0與感測(cè)電極層420，以分離基板800上的多個(gè)運(yùn)算晶片440，形成如圖4所示的晶片封裝體400。
[0106]由上述本發(fā)明實(shí)施例可知，本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的晶片封裝體的運(yùn)算晶片并非設(shè)置于電容感測(cè)層中，因此不必使用繁復(fù)的制程進(jìn)行打線以將運(yùn)算晶片的訊號(hào)導(dǎo)出，此大幅節(jié)省制程的時(shí)間與機(jī)臺(tái)的成本，此外本發(fā)明的電容感測(cè)層未經(jīng)額外的加工，其具有良好的平坦性，可提升晶片封裝體偵測(cè)時(shí)的準(zhǔn)確度。
[0107]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包含: 一基板，具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面； 一電容感測(cè)層，位于該第二表面上，該電容感測(cè)層具有相對(duì)于該第二表面的一第三表面，并包含: 多個(gè)電容感測(cè)電極，位于該第二表面上；以及 多條金屬導(dǎo)線，位于所述電容感測(cè)電極上；以及 一運(yùn)算晶片，位于該第三表面上，并電性連接至所述電容感測(cè)電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含: 多個(gè)第一外部導(dǎo)電連結(jié)，位于所述金屬導(dǎo)線上，并電性連接至該運(yùn)算晶片；以及多個(gè)第二外部導(dǎo)電連結(jié)，位于所述金屬導(dǎo)線上，其中該運(yùn)算晶片位于所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，所述第一外部導(dǎo)電連結(jié)通過(guò)所述金屬導(dǎo)線，以及所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)電性連接至該運(yùn)算晶片。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該電容感測(cè)層還包含: 多個(gè)第一導(dǎo)電墊，位于所述金屬導(dǎo)線與所述第一外部導(dǎo)電連結(jié)之間；以及 多個(gè)第二導(dǎo)電墊，位于所述金屬導(dǎo)線與所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該基板的材質(zhì)為玻璃、藍(lán)寶石、氮化招、或其組合。6.—種晶片封裝體，其特征在于，包含: 一基板，具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面； 一電容感測(cè)層，位于該第一表面下，該電容感測(cè)層具有相對(duì)于該第一表面的一第三表面，并包含: 多個(gè)電容感測(cè)電極，位于該第三表面上；以及 多條金屬導(dǎo)線，位于所述電容感測(cè)電極上；以及 一運(yùn)算晶片，位于該電容感測(cè)層上，并電性連接至所述電容感測(cè)電極。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含一穿孔自該第二表面朝該第一表面延伸，并暴露所述金屬導(dǎo)線。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含: 一絕緣層，位于該第二表面上并延伸至該穿孔中覆蓋該穿孔的孔壁； 一重布局線路層，位于該絕緣層上并延伸至該穿孔中接觸所述金屬導(dǎo)線； 一保護(hù)層，位于該重布局線路層上，該保護(hù)層具有多個(gè)第一開(kāi)口以及多個(gè)第二開(kāi)口以暴露該重布局線路層； 多個(gè)第一外部導(dǎo)電連結(jié)，位于所述第一開(kāi)口中，并接觸該重布局線路層；以及 多個(gè)第二外部導(dǎo)電連結(jié)，位于所述第二開(kāi)口中，并接觸該重布局線路層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該運(yùn)算晶片設(shè)置于該第二表面，并位于所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)上。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片封裝體，其特征在于，所述第一外部導(dǎo)電連結(jié)通過(guò)該重布局線路層，以及所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)電性連接至該運(yùn)算晶片。11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含一凹陷自該第二表面朝該第一表面延伸，并暴露所述金屬導(dǎo)線，其中該運(yùn)算晶片位于該凹陷中。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含: 一絕緣層，位于該第二表面上并延伸至該凹陷中覆蓋該凹陷的孔壁； 一重布局線路層，位于該絕緣層上并延伸至該凹陷中接觸所述金屬導(dǎo)線； 一保護(hù)層，位于該重布局線路層上，該保護(hù)層具有多個(gè)第一開(kāi)口以暴露該第二表面上的該重布局線路層； 多個(gè)第一外部導(dǎo)電連結(jié)，位于所述第一開(kāi)口中，并接觸該重布局線路層，其中所述第一外部導(dǎo)電連結(jié)電性連接至該運(yùn)算晶片；以及 多個(gè)第二外部導(dǎo)電連結(jié)，位于該凹陷中，并接觸該重布局線路層。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體，其特征在于，該運(yùn)算晶片位于所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)上。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，所述第一外部導(dǎo)電連結(jié)通過(guò)該重布局線路層，以及所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)電性連接至該運(yùn)算晶片。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含一阻隔層覆蓋該凹陷中的該運(yùn)算晶片與所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)。16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該基板的材質(zhì)為硅。17.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基板，其中該基板具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面； 形成一電容感測(cè)層于該第二表面上，該電容感測(cè)層具有相對(duì)于該第二表面的一第三表面，包含: 形成多個(gè)電容感測(cè)電極于該第二表面上；以及 形成多條金屬導(dǎo)線于所述電容感測(cè)電極上；以及 形成一運(yùn)算晶片于該第三表面上以使該運(yùn)算晶片電性連接至所述電容感測(cè)電極。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含形成多個(gè)第一外部導(dǎo)電連結(jié)與多個(gè)第二外部導(dǎo)電連結(jié)于所述金屬導(dǎo)線上，其中該運(yùn)算晶片形成于所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)上。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，所述第一外部導(dǎo)電連結(jié)與所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)于相同制程步驟中同時(shí)形成。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含沿著一切割道切割該基板與該電容感測(cè)層，以形成一晶片封裝體。21.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基板，其中該基板具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面； 形成一電容感測(cè)層于該第一表面下，該電容感測(cè)層具有相對(duì)于該第二表面的一第三表面，包含: 形成多條金屬導(dǎo)線于該第一表面下；以及 形成多個(gè)電容感測(cè)電極于所述金屬導(dǎo)線下；以及 形成一運(yùn)算晶片于該電容感測(cè)層上以使該運(yùn)算晶片電性連接至所述電容感測(cè)電極。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含: 形成一穿孔自該第二表面朝該第一表面延伸，以暴露所述金屬導(dǎo)線。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含: 形成一絕緣層于該第二表面上與該穿孔中； 移除部分該絕緣層以暴露所述金屬導(dǎo)線； 形成一重布局線路層于該絕緣層上并延伸至該穿孔中接觸所述金屬導(dǎo)線； 形成一保護(hù)層于該重布局線路層上； 移除部分該保護(hù)層以形成多個(gè)第一開(kāi)口以及多個(gè)第二開(kāi)口，以暴露該重布局線路層； 形成多個(gè)第一外部導(dǎo)電連結(jié)于所述第一開(kāi)口中；以及 形成多個(gè)第二外部導(dǎo)電連結(jié)于所述第二開(kāi)口中，其中該運(yùn)算晶片形成于所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)上。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，所述第一外部導(dǎo)電連結(jié)與所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)于相同制程步驟中同時(shí)形成。25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含沿著一切割道切割該基板與該電容感測(cè)層，以形成一晶片封裝體。26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含: 形成一凹陷自該第二表面朝該第一表面延伸，以暴露所述金屬導(dǎo)線，其中該運(yùn)算晶片形成于該凹陷中。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含: 形成一絕緣層于該第二表面上與該凹陷中； 移除部分該絕緣層以暴露所述金屬導(dǎo)線； 形成一重布局線路層于該絕緣層上并延伸至該凹陷中接觸所述金屬導(dǎo)線； 形成一保護(hù)層于該第二表面上的該重布局線路層上； 移除部分該保護(hù)層形成多個(gè)第一開(kāi)口以暴露第二表面上的該重布局線路層； 形成多個(gè)第一外部導(dǎo)電連結(jié)于所述第一開(kāi)口中；以及 形成多個(gè)第二外部導(dǎo)電連結(jié)于該凹陷中，其中該運(yùn)算晶片形成于所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)上。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，所述第一外部導(dǎo)電連結(jié)與所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)于相同制程步驟中同時(shí)形成。29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含形成一阻隔層于該凹陷中以覆蓋該運(yùn)算晶片與所述第二外部導(dǎo)電連結(jié)。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含沿著一切割道切割該基板與該電容感測(cè)層，以形成一晶片封裝體。
【專利摘要】一種晶片封裝體及其制造方法，該晶片封裝體包含：一基板，具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面；一電容感測(cè)層，位于第二表面上，電容感測(cè)層具有相對(duì)于第二表面的一第三表面，并包含多個(gè)電容感測(cè)電極位于該第二表面上以及與多條金屬導(dǎo)線位于電容感測(cè)電極上；以及一運(yùn)算晶片，位于第三表面上，并電性連接至電容感測(cè)電極。本發(fā)明不僅能夠大幅節(jié)省制程的時(shí)間與機(jī)臺(tái)的成本，且能夠提升晶片封裝體偵測(cè)時(shí)的準(zhǔn)確度。
【IPC分類】G06K9/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105701443
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510888887
【發(fā)明人】何彥仕, 張恕銘, 劉滄宇, 沈信隆
【申請(qǐng)人】精材科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2015年12月7日
【公告號(hào)】US20160171273