本發(fā)明涉及一種超薄柔性電容式觸控傳感器，屬于石墨烯電子器件制造領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)電容式觸控傳感器因?yàn)椴捎玫氖莻鹘y(tǒng)材料ITO，無法實(shí)現(xiàn)較好的柔性，同樣，由于ITO薄膜易碎，在制作觸控傳感器的時(shí)候，十分容易因?yàn)閺澱墼斐蒊TO性質(zhì)發(fā)生突變，如導(dǎo)電性變差，這種時(shí)候只能通過增加ITO厚度和襯底的厚度，減少制作過程中的彎折，但是這樣會(huì)導(dǎo)致整體厚度的增加，無法實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)的超薄。但是隨著柔性電子和可穿戴行業(yè)的蓬勃發(fā)展，超薄超柔的電容式觸控傳感器的需求越來越大，現(xiàn)有方案一般是基于ITO，通過雙面鍍ITO膜并加工圖案或采用單面搭橋結(jié)構(gòu)，可以制備出有彎折曲率半徑最低5mm左右的整體厚度不低于125微米的電容式觸控傳感器，但是其工藝復(fù)雜，成本昂貴，良率也較低，無法滿足市場的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器；

本發(fā)明的另一目的是提供上述基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器的制備方法。

本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來具體實(shí)現(xiàn)：

一種基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器，包括：

超薄的柔性膜，包括a面和b面；

a面和b面均設(shè)有通道電極；

設(shè)置于a面的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層通過設(shè)置于a面的通道電極與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述第一導(dǎo)電層由一層或多層石墨烯薄膜圖案化而成；

設(shè)置于第一導(dǎo)電層表面的第一光學(xué)膠層；

設(shè)置于b面的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層通過設(shè)置于b面的通道電極與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述第二導(dǎo)電層由一層或多層石墨烯薄膜圖案化而成；

設(shè)置于第二導(dǎo)電層表面的第二光學(xué)膠層。

優(yōu)選地，所述超薄柔性膜為透明的高分子聚合物薄膜。所述超薄柔性膜的厚度為1μm-1000μm，進(jìn)一步優(yōu)選為25μm-50μm。

優(yōu)選地，所述電極采用金屬漿料或者采用金屬箔。所述金屬漿料或金屬箔采用銀、銅、鎳、鉻或鋁中的一種或多種的合金。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均為1-5層的石墨烯薄膜，優(yōu)選單層石墨烯薄膜。

優(yōu)選地，所述a面的通道電極的一端與第一導(dǎo)電層的邊緣搭接，另一端與電容感應(yīng)芯片連接；所述b面的通道電極的一端與第二導(dǎo)電層的邊緣搭接，另一端與電容感應(yīng)芯片連接。

優(yōu)選地，所述第一光學(xué)膠層、第二光學(xué)膠層均采用無色透明的雙面膠。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一光學(xué)膠層和第二光學(xué)膠層的厚度均為1-1000μm，最佳為10-150μm。

一種基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器的制備方法，包括如下步驟：

1)通道電極的形成

將超薄的柔性膜的兩面分別記為a面和b面，并在兩面表面分別制作電容式觸控傳感器的通道電極和定位標(biāo)；

2)a面結(jié)構(gòu)的形成

在超薄的柔性膜的a面上，轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜，再對a面的石墨烯膜進(jìn)行圖案化處理，使其形成第一層透明觸控傳感區(qū)域電極圖案，第一導(dǎo)電層制作完畢；之后再在圖案化的石墨烯膜表面貼合光學(xué)膠層；

3)b面結(jié)構(gòu)的形成

采用在氣相沉積法得到的金屬襯底/石墨烯膜，在石墨烯轉(zhuǎn)移至超薄的柔性膜的b面之前對石墨烯膜進(jìn)行圖案化處理，形成第二層透明觸控傳感區(qū)域電極的圖案及定位標(biāo)圖案，第二導(dǎo)電層制作完畢；再通過定位標(biāo)精準(zhǔn)的轉(zhuǎn)移至超薄的柔性膜的b面，之后再在b面石墨烯膜的表面貼合光學(xué)膠層，即可。

電容式觸控傳感器的電極通常設(shè)置于a面或b面的邊緣，采用金屬走線的方式，盡可能的減少其占用面積，以增大屏幕可視區(qū)的面積。根據(jù)電容式觸控傳感器的的需求，可以在a面或b面轉(zhuǎn)移多層石墨烯膜。如果，需要在a面設(shè)置兩層石墨烯膜，則需要將兩片CVD生長出的單層石墨烯依次轉(zhuǎn)移至a面，形成由兩個(gè)單層石墨烯疊在一起的石墨烯膜。b面亦然。

優(yōu)選地，所述步驟2)中，所述圖案化處理采用激光直寫或等離子體刻蝕的方法。

上述步驟3)可以采用兩種不同的方法，主要區(qū)別在于圖案化石墨烯的時(shí)機(jī)。一種是在CVD法生長的金屬襯底上直接對生長的石墨烯直接進(jìn)行圖案化。一種是在利用轉(zhuǎn)移膜轉(zhuǎn)移過程中，轉(zhuǎn)移膜貼合于石墨烯表面后，采用激光直寫方法透過轉(zhuǎn)移膜進(jìn)行圖案化。一種是在利用轉(zhuǎn)移膜轉(zhuǎn)移過程中，在石墨烯完全轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移膜后，采用激光直寫或等離子體刻蝕方法對石墨烯進(jìn)行圖案化。激光直寫的圖案化方法，即可以直接作用于裸露的石墨烯表面，也可以透過透明的轉(zhuǎn)移膜對石墨烯進(jìn)行圖案化刻蝕。等離子體需要直接作用于石墨烯表面。上述步驟3)具體的方法步驟如下。

方法一，所述步驟3)的具體工藝包括如下步驟：

①采用在氣相沉積法得到的金屬襯底/石墨烯膜，在金屬襯底/石墨烯膜的石墨烯膜表面貼合轉(zhuǎn)移膜，形成金屬襯底/石墨烯膜/轉(zhuǎn)移膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)；

②用激光透過轉(zhuǎn)移膜面對石墨烯表面進(jìn)行圖案化刻蝕；

③刻蝕掉金屬襯底，得到圖案化的石墨烯/轉(zhuǎn)移膜的結(jié)構(gòu)；

④再將步驟③得到的圖案化的石墨烯/轉(zhuǎn)移膜的石墨烯面與所述超薄的柔性膜的b面根據(jù)定位圖案進(jìn)行精確對位，去除轉(zhuǎn)移膜，即可完成將石墨烯轉(zhuǎn)移；

⑤在b面的圖案化的石墨烯膜表面貼合光學(xué)膠。

方法二，所述步驟3)的具體工藝包括如下步驟：

①采用在氣相沉積法得到的金屬襯底/石墨烯膜，在金屬襯底/石墨烯膜的石墨烯膜表面貼合轉(zhuǎn)移膜，刻蝕掉金屬襯底，得到石墨烯/轉(zhuǎn)移膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)；

②用激光透過轉(zhuǎn)移膜面對石墨烯表面進(jìn)行圖案化刻蝕，或者用激光或等離子體直接對石墨烯進(jìn)行圖案化刻蝕；

③再將步驟②得到的圖案化的石墨烯/轉(zhuǎn)移膜的石墨烯面與所述超薄的柔性膜的b面根據(jù)定位圖案進(jìn)行精確對位，去除轉(zhuǎn)移膜，即可完成將石墨烯轉(zhuǎn)移；

④在b面的圖案化的石墨烯膜表面貼合光學(xué)膠

方法三，所述步驟3)的具體工藝包括如下步驟：

①采用在氣相沉積法得到的金屬襯底/石墨烯膜，直接對石墨烯膜進(jìn)行圖案化處理，所述圖案化處理優(yōu)選采用激光直寫或等離子體刻蝕的方法；

②在步驟①得到的金屬襯底/圖案化的石墨烯膜的石墨烯膜表面貼合轉(zhuǎn)移膜，在刻蝕掉金屬襯底，得到圖案化的石墨烯膜/轉(zhuǎn)移膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)；

③再將步驟②得到的圖案化的石墨烯/轉(zhuǎn)移膜的石墨烯面與所述超薄的柔性膜的b面根據(jù)定位圖案進(jìn)行精確對位，去除轉(zhuǎn)移膜，即可完成將石墨烯轉(zhuǎn)移；

④在b面的圖案化的石墨烯膜表面貼合光學(xué)膠。

所述轉(zhuǎn)移膜采用熱釋放膠、熱減粘膠、靜電膜、硅膠防靜電膜、PU防靜電膜或亞克力防靜電膜等，為一種透明的具有一定粘性的膠膜，起到在石墨烯轉(zhuǎn)移過程中作為石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移介質(zhì)的作用。

本發(fā)明中的CVD石墨烯生長襯底為Pt、Ni、Cu、Co、Ir、Ru、Au、Ag等金屬及其合金等導(dǎo)體、或者Si、SiO₂、Al₂O₃等半導(dǎo)體、或者兩者的復(fù)合材料。

所述刻蝕金屬襯底，采用化學(xué)法腐蝕生長襯底、電化學(xué)法腐蝕金屬襯底、鼓泡法、機(jī)械剝離法，或上述四種方法的復(fù)合使用。

本發(fā)明有益效果：

本發(fā)明通過使用石墨烯作為觸控傳感器透明觸控傳感區(qū)域的透明導(dǎo)電電極，通過特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和加工工藝的設(shè)計(jì)，一方面克服了傳統(tǒng)ITO材料的缺點(diǎn)，另一方面也依據(jù)石墨烯的特有性質(zhì)，在常見石墨烯電容式觸控傳感器的基礎(chǔ)上進(jìn)行了創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了超薄超柔性且低成本，工藝簡單的透明電容式觸控傳感器。

本發(fā)明是在一層薄膜兩面分別制作石墨烯層，并對石墨烯層分別進(jìn)行圖案化，使電容式觸控傳感器整體厚度實(shí)現(xiàn)了超薄，可實(shí)現(xiàn)100μm內(nèi)的厚度。

本發(fā)明中兩面石墨烯采用不同的加工工藝，克服了兩層石墨烯圖案化時(shí)會(huì)互相干擾的難題，將兩次圖案化在不同基底上完成。

本發(fā)明中的電容式觸控傳感器為雙層薄膜基底傳感器結(jié)構(gòu)的電容屏，靈敏度高，支持多點(diǎn)觸控效果好，而且采用石墨烯作為透明導(dǎo)電電極，使傳感器可以做到十分良好的柔性，且加工過程中不用擔(dān)心透明導(dǎo)電電極發(fā)生變化，可以大大降低工藝的難度，提高良率。

本發(fā)明兼容現(xiàn)有ITO電容式觸控傳感器的生產(chǎn)工藝，易于產(chǎn)業(yè)化。但是，本發(fā)明中不再使用氧化銦錫，避免對環(huán)境的污染，對環(huán)境十分友好。

附圖說明

圖1為本發(fā)明基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，1-超薄的柔性膜，a-超薄的柔性膜的a面，b-超薄的柔性膜的b面，2-電極，31-第一石墨烯膜，32-第二石墨烯膜，41-第一光學(xué)膠層，42-第二光學(xué)膠層。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實(shí)施例1：

一種基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器，呈片狀，總厚度為100μm。包括：

超薄的柔性膜1，包括a面和b面；

a面和b面均設(shè)有通道電極2；

設(shè)置于a面的第一導(dǎo)電層31，所述第一導(dǎo)電層31通過所述a面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述a面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層31的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第一導(dǎo)電層31表面的第一光學(xué)膠層41；

設(shè)置于b面的第二導(dǎo)電層32，所述第二導(dǎo)電層32通過所述b面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述b面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層32的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第二導(dǎo)電層32表面的第二光學(xué)膠層42。

所述超薄柔性膜為透明的高分子聚合物薄膜。所述超薄柔性膜的厚度為25μm。所述電極采用金屬銅。所述第一導(dǎo)電層31和第二導(dǎo)電層32均為單層石墨烯薄膜。所述第一光學(xué)膠層、第二光學(xué)膠層均采用無色透明的雙面膠。所述第一光學(xué)膠層厚度為50μm，第二光學(xué)膠層的厚度為25μm。

其制備方法為：

1)電極的形成

在厚度為25μm光學(xué)級(jí)無色透明PET兩面，通過磁控濺射工藝，分別鍍上厚度100μm的金屬銅，隨后兩面分別進(jìn)行涂膠、曝光、顯影、濕法刻蝕工藝，制備好電容式觸控傳感器的電極以及定位標(biāo)示。

2)a面結(jié)構(gòu)的形成

向a面轉(zhuǎn)移方阻為150±20Ω/sq的石墨烯薄膜，并用激光蝕刻工藝，在石墨烯表面制備出觸控層圖案，隨后在a面貼合50μm厚的OCA膠層。

3)b面結(jié)構(gòu)的形成

通過CVD法在50μm銅箔表面生長石墨烯，隨后通過激光刻蝕，在銅箔石墨烯表面進(jìn)行圖案化刻蝕，同時(shí)刻蝕好定位標(biāo)示。將該面石墨烯貼合好熱釋放膠帶。將熱釋放膠帶+石墨烯+銅箔一起放入氯化鐵刻蝕液，將銅箔完全腐蝕掉，取出并清洗晾干熱釋放膠帶+石墨烯。將熱釋放膠帶+石墨烯按照定位標(biāo)示向PET薄膜b面電極位置對位好，并貼合熱烘烤，使已經(jīng)圖案化的石墨烯轉(zhuǎn)移至b面電極位置，最后向b面貼合25μm厚的OCA膠層。

4)切片

隨后將PET按照定位標(biāo)示切割成單個(gè)電容式傳感器圖形，并進(jìn)行脫泡處理。此時(shí)，多片厚度約為100μm的超薄柔性電容式觸控傳感器制備完成。

實(shí)施例2：

一種基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器，呈片狀，總厚度為100μm。包括：

超薄的柔性膜1，包括a面和b面；

a面和b面均設(shè)有通道電極2；

設(shè)置于a面的第一導(dǎo)電層31，所述第一導(dǎo)電層31通過所述a面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述a面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層31的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第一導(dǎo)電層31表面的第一光學(xué)膠層41；

設(shè)置于b面的第二導(dǎo)電層32，所述第二導(dǎo)電層32通過所述b面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述b面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層32的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第二導(dǎo)電層32表面的第二光學(xué)膠層42。

所述超薄柔性膜為透明的高分子聚合物薄膜。所述超薄柔性膜的厚度為25μm。所述電極采用銅。所述第一石墨烯膜和第二石墨烯膜均為單層石墨烯薄膜。所述第一光學(xué)膠層、第二光學(xué)膠層均采用無色透明的雙面膠。所述第一光學(xué)膠層的厚度為50μm，第二光學(xué)膠層的厚度為25μm。

其制備方法為：

1)電極的形成

在厚度為25μm的光學(xué)級(jí)無色透明PET兩面，通過磁控濺射工藝，分別鍍上厚度100μm的金屬銅，隨后兩面分別進(jìn)行涂膠、曝光、顯影、濕法刻蝕工藝，制備好電容式觸控傳感器的電極以及定位標(biāo)示；

2)a面結(jié)構(gòu)的形成

向a面轉(zhuǎn)移方阻為150±20Ω/sq的石墨烯薄膜，并用激光蝕刻工藝，在石墨烯表面制備出觸控層圖案；隨后在a面貼合50μm厚的OCA膠層；

3)b面結(jié)構(gòu)的形成

通過CVD法在20μm銅箔表面生長石墨烯，將該面石墨烯貼合好熱釋放膠帶，隨后通過激光刻蝕，透過熱釋放膠帶對銅箔表面的石墨烯進(jìn)行圖案化刻蝕，同時(shí)刻蝕好定位標(biāo)示。將刻蝕好圖案的熱釋放膠帶+石墨烯+銅箔一起放入硝酸鐵刻蝕液，將銅箔完全腐蝕掉，取出并清洗晾干熱釋放膠帶+石墨烯。將熱釋放膠帶+石墨烯按照定位標(biāo)示向PET薄膜b面電極位置對位好，并貼合熱烘烤，使已經(jīng)圖案化的石墨烯轉(zhuǎn)移至b面電極位置，最后向b面貼合25μm厚的OCA膠層。

4)切片

隨后將PET按照定位標(biāo)示切割成單個(gè)電容式傳感器圖形，并進(jìn)行脫泡處理。此時(shí)，多片厚度約為100μm的超薄柔性電容式觸控傳感器制備完成。

實(shí)施例3：

一種基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器，呈片狀，總厚度為70μm。包括：

超薄的柔性膜1，包括a面和b面；

a面和b面均設(shè)有通道電極2；

設(shè)置于a面的第一導(dǎo)電層31，所述第一導(dǎo)電層31通過所述a面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述a面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層31的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第一導(dǎo)電層31表面的第一光學(xué)膠層41；

設(shè)置于b面的第二導(dǎo)電層32，所述第二導(dǎo)電層32通過所述b面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述b面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層32的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第二導(dǎo)電層32表面的第二光學(xué)膠層42。

所述超薄柔性膜為透明的高分子聚合物薄膜。所述超薄柔性膜的厚度為50μm。所述電極采用銀漿電極。所述第一石墨烯膜為2層石墨烯薄膜，所述第二石墨烯膜3層的石墨烯薄膜。所述第一光學(xué)膠層、第二光學(xué)膠層均采用無色透明的雙面膠。所述第一光學(xué)膠層的厚度為10μm，第二光學(xué)膠層的厚度為10μm。

其制備方法為：

1)電極的形成

在厚度為50μm的光學(xué)級(jí)無色透明PET兩面，分別印刷厚度10μm的導(dǎo)電銀漿，隨后兩面分別進(jìn)行涂膠、曝光、顯影、濕法刻蝕工藝，制備好電容式觸控傳感器的電極以及定位標(biāo)示。

2)a面結(jié)構(gòu)的形成

向a面轉(zhuǎn)移方阻為150±20Ω/sq的石墨烯薄膜，轉(zhuǎn)移兩片石墨烯薄膜，并用激光蝕刻工藝，在疊加的兩片石墨烯薄膜表面制備出觸控層圖案，隨后在a面貼合10μm厚的OCA膠層。

3)b面結(jié)構(gòu)的形成

通過CVD法在20μm銅箔表面生長石墨烯，將該面石墨烯貼合好熱釋放膠帶，熱釋放膠帶+石墨烯+銅箔一起放入硝酸鐵刻蝕液，將銅箔完全腐蝕掉，取出并清洗晾干，得到熱釋放膠帶+石墨烯的復(fù)合結(jié)構(gòu)；采用等離子體刻蝕的方法對熱釋放膠帶上的石墨烯進(jìn)行圖案化刻蝕，同時(shí)刻蝕好定位標(biāo)示。將熱釋放膠帶+石墨烯按照定位標(biāo)示向PET薄膜b面電極位置對位好，并貼合熱烘烤，使已經(jīng)圖案化的石墨烯轉(zhuǎn)移至b面電極位置。重復(fù)本步驟的上述操作3次，轉(zhuǎn)移到b面上的石墨烯薄膜共3層。最后向b面貼合10μm厚的OCA膠層。

4)切片

隨后將PET按照定位標(biāo)示切割成單個(gè)電容式傳感器圖形，并進(jìn)行脫泡處理。此時(shí)總厚度約為70μm的多片超薄柔性電容式觸控傳感器制備完成。

實(shí)施例4：

一種基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器，呈片狀，總厚度為52μm。包括：

超薄的柔性膜1，包括a面和b面；

a面和b面均設(shè)有通道電極2；

設(shè)置于a面的第一導(dǎo)電層31，所述第一導(dǎo)電層31通過所述a面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述a面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層31的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第一導(dǎo)電層31表面的第一光學(xué)膠層41；

設(shè)置于b面的第二導(dǎo)電層32，所述第二導(dǎo)電層32通過所述b面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述b面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層32的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第二導(dǎo)電層32表面的第二光學(xué)膠層42。

所述超薄柔性膜為透明的高分子聚合物薄膜。所述超薄柔性膜的厚度為1μm。所述電極采用金屬鎳。所述第一石墨烯膜為5層石墨烯薄膜，第二石墨烯膜單層的石墨烯薄膜。所述第一光學(xué)膠層、第二光學(xué)膠層均采用無色透明的雙面膠。所述第一光學(xué)膠層的厚度為50μm，第二光學(xué)膠層的厚度為1μm。

其制備方法為：

1)電極的形成

在厚度為1μm的光學(xué)級(jí)無色透明PET兩面，通過磁控濺射工藝，分別鍍上厚度20μm的金屬銅，隨后兩面分別進(jìn)行涂膠、曝光、顯影、濕法刻蝕工藝，制備好電容式觸控傳感器的電極以及定位標(biāo)示。

2)a面結(jié)構(gòu)的形成

向a面轉(zhuǎn)移方阻為150±20Ω/sq的石墨烯薄膜，向a面轉(zhuǎn)移5層石墨烯，并用激光蝕刻工藝，在由5層石墨烯構(gòu)成的石墨烯膜表面制備出觸控層圖案，隨后在a面貼合50μm厚的OCA膠層。

3)b面結(jié)構(gòu)膜的形成

通過CVD法在20μm銅箔表面生長石墨烯，將該面石墨烯貼合好熱釋放膠帶，隨后通過激光刻蝕，透過熱釋放膠帶對銅箔表面的石墨烯進(jìn)行圖案化刻蝕，同時(shí)刻蝕好定位標(biāo)示。將刻蝕好圖案的熱釋放膠帶+石墨烯+銅箔一起放入硝酸鐵刻蝕液，將銅箔完全腐蝕掉，取出并清洗晾干熱釋放膠帶+石墨烯。將熱釋放膠帶+石墨烯按照定位標(biāo)示向PET薄膜b面電極位置對位好，并貼合熱烘烤，使已經(jīng)圖案化的石墨烯轉(zhuǎn)移至b面電極位置，最后向b面貼合1μm厚的OCA膠層。

4)切片

隨后將PET按照定位標(biāo)示切割成單個(gè)電容式傳感器圖形，并進(jìn)行脫泡處理。此時(shí)總厚度約為52μm的多片超薄柔性電容式觸控傳感器制備完成。

實(shí)施例5：

一種基于石墨烯的超薄柔性電容式觸控傳感器，呈片狀，總厚度為3μm。包括：

超薄的柔性膜1，包括a面和b面；

a面和b面均設(shè)有通道電極2；

設(shè)置于a面的第一導(dǎo)電層31，所述第一導(dǎo)電層31通過所述a面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述a面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層31的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第一導(dǎo)電層31表面的第一光學(xué)膠層41；

設(shè)置于b面的第二導(dǎo)電層32，所述第二導(dǎo)電層32通過所述b面的通道電極2與電容式觸控傳感器的電容感應(yīng)芯片連接，所述b面的通道電極2一端與第一導(dǎo)電層32的搭接在一起，另一端延伸向電容感應(yīng)芯片；

設(shè)置于第二導(dǎo)電層32表面的第二光學(xué)膠層42。

所述超薄柔性膜為透明的高分子聚合物薄膜。所述超薄柔性膜的厚度為1μm。所述電極采用金屬銅。所述第一石墨烯膜和第二石墨烯膜均為單層石墨烯薄膜。所述第一光學(xué)膠層、第二光學(xué)膠層均采用無色透明的雙面膠。所述第一光學(xué)膠層厚度為1μm，第二光學(xué)膠層的厚度為1μm。

其制備方法為：

1)電極的形成

在厚度為1μm光學(xué)級(jí)無色透明PET兩面，通過磁控濺射工藝，分別鍍上厚度100μm的金屬銅，隨后兩面分別進(jìn)行涂膠、曝光、顯影、濕法刻蝕工藝，制備好電容式觸控傳感器的電極以及定位標(biāo)示。

2)a面石墨烯膜的形成

向a面轉(zhuǎn)移方阻為150±20Ω/sq的石墨烯薄膜，并用激光蝕刻工藝，在石墨烯表面制備出觸控層圖案，隨后在a面貼合1μm厚的OCA膠層。

3)b面石墨烯膜的形成

通過CVD法在1μm銅箔表面生長石墨烯，隨后通過激光刻蝕，在銅箔石墨烯表面進(jìn)行圖案化刻蝕，同時(shí)刻蝕好定位標(biāo)示。將該面石墨烯貼合好熱釋放膠帶。將熱釋放膠帶+石墨烯+銅箔一起放入氯化鐵刻蝕液，將銅箔完全腐蝕掉，取出并清洗晾干熱釋放膠帶+石墨烯。將熱釋放膠帶+石墨烯按照定位標(biāo)示向PET薄膜b面電極位置對位好，并貼合熱烘烤，使已經(jīng)圖案化的石墨烯轉(zhuǎn)移至b面電極位置，最后向b面貼合1μm厚的OCA膠層。

4)切片

隨后將PET按照定位標(biāo)示切割成單個(gè)電容式傳感器圖形，并進(jìn)行脫泡處理。此時(shí)，多片厚度約為3μm的超薄柔性電容式觸控傳感器制備完成。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。