專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
此處所述的實(shí)施例一般地涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡。
背景技術(shù)：
近幾年，已開(kāi)始使用其中例如采用諸如NAND閃速存儲(chǔ)器之類的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)卡記錄連續(xù)拍攝的靜態(tài)圖像和高清動(dòng)作圖像。接著，這些存儲(chǔ)卡用于在短時(shí)間內(nèi)讀寫(xiě)大量信息，即，提高數(shù)據(jù)傳輸速度。在傳統(tǒng)SD 存儲(chǔ)卡(下文稱為SD存儲(chǔ)卡)中，數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)20MB/秒。然后，除了正常操作模式(正常模式)，甚至在其中采用高于正常模式的速度讀寫(xiě)信息的操作模式(高速模式)下，也能夠在保持與正常主機(jī)設(shè)備的兼容性的同時(shí)執(zhí)行高速數(shù)據(jù)傳輸。在啟用操作模式切換的情況下，如果所有插腳的功能在每種模式下更改，則控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的控制器上的負(fù)載便會(huì)增加，這樣會(huì)阻止數(shù)據(jù)傳輸速度增加。因此，提供與用于正常模式的插腳不同的用于高速模式的插腳。另一方面，如果對(duì)應(yīng)于高速模式下使用的所有信號(hào)新提供類似于雙行排列(例如MMC (多媒體卡)標(biāo)準(zhǔn)中采用的那樣)的插腳，這樣便會(huì)增加對(duì)上面安裝半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電路基底上的布線布局的限制(請(qǐng)參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 日本專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2005-8493
發(fā)明內(nèi)容
一般而言，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡包括安裝在基底一個(gè)表面上的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和安裝在基底另一表面上并控制所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的控制器，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡能夠在第一和第二模式下操作，其中所述第二模式下的數(shù)據(jù)傳輸速度高于所述第一模式。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡包括第一插腳組，其包括多個(gè)呈直線設(shè)置在插入連接器方向的一側(cè)的末端部分上的插腳，所述第一插腳組在所述第一模式下用作四個(gè)數(shù)據(jù)插腳、一個(gè)命令插腳、一個(gè)電源插腳、一個(gè)時(shí)鐘插腳以及兩個(gè)接地插腳，并且所述第一插腳組中的一部分在所述第一和第二模式下使用；以及第二插腳組，其包括多個(gè)插腳，所述多個(gè)插腳包含至少兩個(gè)用于差分信號(hào)的插腳對(duì)，所述第二插腳組被設(shè)置為使得接地定位在用于差分信號(hào)的插腳對(duì)中每個(gè)插腳對(duì)的兩側(cè)，并且只在所述第二模式下使用。在所述第二模式下，在配置所述第一插腳組的各個(gè)插腳當(dāng)中，在所述第一模式下用作數(shù)據(jù)插腳、命令插腳和時(shí)鐘插腳的插腳中的任何兩個(gè)鄰近插腳更改為用于差分時(shí)鐘信號(hào)的插腳對(duì)以作為用于差分時(shí)鐘信號(hào)的插腳對(duì)執(zhí)行功能，并且所述第一插腳組中的剩余插腳的功能被停止。


圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的SD存儲(chǔ)卡的配置的橫截面圖；圖2A和圖2B是示出從下外殼側(cè)看去SD存儲(chǔ)卡的外觀的圖表；圖3是示出電路基底的存儲(chǔ)器封裝安裝表面上的阻焊劑開(kāi)口圖形的配置實(shí)例的圖表；圖4是電路基底背側(cè)的平面圖；圖5是示出其中在電路基底上形成的用于正常模式的端子圖形、電阻元件組和接合指分別被電硬布線的狀態(tài)的圖表；圖6是示出其中在電路基底上形成的用于高速模式的端子圖形、電阻元件組和接合指分別被電硬布線的狀態(tài)的圖表；圖7是示出其中提供用于檢測(cè)的凹口的SD存儲(chǔ)卡的實(shí)例的圖表；圖8A和8B是示出包括用于檢測(cè)的擴(kuò)展插腳的SD存儲(chǔ)卡的實(shí)例的圖表；圖9是示出進(jìn)一步針對(duì)高速模式添加一個(gè)插腳的SD存儲(chǔ)卡的實(shí)例的圖表；圖IOA和IOB是示出根據(jù)第二實(shí)施例作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的SD存儲(chǔ)卡的外觀的圖表；圖11是示出根據(jù)第三實(shí)施例作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的SD存儲(chǔ)卡的外觀的圖表；圖12A、圖12B、圖12C、圖12D和圖12E是示出在下外殼中提供的薄部分的形狀實(shí)例的圖表；以及圖13是示出其中用于高速模式的插腳以不同于用于正常模式的插腳的方向設(shè)置的SD存儲(chǔ)卡的實(shí)例的圖表。
具體實(shí)施例方式下面將參考附圖詳細(xì)地介紹半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的示例性實(shí)施例。本發(fā)明不限于下面的實(shí)施例。[第一實(shí)施例]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的SD存儲(chǔ)卡的配置的橫截面圖。圖 1中的片上的左方向是插入連接器的方向，左側(cè)被定義為“前”。以類似的方式，圖1中的片上的右方向是從連接器移除的方向，右側(cè)被定義為“后”。而且，圖1的片上的上方向被定義為“上”，以及圖1的片上的下方向被定義為“下”。如圖1所示，SD存儲(chǔ)卡100的外部由上外殼1和下外殼2構(gòu)成，所述下外殼2的邊緣粘在上外殼1上并容納存儲(chǔ)器封裝和控制所述存儲(chǔ)器封裝的控制器。在由上外殼1和下外殼2構(gòu)成的SD存儲(chǔ)卡100中，例如，由諸如NAND型閃速存儲(chǔ)器之類的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成的存儲(chǔ)器封裝3A和:3B和控制所述存儲(chǔ)器封裝的控制器12被安裝在電路基底7上。存儲(chǔ)器封裝3A和;3B安裝在電路基底7的上表面(上外殼 1側(cè))并且控制存儲(chǔ)器封裝3A和;3B的存儲(chǔ)控制器12安裝在電路基底7的背側(cè)(下外殼 2側(cè))且恰好位于存儲(chǔ)器封裝3A下方。圍繞存儲(chǔ)控制器12形成樹(shù)脂灌封(potting)4以保護(hù)存儲(chǔ)控制器12。在SD存儲(chǔ)卡100前下部分中，形成端子部分6a，所述端子部分電連接到未示出的外部設(shè)備并用于在正常模式下，在存儲(chǔ)器封裝3A和;3B中輸入和輸出數(shù)據(jù)。而且，在位于相對(duì)于沿前后方向的中央的后端側(cè)上的下部分中，形成用于在高速模式下，在存儲(chǔ)器封裝3A和;3B中輸入和輸出數(shù)據(jù)的端子6b。沿前后方向的SD存儲(chǔ)卡100的中央部分是在連接到主設(shè)備或從主設(shè)備移除時(shí)容易地接收彎曲應(yīng)力、扭轉(zhuǎn)應(yīng)力等應(yīng)力的部分，且由于缺少存儲(chǔ)器封裝3A和3B，因而在結(jié)構(gòu)上是弱的；但是由于提供端子部分6b導(dǎo)致的SD存儲(chǔ)卡100硬度下降可通過(guò)在避免此部分的同時(shí)，在后端側(cè)形成端子部分6b來(lái)減少。存儲(chǔ)器封裝3A和;3B中的數(shù)據(jù)通過(guò)存儲(chǔ)控制器12和端子部分6a及6b與未示出的外部設(shè)備(主設(shè)備)進(jìn)行交換。多個(gè)電阻元件(下文中描述為電阻元件(組)如和恥) 在電路基底7的后側(cè)上的存儲(chǔ)控制器12和端子部分6a及6b之間形成。所述電阻元件fe 和恥的電阻值采取例如從數(shù)[Ω]到數(shù)十[Ω]的值。所述電阻元件組恥還設(shè)置在后端側(cè)以避免沿前后方向的由于缺少存儲(chǔ)器封裝3A和;3B而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)弱的SD存儲(chǔ)卡100的中央部分。上外殼1包括用于貼附標(biāo)簽的標(biāo)簽貼附凹槽8 (所述標(biāo)簽上印刷有SD存儲(chǔ)卡說(shuō)明或類似內(nèi)容)和在附接到未示出的外部設(shè)備或從所述外部設(shè)備移除時(shí)夾住的夾持部9。圖2A示出從下外殼2側(cè)看去SD存儲(chǔ)卡100的外觀。圖1所示的橫截面結(jié)構(gòu)是該圖中的I-I橫截面。SD存儲(chǔ)卡100包括用于正常模式的第1至第9插腳以及用于高速模式的第10至第17插腳。所述第1至第9插腳的位置、形狀和功能與正常SD存儲(chǔ)卡中包括的插腳相同。換言之，第1插腳被指定DAT3 (數(shù)據(jù))、第2插腳被指定CMD (命令)、第3插腳被指定GND (接地)、第4插腳被指定Vcc (電源)、第5插腳被指定CLK (時(shí)鐘)、第6插腳被指定GND (接地)、第7插腳被指定DATO (數(shù)據(jù))、第8插腳被指定DATl (數(shù)據(jù))，以及第9插腳被指定 DAT2(數(shù)據(jù))。第10至第17插腳是僅在高速模式下使用的插腳，第10插腳被指定GND (接地)、 第11插腳被指定DO+(差分?jǐn)?shù)據(jù)+)、第12插腳被指定DO-(差分?jǐn)?shù)據(jù)-)、第13插腳被指定 GND (接地)、第14插腳被指定Dl+(差分?jǐn)?shù)據(jù)+)、第15插腳被指定Dl-(差分?jǐn)?shù)據(jù)-)、第16 插腳被指定GND (接地)，以及第17插腳被指定Vcc2(電源)。換言之，包括用于差分信號(hào)的兩個(gè)鄰近插腳對(duì)(由第11和第12插腳構(gòu)成的插腳對(duì)和由第14和第15插腳構(gòu)成的插腳對(duì))，并且每個(gè)插腳對(duì)被排列為由GND夾住。用于差分信號(hào)的插腳對(duì)分別具有一個(gè)通道的數(shù)據(jù)傳輸功能，以便SD存儲(chǔ)卡100針對(duì)高速模式具有全部?jī)蓚€(gè)通道的數(shù)據(jù)傳輸功能。被指定Vcc2的第17插腳可以被省略，在這種情況下，從第10到第16的七個(gè)插腳被設(shè)置為用于高速模式的插腳。被指定Vcc2的第17插腳可以設(shè)置在用于差分信號(hào)的任意插腳和GND之間。第10至第17插腳被形成為小于第1至第9插腳，以便降低負(fù)載能力，從而更輕松地實(shí)現(xiàn)高速操作。第10至17插腳僅在高速模式下使用，以便即使它們被制造為小于第1 至第9插腳，也不會(huì)失去與傳統(tǒng)主設(shè)備(僅與正常SD卡兼容的主設(shè)備)的兼容性。而且， 如果可以實(shí)現(xiàn)希望的傳輸速度，則用于高速模式的插腳(第10至第17插腳)可以被形成為具有與用于正常模式的插腳(第1至第9插腳)相同的尺寸。在圖2A中，示出作為實(shí)例的配置，其中在寬度方向(與前后方向垂直)上的第10 至第17插腳的中央之間的間隔與在寬度方向上第1至第8插腳的中央之間的間隔相同；但是，如圖2B所示，在寬度方向上第10至第17插腳的中央之間的間隔可能與第1至第8插腳的中央之間的間隔不同。圖3是示出用于存儲(chǔ)器封裝3A和;3B的電路基底安裝表面上的阻焊劑開(kāi)口圖形的配置實(shí)例的圖表。電路基底7的存儲(chǔ)器封裝安裝表面是面向上外殼的一側(cè)上的表面。如圖 3所示，在用于存儲(chǔ)器封裝3A和;3B的電路基底7的安裝表面上，形成與存儲(chǔ)器封裝3A和 3B的焊接連接端子的各個(gè)位置對(duì)準(zhǔn)的阻焊劑開(kāi)口圖形20和30。換言之，在阻焊劑開(kāi)口圖形20和30上，提供用于將存儲(chǔ)器封裝3A和;3B與電路基底7進(jìn)行焊接連接以使其電氣相連的安裝墊。而且，在電路基底7上，提供用于通過(guò)焊接連接將熔絲元件31與電容元件32進(jìn)行電連接的安裝墊。圖4示出從電路基底7的后側(cè)，即下外殼4側(cè)，看去電路基底7的平面圖。如圖4 所示，在電路基底7的后側(cè)，形成存儲(chǔ)控制器12、多個(gè)測(cè)試墊組40、電阻元件組如和恥以及由金或類似材料構(gòu)成的端子圖形50至58和60至67的端子圖形。如上所述，針對(duì)從在存儲(chǔ)控制器12的表面上形成的多個(gè)電極墊交換到接合指13的數(shù)據(jù)數(shù)目形成接合線11。而且，如上所述，形成樹(shù)脂灌封4以保護(hù)存儲(chǔ)控制器12、接合指13和接合線11。而且，如圖4所示，端子圖形50至58中的每個(gè)被形成為對(duì)應(yīng)于圖1中介紹的端子部分6a的插腳設(shè)置。端子圖形50對(duì)應(yīng)于DAT (數(shù)據(jù))2插腳(第9插腳)，端子圖形51對(duì)應(yīng)于DAT3插腳(第1插腳)，端子圖形52對(duì)應(yīng)于CMD (命令)插腳(第2插腳)，端子圖形 53對(duì)應(yīng)于GND插腳(第3插腳)，端子圖形M對(duì)應(yīng)于Vcc插腳(第4插腳)，端子圖形55 對(duì)應(yīng)于CLK(時(shí)鐘)插腳(第5插腳)，端子圖形56對(duì)應(yīng)于GND插腳(第6插腳)，端子圖形57對(duì)應(yīng)于DATO插腳(第7插腳)，以及端子圖形58對(duì)應(yīng)于DATl插腳(第8插腳)。當(dāng)不明確區(qū)分時(shí)，這些端子圖形被描述為端子圖形A。此外，如圖4所示，端子圖形60至67中的每個(gè)被形成為對(duì)應(yīng)于圖1中介紹的端子部分6b的插腳設(shè)置。端子圖形60對(duì)應(yīng)于GND插腳(第10插腳)，端子圖形61對(duì)應(yīng)于DO+ 插腳(第11插腳)，端子圖形62對(duì)應(yīng)于DO-插腳(第12插腳)，端子圖形63對(duì)應(yīng)于GND插腳(第13插腳)，端子圖形64對(duì)應(yīng)于Dl+插腳(第14插腳)，端子圖形65對(duì)應(yīng)于Dl-插腳(第15插腳)，端子圖形66對(duì)應(yīng)于GND插腳(第16插腳)，以及端子圖形67對(duì)應(yīng)于Vcc 插腳(第17插腳)。當(dāng)不明確區(qū)分時(shí)，這些端子圖形被描述為端子圖形B。而且，電阻元件組fe由六個(gè)電阻元件構(gòu)成。這是因?yàn)槲词境龅耐獠吭O(shè)備與存儲(chǔ)器封裝3A和;3B之間的數(shù)據(jù)輸入和輸出由使用端子圖形50至52、55、57和58中的全部六個(gè)端子圖形的數(shù)據(jù)輸入和輸出執(zhí)行。換言之，端子圖形50至52、55、57和58和電阻元件組fe 分別采用電硬布線，并且在存儲(chǔ)控制器12側(cè)上設(shè)置的多個(gè)接合指13中的任意一個(gè)和電阻元件組fe通過(guò)具有近似相等的線長(zhǎng)的線進(jìn)行電連接。而且，電阻元件組恥由四個(gè)電阻元件構(gòu)成。這是因?yàn)槲词境龅耐獠吭O(shè)備與存儲(chǔ)器封裝3A和;3B之間的數(shù)據(jù)輸入和輸出由使用端子圖形61、62、64和65中的全部四個(gè)端子圖形的數(shù)據(jù)輸入和輸出執(zhí)行。換言之，端子圖形61、62、64和65和電阻元件組恥分別通過(guò)布線進(jìn)行電連接，并且在存儲(chǔ)控制器12側(cè)上設(shè)置的多個(gè)接合指13中的任意一個(gè)和電阻元件組恥通過(guò)具有近似相等的線長(zhǎng)的線進(jìn)行電連接。電阻元件組和5b可以省略。圖5示出其中在電路基底7上形成的用于正常模式的端子圖形A、電阻元件組fe 和接合指13分別通過(guò)布線進(jìn)行電連接的狀態(tài)。電阻元件組fe中包括的六個(gè)電阻元件分別被描述為電阻元件至fe-6。
如圖5所示，通過(guò)布線70，端子圖形50被連接到電阻元件fe_l，端子圖形51被連接到電阻元件如-2，端子圖形52被連接到電阻元件fe-3，端子圖形55被連接到電阻元件 5a-4，端子圖形57被連接到電阻元件5a-5，以及端子圖形58被連接到電阻元件fe_6。電阻元件至和接合指分別通過(guò)布線71連接。借此，從端子圖形A傳輸?shù)母鞣N數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酱鎯?chǔ)控制器12。然后，通過(guò)端子圖形50至58中的端子圖形50至52、55、57和58執(zhí)行與存儲(chǔ)控制器12之間的數(shù)據(jù)輸入和輸出。具體來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)通過(guò)端子圖形50、51、57和58傳輸?shù)嚼缧纬纱鎯?chǔ)器封裝3A和;3B的NAND閃速存儲(chǔ)器。而且，命令傳輸和接收由端子圖形52執(zhí)行。待傳輸數(shù)據(jù)的寫(xiě)入操作、讀取操作和擦除操作時(shí)的操作序列根據(jù)該命令執(zhí)行。此了執(zhí)行此序列，將控制存儲(chǔ)器封裝3A和;3B中包括的每個(gè)電路塊的操作。而且，時(shí)鐘CLK從端子圖形55傳輸?shù)酱鎯?chǔ)控制器12。此外，上述操作序列基于時(shí)鐘CLK執(zhí)行。而且，電壓由端子圖形M施加于整個(gè)SD存儲(chǔ)卡。電阻元件組fe具有其中例如在由陶瓷制成的電阻材料的兩側(cè)提供金屬端子的形狀。換言之，電阻元件如_1至如-6的一末端和端子圖形A通過(guò)布線70相連，電阻元件如-1 至的其他末端和接合指13通過(guò)布線71相連。換言之，提供了六條將電阻元件至和接合指13進(jìn)行連接的布線71。布線71具有近似相等的線長(zhǎng)。而且，在通過(guò)電阻元件從端子圖形50至52、55、57和58到達(dá)接合指13的每個(gè)信號(hào)路徑中，通過(guò)電阻元件fe從端子圖形50至52、55、57和58到達(dá)接合指13的信號(hào)路徑全部近似相等。更具體地說(shuō)，連接端子圖形50和電阻元件的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件 5a-l和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和、連接端子圖形51和電阻元件的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和、連接端子圖形52和電阻元件 5a-3的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和、連接端子圖形55和電阻元件的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和、連接端子圖形57和電阻元件的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和，以及連接端子圖形58和電阻元件的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和近似彼此相等。這是因?yàn)榇鎯?chǔ)控制器12的用于正常模式的IO端子被設(shè)置為接近端子圖形A，并且布線70和71中的每條在同一表面上形成，即，在電路基底7上形成。在圖5中，所示的配置作為實(shí)例，其中通過(guò)電阻元件如從端子圖形50至52、55、57和58到達(dá)接合指13的信號(hào)路徑近似全部相等地布線；但是，即使每個(gè)信號(hào)路徑的布線長(zhǎng)度不同，在特性上也沒(méi)有問(wèn)題，因而可以設(shè)計(jì)以制造不同的布線長(zhǎng)度。另一方面，存儲(chǔ)控制器12的用于高速模式的IO端子設(shè)置在SD存儲(chǔ)卡100的后端側(cè)上。借此，用于高速模式的布線的長(zhǎng)度也變得近似相等。圖6示出其中在電路基底7上形成的用于高速模式的端子圖形B、電阻元件組恥和接合指13分別通過(guò)布線進(jìn)行電連接。電阻元件組恥中包括的四個(gè)電阻元件分別被描述為電阻元件5b-l至5b-4。
如圖6所示，通過(guò)布線70，端子圖形61被連接到電阻元件恥_1，端子圖形62被連接到電阻元件恥-2，端子圖形64被連接到電阻元件恥-3，以及端子圖形65被連接到電阻元件恥-4。電阻元件恥-1至恥_4和接合指分別通過(guò)布線71連接。借此，從端子圖形B傳輸?shù)母鞣N數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酱鎯?chǔ)控制器12。電阻元件組恥具有其中例如在由陶瓷制成的電阻材料的兩側(cè)提供金屬端子的形狀。換言之，電阻元件恥-1至恥-4的一末端和端子圖形B通過(guò)布線70連接，電阻元件恥-1 至恥-4的其他末端和接合指13通過(guò)布線71連接。換言之，提供了四條將電阻元件恥-1至恥-4和接合指13進(jìn)行連接的布線71。布線71具有近似相等的線長(zhǎng)。而且，在通過(guò)電阻元件釙從端子圖形61、62、64和65到達(dá)接合指13的每個(gè)信號(hào)路徑中，通過(guò)電阻元件恥從端子圖形61、62、64和65到達(dá)接合指13的每個(gè)信號(hào)路徑全部近似相等。在圖6中，所示的配置作為實(shí)例，其中通過(guò)電阻元件恥從端子圖形61、62、64和 65到達(dá)接合指13的信號(hào)路徑近似全部相等地布線；但是，即使每個(gè)信號(hào)路徑的布線長(zhǎng)度不同，在特性上也沒(méi)有問(wèn)題，因而可以設(shè)計(jì)以制造不同的布線長(zhǎng)度。更具體地說(shuō)，連接端子圖形61和電阻元件恥-1的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件 5b-l和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和、連接端子圖形62和電阻元件恥-2的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件恥-2和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和、連接端子圖形64和電阻元件 5b-3的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件恥-3和接合指13的布線71的長(zhǎng)度之和，以及連接端子圖形65和電阻元件恥-4的布線70的長(zhǎng)度和連接電阻元件恥_4和接合指13的布線 71的長(zhǎng)度之和近似彼此相等。而且，連接到DO+插腳的布線71和連接到DO-插腳的布線71平行地布線以有效地傳輸差分信號(hào)。以類似的方式，連接到DO+插腳的布線70和連接到DO-插腳的布線70 平行地布線。連接到DO+插腳的布線71和70和連接到DO-插腳的布線71和70以類似的方式布線。此外，用于GND的布線在用于DO+插腳和DO-插腳的布線對(duì)的兩側(cè)鄰近地提供， 所述DO+插腳和DO-插腳與作為GND端子的端子圖形63和66相連。以類似的方式，用于 GND的布線在用于Dl+插腳和Dl-插腳的布線對(duì)的兩側(cè)鄰近地提供，所述Dl+插腳和Dl-插腳與作為GND端子的端子圖形63和60相連。對(duì)于對(duì)此類差分布線對(duì)進(jìn)行布線，即使布線 70和布線71的線長(zhǎng)不同，也在特性上沒(méi)有問(wèn)題，因而在某些情況下可以通過(guò)設(shè)計(jì)做出不同的布線長(zhǎng)度。這是因?yàn)榇鎯?chǔ)控制器12的用于高速模式的IO端子被設(shè)置為接近端子圖形B，并且布線70和71中的每條在同一表面上形成，即，在電路基底7上形成。然后，通過(guò)端子圖形60至67中的端子圖形61、62、64和65執(zhí)行高速模式下與存儲(chǔ)控制器12之間的數(shù)據(jù)輸入和輸出。具體來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)通過(guò)端子圖形61、62、64和65傳輸?shù)嚼缧纬纱鎯?chǔ)器封裝3A和;3B的NAND閃速存儲(chǔ)器。當(dāng)SD存儲(chǔ)卡在高速模式下操作時(shí)，第1至第9插腳中GND (第3和第6)插腳和 Vcc (第4)插腳以外的插腳在正常模式下的功能失效。然后，對(duì)于第7和第8插腳，指定與正常模式下不同的功能以用作用于高速操作的差分時(shí)鐘CLK+和CLK-。因此，對(duì)于第1、第 2、第5和第9插腳，將在高速模式期間停止執(zhí)行功能，所以不使用這些插腳。差分時(shí)鐘CLK+ 和CLK-的頻率最大為150MHz，以便用于正常模式的第7和第8插腳不會(huì)阻止高速數(shù)據(jù)傳輸。CLK+和CLK-使用用于正常模式的現(xiàn)有插腳進(jìn)行傳輸，因此不需要新提供這些用于在電路基底7上進(jìn)行傳輸?shù)亩俗樱瑥亩鴾p少對(duì)布線布局的限制。然后，使用差分?jǐn)?shù)據(jù)插腳DO士的通道和差分?jǐn)?shù)據(jù)插腳Dl 士的通道根據(jù)CLK士每通道傳輸1. 5Gpbs數(shù)據(jù)，總共實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速度300Mb/秒。在增加主設(shè)備側(cè)的連接器的接觸點(diǎn)數(shù)目以與SD存儲(chǔ)卡100兼容的情況下，如果第1至第9插腳和第10至第17插腳經(jīng)過(guò)偏移以類似于MMC標(biāo)準(zhǔn)的雙行設(shè)置的交錯(cuò)方式排列，則當(dāng)移除和插入SD存儲(chǔ)卡100時(shí)，連接器側(cè)上用于高速模式的端子在卡側(cè)用于正常模式的插腳之間穿過(guò)。在這種情況下，連接器側(cè)上的端子可能與目標(biāo)插腳以外的插腳接合，從而導(dǎo)致故障。而且，當(dāng)正常SD存儲(chǔ)卡插入其中連接器的接觸點(diǎn)數(shù)目已增加的主設(shè)備中時(shí)， 連接器側(cè)上用于高速模式的端子與下外殼接觸，并且如果在這種狀態(tài)下移除和插入正常SD 存儲(chǔ)卡，所述下外殼可能磨損。因此，在插入卡之后，至少主設(shè)備側(cè)上連接器的端子中用于高速模式的端子優(yōu)選地與正常SD存儲(chǔ)卡或SD存儲(chǔ)卡100接觸。換言之，可應(yīng)用的是主設(shè)備側(cè)上的連接器中用于高速模式的端子回縮至端子不與正常狀態(tài)下的卡接觸的位置。并且僅當(dāng)檢測(cè)到正常SD存儲(chǔ)卡或SD存儲(chǔ)卡100插入連接器時(shí)，所述端子才移至端子可與SD存儲(chǔ)卡接合的位置。在這種情況下，如果插入的卡是正常SD存儲(chǔ)卡，則連接器的用于高速模式的端子與下外殼接觸。但是，連接器的用于高速模式的端子不會(huì)在所述下外殼上滑動(dòng)，從而不會(huì)輕易損壞所述下外殼。而且，當(dāng)插入或移除卡時(shí)，連接器側(cè)上用于高速模式的端子不會(huì)在卡側(cè)上的用于正常模式的插腳之間穿過(guò)，從而不會(huì)輕易發(fā)生故障?？梢酝ㄟ^(guò)諸如機(jī)械、電、磁學(xué)或光學(xué)方法檢測(cè)到正常SD存儲(chǔ)卡或SD存儲(chǔ)卡100 插入連接器；但是，任何方法的使用都可以在公知的技術(shù)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)，因此省略詳細(xì)配置說(shuō)明。而且，可以應(yīng)用在連接器側(cè)上區(qū)分SD存儲(chǔ)卡100和正常SD存儲(chǔ)卡，并且僅當(dāng)插入與高速模式兼容的SD存儲(chǔ)卡100時(shí)，用于高速模式的端子才與SD存儲(chǔ)卡100接合。因此， 消除連接器的用于高速模式的端子與正常SD存儲(chǔ)卡接觸，以防所述下外殼因?yàn)榕c用于高速模式的端子接觸而被損壞。可以通過(guò)使SD存儲(chǔ)卡100的側(cè)表面的外部形狀的至少一部分不同于正常SD存儲(chǔ)卡，簡(jiǎn)單地在連接器側(cè)上區(qū)分SD存儲(chǔ)卡100和正常SD存儲(chǔ)卡。例如，如圖7所示，用于識(shí)別卡類型的凹口 41可以在SD存儲(chǔ)卡100的側(cè)表面中提供。如果存在至少一個(gè)凹口 41，則可以區(qū)分SD存儲(chǔ)卡100和正常SD存儲(chǔ)卡，并且可以通過(guò)提供多個(gè)凹口 41提高識(shí)別精確度。而且，作為在連接器側(cè)上區(qū)分SD存儲(chǔ)卡100和正常SD存儲(chǔ)卡的另一配置，如圖8A 和8B所示，可以相較于正常SD存儲(chǔ)卡擴(kuò)展用于正常模式的插腳的部分以提供擴(kuò)展部分42。 通過(guò)這種配置，可以基于與正常SD存儲(chǔ)卡相同的區(qū)域(正常區(qū)域)與要擴(kuò)展的區(qū)域(擴(kuò)展區(qū)域)之間的電導(dǎo)或非電導(dǎo)區(qū)分是否是正常SD存儲(chǔ)卡。換言之，對(duì)于正常SD存儲(chǔ)卡，不擴(kuò)展用于正常模式的預(yù)定插腳，以便正常區(qū)域和擴(kuò)展區(qū)域之間沒(méi)有電流傳導(dǎo)。另一方面，對(duì)于與高速模式兼容的SD存儲(chǔ)卡100，擴(kuò)展用于正常模式的預(yù)定插腳，以便正常區(qū)域和擴(kuò)展區(qū)域之間導(dǎo)電。在上面的說(shuō)明中，其中針對(duì)高速模式提供從第10至第17的八個(gè)插腳的配置作為一個(gè)實(shí)例；但是，如圖9所示，可以通過(guò)再添加一個(gè)插腳，為未來(lái)的功能擴(kuò)展做準(zhǔn)備。
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通過(guò)這種方式，根據(jù)本實(shí)施例，在SD存儲(chǔ)卡100中，以與正常SD存儲(chǔ)卡相同的設(shè)置提供被指定與正常SD存儲(chǔ)卡相同的功能的用于正常模式的插腳，以便可以保持與只與正常SD存儲(chǔ)卡兼容的主設(shè)備的兼容性。而且，可以使用用于高速模式的插腳執(zhí)行通過(guò)差分信號(hào)進(jìn)行的高速數(shù)據(jù)傳輸。此外，通過(guò)更改到高速模式下的不同功能，可以將用于正常模式的一些現(xiàn)有插腳用作差分時(shí)鐘插腳對(duì)，以便不需要針對(duì)差分時(shí)鐘傳輸提供新插腳，借此對(duì)電路基底7的布線布局的限制與新提供所有用于高速模式的插腳的情況相比更小。因此， 可以在保持與正常主設(shè)備的兼容性的同時(shí)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)高速傳輸，并且對(duì)上面安裝半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電路基底7的布線布局的限制是小的。[第二實(shí)施例]圖IOA是示出根據(jù)第二實(shí)施例作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的SD存儲(chǔ)卡的外觀的圖表。圖 IOA示出從下外殼2側(cè)看去SD存儲(chǔ)卡100的外觀。SD存儲(chǔ)卡100包括用于正常模式的第 1至第9插腳，以及用于高速模式的第10至第16和第18至第23插腳。第10至第16和第18至第23插腳是僅在高速模式下使用的插腳，第10至第16 插腳類似于上述第一實(shí)施例。第18插腳被指定D2+、第19插腳被指定D2-，第20插腳被指定GND，第21插腳被指定D3+，第22插腳被指定D3-，以及第23插腳被指定GND。省略被指定Vcc2的第17插腳。在本實(shí)施例中，包括用于差分信號(hào)的四個(gè)鄰近插腳對(duì)(由第11插腳和第12插腳構(gòu)成的插腳對(duì)，由第14插腳和第15插腳構(gòu)成的插腳對(duì)，由第18插腳和第19 插腳構(gòu)成的插腳對(duì)，以及由第21插腳和第22插腳構(gòu)成的插腳對(duì))，并且每個(gè)插腳對(duì)被設(shè)置為由GND夾住。用于差分信號(hào)的插腳對(duì)分別具有一個(gè)通道的數(shù)據(jù)傳輸功能，以便SD存儲(chǔ)卡 100總共具有四個(gè)通道的數(shù)據(jù)傳輸功能。因此，與第一實(shí)施例相比，可以進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)傳輸速度。如圖IOB所示，可以通過(guò)在多個(gè)行中設(shè)置用于高速模式的插腳而進(jìn)一步增加通道數(shù)(圖IOB中的六個(gè)通道)。也是在這種配置中，每個(gè)用于差分信號(hào)的插腳對(duì)被設(shè)置為由位于兩側(cè)上的GND夾住。通過(guò)這種方式，可以借助進(jìn)一步增加用于高速模式的差分信號(hào)插腳對(duì)的數(shù)目來(lái)進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)傳輸速度。在該實(shí)例中，介紹了其中針對(duì)差分信號(hào)設(shè)置第18至第23插腳的配置作為實(shí)例；但是，無(wú)需指出，所述插腳也可以用于其他目的。其他實(shí)施例與第一實(shí)施例類似，因此省略了重復(fù)的介紹。[第三實(shí)施例]圖11是示出根據(jù)第三實(shí)施例作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的SD存儲(chǔ)卡的外觀的圖表。圖11 示出從下外殼2側(cè)看去SD存儲(chǔ)卡100的外觀。SD存儲(chǔ)卡100包括用于正常模式的第1至第9插腳和用于高速模式的第10至第17插腳。每個(gè)插腳的功能類似于第一實(shí)施例。在上述第一實(shí)施例中，所示的配置作為實(shí)例，其中用于正常模式的插腳與用于高速模式的插腳分開(kāi)，并且在它們之間設(shè)置有存儲(chǔ)控制器12 ；但是，本發(fā)明并不限于此類設(shè)置，用于正常模式的插腳可以與用于高速模式的插腳相互靠近設(shè)置以便實(shí)現(xiàn)所需的數(shù)據(jù)傳輸速度。用于高速模式的插腳通過(guò)在下外殼2中提供薄部分以及以類似于用于正常模式的插腳的方式在該部分中形成開(kāi)口而暴露在外；但是，當(dāng)配置使得用于高速模式的插腳靠近用于正常模式的插腳設(shè)置時(shí)(如圖12A所示)，可以應(yīng)用的是圍繞每個(gè)用于高速模式的插腳的部分變?yōu)檎５暮癫糠?2。而且，在插入主設(shè)備方向的向后側(cè)上提供用于高速模式的插腳以對(duì)應(yīng)于用于正常模式的插腳時(shí)(如圖12B所示)，通過(guò)擴(kuò)展用于正常模式的插腳的凹槽型薄部分73并形成用于暴露其中用于高速模式的插腳的開(kāi)口，使得加工用于模制下外殼2的模子變得更容易。此外，如圖12C所示，通過(guò)形成凹槽型薄部分73以容納用于正常模式的插腳和用于高速模式的插腳，使得加工用于模制下外殼2的模子變得更容易。但是，從防止降低SD存儲(chǔ)卡100的強(qiáng)度和不正確地與連接器側(cè)上的插腳接合的角度來(lái)看，薄部分73優(yōu)選地小于圖12A中所示的大小。但是，可以在綜合考慮下外殼2的材料的硬度、 可加工性以及類似條件的情況下確定薄部分73的形狀。其他實(shí)施例與上述第一實(shí)施例類似，因此省略了重復(fù)的介紹。在上述每個(gè)實(shí)施例中，所示的配置作為實(shí)例，其中用于高速模式的插腳以與用于正常模式的插腳沿相同的方向設(shè)置；但是，用于高速模式的插腳的設(shè)置方向不限于本發(fā)明所述的設(shè)置，并且如圖13所示，用于高速模式的插腳可以在與用于正常模式的插腳沿不同的方向設(shè)置。圖12D是圖12C的修改實(shí)例。如圖12D所示，第10插腳、第13插腳和第17插腳被指定(GND)，第14插腳被指定Vcc2(電源)、第11插腳被指定DO+(差分?jǐn)?shù)據(jù)+)，第12 插腳被指定DO-(差分?jǐn)?shù)據(jù)_)，第15插腳被指定Dl+(差分?jǐn)?shù)據(jù)+)，以及第16插腳被指定 Dl-(差分?jǐn)?shù)據(jù)_)。第1至第9插腳與圖11中的指定相同。在用于高速模式的插腳中，GND 插腳和電源插腳的尺寸大于差分?jǐn)?shù)據(jù)插腳的尺寸。因此，可以可靠地提供GND和電源，并且差分?jǐn)?shù)據(jù)插腳的寄生電容可以很小以允許執(zhí)行高速操作。而且，用于正常模式的電源插腳 (第4插腳)和用于高速模式的電源插腳(第14插腳)被設(shè)置為相互鄰近，以便第4插腳和第14插腳之間的潛在電勢(shì)差變小。換言之，通過(guò)插腳設(shè)置，使得電源插腳和GND插腳之間的距離變大。因此，可以減少插腳之間的漏電電流。圖12E是圖12B所示的用于高速模式的插腳的修改實(shí)例。如圖12E所示，差分?jǐn)?shù)據(jù)插腳與用于高速模式的插腳中的GND插腳或電源插腳相比尺寸變小，因此用于正常模式的插腳之間的間距(Pitch)變得不同于用于高速模式的插腳之間的間距。因此，在用于正常模式的插腳和用于高速模式的插腳之間的間距匹配的區(qū)域中提供薄部分73。在圖12E的實(shí)例中，在薄部分73中提供差分?jǐn)?shù)據(jù)插腳，并且在一個(gè)區(qū)域中包含夾住用于高速模式的插腳中的差分?jǐn)?shù)據(jù)插腳的GND或電源插腳。如上所述，根據(jù)實(shí)施例，可以獲得提供半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的效果，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡能夠在保持與正常主設(shè)備的兼容性的同時(shí)執(zhí)行數(shù)據(jù)高速傳輸，并且對(duì)上面安裝半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電路基底的布線布局的限制很小。盡管已描述特定實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅出于舉例的目的給出，并非旨在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，此處描述的新穎實(shí)施例可以通過(guò)其他各種方式實(shí)現(xiàn)；此外，可以在不偏離本發(fā)明的精神的情況下，對(duì)此處描述的實(shí)施例的形式做出各種省略、替換和更改。所附權(quán)利要求及其等同物旨在涵蓋此類位于本發(fā)明的范圍和精神之內(nèi)的形式或修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，包括安裝在基底一個(gè)表面上的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和安裝在所述基底另一表面上并控制所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的控制器，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡能夠在第一和第二模式下操作，其中所述第二模式下的數(shù)據(jù)傳輸速度高于所述第一模式，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡包括第一插腳組，其包括多個(gè)呈直線設(shè)置在插入連接器方向一側(cè)的末端部分上的插腳，所述第一插腳組在所述第一模式下用作四個(gè)數(shù)據(jù)插腳、一個(gè)命令插腳、一個(gè)電源插腳、一個(gè)時(shí)鐘插腳以及兩個(gè)接地插腳，并且所述第一插腳組中的一部分在所述第一和第二模式下使用；以及第二插腳組，其包括多個(gè)插腳，所述多個(gè)插腳包含至少兩個(gè)用于差分信號(hào)的插腳對(duì)，所述第二插腳組被設(shè)置為使得接地定位在用于差分信號(hào)的插腳對(duì)中每個(gè)插腳對(duì)的兩側(cè)，并且只在所述第二模式下使用，其中在所述第二模式下，在配置所述第一插腳組的各個(gè)插腳當(dāng)中，在所述第一模式下用作數(shù)據(jù)插腳、命令插腳和時(shí)鐘插腳的插腳中的任何兩個(gè)鄰近插腳更改為用于差分時(shí)鐘信號(hào)的插腳對(duì)以作為用于差分時(shí)鐘信號(hào)的插腳對(duì)執(zhí)行功能，并且所述第一插腳組中的剩余插腳的功能被停止。
2.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中所述第二插腳組在與所述第一插腳組近似相同的方向上設(shè)置在接近插入方向上的中央并且接近插入方向相對(duì)側(cè)的末端的位置。
3.如權(quán)利要求2中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中設(shè)置所述第二插腳組以便被分為在插入方向上的多個(gè)行。
4.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中所述第一插腳組和所述第二插腳組被設(shè)置為夾住所述基底上的安裝有所述控制器的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中形成所述第二插腳組的每個(gè)插腳被設(shè)置為不具有在與所述插入方向垂直的方向上的相對(duì)于形成所述第一插腳組的插腳的偏移。
6.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中所述第二插腳組被設(shè)置在與所述第一插腳組不同的方向上。
7.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中所述第二插腳組被設(shè)置在與所述第一插腳組近似相同的方向上并接近所述第一插腳組。
8.如權(quán)利要求7中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，進(jìn)一步包括上外殼和容納所述基底的下外殼，其中所述下外殼包括位于與其中形成所述第一和第二插腳組的區(qū)域面對(duì)的區(qū)域中的薄部分；以及所述第一和第二插腳組通過(guò)所述薄部分上設(shè)置的開(kāi)口暴露在外殼之外。
9.如權(quán)利要求8中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中針對(duì)所述第一和第二插腳組中所有插腳共同提供所述薄部分。
10.如權(quán)利要求8中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中形成所述第二插腳組的每個(gè)插腳被相對(duì)于形成所述第一插腳組的插腳在插入方向上鄰近地設(shè)置，并且其中針對(duì)在插入方向上鄰近的多個(gè)插腳共同形成所述薄部分。
11.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中形成所述第二插腳組的每個(gè)插腳的面積小于形成所述第一插腳組的每個(gè)插腳的面積。
12.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中連接所述第二插腳組中用于差分信號(hào)的各個(gè)插腳和所述控制器的布線在所述基底上形成以具有近似相等的長(zhǎng)度。
13.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中連接所述第二插腳組中用于差分信號(hào)的各個(gè)插腳和所述控制器的布線針對(duì)每個(gè)插腳對(duì)在所述基底上近似平行地形成。
14.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中連接所述第二插腳組中用于差分信號(hào)的各個(gè)插腳和所述控制器的布線具有近似相等的長(zhǎng)度并且針對(duì)每個(gè)插腳對(duì)在所述基底上近似平行地形成。
15.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中連接所述第一插腳組中四個(gè)數(shù)據(jù)插腳中的每個(gè)插腳和所述控制器的每條布線、連接所述時(shí)鐘插腳和所述控制器的布線、以及連接所述命令插腳和所述控制器的布線在所述基底上形成以具有近似相等的長(zhǎng)度。
16.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，進(jìn)一步包括容納所述基底的外殼，其中所述外殼側(cè)表面的外形至少在一部分不同于專用于所述第一模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的外殼。
17.如權(quán)利要求16中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中所述外殼包括區(qū)別于專用于所述第一模式的所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的外殼的凹口。
18.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中所述第一插腳組中至少一個(gè)插腳的面積大于與專用于所述第一模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的具有相同功能的插腳。
19.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其中所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器為NAND型閃速存儲(chǔ)ο
全文摘要
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡包括第一插腳組，其中包括多個(gè)呈直線設(shè)置在插入連接器方向一側(cè)的末端部分上的插腳，并且所述第一插腳組中的一部分在所述第一和第二模式下使用；以及第二插腳組，其中包括多個(gè)插腳，所述多個(gè)插腳包含至少兩個(gè)用于差分信號(hào)的插腳對(duì)，所述第二插腳組被排列為使得接地定位在用于差分信號(hào)的插腳對(duì)中每個(gè)插腳對(duì)的兩側(cè)，并且只在所述第二模式下使用。在所述第二模式下，在配置所述第一插腳組的各個(gè)插腳當(dāng)中，任何兩個(gè)鄰近插腳更改為用于差分時(shí)鐘信號(hào)的插腳對(duì)，并且所述第一插腳組中的剩余插腳的功能被停止。
文檔編號(hào)G06K19/07GK102473245SQ201080032138
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月23日
發(fā)明者岡田隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝