專利名稱：徑向傾斜度降低的介質(zhì)的制作方法
背景技術(shù)：
光學(xué)介質(zhì)、磁性介質(zhì)和磁-光學(xué)介質(zhì)是高性能存儲(chǔ)技術(shù)的主要來源，該技術(shù)使得能夠?qū)崿F(xiàn)與每兆字節(jié)存儲(chǔ)的合理價(jià)格結(jié)合的高存儲(chǔ)能力。面積密度，典型地表達(dá)為百萬位每平方英寸盤表面積(G位每平方英寸(G位/in2))，等同于線性密度(位信息每英寸磁道)乘以按磁道每英寸的磁道密度。改進(jìn)的面積密度是每兆字節(jié)價(jià)格降低中的關(guān)鍵因素，和工業(yè)上繼續(xù)需要面積密度中的進(jìn)一步增加。
在光存儲(chǔ)器領(lǐng)域中，進(jìn)步集中于訪問時(shí)間，系統(tǒng)容量，和競爭性成本計(jì)算。通過著重于光學(xué)的衍射極限(使用近場光學(xué))，研究三維存儲(chǔ)器，研究潛在的全息記錄方法和其它技術(shù)解決增加面積密度。
常規(guī)的聚合物數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)已經(jīng)用于領(lǐng)域如光盤(CD-ROM)和記錄器或可再寫光盤(如CD-RW)，和相似相對低面積密度器件，如小于約1G位/in2，它們典型地是要求采用具有低雙折射的良好光學(xué)質(zhì)量基材的光學(xué)器件。
參考圖1，說明含有讀出裝置3和可記錄或可再寫存儲(chǔ)介質(zhì)5的低面積密度系統(tǒng)1。存儲(chǔ)介質(zhì)5包括常規(guī)層，該常規(guī)層包括數(shù)據(jù)層7，介電層9和9’，反射層11，和保護(hù)層13。在系統(tǒng)1的操作期間，由讀出裝置3產(chǎn)生的激光15入射到光學(xué)清晰基材17上。激光通過基材17，和通過介電層9，數(shù)據(jù)層7和第二介電層9’。激光15然后反射開反射層11，向后通過介電層9’，數(shù)據(jù)層7，介電層9，和基材17和由讀出裝置3讀取。
通常，通過采用金屬，如鋁、和玻璃基材，解決與采用包括近場的第一表面技術(shù)相關(guān)的以上問題。將這些基材成形入盤中和使用各種技術(shù)，如濺射將所需的層沉積到基材上。可能的層包括反射層，介電層，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層和保護(hù)層。一旦加上所需的磁性層，通過磁性讀取/寫入技術(shù)，盤可以分區(qū)成徑向和切向扇區(qū)。也可以通過物理或化學(xué)技術(shù)，如蝕刻加入扇區(qū)結(jié)構(gòu)，然而這必須在磁性層的沉積之前發(fā)生。
如從工業(yè)的快速步伐顯然的那樣，不斷地需求和尋找在更低價(jià)格下更大存儲(chǔ)容量的需要，具有可再寫盤的需求，和在研究的許多技術(shù)，技術(shù)的進(jìn)一步進(jìn)步。

發(fā)明內(nèi)容
在此公開了在55mm半徑下的徑向偏差小于或等于約1.15度的存儲(chǔ)介質(zhì)。在一個(gè)實(shí)施方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)包括塑料基材，光學(xué)層和位于其間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層。反射層位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層和基材之間。
由如下圖和詳細(xì)描述例示以上描述的特征和其它特征。


現(xiàn)在參考附圖，其中同樣的元件標(biāo)號相同圖1是采用光學(xué)清晰基材的現(xiàn)有技術(shù)低面積密度系統(tǒng)的橫截面說明。
圖2是使用存儲(chǔ)介質(zhì)一個(gè)實(shí)施方案的讀取/寫入系統(tǒng)的橫截面說明，在該實(shí)施方案中光入射在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層上而不通過基材，即，第一表面存儲(chǔ)介質(zhì)。
圖3是對于具有不同粘合方案(即PSA和紫外(UV)可固化粘合劑)的兩個(gè)匹配系統(tǒng)，由從25℃和50％相對濕度(rh)到25℃和90％rh設(shè)定的濕度誘導(dǎo)的曲率變化的圖示說明。
圖4是在解吸和吸收期間基材動(dòng)態(tài)曲率的圖示說明。
圖5是在吸收和隨后解吸期間厚度對基材曲率范圍的影響的圖示說明。
圖6是在1.5的擴(kuò)散比下曲率比輪廓圖。
圖7是在1.0的擴(kuò)散比下曲率比輪廓圖。
圖8是對于不匹配的系統(tǒng)(如與圖3相同的基材及與基材不同的組合物膜)，由從25℃和50％相對濕度(rh)到25℃和90％rh設(shè)定的濕度誘導(dǎo)的曲率變化的圖示說明。
具體實(shí)施例方式
在此說明書和以下的權(quán)利要求中，參考許多要定義的術(shù)語。例如，除非上下文清楚地另外指出，單數(shù)形式“a”，“an”和“the”(中文不譯出)包括復(fù)數(shù)形式。“非必要的”或“非必要地”表示隨后描述的事件或狀況可以發(fā)生或可以不發(fā)生，和描述包括其中事件或狀況發(fā)生的情況和其中它不發(fā)生的情況。在此使用的“傾斜度”表示這樣的程度，由該程度材料在水平軸上彎曲和該程度典型地測量為在存儲(chǔ)介質(zhì)外半徑下的垂直偏差。在此使用的“最大徑向傾斜度范圍”是在水的吸收和然后解吸期間的盤曲率和因此是通常由工業(yè)開發(fā)者規(guī)定的徑向傾斜度規(guī)范的兩倍。
開發(fā)高密度可再記錄光學(xué)介質(zhì)格式以代替用于用戶娛樂消費(fèi)的現(xiàn)有VHS磁帶錄音機(jī)。目標(biāo)是生產(chǎn)在存儲(chǔ)器中接近或甚至超過20千兆字節(jié)(Gb)和數(shù)據(jù)傳送速率接近或甚至超過100兆字節(jié)第秒(Mbps)的可移動(dòng)介質(zhì)格式。要求更薄的連讀介質(zhì)用于這些類型的介質(zhì)及目前開發(fā)薄至80微米。大多數(shù)格式在結(jié)構(gòu)上與由更厚基材支撐的上述薄連讀介質(zhì)不對稱。連讀介質(zhì)中的曲率由周圍環(huán)境中的變化誘導(dǎo)。濕度和溫度變化會(huì)誘導(dǎo)曲率成總不對稱結(jié)構(gòu)和因此連讀介質(zhì)。曲率誘導(dǎo)球面象差，該象差導(dǎo)致光學(xué)驅(qū)動(dòng)器的差性能。以下公開的是基材和膜的材料參數(shù)和材料參數(shù)比范圍，它們導(dǎo)致總體結(jié)構(gòu)的改進(jìn)尺寸穩(wěn)定性。此技術(shù)最小化由環(huán)境濕度變化誘導(dǎo)的連讀介質(zhì)中的曲率變化。
光學(xué)介質(zhì)格式開發(fā)者目前轉(zhuǎn)向會(huì)代替用戶VHS市場的可再記錄光學(xué)介質(zhì)格式。在這些格式中，由如下方式增加面積密度加入額外的信息層、降低激光波長、和/或增加數(shù)值孔徑。
增加數(shù)值孔徑和降低波長兩者對光學(xué)象差的大小具有有害影響和因此具有讀取噪聲/誤差。這些象差對光學(xué)介質(zhì)的傾斜度相當(dāng)敏感。用于光學(xué)介質(zhì)制造的材料一般吸收水，該水依次引起更好已知為溶脹的材料體積變化。水吸收/溶脹中的任何不對稱會(huì)招致介質(zhì)中的彎曲力矩。光盤中水吸收的不對稱由與信息層相鄰的不滲透金屬和無機(jī)層的需要引起。彎曲力矩引起介質(zhì)中的曲率和因此連讀介質(zhì)。
通過測量偏離盤表面的激光束確定盤曲率。將從平面水平盤的入射角與感興趣盤的入射角比較，角度的差異稱為盤傾斜度。從幾何學(xué)考慮，激光束偏轉(zhuǎn)等于盤傾斜度兩倍和通常稱為徑向偏差。傾斜角定義為在水的吸收和隨后解吸兩種情況時(shí)，在具體的盤半徑下盤上測量的傾斜度的最大范圍。
為在光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)中達(dá)到高的面積密度，需要降低激光束點(diǎn)直徑(即撞擊介質(zhì)的激光束直徑)。在純衍射有限的情況下，束直徑由如下方式與數(shù)值孔徑和波長相關(guān)束點(diǎn)直徑∞[λ/NA]其中λ＝波長NA＝數(shù)值孔徑在光學(xué)介質(zhì)格式中，可以變化激光波長和/或數(shù)值孔徑以達(dá)到所需的密度增加。移動(dòng)到更低波長和更高數(shù)值孔徑的固有問題是追溯噪聲容許量崩塌，如傾斜度容許量，它由以下方式與以上內(nèi)容相關(guān)傾斜度容限∞[λ/(d.NA3)]其中d＝連讀介質(zhì)的厚度在開發(fā)的介質(zhì)格式中，相對于目前的格式降低光學(xué)介質(zhì)的厚度以增加盤傾斜度容許量。然后將此光學(xué)層或光學(xué)膜粘合到更厚的基材用于機(jī)械穩(wěn)定性和最終用于光學(xué)驅(qū)動(dòng)器。存在其它情況，其中將這些光學(xué)層的多于一個(gè)粘合在一起以獲得相似于DVD格式的多層格式。膜是光學(xué)介質(zhì)和信息層是在注塑基材上。這些薄光學(xué)介質(zhì)認(rèn)為是光學(xué)膜。
參考圖2，例如，數(shù)據(jù)提取包括接觸數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層102與入射在這樣層上的光束110(白色光、激光等)。位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層102和基材108之間的反射層(未示出)向后反射光通過數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層102，粘合劑層106，光學(xué)層114，和達(dá)到其中提取數(shù)據(jù)的讀取/寫入裝置112。
假定基材是在平面內(nèi)方面無限延伸的彈性板和材料性能不是厚度的函數(shù)，則由以下表達(dá)式給出由于水吸收的各向同性應(yīng)變ϵ‾(t)=βl∫1/2-1/2c(z,t)dz]]>其中ε＝應(yīng)變z＝厚度方向l＝厚度c＝濃度β＝溶脹系數(shù)，其中ε(t)＝βc(z，t)基材的曲率與盤中水分布的第一力矩相關(guān)，如下所示κ(t)=12βl∫1/2-1/2c(z,t)zdz]]>對于多層系統(tǒng)，以上的積分是經(jīng)過具體層厚度的積分總和，該層厚度包括每個(gè)層的材料參數(shù)。從擴(kuò)散公式的解計(jì)算作為厚度和時(shí)間函數(shù)的濃度c(z，t)。在兩個(gè)層系統(tǒng)的情況下，由如下通用表達(dá)式給出由成套濕度變化誘導(dǎo)的時(shí)間依賴性曲率變化κ(t)-κ(0)=6Δφβ1s1l1f(t;ρ,γ,δ,q)]]>其中t＝時(shí)間
ΔΦ＝相對濕度的變化ρ＝l2/l2＝厚度的比例， q＝D2/D1＝擴(kuò)散系數(shù)比下標(biāo)“2”表示膜和下標(biāo)“1”表示基材提供所有的材料參數(shù)，可以確定兩層結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)曲率變化。圖3顯示采用以上數(shù)據(jù)描述和在匹配的光學(xué)膜/基材聚碳酸酯系統(tǒng)(如包括聚碳酸酯光學(xué)膜和聚碳酸酯基材的系統(tǒng))上的試驗(yàn)數(shù)據(jù)的證實(shí)，該系統(tǒng)經(jīng)歷環(huán)境濕度中的步驟。同時(shí)，圖4顯示具有各種粘合層的三種不同系統(tǒng)和匹配和不匹配系統(tǒng)兩者的進(jìn)一步證實(shí)。
光學(xué)介質(zhì)制造商對結(jié)構(gòu)曲率規(guī)定規(guī)格上限和下限。這要求基材曲率在任何環(huán)境濕度變化期間的所有時(shí)間落入這些規(guī)格。應(yīng)當(dāng)最小化在吸收和隨后解吸期間的曲率范圍(圖5)。存在三種方式以降低曲率范圍(1)降低基材在水吸收時(shí)的溶脹/應(yīng)變，(2)選擇最小化基材動(dòng)態(tài)曲率的膜，和(3)改變膜厚度。如何通過選擇在水吸收時(shí)具有降低溶脹/應(yīng)變的材料，降低單層基材或雙層系統(tǒng)的曲率或傾斜度范圍的解釋在通常受讓的U.S.專利系列號09/943767中給出。
由如下關(guān)系式給出對于單一基材在水的吸收和解吸時(shí)動(dòng)態(tài)曲率的最大值k(t)-k(0)＝6ΔΦβ1s1/l1這顯示降低材料的溶解度和溶脹系數(shù)可最小化純基材傾斜度。因此，選擇光學(xué)膜以最小化系統(tǒng)曲率?？梢詫⑶兽D(zhuǎn)化成傾斜度和由如下表達(dá)式給出在吸收和隨后解吸時(shí)由結(jié)構(gòu)經(jīng)歷的最大傾斜度范圍最大徑向傾斜度范圍(rad)＝kr＝1.92Δrhβsr/t＝1.92Δrhεr/t其中k是曲率(長度-1)Δrh是步驟相對濕度
β是在給定溫度(T)下水的應(yīng)變/質(zhì)量分率s是在相對濕度(rh)＝1和T下水的質(zhì)量分率ε＝βs是在rh＝1和T下的水應(yīng)變t是基材厚度；和r是感興趣的半徑。
在此使用的“最大徑向傾斜度范圍”是在水吸收和隨后解吸期間的盤曲率和因此是通常由工業(yè)開發(fā)者規(guī)定的徑向傾斜度規(guī)范的兩倍。
圖4略述由6ΔΦβ1s1/l1歸一化的在吸收和隨后在解吸中的動(dòng)態(tài)曲率，因此對于沒有膜的基材分別在最大值和最小值下達(dá)到1和小于1的數(shù)值。通過加上包括與基材不同化學(xué)組成的膜，可以降低不對稱，因此降低最大傾斜度的數(shù)值。
當(dāng)增加光學(xué)膜的厚度(匹配膜和不匹配膜)時(shí)，最大傾斜度也降低到其中對于與基材(如DV，DVR(數(shù)字錄象)等)相同厚度的膜沒有傾斜度的點(diǎn)。圖5顯示曲率范圍隨厚度比的行為，其中膜和基材是相同的材料。公開的是通過具有大約為基材厚度30％的匹配膜，涂敷基材的傾斜度可以降低到?jīng)]有膜的基材的5％。另外在基材厚度約20％的光學(xué)膜(層)厚度下，傾斜度降低低至基材傾斜度的10％。對厚度的此曲率依賴性比由對厚度的象差依賴性引起的傾斜度容許量降低強(qiáng)烈。因此，通過具有大于或等于基材厚度約18％的光學(xué)膜厚度，可以降低傾斜度大于或等于約80％，及采用大于或等于約20％基材厚度的光學(xué)膜厚度，獲得大于或等于約90％的傾斜度降低。優(yōu)選，光學(xué)膜厚度是基材厚度的約20％-約40％，優(yōu)選基材厚度的約25％-約35％。
如果固定膜的厚度，則可以優(yōu)化膜的材料性能以降低傾斜度范圍。通過不匹配膜的材料與基材的材料，也可以降低傾斜度范圍。例如，表1給出盤系統(tǒng)(100微米(μm)膜和1.1毫米(mm)基材)的參數(shù)比，該參數(shù)比導(dǎo)致為基材曲率范圍11％的曲率范圍。對于給定的厚度，這是相對于匹配膜/基材系統(tǒng)四倍的改進(jìn)。


對于給定的膜厚度，曲率對應(yīng)變比和剛度比更敏感和對擴(kuò)散比較不敏感。圖6是略述作為剛度比和應(yīng)變/溶脹比函數(shù)的歸一化曲率范圍的輪廓圖。此輪廓圖是對于1.5的具體擴(kuò)散比。對于其中剛度比與應(yīng)變比相關(guān)的情況以雙曲線方式獲得最優(yōu)的曲率范圍。此雙曲線函數(shù)性對于任何擴(kuò)散比一致，如由圖7支持，該圖7說明對于1.0的具體擴(kuò)散比的輪廓圖。優(yōu)選，剛度比到溶脹比在由區(qū)域200的內(nèi)輪廓內(nèi)。
基于以上信息，光學(xué)膜可以是具有所需剛度比(γ)(揚(yáng)氏模量(兆帕)/(1-泊松比))，溶脹比(δ)(平衡時(shí)材料的生長百分比)，和擴(kuò)散系數(shù)比(q)的塑料，其中所有的比例表示光學(xué)膜對基材的比例。所需數(shù)量的這些參數(shù)依賴于光學(xué)膜的厚度。最終的需求是降低傾斜度，如曲率，到在55mm半徑下小于或等于約1.15度，優(yōu)選在55mm半徑下小于或等于約1.0度，更優(yōu)選在55mm半徑下小于或等于約0.80度，甚至更優(yōu)選在55mm半徑下小于或等于約0.70度，還甚至更優(yōu)選在55mm半徑下小于或等于約0.50度，和需要甚至更優(yōu)選在55mm半徑下小于或等于約0.25度的徑向偏差范圍。一般情況下，剛度比可以大于或等于約0.5，優(yōu)選剛度比大于或等于約0.70，和更優(yōu)選剛度比大于或等于約1.25。優(yōu)選，剛度比小于或等于約5，優(yōu)選剛度比小于或等于約3，和甚至更優(yōu)選剛度比小于或等于約2.5。在拉伸變形中在室溫下使用Instron測試機(jī)測量光學(xué)膜和基材的剛度。關(guān)于溶脹比，它可以大于或等于約0.50，優(yōu)選大于或等于約0.75，和更優(yōu)選大于或等于約1.0。優(yōu)選，溶脹比小于或等于約5，優(yōu)選小于或等于約3，和甚至更優(yōu)選小于或等于約2.5。使用購自TA儀器的熱機(jī)械分析儀測量溶脹應(yīng)變。擴(kuò)散系數(shù)比可以大于或等于約0.05，優(yōu)選大于或等于約0.10。優(yōu)選擴(kuò)散系數(shù)小于或等于約2.0，優(yōu)選小于或等于約1.0。
關(guān)于厚度，光學(xué)膜的厚度可以為約0.2微米-約0.6mm。在膜厚度范圍內(nèi)，在一些應(yīng)用中優(yōu)選小于或等于約0.6mm，更優(yōu)選小于或等于約250微米，甚至更優(yōu)選小于或等于約120微米。同樣在此范圍內(nèi)優(yōu)選光學(xué)厚度大于或等于約0.2微米，更優(yōu)選大于或等于約5微米，和甚至更優(yōu)選大于或等于約50微米。相反地，基材的厚度典型地大于或等于約0.3mm，優(yōu)選大于或等于約0.6mm，和更優(yōu)選大于或等于約1.1mm。同樣基材厚度優(yōu)選小于或等于或等于約2.5mm，更優(yōu)選小于或等于或等于約2.0mm，和甚至更優(yōu)選小于或等于或等于約1.5mm。由于目前的設(shè)備和由于工業(yè)規(guī)范，一般優(yōu)選是約1.1mm的基材厚度。如果采用降低的基材厚度(如小于約1.2mm)，優(yōu)選保持光學(xué)膜對基材厚度比小于或等于約1，優(yōu)選厚度比小于或等于約0.5，和更優(yōu)選小于或等于約0.1。同樣優(yōu)選厚度比大于或等于約0.001，更優(yōu)選大于或等于約0.005，和甚至更優(yōu)選大于或等于約0.025。
可能的塑料膜材料可以是顯示適當(dāng)性能的任何塑料，包括熱塑性塑料、熱固性塑料、和包括至少一種上述塑料的均聚物、共聚物、反應(yīng)產(chǎn)物、和結(jié)合物，包括但不限于加聚物和縮聚物。熱塑性塑料的說明性，非限制性例子是烯烴衍生聚合物如聚乙烯、聚丙烯、和它們的共聚物；氯化聚乙烯、聚氯乙烯、聚甲基戊烷；乙烯-四氟乙烯共聚物、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚偏二氯乙烯、聚四氟乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚醋酸乙烯酯、二烯烴衍生聚合物如聚丁二烯、聚異戊二烯、和它們的共聚物；烯屬不飽和羧酸的聚合物和它們的官能衍生物，包括丙烯酸類聚合物如聚(丙烯酸烷基酯)、聚(甲基丙烯酸烷基酯)、聚丙烯酰胺、聚丙烯腈和聚丙烯酸；烯基芳族聚合物如聚苯乙烯、聚-α甲基苯乙烯、氫化聚苯乙烯、間同立構(gòu)和無規(guī)立構(gòu)聚苯乙烯、聚環(huán)己基乙烯、苯乙烯-共-丙烯腈、苯乙烯-共-馬來酸酐、聚乙烯基甲苯、和橡膠改性聚苯乙烯；聚酰胺如尼龍-6、尼龍-66、尼龍-11、和尼龍-12；聚縮醛、聚酯如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、和聚對苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯；聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、高熱聚碳酸酯、聚醚如聚亞芳基醚，特別是衍生自2，6-二甲基苯酚的聚苯醚和含有2，3，6-三甲基苯酚的共聚物、聚醚砜、聚醚醚砜、聚醚酮、聚醚醚酮、和聚醚酰亞胺、聚亞芳基硫化物、聚砜、和聚硫化物砜、液晶聚合物。
熱固性樹脂的非限制性例子是環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、醇酸樹脂、聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、礦物質(zhì)填充硅氧烷、雙馬來酰亞胺、氰酸酯、多官能烯丙基類化合物如鄰苯二甲酸二烯丙酯、丙烯酸類樹脂、醇酸樹脂、苯酚甲醛樹脂、線性酚醛清漆樹脂、甲階酚醛樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、PMR樹脂、蜜胺甲醛樹脂、脲甲醛樹脂、苯并環(huán)丁烷、羥基甲基呋喃、異氰酸酯、苯并環(huán)丁烯樹脂、以及包括至少一種上述熱固性樹脂的均聚物、共聚物、反應(yīng)產(chǎn)物、和結(jié)合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，熱塑性聚合物進(jìn)一步包括至少一種熱塑性聚合物，如聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酰亞胺、聚酯等，以及包括至少一種上述熱塑性聚合物的均聚物、共聚物、反應(yīng)產(chǎn)物、和結(jié)合物。熱塑性聚合物典型地在熱塑性塑料的固化之前與熱固性單體混合物結(jié)合。
可以采用熱塑性聚酯和熱塑性彈性體聚酯兩者。熱塑性聚酯的說明性，非限制性例子包括聚(對苯二甲酸乙二醇酯)、聚(對苯二甲酸1，4丁二醇酯)、聚(對苯二甲酸1，3丙二醇酯)、聚(對苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯)、聚(對苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯-共-乙二醇酯)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)、聚(萘二甲酸丁二醇酯)、和聚芳基化物。熱塑性彈性體聚酯(通常稱為TPE)的說明性，非限制性例子包括聚醚酯如聚(對苯二甲酸亞烷基酯)(特別是包含聚(烯化氧)軟嵌段鏈段，特別是聚(環(huán)氧乙烷)和聚(環(huán)氧丁烷)鏈段的聚[對苯二甲酸乙二醇酯]和聚[對苯二甲酸丁二醇酯])；和聚酯酰亞胺如由如下物質(zhì)的縮合合成的那些芳族二異氰酸酯與二羧酸和羧酸封端的聚酯或聚醚預(yù)聚物。
合適的聚芳基化物包括，但不限于，2，2-雙(4-羥苯基)丙烷(通常稱為雙酚A)的聚鄰苯二甲酸酯，和由如下結(jié)構(gòu)單元組成的聚酯通式I的結(jié)構(gòu)單元 其中R16是氫或C1-4烷基，非必要地與通式II的結(jié)構(gòu)單元結(jié)合 其中R17是C4-12脂族、脂環(huán)族或混合脂族-脂環(huán)族基團(tuán)?？梢栽趬A性條件下，由1，3-二羥基苯部分與至少一種二羧酸酰氯的反應(yīng)制備后者的聚酯。通式II的合適單元包含1，3-二羥基苯部分，該部分可以由鹵素，通常氯或溴，或優(yōu)選由C1-4烷基如甲基、乙基、異丙基，丙基、丁基取代。烷基優(yōu)選是伯或仲基團(tuán)，更優(yōu)選是甲基，和盡管也設(shè)想其它位置，最通常位于兩個(gè)氧原子的鄰位。最優(yōu)選的部分是間苯二酚部分，其中R16是氫。1，3-二羥基苯部分連接到芳族二羧酸部分，該芳族二羧酸部分可以是單環(huán)部分，如間苯二甲酸酯或?qū)Ρ蕉姿狨?，或多環(huán)部分，如萘二羧酸酯。
在通式II的非必要軟嵌段單元中，間苯二酚或烷基間苯二酚部分存在于與R17的成酯結(jié)合中，其中R17是二價(jià)C4-12脂族、脂環(huán)族或混合脂族-脂環(huán)族基團(tuán)。
可能的聚碳酸酯包括含有通式III結(jié)構(gòu)單元的那些 其中R18基團(tuán)總數(shù)目的至少約60％是芳族有機(jī)基團(tuán)及其余量是脂族、脂環(huán)族、或芳族基團(tuán)。合適的R18基團(tuán)包括間亞苯基、對亞苯基、4，4’-聯(lián)亞苯基、4，4’-雙(3，5-二甲基)-亞苯基、2，2-雙(4-亞苯基)丙烷、6，6’-(3，3，3’，3’-四甲基-1，1’-螺二[1H-茚滿])、1，1’-雙(4-亞苯基)-3，3，5-三甲基環(huán)己烷、和相似的基團(tuán)如相應(yīng)于由U.S.專利4217438中名稱或通式(屬類或具體)公開的二羥基取代芳族烴的那些。
更優(yōu)選，R18是芳族有機(jī)基團(tuán)和仍然更優(yōu)選通式IV的基團(tuán)(IV)-A1-Y1-A2-其中每個(gè)A1和A2是單環(huán)二價(jià)芳基和Y1是其中一個(gè)或兩個(gè)原子分隔A1和A2的橋接基團(tuán)。例如，A1和A2典型地表示未取代亞苯基或其取代衍生物。橋接基團(tuán)Y1最通常是烴基和特別是飽和基團(tuán)如亞甲基、亞環(huán)己基、3，3，5-三甲基亞環(huán)己基、或亞異丙基。最優(yōu)選的聚碳酸酯是雙酚A聚碳酸酯，其中每個(gè)A1和A2是對亞苯基和Y1是亞異丙基?？梢允褂酶鞣N方法制備合適的聚碳酸酯，該方法包括界面、溶液、固態(tài)、或熔體方法。
在一個(gè)實(shí)施方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)包括至少一個(gè)含有至少一種聚碳酸酯的層。在另一個(gè)實(shí)施方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)包括至少一個(gè)含有至少兩種聚碳酸酯的層。包括衍生自單一二羥基化合物單體的均聚碳酸酯和衍生自多于一種二羥基化合物單體的共聚碳酸酯。
在一個(gè)實(shí)施方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)的基材和/或至少一個(gè)其它層包括含有結(jié)構(gòu)單元(V)或(VI)的聚碳酸酯或共聚碳酸酯
其中R1，R2，R3，R4，R5，和R6獨(dú)立地選自C1-C6烷基和氫；R7，和R8獨(dú)立地選自C1-C6烷基、苯基、C1-C6烷基取代的苯基、或氫；m是0-約12的整數(shù)；q是0-約12的整數(shù)；m+q是約4-約12的整數(shù)；n是約1-約2的整數(shù)；和p是約1-約2的整數(shù)。
結(jié)構(gòu)(V)的代表性單元包括，但不限于，如下物質(zhì)的殘基1，1-雙(4-羥基-3-甲基苯基)環(huán)己烷(DMBPC)、1，1-雙(4-羥基-3-甲基苯基)環(huán)戊烷、1，1-雙(4-羥基-3-甲基苯基)環(huán)庚烷、1，1-雙(4-羥基-3-甲基苯基)-3，3，5-三甲基環(huán)己烷(DMBPI)、和包括至少一種上述單元的混合物。
結(jié)構(gòu)(VI)的代表性單元包括，但不限于，如下物質(zhì)的殘基2，2-雙(4-羥基-3-甲基苯基)丙烷(DMBPA)、和4，4’-(1-苯基亞乙基)雙(2-甲基苯酚)(DM雙AP)。
在甚至進(jìn)一步的實(shí)施方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)的基材和/或至少一個(gè)其它層包括含有結(jié)構(gòu)單元(VII)的聚碳酸酯或共聚碳酸酯
其中R9，R10，R13，和R14獨(dú)立地是C1-C6烷基，R11，和R12獨(dú)立地是H或C1-C5烷基，每個(gè)R15獨(dú)立地選自H和C1-C3烷基和每個(gè)n獨(dú)立地選自0、1和2。
結(jié)構(gòu)(VII)的代表性單元包括，但不限于，6，6’-二羥基-3，3，3’，3’-四甲基螺二茚滿(SBI)、6，6’-二羥基-3，3，5，3’，3’，5’-六甲基螺二茚滿、6，6’-二羥基-3，3，5，7，3’，3’，5’，7’-八甲基螺二茚滿、5，5’-二乙基-6，6’-二羥基-3，3，3’，3’-四甲基螺二茚滿、和包括至少一種上述單元的混合物。
聚苯醚是包括多個(gè)通式(VIII)結(jié)構(gòu)單元的聚合物 其中獨(dú)立地在每個(gè)單元中，每個(gè)Q1獨(dú)立地是鹵素、伯或仲低級烷基(即包含至多7個(gè)碳原子的烷基)、苯基、鹵代烷基、氨基烷基、烴氧基、或鹵代烴氧基，其中至少兩個(gè)碳原子分隔鹵素和氧原子；和每個(gè)Q2獨(dú)立地是氫、鹵素、伯或仲低級烷基、苯基、鹵代烷基、對于Q1定義的烴氧基或鹵代烴氧基。最通常，每個(gè)Q1是烷基或苯基，特別是C1-4烷基，和每個(gè)Q2是氫。
可以采用均聚物和共聚物聚苯醚兩者。合適的共聚物包括無規(guī)共聚物，該無規(guī)共聚物包含與(例如)2，3，6-三甲基-1，4-亞苯基醚單元結(jié)合的這樣單元。同樣包括的是包含由如下方式制備的部分的聚苯醚以已知方式向聚苯醚上接枝材料如乙烯基單體或聚合物，如聚苯乙烯和彈性體，以及偶聯(lián)聚苯醚，其中偶聯(lián)劑如低分子量聚碳酸酯、醌、雜環(huán)和甲縮醛以已知方式與兩個(gè)聚苯醚鏈的羥基進(jìn)行反應(yīng)，以生產(chǎn)更高分子量聚合物，條件是保留顯著部分的游離OH基團(tuán)。
對于許多目的特別有用的聚苯醚是包括如下分子的那些含有至少一個(gè)含氨基烷基端基的分子。氨基烷基典型地位于羥基的鄰位。可以由如下方式獲得包含這樣端基的聚合物引入適當(dāng)?shù)牟蛑僖辉啡缍?正丁胺或二甲胺作為氧化偶聯(lián)反應(yīng)混合物的一種組分。同樣通常存在的是4-羥基聯(lián)苯端基，該端基典型地從其中存在副產(chǎn)物二苯酚合苯醌的反應(yīng)混合物獲得，特別是在銅-鹵化物-仲或叔胺體系中。聚合物分子的顯著部分，該部分典型地構(gòu)成多至聚合物的約90wt％，可包含如下的至少一種含氨基烷基和4-羥基聯(lián)苯端基。
顯然的是設(shè)想的聚苯醚包括所有目前已知的那些，而不管結(jié)構(gòu)單元或輔助化學(xué)特征的變化，包括，但不限于均聚物和共聚物熱塑性聚合物、和包括至少一種上述聚苯醚的混合物。共聚物可包括無規(guī)、嵌段或接枝類型。因此，例如，合適的聚苯乙烯包括均聚物，如無定形聚苯乙烯和間同立構(gòu)聚苯乙烯，和包含這些物質(zhì)的共聚物。后者包括高抗沖聚苯乙烯(HIPS)，包括共混物和接枝物的橡膠改性聚苯乙烯類，其中橡膠是聚丁二烯或如下物質(zhì)的橡膠性共聚物約70wt％-約98wt％的苯乙烯和約2wt％-約30wt％的二烯烴單體。同樣包括的是ABS共聚物，它典型地是苯乙烯和丙烯腈在先前形成的二烯聚合物主鏈(如聚丁二烯或聚異戊二烯)上的接枝物。合適的ABS共聚物可以由各種方法生產(chǎn)。
在優(yōu)選的實(shí)施方案中，光學(xué)膜包括熱塑性樹脂和基材包括熱固性樹脂。光學(xué)膜也可以包括熱固性樹脂而基材包括熱塑性樹脂。相似地光學(xué)膜和基材可以包括熱塑性樹脂和熱固性樹脂的混合物和其中光學(xué)膜組合物的至少一種組分不同于基材組合物的至少一種組分。
可以由各種技術(shù)沉積光學(xué)層或膜，該技術(shù)包括氣相沉積(如等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積等)、涂敷(如電沉積涂敷、半月板涂敷、噴涂、擠出涂敷、旋涂、溶液涂敷等)、流延(如擠出流延、溶液流延等)、注塑、膜吹制、壓延等，以及包括至少一種上述技術(shù)的結(jié)合。同時(shí)，基材典型地由擠出、模塑(如注塑、擠出模塑、壓縮模塑等)等，以及包括至少一種上述技術(shù)的結(jié)合制造。
盡管基材典型地是聚碳酸酯材料，清楚地理解基材也可包括以上關(guān)于光學(xué)膜提及的任何塑料。例如，基材可包括熱塑性塑料，其中熱塑性塑料是雙酚A聚碳酸酯、包含如下物質(zhì)的雙酚A和十二碳酸的共聚酯聚碳酸酯7mol％聚酯和93mol％雙酚A聚碳酸酯、39mol％聚苯醚和61mol％聚苯乙烯、1，3-雙(4-羥苯基甲烷)、90mol％雙酚A和10mol％二仲丁基雙酚A、四甲基環(huán)丁二醇和高流動(dòng)聚碳酸酯四-二甲苯基對苯二酚二亞磷酸酯等，以及包括至少一種上述熱塑性塑料的混合物。相似地，光學(xué)層包括含有80wt％間苯二甲酸對苯二甲酸間苯二酚-20wt％聚碳酸酯的熱塑性塑料、苯乙烯丙烯腈、雙酚A聚碳酸酯、包含如下物質(zhì)的雙酚A和十二碳酸的共聚酯聚碳酸酯7mol％聚酯和93mol％雙酚A聚碳酸酯、39mol％聚苯醚和61mol％聚苯乙烯、1，3-雙(4-羥苯基甲烷)、90mol％雙酚A和10mol％二仲丁基雙酚A、四甲基環(huán)丁二醇和高流動(dòng)聚碳酸酯四-二甲苯基對苯二酚二亞磷酸酯等，以及包括至少一種上述熱塑性塑料的混合物。此外，用于這些高密度格式的膜優(yōu)選具有光學(xué)性能如小于或等于約10納米(nm)的平面內(nèi)延遲。膜也具有低厚度非均勻性和表面粗糙度。對于100微米膜，在長于2厘米(cm)的長度刻度下的厚度非均勻性約為小于或等于約2微米和在1毫米(mm)長度刻度下的表面粗糙度約為小于或等于約40nm。
基材可進(jìn)一步包括能量吸收?？梢酝ㄟ^各種方案如通過加入能量吸收組分，或通過涉及各種填料和增強(qiáng)劑的滑動(dòng)機(jī)理達(dá)到阻尼。其中可改進(jìn)阻尼特性的有用材料包括具有高阻尼能力(如大于或等于約0.05的阻尼系數(shù))的彈性材料，如硫化橡膠、丙烯酸類橡膠、硅橡膠、丁二烯橡膠、異丁烯橡膠、聚醚橡膠、異丁烯異戊二烯共聚物和異氰酸酯橡膠、丁腈橡膠、氯丁橡膠、氯磺化聚乙烯、聚硫化物橡膠和氟橡膠、包括聚苯乙烯-聚異戊二烯共聚物的嵌段共聚物如在U.S.專利No.4987194中描述的那些、包括聚氨酯的熱塑性彈性體材料、和包括至少一種上述物質(zhì)的結(jié)合物。振動(dòng)阻尼材料也包括樹脂，其中可以采用大量粒子(如鐵酸鹽、金屬、陶瓷等)、薄片(如滑石、云母等)、和各種纖維(如氧化鋅、硅灰石、碳纖維、玻璃纖維等)、和包括至少一種上述物質(zhì)的混合物。微纖維、原纖、納米管、和晶須、發(fā)泡和蜂窩狀結(jié)構(gòu)也可以是有用的，如上述物質(zhì)的各種結(jié)合物。
除典型地是頂部層的光學(xué)層以外，可以應(yīng)用于基材的其它層可包括一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層、潤滑層、粘合劑層、介電層、反射層、絕緣層、包括至少一種這些層的結(jié)合層等。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層可包括能夠存儲(chǔ)可提取數(shù)據(jù)的任何材料，如光學(xué)層、磁性層，或更優(yōu)選磁-光學(xué)層，厚度小于或等于約600埃，優(yōu)選厚度小于或等于約300埃?？赡艿臄?shù)據(jù)存儲(chǔ)層包括，但不限于，氧化物(如氧化硅氧烷)、稀土元素-過渡金屬合金、鎳、鈷、鉻、鉭、鉑、鋱、釓、鐵、硼、以及包括至少一種上述物質(zhì)的合金和結(jié)合物，和其它物質(zhì)，有機(jī)染料(如花青或酞菁類型染料)、和無機(jī)相變化化合物(如TeSeSn或InAgSb)。優(yōu)選，數(shù)據(jù)層的矯頑磁力大于或等于約1500奧斯特，特別優(yōu)選矯頑磁力大于或等于約3000奧斯特。
通常用作熱控制器的介電層的厚度可典型地至多或超過約1000埃和低至約200埃。在環(huán)境中相容和優(yōu)選不與周圍層反應(yīng)的其它材料中，可能的介電層包括氮化物(如氮化硅、氮化鋁等)、氧化物(如氧化鋁)、碳化物(如碳化硅)，和包括至少一個(gè)上述介電層的結(jié)合層。
反射層應(yīng)當(dāng)具有足夠的厚度以反射足夠數(shù)量的能量以能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)提取。典型地反射層的厚度可以至多和有時(shí)超過約700埃，一般優(yōu)選約300埃-約600埃的厚度?？赡艿姆瓷鋵影軌蚍瓷涮囟芰繄龅娜魏尾牧?，該材料包括金屬(如鋁、銀、金、鈦、和包括至少一種上述材料和其它材料的合金和混合物)?？梢杂筛鞣N技術(shù)如濺射、化學(xué)氣相沉積、電鍍等將反射層沉積在基材上。
非必要地位于光學(xué)層和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層之間，和/或其它層之間的是粘合劑層，該粘合劑層可以，例如，粘合光學(xué)膜到由基材支撐的其它層上。粘合劑層也可用于增強(qiáng)盤的阻尼，及粘合劑的厚度和本質(zhì)確定由層提供的阻尼數(shù)量。粘合劑，它的厚度可以為至多約50微米(μm)，優(yōu)選厚度為約1微米-約30微米，可包括橡膠基或彈性體熱固性塑料，軟質(zhì)熱塑性塑料等。典型的粘合劑是橡膠基或橡膠狀材料，如天然橡膠或硅橡膠或丙烯酸酯聚合物等。非剛性聚合物粘合劑如基于橡膠或丙烯酸類聚合物等的那些具有一些彈性體性能，如柔韌性、耐蠕變性、回彈性、和彈性，和提供有用的阻尼以增強(qiáng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤的讀出質(zhì)量。非剛性聚合物粘合劑的化學(xué)是變化多的，和包括在此描述為彈性體和橡膠、描述為軟質(zhì)熱塑性塑料、和描述為熱塑性彈性體的材料類型聚合物。這樣粘合劑的合適例子包括聚異戊二烯、苯乙烯丁二烯橡膠、乙烯丙烯橡膠、氟乙烯基甲基硅氧烷、氯化異丁烯-異戊二烯、氯丁二烯、氯化聚乙烯、氯磺化聚乙烯、丙烯酸丁酯、發(fā)泡聚苯乙烯、發(fā)泡聚乙烯、發(fā)泡聚丙烯、發(fā)泡聚氨酯、塑化聚氯乙烯、二甲基硅氧烷聚合物、甲基乙烯基硅氧烷、聚醋酸乙烯酯等、以及包括至少一種上述粘合劑的組合物。此層也可包括任何結(jié)合物，該結(jié)合物包括至少一種上述粘合劑。典型地壓敏粘合劑優(yōu)選用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤應(yīng)用。可以由方法如氣相沉積、旋轉(zhuǎn)流延、溶液沉積、注塑、擠塑等將粘合劑層加入到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤。
除數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層，介電層，保護(hù)層和反射層以外，可以采用其它層如潤滑層等。有用的潤滑劑包括氟化合物，特別是氟油和油脂等。
通過控制厚度和/或不匹配光學(xué)層和基材組合物，與沒有光學(xué)層的基材和/或具有匹配光學(xué)層的基材(如其中光學(xué)層包括與基材相同的材料)相比，在此公開的存儲(chǔ)介質(zhì)降低傾斜度。在圖8中說明一些優(yōu)點(diǎn)，該圖顯示徑向偏差中的本質(zhì)降低(即0.50度的偏差)對圖3的不匹配系統(tǒng)(如1.26度的徑向偏差)。注意，圖3和8采用相同的基材與不同的光學(xué)層。在圖3中，數(shù)字1-3涉及包括聚碳酸酯基材和光學(xué)層與位于其間的壓敏粘合劑的樣品，而樣品10，20，30，和40采用聚碳酸酯基材和光學(xué)層與可UV固化粘合劑。
實(shí)施例1在此實(shí)施例(模擬的)中，將雙酚A聚碳酸酯(BPA-PC)保持為基材材料，而將間苯二甲酸對苯二甲酸間苯二酚-聚碳酸酯(ITR-PC80-20)共混物、苯乙烯丙烯腈(SAN 576)或BPA-PC選擇為光學(xué)膜。光學(xué)膜的厚度為約100微米而基材的厚度為1.1毫米，得到0.09的膜對基材厚度比。
在拉伸變形中在室溫下使用Instron拉伸測試機(jī)測量基材和光學(xué)膜剛度兩者。在此定義的聚合物材料的溶脹是當(dāng)在具體溫度下經(jīng)歷100％相對濕度環(huán)境時(shí)，總體干燥材料的體積增長百分比。采用購自TA儀器的TMA2940熱機(jī)械分析儀測量溶脹。將膜在非常低恒定負(fù)荷下安裝和初始保持在干燥氣氛中。當(dāng)將材料曝露于100％相對濕度時(shí)，然后測量在水吸收時(shí)的長度變化。將水應(yīng)變或溶脹取為材料應(yīng)變(除以原始計(jì)量長度的長度變化)。
下表2略述膜對基材的剛度和溶脹比以及不同材料結(jié)合物的徑向傾斜度范圍?？梢郧宄乜闯霎?dāng)選擇用于光學(xué)膜和基材的聚合物材料彼此不同時(shí)，徑向傾斜度范圍比純匹配材料系統(tǒng)更低，其中BPA-PC單獨(dú)用作基材和光學(xué)膜的材料。


一般情況下與匹配的膜/基材系統(tǒng)相比，比基材材料更剛硬和具有更大溶脹(水應(yīng)變)的光學(xué)膜具有更好的性能。
實(shí)施例2在此實(shí)施例中，BPA-PC是用于光學(xué)膜的聚合物材料和不同的聚合物材料用作表2中所示的基材。光學(xué)膜的厚度為約100微米而基材的厚度為1.1毫米，得到0.09的膜對基材厚度比。基材材料列舉如下包含如下物質(zhì)的雙酚A和十二碳酸的共聚酯聚碳酸酯7mol％聚酯和93mol％雙酚A聚碳酸酯(RL-7553)、39mol％聚苯醚和61mol％聚苯乙烯(PPE/PS101)、1，3-雙(4-羥苯基甲烷)(BHPM)、90mol％雙酚A和10mol％二仲丁基雙酚A(BPA二仲丁基BPA)、四甲基環(huán)丁二醇的聚碳酸酯(TMCBD-PC)和BPA-聚碳酸酯與聚碳酸酯四-二甲苯基對苯二酚二亞磷酸酯的共混物(BPA-PC+1wt％TXHQDR)。

在拉伸變形中在室溫下使用Instron拉伸測試機(jī)測量基材和光學(xué)膜剛度兩者。在此定義的聚合物材料的溶脹是當(dāng)在具體溫度下經(jīng)歷100％相對濕度環(huán)境時(shí)，總體干燥材料的體積增長百分比。采用購自TA儀器的TMA2940熱機(jī)械分析儀測量溶脹。將膜在非常低恒定負(fù)荷下安裝和初始保持在干燥氣氛中。當(dāng)將材料曝露于100％相對濕度時(shí)，然后測量在水吸收時(shí)的長度變化。將水應(yīng)變或溶脹取為材料應(yīng)變(除以原始計(jì)量長度的長度變化)。上表3略述膜對基材的剛度和溶脹比以及不同材料結(jié)合物的徑向傾斜度范圍。再次可以清楚地看出當(dāng)用于光學(xué)膜的聚合物材料不同于用于基材的聚合物材料時(shí)，徑向傾斜度范圍顯著降低，它依次允許增強(qiáng)的存儲(chǔ)容量。
實(shí)施例3在此實(shí)施例中，在光學(xué)膜和基材中BPA-PC由下表4中所示的不同材料代替。光學(xué)膜的厚度為約100微米而基材的厚度為1.1毫米，得到0.09的膜對基材厚度比。

在此光學(xué)膜在一種情況下是聚苯乙烯(PS)而1，3-雙(4-羥苯基甲烷)(BHPM)用于其它情況。在兩種情況下39mol％聚苯醚和61mol％聚苯乙烯的共混物用作基材。在拉伸變形中在室溫下使用Instron拉伸測試機(jī)測量基材和光學(xué)膜剛度兩者。在此定義的聚合物材料的溶脹是當(dāng)在具體溫度下經(jīng)歷100％相對濕度環(huán)境時(shí)，總體干燥材料的體積增長百分比。采用購自TA儀器的TMA2940熱機(jī)械分析儀測量溶脹。將膜在非常低恒定負(fù)荷下安裝和初始保持在干燥氣氛中。當(dāng)將材料曝露于100％相對濕度時(shí)，然后測量在水吸收時(shí)的長度變化。將水應(yīng)變或溶脹取為材料應(yīng)變(除以原始計(jì)量長度的長度變化)。上表4略述膜對基材的剛度和溶脹比以及不同材料結(jié)合物的徑向傾斜度范圍。再次可以清楚地看出當(dāng)用于光學(xué)膜的聚合物材料不同于用于基材的聚合物材料時(shí)，徑向傾斜度范圍顯著降低，它依次允許增強(qiáng)的存儲(chǔ)容量。
通過不匹配光學(xué)膜和基材的組合物，和通過非必要地采用基材和光學(xué)膜的不匹配厚度，在此公開的存儲(chǔ)介質(zhì)降低徑向傾斜度。當(dāng)與沒有光學(xué)膜和基材的不匹配組合物的盤相比，不匹配的組合物有助于使能夠?qū)崿F(xiàn)更高的面積密度存儲(chǔ)器(約20Gb或更大)。
盡管參考例示的實(shí)施方案描述本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解可以進(jìn)行各種變化和同等物可以取代其元素而不背離本發(fā)明的范圍。此外，可以進(jìn)行許多改進(jìn)以將特定的解決方案或材料適應(yīng)于本發(fā)明的教導(dǎo)而不背離其必要范圍。因此，希望本發(fā)明不限于公開為設(shè)想有益于進(jìn)行本發(fā)明的最好模式的特定實(shí)施方案，但本發(fā)明包括屬于所附權(quán)利要求范圍的所有實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，包括具有基材(108)組合物和基材(108)厚度的塑料基材(108)；層組合物不同于基材(108)組合物的光學(xué)層(114)；位于其間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(102)；和位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(102)和基材(108)之間的反射層(11)；其中存儲(chǔ)介質(zhì)(5)在55mm半徑下的徑向偏差小于或等于約1.15度。
2.權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中在拉伸變形中在室溫下測量的光學(xué)層(114)對基材(108)的剛度比是約0.5-約5。
3.權(quán)利要求2的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中在拉伸變形中在室溫下測量的剛度比是約0.7-約3。
4.權(quán)利要求3的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中在拉伸變形中在室溫下測量的剛度比是約1.25-約2.5。
5.權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中光學(xué)層(114)對基材(108)的溶脹比是約0.5-約5.0。
6.權(quán)利要求5的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中溶脹比是約0.75-約3.0。
7.權(quán)利要求6的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中溶脹比是約1.0-約2.5。
8.權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中光學(xué)層(114)的層厚度大于或等于基材(108)厚度的約20％。
9.權(quán)利要求8的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中層厚度是基材(108)厚度的約20％-約40％。
10.權(quán)利要求9的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中層厚度是基材(108)厚度的約25％-約35％。
11.權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中光學(xué)層(114)的層厚度為約0.2微米-約0.6mm。
12.權(quán)利要求11的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中層厚度為約0.2微米-約120微米。
13.權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中基材(108)厚度為約0.3mm-約2.5mm。
14.權(quán)利要求13的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中基材(108)厚度為約0.6mm-約2.0mm。
15.權(quán)利要求14的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中基材(108)厚度為約1.1mm-約1.5mm。
16.權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中光學(xué)層(114)具有層厚度，層厚度對基材(108)厚度的厚度比是約0.001-小于1。
17.權(quán)利要求16的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中厚度比是約0.005-小于0.5。
18.權(quán)利要求17的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中厚度比是約0.025-小于0.1。
19.權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中層組合物和基材(108)組合物是各自選自如下的塑料熱塑性塑料、熱固性塑料、和包括至少一種上述塑料的均聚物、共聚物、反應(yīng)產(chǎn)物、和結(jié)合物。
20.權(quán)利要求19的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中熱塑性塑料選自聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯和聚丙烯的共聚物、氯化聚乙烯、聚氯乙烯、聚甲基戊烷、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚偏二氯乙烯、聚四氟乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚醋酸乙烯酯、二烯烴衍生聚合物和共聚物、聚丁二烯、聚異戊二烯、烯屬不飽和羧酸的聚合物、包含烯屬不飽和羧酸的聚合物的官能衍生物、丙烯酸類聚合物、聚(丙烯酸烷基酯)、聚(甲基丙烯酸烷基酯)、聚丙烯酰胺、聚丙烯腈、聚丙烯酸、烯基芳族聚合物、聚苯乙烯、聚-α甲基苯乙烯、氫化聚苯乙烯、間同立構(gòu)和無規(guī)立構(gòu)聚苯乙烯、聚環(huán)己基乙烯、苯乙烯-共-丙烯腈、苯乙烯-共-馬來酸酐、聚乙烯基甲苯、橡膠改性聚苯乙烯、聚酰胺、尼龍-6、尼龍-66、尼龍-11、和尼龍-12、聚縮醛、聚酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯、聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、高熱聚碳酸酯、聚醚、聚亞芳基醚、衍生自2，6-二甲基苯酚的聚苯醚和含有2，3，6-三甲基苯酚的共聚物、聚醚砜、聚醚醚砜、聚醚酮、聚醚醚酮、和聚醚酰亞胺、聚亞芳基硫化物、聚砜、和聚硫化物砜、液晶聚合物和包括至少一種上述熱塑性塑料的均聚物、共聚物、反應(yīng)產(chǎn)物、結(jié)合物和復(fù)合材料，其中熱固性樹脂選自環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、醇酸樹脂、聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、礦物質(zhì)填充硅氧烷、雙馬來酰亞胺、氰酸酯、多官能烯丙基類化合物、丙烯酸類樹脂、醇酸樹脂、苯酚甲醛樹脂、線性酚醛清漆樹脂、甲階酚醛樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、蜜胺甲醛樹脂、脲甲醛樹脂、苯開環(huán)丁烷、羥基甲基呋喃、異氰酸酯、苯并環(huán)丁烯樹脂、和包括至少一種上述熱固性樹脂的均聚物、共聚物、反應(yīng)產(chǎn)物、結(jié)合物和復(fù)合材料。
21.權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中徑向偏差小于或等于約1.0度。
22.權(quán)利要求21的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中徑向偏差小于或等于約0.7度。
23.權(quán)利要求22的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中徑向偏差小于或等于約0.5度。
24.權(quán)利要求23的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中徑向偏差小于或等于約0.25度。
25.一種存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，包括具有基材(108)組合物和基材(108)厚度的塑料基材(108)；具有層組合物和層厚度的光學(xué)層(114)，其中層厚度不同于基材(108)厚度和層組合物不同于基材(108)組合物；位于其間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(102)；和位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(102)和基材(108)之間的反射層(11)；其中存儲(chǔ)介質(zhì)(5)在55mm半徑下的徑向偏差小于或等于約1.15度。
26.權(quán)利要求25的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中在拉伸變形中在室溫下測量的光學(xué)層(114)對基材(108)的剛度比是約0.5-約5。
27.權(quán)利要求26的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中在拉伸變形中在室溫下測量的剛度比是約0.7-約3。
28.權(quán)利要求27的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中在拉伸變形中在室溫下測量的剛度比是約1.25-約2.5。
29.權(quán)利要求25的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中光學(xué)層(114)對基材(108)的溶脹比是約0.5-約5.0。
30.權(quán)利要求29的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中溶脹比是約0.75-約3.0。
31.權(quán)利要求30的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中溶脹比是約1.0-約2.5。
32.權(quán)利要求25的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中光學(xué)層(114)的層厚度大于或等于基材(108)厚度的約20％。
33.權(quán)利要求32的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中層厚度是基材(108)厚度的約20％-約40％。
34.權(quán)利要求33的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中層厚度是基材(108)厚度的約25％-約35％。
35.權(quán)利要求34的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中層組合物和基材(108)組合物是各自選自如下的塑料熱塑性塑料、熱固性塑料、和包括至少一種上述塑料的均聚物、共聚物、反應(yīng)產(chǎn)物、和結(jié)合物。
36.權(quán)利要求25的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中徑向偏差小于或等于約1.0度。
37.權(quán)利要求36的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中徑向偏差小于或等于約0.7度。
38.權(quán)利要求37的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中徑向偏差小于或等于約0.5度。
39.權(quán)利要求38的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中徑向偏差小于或等于約0.25度。
40.一種存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，包括具有基材(108)組合物和基材(108)厚度的塑料基材(108)；層組合物不同于基材(108)組合物的光學(xué)層(114)；位于其間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(102)；和位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(102)和基材(108)之間的反射層(11)；其中存儲(chǔ)介質(zhì)(5)在55mm半徑下的徑向偏差小于或等于約1.15度，在拉伸變形中在室溫下測量的光學(xué)層(114)對基材(108)的剛度比是約0.5-約5，光學(xué)層(114)對基材(108)的溶脹比是約0.5-約5.0。
41.權(quán)利要求40的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中在拉伸變形中在室溫下測量的剛度比是約0.7-約3。
42.權(quán)利要求41的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中在拉伸變形中在室溫下測量的剛度比是約1.25-約2.5。
43.權(quán)利要求40的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中溶脹比是約0.75-約3.0。
44.權(quán)利要求43的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)，其中溶脹比是約1.0-約2.5。
全文摘要
公開了在55mm半徑下的徑向偏差小于或等于約1.15度的存儲(chǔ)介質(zhì)(5)。在一個(gè)實(shí)施方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)(5)包括塑料基材(108)，光學(xué)層(114)和位于其間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(102)。反射層(11)位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(102)和基材(108)之間。
文檔編號G11B7/09GK1620690SQ02828110
公開日2005年5月25日 申請日期2002年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月18日
發(fā)明者格蘭特·海, 阿扎爾·阿里扎德, 威特·布什沃, 艾琳·德里斯, 托馬斯·費(fèi)斯特 申請人:通用電氣公司