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      Soc芯片lvds接口測試方法及裝置制造方法

      文檔序號:6517651閱讀:568來源:國知局
      Soc芯片lvds接口測試方法及裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及LVDS接口【技術(shù)領(lǐng)域】,提供一種SOC芯片LVDS接口測試方法,將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號,再對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試。同時提供一種SOC芯片LVDS接口測試裝置,包括用于將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號的LVDS接收器,及用于對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試的可編程邏輯器件。本發(fā)明的測試裝置價格低廉,與現(xiàn)有的ATE測試平臺相比具有明顯的價格優(yōu)勢,大大降低了測試成本。
      【專利說明】SOC芯片LVDS接口測試方法及裝置
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001 ] 本發(fā)明涉及LVDS接口【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及集成在SOC芯片中的LVDS接口的測試方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]LVDS(Low Voltage Differential Signaling)接口是一種低壓差分信號接口,利用非常低的電壓擺幅在兩條PCB走線或一對平衡電纜上通過差分進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,具備高速率、低噪聲、低功耗等特點,廣泛應(yīng)用于各種消費類電子如pad、mp4、導(dǎo)航儀等產(chǎn)品的顯示器中。LVDS接口電路包括兩部分:驅(qū)動板側(cè)的LVDS輸出接口電路即LVDS發(fā)送器和液晶面板側(cè)的LVDS輸入接口電路即LVDS接收器。
      [0003]隨著系統(tǒng)集成技術(shù)的發(fā)展,目前各種消費類電子均采用SOC (System on Chip)設(shè)計技術(shù),將其應(yīng)用電子系統(tǒng)包括微處理器、存儲器、接口等模塊全部集成在一個芯片當(dāng)中,我們稱其為SOC芯片。LVDS輸出接口電路也集成在SOC芯片當(dāng)中,通過SOC芯片內(nèi)部設(shè)置實現(xiàn)LVDS發(fā)送器的功能,發(fā)送低壓串行差分信號。因此在對SOC芯片的量產(chǎn)測試中,就包括了對其上所集成的LVDS接口的測試。
      [0004]SOC芯片LVDS接口輸出信號為1.2V左右的低電壓,只有350mV電壓擺幅,且是高速差分信號,直接對其測試非常困難,目前對SOC芯片LVDS接口的測試通常需要借助中高端ATE (Automatic Test Equipment)測試平臺來實現(xiàn),通過編寫邏輯代碼及測試向量實現(xiàn)測試。該測試平臺價格高昂,通常需要花費幾十萬元以上,造成較高的測試成本;同時,對邏輯代碼及測試向量的編寫較為復(fù)雜,因此測試效率低下。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種能夠低成本、簡單、高效實現(xiàn)SOC芯片LVDS接口測試的方法及裝置。
      [0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種SOC芯片LVDS接口測試方法,包括以下步驟:
      [0007]將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號;
      [0008]對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試。
      [0009]進(jìn)一步地,所述TTL電平的并行信號包括RGB信號及頻率信號,所述頻率信號包括主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號。
      [0010]進(jìn)一步地,所述對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試的步驟包括:
      [0011 ] 對RGB信號電平狀態(tài)進(jìn)行比對;
      [0012]對主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號進(jìn)行頻率測試。
      [0013]進(jìn)一步地,在所述將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號的步驟之前還包括以下步驟:
      [0014]配置LVDS發(fā)送器按照固定格式發(fā)送數(shù)據(jù);[0015]設(shè)置主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號的頻率大小;
      [0016]設(shè)置參考頻率;
      [0017]設(shè)置測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)。
      [0018]進(jìn)一步地,LVDS發(fā)送器發(fā)送的數(shù)據(jù)包括0x00a5a5a5和0x005a5a5a。
      [0019]進(jìn)一步地,所述設(shè)置測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)的步驟包括:
      [0020]預(yù)存與RGB電平狀態(tài)進(jìn)行比對的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù);
      [0021 ] 預(yù)存參考頻率計數(shù)的目標(biāo)數(shù);
      [0022]根據(jù)頻率信號的頻率大小計算其對應(yīng)于參考頻率計數(shù)目標(biāo)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)。
      [0023]進(jìn)一步地,所述對主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號進(jìn)行頻率測試的步驟包括:
      [0024]對參考頻率和被測頻率信號同時開始計數(shù);
      [0025]參考頻率計數(shù)達(dá)到目標(biāo)數(shù)時停止計數(shù);
      [0026]得到此時被測頻率信號的實際計數(shù);
      [0027]比對被測頻率信號的實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù);
      [0028]如果實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)相等或在標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)允許誤差范圍內(nèi),則測試通過。
      [0029]進(jìn)一步地,所述設(shè)置測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)的步驟包括:
      [0030]預(yù)存與RGB電平狀態(tài)進(jìn)行比對的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù);
      [0031]設(shè)置參考頻率為計數(shù)器輸入時鐘;
      [0032]根據(jù)頻率信號的頻率大小計算其一個周期內(nèi)高、低電平所對應(yīng)的輸入時鐘的標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)。
      [0033]進(jìn)一步地,所述對主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號進(jìn)行頻率測試的步驟包括:
      [0034]將被測信號一個周期內(nèi)的高電平和低電平作為計數(shù)允許信號,分別得到被測信號一個周期內(nèi)高、低電平所對應(yīng)的輸入時鐘的實際計數(shù);
      [0035]比對實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù);
      [0036]如果實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)相等或在標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)允許誤差范圍內(nèi),則測試通過。
      [0037]本發(fā)明提供一種SOC芯片LVDS接口測試裝置,包括:用于將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號的LVDS接收器,及用于對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試的可編程邏輯器件。
      [0038]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明通過LVDS接收器將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號,再通過可編程邏輯器件對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試,達(dá)到對集成在SOC芯片中的LVDS接口進(jìn)行測試的目的。本發(fā)明的測試裝置采用LVDS接收器及可編程邏輯器件搭建而成,價格低廉,與ATE測試平臺相比具有明顯的價格優(yōu)勢,大大降低了測試成本;對可編程邏輯器件中邏輯代碼的編寫較ATE測試平臺中邏輯代碼及測試向量的編寫更為簡單,同時,測試采用固定數(shù)值的測試數(shù)據(jù),更進(jìn)一步簡化了測試過程,使測試過程更高效。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0039]圖1是本發(fā)明測試裝置的原理圖;[0040]圖2是本發(fā)明測試裝置的電路框架圖;
      [0041]圖3是本發(fā)明測試方法的流程圖;
      [0042]圖4是本發(fā)明積分模式頻率測試方法的流程圖;
      [0043]圖5是本發(fā)明微分模式頻率測試方法的流程圖;
      [0044]圖6是本發(fā)明積分模式頻率測試模塊框架圖。
      【具體實施方式】
      [0045]下面結(jié)合說明書附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
      [0046]如圖1、圖2所示,SOC芯片LVDS接口測試裝置包括LVDS接收器I和可編程邏輯器件 2,可編程邏輯器件 2 可米用 CPLD (Complex Programmable Logic Device)或 FPGA(Field — Programmable Gate Array)。LVDS接收器I將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的LVDS串行信號轉(zhuǎn)換成TTL電平的并行信號,再通過可編程邏輯器件2對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試,測試完畢,向SOC芯片返回測試結(jié)果。
      [0047]TTL電平的并行信號包括24bit RGB信號和4路頻率信號,其中24bit RGB信號包括RO?7、GO?7、BO?7,4路頻率信號包括主頻信號LCLK、行同步信號HSYNC、場同步信號VSYNC及使能信號DE。
      [0048]可編程邏輯器件2包括RGB信號測試模塊3及頻率測試模塊4。RGB信號測試模塊3用于對其接收到的24bit RGB信號進(jìn)行比對;頻率測試模塊4用于對其接收到的4路頻率信號進(jìn)行頻率測試。
      [0049]在對RGB信號進(jìn)行比對及對頻率信號進(jìn)行頻率測試之前,需要通過SOC芯片對集成在其上的LVDS發(fā)送器進(jìn)行配置,即配置LVDS發(fā)送器的寄存器,包括對主頻信號LCLKJf同步信號HSYNC、場同步信號VSYNC、使能信號DE的頻率大小進(jìn)行設(shè)置,以及對LVDS發(fā)送器發(fā)送的數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)置,使其按照固定格式發(fā)送數(shù)據(jù);需要設(shè)置用于頻率測試的參考頻率;還需要對測試所需的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)置,包括在RGB信號測試模塊3的寄存器中預(yù)存與RGB信號電平狀態(tài)進(jìn)行比對的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)以及進(jìn)行頻率測試所需的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)。
      [0050]參考圖3,本發(fā)明的測試方法包括以下步驟:
      [0051]S101,配置LVDS發(fā)送器按照固定格式發(fā)送數(shù)據(jù);
      [0052]S102,設(shè)置主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號的頻率大??;
      [0053]S103,設(shè)置參考頻率;
      [0054]S104,設(shè)置測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù);
      [0055]S105,將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行
      信號;
      [0056]S106,對RGB信號電平狀態(tài)進(jìn)行比對;
      [0057]S107,對主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號進(jìn)行頻率測試;
      [0058]S108,返回測試結(jié)果。
      [0059]可編程邏輯器件2接收到LVDS接收器I轉(zhuǎn)換出的24bit RGB信號后,其內(nèi)部的RGB信號測試模塊3將該信號電平狀態(tài)與預(yù)存的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比對,兩者相同,則RGB信號無誤。如果可編程邏輯器件接收到的是變化的數(shù)據(jù),那么比對起來非常繁瑣,為了進(jìn)一步簡化測試,設(shè)置LVDS發(fā)送器發(fā)送的數(shù)據(jù)為固定數(shù)值0x00a5a5a5和0x005a5a5a,相應(yīng)地,在可編程邏輯器件的寄存器中預(yù)存與LVDS發(fā)送器擬發(fā)送數(shù)據(jù)相對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)0x00aa5965和0x0055a69a,該對應(yīng)關(guān)系取決于LVDS接收器對數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的固有格式,查詢LVDS接收器datasheet即可獲知。LVDS發(fā)送器先后發(fā)送兩組固定的數(shù)據(jù)0x00a5a5a5和0x005a5a5a,通過LVDS接收器分別轉(zhuǎn)換為24bit并行的RGB數(shù)據(jù)0x00aa5965和0x0055a69a,可編程邏輯器件先后接收到這兩組數(shù)據(jù)并與其預(yù)存的兩組標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)分別進(jìn)行比對,比對結(jié)束,可編程邏輯器件向SOC芯片返回測試結(jié)束信號及測試結(jié)果信號,如果兩組數(shù)據(jù)比對均相等,則測試通過。之所以設(shè)置LVDS發(fā)送器輸出的兩組數(shù)據(jù)分別為0x00a5a5a5和0x005a5a5a,是因為這兩組數(shù)據(jù)對應(yīng)位的電平狀態(tài)剛好相反,兩組數(shù)據(jù)用二進(jìn)制表示分別為:101001011010010110100101 和 010110100101101001011010,通過兩組數(shù)據(jù)的測試,即可涵蓋RGB信號每一位的0/1狀態(tài)。當(dāng)然也可設(shè)置LVDS發(fā)送器發(fā)送其他數(shù)據(jù)進(jìn)行測試,但發(fā)送上述兩組數(shù)據(jù)可以在簡化測試的同時保證測試的全面性。
      [0060]對頻率信號的測試分為基于積分模式和基于微分模式兩種不同的方法,基于積分模式的頻率測試方法用于測試較高頻率的頻率信號,而基于微分模式的頻率測試方法用于測試較低頻率的頻率信號。
      [0061]參考圖4,在運用基于積分模式的方法進(jìn)行頻率測試之前,需對頻率測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行如下設(shè)置:
      [0062]S201,預(yù)存參考頻率計數(shù)的目標(biāo)數(shù);
      [0063]S202,根據(jù)頻率信號的頻率大小計算其對應(yīng)于參考頻率計數(shù)目標(biāo)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)。
      [0064]其具體的測試步驟包括:
      [0065]S203,對參考頻率和被測頻率信號同時開始計數(shù);
      [0066]S204,參考頻率計數(shù)達(dá)到目標(biāo)數(shù)時停止計數(shù);
      [0067]S205,得到此時的被測頻率信號的實際計數(shù);
      [0068]S206,比對被測頻率信號的實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù);
      [0069]S207,如果實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)相等或在標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)誤差允許范圍內(nèi),則測試通過;
      [0070]S208,否則測試失敗。
      [0071]參考圖5,在運用基于微分模式的方法進(jìn)行頻率測試之前,需對頻率測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行如下設(shè)置:
      [0072]S301,設(shè)置參考頻率為計數(shù)器輸入時鐘;
      [0073]S302,根據(jù)頻率信號的頻率大小計算其一個周期內(nèi)高、低電平所對應(yīng)的輸入時鐘的標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)。
      [0074]其具體的測試步驟包括:
      [0075]S303,將被測信號一個周期內(nèi)的高電平和低電平作為計數(shù)允許信號,分別得到被測信號一個周期內(nèi)高、低電平所對應(yīng)的輸入時鐘的實際計數(shù);
      [0076]S304,比對實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù);
      [0077]S305,如果實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)相等或在標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)誤差允許范圍內(nèi),則測試通過;
      [0078]S306,否則測試失敗。
      [0079]為實現(xiàn)上述頻率測試方法,頻率測試模塊4內(nèi)設(shè)置有用于對頻率電平進(jìn)行計數(shù)的計數(shù)器,及用于存儲頻率電平計數(shù)的寄存器。現(xiàn)以基于積分模式的頻率測試方法對主頻信號LCLK的測試為例對本發(fā)明的頻率測試給出具體說明。如圖2所示,本發(fā)明的測試裝置還包括晶振5,用于向可編程邏輯器件提供參考頻率,本實施例選定的晶振頻率為10MHz,也可選用其他頻率的晶振或?qū)ζ湓O(shè)置系數(shù)進(jìn)行分頻或者倍頻。
      [0080]如圖2所示,SOC芯片輸出CLEAR和START信號用于控制可編程邏輯器件2中的頻率測試模塊4動作,可編程邏輯器件2在頻率測試結(jié)束后向SOC芯片返回測試結(jié)束信號和測試結(jié)果信號。參考圖6,LCLK為被測頻率信號;CLEAR為清除信號,用于控制頻率測試模塊的計數(shù)器清零;START為開始計數(shù)信號;EXTCLK為參考頻率信號;LCLKNUM、LCLKNUM_HIGH及LCLKNUM_LOW均為頻率電平計數(shù)寄存器,分別用于存儲參考頻率計數(shù)的目標(biāo)數(shù)、被測頻率信號計數(shù)的上限值及被測頻率信號計數(shù)的下限值;LCLK_RESULT為測試結(jié)果信號;LCLK_END為測試結(jié)束信號。對于基于微分模式的頻率測試方法,則需要設(shè)置用于對參考頻率進(jìn)行計數(shù)的計數(shù)器,及用于存儲被測頻率信號一個周期內(nèi)高、低電平所對應(yīng)的參考頻率實際計數(shù)的寄存器。
      [0081 ] 假設(shè)被測頻率信號LCLK標(biāo)準(zhǔn)值為85MHz,EXTCLK為IOMHz參考頻率信號,如果設(shè)置LCLKNUM為1000,即參考頻率計數(shù)的目標(biāo)數(shù)為1000,理論上當(dāng)參考頻率計數(shù)達(dá)到1000時,被測頻率LCLK的計數(shù)應(yīng)為8500,如果允許頻率測試誤差為1%,則其計數(shù)應(yīng)在8415?8585 之間,即 LCLKNUM_L0W應(yīng)為 8500-85=8415,LCLKNUM_HIGH應(yīng)為 8500+85=8585。可編程邏輯器件2接收到SOC芯片發(fā)出的START信號,其頻率測試模塊4的計數(shù)器開始對參考頻率信號EXTCLK及被測頻率信號LCLK計數(shù),參考頻率信號EXTCLK計數(shù)達(dá)到1000時停止計數(shù),判斷此時被測頻率信號LCLK的頻率電平計數(shù)寄存器數(shù)值是否在8415?8585范圍內(nèi),如果是,則測試通過,將LCLK_RESULT信號置為高電平,反之測試不通過,將LCLK_RESULT信號置為低電平,SOC芯片讀取LCLK_END信號,如果為高電平,則表示頻率測試結(jié)束,可以讀取LCLK_RESULT信號,得到LVDS接口頻率信號的測試結(jié)果。
      [0082] 頻率測試模塊4包括4個單獨的如圖6所示的頻率測試電路,分別用于對4路頻率信號進(jìn)行測試。它們接收同一個START信號,同時開始測試;測試結(jié)束信號可以是單獨的,也可以共用,采用簡單的與或邏輯設(shè)置即可。
      【權(quán)利要求】
      1.一種SOC芯片LVDS接口測試方法,其特征在于,包括以下步驟: 將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號; 對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOC芯片LVDS接口測試方法,其特征在于,所述TTL電平的并行信號包括RGB信號及頻率信號,所述頻率信號包括主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SOC芯片LVDS接口測試方法,其特征在于,所述對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試的步驟包括: 對RGB信號電平狀態(tài)進(jìn)行比對; 對主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號進(jìn)行頻率測試。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SOC芯片LVDS接口測試方法,其特征在于,在所述將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號的步驟之前還包括以下步驟: 配置LVDS發(fā)送器按照固定格式發(fā)送數(shù)據(jù); 設(shè)置主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號的頻率大?。? 設(shè)置參考頻率; 設(shè)置測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SOC芯 片LVDS接口測試方法,其特征在于,LVDS發(fā)送器發(fā)送的數(shù)據(jù)包括 0x00a5a5a5 和 0x005a5a5a。
      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SOC芯片LVDS接口測試方法,其特征在于,所述設(shè)置測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)的步驟包括: 預(yù)存與RGB電平狀態(tài)進(jìn)行比對的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù); 預(yù)存參考頻率計數(shù)的目標(biāo)數(shù); 根據(jù)頻率信號的頻率大小計算其對應(yīng)于參考頻率計數(shù)目標(biāo)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SOC芯片LVDS接口測試方法,其特征在于,所述對主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號進(jìn)行頻率測試的步驟包括: 對參考頻率和被測頻率信號同時開始計數(shù); 參考頻率計數(shù)達(dá)到目標(biāo)數(shù)時停止計數(shù); 得到此時被測頻率信號的實際計數(shù); 比對被測頻率信號的實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù); 如果實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)相等或在標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)允許誤差范圍內(nèi),則測試通過。
      8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SOC芯片LVDS接口測試方法,其特征在于,所述設(shè)置測試所需標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)的步驟包括: 預(yù)存與RGB電平狀態(tài)進(jìn)行比對的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù); 設(shè)置參考頻率為計數(shù)器輸入時鐘; 根據(jù)頻率信號的頻率大小計算其一個周期內(nèi)高、低電平所對應(yīng)的輸入時鐘的標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的SOC芯片LVDS接口測試方法,其特征在于,所述對主頻信號、行同步信號、場同步信號及使能信號進(jìn)行頻率測試的步驟包括:將被測信號一個周期內(nèi)的高電平和低電平作為計數(shù)允許信號,分別得到被測信號一個周期內(nèi)高、低電平所對應(yīng)的輸入時鐘的實際計數(shù); 比對實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù); 如果實際計數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)相等或在標(biāo)準(zhǔn)計數(shù)允許誤差范圍內(nèi),則測試通過。
      10.一種SOC芯片LVDS接口測試裝置,其特征在于,包括:用于將集成在SOC芯片中的LVDS發(fā)送器輸出的串行信號轉(zhuǎn)換為TTL電平的并行信號的LVDS接收器,及用于對TTL電平的并行信號進(jìn)行測試的可編程邏輯器件。
      【文檔編號】G06F11/22GK103559110SQ201310535730
      【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月1日
      【發(fā)明者】鐘汝軍, 陳榮志, 杜聯(lián)平 申請人:珠海全志科技股份有限公司
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