專利名稱：薄膜磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種安裝在磁盤驅(qū)動器上的薄膜磁頭，并且更具體地說，涉及一種具有浮動高度調(diào)節(jié)性能的薄膜磁頭。
背景技術(shù)：
磁盤驅(qū)動器包括旋轉(zhuǎn)磁盤、和由懸架支撐并且定位在磁盤的徑向方向上的薄膜磁頭。磁頭在磁盤上方相對行駛的同時，從磁盤讀出和向其寫入磁性數(shù)據(jù)。磁頭的滑塊設(shè)計成，通過空氣潤滑承載也就是空氣楔膜效應(yīng)的幫助而浮動，從而滑塊不與磁盤進行直接接觸。為了實現(xiàn)磁盤驅(qū)動器的較高記錄密度，并由此增大容量和減小其尺寸，有效的是，通過減小在滑塊與磁盤之間的距離即滑塊的浮動高度來增大線記錄密度。
滑塊浮動高度的傳統(tǒng)設(shè)計允許由加工變化、使用環(huán)境的溫度差、在讀與寫之間的浮動高度差等導(dǎo)致的浮動高度減小，并且已經(jīng)設(shè)有浮動高度余量，以便甚至在最壞情況下防止滑塊與磁盤之間的接觸。如果使用具有根據(jù)用于每個薄膜磁頭的使用條件而調(diào)節(jié)浮動高度的性能的滑塊，則有可能消除上述余量，并由此顯著減小讀/寫元件的浮動高度，同時防止滑塊與盤之間的接觸。專利文件1提供一種滑塊結(jié)構(gòu)，在該滑塊結(jié)構(gòu)中，由薄膜電阻性元件制成的加熱器提供在寫元件和讀元件的附近，如有需要則加熱滑塊的部分以便為了突出而熱膨脹，從而調(diào)節(jié)在寫元件和讀元件與磁性記錄介質(zhì)之間的距離。
然而，如果提供加熱器以調(diào)節(jié)浮動高度，那么在讀和寫元件中的線數(shù)和布置在磁頭的后端面上的終端數(shù)量將增大。連接到終端的懸架上的線數(shù)也增大，因而使線之間的每個空隙變窄。這在寫入期間造成從寫元件線到讀元件線的交擾問題。為了解決交擾問題，專利文件2公開了幾種結(jié)構(gòu)，在這些結(jié)構(gòu)中讀元件線布置成放在懸架上的加熱器線之間；并且加熱器線布置在懸架上的寫元件線與讀元件線之間。
日本專利公開No.2004-342151[專利文件2]日本專利公開No.2004-192742發(fā)明內(nèi)容薄膜磁頭在其后端面上設(shè)有六個終端兩個寫元件終端、兩個讀元件終端、一個加熱器終端及一個接地終端。接地終端連接到來自滑塊的接地導(dǎo)線(或地線)、讀元件的兩個電極的地線、上部和下部磁屏蔽的地線、寫元件的上部和下部磁極片的地線及加熱器的地線。以這種方式，由于靠近接地導(dǎo)線的線擁擠，所以如果外來噪聲施加到滑塊的接地導(dǎo)線上，那么交擾噪聲可能出現(xiàn)在讀元件的引導(dǎo)導(dǎo)線、電極的地線、上部和下部磁屏蔽的地線、及寫元件的上部和下部磁極片的地線中。外來噪聲包含由用于磁盤等的主軸電機引起的噪聲。由于交擾噪聲對于讀元件和寫元件具有不利影響，所以必須盡可能多地減小交擾噪聲。
本發(fā)明的目的是，減小在薄膜磁頭的接地導(dǎo)線與讀元件的引導(dǎo)導(dǎo)線之間的交擾。
本發(fā)明的一種典型薄膜磁頭包括薄膜磁頭部分，形成在滑塊的尾端面上，并且具有加熱器、讀元件、寫元件、及覆蓋加熱器、讀元件和寫元件的保護膜；共用終端，提供在靠近薄膜磁頭部分的磁道橫向中央部分的位置處；讀元件終端、寫元件終端、加熱器終端及接地終端，提供在薄膜磁頭部分的端面上，加熱器終端和接地終端提供在讀元件終端和寫元件終端的兩側(cè)上；其中，讀元件的地線和寫元件的地線連接到共用終端上，并且共用終端的地線、滑塊的地線及加熱器的地線連接到接地終端上。
根據(jù)本發(fā)明，可減小在薄膜磁頭的地線或接地導(dǎo)線與讀元件的引線之間的交擾，以及可減少在薄膜磁頭的接地導(dǎo)線與讀和寫元件的地線之間的交擾。


圖1是示意圖，表明根據(jù)本發(fā)明實施例的一種薄膜磁頭(GMR)的布線結(jié)構(gòu)。
圖2是示意圖，表明根據(jù)本發(fā)明實施例的一種薄膜磁頭(TMR)的布線結(jié)構(gòu)。
圖3是硬盤驅(qū)動器的平面圖，薄膜磁頭安裝在該硬盤驅(qū)動器上。
圖4是包括本發(fā)明的薄膜磁頭的磁頭萬向支架組件的立體圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種薄膜磁頭的外形圖。
圖6是沿圖5的線A-A得到的橫斷面圖，表明薄膜磁頭部分的構(gòu)造。
圖7是示意圖，通過比較例表明一種薄膜磁頭(GMR)的布線結(jié)構(gòu)。
圖8是示意圖，通過比較例表明一種薄膜磁頭(TMR)的布線結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式
下面參照附圖將描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。注意，類似附圖標(biāo)記在所有附圖中指示類似或?qū)?yīng)元件，并且為了清楚起見省略對其的重復(fù)解釋。
為了便于本發(fā)明的理解，將首先描述硬盤驅(qū)動器(HDD)的整體構(gòu)造。圖3是示意平面圖，表明HDD的構(gòu)造。HDD 100包括磁盤，作為適于在其中記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)。磁盤101是通過磁化磁性層而在其中存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器。HDD 100的構(gòu)成元件接收在基座102中?；?02經(jīng)墊片(未表示)固定到封閉基座102的上部開口的蓋(未表示)上，以構(gòu)成所有構(gòu)成元件密封地容納在其中的盤外殼。
磁盤101固定到主軸電機103上。薄膜磁頭105具有適于從磁盤101讀出和/或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭元件部分，數(shù)據(jù)輸入到主機(未表示)/從主機輸出。磁頭元件部分包括寫元件和/或讀元件及滑塊，該滑塊具有在其表面上形成的寫元件和/或讀元件。寫元件按照寫入到磁盤上的數(shù)據(jù)把電信號轉(zhuǎn)換成磁場。讀元件把來自磁場的電場轉(zhuǎn)換成電信號。
致動器106保持和移動薄膜磁頭105。致動器106由樞軸107樞轉(zhuǎn)地保持，并且由作為驅(qū)動機構(gòu)的音圈電機(VCM)驅(qū)動。致動器106包括諸如懸架110、臂111、線圈支撐件112及扁平線圈113之類的構(gòu)件，這些構(gòu)件按這個順序從縱向引導(dǎo)端連接，該縱向引導(dǎo)端上布置有磁頭105。注意，以后將詳細(xì)說明懸架110的構(gòu)造。VCM 109包括扁平線圈113、固定到上部磁性保持板114上的定子磁鐵(未表示)、及固定到下部定子磁性保持板上的定子磁鐵(未表示)。
磁盤101利用固定到基座102的底部表面上的主軸電機103以整體方式保持，并且由主軸電機103以期望速度旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動。磁盤101在圖3中逆時針旋轉(zhuǎn)。當(dāng)HDD不操作時，磁盤101靜止。VCM 109允許致動器106響應(yīng)從控制器(未表示)到扁平線圈113的驅(qū)動信號繞樞軸107橫向樞轉(zhuǎn)。因而，致動器106可在磁盤101上方或外面移動磁頭105。
為了從磁盤101讀出/向其寫入數(shù)據(jù)，致動器106把磁頭105移動到在旋轉(zhuǎn)磁盤101的表面上的數(shù)據(jù)區(qū)域上方。致動器106的樞轉(zhuǎn)運動沿磁盤101的徑向表面來移動磁頭105。因而，磁頭105可訪問期望磁道。在磁頭105與控制器之間的信號由跡線201或傳輸線及FPC 117傳輸。當(dāng)在源自面對磁盤101的滑塊的ABS(空氣支承表面)與旋轉(zhuǎn)磁盤101之間的空氣的粘度造成的壓力與懸架110向磁盤101施加的壓力之間建立平衡時，磁頭105以與磁盤之間的固定間隙在磁盤101上方浮動。
當(dāng)磁盤101停止旋轉(zhuǎn)時，磁頭105將與磁盤101的表面進行接觸。這可能產(chǎn)生這樣一個問題吸附現(xiàn)象引起在磁盤101的數(shù)據(jù)區(qū)域上的刮痕或劃痕，或者使磁盤不能旋轉(zhuǎn)。為了防止這樣的問題，當(dāng)磁盤101的旋轉(zhuǎn)停止時，致動器106允許磁頭105從數(shù)據(jù)區(qū)域收回到斜坡機構(gòu)115上。致動器106轉(zhuǎn)向斜坡機構(gòu)115，在致動器的末端處形成的凸出部116在斜面機構(gòu)115的表面上滑動地移動，并且然后擱置在斜坡機構(gòu)115的停泊表面上。由此卸載磁頭105。當(dāng)加載磁頭105時，擱置在停泊表面上的凸出部116離開斜面機構(gòu)115，并且然后磁頭105運動到磁盤101的表面的上方。
應(yīng)該注意，在采用加載和卸載系統(tǒng)的同時，以上描述的HDD可以采用CSS(接觸啟動和停止)系統(tǒng)。在CSS系統(tǒng)中，在磁頭105不進行數(shù)據(jù)讀/寫過程的同時，它收回到磁盤101的內(nèi)圓周中布置的區(qū)中。在以上描述中，為了簡單起見，HDD具有單個磁盤101，該磁盤101具有一個記錄表面。然而，HDD可以設(shè)有單個或多個記錄磁盤，每個記錄磁盤具有兩個記錄表面。
其次，參照圖4，進行對于具有附加到懸架110上的薄膜磁頭105的磁頭萬向支架組件(HGA)的構(gòu)造的描述。圖4表明從磁盤的記錄表面所看到的HGA的結(jié)構(gòu)。如圖4中所示，HGA 200包括磁頭105、懸架110及跡線201或傳輸線。懸架110包括柔性萬向支架108、加載梁109及安裝板206。萬向支架108把磁頭105保持在面對磁盤的側(cè)面上。加載梁把萬向支架108保持在面對磁盤的側(cè)面上。在圖4中的HGA200是加載和卸載類型的，并且具有位于加載粱109的前端處的凸出部116用于收回到斜坡機構(gòu)上。磁頭105在其尾端面(凸出部側(cè))處形成有連接到磁頭元件部分上的多個終端。終端每個使用焊接、金珠粘結(jié)等連接到跡線201的線的對應(yīng)一條上。
接下來參照圖5，做出對于根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜磁頭105的構(gòu)造的描述。磁頭105包括基片(滑塊)1a和薄膜磁頭部分1b?；瑝K1a近似為長方體，并且包括空氣支承表面5、前端面11、尾端面12、兩個側(cè)向表面和后表面，即總共六個表面。比如，磁頭105的長度為1.25mm，寬度為1.0mm，及厚度為0.3mm。薄膜磁頭部分1b在其端面13處形成有多個終端1c?？諝庵С斜砻?具有由離子銑削形成的精細(xì)臺階(臺階支承)，從而用作面對磁盤以在與其之間產(chǎn)生空氣壓力的空氣支承，由此承載施加到空氣支承表面的背部的負(fù)載。
空氣支承表面的臺階分類成大體彼此平行的三類表面最靠近磁盤的導(dǎo)軌表面6；比導(dǎo)軌表面6低約100至200nm的下部導(dǎo)軌表面7或臺階支承表面；比導(dǎo)軌表面6低約1μm的最低表面8。當(dāng)從下部導(dǎo)軌表面7或臺階支承(表面)進入導(dǎo)軌表面6時，通過盤的旋轉(zhuǎn)所引起的空氣流被邊緣變窄的漸縮通道壓縮，以產(chǎn)生正空氣壓力。另一方面，當(dāng)空氣流從導(dǎo)軌表面6和下部導(dǎo)軌表面7進入最低表面8時，由膨脹通道產(chǎn)生負(fù)空氣壓力。
薄膜磁頭105設(shè)計成這樣浮動，以至于前端側(cè)的浮動高度大于尾端側(cè)的浮動高度。因而，端面13附近的導(dǎo)軌表面6最靠近磁盤。在端面13附近，導(dǎo)軌表面6相對于圍繞導(dǎo)軌表面13的下部導(dǎo)軌表面7和最低表面8伸出。因此，除非滑塊的節(jié)距和坡度(roll attitude)傾斜超過一定極限，導(dǎo)軌表面6將最靠近磁盤。讀元件2和寫元件3形成在屬于薄膜磁頭部分1b的導(dǎo)軌表面6的部分上。臺階支承的形狀設(shè)計成使得從加載梁109施加的負(fù)載可以與在空氣支承表面5上產(chǎn)生的正和負(fù)空氣壓力相平衡，由此在寫元件3和讀元件2與磁盤之間的距離可保持在等于約10nm或更小的適當(dāng)值處。順便說明，以上描述的薄膜磁頭105具有兩臺階支承滑塊，在該兩臺階支承滑塊中，空氣支承表面5包括三類表面。然而，磁頭105不限于這種構(gòu)造，并且它可以具有三臺階滑塊，在該三臺階滑塊中，空氣支承表面5包括四類或更多類的平行表面。
接下來，參照圖6或沿圖5的線A-A得到的橫斷面圖進行在滑塊1a上形成的薄膜磁頭部分1b的內(nèi)部構(gòu)造的描述。薄膜磁頭部分1b包括按如下順序從滑塊1a的側(cè)面層疊的氧化鋁絕緣膜150、加熱器4、讀元件2及寫元件3；使以上構(gòu)成元件彼此隔離的絕緣膜(氧化鋁)152、及覆蓋上述全部的保護膜(氧化鋁)154。加熱器4是由NiCr等制成的薄膜電阻性元件，并且布置在讀元件2下面(附近)。讀元件2包括下部屏蔽21、間隙膜22、在間隙膜22中形成的磁阻元件23、及上部屏蔽24。磁阻元件是GMR(巨磁阻)元件、TMR(隧道磁阻)元件等。寫元件3包括下部磁極片31、上部磁極片33、及線圈35。上部磁極片33具有在空氣支承表面?zhèn)壬闲纬傻拇畔?2，并且在其后部處磁性地連接到下部磁極片31上。線圈35經(jīng)中間層絕緣膜34形成在下部磁極片31與上部磁極片33之間。另外，薄膜磁頭部分1b設(shè)有稍后描述的共用終端C。
滑塊1a經(jīng)地線(柱)LLA連接到在端面13上形成的接地終端G上。這種薄膜磁頭105叫做TFC(熱浮動控制)磁頭。這種磁頭105可按如下方式調(diào)節(jié)在讀元件2和寫元件3與磁盤之間的距離(浮動高度)。電流如有必要則施加到加熱器4上，以加熱和熱膨脹覆蓋讀元件2和寫元件3的絕緣膜(氧化鋁)152，由此使讀元件2和寫元件3向空氣支承表面?zhèn)韧怀?。順便說明，在上述構(gòu)造例子中，加熱器4布置在絕緣膜150與讀元件2之間。然而，本發(fā)明不限于這個例子。加熱器4只需布置在讀元件2的附近或后部、或讀元件2和寫元件3的后部的位置處。
接下來，分別參照圖7和8，通過使用GMR元件和TMR元件作為讀元件的比較例，做出在薄膜磁頭中的磁頭元件部分的線與終端1c之間的連接關(guān)系的描述。圖7是從空氣支承表面所看到的、在使用GMR元件23G的薄膜磁頭中的磁頭元件部分的線和終端1c的示意圖。終端1c按如下順序從薄膜磁頭部分1b的左端布置接地終端G(接地(Ground))、寫元件終端W(寫(Write))、另一個寫元件終端W(寫(Write))、讀元件終端R-(讀-(Read-))、另一個讀元件終端R+(讀+(Read+))、及加熱器終端H+(加熱器+(Heater+))。在圖7中，兩個寫元件終端W分別地連接到從線圈35的兩端延伸的線LW上。兩個讀元件終端R-和R+分別地連接到從GMR元件23G的電極延伸的引導(dǎo)導(dǎo)線LE上。加熱器終端H+連接到從加熱器4延伸的加熱器線LH上。從滑塊1a延伸的地線LLA經(jīng)電阻器R1連接到接地終端G上。加熱器4的地線LHA連接到接地終端G上。電極的地線LEA經(jīng)電阻器R3和R4連接到接地終端G上。上部和下部屏蔽24、21的地線LSA經(jīng)電阻器R2連接到接地終端G上。上部和下部電磁極片33、31的地線LWA經(jīng)電阻器R5連接到接地終端G上。如果來自磁盤的噪聲經(jīng)滑塊1a施加到地線LLA上，則由于左和右引線LE的分路電阻彼此不同，所以交擾噪聲發(fā)生在左引線LE和地線LHA、LEA、LSA、LWA中。
圖8是從空氣支承表面所看到的、在使用TMR元件23T的薄膜磁頭中的磁頭元件部分的線和終端1c的示意圖。終端1c的布置與在圖7中表示的例子的布置相同。由于TMR元件23T可使用上部和下部屏蔽26、25作為電極，所以可省去在圖7中的上部和下部屏蔽24、21的地線LSA。然而，其它地線與圖7中的那些相同。如果來自磁盤的噪聲經(jīng)滑塊1a施加到地線LLA上，則由于左和右引線LE的分路電阻彼此不同，所以交擾噪聲發(fā)生在左引導(dǎo)導(dǎo)線LE和地線LHA、LEA、LWA中。
本發(fā)明的目的是減小上述交擾的影響。參照圖1和2，做出本發(fā)明的實施例的薄膜磁頭的布線結(jié)構(gòu)的描述。圖1是從空氣支承表面所看到的、在使用GMR元件23G的薄膜磁頭105中的磁頭元件部分的線和終端1c的示意圖。終端1c的布置與在圖7中表示的布置相同。就是說，終端1c按如下順序從薄膜磁頭部分1b的左端布置接地終端G(接地(Ground))、寫元件終端W(寫(Write))、另一個寫元件終端W(寫(Write))、讀元件終端R-(讀-(Read-))、另一個讀元件終端R+(讀+(Read+))、及加熱器終端H+(加熱器+(Heater+))。不用說，接地終端G和加熱器終端H+可以顛倒地布置。另外，兩個寫元件終端W和兩個讀元件終端R(-)、R(+)可以顛倒地布置。
在圖1中，兩個寫元件終端W連接到從線圈35的兩端延伸的線LW上。兩個讀元件終端R-、R+連接到從GMR元件23G的電極延伸的相應(yīng)引線LE上。加熱器終端H+連接到從加熱器4延伸的加熱器線LH上。共用終端C提供在薄膜磁頭部分1b的磁道橫向中央部分附近的位置處。GMR元件的電極的地線LEA經(jīng)電阻器R3和R4分別連接到共用終端C上。上部和下部屏蔽24、21的地線LSA經(jīng)電阻器R2連接到共用終端C上。上部和下部磁極片33、31的地線LWA經(jīng)電阻器R5連接到共用終端C上。從滑塊1a經(jīng)電阻器R1延伸的接地導(dǎo)線或地線LLA、加熱器4的地線LHA、及共用終端C的地線LCA連接到接地終端G上。這樣的連接減小相對于共用終端C的在左和右引線LE之間的分路電阻的差別。因此，即使來自磁盤的噪聲經(jīng)滑塊1a施加到地線LLA上，也可減小在左引線LE、加熱器的地線LHA、及共用終端的地線LCA中出現(xiàn)的交擾噪聲。
順便說明，在這個實施例中，共用終端C提供在薄膜磁頭部分1b中的磁頭元件部分的上部中央部分處。然而，如果薄膜磁頭部分1b的端面13具有余量，則共用終端C可以布置在寫元件終端W與讀元件終端R-之間。
圖2是從空氣支承表面所看到的、在使用TMR元件23T的薄膜磁頭105中的磁頭元件部分的線和終端1c的示意圖。終端1c的布置與以上參照圖1描述的例子的布置相同。對于TMR元件23T，由于上部和下部屏蔽26、25可用作電極，所以可省去上部和下部屏蔽26、25的地線LSA。兩個寫元件終端W分別地連接到從線圈35的兩端延伸的線LW上。讀元件終端R-連接到從TMR元件23T的上部屏蔽和電極26延伸的引線LE上。讀元件終端R+連接到從下部屏蔽和電極25延伸的引線LE上。加熱器元件終端H+連接到從加熱器4延伸的加熱器線LH上。共用終端C提供在薄膜磁頭部分1b的磁道橫向中央部分附近的位置處。TMR元件23的上部屏蔽和電極26的地線LEA經(jīng)電阻器R3連接到共用終端C上。下部屏蔽和電極25的地線LEA經(jīng)電阻器R4連接到共用終端C上。上部和下部磁極片33、31的地線LWA經(jīng)電阻器R5連接到共用終端C上。來自滑塊1a的接地導(dǎo)線或地線LLA(經(jīng)電阻器R1)、加熱器4的地線LHA、及共用終端C的地線LCA連接到接地終端G上。這樣的連接減小相對于共用終端C的在左和右引線LE之間的分路電阻的差別。因此，即使來自磁盤的噪聲經(jīng)滑塊1a施加到地線LLA上，也可減小在左引線LE、加熱器的地線LHA、及共用終端的地線LCA中出現(xiàn)的交擾噪聲。
而且在使用上述TMR元件的實施例中，共用終端C提供在薄膜磁頭部分1b中的磁頭元件部分的上部中央部分處。然而，如果薄膜磁頭部分1b的端面13具有余量，則共用終端C可以布置在寫元件終端W與讀元件終端R-之間。
如上所述，根據(jù)在本發(fā)明中的上述實施例，薄膜磁頭部分設(shè)有共用終端C，從每個元件延伸的地線一次連接到共用終端C上，及共用終端C的地線連接到接地終端G上。因此，減小在左和右引線之間的分路電阻的差別。因而，即使來自磁盤的外來噪聲經(jīng)滑塊施加到接地導(dǎo)線或地線上，也可減小在接地導(dǎo)線附近的引線和連接到接地終端G上的每根地線中出現(xiàn)的交擾噪聲。
1a…滑塊、1b…薄膜磁頭部分、1c…終端、2…讀元件、3…寫元件、4…加熱器、5…空氣支承表面、6…導(dǎo)軌表面、7…下部導(dǎo)軌表面、8…最低表面、11…前端面、12…尾端面、13…薄膜磁頭部分的端面、21…下部屏蔽、22…間隙膜、23…磁阻元件、23G…GMR元件、23T…TMR元件、24…上部屏蔽、25…下部屏蔽和磁極片、26…上部屏蔽和磁極片、31…下部磁極片、32…磁隙、33…上部磁極片、34…中間層絕緣膜、35…線圈、100…硬盤驅(qū)動器、101…磁盤、105…薄膜磁頭、108…萬向支架、109…加載梁、110…懸架、150、152…絕緣膜、154…保護膜、200…磁頭萬向支架組件、201…跡線、LW…線圈的線、LE…引線、LH…加熱器線、LLA…滑塊的地線、LHA…加熱器的地線、LSA…上部和下部屏蔽的地線、LEA…電極的地線、LWA…上部和下部磁極片的地線、C…共用終端、LCA…共用終端的地線。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁頭，包括滑塊；薄膜磁頭部分，提供在滑塊的尾端面上，并且包括加熱器、讀元件、寫元件、及覆蓋加熱器、讀元件和寫元件的保護膜；共用終端，提供在薄膜磁頭部分的磁道橫向中央部分的附近的位置處；及讀元件終端、寫元件終端、加熱器終端及接地終端，提供在薄膜磁頭部分的端面上，加熱器終端和接地終端提供在讀元件終端和寫元件終端的兩側(cè)；其中，讀元件的地線和寫元件的地線連接到共用終端上，并且共用終端的地線、滑塊的地線及加熱器的地線連接到接地終端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，共用終端提供在薄膜磁頭部分的端面上的讀元件終端與寫元件終端之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，加熱器提供在滑塊與讀元件之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，加熱器提供在讀元件后面。
5.一種薄膜磁頭，包括滑塊，包括空氣支承表面、前端面及尾端面；薄膜磁頭部分，提供在滑塊的尾端面上，并且包括加熱器；讀元件，具有下部屏蔽、上部屏蔽、及夾在下部和上部屏蔽之間的GMR元件；寫元件，具有下部磁極片、上部磁極片及布置在下部和上部磁極片之間的線圈；及保護膜，覆蓋加熱器、讀元件及寫元件；共用終端，提供在薄膜磁頭部分的磁道橫向中央部分附近的位置處；及讀元件終端、寫元件終端、加熱器終端及接地終端，提供在薄膜磁頭部分的端面上，加熱器終端和接地終端提供在讀元件終端和寫元件終端的兩側(cè)；其中，連接到上部和下部屏蔽上的地線、連接到GMR元件的電極上的地線及連接到下部和上部磁極片上的地線連接到共用終端上；并且共用終端的地線、滑塊的地線及加熱器的地線連接到接地終端上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜磁頭，其中，共用終端提供在薄膜磁頭部分的端面上的讀元件終端與寫元件終端之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜磁頭，其中，加熱器提供在讀元件附近。
8.一種薄膜磁頭，包括滑塊，包括空氣支承表面、前端面及尾端面；薄膜磁頭部分，提供在滑塊的尾端面上，并且包括加熱器；讀元件，具有下部屏蔽和電極、上部屏蔽和電極、及夾在下部與上部屏蔽和電極之間的TMR元件；寫元件，具有下部磁極片、上部磁極片及布置在下部和上部磁極片之間的線圈；及保護膜，覆蓋加熱器、讀元件及寫元件；共用終端，提供在薄膜磁頭部分的磁道橫向中央部分附近的位置處；及讀元件終端、寫元件終端、加熱器終端及接地終端，提供在薄膜磁頭部分的端面上，加熱器終端和接地終端提供在讀元件終端和寫元件終端的兩側(cè)；其中，連接到下部屏蔽和電極上的地線、連接到上部屏蔽和電極上的地線、及連接到下部和上部磁極片上的地線連接到共用終端上；并且共用終端的地線、滑塊的地線及加熱器的地線連接到接地終端上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜磁頭，其中，共用終端提供在薄膜磁頭部分的端面上的讀元件終端與寫元件終端之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜磁頭，其中，加熱器提供在讀元件附近。
全文摘要
當(dāng)外來噪聲施加到薄膜磁頭的接地導(dǎo)線上時，交擾噪聲出現(xiàn)在引線和布置在接地導(dǎo)線附近的地線中。共用終端C提供在薄膜磁頭部分1b的中央部分的附近。寫元件終端W連接到從線圈35延伸的線LW上。讀元件終端R－、R+連接到從GMR元件23G的電極延伸的引導(dǎo)導(dǎo)線LE上。加熱器終端H+連接到從加熱器4延伸的線LH上。共用終端C經(jīng)電阻器R2連接到上部和下部屏蔽24、21的地線LSA上，經(jīng)電阻器R3、R4連接到電極的地線LEA上，及經(jīng)電阻器R5連接到寫元件的上部和下部磁極片33、31的地線LWA上?；瑝K1a的地線LLA、加熱器4的地線LHA、及共用終端C的地線LCA連接到接地終端G上。
文檔編號G11B5/60GK101055724SQ20071009679
公開日2007年10月17日 申請日期2007年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月12日
發(fā)明者大津孝佳 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司