帶有大接觸板的無線射頻識別集成電路的制作方法
【專利摘要】帶有大接觸板的無線射頻識別集成電路,一種具有一個(gè)再鈍化層和一個(gè)導(dǎo)電再分配層的RFID集成電路組合，其可以通過一個(gè)附加層裝配在一個(gè)基底上。所述附加層包括一種或多種蝕刻劑以在所述組合和所述基底之間的一個(gè)非導(dǎo)電屏障層上產(chǎn)生一個(gè)缺口，同時(shí)還可能包括一種粘合劑以將所述組合附著在所述基底上。
【專利說明】帶有大接觸板的無線射頻識別集成電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及無線射頻識別(RFID)系統(tǒng)，特別涉及一種帶有大接觸板的無線射頻識別集成電路。
【背景技術(shù)】
[0002]無線射頻識別(RFID)系統(tǒng)通常包括RFID閱讀器和RFID標(biāo)簽，RFID閱讀器也被稱為RFID讀/寫器或者RFID詢問器。RFID系統(tǒng)可以被用于庫存，定位，識別，鑒定，配置，啟動/禁用，及附著或嵌入有該標(biāo)簽的物品的監(jiān)控設(shè)備。RFID系統(tǒng)可能被應(yīng)用于零售行業(yè)的物品庫存和追蹤；應(yīng)用于消費(fèi)者和工業(yè)-電子行業(yè)的物品配置和監(jiān)控；應(yīng)用于安防系統(tǒng)以防止物品的丟失和被盜；應(yīng)用于防偽應(yīng)用以保證物品的可靠性；以及其他種種的應(yīng)用。
[0003]RFID系統(tǒng)通過由一個(gè)RFID閱讀器使用一個(gè)無線射頻(RF)波詢問一個(gè)或多個(gè)標(biāo)簽進(jìn)行操作。該RF波通常為電磁波，至少在遠(yuǎn)端場。該RF波在近端場依然可以被顯著的電化或磁化。該RF波可以編譯一個(gè)或者多個(gè)指令指導(dǎo)標(biāo)簽做出一個(gè)或者多個(gè)動作。
[0004]一個(gè)標(biāo)簽在感應(yīng)到解調(diào)RF信號時(shí)會回應(yīng)一個(gè)響應(yīng)RF信號(一個(gè)響應(yīng))。該RF信號可能是由標(biāo)簽產(chǎn)生的，或者也可能是在一個(gè)被稱為反向散射的過程中由標(biāo)簽反射部分解調(diào)RF信號形成的。反向散射可能以多種方式發(fā)生。該閱讀器接收，解調(diào)，及解譯響應(yīng)。該被解譯的響應(yīng)可能包括存于標(biāo)簽內(nèi)的數(shù)據(jù)，比如編號，價(jià)格，日期，時(shí)間，目的地，加密信息，電子簽名，其他屬性，屬性的任意組合，或者其他配套的數(shù)據(jù)。該被解譯的響應(yīng)可能還包括標(biāo)簽的解譯狀態(tài)信息，標(biāo)簽所附著的物品，或者標(biāo)簽所嵌入的物品比如標(biāo)簽狀態(tài)信息，物品狀態(tài)信息，配置數(shù)據(jù)，或者其他的狀態(tài)信息。
[0005]RFID標(biāo)簽通常包括一個(gè)天線和一個(gè)RFID集成電路(1C)，該集成電路包括一個(gè)無線電部分，一個(gè)電源管理部分，并且通常包括一個(gè)邏輯部分或一個(gè)存儲器，或者兩者兼具。在一些RFID集成電路中，該邏輯部分包括加密算法，該加密算法可能依賴于存儲在標(biāo)簽存儲器內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)密碼或者密鑰。早期的RFID集成電路中的電源管理部分通常使用一個(gè)能量存儲設(shè)備比如電池。帶有一個(gè)能量存儲設(shè)備的RFID標(biāo)簽被稱為電池輔助標(biāo)簽，半主動標(biāo)簽，或者主動標(biāo)簽。半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了集成電路電子的微型化，從而僅僅靠接收到的RF信號就能為一個(gè)RFID標(biāo)簽提供動力。這種RFID標(biāo)簽不包括一個(gè)長時(shí)間能量存儲設(shè)備且被稱為被動標(biāo)簽。當(dāng)然，即使被動標(biāo)簽也通常包括臨時(shí)能量存儲設(shè)備和數(shù)據(jù)/標(biāo)記存儲設(shè)備比如電容器或電感器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本
【發(fā)明內(nèi)容】
被提供以以簡化形式介紹經(jīng)選擇的概念，其在下面的具體說明部分被進(jìn)一步描述。本
【發(fā)明內(nèi)容】
并不傾向于確定所要求保護(hù)的發(fā)明點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù)特征或必要技術(shù)特征，也不傾向于幫助確定所要求保護(hù)的發(fā)明點(diǎn)的保護(hù)范圍。
[0007]一些實(shí)施例是針對RFID標(biāo)簽組件的。具有一個(gè)再鈍化層和一個(gè)導(dǎo)電層的RFID集成電路組件可被組裝在一個(gè)帶有附加層的標(biāo)簽結(jié)構(gòu)上。該附加層可能包括一種或者多種蝕刻劑或反應(yīng)物以穿過該組件和該標(biāo)簽結(jié)構(gòu)之間的一個(gè)絕緣屏障層形成一個(gè)電連接，和可能還包括一種粘合劑以將所述組件附著在所述的結(jié)構(gòu)上。其他的實(shí)施例可能是針對一個(gè)集成電路上的模式化和/或非重疊接觸區(qū)域，使用液體或者其他作用力的集成電路自組合，和/或集成電路檢測。
[0008]通過閱讀下述具體說明和瀏覽相關(guān)附圖，這些以及其他的技術(shù)特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見?？梢岳斫獾氖牵笆稣w的概述及接下來的詳細(xì)描述僅僅用于解釋，并不構(gòu)成對所請求保護(hù)范圍的限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]下述的詳細(xì)說明部分配合相應(yīng)的附圖進(jìn)行說明，其中:
[0010]圖1為一個(gè)RFID系統(tǒng)各部件的框圖。
[0011]圖2為展示一個(gè)被動RFID標(biāo)簽，如可被用于圖1所示系統(tǒng)的被動RFID標(biāo)簽的各部件的示意圖。
[0012]圖3為一個(gè)組合型RFID標(biāo)簽的示意圖。
[0013]圖4闡明了根據(jù)實(shí)施例的不同集成電路接觸墊的結(jié)構(gòu)。
[0014]圖5闡明了一個(gè)電容性嵌入連接結(jié)構(gòu)示例。
[0015]圖6闡明了一個(gè)觸電式嵌入連接結(jié)構(gòu)示例。
[0016]圖7闡明了一個(gè)根據(jù)實(shí)施例的經(jīng)過熱粘合步驟后的電容性嵌入連接結(jié)構(gòu)的截面部分。
[0017]圖8闡明了一個(gè)根據(jù)實(shí)施例的帶有聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆蓋層的電容性嵌入連接結(jié)構(gòu)的截面部分，其中該覆蓋層用于增加強(qiáng)度。
[0018]圖9闡明了一個(gè)根據(jù)實(shí)施例的類似于圖2中采用組裝方法的集成RFID標(biāo)簽的示意圖。
[0019]圖1OA和圖1OB闡明了根據(jù)實(shí)施例的具有集成電路的標(biāo)簽前體，其中該集成電路電容性連接于位于標(biāo)簽基底上的天線終端。
[0020]圖11描繪了根據(jù)實(shí)施例的在一個(gè)集成電路上的再鈍化層。
[0021]圖12描繪了根據(jù)實(shí)施例的模式化接觸區(qū)域。
[0022]圖13描繪了根據(jù)實(shí)施例的非重疊或補(bǔ)償接觸。
[0023]圖14闡明了根據(jù)實(shí)施例的一個(gè)標(biāo)簽裝配方法。
[0024]圖15A和圖15B闡明根據(jù)實(shí)施例的集成電路的晶片級探頭檢測。
【具體實(shí)施方式】
[0025]在下述的詳細(xì)說明中，引用根據(jù)附圖被做出，其中該附圖構(gòu)成本文一部分，且引用通過描述實(shí)施例或示例的方式被顯示。實(shí)施例這些方面或許被組合在一起，其它方面可能被利用，和在不違背本揭露的發(fā)明精神和范圍的前提下，可能做出結(jié)構(gòu)上的變化。因此，下述的詳細(xì)說明不應(yīng)被當(dāng)做是限制，本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求及其等同來界定。
[0026]圖1是一個(gè)典型RFID系統(tǒng)100的部件示意圖，結(jié)合實(shí)施例。一個(gè)RFID閱讀器110傳輸一個(gè)詢問射頻信號112。在RFID閱讀器110附近的RFID標(biāo)簽120感應(yīng)到詢問射頻信號112并生成相應(yīng)的信號126作為應(yīng)答。RFID閱讀器110感應(yīng)并解譯信號126。信號112和信號116可能包括射頻波和/或非傳播射頻信號(比如近場反應(yīng)信號)。
[0027]閱讀器110和標(biāo)簽120通過信號112和126通訊。當(dāng)互相通訊時(shí)，一方分別編譯，調(diào)制并傳輸數(shù)據(jù)給另一方，另一方同時(shí)接收，解調(diào)并解譯來自于另一方的數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)可以被調(diào)制在RF波形上，和從RF波形上解調(diào)。該RF波形通常在在合適的頻率范圍內(nèi)，比如900兆赫茲，13.56兆赫茲附近的RF波等等。
[0028]閱讀器與標(biāo)簽之間的通訊使用符號，也被稱為RFID符號。一個(gè)符號可以為一個(gè)界定符，一個(gè)校準(zhǔn)值等等。在需要的時(shí)候，符號可以被用于轉(zhuǎn)換二進(jìn)制數(shù)據(jù)，比如“0”和“I”。當(dāng)符號被閱讀器110和標(biāo)簽120處理時(shí)，其可以被處理為數(shù)值、數(shù)字等等。
[0029]標(biāo)簽120可以為一個(gè)被動標(biāo)簽，或者一個(gè)主動或電池輔助標(biāo)簽(也就是具有自己動力源的標(biāo)簽)。當(dāng)標(biāo)簽120為被動標(biāo)簽時(shí),它由信號112提供動力。
[0030]圖2為一個(gè)RFID標(biāo)簽220的示意圖，該標(biāo)簽可以起到圖1中標(biāo)簽120的作用。標(biāo)簽220被畫成一個(gè)被動標(biāo)簽，意味著它不具有自己的動力源。本文件中的很多描述同樣可以應(yīng)用于主動和電池輔助標(biāo)簽。
[0031]標(biāo)簽220通常(并不是必須)形成在一個(gè)實(shí)質(zhì)性平面嵌體222上，如本【技術(shù)領(lǐng)域】所周知，該標(biāo)簽220的形成方式有多種。標(biāo)簽220包括一個(gè)回路，該回路優(yōu)選實(shí)施為一個(gè)集成電路224。在一些實(shí)施例中，集成電路224被應(yīng)用在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)。在其他實(shí)施例中，集成電路可能被應(yīng)用在例如雙極性接面電晶體管(BJT)技術(shù)，金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)及其他為本【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員所熟知的其他技術(shù)。集成電路224被置于嵌體222。
[0032]標(biāo)簽220還包括一個(gè)天線以與其環(huán)境交換無線信號。該天線通常為扁平的并附著在嵌體222上。集成電路224通過適當(dāng)?shù)奶炀€接觸(沒有顯示在圖2中)可通電地耦接至該天線。
[0033]所示的集成電路224具有一個(gè)天線端口，其包括兩個(gè)可通電地耦接至兩個(gè)天線段227的天線接觸，其中該兩個(gè)天線段227在此顯示形成一個(gè)偶極。許多其他的實(shí)施例可能使用任意數(shù)量的端口，接觸，天線，和/或天線段。
[0034]在操作過程中，天線接收到一個(gè)信號并將此信號傳播至集成電路224，如果適當(dāng)?shù)脑?，基于輸入信號和集成電路?nèi)部狀態(tài)，兩者均會獲得能量和作出響應(yīng)。如果集成電路224使用反向散射調(diào)制，則會以調(diào)制天線反射比的形式作出響應(yīng)，從而從閱讀器傳輸?shù)男盘?12中產(chǎn)生響應(yīng)信號126?？赏姷叵囫罱雍蛿嚅_耦接集成電路224的天線接觸可以調(diào)制天線的反射比，也可以改變耦接至天線接觸的一個(gè)并聯(lián)電路元件的進(jìn)入。改變串聯(lián)電路元件的阻抗是調(diào)制天線反射比的另一個(gè)方法。
[0035]圖2所示的實(shí)施例，天線段227與集成電路224分離開來。在其他的實(shí)施例中，天線段可能形成于集成電路224上。實(shí)施例中的標(biāo)簽天線可能是任何的形式和并不局限于偶極。例如，標(biāo)簽天線可能是一塊碎片，一個(gè)狹槽，一個(gè)線圈，一個(gè)喇叭，一個(gè)螺旋或者其他合適的天線。
[0036]圖3為組合RFID標(biāo)簽的一個(gè)示意圖。一個(gè)RFID集成電路包括電路元件(比如無線射頻回路316)和連接軌跡。集成電路可能包括包含無線射頻和非無線射頻回路的多層。無線射頻回路的電連接可能通過耦合電容326耦合在一個(gè)無線射頻配電母線324。非無線射頻軌跡318可能與無線射頻軌跡分離開來(比如無線射頻配電母線)。[0037]標(biāo)簽300的天線在圖3中顯示為天線軌跡I (320)和天線軌跡2 (322)。該天線通常為金屬(比如鋁或銅)薄軌跡，用一個(gè)或多個(gè)連接點(diǎn)附著在集成電路上以將天線連接在無線射頻回路上(通過無線射頻配電母線326)。當(dāng)使用一個(gè)例如鋁的可氧化金屬時(shí)，自然形成的氧化層324在天線軌跡和集成電路之間創(chuàng)造了一個(gè)堅(jiān)硬表面。
[0038]多個(gè)標(biāo)簽組合方法的一個(gè)缺點(diǎn)在于天線層必須精確的與集成電路對齊以保證天線恰當(dāng)?shù)伛罱又翢o線射頻配電母線。在這些組合技術(shù)中，天線連接通常通過一個(gè)后處理步驟使用金或者類似凸點(diǎn)312與無線射頻配電母線對齊。即便如此，組合也是異常困難的，因?yàn)檫@需要高控制度的裝配力和高精度的集成電路布局。
[0039]一些組合方法可能還會造成集成電路性能的降低，這是由于非無線射頻集成電路軌跡318和天線軌跡320/322之間的無線射頻配電母線電阻和寄生電容330造成的。應(yīng)用于集成電路高點(diǎn)312的，用于滲透堅(jiān)硬天線氧化層324以接觸天線軌跡320的高安裝壓力，可能會造成可靠性和收益率的問題。另外，如此高的安裝壓力還可能通過減小天線軌跡和集成電路表面的間隔距離惡化寄生電容的效力。
[0040]導(dǎo)電粘合劑(比如各向同性和各向異性導(dǎo)電膠粘合劑)可以用來緩和部分這些劣勢，但是粘合劑可能會引起一些其他的問題。比如，許多粘合劑可能會限制標(biāo)簽組合的生產(chǎn)率，因?yàn)樗鼈儽仨氃诩呻娐凡季种耙哉承粤黧w的形式應(yīng)用，同時(shí)還需要持續(xù)的壓力和熱度。
[0041]圖4闡明了根據(jù)實(shí)施例的不同集成電路接觸墊結(jié)構(gòu)。在結(jié)構(gòu)440中，集成電路430具有四個(gè)接觸墊(432 )，這些接觸墊可能是覆蓋在集成電路430上的一個(gè)金屬層的一個(gè)鈍化層中的開口。結(jié)構(gòu)442展示了相同的集成電路結(jié)構(gòu)，該集成電路具有凸點(diǎn)(比如金制凸點(diǎn))439和位于凸點(diǎn)上的天線板438，其中該凸點(diǎn)是在后處理步驟中增加的。增加凸點(diǎn)439可能是為了對齊的目的(如上所述)和容許與接觸墊432的外部接觸，該接觸墊432可能嵌在鈍化層內(nèi)。
[0042]為了解決上述凸點(diǎn)和集成電路天線對齊帶來的一些缺點(diǎn)，一個(gè)或多個(gè)相對較大的接觸墊(如434，436)可形成在集成電路430的上表面取代如結(jié)構(gòu)444和446所示的小接觸墊432。這些大的接觸墊形成了一個(gè)集成電路的頂層并為標(biāo)簽天線提供了一個(gè)電容或電阻耦合裝置。大接觸墊提供了更多的區(qū)域用于耦合標(biāo)簽天線，從而降低了對寄生電容和精確對齊的要求。這些大接觸墊可能覆蓋了集成電路430頂層相當(dāng)大的一部分。比如大接觸墊可能覆蓋了集成電路430頂層的20%，30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%,或者甚至100%。在一些實(shí)施例中，大接觸墊434/436可能形成在集成電路430的絕緣層或再鈍化層，然后可通電地連接至絕緣層或再鈍化層下方的接觸墊(比如接觸墊432)。盡管圖4所示的相對較大的接觸墊434/436大致為矩形，但大接觸墊不是必須為矩形，可能為其他適當(dāng)?shù)男螤睢１热缫粋€(gè)大接觸墊可能為圓形或環(huán)形。
[0043]當(dāng)使用大接觸墊用于電容性連接天線時(shí)，大接觸墊和天線軌跡之間的電容可通過調(diào)整集成電路和天線之間材料的介電性(比如成分，厚度)來控制，比如覆蓋于接觸墊上的非導(dǎo)電性材料，覆蓋于天線軌跡上的非導(dǎo)電材料(比如鋁制軌跡上自然形成或增加的氧化層)，和/或其他附加的絕緣材料。電連接也可以通過將一個(gè)天線壓在集成電路上而被提供，從而使得一個(gè)或多個(gè)形成于天線軌跡上的凹痕形成一個(gè)或者多個(gè)與集成電路上的大接觸墊的直接連接。在一些實(shí)施例中，如下所述，電連接也可能在沒有凹痕，凸點(diǎn)，或其他凸起區(qū)域的情況下實(shí)現(xiàn)。
[0044]圖5展示了一個(gè)電容性耦合嵌入結(jié)構(gòu)的示例。示意圖500所示的集成電路552具有一個(gè)大接觸墊554。盡管根據(jù)較佳實(shí)施例，該大接觸墊覆蓋集成電路表面的很大一部分，實(shí)施例并不是如此限制，在本文所述的原則下，可能會使用較大或較小的接觸墊。在一些實(shí)施例中，集成電路特定表面上所有接觸墊的結(jié)合區(qū)域不會超出該特定表面，并且該表面上的任何接觸墊均限制在該表面的界限內(nèi)或延伸至該表面的邊界。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，接觸墊可能延伸出集成電路表面的邊界之外。比如，接觸墊卷繞或侵占了相鄰集成電路表面，或甚至懸臂式的伸出集成電路表面外。
[0045]首先，一個(gè)標(biāo)簽天線可能通過在電介質(zhì)558 (比如聚對苯二甲酸乙二醇酯PET)上放置導(dǎo)電天線軌跡模式556而得以形成。也可能使用其他的電介質(zhì)材料，包括但不局限于聚酯薄膜，聚丙烯(PP)，聚苯乙烯(PS)，聚酯，聚酰亞胺(PI)，或乙烯基。集成電路和天線然后可能靠近以形成一個(gè)電容性連接。例如，集成電路可能被加熱至電介質(zhì)558的塑化溫度，隨后壓進(jìn)電介質(zhì)以在接觸墊554和天線軌跡556之間獲得預(yù)設(shè)厚度(在允許公差范圍內(nèi))。因此，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的標(biāo)簽組合方法包括:通過形成至少一個(gè)具有電介質(zhì)材料的電容將天線附著在集成電路上，和將天線耦合在集成電路上。該電介質(zhì)材料可能包括一個(gè)集成電路覆蓋層，一個(gè)天線覆蓋層，和/或其他的電介質(zhì)層。覆蓋層可能包括一個(gè)涂覆在集成電路金屬頂層的非導(dǎo)電層(比如大接觸墊)，一個(gè)天線電介質(zhì)層(比如金屬天線自然形成的氧化層或氮化層)。其他的電介質(zhì)層可能包括具有可控制介電性能的粘合劑材料。電介質(zhì)材料的厚度可能可以根據(jù)材料的介電性能和所要達(dá)到的最小電容量不同而變化，在一些實(shí)施例中為5nm至Im (包括5nm和Im)。
[0046]如上所述，在一些實(shí)施例中，集成電路表面的大接觸墊可能實(shí)質(zhì)性地覆蓋整個(gè)集成電路。在有多個(gè)大接觸墊的情況下，可能有多個(gè)電容形成，其中每個(gè)特定的電容可能耦合至特定的集成電路的電路上，比如整流電路，解調(diào)電路，或調(diào)制電路，從而保證這些電路處于不同的直流電位。根據(jù)其他的實(shí)施例，可能有另一個(gè)天線終端附著在集成電路的一個(gè)第二表面上(第一表面的相反面)從而在芯片的表面上形成另一個(gè)電容(或一系列的電容)。在具有多個(gè)電容(和/或雙面耦合)的情況下，一個(gè)或多個(gè)連接可能是電連接，通過提供在天線軌跡和集成電路上一個(gè)或多個(gè)大接觸墊之間提供一個(gè)或多個(gè)直接接觸。
[0047]圖6闡明了一個(gè)電連接嵌入結(jié)構(gòu)示例。首先，通過在非導(dǎo)電材料，比如圖解670所示的PET672，的表面上放置導(dǎo)電模式674形成一個(gè)天線。隨后(比如在壓紋之后)，一個(gè)小凸起(比如直徑大約為30m)684被置于導(dǎo)電模式674上，其通常也會在圖解680所示的PFT材料682上產(chǎn)生類似的凸起。如圖解690所示，一個(gè)具有大接觸墊698的集成電路692被壓在上天線(如上面有關(guān)圖5的描述)，以在天線696和大接觸墊698之間形成一個(gè)電連接，其中大接觸墊698位于699位置。
[0048]圖7根據(jù)實(shí)施例展示了一個(gè)熱耦合步驟后的電容性耦合嵌入的截面。
[0049]如圖解700所示,一個(gè)標(biāo)簽組示例包括一個(gè)插進(jìn)電介質(zhì)(比如PET) 708內(nèi)的集成電路710，其中該電介質(zhì)708覆蓋了一個(gè)天線706。集成電路710和天線706之間的電耦合是由形成于集成電路710表面上的大接觸墊和天線706之間的一個(gè)或多個(gè)電容提供的。該電容的電介質(zhì)可能包括電介質(zhì)708的一部分，集成電路710的任何非導(dǎo)電覆蓋層，和/或集成電路710和天線706之間的一個(gè)附加電介質(zhì)層712。在一些實(shí)施例中，附加電介質(zhì)層712可能包括天線706自然形成或人為生成的氧化層，粘合性電介質(zhì)材料，或其他材料。根據(jù)一些實(shí)施例，一個(gè)集成電路或許并不直接耦合在天線上，而是通過中介層耦合。比如，一個(gè)帶條可能電容性地耦合在前述集成電路上，和該天線隨后可通電地耦接至該帶條。因此，該標(biāo)簽組可能包括該天線和該集成電路之間的附加連接層，其中該集成電路使用本文所述的原理。
[0050]在其他的實(shí)施例中，將天線附著在集成電路上可能包括進(jìn)行集成電路金屬放置和模式構(gòu)造過程，接著放置包含介電材料的鈍化材料，將集成電路從完整的晶片上分離，和將天線，介電材料和集成電路壓在一起。該介電材料可能包括一種具有相對較高(比如大于8 )介電常數(shù)的材料，比如氧化鉿，氧化鋯，氧化鉿硅酸，氧化鋯硅酸，和氧化鍶-鈦。可選地，該鏡片加工步驟可能如本領(lǐng)域所熟知那樣被完成，其中本領(lǐng)域技術(shù)包括鈍化處理和接觸墊開口蝕刻，然后該集成電路被分離出并與天線和介電材料壓在一起。
[0051]圖8展示了一個(gè)帶有疊加層的電容耦合嵌入的截面圖，該疊加層用于增加強(qiáng)度。
[0052]圖解800的標(biāo)簽組合示例與圖7所示的標(biāo)簽組合類似，其具有一個(gè)疊加層814用于增強(qiáng)強(qiáng)度。該疊加層814可能包括PET和/或任何其他合適的材料，同時(shí)可能根據(jù)標(biāo)簽的設(shè)計(jì)和使用通過粘合劑或其他方法被附著。例如，天線層可能被直接置在一個(gè)主體上，然后按照所述方式將集成電路路壓在天線層上，并將疊加層814安置在集成電路和天線層上方。該疊加層可以按不同的方式配置以實(shí)現(xiàn)其他的功能，比如作為一個(gè)可寫標(biāo)簽及其類似的功能。
[0053]圖9展示了一個(gè)類似于圖3的組合RFID標(biāo)簽的示意圖，圖3使用了實(shí)施例中的組
合方法。
[0054]圖解900展示了傳統(tǒng)標(biāo)簽組合方法和依實(shí)施例標(biāo)簽組合方法的差別。通過在集成電路表面使用大接觸墊940，實(shí)現(xiàn)了天線(320，322)和無線射頻回路316之間電容性耦合。這降低了非無線射頻軌跡942和天線320/322之間的寄生電容。此外，因?yàn)椴恍枰獰o線射頻配電母線，無線射頻配電電阻也被消除了。
[0055]天線軌跡與集成電路之間的電容可能包括天線軌跡和/或天線/集成電路覆蓋層的一個(gè)氧化層324作為介電材料。這些材料的介電性能可以通過其組分和厚度(比如增強(qiáng)氧化層的生成，控制氧化層的厚度，等等)來控制，從而保證標(biāo)簽設(shè)計(jì)達(dá)到預(yù)設(shè)的電容值。
[0056]由于大接觸墊可能與集成電路表面一樣大，所以由比如金制凸點(diǎn)的使用，精確的對齊，及裝配力的控制等帶來的機(jī)械局限性也被顯著的降低了。這樣因此減少了組合步驟并增加了可靠度和生產(chǎn)量。
[0057]如上面關(guān)于圖6所述，一個(gè)集成電路可能電連接或可導(dǎo)電地連接至天線的導(dǎo)電軌跡上，例如通過在軌跡上使用凹痕以將軌跡直接連接在集成電路大接觸墊。在一些實(shí)施例中，一個(gè)集成電路接觸墊可能在不使用凹痕，凸點(diǎn)或凸起區(qū)域的情況下電連接于一個(gè)天線上。
[0058]圖1OA和圖1OB展示了依實(shí)施例的帶有電連接于天線終端的集成電路的標(biāo)簽前體，其中該天線中斷在標(biāo)簽基底基底。一個(gè)標(biāo)簽前體是完整RFID標(biāo)簽的一部分，且包括一個(gè)RFID集成電路和一個(gè)具有整個(gè)標(biāo)簽天線(比如一個(gè)嵌體)的基底基底或一個(gè)僅具有整個(gè)標(biāo)簽天線一部分(比如一個(gè)帶條)的基底基底。在后一種情況下，該帶條可能附著于一個(gè)嵌體上。[0059]圖1OA描述了 一個(gè)集成電路1002和一個(gè)標(biāo)簽基底1008。集成電路1002包括一個(gè)或者多個(gè)類似于圖3中接觸墊334和336的大接觸墊1004，這些接觸墊在集成電路1002范圍內(nèi)電連接于一個(gè)或者多個(gè)電路元件上。可能為一個(gè)帶條或一個(gè)嵌體的標(biāo)簽基底1008包括一個(gè)天線終端1010，該天線終端可能為類似于圖3所示的天線軌跡320和322的金屬軌跡。如果天線終端1010包括可氧化金屬，比如鋁和銅，則在終端1010上可能會因?yàn)楸热绫┞对诳諝庵卸a(chǎn)生一層氧化層1012。氧化層1012可以起到阻止集成電路板1004和天線終端1010之間形成電連接的絕緣層作用。
[0060]為了強(qiáng)調(diào)這一問題，增加附加層1006可被添加以促進(jìn)集成電路板1004和天線終端1010之間的電連接的形成。在一些實(shí)施例中，附件層1006包括蝕刻劑以蝕刻或穿透氧化層1012從而形成缺口。例如，附加層1006可能包括顆粒(球狀的，卵狀的，有角度的，有尖角的等等)在加熱和/或施壓時(shí)斷裂氧化層1012以在該氧化層1012內(nèi)形成缺口。在一個(gè)實(shí)施例中，顆粒懸浮于快干粘合劑或可能應(yīng)用于集成電路1002或基底1008的液體內(nèi)，然后粘合劑或液體變干從而形成附加層1006.附加層1006可能還(或者取而代之的)包括用于蝕刻氧化層或能與氧化層發(fā)生反應(yīng)的試劑以形成缺口。比如，如果天線終端1010包括鋁，則附加層1006可能包括用于氧化鋁的蝕刻劑或增溶劑。當(dāng)具有附加層1006的集成電路1002配置在天線終端1010上，附加層1006 (比如上述的顆粒和/或試劑)的成分在氧化層1012內(nèi)生成缺口，從而容許集成電路板1004形成與天線終端1010的電連接。
[0061]在一些實(shí)施例中，該附加層1006可能包括粘合劑以將集成電路1002附著于標(biāo)簽基底1008上。比如，粘合劑可能包括各向同性或各向異性導(dǎo)電材料和/或非導(dǎo)電粘合劑。在一些實(shí)施例中，粘合劑可能還包括一個(gè)或者多個(gè)本文所述的機(jī)械和/或化學(xué)蝕刻劑或反應(yīng)物(比如顆粒，蝕刻劑，增溶劑，滲染劑等等)，而在其他的一些實(shí)施例中，粘合劑可能會與蝕刻劑分離開來。
[0062]如果附加層是導(dǎo)電的，集成電路板1004和天線終端1010之間的電連接可能會通過附加層1006形成。比如，如果附加層1006包括用于在氧化層1012內(nèi)形成缺口的導(dǎo)電顆粒，則導(dǎo)電顆?？梢詭椭纬呻娺B接。如果附加層1006不導(dǎo)電，則可以通過加熱，施壓或者其他過程去除掉，從而容許集成電路板1004與天線終端1010直接接觸以形成電連接(比如在加熱，施壓或者其他程序之后)。在一些實(shí)施例中，集成電路板1004本身可能具有一個(gè)毛化表面(比如表面不平，褶皺，凸起，和/或其他拓?fù)涮卣?以在加熱和/或施壓下蝕刻或使氧化層1012斷裂。比如，集成電路板1004可能在其表面以一定規(guī)則或者無規(guī)則的分布著角度相對較尖的褶皺或凸起。在一些實(shí)施例中，可能使用了激光輔助蝕刻或其他可選的蝕刻方法以在集成電路板1004上形成表面毛化。
[0063]圖1OB描述了一個(gè)類似于圖1OA中圖解1000的圖解1050。然而，一個(gè)掩蔽層1052而不是氧化層覆蓋在天線終端1010上。掩蔽層1052在天線終端1010形成之后放置形成，以作為阻止天線終端氧化層形成的保護(hù)層。該掩蔽層1052可能包括有機(jī)或者無機(jī)介電材料，或甚至可能包括不易被氧化的金屬或其他導(dǎo)電材料。如果掩蔽層1052包括一種介電或絕緣材料，附加層1006可能包括能與掩蔽層1052發(fā)生反應(yīng)顆粒，能蝕刻或溶解掩蔽層1052的介質(zhì)，和/或顆粒在加熱和/或施壓時(shí)使掩蔽層1052斷裂的顆粒。如果掩蔽層1052包括導(dǎo)電材料，附加層1006可能包括將集成電路板1004和掩蔽層4052電連接的材料，或附加層1006甚至可能不存在。[0064]當(dāng)對集成電路或標(biāo)簽基底加熱和/或施加以形成電連接時(shí)(如前所述)，在一些實(shí)施例中，可能還使用其他的程序而不是加熱和/或施壓以在集成電路板1004和天線終端1010上形成電連接。例如，在集成電路板1004和天線終端之間應(yīng)用電場。該電場可以通過例如提高蝕刻率和/或蝕刻選擇度的方式促進(jìn)對任何氧化層(如氧化層1012)的蝕刻。該電場還可能通過例如將電路板電焊于天線或提高金屬離子電遷移的方式促進(jìn)集成電路板1004和天線終端1010之間電連接的物理形成，從而使得板1004可通電地與天線終端1010相短路。另一個(gè)例子是，應(yīng)用超聲波焊接使氧化層1012斷裂和/或使板1004與天線1010相短路。
[0065]在一些實(shí)施例中，附加層1006內(nèi)的蝕刻劑或試劑可能會與氧化層1012或掩蔽層1052發(fā)生反應(yīng)而在集成電路板1004和天線終端1010之間形成導(dǎo)電通道而不必在氧化層1012或掩蔽層1052內(nèi)形成缺口。例如，掩蔽層1052可能包括非導(dǎo)電塑料。當(dāng)附加層1006與掩蔽層1052接觸時(shí)，附加層1006內(nèi)的滲染劑可能擴(kuò)散至部分掩蔽層1052，將這些部分掩蔽層變?yōu)閷?dǎo)體并生成導(dǎo)電通道。在一些實(shí)施例中，可能會應(yīng)用加熱和/或加壓的方法以促進(jìn)擴(kuò)散/反應(yīng)。
[0066]在一些實(shí)施例中，集成電路可能包括一個(gè)非導(dǎo)電再鈍化層。如下面的圖11所示，該再鈍化層可能覆蓋了集成電路的一個(gè)表面，并被設(shè)置在集成電路和基底(比如圖7中的附加層712)之間，或者如下圖11所描述設(shè)置在天線接觸墊和該集成電路的剩余部分之間。該再鈍化層可能會減輕由于裝配力變化而造成的裝配電容波動，同時(shí)也可能降低大天線接觸墊和其他集成電路元件之間的寄生電容耦合。在一些實(shí)施例中，再鈍化層被限制在和/或延伸至其所被設(shè)置的集成電路表面的界限內(nèi)。但是，在其他的一些實(shí)施例中，再鈍化層可能延伸至集成電路表面界限之外。例如，再鈍化層可能卷繞或侵占至相鄰的一個(gè)或多個(gè)集成電路表面，或者可能以懸臂的形式延伸出集成電路表面。
[0067]圖11展示了圖解1100，圖解1100中，包括基底1120和天線終端1127的RFID帶條或嵌體利用裝配力Fl (1102)被壓靠在RFID集成電路1124上，在此，天線終端1127和接觸層1112在再鈍化層的作用下與集成電路分開。裝配距離Dl (1104)由再鈍化層1110確定，并產(chǎn)生一個(gè)相似的固定裝配電容Cl.[0068]在一些實(shí)施例中，類似于圖4中的接觸墊434或436的接觸層1112實(shí)質(zhì)性地覆蓋了 RFID集成電路1124表面的大部分區(qū)域。該接觸層1112可能包括導(dǎo)電材料，比如金屬或者其他的可選導(dǎo)電材料或具有金屬性能的材料。在一些實(shí)施例中，接觸層1112可能由應(yīng)用在或放置在再鈍化層1110上導(dǎo)電再分配層構(gòu)成。該導(dǎo)電再分配層可能通過蒸發(fā)、濺射或直接移植的方式應(yīng)用的。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電再分配層可能花式成型(比如形成接觸墊，帶條或者其他想要得到的接觸形狀)以形成接觸層1112。例如，再分配層的蒸發(fā)或?yàn)R射可能伴有一個(gè)遮蔽步驟以形成期望的接觸花式(比如帶有光刻膠)和一個(gè)蝕刻步驟(如果遮蔽步驟在層放置之后)或起離/移除步驟(如果遮蔽步驟在層放置之前)。在一些實(shí)施例中，接觸層1112可能應(yīng)用于另一基底，花式成型，然后移植到集成電路上。盡管圖11中只放置了一層接觸層1112，但是在其他的實(shí)施例中，可能不僅有接觸層，或者接觸層1112可能包括多個(gè)部分。例如，在再鈍化層1110上的接觸層1112可能被成型以提供多個(gè)接觸區(qū)域，并且彼此不可通電。
[0069]正如再鈍化層1110，在一些實(shí)施例中，該接觸層1112被限制在再鈍化層1110內(nèi)，和/或延伸至再鈍化層1110邊界，和/或被限制在放置有再鈍化層的集成電路表面內(nèi)和/或延伸至該集成電路表面的邊界。當(dāng)然，在其他的一些實(shí)施例中，接觸層1112可能延伸至再鈍化層或集成電路表面外。例如，接觸層1112可能卷繞或侵占至相鄰表面，或者甚至以懸臂的形式延伸至表面外。
[0070]圖1150展示了 RFID帶條或嵌體被以大于裝配力Fl的裝配力F2壓靠在RFID集成電路上。再鈍化層1110的存在保證了裝配距離D2 (1154)與裝配距離Dl (1154)基本相同。因此，裝配電容Cl與裝配電容C2基本相似，這可以進(jìn)一步幫助確保標(biāo)簽具有相似的調(diào)諧并因此具有相似的性能特征。在一些實(shí)施例中，通過再鈍化層1110內(nèi)的缺口形成的凸點(diǎn)1108將回路1162電連接于接觸層1112。在其他的一些實(shí)施例中，可能沒有凸點(diǎn)1108.在這種情況下，回路1162可能通過再鈍化層1110電容性地或電流性地連接至接觸層1112。例如，如果通過再鈍化層1110沒有適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電通道，回路1162可能電容性地連接至接觸層1112.在一些實(shí)施例中，接觸層1112可能直接放置在再鈍化層1110內(nèi)的缺口上，因此電連接至回路1162。在其他的一些實(shí)施例中，如上面圖10A-B關(guān)于氧化層1012/掩蔽層1052的描述，再鈍化層的一部分可能被制成導(dǎo)體，并沿導(dǎo)電部分在回路1162和接觸層1112之間形成電連接。
[0071 ] 再鈍化層1110可能為有機(jī)或無機(jī)材料，通常(并不是必須)具有較低的介電常數(shù)和合理的厚度以提供小電容量。各向異性的導(dǎo)電粘合劑，模式化的導(dǎo)電粘合劑，或非導(dǎo)電粘合劑1113可能被選擇應(yīng)用在集成電路和帶條/嵌體之間以物理地或可通電地將該集成電路鏈接于帶條/嵌體。如果粘合劑層1113是非導(dǎo)電的，則其通常足夠薄從而使得在RFID的通信頻率，其提供一個(gè)位于天線終端1127和接觸層1112之間的低阻抗電容通道。
[0072]在一些實(shí)施例中，再鈍化層1110可能包括將接觸層1112與集成電路1124相分離的空氣間隙以進(jìn)一步將這兩個(gè)元件電容性解耦連。該空氣間隙可能由接觸層1112和集成電路1124 (包括電連接兩者的凸點(diǎn))之間的支撐柱橋接。在一些實(shí)施例中，接觸層1112可能包括金屬制或?qū)щ娋W(wǎng)狀結(jié)構(gòu)以促使空氣間隙的形成。
[0073]作為一個(gè)相對較大的金屬制板的接觸層1112也可在集成電路的裝配過程中起到協(xié)助保護(hù)再鈍化層1110的作用。例如，接觸層1112可能作為一個(gè)蝕刻遮蔽物在諸如授權(quán)于2009年I月27日的美國專利號為7482251文件所述的程序中，覆蓋和防止蝕刻或損壞該蝕刻遮蔽物下方的再鈍化層1110部分，其中該專利的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文。
[0074]如上所述，在一些實(shí)施例中，接觸層可能包括具有不同形狀的接觸區(qū)域。圖12描述了依實(shí)施例的模式化的接觸區(qū)域。圖1200描述了具有集成電路接觸1204和1206的集成電路1202的俯視圖。該集成電路1202也包括分別覆蓋和可通電地連接至接觸對1204和1206的接觸區(qū)域1208和1210。該接觸區(qū)域1208和1210容許集成電路接觸對1204和1206電連接于外部電器元件，比如位于RFID帶條或嵌體上的天線終端(比如天線終端1127)。該接觸區(qū)域1208和1210可以通過上面關(guān)于圖11的描述的放置導(dǎo)電再分配層的花式成型而被制造或成形。該接觸區(qū)域的該形狀和/或取向可能基于美觀，易于形成與天線終端電連接，和/或與集成電路1202中元件的耦接。例如，接觸區(qū)域1208和1210可成形以最小化與集成電路1202內(nèi)的敏感元件耦合的寄生電容。在這些情況下，導(dǎo)電再分配層可被成型從而使得對該集成電路1202的局部寄生電容超過一個(gè)閾值的部分再分配層在成型過程中被剝離。例如，該部分可能在該放置之后用遮蔽-蝕刻程序移除，或事先應(yīng)用遮蔽-起離程序阻止其放置。該閾值可能在再分配層的成型之前被預(yù)先確定，并且可能基于比如期望的整個(gè)集成電路寄生電容或部分集成電路的局部寄生電容確定。
[0075]圖解1250描述了集成電路1202另一個(gè)實(shí)施例的俯視圖。在圖解1250中，僅有集成電路接觸對1204和1206的一個(gè)接觸可能可通電地連接至接觸區(qū)域1208和1210.例如，這樣做可能用以降低接觸區(qū)域和集成電路接觸對之間的電容。同樣如圖1250所示，接觸區(qū)域1208和1210可能具有彎曲或者圓潤的邊緣。這可能會使得遮蔽，蝕刻和/或起離成型過程變得容易。
[0076]在一些實(shí)施例中，接觸層(比如接觸層1112或接觸區(qū)域1208/1210)和無線終端(比如無線終端1127)之間的接觸位置可能不同于接觸層和集成電路(比如凸點(diǎn)1108)之間的接觸位置。圖13根據(jù)實(shí)施例描述了非重疊或補(bǔ)償接觸，并描述了俯視圖1300和剖面圖1350(沿視圖1300所示的軸A-A’)。在圖13中，集成電路1302具有集成電路接觸1304和1306。在集成電路接觸1304和1306上放置一層再鈍化層1320，且接觸墊1308和1310放置在再鈍化層1320上。該接觸墊1308和1310可能由如上所述的成型放置接觸層的形式形成。集成電路接觸1304和1306通過再鈍化層1320分別可通電地連接至接觸墊1308和1310。如圖1350所示，集成電路接觸1306可能通過凸點(diǎn)1322 (類似于凸點(diǎn)1108)可通電地連接于接觸墊1310，其中該凸點(diǎn)1322形成穿過一個(gè)在該再鈍化層1320的缺口。類似的凸點(diǎn)(沒有顯示)可能通過再鈍化層的另一個(gè)缺口將集成電路接觸1304可通電地連接于接觸墊1308。在一些實(shí)施例中，接觸墊1310和1308可能在沒有凸點(diǎn)的情況下分別直接與集成電路接觸1306和1304可通電地相連接。例如，接觸墊1310/1308可能放置于再鈍化層1320的一個(gè)缺口上，直接形成與集成電路接觸1306/1304的電連接。
[0077]接觸墊1308和1310進(jìn)一步分別可通電地連接于天線終端1312和1314。更確切的說，接觸墊1308通過接觸區(qū)域1316可通電地連接于天線終端1312，接觸墊1310通過接觸區(qū)域1318可通電地連接于天線終端1314。如果氧化物，掩蔽層或其他非導(dǎo)電層覆蓋了接觸墊和/或天線終端，正如上述所說，在電連接形成之前在接觸區(qū)域1319和1318上可能會形成缺口。
[0078]在一些實(shí)施例中，接觸墊/集成電路接觸連接和接觸墊/天線終端連接(及他們再鈍化層內(nèi)的缺口和氧化/掩蔽層，如果有的話)可能會相互錯(cuò)開和不相互重疊，如圖13所示。這可能會為集成電路配置于天線終端提供靈活度。當(dāng)然，在其他的一些實(shí)施例中，連接/缺口可能會部分重疊，或一個(gè)連接(比如接觸墊/天線終端連接)可能完全包圍另一個(gè)連接(比如接觸墊/集成電路連接)。
[0079]本文所述的大集成電路接觸墊可能會有助于一個(gè)集成電路在基底上的定位。圖14根據(jù)實(shí)施例展不了一個(gè)標(biāo)簽自身組合方法的一個(gè)俯視圖1400和一個(gè)側(cè)視圖1450。在圖14中，一個(gè)集成電路1402被安置在一個(gè)具有天線終端1408和1410的基底上。更確切的說，集成電路1402被配置從而使得第一集成電路接觸墊1404與第一天線終端1408(而不是第二天線終端1410)重疊，第二集成電路接觸墊1406與第二天線終端1410 (而不是第一天線終端1408)重疊。
[0080]液體表面的表面張力可以被用于促進(jìn)每個(gè)接觸墊與其各自的天線終端對齊。表面張力是由液體分子之間粘合力形成的。當(dāng)兩滴相似的液體(或具有相似表面能的液體)相互靠近時(shí)，它們?nèi)菀捉Y(jié)合成一個(gè)整體，較大的液滴能最小化暴露的分子數(shù)量并因此最小化表面能。如果兩個(gè)液滴分別與不同的物體相關(guān)，兩個(gè)液滴之間的結(jié)合可能會將兩個(gè)不同的物
體結(jié)合在一起。
[0081]在圖14中，至少有一些接觸墊和/或天線終端分別與一個(gè)液滴相關(guān)。例如，接觸墊1404可能與液滴1412相關(guān)，接觸墊1406可能與液滴1414有關(guān)，天線終端1408可能與液滴1416有關(guān)，天線終端1410可能與液滴1418有關(guān)。當(dāng)集成電路1402靠近基底時(shí)(及天線終端1408和1410)，液滴1412可能被吸引至液滴14716，從而牽引集成電路接觸墊1404進(jìn)入帶有天線終端1408的接觸(區(qū))。同樣的，液滴1414可能被吸引至液滴1418，從而牽引集成電路接觸墊1406進(jìn)入帶有天線終端1410的接觸(區(qū))。
[0082]在一個(gè)實(shí)施例中，液滴1412-1418可能包括水。在一些實(shí)施例中，可能還包括一個(gè)或多個(gè)液體粘合劑，比如導(dǎo)電粘合劑，非導(dǎo)電粘合劑，或各向異性導(dǎo)電粘合劑。液滴1412-1418可能來自固體材料。例如，可能首先將固體膜或固體顆粒放置在接觸墊和/或天線終端上。被放置固體材料然后被加熱，化學(xué)改性，或以其他方式被加工成液滴1412-1418.例如，可能現(xiàn)將固體焊料放置在接觸墊和/或天線終端上。在組合程序之前可能先對集成電路1402和/或基底加熱從而將固體焊料熔為焊料液滴。接著，使集成電路1402靠近基底(及天線終端1408和1410)，集成電路接觸墊和/或天線終端上的焊料液滴結(jié)合從而牽引集成電路與基底結(jié)合在一起。在一些實(shí)施例中，可能在加熱之前，讓集成電路1402靠近基底。接著，加熱以熔化接觸墊和/或天線終端上的固體焊料，這樣會使接觸墊和天線終端相互靠近以在牽引下結(jié)合在一起(通過液體結(jié)合)。當(dāng)然，也可能使用焊料之外的固體材料。
[0083]在一些實(shí)施例中，不同類型的液體可被使用以用于每集成電路接觸墊和天線終端對。例如，第一種液體可被放置在集成電路接觸墊1404和天線終端1408，第二種液體可被放置在集成電路接觸墊1406和天線終端1410?？赡軙x擇具有不同表面張力性能的液體類型，從而使得第一種液體的液滴不會吸弓I第二種液體的液滴。例如，在集成電路接觸墊1404和天線終端1408上放置極性液體(比如水)的液滴，在集成電路接觸墊1406和天線終端1410上放置非極性液體(比如油)的液滴。在一些實(shí)施例中，可能使用在不同條件下為液體的物質(zhì)。例如，在集成電路接觸墊1404和天線終端1408上可能放置水滴，集成電路接觸墊1406和天線終端1410上可能放置固體焊料。當(dāng)集成電路剛被涂覆在基底上時(shí)，集成電路接觸墊1404和天線終端1408將會通過水滴牽引在一起。接著，加熱集成電路和基底從而熔化集成電路接觸墊1406和天線終端1410上的固體焊料以將接觸墊和天線終端結(jié)合在一起。
[0084]盡管在圖14中描述的是每個(gè)集成電路接觸墊和天線終端上均為液滴，但在一些實(shí)施例中，可能只在每集成電路接觸墊和天線終端對的一個(gè)集成電路接觸墊或天線終端上有液滴。在這些實(shí)施例中，集成電路接觸墊(或天線終端)上的液滴可能被首先吸引至天線終端(或集成電路接觸墊)的材料上。例如，極性液體(比如水)的液滴可能被首先吸引至一種金屬上(比如集成電路接觸墊或天線終端的金屬)。
[0085]可能還會使用其他的技術(shù)在基底上組合或?qū)R集成電路與天線。舉個(gè)例子，可能使用靜電吸引將一個(gè)帶電的集成電路組合在一個(gè)帶相反電(荷)的天線終端上。集成電路和/或天線終端上的電荷可能由激光(比如就像激光打印)或者其他適當(dāng)?shù)姆绞秸T發(fā)。
[0086]除了可以促進(jìn)集成電路在基底上的放置外，此處所述的大集成電路接觸墊還可以促進(jìn)集成電路檢測。圖15A和15B根據(jù)實(shí)施例，展示了集成電路的晶片級探頭檢測。在晶片上的集成電路可以通過使用單個(gè)探頭接觸一個(gè)集成電路接觸墊的方式檢測。在一些實(shí)施例中，多個(gè)檢測探頭組合成一個(gè)探頭板，該探頭板充當(dāng)檢測系統(tǒng)和晶片之間的界面。為了在晶片上檢測集成電路，必須準(zhǔn)確地將探頭板(或單個(gè)探頭)與集成電路接觸墊在晶片上對齊。此處所述的大集成電路接觸墊簡化了探頭的對齊程序，因?yàn)槭褂么蠼佑|墊的用于探頭對齊的所需精度相對于小使用小接觸墊的用于探頭對齊的所需精度。
[0087]圖15A描述了一個(gè)用于接觸晶片1502以用于檢測的系統(tǒng)1500。晶片1502包括多個(gè)集成電路，僅有一個(gè)被標(biāo)記。集成電路1504包括兩個(gè)接觸墊1506和1508.—個(gè)探頭板1510包括多個(gè)檢測探頭，其中的兩個(gè)探頭被標(biāo)注為1512和1514。檢測探頭1512和1514可以通過分別與接觸墊1506和1508之間形成電連接被安裝以檢測集成電路1504.尺寸相對較大的接觸墊1506和1508可以降低探頭板1510配置在晶片1502上的精度要求，從而減少整個(gè)檢測的時(shí)間。
[0088]圖15B描述了一個(gè)類似于系統(tǒng)1500的系統(tǒng)1550。在系統(tǒng)1550中，探頭板1552包括由具有彈性，柔性且導(dǎo)電的材料制成的探頭1554和1556。探頭1554和1556的柔性特征可以降低在檢測時(shí)對集成電路1504和/或晶片的損害，同時(shí)還可以提高各個(gè)探頭與接觸墊之間的電連接。在一些實(shí)施例中，探頭板1552本身可能也是由柔性材料制成，這可以改善在晶片上與集成電路接觸墊的探頭接觸。
[0089]此處所述的集成電路可能還被配置成和/或?qū)崿F(xiàn)申請?zhí)枮镻CT/US12/54531，申請日為2012年9月10日，PCT專利申請中所描述的功能。前述的PCT申請的揭露內(nèi)容以引用的方式全部并入本文。
[0090]實(shí)施例還包括本文所述的組裝標(biāo)簽的方法。本文件具有經(jīng)濟(jì)價(jià)值，因?yàn)橛袝r(shí)候單個(gè)描述就給出了依實(shí)施例的方法和根據(jù)實(shí)施例制得的設(shè)備的功能。實(shí)施例可能使用由全自動或半自動標(biāo)簽制造設(shè)備執(zhí)行的程序而被實(shí)施。由于步驟和其序列的技術(shù)特征的性質(zhì)，一個(gè)程序通常被定義成實(shí)現(xiàn)預(yù)期目的一組步驟或操作。一個(gè)程序在作為一個(gè)處理程序的一系列步驟或操作時(shí)，利于執(zhí)行，比如上述的結(jié)構(gòu)。
[0091]執(zhí)行一個(gè)程序的步驟，說明或操作需要物理量的計(jì)算。通常，盡管不是必須，這些物理量可能根據(jù)步驟或說明而被轉(zhuǎn)換，組合，比較及其他計(jì)算或處理，也有可能被儲存在電腦可讀的媒介上。這些物理量包括，例如電的，磁的，及電磁電荷或顆粒帶電粒子，物質(zhì)的狀態(tài)，大多數(shù)情況下可能包括物理設(shè)備或元件的狀態(tài)。
[0092]實(shí)施例可能還進(jìn)一步包括用于存儲上述程序的存儲媒介。根據(jù)實(shí)施例，一個(gè)存儲媒介為一個(gè)機(jī)器可讀的媒介，比如存儲器，和依實(shí)施例被一個(gè)控制一個(gè)標(biāo)簽組合機(jī)器以組裝標(biāo)簽的處理器讀取。如果是一個(gè)存儲器，其可以多種方式執(zhí)行，比如只讀存儲器(R0M)，隨機(jī)存取存儲器(RAM)等，它們中的一些是不穩(wěn)定的，一些是穩(wěn)定的。
[0093]根據(jù)一些實(shí)施例，一個(gè)射頻識別(RFID)標(biāo)簽前體可能包括一個(gè)具有一個(gè)RFID集成電路(IC)的組合，一個(gè)在集成電路表面上且在限制在該表面界限范圍內(nèi)的非導(dǎo)電再鈍化層，和一個(gè)在再鈍化層上且限制在該表面上的導(dǎo)電再分配層。再分配層的一個(gè)第一部分可能通過再鈍化層上的一個(gè)第一缺口電連接于集成電路。
[0094]該RFID標(biāo)簽可能還包括一個(gè)具有一個(gè)第一天線終端的基底，一個(gè)在第一天線終端和/或再分配層的第一部分上的一個(gè)非導(dǎo)電屏障內(nèi)形成一個(gè)第二缺口的蝕刻劑，和一個(gè)將該組合附著于基底上的粘合劑。一個(gè)電連接通過該第二缺口形成在該第一天線終端和該再分配層的第一部分之間，和該第一缺口和該第二缺口可能不重疊。
[0095]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，組合一個(gè)RFID標(biāo)簽前體的方法可能包括提供一個(gè)具有RFID集成電路的組合，一個(gè)在該集成電路表面上且限制在該表面界限內(nèi)的非導(dǎo)電再鈍化層，和一個(gè)在再鈍化層上且限制該表面界限范圍內(nèi)的導(dǎo)電再分配層。該再分配層的第一部分可能通過該再鈍化層上的一個(gè)第一缺口電連接于該集成電路。
[0096]該方法可能進(jìn)一步包括提供一個(gè)具有一個(gè)第一天線終端的基底，利用蝕刻劑在該第一天線終端和/或該再分配層的該第一部分上的一個(gè)非導(dǎo)電屏障上形成一個(gè)第二缺口，其中第一缺口和第二缺口不重疊，利用粘合劑將組合附著在基底上，和通過第二缺口在該第一天線終端和該再分配層的第一部分之間形成一個(gè)第一電連接。
[0097]根據(jù)另一個(gè)例子，一個(gè)射頻識別(RFID)標(biāo)簽前體可能包括一個(gè)具有一個(gè)RFID集成電路(IC)的組合，一個(gè)在集成電路表面并限制在該表面界限內(nèi)的非導(dǎo)電再鈍化層，和一個(gè)在再鈍化層上且限制在該表面界限內(nèi)的導(dǎo)電再分配層。該再分配層的一個(gè)第一部分可能通過該再鈍化層內(nèi)的一個(gè)第一缺口可通電地連接于集成電路。
[0098]該RFID標(biāo)簽前體可能還包括一個(gè)具有一個(gè)第一天線終端的基底，一個(gè)與該第一天線終端和/或該再分配層的該第一部分上的一個(gè)非導(dǎo)電屏障發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)劑，和一個(gè)將該組合附著于該基底的粘合劑。該非導(dǎo)電電池的反應(yīng)部分可能為導(dǎo)電的，且在該第一天線終端和該再分配層的該第一部分之間通過該反應(yīng)部分形成一個(gè)第一電連接。
[0099]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該再分配層可能被模式化，從而使得具有一個(gè)對集成電路的超出閾值的寄生電容的部分被剝離。該非導(dǎo)電屏障可能為氧化層或掩蔽層。該粘合劑可能包括一個(gè)各向同性或各向異性導(dǎo)電材料，且該第一連接可能包括該粘合劑。該蝕刻劑可能包括一個(gè)在再分配層的毛化表面和/或?qū)щ婎w粒上以通過破損該非導(dǎo)電電池形成第二缺口。該蝕刻劑可能通過與非導(dǎo)電電池發(fā)生反應(yīng)形成第二缺口。在一些實(shí)施例中，該基底可能還包括一個(gè)第二天線終端，該再分配層可能還包括一個(gè)與該第一部分分離且電連接于集成電路的一個(gè)第二部分，該非導(dǎo)電電池可能位于該第二天線終端和/或該再分配層的該第二部分上，該蝕刻劑可能在該非導(dǎo)電電池上形成一個(gè)第三缺口，在該第二天線終端和該再分配層的該第二部分之間可能通過該第三缺口形成一個(gè)第二電連接。
[0100]上述說明，舉例和數(shù)據(jù)提供了一個(gè)制造和使用實(shí)施例構(gòu)成部分的完整描述。盡管該主題已經(jīng)用語言針對結(jié)構(gòu)特征和/或方法動作進(jìn)行描述，但可以理解的是，權(quán)利要求中對該主題的界定并不必然局限于上述的結(jié)構(gòu)特征或動作。上述的具體特征和動作以實(shí)施權(quán)利要求和實(shí)施例的示例形式被揭露。
【權(quán)利要求】
1.一種射頻識別標(biāo)簽前體，其特征在于，包括: 一個(gè)包括一個(gè)RFID集成電路,一個(gè)在集成電路表面上且限制在所述表面一個(gè)邊界內(nèi)的一個(gè)非導(dǎo)電再鈍化層組合，和一個(gè)在所述再鈍化層表面上且限制在所述表面一個(gè)邊界內(nèi)的一個(gè)導(dǎo)電再分配層的組合，其中至少所述再分配層的一個(gè)第一部分通過一個(gè)第一缺口可通電地連接于所述集成電路，其中所述第一缺口在所述再鈍化層； 一個(gè)基底，其包括一個(gè)第一天線終端； 一種蝕刻劑，所述蝕刻劑在一個(gè)非導(dǎo)電屏障上形成一個(gè)第二缺口，其中所述非導(dǎo)電屏障存在于所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分兩者中的至少一個(gè)，和； 一種將所述組合附著在所述基底上的粘合劑；其中一個(gè)第一電連接通過所述第二缺口被形成在所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分之間；和所述第一缺口和所述第二缺口不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽前體，其特征在于，所述再分配層被模式化，從而使得具有一個(gè)對所述集成電路的超出閾值的寄生電容的部分被剝離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽前體，其特征在于，所述非導(dǎo)電屏障為一種氧化物和一個(gè)掩蔽層兩者中的至少其中之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽前體，其特征在于，所述粘合劑包括一種各向同性導(dǎo)電材料和一種各向異性導(dǎo)電材料兩者中的至少其中之一，且所述第一電連接包括所述粘合劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽前體，其特征在于，所述蝕刻劑包括一個(gè)在所述再分配層的毛化表面，其中所述再分配層通過破損所述非導(dǎo)電屏障形成所述第二缺口。`
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽前體，其特征在于，所述蝕刻劑包括導(dǎo)電顆粒，其中所述導(dǎo)電顆粒通過破損所述非導(dǎo)電屏障形成所述第二缺口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽前體，其特征在于，所述蝕刻劑通過與非導(dǎo)電屏障發(fā)生反應(yīng)而形成所述第二缺口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽前體，其特征在于， 所述基底進(jìn)一步包括一個(gè)第二天線終端； 所述再分配層進(jìn)一步包括一個(gè)第二部分，其中所述第二部分與所述第一部分電絕緣且與所述集成電路可通電地相連接； 所述非導(dǎo)電屏障進(jìn)一步位于所述第二天線終端和所述再分配層的所述第二部分兩者中的至少其中之一； 所述蝕刻劑進(jìn)一步在所述非導(dǎo)電屏障形成一個(gè)第三缺口 ；和 一個(gè)第二電連接通過所述第三缺口形成在所述第二天線終端和所述再分配層的所述第二部分之間。
9.一種射頻識別(RFID)標(biāo)簽前體組合方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一個(gè)包括一個(gè)RFID集成電路,一個(gè)在集成電路表面上且限制在所述表面一個(gè)邊界內(nèi)的一個(gè)非導(dǎo)電再鈍化層組合，和一個(gè)在所述再鈍化層表面上且限制在所述表面一個(gè)邊界內(nèi)的一個(gè)導(dǎo)電再分配層的組合，其中至少所述再分配層的一個(gè)第一部分通過所述再鈍化層的一個(gè)第一缺口被可通電地連接于所述集成電路； 提供一個(gè)基底，其中所述基底包括一個(gè)第一天線終端；在所述非導(dǎo)電屏障形成一個(gè)第二缺口，其中所述非導(dǎo)電屏障存在于所述第一天線終端和所述帶有一種蝕刻劑的所述再分配層的所述第一部分兩者中的其中之一，其中所述第一缺口和所述第二缺口不重疊； 用一種粘合劑將所述組合附著在所述基底上；和 在所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分之間通過所述第二缺口形成一個(gè)第一電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述再分配層被模式化從而使得具有一個(gè)對所述集成電路的超出閾值的寄生電容的部分被剝離。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述非導(dǎo)電屏障為一種氧化物和一個(gè)掩蔽層兩者中的至少其中之一。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述粘合劑包括一種各向同性導(dǎo)電材料和一種各向異性導(dǎo)電材料兩者中的至少其中之一，且所述第一電連接包括所述粘合劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述蝕刻劑是一種在所述再分配層的毛化表面和所述方法進(jìn)一步包括通過用所述蝕刻劑破損所述非導(dǎo)電屏障形成所述第二缺口。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法， 其特征在于，所述蝕刻劑包括導(dǎo)電顆粒和所述方法進(jìn)一步包括通過用所述導(dǎo)電顆粒破損所述非導(dǎo)電屏障形成所述第二缺口。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過蝕刻劑與非導(dǎo)電屏障發(fā)生反應(yīng)形成所述第二缺口。
16.據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過應(yīng)用電場、電焊接和超聲波焊接中的至少其中之一形成所述第一電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于， 所述基底進(jìn)一步包括一個(gè)第二天線終端； 所述再分配層進(jìn)一步包括一個(gè)第二部分，其中所述第二部分與所述第一部分從電絕緣和與所述集成電路可通電地相連接；和 所述的非導(dǎo)電屏障進(jìn)一步位于所述第二天線終端和所述再分配層的所述第二部分中的至少其中之一；和 所述方法進(jìn)一步包括: 用所述蝕刻劑在所述非導(dǎo)電屏障上形成一個(gè)第三缺口 ；和 在所述第二天線終端和所述再分配層的所述第二部分之間通過第三缺口形成一個(gè)第二電連接。
18.一種射頻識別(RFID)標(biāo)簽前體，其特征在于，包括: 一個(gè)包括一個(gè)RFID集成電路,一個(gè)在集成電路表面上且限制在所述表面一個(gè)邊界內(nèi)的一個(gè)非導(dǎo)電再鈍化層組合，和一個(gè)在所述再鈍化層表面上且限制在所述表面一個(gè)邊界內(nèi)的一個(gè)導(dǎo)電再分配層的組合，其中至少所述再分配層的一個(gè)第一部分被可通電地連接至所述集成電路； 一個(gè)基底，其中所述基底包括一個(gè)第一天線終端； 一種反應(yīng)物，所述反應(yīng)物與位于所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分兩者中的至少其中之一的一個(gè)非導(dǎo)電屏障的一部分發(fā)生反應(yīng)，和 一種將所述組合附著在所述基底的粘合劑；其中所述非導(dǎo)電屏障的反應(yīng)部分為導(dǎo)電的，和 一個(gè)包括所述反應(yīng)部分的第一電連接，其中所述第一電連接形成在所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的標(biāo)簽前體，其中，所述再分配層被模式化從而相對于該集成電路具有一個(gè)寄生電容的部分超過預(yù)設(shè)極限值而被剝離。
20.根據(jù) 權(quán)利要求18所述的標(biāo)簽前體，其特征在于，所述非導(dǎo)電屏障為一種氧化物或一種掩蔽層兩者中的其中之一； 所述粘合劑包括一種各向同性導(dǎo)電材料和一種各向異性導(dǎo)電材料中的至少一種；和 所述第一電連接包括所述粘合劑。
【文檔編號】G06K19/077GK103778460SQ201310472824
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月12日
【發(fā)明者】寇普·Rl, 奧利弗·Ra, 海因里奇·H, 馬福利·J, 吳·Tm, 迪奧里奧·Cj 申請人:上海中京電子標(biāo)簽集成技術(shù)有限公司