專利名稱：觸摸屏基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示范性實(shí)施例涉及觸摸屏基板以及制造該觸摸屏基板的方法。更具體 地，本發(fā)明的示范性實(shí)施例涉及改善制造工藝可靠性的觸摸屏基板以及制造該觸摸屏基板 的方法。
背景技術(shù)：
一般，液晶顯示(IXD)面板包括具有用于驅(qū)動(dòng)像素的開關(guān)元件的第一基板、面對(duì) 第一基板的第二基板以及插設(shè)在第一基板與第二基板之間的液晶層。液晶層中的液晶分子 根據(jù)施加到液晶層的電場(chǎng)來控制光透射，使得LCD面板顯示圖像。LCD面板用作響應(yīng)于外部壓力而操作的觸摸面板。觸摸面板的第二基板包括光傳 感器和控制光傳感器的開關(guān)元件。當(dāng)外部壓力施加到LCD面板上，從設(shè)置在LCD面板下面 的背光產(chǎn)生的光被接觸面板的外部物體反射，然后被提供到光傳感器，由此光傳感器吸收 被反射的光以產(chǎn)生光電流。連接到LCD面板的中央處理單元基于光電流與在光入射到光傳 感器之前由光傳感器產(chǎn)生的暗電流之間的差異來計(jì)算觸摸位置。當(dāng)外部壓力施加到LCD面板上時(shí)，反射光和不同于反射光的外部光可以一起被提 供到光傳感器。光傳感器感測(cè)外部光以及反射光，使得中央處理單元無(wú)法準(zhǔn)確計(jì)算觸摸位 置。為了解決這個(gè)問題，遮光圖案形成在光傳感器下面，遮光圖案?jìng)鬏斕囟úㄩL(zhǎng)的必要光并 防止外部光被提供到光傳感器。然而，當(dāng)遮光圖案不均勻地形成在第二基板上時(shí)，形成在遮光圖案上的多個(gè)上部 圖案不能均勻地形成在第二基板上，因?yàn)檎诠鈭D案是首先形成在第二基板上的圖案。因此， 會(huì)降低上部圖案的制造工藝的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供了一種觸摸屏基板以及制造該觸摸屏基板的方法，該 觸摸屏基板能夠改善遮光圖案的制造工藝的可靠性并增強(qiáng)遮光圖案與基板之間的粘合強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，觸摸屏基板包括基底基板(base substrate)、遮光 圖案、第一感測(cè)元件和第一開關(guān)元件。遮光圖案包括形成在基底基板上的無(wú)機(jī)層以及形成 在無(wú)機(jī)層上的遮光層，該遮光層透射紅外光并吸收可見光。第一感測(cè)元件形成在遮光圖案 上并感測(cè)紅外光。第一開關(guān)元件電連接到第一感測(cè)元件。根據(jù)實(shí)施例，無(wú)機(jī)層可以包括硅氮化物或硅氧化物。根據(jù)實(shí)施例，觸摸屏基板還可以包括殘余層，該殘余層形成在基底基板的除了無(wú) 機(jī)層形成在其上的區(qū)域之外的整個(gè)區(qū)域上，并且殘余層的厚度可以小于無(wú)機(jī)層的厚度。第 一開關(guān)元件形成在殘余層上。根據(jù)實(shí)施例，遮光層可以包括非晶硅鍺(a-SiGe)或非晶鍺(a_Ge)。根據(jù)實(shí)施例，觸摸屏基板還可以包括偏壓線、第一讀取線、第一感測(cè)柵線和第二感測(cè)柵線。偏壓線可以連接到第一感測(cè)元件。第一讀取線可以連接到第一開關(guān)元件以將第一 感測(cè)元件的第一柵信號(hào)輸出到第一開關(guān)元件。第二感測(cè)柵線可以連接到第一感測(cè)元件并將 第二柵信號(hào)施加到第一感測(cè)元件。根據(jù)實(shí)施例，觸摸屏基板還可以包括第二感測(cè)元件，連接到偏壓線并感測(cè)可見 光；第二開關(guān)元件，連接到第二感測(cè)元件；第三感測(cè)柵線，連接到第二開關(guān)元件以將第三柵 信號(hào)施加到第二開關(guān)元件；以及第二讀取線，連接到第二開關(guān)元件以輸出第二感測(cè)元件的 可見光感測(cè)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，提供了一種制造觸摸屏基板的方法。在該方法中，遮 光圖案形成在基底基板上。遮光圖案包括無(wú)機(jī)層以及形成在該無(wú)機(jī)層上的遮光層，該遮光 層透射紅外光并吸收可見光。第一感測(cè)元件形成在遮光圖案上。第一開關(guān)元件形成在基底 基板上，開關(guān)元件電連接到第一感測(cè)元件。根據(jù)實(shí)施例，犧牲層可以形成在基底基板上，母遮光層(parent light blocking layer)可以形成在包括形成在基底基板上的犧牲層的基底基板上。母遮光層可以利用蝕刻 氣體被圖案化以形成遮光層，犧牲層可以被圖案化以形成無(wú)機(jī)層。根據(jù)實(shí)施例，在形成無(wú)機(jī)層時(shí)，除了無(wú)機(jī)層之外的犧牲層可以被除去以暴露基底基板。根據(jù)實(shí)施例，犧牲層可以被部分除去以形成殘余層，該殘余層的厚度小于犧牲層 的初始厚度，第一開關(guān)元件可以形成在殘余層上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在形成阻擋可見光的遮光圖案時(shí)可以防止在遮光圖案的下 部形成底切(undercut)，該可見光被提供到用于感測(cè)紅外光的感測(cè)元件。此外，可以增強(qiáng)遮 光圖案與基底基板之間的粘合強(qiáng)度。因此，可以改善制造工藝的可靠性。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，本發(fā)明的實(shí)施例將變得更加清 楚，附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的顯示面板的截面圖；圖2是示出圖1中的觸摸屏基板的平面圖；圖3A是沿圖2中的線1-1’截取的截面圖；圖;3B是示出圖3A中的第一感測(cè)元件的一部分的放大截面圖；圖4是沿圖2中的線11-11’截取的截面圖；圖5A和5B以及圖6至圖11是示出制造圖3A所示的觸摸屏基板的方法的截面 圖；圖12A和12B是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的觸摸屏基板的截面圖；圖13是示出圖12A的第一感測(cè)元件的一部分的放大截面圖；圖14和圖15是示出制造圖12A所示的觸摸屏基板的方法的截面圖；圖16A和圖16B是示出根據(jù)本發(fā)明的通過使用實(shí)例樣品1和2制造的遮光圖案的 截面圖；圖17A和圖17B是示出通過使用比較樣品1和2制造的遮光圖案的截面圖；圖18A至圖18C是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例樣品3、4和5的粘合強(qiáng)度的概念圖；以及圖19A至圖19C是示出比較樣品3、4和5的粘合強(qiáng)度的概念圖。
具體實(shí)施例方式在下文參照附圖更全面地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。在整個(gè)附圖和說明書中， 相似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的顯示面板的截面圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本示范性實(shí)施例的顯示裝置500包括顯示面板PL以及向顯示面板 PL提供光的背光組件400。顯示面板PL包括第一陣列基板100、第一觸摸屏基板200和液 晶層300。顯示裝置500可以感測(cè)接觸顯示面板PL的物體的位置。此外，顯示裝置500可 以掃描設(shè)置在顯示面板PL上的圖像。背光組件400設(shè)置在第一陣列基板100下面。第一陣列基板100包括像素開關(guān)元件PSW、電連接到像素開關(guān)元件PSW的像素電極 PE以及形成在第一基板110上的陣列層AL。像素電極PE可以定義第一陣列基板100的像 素單元。第一觸摸屏基板200面對(duì)第一陣列基板100并與陣列基板100結(jié)合使得液晶層 300插設(shè)在第一陣列基板100與第一觸摸屏基板200之間。第一觸摸屏基板200包括形成 在第二基底基板210上的第一光傳感器LSl和第二光傳感器LS2。第一觸摸屏基板200還 可以包括黑矩陣BM、濾色器CF、覆蓋涂層OC和公共電極CE。公共電極CE面對(duì)像素電極PE 以產(chǎn)生電場(chǎng)。第一光傳感器LSl和第二光傳感器LS2的每個(gè)可以設(shè)置在對(duì)應(yīng)于第一陣列基 板100的三個(gè)像素單元的區(qū)域中。第一光傳感器LSl感測(cè)紅外光，第二光傳感器LS2感測(cè) 可見光。背光組件400設(shè)置在第一陣列基板100下面。背光組件400可以包括提供紅外光 到顯示面板PL的紅外光源和提供可見光到顯示面板PL的可見光源。紅外光源和可見光源 的每個(gè)可以包括發(fā)光二極管(LED)。圖2是示出圖1中的觸摸屏基板的平面圖。參照?qǐng)D2，第一觸摸屏基板200包括第一光傳感器LSl、第一感測(cè)柵線SGLl、第二感 測(cè)柵線SGL2、偏壓線VL、第一讀取線R/01、遮光圖案BP、第一電容器Cstl、黑矩陣BM、濾色 器CF和公共電極CE，該第一光傳感器LSl包括第一開關(guān)元件WTRl和第一感測(cè)元件STRl。第一感測(cè)柵線SGLl在第一方向Dl上延伸并施加第一感測(cè)柵信號(hào)。第二感測(cè)柵線 SGL2在不同于第一方向Dl的第二方向D2上延伸以與第一感測(cè)柵線SGLl交叉，并施加第二 感測(cè)柵信號(hào)。第一方向Dl可以基本垂直于第二方向D2。偏壓線VL在第二方向D2上延伸并施加源偏壓。偏壓線VL設(shè)置在第二感測(cè)柵線 SGL2的第一方向Dl上。第一讀取線R/01在第二方向D2上延伸。第一讀取線R/01鄰近第二感測(cè)柵線 SGL2，使得第二感測(cè)柵線SGL2設(shè)置在第一讀取線R/01與偏壓線VL之間。由第一感測(cè)元件 STRl產(chǎn)生的紅外感測(cè)信號(hào)輸出到中央處理單元，該中央處理單元連接到顯示面板PL。圖3A是沿圖2中線1-1’截取的截面圖。參照?qǐng)D2和圖3A，遮光圖案BP形成在第一感測(cè)元件STRl下面。遮光圖案BP包括 在第二基底基板210上的無(wú)機(jī)層222和在無(wú)機(jī)層222上的遮光層224。無(wú)機(jī)層222可以最小化對(duì)遮光層224的損壞，使得可以在形成遮光層2M時(shí)防止在遮光層224的下部形成底 切。此外，無(wú)機(jī)層222可以增強(qiáng)第二基底基板210與遮光層2M之間的粘合強(qiáng)度。將參照 圖3B更詳細(xì)地描述遮光圖案BP。第一感測(cè)元件STRl感測(cè)由背光組件400提供的紅外光。第一感測(cè)元件STRl電連 接到第二感測(cè)柵線SGL2、偏壓線VL和第一開關(guān)元件WTRl。第一感測(cè)元件STRl包括第一感 測(cè)柵電極SG1、第一感測(cè)源電極SS1、第一感測(cè)漏電極SDl和第一有源圖案API。第一感測(cè) 柵電極SGl連接到第二感測(cè)柵線SGL2。第一感測(cè)源電極SSl通過第一接觸孔CNTl連接到 偏壓線VL。第一感測(cè)漏電極SDl與第一感測(cè)源電極SSl間隔開并電連接到第一開關(guān)元件 WTR1。第一感測(cè)源電極SSl和第一感測(cè)漏電極SDl每個(gè)可以具有浮凸結(jié)構(gòu)以增大溝道區(qū)， 該浮凸結(jié)構(gòu)具有重復(fù)的U形。第一有源圖案APl與第一感測(cè)柵電極SGl交疊，并與第一感 測(cè)源電極SSl和第一感測(cè)漏電極SDl的每個(gè)部分地交疊。第一有源圖案APl包括第一半導(dǎo) 體層262和第一歐姆接觸層沈4。第一半導(dǎo)體層262可以包括非晶硅鍺(a_SiGe)。第一歐 姆接觸層264可以包括摻有高濃度η型雜質(zhì)的非晶硅(n+a-Si)。第一感測(cè)元件STRl可以通過第二接觸孔CNT2電連接到遮光圖案BP。經(jīng)由第二 感測(cè)柵線SGL2施加的第二感測(cè)柵信號(hào)可以施加到第一感測(cè)柵電極SGl和遮光圖案BP?？?替換地，遮光圖案BP可以連接到附加信號(hào)線以施加附加感測(cè)柵信號(hào)。第一感測(cè)柵電極SGl 可以經(jīng)由在第二接觸孔CNT2處的接觸電極230連接到遮光圖案BP。接觸電極230形成在 與第二接觸孔CNT2相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的遮光圖案BP上，使得通過第二接觸孔CNT2暴露的遮 光圖案BP可以被接觸電極230保護(hù)。因此，第一感測(cè)元件STRl可以具有包括遮光圖案BP 和第一感測(cè)柵電極SGl的雙柵結(jié)構(gòu)。通過用紅外光輻照遮光圖案BP產(chǎn)生的電荷可以通過 將遮光圖案BP與第二感測(cè)柵線SGL2相連而釋放。此外，遮光圖案BP的偏壓可以通過將遮 光圖案BP與第二感測(cè)柵線SGL2相連而保持不變。圖;3B是示出圖3A中的第一感測(cè)元件的一部分的放大截面圖。參照?qǐng)D3B，由背光組件400提供的紅外光穿過遮光圖案BP，被接觸第二基底基板 210的物體反射的紅外光頂可以穿過遮光圖案BP回到第一有源圖案API。從第二基底基 板210的外側(cè)提供的外部可見光VIS由于遮光圖案BP而不能穿過第二基底基板210。遮 光圖案BP吸收外部可見光VIS以阻擋外部可見光VIS。實(shí)質(zhì)上，遮光圖案BP的遮光層2M 透射被反射的紅外光頂并阻擋外部可見光VIS。無(wú)機(jī)層222具有第一厚度屯。遮光層2 具有第二厚度d2并形成在無(wú)機(jī)層222 上。第一厚度Cl1小于第二厚度d2。例如，第一厚度屯可以在約IOOA至約IOOOA的范圍內(nèi)。 第二厚度4可以在約1500A至約5000A的范圍內(nèi)。無(wú)機(jī)層222可以包括透明無(wú)機(jī)材料。例如，無(wú)機(jī)層222可以包括硅氮化物(SiNx， 0 < x^ 1)或硅氧化物(Si0y，0 < y彡1)，等等。遮光層2M包括半導(dǎo)體材料。例如，遮光層2M可以包括非晶硅鍺(a-SiGe)。遮 光圖案BP透射紅外光并吸收可見光以阻擋可見光。遮光層224中的鍺原子的數(shù)量可以大 于第一半導(dǎo)體層262中的鍺原子的數(shù)量。盡管附圖中沒有示出，但是遮光層2M可以包括第一層和第二層，其中第一層包 括非晶鍺，第二層包括非晶硅鍺且形成在第一層上。無(wú)機(jī)層222和遮光層224的被蝕刻表面“A”可以基本彼此相重合。無(wú)機(jī)層222形
7成在遮光層2M下面，使得在形成遮光層2M時(shí)可以防止在遮光層2M的下部形成底切。因 此，遮光圖案BP的下側(cè)部分可以直接接觸第二基底基板210。第二基底基板210與遮光層2M之間的粘合強(qiáng)度可以通過無(wú)機(jī)層222而增強(qiáng)。第 二基底基板210與無(wú)機(jī)層222之間的粘合強(qiáng)度大于第二基底基板210與遮光層2 之間的 粘合強(qiáng)度。例如，無(wú)機(jī)層222與第二基底基板210之間的表面能差值小于遮光層2M與第 二基底基板210之間的表面能差值，使得遮光層2M與第二基底基板210之間的粘合強(qiáng)度 可以通過無(wú)機(jī)層222而增強(qiáng)。再次參照?qǐng)D2和圖3A，第一開關(guān)元件WTRl連接到第一感測(cè)柵線SGLl和第一讀取 線R/01。第一開關(guān)元件WTRl包括第一開關(guān)柵電極WG1、第一開關(guān)源電極WS1、第一開關(guān)漏電 極WDl和第二有源圖案AP2。第一開關(guān)柵電極WGl連接到第一感測(cè)柵線SGLl。第一開關(guān)漏 電極WDl連接到第一讀取線R/01。第一開關(guān)源電極WSl與第一開關(guān)漏電極WDl間隔開并連 接到第一感測(cè)漏電極SDl。第二有源圖案AP2與第一開關(guān)柵電極WGl交疊，并與第一開關(guān)源 電極WSl和第一開關(guān)漏電極WDl部分地交疊。第一開關(guān)元件WTRl還可以包括第一頂柵電極TGl。第一頂柵電極TGl面對(duì)第一 開關(guān)柵電極WG1。第一開關(guān)源電極WSl和第一開關(guān)漏電極WDl以及第二有源圖案AP2設(shè)置 在第一頂柵電極TGl與第一開關(guān)柵電極WGl之間。第一頂柵電極TGl可以通過第三接觸孔 CNT3電連接到第一開關(guān)柵電極WGl。因此，第一開關(guān)元件WTRl可以具有包括第一頂柵電極 TGl和第一開關(guān)柵電極WGl的雙柵結(jié)構(gòu)。第二有源圖案AP2包括第二半導(dǎo)體層252和第二 歐姆接觸層254。第二半導(dǎo)體層252可以包括非晶硅。第二歐姆接觸層邪4可以包括摻有 高濃度η型雜質(zhì)的非晶硅(n+a-Si)。第一觸摸屏基板200還可以包括第一絕緣層M0、第二絕緣層270和第三絕緣層 2800第一絕緣層240形成在包括第一開關(guān)柵電極WGl的第一金屬圖案上。第二絕緣層170 形成在第二金屬圖案上，該第二金屬圖案包括第一開關(guān)源電極WSl和第一開關(guān)漏電極WDl 以及第一感測(cè)源電極SSl和第一感測(cè)漏電極SDl。第三絕緣層280形成在第二絕緣層270 上。包括第一頂柵電極TGl和第一感測(cè)柵電極SGl的第三金屬圖案形成在第三絕緣層280 上。由作為第一電極的第一感測(cè)漏電極SD1、作為面對(duì)第一電極的第二電極的偏壓線 VL以及在第一電極與第二電極之間的包括第二絕緣層270和第三絕緣層280的電介質(zhì)層來 定義第一電容器Cstl。黑矩陣BM形成在第二基底基板210上，覆蓋第一開關(guān)元件WTR1、第一感測(cè)元件 STR1、第一讀取線R/01、第一感測(cè)柵線SGL1、第二感測(cè)柵線SGL2以及偏壓線VL。濾色器CF鄰近黑矩陣BM形成。濾色器CF可以形成為面對(duì)第一陣列基板100的 像素電極PE。第一觸摸屏基板200還可以包括覆蓋涂層0C。覆蓋涂層OC形成在具有黑矩陣BM 和濾色器CF的第二基底基板210上。公共電極CE形成在覆蓋涂層OC上。公共電極CE整個(gè)地形成在第一觸摸屏基板 200的表面上。利用將在以下描述的第一開關(guān)元件WTRl和第一感測(cè)元件STRl來感測(cè)紅外光。第一電容器Cstl被從第一讀取線R/01施加到第一感測(cè)漏電極SDl的電壓充電。當(dāng)紅外光被提供到第一感測(cè)元件STRl的第一有源圖案APl時(shí)，第一有源圖案APl被激活， 使得充在第一電容器Cstl中的電壓與紅外光的輻照強(qiáng)度成比例地減小。被紅外光減小的 電壓通過第一讀取線R/01輸出。輸出信號(hào)提供到中央處理單元，接著中央處理單元基于輸 出信號(hào)感測(cè)第一觸摸屏基板200上的觸摸位置。圖4是沿圖2中的線11-11’截取的截面圖。參照?qǐng)D2和圖4，第一觸摸屏基板200還可以包括第三感測(cè)柵線SGL3、第二讀取線 R/02、第二開關(guān)元件WTR2、第二感測(cè)元件STR2和第二電容器Cst2。第三感測(cè)柵線SGL3沿第一方向Dl延伸。第三感測(cè)柵線SGL3基本平行于第一感 測(cè)柵線SGLl設(shè)置。第二讀取線R/02沿第二方向D2延伸。第二讀取線R/02鄰近偏壓線VL 設(shè)置。第二感測(cè)柵線SGL2和偏壓線VL可以設(shè)置在第一讀取線R/01與第二讀取線R/02之 間。第二感測(cè)元件STR2感測(cè)由背光組件400提供的可見光。第二感測(cè)元件STR2電連 接到第二感測(cè)柵線SGL2、偏壓線VL和第二開關(guān)元件WTR2。第二感測(cè)元件STR2包括第二感 測(cè)柵電極SG2、第二感測(cè)源電極SS2、第二感測(cè)漏電極SD2和第三有源圖案AP3。第二感測(cè)柵 電極SG2連接到第二感測(cè)柵線SGL2。第二感測(cè)源電極SS2通過第四接觸孔CNT4連接到偏 壓線VL。第二感測(cè)漏電極SD2與第二感測(cè)源電極SS2間隔開。第二感測(cè)漏電極SD2和第二 感測(cè)源電極SS2的每個(gè)可以具有浮凸結(jié)構(gòu)，該浮凸結(jié)構(gòu)具有重復(fù)的U形從而增大第二感測(cè) 元件STR2的溝道區(qū)。第三有源圖案AP3與第二感測(cè)柵電極SG2交疊，并與第二感測(cè)源電極 SS2和第二感測(cè)漏電極SD2部分地交疊。第二開關(guān)元件WTR2包括第二開關(guān)柵電極WG2、第二開關(guān)源電極WS2、第二開關(guān)漏電 極WD2和第四有源圖案AP4。第二開關(guān)柵電極WG2連接到第三感測(cè)柵線SGL3。第二開關(guān)漏 電極WD2連接到第二讀取線R/02。第二開關(guān)源電極WS2與第二開關(guān)漏電極WD2間隔開，并 電連接到第二感測(cè)漏電極SD2。第四有源圖案AP4與第二開關(guān)柵電極WG2交疊。第二開關(guān)元件WTR2還可以包括第二頂柵電極TG2。第二頂柵電極TG2面對(duì)第二 開關(guān)柵電極WG2。第二開關(guān)源電極WS2和第二開關(guān)漏電極WD2以及第二有源圖案AP2設(shè)置 在第二頂柵電極TG2與第二開關(guān)柵電極WG2之間。第二頂柵電極TG2可以通過第五接觸孔 CNT5電連接到第二開關(guān)柵電極WG2。因此，第二開關(guān)元件WTR2可以具有包括第二頂柵電極 TG2和第二開關(guān)柵電極WG2的雙柵結(jié)構(gòu)。第二電容器Cst2由作為第一電極的第二感測(cè)漏電極SD2、作為面對(duì)第一電極的第 二電極的偏壓線VL以及設(shè)置在第一電極與第二電極之間且包括第二絕緣層270和第三絕 緣層觀0的電介質(zhì)層來定義。在下文，將參照?qǐng)D5A、5B和圖6至圖11描述圖3A中示出的第一觸摸屏基板200 的制造方法。圖5A和圖5B以及圖6至圖11是示出圖3A所示的觸摸屏基板的制造方法的截面 圖。圖5A和圖5B是示出用于形成圖3A中示出的遮光圖案BP的工藝的截面圖。參照?qǐng)D5A，犧牲層220a形成在第二基底基板210上，母遮光層220b形成在具有犧 牲層220a的第二基底基板210上。犧牲層220a可以包括硅氮化物(SiNx，0 < χ < 1)或 硅氧化物(Si0y，0 < y ^ 1)，等等。母遮光層220b可以包括非晶硅鍺(a_SiGe)。
第一光致抗蝕劑圖案PRPl形成在具有母遮光層220b的第二基底基板210上。例 如，正光致抗蝕劑成分涂覆在具有母遮光層220b的第二基底基板210上以形成光致抗蝕劑 層，光致抗蝕劑層通過曝光工藝和顯影工藝圖案化以形成第一光致抗蝕劑圖案PRP1。接著，母遮光層220b利用第一光致抗蝕劑圖案PRPl作為蝕刻停止層圖案化。通 過具有各向異性特性且使用蝕刻氣體的干法蝕刻工藝可以圖案化母遮光層220b。參照?qǐng)D5B，利用第一光致抗蝕劑圖案PRPl作為蝕刻停止掩模并使用蝕刻氣體來 圖案化母遮光層220b，使得在形成第一光致抗蝕劑圖案PRPl的第一區(qū)Rl中的母遮光層 220b保留以形成遮光層224。此外，在沒有形成第一光致抗蝕劑圖案PRPl的第二區(qū)域R2 中的母遮光層220b被去除，使得在第二區(qū)R2中的犧牲層220a被暴露。由于母遮光層220b被逐漸且過度地蝕刻以防止母遮光層部分地殘留在第二基底 基板210上，犧牲層220a被逐漸地去除。當(dāng)在第二區(qū)R2中的母遮光層220b被去除之后第 二基底基板210被暴露時(shí)，由于蝕刻氣體在第二基底基板210上沒有其它的部分可以蝕刻， 所以蝕刻氣體甚至蝕刻圖案化的母遮光層220b，從而在遮光層224的下部留下底切。在母 遮光層220b被圖案化以形成遮光層2M之后，由于蝕刻氣體的各向異性特性，與遮光層224 相比形成在遮光層2M下面的犧牲層220a被蝕刻氣體主要地蝕刻。在第二區(qū)R2中的犧牲 層220a被完全去除之后，在第一區(qū)Rl中的犧牲層220a保留以形成無(wú)機(jī)層222。因此，遮光 圖案BP形成在第二基底基板210上。在形成遮光圖案BP時(shí)，犧牲層220a形成在母遮光層220b下面，使得犧牲層220a 防止蝕刻氣體穿透遮光層224。因此，犧牲層220a防止底切形成在遮光層224的下部。此 外，犧牲層220a增強(qiáng)了母遮光層220b與第二基底基板210之間的粘合強(qiáng)度。參照?qǐng)D6，包括第一開關(guān)柵電極WGl和接觸電極230的第一金屬圖案形成在包括 遮光圖案BP的第二基底基板210上。第一金屬層形成在具有遮光圖案BP的第二基底基板 210上，第一金屬層被圖案化以形成第一金屬圖案。接觸電極230形成在遮光圖案BP上。 第一金屬圖案還可以包括第一感測(cè)柵線SGL1、第三感測(cè)柵線SGL3和第二開關(guān)柵電極WG2。然后，第一絕緣層240形成在具有遮光圖案BP和第一金屬圖案的第二基底基板 210 上。參照?qǐng)D7，第二有源圖案AP2形成在具有第一絕緣層MO的第二基底基板210上。 第二半導(dǎo)體層252和第二歐姆接觸層2M順序形成在具有第一絕緣層240的第二基底基板 210上，并被圖案化以形成第二有源圖案AP2。第二有源圖案AP2形成在第一開關(guān)柵電極 WGl上。盡管在附圖中沒有示出，但是第二開關(guān)元件WTR2和第二感測(cè)元件STR2的第三和第 四有源圖案AP3和AP4通過圖案化第二半導(dǎo)體層252和第二歐姆接觸層2M而形成。參照?qǐng)D8，保護(hù)電極PTE形成在具有第二有源圖案AP2的第二基底基板210上。保 護(hù)電極PTE形成在第二有源圖案AP2上。保護(hù)電極PTE通過由光刻工藝圖案化金屬層而形 成。第一半導(dǎo)體層262和第一歐姆接觸層264順序形成在具有保護(hù)電極PTE的第二基 底基板210上。第一半導(dǎo)體層262包括非晶硅鍺(a-SiGe)。第一歐姆接觸層264包括摻有 高濃度的η型雜質(zhì)的非晶硅(n+a-Si)。第二光致抗蝕劑圖案PRP2形成在具有第一歐姆接觸層沈4的第二基底基板210上。
參照?qǐng)D9，利用第二光致抗蝕劑圖案PRP2作為蝕刻停止層來圖案化第一半導(dǎo)體層 262和第一歐姆接觸層沈4。因此，第一有源圖案APl形成在遮光圖案BP上。保護(hù)電極PTE 防止第二有源圖案AP2被用于圖案化第一半導(dǎo)體層262和第一歐姆接觸層264的蝕刻氣體 損壞。在去除保護(hù)電極PTE之后，第一有源圖案APl和第二有源圖案AP2僅保留在第一 絕緣層240上。參照?qǐng)D10，第二金屬圖案形成在具有第一有源圖案APl和第二有源圖案AP2的第 二基底基板210上，該第二金屬圖案包括第一開關(guān)源電極WSl和第一開關(guān)漏電極WDl以及 第一感測(cè)源電極SSl和第一感測(cè)漏電極SDl。第二金屬層形成在具有第一有源圖案APl和 第二有源圖案AP2的第二基底基板210上，并被圖案化以形成第二金屬圖案。第二金屬圖 案還可以包括第一讀取線R/01和第二讀取線R/02、第二開關(guān)源電極WS2和第二開關(guān)漏電極 WD2、以及第二感測(cè)源電極SS2和第二感測(cè)漏電極SD2。利用第二金屬圖案作為掩模來去除通過第一開關(guān)源電極WSl與第一開關(guān)漏電極 WDl之間的分離空間暴露的第二歐姆接觸層254以及通過第一感測(cè)源電極SSl與第一感測(cè) 漏電極SDl之間的分離空間暴露的第一歐姆接觸層沈4，從而在分離空間處暴露第一半導(dǎo) 體層262和第二半導(dǎo)體層252。參照?qǐng)D11，第二絕緣層270和第三絕緣層280形成在具有第二金屬圖案的第二基 底基板210上。然后，形成在第一感測(cè)源電極SSl上的第二絕緣層270和第三絕緣層280被從特 定區(qū)域去除，以形成穿過第二絕緣層270和第三絕緣層280的第一接觸孔CNTl。此外，在接 觸電極230上的第二絕緣層270和第三絕緣層280被去除，以形成穿過第二絕緣層270和 第三絕緣層280的第二接觸孔CNT2。同時(shí)，形成在第一開關(guān)柵電極WGl的一部分上的第一、 第二和第三絕緣層240、270和280被去除以形成穿過第一、第二和第三絕緣層240、270和 280的第三接觸孔CTN3。參照?qǐng)D11和圖3A，第三金屬層形成在第二基底基板210上，該第二基底基板210 具有穿過第二和第三絕緣層270和280形成的第一和第二接觸孔以及穿過第一、第二和第 三絕緣層240、270和280形成的第三接觸孔。第三金屬層被圖案化以形成第三金屬圖案。 第三金屬圖案包括第一和第二頂柵電極TGl和TG2、第一和第二感測(cè)柵電極SGl和SG2、偏 壓線VL和第二感測(cè)柵線SGL2。黑矩陣BM、濾色器CF、覆蓋涂層OC和公共電極CE形成在具有第三金屬圖案的第 二基底基板210上。因此，可以制造第一觸摸屏基板200。根據(jù)示范性實(shí)施例，盡管母遮光層220b被過度蝕刻以防止母遮光層220b殘留在 第二基底基板210上，但是通過形成無(wú)機(jī)層222可以防止底切形成在遮光層2M的下部。此 外，無(wú)機(jī)層222可以增加遮光層224與第二基底基板210之間的粘合強(qiáng)度。在下文，將參照?qǐng)D12A、圖12B和圖13至圖15描述根據(jù)示范性實(shí)施例的觸摸屏基 板和制造該觸摸屏基板的方法。圖12A和12B是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的觸摸屏基板的截面圖。參照?qǐng)D12A和12B第二觸摸屏基板202包括第一開關(guān)元件WTR1、第一感測(cè)元件 STR1、第二開關(guān)元件STR2、第一感測(cè)柵線SGL1、第二感測(cè)柵線SGL2、第三感測(cè)柵線SGL3、偏壓線VL、第一讀取線R/01、第二讀取線R/02、遮光圖案BP、殘余層221、第一電容器Cstl、第 二電容器Cst2、黑矩陣BM、濾色器CF和公共電極CE。第二觸摸屏基板202與圖1、2、3A JB和4所示的第一觸摸屏基板200基本相同， 除了殘余層221之外。因此，將省略重復(fù)的描述。第一感測(cè)元件STRl形成在遮光圖案BP上。殘余層221形成在第二基底基板210的除遮光圖案BP之外的整個(gè)表面上。第二感測(cè)元件STR2、第一開關(guān)元件WTRl和第二開關(guān)元件WTR2形成在殘余層221上。圖13是示出圖12A的第一感測(cè)元件的一部分的放大截面圖。參照?qǐng)D13，無(wú)機(jī)層222具有第一厚度(I1，遮光圖案BP的遮光層2 具有第二厚度 d2。殘余層221具有第三厚度d3。第三厚度(13小于第一厚度屯。殘余層221由與遮光圖案 BP的無(wú)機(jī)層222基本相同的材料形成。無(wú)機(jī)層222和遮光層224的被蝕刻表面“B”基本上彼此重合。殘余層221形成在 第二基底基板210的鄰近無(wú)機(jī)層222的整個(gè)表面上，殘余層221圍繞被蝕刻表面“B”。通過 形成無(wú)機(jī)層222可以防止在遮光層224的下部形成底切。因此，遮光圖案BP的下側(cè)部分可 以直接接觸第二基底基板210。圖14和圖15是示出制造圖12A所示的觸摸屏基板的方法的截面圖。參照?qǐng)D14，包括無(wú)機(jī)層222和遮光層2 的遮光圖案BP以及殘余層221形成在第 二基底基板210上。在犧牲層220a和母遮光層220b順序形成在第二基底基板210上之后，第一光致 抗蝕劑圖案PRPl形成在母遮光層220b上，如參照?qǐng)D5A所述。利用第一光致抗蝕劑圖案 PRPl作為蝕刻停止掩模來圖案化犧牲層220a和母遮光層220b。母遮光層220b被圖案化 以形成遮光層224。在形成遮光層224時(shí)母遮光層220b被過度蝕刻，使得犧牲層220a被 圖案化以形成無(wú)機(jī)層222。形成在除了其上形成無(wú)機(jī)層222的區(qū)域之外的區(qū)域上的犧牲層 220a沒有被完全去除而是部分地保留從而形成殘余層221。參照?qǐng)D15，包括第一開關(guān)柵電極WGl和接觸電極230的第一金屬圖案形成在包括 遮光圖案BP和殘余層221的第二基底基板210上。根據(jù)本示范性實(shí)施例形成第一金屬圖 案的工藝與結(jié)合圖6所描述的根據(jù)示范性實(shí)施例形成第一金屬圖案的工藝基本相同，除了 根據(jù)本示范性實(shí)施例的第一金屬圖案形成在殘余層221上之外。因此，將省略重復(fù)的描述。根據(jù)本示范性實(shí)施例的在形成第一金屬圖案之后的工藝與根據(jù)結(jié)合圖7至圖11 所描述的示范性實(shí)施例的工藝基本相同。因此，將省略重復(fù)的描述。因此，可以制造圖12A所示的第二觸摸屏基板202。根據(jù)示范性實(shí)施例，即使母遮光層220b被過度蝕刻以防止母遮光層220b保留在 第二基底基板210上，通過形成無(wú)機(jī)層222和殘余層221可以防止底切形成在遮光層2M 的下部。此外，無(wú)機(jī)層222可以增大遮光層2M與第二基底基板210之間的粘合強(qiáng)度。在下文，將通過用于評(píng)價(jià)形成的底切和粘合強(qiáng)度的實(shí)驗(yàn)來描述本發(fā)明實(shí)施例的效^ ο圖16A和16B是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示范性樣本1和2所制造的遮光圖案的 截面圖。圖17A和17B是示出比較樣本1和2所制造的遮光圖案的截面圖。
制造示范件樣本1包括硅氮化物且具有約500A厚度的犧牲層、具有約500A厚度的非晶鍺層以及包 括非晶硅鍺且具有約1500A厚度的母遮光層順序形成在作為玻璃基板的第二基底基板上， 然后第一光致抗蝕劑圖案形成在母遮光層上。制造比較樣本1包括非晶鍺層且具有約500A厚度的母遮光層以及具有約1500A厚度的非晶硅鍺 層順序形成在作為玻璃基板的第二基底基板上，然后第一光致抗蝕劑圖案形成在母遮光層 上。實(shí)驗(yàn)1-評(píng)估形成的底切利用蝕刻氣體和第一光致抗蝕劑圖案作為蝕刻停止層來過度蝕刻示范性樣本1 和比較樣本1的每個(gè)。蝕刻氣體包括約1 15比例的六氟化硫(SF6)和氯(Cl2)。蝕刻在 約80mT (毫特斯拉)和約IOOOWs (瓦秒)的條件下進(jìn)行約40秒，使得示范性樣本1和比較 樣本1的每個(gè)被過蝕刻約30%。試驗(yàn)結(jié)果在圖16A和17A中示出。對(duì)實(shí)驗(yàn)1的討論參照?qǐng)D16A，示范性樣本1的非晶鍺層、母遮光層和犧牲層被圖案化以形成在第一 光致抗蝕劑圖案PRPl下面的包括下層223、遮光層2 和無(wú)機(jī)層222的遮光圖案。遮光層 2 的蝕刻表面與第一光致抗蝕劑圖案PRPl的側(cè)部基本重合。此外，下層223和無(wú)機(jī)層222 的蝕刻表面與第一光致抗蝕劑圖案PRPl的側(cè)部基本重合。參照?qǐng)D17A，比較樣本1的非晶鍺層和母遮光層被圖案化以形成在第一光致抗蝕 劑圖案PRPl下面的包括下層223和遮光層224的遮光圖案。遮光層224的蝕刻表面與第 一光致抗蝕劑圖案PRPl的側(cè)部基本重合。然而，非晶鍺層被過度蝕刻使得下層223從母遮 光層224的外邊緣凹入。下層223的下部被蝕刻氣體過度蝕刻從而在下層223與第二基底 基板210之間形成底切。制造示范性樣本2包括硅氮化物且具有約500A厚度的犧牲層、具有約500A厚度的非晶鍺層和包括 非晶硅鍺且具有約1500A厚度的母遮光層順序形成在作為玻璃基板的第二基底基板上，然 后第一光致抗蝕劑圖案形成在母遮光層上。制造比較樣本2包括非晶鍺層且具有約500A厚度的母遮光層和具有約1500A厚度的非晶硅鍺層 順序形成在作為玻璃基板的第二基底基板上，然后光致抗蝕劑圖案形成在母遮光層上。實(shí)驗(yàn)2-評(píng)估形成的底切利用蝕刻氣體和第一光致抗蝕劑圖案作為蝕刻停止層來過度蝕刻示范性樣本2 和比較樣本2的每個(gè)。蝕刻氣體包括約8 8比例的六氟化硫(SF6)和氯(Cl2)。蝕刻在 約30mT (毫特斯拉)和約1200Ws (瓦秒)的條件下進(jìn)行約40秒，使得示范性樣本2和比較 樣本2的每個(gè)被過蝕刻約60%。試驗(yàn)結(jié)果在圖16B和圖17B中示出。對(duì)實(shí)驗(yàn)2的討論參照?qǐng)D16B，示范性樣本2的非晶鍺層、母遮光層和犧牲層被蝕刻以形成在第一光 致抗蝕劑圖案PRPl下面的包括下層223、遮光層2M和無(wú)機(jī)層222的遮光圖案。遮光層2M 的蝕刻表面與第一光致抗蝕劑圖案PRPl的側(cè)部基本重合。此外，下層223和無(wú)機(jī)層222的蝕刻表面與第一光致抗蝕劑圖案PRPl的側(cè)部基本重合。參照?qǐng)D17B，比較樣本2的非晶鍺層和母遮光層被圖案化以形成在第一光致抗蝕 劑圖案PRPl下面的包括下層223和遮光層224的遮光圖案。然而，非晶鍺層被過度蝕刻， 使得下層223從母遮光層224的外邊緣凹入。下層223的下部被蝕刻氣體過度蝕刻從而在 下層223與第二基底基板210之間形成底切。底切的長(zhǎng)度為約491. 2nm。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，盡管非晶鍺層和非晶硅鍺層被過度蝕刻以防止非晶鍺層和 非晶硅鍺層部分地保留在第二基底基板210上，但是與比較樣本相比底切顯著地減少。圖18A至圖18C是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示范性樣本3、4和5的粘合強(qiáng)度的概 念圖。圖19A至19C是示出比較樣本3、4和5的粘合強(qiáng)度的概念圖。制造示范件樣本3具有約500A的厚度的硅氮化物層和具有約2500A的厚度的非晶硅鍺層形成在 玻璃基板上。制造示范件樣本4具有約500A的厚度的硅氮化物層和具有約3500A的厚度的非晶硅鍺層形成在玻 璃基板上。制造示范件樣本5具有約500A的厚度的硅氮化物層和具有約4500A的厚度的非晶硅層形成在玻 璃基板上。制造比較樣本3具有約3000A的厚度的非晶硅鍺層形成在玻璃基板上。制造比較樣本4具有約4000A的厚度的非晶硅鍺層形成在玻璃基板上。制造比較樣本5具有約5000A的厚度的非晶硅鍺層形成在玻璃基板上。評(píng)價(jià)粘合強(qiáng)度對(duì)示范性樣本3至5和比較樣本3至5的每個(gè)進(jìn)行百格測(cè)試(cross-cut tape test,ASTM D3359)以測(cè)量粘合強(qiáng)度，每個(gè)樣品被金剛石砂輪橫切以在水平和豎直方向上具 有六個(gè)切口。試驗(yàn)結(jié)果在圖18A至18C和圖19A至19C中示出。參照?qǐng)D18A至圖18C，示范性樣本3至5的玻璃基板與硅氮化物層之間的粘合強(qiáng)度 不小于“4B”。參照?qǐng)D19A和19B，比較樣本3和4的玻璃基板與非晶硅鍺層之間的粘合強(qiáng)度為 “0B”。參照?qǐng)D19C，比較樣本5的非晶硅鍺層沒有附著到玻璃基板，使得不能進(jìn)行百格測(cè)試。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，玻璃基板和非晶硅鍺層之間的粘合強(qiáng)度可以通過形成無(wú)機(jī) 層而增加。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在形成遮光圖案時(shí)可以防止在遮光圖案的下部形成底切， 該遮光圖案阻擋提供到用于感測(cè)紅外光的感測(cè)元件的可見光。此外，在遮光圖案和基底基 板之間的粘合強(qiáng)度可以增大。因此，可以改善制造工藝的可靠性。前述是對(duì)本發(fā)明的說明而不應(yīng)被理解為限制本發(fā)明。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的幾 個(gè)示范性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將易于理解，可以對(duì)示范性實(shí)施例進(jìn)行許多改變而沒有實(shí)質(zhì)背離本發(fā)明的新穎教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)。因此，所有這樣的改變旨在被包括在如權(quán)利要求 所限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求書中，裝置加功能的條款意圖是覆蓋在此所述的執(zhí) 行所描述的功能的結(jié)構(gòu)，并且不僅結(jié)構(gòu)上等價(jià)還是等效結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，前述是對(duì)本 發(fā)明的說明而不應(yīng)被理解為限于所公開的特定的示范性實(shí)施例，對(duì)所公開的示范性實(shí)施例 的改變以及其它的示范性實(shí)施例旨在被包括在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種觸摸屏基板，包括 基底基板；遮光圖案，包括形成在所述基底基板上的無(wú)機(jī)層和形成在所述無(wú)機(jī)層上的遮光層，所 述遮光層透射紅外光并吸收可見光；第一感測(cè)元件，形成在所述遮光圖案上并感測(cè)紅外光；和 第一開關(guān)元件，電連接到所述第一感測(cè)元件。
2.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏基板，其中所述無(wú)機(jī)層包括硅氮化物或硅氧化物。
3.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏基板，還包括殘余層，形成在所述基底基板的除了所述無(wú)機(jī)層形成在其上的區(qū)域之外的整個(gè)區(qū)域 上，并且所述殘余層的厚度小于所述無(wú)機(jī)層的厚度，并且 其中，所述第一開關(guān)元件形成在所述殘余層上。
4.如權(quán)利要求ι所述的觸摸屏基板，其中所述無(wú)機(jī)層具有在100A至1000A的范圍內(nèi) 的厚度，所述遮光層具有在1500A至5000A的范圍內(nèi)的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏基板，其中所述第一感測(cè)元件包括 形成在所述遮光圖案上的第一有源圖案；形成在所述第一有源圖案上的第一感測(cè)源電極和第一感測(cè)漏電極，其中所述第一感測(cè) 源電極和所述第一感測(cè)漏電極彼此間隔開；和 與所述第一有源圖案交疊的感測(cè)柵電極。
6.如權(quán)利要求5所述的觸摸屏基板，其中所述遮光層包括非晶硅鍺或非晶鍺。
7.如權(quán)利要求5所述的觸摸屏基板，其中所述第一個(gè)感測(cè)柵電極通過部分地暴露所述 遮光圖案的接觸孔接觸所述遮光圖案，所述接觸孔穿過形成在所述第一有源圖案上的第一 絕緣層以及形成在所述第一感測(cè)源電極和所述第一感測(cè)漏電極上的第二絕緣層。
8.如權(quán)利要求5所述的觸摸屏基板，其中所述第一開關(guān)元件包括 第一開關(guān)源電極，電連接到所述第一感測(cè)漏電極。第一開關(guān)漏電極，與所述第一開關(guān)源電極間隔開，第二有源圖案，與所述第一開關(guān)源電極和所述第一開關(guān)漏電極的每個(gè)交疊；和 第一開關(guān)柵電極，與所述第二有源圖案交疊。
9.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏基板，還包括 偏壓線，連接到所述第一感測(cè)元件；第一讀取線，連接到所述第一開關(guān)元件；第一感測(cè)柵線，連接到所述第一開關(guān)元件以將第一柵信號(hào)施加到所述第一開關(guān)元件；和第二感測(cè)柵線，連接到所述第一感測(cè)元件以將第二柵信號(hào)施加到所述第一感測(cè)元件。
10.如權(quán)利要求9所述的觸摸屏基板，還包括 第二感測(cè)元件，連接到所述偏壓線并感測(cè)可見光； 第二開關(guān)元件，連接到所述第二感測(cè)元件；第三感測(cè)柵線，連接到所述第二開關(guān)元件以將第三柵信號(hào)施加到所述第二開關(guān)元件;和第二讀取線，連接到所述第二開關(guān)元件。
11.一種制造觸摸屏基板的方法，該方法包括在基底基板上形成遮光圖案，該遮光圖案包括無(wú)機(jī)層和形成在所述無(wú)機(jī)層上的遮光 層，該遮光層透射紅外光并吸收可見光；在所述遮光圖案上形成第一感測(cè)元件；以及 形成電連接到所述第一感測(cè)元件的第一開關(guān)元件。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述遮光圖案包括 在所述基底基板上形成犧牲層；在具有所述犧牲層的所述基底基板上形成母遮光層； 利用蝕刻氣體圖案化所述母遮光層以形成所述遮光層；以及 圖案化所述犧牲層以形成所述無(wú)機(jī)層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述無(wú)機(jī)層包括除去除了所述無(wú)機(jī)層之外的 所述犧牲層以暴露所述基底基板。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述無(wú)機(jī)層還包括部分地除去所述犧牲層以形成殘余層，該殘余層的厚度小于所述犧牲層的初始厚度， 其中所述第一開關(guān)元件形成在所述殘余層上。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述母遮光層和所述犧牲層以利用形成在所述母 遮光層上的光致抗蝕劑圖案作為蝕刻停止層的干法蝕刻工藝形成。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述第一感測(cè)元件包括在具有所述遮光圖案的所述基底基板上形成第一有源圖案以與所述遮光圖案交疊， 在具有所述第一有源圖案的所述基底基板上形成感測(cè)源電極和感測(cè)漏電極，所述感測(cè) 源電極和所述感測(cè)漏電極彼此間隔開，和在具有所述感測(cè)源電極和所述感測(cè)漏電極的所述基底基板上形成感測(cè)柵電極。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述第一開關(guān)元件包括 在所述基底基板上形成開關(guān)柵電極，在具有所述開關(guān)柵電極的所述基底基板上形成第二有源圖案，以及 在具有所述第二有源圖案的所述基底基板上形成開關(guān)源電極和開關(guān)漏電極，所述開關(guān) 源電極和所述開關(guān)漏電極彼此間隔開。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述感測(cè)源電極和所述感測(cè)漏電極包括形成 所述開關(guān)源電極和所述開關(guān)漏電極。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在所述遮光圖案和所述第一有源圖案之間形成第一絕緣層； 在所述感測(cè)源電極和所述感測(cè)漏電極與所述感測(cè)柵電極之間形成第二絕緣層；和 部分地去除所述第一絕緣層和所述第二絕緣層以形成部分地暴露所述遮光圖案的接 觸孔，其中，所述遮光層包括非晶硅鍺或非晶鍺，并且其中所述遮光圖案通過所述接觸孔接 觸所述感測(cè)柵電極。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述第一感測(cè)元件還包括形成感測(cè)可見光的 第二感測(cè)元件，形成所述第一開關(guān)元件還包括形成連接到所述第二感測(cè)元件的第二開關(guān)元 件。
全文摘要
本發(fā)明公開了觸摸屏基板及其制造方法。在觸摸屏基板及其制造方法中，觸摸屏基板包括基底基板、遮光圖案、第一感測(cè)元件和第一開關(guān)元件。遮光圖案包括形成在基底基板上的無(wú)機(jī)層和形成在無(wú)機(jī)層上的遮光層，遮光層透射紅外光并吸收可見光。第一感測(cè)元件形成在遮光圖案上并感測(cè)紅外光。第一開關(guān)元件電連接到第一感測(cè)元件。因此，可以防止在遮光圖案下部形成底切，并可以增加遮光圖案與基底基板之間的粘合強(qiáng)度。
文檔編號(hào)G06F3/042GK102141862SQ201110008679
公開日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2011年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月2日
發(fā)明者呂倫鐘, 秦洪基 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社