專利名稱：薄膜磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種安裝在磁盤驅(qū)動(dòng)器上的薄膜磁頭，并且更具體地說，涉及一種具有浮動(dòng)高度調(diào)節(jié)性能的薄膜磁頭。
背景技術(shù)：
磁盤驅(qū)動(dòng)器包括旋轉(zhuǎn)磁盤、和由懸架支撐并且定位在磁盤的徑向方向上的薄膜磁頭。磁頭在磁盤上方相對(duì)地行駛的同時(shí)，從磁盤讀出和向其寫入磁性數(shù)據(jù)。磁頭的滑塊設(shè)計(jì)成，通過空氣潤(rùn)滑支承也就是空氣楔膜效應(yīng)的幫助而浮動(dòng)，從而滑塊不與磁盤進(jìn)行直接接觸。為了實(shí)現(xiàn)磁盤驅(qū)動(dòng)器的較高記錄密度，并由此增大容量和減小其尺寸，有效的是，通過減小在滑塊與磁盤之間的距離即滑塊的浮動(dòng)高度，而增大線記錄密度。
滑塊浮動(dòng)高度的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)允許由加工變化、使用環(huán)境的溫度差、在讀與寫之間的浮動(dòng)高度差等導(dǎo)致的浮動(dòng)高度減小，并且已經(jīng)設(shè)有浮動(dòng)高度余量，以便甚至在最壞情況下防止滑塊與磁盤之間的接觸。如果使用具有根據(jù)用于每個(gè)薄膜磁頭的使用條件而調(diào)節(jié)浮動(dòng)高度的性能的滑塊，則有可能消除上述余量，并由此顯著減小讀/寫元件的浮動(dòng)高度，同時(shí)防止在滑塊與盤之間的接觸。專利文件1提供一種滑塊結(jié)構(gòu)，在該滑塊結(jié)構(gòu)中，由薄膜電阻性元件制成的加熱器提供在寫元件和讀元件的附近，如有必要?jiǎng)t加熱滑塊的部分以便為了突出而熱膨脹，由此調(diào)節(jié)在寫元件和讀元件與磁性記錄介質(zhì)之間的距離。
然而，如果加熱器被提供以調(diào)節(jié)浮動(dòng)高度，那么在讀和寫元件中的線數(shù)和布置在磁頭后端面上的終端數(shù)量將增大。在連接到終端上的懸架上的線數(shù)也增大，因而使線之間的每個(gè)空隙變窄。這在寫入期間造成從寫元件線到讀元件線的交擾問題。為了解決交擾問題，專利文件2公開了幾種結(jié)構(gòu)，在這些結(jié)構(gòu)中讀元件線被布置為放在懸架上的加熱器線之間；并且加熱器線布置在懸架上的寫元件線與讀元件線之間。
日本專利公開No.2004-342151[專利文件2]日本專利公開No.2004-192742發(fā)明內(nèi)容如在專利文件2中描述的那樣，其中讀元件線被布置為放在加熱器線之間并且加熱器線布置在寫元件線與讀元件線之間的結(jié)構(gòu)，可避免由寫元件的高頻率電流和由加熱器電流的接通和切斷所造成的交擾電流對(duì)于讀元件的不利影響。然而，如果使用TMR(隧道磁阻)元件作為讀元件，則它把電極用作磁屏蔽，或者反之亦然。這產(chǎn)生這樣一種問題由于來(lái)自加熱器源的噪聲或電磁感應(yīng)而施加到加熱器線上的噪聲對(duì)于TMR元件即對(duì)于讀信號(hào)具有直接影響。
本發(fā)明的目的是，減小加熱器對(duì)于薄膜磁頭的讀元件的電磁不利影響。
一種典型的薄膜磁頭包括滑塊；和薄膜磁頭部分，提供在滑塊的尾端面上，并且具有加熱器、讀元件、寫元件、保護(hù)膜、及提供在加熱器與讀元件之間的電磁屏蔽。
讀元件包括下部屏蔽和電極、上部屏蔽和電極、及布置在下部屏蔽和電極與上部屏蔽和電極之間的TMR(隧道磁阻)元件。電磁屏蔽被提供在下部屏蔽和電極與加熱器之間。
而且，本發(fā)明的薄膜磁頭包括共用終端，提供在薄膜磁頭部分的磁道橫向中央部分附近的位置處；讀元件終端、寫元件終端、加熱器終端及接地終端，提供在薄膜磁頭部分的端面上，加熱器終端和接地終端位于讀元件終端和寫元件終端的兩側(cè)；及電磁屏蔽的地線。讀元件和寫元件連接到共用終端上，并且共用終端、滑塊及加熱器的地線連接到接地終端上。
本發(fā)明可減小加熱器對(duì)于薄膜磁頭的讀元件的電磁不利影響。


圖1是橫斷面圖(沿圖2的線A-A得到的橫斷面圖)，表明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種薄膜磁頭的薄膜磁頭部分的構(gòu)造。
圖2表明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜磁頭的整個(gè)構(gòu)造。
圖3是示意圖，表明在加熱器與電磁屏蔽之間的布置關(guān)系。
圖4是從空氣支承表面所看到的薄膜磁頭部分的磁頭元件和終端的布線結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5是從空氣支承表面所看到的作為另一個(gè)例子的薄膜磁頭部分的磁頭元件和終端的布線結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6是從空氣支承表面所看到的作為另一個(gè)例子的薄膜磁頭部分的磁頭元件和終端的布線結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7是硬盤驅(qū)動(dòng)器的平面圖，本發(fā)明的薄膜磁頭安裝在該硬盤驅(qū)動(dòng)器上。
圖8是保持根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭的磁頭萬(wàn)向支架組件的立體圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖將描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。注意，類似附圖標(biāo)記在所有附圖中指示類似或?qū)?yīng)元件，并且為了清楚起見省略對(duì)其的重復(fù)解釋。
為了便于本發(fā)明的理解，將首先描述硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的整體構(gòu)造。圖7是示意平面圖，表明HDD的構(gòu)造。HDD 100包括磁盤101，作為適于在其中記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)。磁盤101是通過磁化磁性層而在其中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。HDD 100的構(gòu)成元件容納在基座102中。基座102經(jīng)墊片(未示出)固定到封閉基座102的上部開口的蓋(未示出)上，以構(gòu)成盤外殼，所有構(gòu)成元件密封地容納在該盤外殼內(nèi)。
磁盤101固定到主軸電機(jī)103上。薄膜磁頭105具有適于從磁盤101讀出和/或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭元件部分，數(shù)據(jù)輸入到主機(jī)(未示出)/從其輸出。磁頭元件部分包括寫元件和/或讀元件及滑塊，寫元件和/或讀元件在該滑塊的表面上形成。寫元件按照寫入到磁盤上的數(shù)據(jù)把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成磁場(chǎng)。讀元件把來(lái)自磁場(chǎng)的電場(chǎng)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
致動(dòng)器106保持和移動(dòng)薄膜磁頭105。致動(dòng)器106由樞軸107樞轉(zhuǎn)地保持，并且由作為驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的音圈電機(jī)(VCM)驅(qū)動(dòng)。致動(dòng)器106包括諸如懸架110、臂111、線圈支撐件112及扁平線圈113之類的構(gòu)件，這些構(gòu)件按這個(gè)順序從縱向引導(dǎo)端連接，該縱向引導(dǎo)端上布置有磁頭105。注意，以后將詳細(xì)說明懸架110的構(gòu)造。VCM 109包括扁平線圈113、固定到上部磁性保持板114上的定子磁鐵(未示出)、及固定到下部定子磁性保持板上的定子磁鐵(未示出)。
磁盤101由固定到基座102的底部表面上的主軸電機(jī)103以整體方式保持，并且由主軸電機(jī)103以期望速度旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)。磁盤101在圖7中逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。當(dāng)HDD不操作時(shí)，磁盤101靜止。VCM 109允許致動(dòng)器106響應(yīng)從控制器(未示出)到扁平線圈113的驅(qū)動(dòng)信號(hào)繞樞軸107橫向樞轉(zhuǎn)。因而，致動(dòng)器106可在磁盤101上方移動(dòng)磁頭105。
為了從磁盤101讀出/向其寫入數(shù)據(jù)，致動(dòng)器106把磁頭105移動(dòng)到在旋轉(zhuǎn)磁盤101的表面上的數(shù)據(jù)區(qū)域上方。致動(dòng)器106的樞轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)沿著磁盤101的徑向表面移動(dòng)磁頭105。因而，磁頭105可訪問期望磁道。在磁頭105與控制器之間的信號(hào)由跡線201或傳輸線及FPC 117傳輸。當(dāng)在由在面對(duì)磁盤101的滑塊的ABS(空氣支承表面)與旋轉(zhuǎn)磁盤101之間的空氣的粘度所造成的壓力與懸架110向磁盤101施加的壓力之間建立平衡時(shí)，磁頭105與磁盤101之間成固定間隙地在磁盤101上方浮動(dòng)。
當(dāng)磁盤101停止旋轉(zhuǎn)時(shí)，磁頭105將與磁盤101的表面進(jìn)行接觸。這可能產(chǎn)生這樣一種問題吸附現(xiàn)象引起在磁盤101的數(shù)據(jù)區(qū)域上的劃痕或擦痕，或者使磁盤不能旋轉(zhuǎn)。為了防止這樣的問題，當(dāng)磁盤101的旋轉(zhuǎn)停止時(shí)，致動(dòng)器106允許磁頭105從數(shù)據(jù)區(qū)域收回到斜坡機(jī)構(gòu)115上。致動(dòng)器106轉(zhuǎn)向斜坡機(jī)構(gòu)115，在致動(dòng)器的末端處形成的凸出部116在斜坡機(jī)構(gòu)115的表面上滑動(dòng)地運(yùn)動(dòng)，并且然后擱置在斜坡機(jī)構(gòu)115的停泊表面上。由此，卸載磁頭105。當(dāng)加載磁頭105時(shí)，擱置在停泊表面上的凸出部116離開斜坡機(jī)構(gòu)115，并且然后磁頭105移動(dòng)到磁盤101的表面上方。
應(yīng)該注意，在采用加載和卸載系統(tǒng)的同時(shí)，以上描述的HDD可以采用CSS(接觸啟動(dòng)和停止)系統(tǒng)。在CSS系統(tǒng)中，在磁頭105不進(jìn)行數(shù)據(jù)讀/與過程的同時(shí)，它收回到磁盤101的內(nèi)圓周上布置的區(qū)中。在以上描述中，為了簡(jiǎn)單起見，HDD具有單個(gè)磁盤101，該磁盤101具有一個(gè)記錄表面。然而，HDD可以設(shè)有單個(gè)或多個(gè)記錄磁盤，每個(gè)記錄磁盤可以具有兩個(gè)記錄表面。
接下來(lái)，參照?qǐng)D8，做出對(duì)于薄膜磁頭105附加到懸架110上的磁頭萬(wàn)向支架組件(HGA)的構(gòu)造的描述。圖8表明從磁盤的記錄表面所看到的HGA的結(jié)構(gòu)。HGA 200包括磁頭105、懸架110及跡線201或傳輸線。懸架110包括柔性萬(wàn)向支架108、加載梁109及安裝板206。萬(wàn)向支架108把磁頭105保持在面對(duì)磁盤的側(cè)面上。加載梁把萬(wàn)向支架108保持在面對(duì)磁盤的側(cè)面上。在圖8中的HGA 200是加載和卸載類型的，并且為了收回到斜坡機(jī)構(gòu)上具有布置在加載梁109的前端處的接片116。磁頭105在其尾端面(凸出部側(cè))處形成有連接到磁頭元件部分的多個(gè)終端。終端每個(gè)使用焊接、金珠粘結(jié)等連接到跡線201的線的對(duì)應(yīng)一條上。
接下來(lái)參照?qǐng)D2，做出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜磁頭105的構(gòu)造的描述。磁頭105包括基片(滑塊)1a和薄膜磁頭部分1b?；瑝K1a近似為長(zhǎng)方體，并且包括空氣支承表面5、前端面11、尾端面12、兩個(gè)橫向表面和后表面，即總共六個(gè)表面。比如，磁頭105的長(zhǎng)度為1.25mm，寬度為1.0mm，及厚度為0.3mm。薄膜磁頭部分1b在其端面13處形成有多個(gè)終端1c?？諝庵С斜砻?具有由離子銑削形成的精細(xì)臺(tái)階(臺(tái)階支承)，從而用作面對(duì)磁盤以在與其之間處產(chǎn)生空氣壓力的空氣支承，由此承載施加到空氣支承表面的背部的負(fù)載。
空氣支承表面的臺(tái)階分類成大體彼此平行的三類表面最靠近磁盤的導(dǎo)軌表面6；比導(dǎo)軌表面6低約100至200nm的下部導(dǎo)軌表面7或臺(tái)階支承表面；比導(dǎo)軌表面6低約1μm的最低表面8。當(dāng)從下部導(dǎo)軌表面7或臺(tái)階支承(表面)進(jìn)入導(dǎo)軌表面6時(shí)，由于盤的旋轉(zhuǎn)而引起的空氣流被逐漸收縮的通道壓縮，該逐漸收縮通道使其邊緣變窄以產(chǎn)生正空氣壓力。另一方面，當(dāng)空氣流從導(dǎo)軌表面6和下部導(dǎo)軌表面7進(jìn)入最低表面8時(shí)，由膨脹通道產(chǎn)生負(fù)空氣壓力。
薄膜磁頭105設(shè)計(jì)成這樣浮動(dòng)，以至于前端側(cè)的浮動(dòng)高度大于尾端側(cè)的浮動(dòng)高度。因而，靠近端面13的導(dǎo)軌表面6最靠近磁盤。在端面13附近，導(dǎo)軌表面6相對(duì)于圍繞導(dǎo)軌表面13的下部導(dǎo)軌表面7和最低表面8伸出。因此，除非滑塊的節(jié)距和傾斜度傾斜超過一定極限，導(dǎo)軌表面6將最靠近磁盤。讀元件2和寫元件3形成在屬于薄膜磁頭部分1b的導(dǎo)軌表面6的部分上。臺(tái)階支承的形狀設(shè)計(jì)成，從加載梁109施加的負(fù)載可以與在空氣支承表面5上產(chǎn)生的正和負(fù)空氣壓力相平衡，借此在寫元件3和讀元件2與磁盤之間的距離可保持在等于約10nm或更小的適當(dāng)值處。順便說一下，以上描述的薄膜磁頭105具有兩臺(tái)階支承滑塊，在該兩臺(tái)階支承滑塊中，空氣軸承表面5包括三類表面。然而，磁頭105不限于這種構(gòu)造，并且它可以具有三臺(tái)階滑塊，在該三臺(tái)階滑塊中，空氣支承表面5包括四類或更多類的平行表面。
接下來(lái)，參照?qǐng)D1或沿圖2的線A-A得到的橫斷面圖做出在滑塊1a上形成的薄膜磁頭部分1b的內(nèi)部構(gòu)造的描述。薄膜磁頭部分1b包括按如下順序從滑塊1a側(cè)層疊的氧化鋁絕緣膜150、加熱器4、電磁屏蔽50、讀元件2及寫元件3；使得以上構(gòu)成元件彼此隔離的絕緣膜(氧化鋁)152、及覆蓋上述全部的保護(hù)膜(氧化鋁)154。加熱器4是由NiCr等制成的薄膜電阻性元件，并且布置在氧化鋁絕緣膜150上方。電磁屏蔽50如圖3或從端面13所看到的示意圖中所示，是在構(gòu)成加熱器4的薄膜電阻性元件41和引線42上方形成的由坡莫合金等制成的磁性膜。構(gòu)成電磁屏蔽50的磁性膜的面積可以比加熱器4的面積大，從而磁性膜可覆蓋整個(gè)加熱器。返回圖1，讀元件2包括下部屏蔽和電極21、TMR(隧道磁阻)元件23、及上部屏蔽和電極24。寫元件3包括下部磁極片31、上部磁極片33、及線圈35。上部磁極片33具有在空氣支承表面?zhèn)壬闲纬傻拇畔?2，并且在其后部處磁性地連接到下部磁極片31上。線圈35經(jīng)中間層絕緣膜34形成在下部磁極片31與上部磁極片33之間。另外，薄膜磁頭部分1b設(shè)有以后描述的共用終端C。
這種類型的薄膜磁頭105叫做TFC(熱浮動(dòng)控制)磁頭。這種磁頭105可按如下方式調(diào)節(jié)在讀元件2和寫元件3與磁盤之間的距離(浮動(dòng)高度)。電流如有必要?jiǎng)t施加到加熱器4上，以加熱和熱膨脹覆蓋讀元件2和寫元件3的絕緣膜(氧化鋁)152，由此使讀元件2和寫元件3向空氣支承表面?zhèn)韧怀?。順便提一下，在上述?gòu)造例子中，加熱器4和電磁屏蔽50布置在絕緣膜150與讀元件2之間。然而，本發(fā)明不限于這個(gè)例子。加熱器4只需布置在靠近讀元件2或在其附近位置處，或者它可以布置在讀元件2和寫元件3的后部。另外，電磁屏蔽50只需布置在其中加熱器4與讀元件2電磁絕緣的位置處。
根據(jù)上述實(shí)施例，來(lái)自加熱器源的電磁噪聲和由于電磁感應(yīng)施加到引線42上的噪聲由于電磁屏蔽50中斷。因此，可減小TMR元件23對(duì)于屏蔽和電極21、24的影響。
接下來(lái)，參照?qǐng)D4至6，做出根據(jù)上述實(shí)施例的薄膜磁頭的布線結(jié)構(gòu)的描述。圖4是從空氣支承表面所看到的示意圖，表明在薄膜磁頭105中包括的磁頭元件部分的布線和終端1c。終端1c按如下順序從薄膜磁頭部分1b的左端布置加熱器終端H-(加熱器-(Heater-))、寫元件終端W(寫(Write))、另一個(gè)寫元件終端W(寫(Write))、讀元件終端R-(讀-(Read-))、另一個(gè)讀元件終端R+(讀+(Read+))、及另一個(gè)加熱器終端H+(加熱器+(Heater+))。不用說，加熱器終端H-和加熱器終端H+可以顛倒地布置。另外，兩個(gè)寫元件終端W和兩個(gè)讀元件終端R(-)、R(+)可以顛倒地布置。
在圖4中，兩個(gè)寫元件終端W分別連接到從線圈35的兩端延伸的線LW1、LW2上。讀元件終端R-連接到從用于TMR元件23的上部屏蔽和電極24延伸的引線LE1上。讀元件終端R+連接到從用于TMR元件23的下部屏蔽和電極21延伸的引線LE2上。加熱器終端H+連接到加熱器線LH+上，并且加熱器終端H-連接到加熱器線LH-上。
共用終端C提供在薄膜磁頭部分1b的磁道橫向中央部分附近的位置處。電磁屏蔽50的地線LHSA經(jīng)電阻器R1連接到共用終端C上。用于TMR元件23的上部屏蔽和電極24的地線LEA1經(jīng)電阻器R2連接到共用終端C上。用于TMR元件23的下部屏蔽和電極21的地線LEA2經(jīng)電阻器R3連接到共用終端C上。用于上部和下部磁極片33、31的地線LWA經(jīng)電阻器R4連接到共用終端C上。這樣的連接減小相對(duì)于共用終端C在左和右引線LE1和LE2之間的分路電阻的差別。因此，即使來(lái)自磁盤等的外來(lái)噪聲施加到每根地線上，也可減小施加到引線LE1、LE2上的交擾噪聲。
圖5是從空氣支承表面所看到的示意圖，表明其中單個(gè)加熱器終端H+(加熱器+(Heater+))和單個(gè)接地終端G分別布置在端面13的兩端處的例子。終端1c按如下順序從薄膜磁頭部分1b的左端布置接地終端G(接地(Ground))、寫元件終端W(寫(Write))、另一個(gè)寫元件終端W(寫(Write))、讀元件終端R-(讀-(Read-))、另一個(gè)讀元件終端R+(讀+(Read+))、及加熱器終端H+(加熱器+(Heater+))。兩個(gè)寫元件終端W分別連接到從線圈35的兩端延伸的線LW1、LW2上。讀元件終端R-連接到從用于TMR元件23的上部屏蔽和電極24延伸的引線LE1上。讀元件終端R+連接到從用于TMR元件23的下部屏蔽和電極21延伸的引線LE2上。加熱器終端H+連接到從加熱器4延伸的加熱器線LH+上。不用說，接地終端G和加熱器終端H+可以顛倒地布置。另外，兩個(gè)寫元件終端W和兩個(gè)讀元件終端R(-)、R(+)可以顛倒地布置。
共用終端C提供在薄膜磁頭部分1b的磁道橫向中央部分附近的位置處。電磁屏蔽50的地線LHSA經(jīng)電阻器R1連接到共用終端C上。用于TMR元件23的上部屏蔽和電極24的地線LEA1經(jīng)電阻器R2連接到共用終端C上。用于TMR元件23的下部屏蔽和電極21的地線LEA2經(jīng)電阻器R3連接到共用終端C上。用于上部和下部磁極片33、31的地線LWA經(jīng)電阻器R4連接到共用終端C上。
共用終端C的地線LCA連接到接地終端G上。另外，加熱器4的地線LHA連接到接地終端G上，并且滑塊1a的地線LLA經(jīng)電阻5連接到接地終端G上。這樣的連接減小相對(duì)于共用終端C的在左和右引線LE1和LE2之間的分路電阻的差別。因此，即使來(lái)自磁盤等的噪聲施加到滑塊1a的地線LLA上，也可減小施加到引線LE1、LE2上的交擾噪聲。
圖6表明在圖5中示出的布線結(jié)構(gòu)的修改。這種修改與圖5的布線結(jié)構(gòu)的不同之處在于，電磁屏蔽50的地線LHSA直接連接到接地終端G上，而不經(jīng)共用終端C。這樣一種連接結(jié)構(gòu)也可減小相對(duì)于共用終端C在左和右引線LE1、LE2之間的分路電阻的差別。因此，即使來(lái)自磁盤等的噪聲施加到滑塊1a的地線LLA上，也可減小施加到引線LE1、LE2上的交擾噪聲。
在圖4至6中表示的布線結(jié)構(gòu)中，共用終端C提供在薄膜磁頭部分1b中的磁頭元件部分的上部中央部分附近的位置處。然而，如果薄膜磁頭部分1b的端面13具有余量，則共用終端C可以布置在寫元件終端W與讀元件終端R-之間。
如以上描述的那樣，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，電磁屏蔽提供在加熱器與讀元件(TMR元件)之間。因此，來(lái)自加熱器源的電磁噪聲或由于電磁感應(yīng)施加到引線上的噪聲可由電磁屏蔽中斷。這可減小對(duì)于用于TMR元件的屏蔽和電極的影響。另外，薄膜磁頭部分設(shè)有共用終端，來(lái)自每個(gè)元件的地線一次連接到共用終端上，以及然后共用終端的地線連接到接地終端上。因此，減小了在左和右引線之間的分路電阻的差別。因而，即使來(lái)自磁盤等的噪聲經(jīng)滑塊施加到地線上，或者即使外來(lái)噪聲施加到每根地線上，也可減小在與有關(guān)地線相鄰的引線中出現(xiàn)的交擾噪聲。
1a…滑塊、1b…薄膜磁頭部分、1c…終端、2…讀元件、3…寫元件、4…加熱器、5…空氣支承表面、6…導(dǎo)軌表面、7…下部導(dǎo)軌表面、8…最低表面、11…前端表面、12…尾端表面、13…薄膜磁頭部分的端面、21…下部屏蔽和電極、23…TMR元件、24…上部屏蔽和電極、31…下部磁極片、32…磁隙、33…上部磁極片、34…中間層絕緣膜、35…線圈、50…電磁屏蔽、100…硬盤驅(qū)動(dòng)器、101…磁盤、105…薄膜磁頭、108…萬(wàn)向支架、109…加載梁、110…懸架、150、152…絕緣膜、154…保護(hù)膜、200…磁頭萬(wàn)向支架組件、201…跡線、LW1、LW2…線圈的線、LE1、LE2…引線、LH+、LH-…加熱器線、LHA…加熱器的地線、LLA…滑塊的地線、LEA1…上部屏蔽和電極的地線、LEA2…下部屏蔽和電極的地線、LWA…上部和下部磁極片的地線、C…共用終端、LCA…共用終端的地線。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁頭，包括滑塊；和薄膜磁頭部分，提供在滑塊的尾端面上，并且包括加熱器、讀元件、寫元件、保護(hù)膜以及提供在加熱器與讀元件之間的電磁屏蔽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，薄膜磁頭部分包括按所述順序從滑塊的尾端面層疊的加熱器、電磁屏蔽、讀元件、寫元件及保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，加熱器包括薄膜電阻性元件和從該薄膜電阻性元件的兩端延伸的引線，并且電磁屏蔽提供成至少覆蓋薄膜電阻性元件和引線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，構(gòu)成電磁屏蔽的磁性薄膜具有比加熱器的面積更大的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中，讀元件包括下部屏蔽和電極、上部屏蔽和電極、及布置在下部屏蔽和電極與上部屏蔽和電極之間的TMR(隧道磁阻)元件，并且電磁屏蔽提供在下部屏蔽和電極與加熱器之間。
6.一種薄膜磁頭，包括滑塊；薄膜磁頭部分，層疊地提供在滑塊的尾端上，并且包括加熱器、電磁屏蔽、讀元件、寫元件、及保護(hù)膜，該保護(hù)膜覆蓋加熱器、電磁屏蔽、讀元件及寫元件；共用終端，提供在薄膜磁頭部分的磁道橫向中央部分附近的位置處；及讀元件終端、寫元件終端及加熱器終端，提供在薄膜磁頭部分的端面上，加熱器終端位于讀元件終端和寫元件終端的兩側(cè)；其中，電磁屏蔽、讀元件及寫元件的地線連接到共用終端上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜磁頭，其中，共用終端位于薄膜磁頭部分的端面上的讀元件終端與寫元件終端之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜磁頭，其中，讀元件包括下部屏蔽和電極、上部屏蔽和電極、及布置在下部屏蔽和電極與上部屏蔽和電極之間的TMR(隧道磁阻)元件，并且電磁屏蔽提供在下部屏蔽和電極與加熱器之間。
9.一種薄膜磁頭，包括滑塊；薄膜磁頭部分，層疊地提供在滑塊的尾端上，并且包括加熱器、電磁屏蔽、讀元件、寫元件、及保護(hù)膜，該保護(hù)膜覆蓋加熱器、電磁屏蔽、讀元件及寫元件；共用終端，提供在薄膜磁頭部分的磁道橫向中央部分附近的位置處；及讀元件終端、寫元件終端、加熱器終端及接地終端，提供在薄膜磁頭部分的端面上，加熱器終端和接地終端布置在讀元件終端和寫元件終端的兩側(cè)；其中，電磁屏蔽、讀元件及寫元件的地線連接到共用終端上，并且共用終端、滑塊及加熱器的地線連接到接地終端上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜磁頭，其中，讀元件包括下部屏蔽和電極、上部屏蔽和電極、及布置在下部屏蔽和電極與上部屏蔽和電極之間的TMR(隧道磁阻)元件，并且電磁屏蔽提供在下部屏蔽和電極與加熱器之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜磁頭，其中，電磁屏蔽的地線直接連接到接地終端上，而不連接到共用終端上。
全文摘要
對(duì)于TMR元件，電極用作磁屏蔽，或者反之亦然。這產(chǎn)生這樣一種問題來(lái)自加熱器源或電磁感應(yīng)的噪聲對(duì)于TMR元件即對(duì)于讀信號(hào)具有直接影響。薄膜磁頭部分1b具有按如下順序從滑塊1a側(cè)層疊的絕緣膜150、加熱器4、電磁屏蔽50、讀元件2及寫元件3；將以上構(gòu)成元件彼此隔離的絕緣膜152、及覆蓋上述全部的保護(hù)膜154。加熱器4是由NiCr等制成的薄膜電阻性元件，并且布置在絕緣膜150上方。電磁屏蔽50是由坡莫合金等制成的磁性膜，并且覆蓋加熱器4。讀元件2包括下部屏蔽和電極21、TMR元件23、及上部屏蔽和電極24。寫元件3包括下部磁極片31、上部磁極片33、及形成在它們之間的線圈35。薄膜磁頭部分1b形成有共用終端C。
文檔編號(hào)G11B5/48GK101055725SQ20071009679
公開日2007年10月17日 申請(qǐng)日期2007年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月12日
發(fā)明者大津孝佳, 西山延昌 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司