，以及形成第二外部導(dǎo)電連結(jié)230b于第二開(kāi)口620b中的金屬導(dǎo)線(xiàn)226上。
[0085]最后請(qǐng)參閱圖6G，形成一運(yùn)算晶片240于外部導(dǎo)電連結(jié)230b上，使運(yùn)算晶片240通過(guò)第二外部導(dǎo)電連結(jié)230b、第二導(dǎo)電墊229b以及金屬導(dǎo)線(xiàn)226電性連接至電容感測(cè)電極224。并沿著切割道630切割基板600與電容感測(cè)層220，以分離基板600上的多個(gè)運(yùn)算晶片240，形成如圖2所示的晶片封裝體200。
[0086]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7A-7H以進(jìn)一步理解本發(fā)明其他部分實(shí)施方式的晶片封裝體制造方法，圖7A-7H繪示圖3的晶片封裝體在制程各個(gè)階段的剖面圖。
[0087]請(qǐng)先參閱圖7A，先提供一基板700，基板700具有相對(duì)的一第一表面312與第二表面314。在此需先說(shuō)明，基板700在切割后可形成多個(gè)圖3所示的基板310。之后，先形成電容感測(cè)層320于第一表面312下。與第6A-6G圖不同的是，第7A-7G圖中電容感測(cè)層340的制備先形成金屬導(dǎo)線(xiàn)326于基板700的第一表面312下，形成金屬導(dǎo)線(xiàn)326的方法可利用例如是濺鍍、蒸鍍、電鍍或無(wú)電鍍的方式來(lái)沉積導(dǎo)電材料于第一表面312下，接著使用微影蝕刻方式圖案化導(dǎo)電材料以形成金屬導(dǎo)線(xiàn)326。
[0088]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7B，形成絕緣材料328以覆蓋金屬導(dǎo)線(xiàn)326。可利用沉積方式形成絕緣材料328，接著再以微影蝕刻的方式形成孔洞710以暴露金屬導(dǎo)線(xiàn)326。此些孔洞710使金屬導(dǎo)線(xiàn)326可電性連接至后續(xù)形成的電容感測(cè)電極324。此處所述的微影蝕刻包含下述步驟:先形成一光阻層于絕緣材料328上，利用一光罩圖案化光阻層后，蝕刻未被光阻層保護(hù)的絕緣材料328以形成孔洞710暴露金屬導(dǎo)線(xiàn)326，接著再移除光阻層。在本發(fā)明的其他部分實(shí)施例中，絕緣材料328可選用感光性高分子，其可直接在照光后進(jìn)行蝕刻，而省略了光阻層的使用。
[0089]接著請(qǐng)參閱圖7C，可重復(fù)進(jìn)行圖7A與圖7B的步驟以形成多層的金屬導(dǎo)線(xiàn)326與絕緣材料328，在此對(duì)于重復(fù)的步驟不再詳述。接著在金屬導(dǎo)線(xiàn)326下形成電容感測(cè)電極324，形成電容感測(cè)電極324的方法可利用例如是濺鍍、蒸鍍、電鍍或無(wú)電鍍的方式來(lái)沉積導(dǎo)電材料于金屬導(dǎo)線(xiàn)326與絕緣材料328上，接著使用微影蝕刻方式圖案化導(dǎo)電材料以形成電容感測(cè)電極324。此處所述的微影蝕刻包含下述步驟:先形成一光阻層于導(dǎo)電材料上，利用一光罩圖案化光阻層后，蝕刻未被光阻層保護(hù)的導(dǎo)電材料以形成電容感測(cè)電極324，接著再移除光阻層。在形成電容感測(cè)電極324后即可完成形成電容感測(cè)層320于基板700的第一表面312下的步驟。
[0090]在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，在形成電容感測(cè)層320后，可再沉積高介電系數(shù)材料于電容感測(cè)層320下，以形成高介電系數(shù)材料層。
[0091]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7D，形成一穿孔315自基板700的第二表面314朝第一表面312延伸，以暴露金屬導(dǎo)線(xiàn)326。形成穿孔315的方式例如可以是以微影蝕刻，但不以此為限。
[0092]接著請(qǐng)參閱圖7E，在形成穿孔315后，先形成一絕緣層316于第二表面314上與穿孔315中，接著使用微影蝕刻方式移除部分的絕緣層316，以將金屬導(dǎo)線(xiàn)326于穿孔315中暴露出來(lái)。接著再形成一重布局線(xiàn)路層317于絕緣層316上，且部分的重布局線(xiàn)路層317位于穿孔315中并接觸金屬導(dǎo)線(xiàn)326。在此步驟中，可利用例如是濺鍍、蒸鍍、電鍍或無(wú)電鍍的方式來(lái)沉積導(dǎo)電材料于絕緣層316與穿孔315中的金屬導(dǎo)線(xiàn)326上，以形成重布局線(xiàn)路層317。
[0093]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7F，形成一保護(hù)層318于重布局線(xiàn)路層317上，并圖案化保護(hù)層318以形成多個(gè)第一開(kāi)口 319a與多個(gè)第二開(kāi)口 319b以暴露重布局線(xiàn)路層317?？赏ㄟ^(guò)刷涂環(huán)氧樹(shù)脂的材料于重布局線(xiàn)路層317上，以形成保護(hù)層318。接著，再圖案化保護(hù)層318以形成第一開(kāi)口 319a與第二開(kāi)口 319b，使部分的重布局線(xiàn)路層317于保護(hù)層318的第一開(kāi)口 319a與第二開(kāi)口 319b中暴露出來(lái)。
[0094]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7G，形成多個(gè)第一外部導(dǎo)電連結(jié)330a于第一開(kāi)口 319a中，以及形成多個(gè)第二外部導(dǎo)電連結(jié)330b于第二開(kāi)口 319b中。其中，第一外部導(dǎo)電連結(jié)330a的尺寸大于第二外部導(dǎo)電連結(jié)330b。
[0095]最后請(qǐng)參閱圖7H，形成一運(yùn)算晶片340于第二外部導(dǎo)電連結(jié)330b上，使運(yùn)算晶片340通過(guò)第二外部導(dǎo)電連結(jié)330b、重布局線(xiàn)路層317以及金屬導(dǎo)線(xiàn)326電性連接至電容感測(cè)電極324。并沿著切割道730切割基板700與電容感測(cè)層320，以分離基板800上的多個(gè)運(yùn)算晶片340，形成如圖3所示的晶片封裝體300。
[0096]請(qǐng)接續(xù)參閱圖8A-8H以進(jìn)一步理解本發(fā)明其他部分實(shí)施方式的晶片封裝體制造方法，圖8A-8H繪示圖4的晶片封裝體在制程各個(gè)階段的剖面圖。
[0097]請(qǐng)先參閱圖8A，先提供一基板800，基板800具有相對(duì)的一第一表面412與第二表面414。在此需先說(shuō)明，基板800在切割后可形成多個(gè)圖4所示的基板410。之后，先形成電容感測(cè)層420于第一表面412下。圖8A先形成金屬導(dǎo)線(xiàn)426于基板800的第一表面412下，形成金屬導(dǎo)線(xiàn)426的方法可利用例如是濺鍍、蒸鍍、電鍍或無(wú)電鍍的方式來(lái)沉積導(dǎo)電材料于第一表面412下，接著使用微影蝕刻方式圖案化導(dǎo)電材料以形成金屬導(dǎo)線(xiàn)426。
[0098]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖SB，形成絕緣材料428以覆蓋金屬導(dǎo)線(xiàn)426?？衫贸练e方式形成絕緣材料428，接著再以微影蝕刻的方式形成孔洞810以暴露金屬導(dǎo)線(xiàn)426。此些孔洞810使金屬導(dǎo)線(xiàn)426可電性連接至后續(xù)形成的電容感測(cè)電極424。此處所述的微影蝕刻包含下述步驟:先形成一光阻層于絕緣材料428上，利用一光罩圖案化光阻層后，蝕刻未被光阻層保護(hù)的絕緣材料428以形成孔洞810暴露金屬導(dǎo)線(xiàn)426，接著再移除光阻層。在本發(fā)明的其他部分實(shí)施例中，絕緣材料428可選用感光性高分子，其可直接在照光后進(jìn)行蝕刻，而省略了光阻層的使用。
[0099]接著請(qǐng)參閱圖SC，可重復(fù)進(jìn)行圖8A與圖SB的步驟以形成多層的金屬導(dǎo)線(xiàn)426與絕緣材料428，在此對(duì)于重復(fù)的步驟不再詳述。接著在金屬導(dǎo)線(xiàn)426上形成電容感測(cè)電極424，形成電容感測(cè)電極424的方法可利用例如是濺鍍、蒸鍍、電鍍或無(wú)電鍍的方式來(lái)沉積導(dǎo)電材料于金屬導(dǎo)線(xiàn)426與絕緣材料428上，接著使用微影蝕刻方式圖案化導(dǎo)電材料以形成電容感測(cè)電極424。此處所述的微影蝕刻包含下述步驟:先形成一光阻層于導(dǎo)電材料上，利用一光罩圖案化光阻層后，蝕刻未被光阻層保護(hù)的導(dǎo)電材料以形成電容感測(cè)電極424，接著再移除光阻層。在形成電容感測(cè)電極424后即可完成形成電容感測(cè)層420于基板800的第一表面412下的步驟。
[0100]在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，在形成電容感測(cè)層420后，可再沉積高介電系數(shù)材料于電容感測(cè)層420下，以形成高介電系數(shù)材料層。
[0101]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖8D，形成一凹陷450自基板800的第二表面414朝第一表面412延伸，以暴露金屬導(dǎo)線(xiàn)426。形成凹陷450的方式例如可以是以微影蝕刻，但不以此為限。
[0102]接著請(qǐng)參閱圖SE，在形成凹陷450后，先形成一絕緣層416于第二表面414上與凹陷450中，接著使用微影蝕刻方式移除部分的絕緣層416，以將金屬導(dǎo)線(xiàn)426于凹陷450中暴露出來(lái)。接著再形成一重布局線(xiàn)路層417于絕緣層416上，且部分的重布局線(xiàn)路層417位于凹陷450中并接觸金屬導(dǎo)線(xiàn)426。在此步驟中，可利用例如是濺鍍、蒸鍍、電鍍或無(wú)電鍍的方式來(lái)沉積導(dǎo)電材料于絕緣層416與凹陷450中的金屬導(dǎo)線(xiàn)426上，以形成重布局線(xiàn)路層417。
[0103]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖8F，形成一保護(hù)層418于第二表面414上的重布局線(xiàn)路層417上，并圖案化保護(hù)層418以形成多個(gè)第一開(kāi)口 419以暴露位于第二表面414上的重布局線(xiàn)路層417?？赏ㄟ^(guò)刷涂環(huán)氧樹(shù)脂系的材料于重布局線(xiàn)路層417上，以形成保護(hù)層418。接著，再圖案化保護(hù)層418以形成第一開(kāi)口 419，使部分的重布局線(xiàn)路層417從保護(hù)層418的第一開(kāi)口 419中暴露出來(lái)。
[0104]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖SG，形成多個(gè)第一外部導(dǎo)電連結(jié)430a于第一開(kāi)口419中，以及形成多個(gè)第二外部導(dǎo)電連結(jié)430b于凹陷450中以接觸凹陷450中的重布局線(xiàn)路層417。其中，第一外部導(dǎo)電連結(jié)430a的尺寸大于第二外部導(dǎo)電連結(jié)430b。
最后請(qǐng)參閱圖8H，形成一運(yùn)算晶片440于第二外部導(dǎo)電連結(jié)430b上，使運(yùn)算晶片440通過(guò)第二外部導(dǎo)電連結(jié)430b、重布局線(xiàn)路層417以及金屬導(dǎo)線(xiàn)426電性連接至電容感測(cè)電極424。此外，更使用注模方式將環(huán)氧樹(shù)脂系的材料填入凹陷450中，以形成覆蓋運(yùn)算晶片440與第二外部導(dǎo)電連結(jié)430b的阻隔層460。最后沿著切割道830切割基板80