2C的主面上的存儲(chǔ)器芯片 數(shù)增加了時(shí)，為了防止存儲(chǔ)器芯片-控制器芯片之間的訪問速度的降 低，要求在存儲(chǔ)器芯片M4之上安裝2片控制器芯片3。
如圖39所示，本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡在最上層的存儲(chǔ)器芯片M4 之上安裝2片具有3字形平面形狀的中介片4,各中介片4的-字形 所包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)配置控制器芯片3。 一中介片4和另一中介片4 經(jīng)Au線19而電連接。
根據(jù)上述這樣構(gòu)成的本實(shí)施方式，可得到與上述實(shí)施方式5同樣 的效果，因此，可在存儲(chǔ)器芯片M4之上安裝2片控制器芯片3。
取代使用2片具有-字形平面形狀的中介片4,而如圖40所示那 樣將具有矩形平面形狀的3片中介片4a、 4b、 4c和3片中介片4h、 4i、 4j分別組合成3字形來安裝于存儲(chǔ)器芯片M4上，在3字形所包 圍區(qū)域的內(nèi)側(cè)配置控制器芯片3,此時(shí)也能得到同樣的效果。
在此，對(duì)安裝2片在3邊形成焊盤7的控制器芯片3的情況進(jìn)行 了說明，但對(duì)于安裝2片在4邊形成焊盤7的控制器芯片3的情況， 通過使用2片上述圖23所示那樣的具有口字形平面形狀的中介片4, 也能在存儲(chǔ)器芯片M4上安裝2片控制器芯片3。
以上，基于實(shí)施方式具體說明了本發(fā)明人做出的發(fā)明，但不言而 喻，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在不脫離其要旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行各 種變更。
在上述實(shí)施方式中，層疊了在一短邊設(shè)置焊盤的閃存芯片，但本 發(fā)明也能適用于在一長(zhǎng)邊設(shè)置焊盤的閃存芯片。也可適用于在相對(duì)的兩邊設(shè)置焊盤的閃存芯片上形成再布線而使焊盤集中于 一 邊的情形。
在上述實(shí)施方式4 7中，對(duì)層疊了 2片或4片的存儲(chǔ)器芯片的情
況進(jìn)行了說明，但也能適用于層疊更多存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)卡。此時(shí)，
通過采用在上述實(shí)施方式1 3中說明的各種層疊方法，可在有限尺寸
的布線襯底上層疊多片存儲(chǔ)器芯片。
在布線襯底上層疊閃存芯片時(shí)，可以在布線襯底與閃存芯片之間 或在下層的閃存芯片與上層的閃存芯片之間設(shè)置間隔芯片。
在上述實(shí)施方式中，對(duì)適用于存儲(chǔ)卡的情況進(jìn)行了說明，但也可
以適用于例如如圖41所示那樣的、在下表面連接許多凸塊電極40的 布線襯底2C上層疊了多片存儲(chǔ)器芯片Ml、 M2和控制器芯片3的球 柵陣列(BGA)構(gòu)造的系統(tǒng)封裝(SIP)等、存儲(chǔ)卡以外的具有封裝
形式的半導(dǎo)體器件。
存儲(chǔ)器芯片不限于閃存芯片，也能適用于安裝例如DRAM等其他 存儲(chǔ)器芯片的情況。安裝于布線襯底上的存儲(chǔ)器芯片的片數(shù)可以是1 片，也可以是多片。
在上述實(shí)施方式1~3中，在按照存儲(chǔ)器芯片M2 M4的規(guī)格地定 制設(shè)計(jì)控制器芯片3,并直接連接控制器芯片3、存儲(chǔ)器芯片M2 M4 和布線襯底2時(shí)，能夠不需要中介片4。此時(shí)，如圖14所示，在控制 器芯片3的一邊配置用于連接存儲(chǔ)器芯片M2 M4的坪盤7，在與該 一邊正交的一邊(與存儲(chǔ)器芯片M2 M4的長(zhǎng)邊平行的邊)配置用于 與布線襯底2連接的焊盤7。由此，能夠減少存儲(chǔ)卡1A的部件數(shù)和 組裝工序數(shù)。
本發(fā)明可適用于在布線村底上層疊存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的 半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件，包括布線襯底，其具有主面和背面，且在上述背面上形成有外部連接端子；存儲(chǔ)器芯片，其安裝于上述布線襯底的上述主面上；控制器芯片，其安裝于上述存儲(chǔ)器芯片上并控制上述存儲(chǔ)器芯片；以及中介片，其安裝于上述存儲(chǔ)器芯片上并與上述控制器芯片電連接，其特征在于在上述存儲(chǔ)器芯片的第一邊上形成有第一端子，上述中介片配置于上述存儲(chǔ)器芯片的上述第一邊與上述控制器芯片之間，在上述中介片的第一邊上形成有第二端子，在與上述第一邊正交的第二邊上形成有第三端子，在與上述第一邊相對(duì)的第三邊上形成有第四端子，形成于上述中介片的第一邊上的上述第二端子與形成于上述存儲(chǔ)器芯片的第一邊上的上述第一端子電連接，形成于上述中介片的第二邊上的上述第三端子經(jīng)由設(shè)置于上述布線襯底的上述主面上的一邊的第五端子而與上述外部連接端子電連接，形成于上述中介片的第三邊上的上述第四端子與上述控制器芯片電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述主面上，上述多片存儲(chǔ)器芯片在與上述第一邊正交的方向上錯(cuò)開而層疊，以使設(shè)置在各自的上述第一邊上的第一端子露出。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述多片存儲(chǔ)器芯片中的最下層的存儲(chǔ)器芯片和其他的存儲(chǔ)器 芯片在上述布線襯底的上述主面內(nèi)以錯(cuò)開180度的狀態(tài)而層疊，以使 形成有上述第一端子的上述第一邊彼此朝向相反的方向，上述最下層的存儲(chǔ)器芯片的上述第一端子經(jīng)由與上述第五端子上述其他存儲(chǔ)器芯片的上述第一端子與上述中介片的上述第二 端子電連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述控制器芯片經(jīng)由設(shè)置于上述控制器芯片的第 一邊上的第六端子而與上述中介片的第四端子相連接，上述中介片的第一邊和第三邊的長(zhǎng)度比上述控制器芯片的第一 邊的長(zhǎng)度更接近上述存儲(chǔ)器芯片的第一邊的長(zhǎng)度。
5. —種半導(dǎo)體器件，包括布線襯底，其具有主面和背面，且在上述背面上形成有外部連接 端子；存儲(chǔ)器芯片，其安裝于上述布線襯底的上述主面上；以及 控制器芯片，其安裝于上述存儲(chǔ)器芯片上， 其特征在于在上述存儲(chǔ)器芯片的第一邊上形成有第一端子，在上述控制器芯片的第一邊上形成有第二端子，在與上述第一邊 正交的第二邊上形成有第三端子，形成于上述控制器芯片的第一邊上的上述第二端子與形成于上 述存儲(chǔ)器芯片的第一邊上的上述第一端子電連接，形成于上述控制器芯片的第二邊上的上述第三端子經(jīng)由設(shè)置于 上述存儲(chǔ)器芯片的與第 一 邊正交的第二邊 一 側(cè)的上述布線襯底的上 述主面上的第四端子而與上述外部連接端子電連接，以層疊有多片上述存儲(chǔ)器芯片的狀態(tài)被安裝在上述布線襯底的 上述主面上，上述多片存儲(chǔ)器芯片在與上述第一邊正交的方向上錯(cuò)開而層疊， 以使設(shè)置在各自的上述第一邊上的第一端子露出，上述多片存儲(chǔ)器芯片中的最下層的存儲(chǔ)器芯片和其他的存儲(chǔ)器芯片在上述布線襯底的上述主面內(nèi)以錯(cuò)開180度的狀態(tài)而層疊，以使 形成有上述第一端子的上述第一邊彼此朝向相反的方向，上述最下層的存儲(chǔ)器芯片的上述第一端子經(jīng)由與上述第四端子 相連接的上述布線襯底的布線而與上述控制器芯片電連接，上述其他存儲(chǔ)器芯片的上述第一端子與上述控制器芯片的上述 第二端子電連接。
6. —種半導(dǎo)體器件，以層疊有多片上述存儲(chǔ)器芯片的狀態(tài)被安裝 在布線襯底的主面上，其特征在于在上述多片存儲(chǔ)器芯片的各自的第一邊上形成有第一端子，上述多片存儲(chǔ)器芯片在與上述第一邊正交的方向上錯(cuò)開而層疊， 以使各自的上述第一邊的第一端子露出，上述多片存儲(chǔ)器芯片內(nèi)的最下層的存儲(chǔ)器芯片的第一邊與上述 布線襯底的第一邊并列而配置，當(dāng)設(shè)上述多片存儲(chǔ)器芯片的片數(shù)為n片時(shí)，在同一方向上連續(xù)錯(cuò) 開的存儲(chǔ)器芯片的片數(shù)為n/2片以下且2片以上，其中n為4以上，上述多片存儲(chǔ)器芯片內(nèi)的除了最上層的存儲(chǔ)器芯片且在同一方 向上連續(xù)錯(cuò)開的多片存儲(chǔ)器芯片組中的最上層的存儲(chǔ)器芯片與組內(nèi) 的其他存儲(chǔ)器芯片以上述第一邊錯(cuò)開180度的狀態(tài)而層疊。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 在上述多片存儲(chǔ)器芯片的最上層的存儲(chǔ)器芯片上具有中介片， 上述中介片經(jīng)由第一引線與在上述布線襯底的第一邊一側(cè)具有第一端子的存儲(chǔ)器芯片或在上述布線襯底的與第一邊側(cè)相反一側(cè)的 邊上具有第一端子的存儲(chǔ)器芯片相連接，并且，上述中介片經(jīng)由第二引線與上述布線襯底相連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 在上述中介片上設(shè)有用于控制存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器控制器，上述存儲(chǔ)器控制器與上述中介片電連接，上述中介片經(jīng)由上述第 一 引線而分別與在上述布線襯底的第一 邊一側(cè)具有第一端子的存儲(chǔ)器芯片和在上述布線襯底的與第一邊側(cè) 相反一側(cè)的邊上具有第一端子的存儲(chǔ)器芯片相連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 控制上述存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器控制器設(shè)置于上述多片存儲(chǔ)器芯片的最上層，上述多片存儲(chǔ)器芯片的最下層存儲(chǔ)器芯片經(jīng)由將上述布線襯底 和上述最下層存儲(chǔ)器芯片的第一端子連接起來的引線而與上述控制 器芯片電連接。
10. —種半導(dǎo)體器件，在布線襯底的主面上安裝有半導(dǎo)體芯片， 且通過樹脂密封上述半導(dǎo)體芯片，其特征在于上述半導(dǎo)體芯片通過引線使形成于其第一邊上的端子與上述布 線襯底電連接，上述半導(dǎo)體芯片的與上述第一邊相對(duì)的第二邊延伸到 上述布線襯底的外側(cè)，在上述第二邊附近的上述樹脂上施加了錐加工，以使與上述布線 襯底的主面垂直的方向的厚度沿著從上述第一邊向上述第二邊的方 向逐漸變薄。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述主面上，上述多片存儲(chǔ)器芯片在與上述第一邊正交的方向上錯(cuò)開而層疊， 以使設(shè)置在各自的上述第一邊上的第一端子露出。
12. —種半導(dǎo)體器件，包括布線襯底，其具有主面和背面，且在上述背面上形成有外部連接端子；多片存儲(chǔ)器芯片，其層疊于上述布線襯底的主面上；以及 控制器芯片和中介片，其安裝于上述層疊的多片存儲(chǔ)器芯片的最 上層的存儲(chǔ)器芯片上，其特征在于上述多片存儲(chǔ)器芯片的各芯片具有第一邊和與上述第一邊交叉 的第二邊，且上述各芯片錯(cuò)開而配置，以使沿上述第一邊配置的多個(gè)第一端子露出，上述多個(gè)第一端子與上述控制器芯片通過上述中介片而電連接， 在上述布線村底的主面上沿與上述第二邊并列而相鄰的上述布線襯底的邊而配置有與上述外部連接端子電連接的多個(gè)第二端子，在上述中介片的主面上，在上述多個(gè)第二端子的附近配置有多個(gè)第三端子，通過用引線將上述多個(gè)第二端子和上述多個(gè)第三端子連接在一 起，來使上述中介片與上述布線襯底電連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 在上述中介片的主面上，在上述多個(gè)第一端子的附近配置有與上述多個(gè)第三端子和上述控制器芯片電連接的多個(gè)第四端子，通過用引線將上述多個(gè)第一端子和上述多個(gè)第四端子連接在一 起，來使上述多片存儲(chǔ)器芯片和上述中介片電連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述控制器芯片安裝于上述中介片上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 在上述控制器芯片的主面上配置有多個(gè)第五端子， 在上述中介片的主面上，在上述多個(gè)第五端子的附近配置有與上述多個(gè)第三端子和上述多個(gè)第四端子電連接的多個(gè)第六端子，通過用引線將上述多個(gè)第五端子和上述多個(gè)第六端子連接在一 起，來使上述控制器芯片和上述中介片電連接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述多個(gè)第五端子沿上述控制器芯片的主面的3邊而配置。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述多個(gè)第五端子沿上述控制器芯片的主面的4邊而配置。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述中介片具有-字形的平面形狀，上述控制器芯片在上述-字形所包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)與上述中介 片并列而-皮安裝，沿上述控制器芯片的主面的3邊而形成有多個(gè)第五端子， 通過用引線將形成于上述控制器芯片的主面上的上述多個(gè)第五 端子和形成于上述中介片上的多個(gè)端子中的配置于上述多個(gè)第五端 子附近的多個(gè)第六端子連接在 一 起，來使上述控制器芯片和上述中介 片電連接。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述中介片通過將具有矩形平面形狀的3片中介片并列安裝在上述最上層存儲(chǔ)器芯片上而構(gòu)成為具有上述-字形的平面形狀。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述中介片具有內(nèi)部呈矩形開口的口字形的平面形狀， 上述控制器芯片在上述矩形開口的內(nèi)側(cè)與上述中介片并列而被安裝，沿上述控制器芯片的主面的4邊而形成有多個(gè)第五端子， 通過用引線將形成在上述控制器芯片主面上的上述多個(gè)第五端 子和形成在上述中介片上的多個(gè)端子中的配置于上述多個(gè)第五端子 附近的多個(gè)第六端子連接在一起，來使上述控制器芯片和上述中介片電連接。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述中介片通過將具有矩形平面形狀的4片中介片并列安裝在上述最上層存儲(chǔ)器芯片上而構(gòu)成為具有上述口字形的平面形狀。
22. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 在上述最上層存儲(chǔ)器芯片上分別各安裝2片上述控制器芯片和上述中介片。
23. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于 上述布線襯底的外形尺寸與微SD卡的布線襯底的外形尺寸相
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其具有在布線襯底上層疊了存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的封裝結(jié)構(gòu)，提高了連接存儲(chǔ)器芯片和控制器芯片的布線的自由度。存儲(chǔ)卡(1A)具有布線襯底(2)、層疊于其主面上的4片存儲(chǔ)器芯片(M1～M4)、安裝于最上層存儲(chǔ)器芯片(M4)表面上的控制器芯片(3)和中介片(4)。存儲(chǔ)器芯片(M1～M4)分別以其長(zhǎng)邊與布線襯底(2)的長(zhǎng)邊朝向相同方向的狀態(tài)層疊于布線襯底(2)的表面上。最下層的存儲(chǔ)器芯片(M1)為避免與布線襯底(2)的焊盤(9)重疊而以在存儲(chǔ)卡(1A)的前端部方向錯(cuò)開預(yù)定距離的狀態(tài)安裝于布線襯底(2)上。層疊于存儲(chǔ)器芯片(M1)上的3片存儲(chǔ)器芯片(M2～M4)配置成其形成有焊盤(6)的一側(cè)的短邊位于存儲(chǔ)卡(1A)的前端部。
文檔編號(hào)G06K19/077GK101504939SQ20091000357
公開日2009年8月12日 申請(qǐng)日期2009年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月8日
發(fā)明者杉山道昭, 筱原稔, 荒木誠(chéng) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技