專(zhuān)利名稱(chēng)：用于mram導(dǎo)線(xiàn)的覆層材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。更特別地是，本發(fā)明涉及一種應(yīng)用磁場(chǎng)的半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件(semiconductor random accessmemory)制造方法的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
磁存儲(chǔ)器件具有這樣的結(jié)構(gòu)，其包括由一非磁性層分隔開(kāi)的多個(gè)鐵磁性層。信息以磁性層磁化矢量方向的形式儲(chǔ)存。例如，在某一磁性層中磁化矢量是被磁固定或釘扎的，而另一磁性層的磁化方向可以在相同方向和相反方向(分別稱(chēng)之為“平行”和“反平行”狀態(tài))之間自由切換。對(duì)應(yīng)于平行和反平行狀態(tài)，磁存儲(chǔ)器件表現(xiàn)出兩種不同的阻值。當(dāng)兩個(gè)磁性層的磁化矢量大體上指向相同或相反方向時(shí)，阻值分別對(duì)應(yīng)最小值和最大值。相應(yīng)地，通過(guò)對(duì)阻值變化的檢測(cè)，磁存儲(chǔ)器件就可以再現(xiàn)儲(chǔ)存的信息。
在磁致電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(后面稱(chēng)之為“MRAM”)器件中，存儲(chǔ)單元通過(guò)由載流導(dǎo)體(如銅互連(interconnect))感應(yīng)的磁場(chǎng)進(jìn)行編程(programmed)。一般地，利用兩條互連，一條位于MRAM的上方(一般稱(chēng)之為“位線(xiàn)”)，另一條位于MRAM的下方(一般稱(chēng)之為“字線(xiàn)”)。由于這些連線(xiàn)的名字和位置在不同的應(yīng)用場(chǎng)合可能不同，后面將利用“導(dǎo)線(xiàn)或多條導(dǎo)線(xiàn)”來(lái)泛泛表示任一或兩條連線(xiàn)。電導(dǎo)線(xiàn)的目的是用來(lái)產(chǎn)生磁場(chǎng)以對(duì)MRAM器件進(jìn)行編程。
現(xiàn)有用于制造MRAM器件中導(dǎo)線(xiàn)的半導(dǎo)體工藝中存在的一個(gè)問(wèn)題是它包括了大量昂貴和復(fù)雜的真空沉積工具和復(fù)雜的工藝步驟，提高了制造周期時(shí)間和費(fèi)用。例如，形成導(dǎo)線(xiàn)的優(yōu)選方法是通過(guò)金屬鑲嵌(damascene)或鑲嵌工藝形成銅的互連，其中導(dǎo)線(xiàn)一般是利用磁通集中層覆蓋。磁通集中層的作用是將環(huán)繞導(dǎo)線(xiàn)的磁場(chǎng)集中到MRAM單元或位，隨后，使所需的編程電流減小到約二分之一。然而，在形成磁通集中材料的步驟中需要利用幾種真空沉積和蝕刻工具，以及感光層。例如，典型地利用反應(yīng)性離子蝕刻(后面稱(chēng)之為“RIE”)從不需要的區(qū)域除去蒸鍍層(evaporated layer)。不幸地是，RIE可能造成對(duì)鍍層的過(guò)度蝕刻，這有可能造成短路。同樣，感光層也是器件制造中花費(fèi)比較大的步驟，所以利用替代工藝可以減少費(fèi)用。
這將是高度有利的，從而可以彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)上述和其它的固有不足。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上面列舉以及其它的目的和好處，本發(fā)明公開(kāi)了一種用于MRAM器件的磁通集中區(qū)域的改進(jìn)制造方法。該方法包括通過(guò)電化學(xué)沉積方法形成位于導(dǎo)線(xiàn)上的磁通集中區(qū)域。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)線(xiàn)包括導(dǎo)電材料，比如銅、鋁或類(lèi)似金屬。制造磁通集中層的新方法包括將導(dǎo)線(xiàn)浸入到一種含有比導(dǎo)線(xiàn)組成金屬更惰性的金屬的溶解金屬離子的槽(bath)中。例如，如果是銅導(dǎo)線(xiàn)，所述槽可以由鈀、鉑、釕或銠組成。因?yàn)槿芙獾慕饘匐x子比導(dǎo)線(xiàn)金屬更惰性，所以只在導(dǎo)線(xiàn)層，而不會(huì)在其它地方進(jìn)行一種已知的稱(chēng)為置換鍍的工藝。該工藝在導(dǎo)線(xiàn)上形成一阻擋層。隨后將阻擋層浸入到化學(xué)鍍(electrolesslyplating)的鍍槽中以在阻擋層上形成磁通集中層。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，磁通集中層包括NiFe，但也可以利用其它的化學(xué)鍍磁性材料。
在一個(gè)額外的、可選擇的工藝步驟中，磁通集中層浸入到含有溶解金屬離子的第二置換鍍槽中。第二鍍槽中的溶解金屬離子通過(guò)置換鍍?cè)诖磐袑由闲纬傻诙钃鯇印５谝蛔钃鯇?、磁通集中層和第二阻擋層共同形成鍍層或磁通集中區(qū)，用以增加臨近導(dǎo)電的位線(xiàn)和字線(xiàn)附近的磁場(chǎng)。同樣，第一外層、磁通集中層和第二阻擋層的厚度可以通過(guò)在不同鍍槽中的沉浸時(shí)間來(lái)控制。


通過(guò)結(jié)合下面插圖的一個(gè)具體實(shí)施例的細(xì)節(jié)說(shuō)明，當(dāng)前發(fā)明的上述和更多更特殊的目的和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員將容易變得清晰。
圖1到圖5是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明制造具有鑲嵌導(dǎo)電位線(xiàn)的磁致電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件的一種方法中幾個(gè)步驟的簡(jiǎn)化截面圖；以及圖6到圖10是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明制造具有自對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)電位線(xiàn)的磁致電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件的一種方法中幾個(gè)步驟的簡(jiǎn)化截面圖。
具體實(shí)施例方式
為了說(shuō)明在MRAM器件導(dǎo)線(xiàn)上形成鍍層材料的優(yōu)選方法，幾種與MRAM器件磁接近的鍍層導(dǎo)線(xiàn)的具體實(shí)施例將結(jié)合附圖進(jìn)行討論。現(xiàn)在翻到圖1至圖5，示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明制造具有鍍層導(dǎo)線(xiàn)的MRAM器件10的幾個(gè)連續(xù)步驟。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)線(xiàn)包括銅導(dǎo)線(xiàn)。然而，可以理解地是導(dǎo)線(xiàn)可以包括其它導(dǎo)電材料，如鋁、鎢、鈦，以及它們的疊層，其中，制造步驟或材料一般可以有細(xì)微的不同。
特別參考圖1，對(duì)MRAM器件10中導(dǎo)線(xiàn)的制造工藝的第一步進(jìn)行了說(shuō)明?？梢岳斫獾厥沁@是一個(gè)簡(jiǎn)化示意圖，通常只顯示感興趣的區(qū)域，特別是導(dǎo)線(xiàn)部分。同樣，為了便于討論，與MRAM器件10電接觸的導(dǎo)線(xiàn)的制造參考圖1至5進(jìn)行討論。然而，應(yīng)當(dāng)理解為根據(jù)本公開(kāi)同樣可以預(yù)計(jì)到可形成與MRAM器件相鄰而不發(fā)生電連接的導(dǎo)電位線(xiàn)。
并且，在這個(gè)特定具體實(shí)施例中，MRAM器件10是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的根據(jù)本領(lǐng)域公知經(jīng)驗(yàn)所形成的MRAM位或單元。當(dāng)這里為了方便對(duì)標(biāo)準(zhǔn)MRAM位進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解為許多其它類(lèi)型的存儲(chǔ)器件也可以利用。同樣，當(dāng)這里為了方便對(duì)單個(gè)MRAM位進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解地是，其也可以為形成器件的一個(gè)完整陣列或磁存儲(chǔ)位陣列外圍的控制/驅(qū)動(dòng)電路。
一個(gè)典型的形成在MRAM器件10附近的鑲嵌導(dǎo)線(xiàn)一般合并有下列步驟。在MRAM器件10和任何外圍材料的表面形成介質(zhì)層12。在某些特定的具體實(shí)施例中，也可以在制造MRAM器件10的過(guò)程中圍繞MRAM器件10形成層12。一種氮化物(任何氮化物，如金屬氮化物)層14位于層12上方，并且一般作為蝕刻停止層(etch stoplayer)。第二氧化物層16在氮化物層14上形成。然后以任何公知的工藝形成溝槽，穿過(guò)層12、14和16，并與MRAM器件10對(duì)準(zhǔn)。一個(gè)薄的阻擋層18，由鉭、氮化鉭等組成，在溝槽的表面沉積，并圍繞著層12、14和16。一個(gè)薄的銅籽晶層(圖上未示出)在阻擋層18的上面沉積。為了方便，阻擋層18一般稱(chēng)之為阻擋/銅籽晶層。然后，一個(gè)厚的銅層20通過(guò)電鍍?cè)谧钃?銅籽晶層18之上形成。銅層20和阻擋/銅籽晶層18，通過(guò)任何已知的工藝(如化學(xué)機(jī)械拋光或類(lèi)似工藝)部分地除去，氧化層16通過(guò)蝕刻除去(氮化物層14在蝕刻工藝中可以被或不被除去)，以得到導(dǎo)線(xiàn)22，如圖2所示。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)線(xiàn)22包括銅，但可以理解地是它可以包括其它導(dǎo)電材料，如鋁、鎢等。然而，在現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝中，本領(lǐng)域眾所周知，銅一般用來(lái)形成導(dǎo)電的互連。相應(yīng)地，這里描述的方法試圖既應(yīng)用于銅鑲嵌工藝，又應(yīng)用于其它金屬鑲嵌或非鑲嵌工藝，其中材料和制造步驟相應(yīng)地根據(jù)選擇的金屬工藝進(jìn)行調(diào)整。關(guān)于對(duì)MRAM裝置進(jìn)行覆層的更多信息可以在美國(guó)專(zhuān)利US 6,211,090中找到，其標(biāo)題為“制造用于磁致電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件的磁通集中層的方法”，公布日為2001年4月3日，這里將其合并過(guò)來(lái)作為參考。
現(xiàn)在翻到圖3，如下所示，第一阻擋層25在導(dǎo)線(xiàn)22上形成。將導(dǎo)線(xiàn)22浸入到含有一種選擇金屬溶解離子的槽中，以形成阻擋層25，厚度足夠提供好的阻擋特性。金屬離子槽中的溶解離子比導(dǎo)線(xiàn)中含有的金屬還要惰性，從而發(fā)生置換鍍反應(yīng)。在第一槽中的合適離子包括鉑、鈀、釕或銠，但其它金屬也可以利用，取決于導(dǎo)線(xiàn)的組成。阻擋層25的厚度一般通過(guò)改變導(dǎo)線(xiàn)浸入到金屬離子槽中的時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制。阻擋層25作為一個(gè)擴(kuò)散勢(shì)壘區(qū)以快速擴(kuò)散元素，如銅和鎳鐵合金。
再參考圖4，將阻擋層25浸入到化學(xué)鍍槽中以形成磁通集中層27，厚度足夠提供好的磁通集中特性。并且，一般通過(guò)改變阻擋層25浸入到化學(xué)鍍槽中的時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制磁通集中層27的厚度。磁通集中層27由高磁導(dǎo)率的磁性材料形成，具有將流過(guò)導(dǎo)線(xiàn)22的電流產(chǎn)生的磁通量集中的特性，從而可以減少產(chǎn)生所需動(dòng)作所需要的電流量。化學(xué)鍍槽中可以，包括例如Ni/B、Ni/P、Co/P、Fe/Ni/P、Fe/Ni/B、Ni/Fe/B/P、Ni/Fe/Co/P中的一種或多種，但應(yīng)該理解為在特定應(yīng)用場(chǎng)合也可以利用其它材料體系。磁通集中層27也可以是導(dǎo)電的磁性材料，例如鎳鐵合金，或其它任何合適的具有足夠高磁導(dǎo)率的材料，以將磁通集中在所需的區(qū)域，并且在冶金學(xué)上與其余的材料結(jié)構(gòu)兼容。
再參考圖5，將磁通集中層27浸入到含有第二金屬溶解離子的第二槽中以形成第二阻擋層29，用于第二槽中的合適金屬離子包括鉑、鈀、釕或銠，但可以理解地是其它材料也可以利用。改變磁通集中層27浸入到第二金屬離子槽中的時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制第二阻擋層29的厚度?？梢岳斫獾厥?，在某些具體實(shí)施例中，阻擋層29的形成可能不是必需的，它只是為了說(shuō)明的目的包括在優(yōu)選的具體實(shí)施例中。
阻擋層25、磁通集中層27和阻擋層29共同形成覆層區(qū)域30。覆層區(qū)域?qū)尤缟纤?，是通過(guò)沉浸或化學(xué)鍍沉積形成的，將需要形成圖案的部分除去，并對(duì)覆層材料進(jìn)行蝕刻。除去圖案和蝕刻的步驟充分改善了工藝(例如，簡(jiǎn)化工藝步驟、減少費(fèi)用和縮短周期時(shí)間等)，以及制造出更可靠的產(chǎn)品(例如，不需要面對(duì)短路或類(lèi)似的問(wèn)題)。
現(xiàn)在翻到圖6至10，對(duì)根據(jù)本發(fā)明，與導(dǎo)線(xiàn)相鄰的自對(duì)準(zhǔn)磁通集中區(qū)的制造工藝進(jìn)行了說(shuō)明。特別是參考圖6，一個(gè)MRAM單元或器件40以任何公知的方式形成，并且至少部分地封裝在材料42中，以提供一個(gè)光滑的上表面4l。介質(zhì)材料(如氧化物、氮化物等)層44在上表面41上沉積，并且形成圖案，以提供一個(gè)溝槽與MRAM器件40進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。側(cè)壁間隔(sidewall spacers)45以任何公知的方法(參見(jiàn)例如美國(guó)專(zhuān)利US 5,940,319，包括在這里作為參考)在溝槽中形成。在本具體實(shí)施例中，間隔45由覆層或磁通集中材料、以及阻擋層(可選)形成，這將幫助將磁通集中或?qū)虻組RAM器件40。然后在溝槽內(nèi)填上導(dǎo)電材料，如銅、鈦、鋁等，以形成導(dǎo)線(xiàn)47。
再參考圖7，將導(dǎo)線(xiàn)47浸入到一種含有選擇金屬溶解離子的槽中以形成阻擋層49。如上面解釋的，金屬離子槽中包括比導(dǎo)線(xiàn)47中金屬(如銅)更惰性的金屬，從而發(fā)生置換鍍反應(yīng)。在第一槽中的合適金屬離子包括鉑、鈀、釕或銠，但其它材料也可以利用，取決于導(dǎo)線(xiàn)47的組成。阻擋層49的厚度一般通過(guò)改變導(dǎo)線(xiàn)47浸入到金屬離子槽中的時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制。阻擋層49作為一個(gè)擴(kuò)散勢(shì)壘區(qū)以快速擴(kuò)散元素，如銅和鎳鐵合金。這里應(yīng)當(dāng)注意的是，置換鍍反應(yīng)只發(fā)生在與導(dǎo)線(xiàn)47相鄰的地方，從而，阻擋層49與導(dǎo)線(xiàn)47是自對(duì)準(zhǔn)的。
再參考圖8，將阻擋層49浸入到化學(xué)鍍槽中以形成磁通集中層50，厚度足夠提供好的磁通集中特性。并且，一般通過(guò)改變阻擋層49浸入到化學(xué)鍍槽中的時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制磁通集中層50的厚度。磁通集中層50由高磁導(dǎo)率的磁性材料形成，具有將流過(guò)導(dǎo)線(xiàn)47的電流產(chǎn)生的磁通量集中的特性，從而可以減少產(chǎn)生所需動(dòng)作所需要的電流量?；瘜W(xué)鍍槽中可以，例如包括Ni/B、Ni/P、Co/P、Fe/Ni/P、Fe/Ni/B、Ni/Fe/B/P、Ni/Fe/Co/P中的一種或多種，但應(yīng)該理解為在特定應(yīng)用場(chǎng)合也可以利用其它的材料體系。磁通集中層50也可以是導(dǎo)電的磁性材料，例如鎳鐵合金，或其它任何合適的具有足夠高磁導(dǎo)率的材料，以將磁通集中在所需的區(qū)域，并且在冶金學(xué)上與其余的材料結(jié)構(gòu)兼容。再次應(yīng)當(dāng)應(yīng)注意的是，置換鍍反應(yīng)只發(fā)生在與阻擋層49相鄰的地方，從而，磁通集中層50與阻擋層49及導(dǎo)線(xiàn)47是自對(duì)準(zhǔn)的。
再參考圖9，將磁通集中層50浸入到含有第二金屬溶解離子的第二槽中以形成第二阻擋層52，用于第二槽中的合適金屬離子包括鉑、鈀、釕或銠，但可以理解地是其它材料也可以利用。改變磁通集中層50浸入到第二金屬離子槽中的時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制第二阻擋層52的厚度?？梢岳斫獾厥?，在某些具體實(shí)施例中，阻擋層52的形成可能不是必需的，它只是為了說(shuō)明的目的包括在優(yōu)選的具體實(shí)施例中。阻擋層49、磁通集中層50和阻擋層52一般稱(chēng)之為覆層區(qū)域55。
現(xiàn)在翻到圖10，介質(zhì)材料層60(如氧化物、氮化物等)在層44上、在鍍層區(qū)域55的周?chē)练e。這里應(yīng)當(dāng)理解的是，層60可以在覆層區(qū)域55形成之前沉積并形成圖案，或者也可以如上所述的在其之后沉積，這取決于特定的應(yīng)用場(chǎng)合，以及該結(jié)構(gòu)其它部分所利用的工藝。在某些工藝中，例如，磁通集中層50和阻擋層52可以稍微延伸出以前所形成的層(如，分別為阻擋層49和磁通集中層50)的邊緣。當(dāng)該額外的材料不合需要時(shí)，(例如，由于相鄰元件或MRAM裝置)，經(jīng)由層60的使用的形成過(guò)程將受到限制。
因此，在圖5制造覆層區(qū)域30和圖10制造覆層區(qū)域55的方法中包括了利用電化學(xué)沉積的方法，如沉浸或化學(xué)鍍，以形成必需層。電化學(xué)沉積改善了制造工序，因?yàn)樗∪チ烁泄鈱印亩?，?jiǎn)化了工藝步驟，降低了費(fèi)用。無(wú)論怎樣，通過(guò)利用電化學(xué)沉積以形成覆層區(qū)域30和55，不需要光化學(xué)步驟，制造裝置的周期時(shí)間也縮短了。同樣，通過(guò)利用電化學(xué)沉積，還可以避免與利用消去法形成圖案相關(guān)的短路問(wèn)題，也可以減少費(fèi)用昂貴的感光層的數(shù)目。
對(duì)于本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，對(duì)這里所選擇用來(lái)說(shuō)明的具體實(shí)施例進(jìn)行各種改變和修改是很容易地。在這個(gè)意義上來(lái)說(shuō)，這樣的修改和變動(dòng)并不違背本發(fā)明的精神，它們確定為包括在其范圍之內(nèi)，并只有通過(guò)后面的權(quán)利要求的合理解釋來(lái)進(jìn)行限定。
權(quán)利要求
1.一種制造用于磁致電阻存儲(chǔ)器件的覆層區(qū)域的方法，包括下列步驟提供一種由導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)線(xiàn)，該導(dǎo)線(xiàn)位于與磁致電阻存儲(chǔ)器件相鄰的位置；利用第一電化學(xué)沉積槽在導(dǎo)電互連上形成第一阻擋層；利用第二電化學(xué)沉積槽在第一阻擋層上形成磁通集中層。
2.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于還包括利用第三電化學(xué)沉積槽在磁通集中層上形成第二阻擋層的步驟。
3.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于利用第一和第二電化學(xué)沉積的步驟中分別包括利用沉浸和化學(xué)鍍中的一種工藝。
4.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于利用第一電化學(xué)沉積的步驟中包括利用置換鍍的工藝。
5.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于利用第一電化學(xué)沉積槽以形成第一阻擋層的步驟中包括在第一沉浸槽采用鉑、鈀、釕、銠、錸、銥，以及其它適合的比導(dǎo)線(xiàn)中材料更惰性的材料中的一種。
6.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于利用第二電化學(xué)沉積槽以形成磁通集中層的步驟中包括利用一個(gè)化學(xué)鍍槽，其中化學(xué)鍍槽包括Ni/B、Ni/P、Co/P、Fe/Ni/P、Fe/Ni/B、Ni/Fe/Co/P、Ni/Fe/B/P中的一種。
7.一種如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于利用第三電化學(xué)沉積槽以形成第二外阻擋層的步驟中包括在第二沉浸槽中包括鉑、鈀、釕、銠、錸、銥，以及其它適合的比磁通集中層中材料更惰性的材料中的一種。
8.一種制造用于磁致電阻存儲(chǔ)器件的覆層區(qū)域的方法，包括下列步驟提供一種由導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)線(xiàn)，該導(dǎo)線(xiàn)位于與磁致電阻存儲(chǔ)器件相鄰的位置；利用置換鍍?cè)趯?dǎo)線(xiàn)上形成第一阻擋層；利用一個(gè)化學(xué)鍍沉積槽在第一阻擋層上形成磁通集中層；以及利用置換鍍?cè)诖磐袑由闲纬傻诙钃鯇印?br> 9.一種制造用于磁致電阻存儲(chǔ)器件的覆層區(qū)域的方法，包括下列步驟形成一個(gè)具有表面的磁致電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件；形成一個(gè)介電層，覆在磁致電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件之上；形成一個(gè)溝槽，該溝槽穿過(guò)介電層并與磁致電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件相鄰；在溝槽中形成由鍍層材料，或鍍層材料與阻擋材料的組合兩者之一組成的側(cè)壁間隔；用側(cè)壁間隔層在溝槽中形成由導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)線(xiàn)，使導(dǎo)線(xiàn)的上表面暴露；將暴露的導(dǎo)線(xiàn)上表面浸入含有第一導(dǎo)電材料溶解離子的第一離子槽中一段時(shí)間，以在暴露的導(dǎo)線(xiàn)上表面上形成第一阻擋層；以及將第一阻擋層浸入到化學(xué)鍍槽中一段時(shí)間，以在第一阻擋層上形成一磁通集中層。
10.一種如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于還包括將磁通集中層浸入到含有第二導(dǎo)電材料溶解離子的第二離子槽中一段時(shí)間，以在磁通集中層上形成第二阻擋層。
11.一種如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于利用將暴露的導(dǎo)線(xiàn)上表面浸入到第一離子槽的步驟中包括在第一槽中采用鉑、鈀、釕、銠、錸、銥，以及其它適合的比導(dǎo)電位線(xiàn)中材料更惰性的材料中的一種。
12.一種如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于化學(xué)鍍槽包括Ni/B、Ni/P、Co/P、Fe/Ni/P、Fe/Ni/B、Ni/Fe/Co/P和Ni/Fe/B/P中的一種。
13.一種如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于將磁通集中層浸入到第二離子槽的步驟中包括在第二槽中采用鉑、鈀、釕、銠、錸、銥，以及其它適合的比磁通集中層中材料更惰性的材料中的一種。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于MRAM裝置中的覆層區(qū)域的制造方法，包括在磁致電阻存儲(chǔ)器件40的附近形成導(dǎo)電位線(xiàn)47。將導(dǎo)電位線(xiàn)浸入到含有第一導(dǎo)電材料溶解離子的第一槽中一段時(shí)間，足夠在導(dǎo)線(xiàn)上通過(guò)置換鍍形成第一阻擋層。隨后，將第一阻擋層浸入到一個(gè)化學(xué)鍍槽中以在第一阻擋層上形成磁通集中層50。將磁通集中層浸入到含有第二導(dǎo)電材料溶解離子的第二槽中一段時(shí)間，足夠在磁通集中層上通過(guò)置換鍍形成第二阻擋層52。
文檔編號(hào)G11C11/16GK1781156SQ03805492
公開(kāi)日2006年5月31日 申請(qǐng)日期2003年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月8日
發(fā)明者杰伊奈爾·A·莫拉, 約翰·德索, 凱利·開(kāi)勒, 布拉德利·N·恩格, 格利高里·W·格恩克維奇, 尼古拉斯·D·拉佐 申請(qǐng)人:摩托羅拉公司