專利名稱：用于柔性磁存儲(chǔ)介質(zhì)的讀/寫頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及柔性磁存儲(chǔ)介質(zhì)頭，并且尤其涉及用于柔性磁存儲(chǔ)介 質(zhì)頭的原地射頻屏蔽。
背景技術(shù)：
商業(yè)、科學(xué)和娛樂(lè)應(yīng)用依賴于計(jì)算系統(tǒng)來(lái)處理和記錄數(shù)據(jù)。在這 些應(yīng)用中，大量數(shù)據(jù)常常被存儲(chǔ)在或傳遞給非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)例如磁 盤、盒式磁帶、光盤盒、軟盤或可光讀軟盤。通常，磁帶通常是最經(jīng) 濟(jì)、方便和安全的存儲(chǔ)或存檔數(shù)據(jù)的裝置。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)被連續(xù)改進(jìn)以增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)可靠性。磁 存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的提高例如是由改進(jìn)的介質(zhì)材料、改進(jìn)的 糾錯(cuò)技術(shù)和減小的面比特大小導(dǎo)致的。半英寸磁帶的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量例 如目前按數(shù)百千兆字節(jié)計(jì)量。在線性記錄介質(zhì)例如磁帶中，數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在磁帶的長(zhǎng)度上相互平 行的線性數(shù)據(jù)軌道內(nèi)。磁帶在供帶盤和巻帶盤之間被來(lái)回傳遞以便使 用 一個(gè)或多個(gè)讀/寫頭從磁帶中讀取數(shù)據(jù)或者將數(shù)據(jù)寫入磁帶。圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的傳統(tǒng)的雙向、雙模塊的磁帶頭100。如 圖所示，頭包括一對(duì)基部102,該基部是通常細(xì)長(zhǎng)的"U形梁"。該基 部粘結(jié)耦合在一起，并且在基部之間形成通道104。每個(gè)基部配備有模塊106。每個(gè)模塊包括襯底106A，讀/寫元件 108嵌入該襯底。該模塊足夠長(zhǎng)以至于當(dāng)頭在數(shù)據(jù)軌道之間跳進(jìn)時(shí)能 夠支承磁帶110?？商砑臃忾]物106B以便減少襯底的磨損。當(dāng)被提 供時(shí)，封閉物106B使用已知方法粘附在襯底上。模塊橫跨頭沿磁帶行進(jìn)方向D對(duì)齊，以便當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入磁帶108 時(shí)讀取該數(shù)據(jù)。在使用時(shí)，磁帶108沿磁帶支承面112在模塊上來(lái)回移動(dòng)以便讀磁帶的數(shù)據(jù)并且將數(shù)據(jù)寫在磁帶上。讀/寫元件根據(jù)磁帶的行進(jìn)方向交替起作用，從而在磁帶行進(jìn)方 向上讀元件在寫元件的下游。這使得被寫在磁帶上的數(shù)據(jù)可馬上被讀 回并且檢查錯(cuò)誤。在數(shù)據(jù)被寫在磁帶上時(shí)讀數(shù)據(jù)的過(guò)程在本領(lǐng)域內(nèi)被 Z/^知為寫時(shí)讀或讀改寫。數(shù)據(jù)電纜114接合在每個(gè)模塊上以便在頭和控制器(未示出)之 間傳遞數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)電纜通常接合在器件元件焊盤116上以在讀/寫元件 和控制器之間提供數(shù)據(jù)通路，該焊盤經(jīng)由襯底內(nèi)的器件元件引線118 耦合到讀/寫元件。為了將電纜接合在數(shù)據(jù)電纜引線118上，數(shù)據(jù)電纜 的引線首先與位于襯底上的器件元件焊盤對(duì)齊。引線然后被超聲波焊 接或者針腳式接合在焊盤上，以便將電纜接合到模塊上。電纜然后需 要通過(guò)一些形式的應(yīng)變消除被連接在模塊上，例如將電纜粘結(jié)接合在 模塊上。但是，超聲波焊接或針腳式接合內(nèi)固有地存在一些缺陷。超聲波 焊接的已知缺陷是電纜內(nèi)的引線沒(méi)有被電纜基底支承并且延伸超出 基底。暴露的引線易受機(jī)械損傷，這增加了成本并且降低了頭的可靠 性。超聲波焊接和針腳式接合的共有缺陷是需要一些形式的應(yīng)力消 除，例如將電纜粘結(jié)接合在模塊上。應(yīng)力消除需要另外的頭制造步驟。 超聲波焊接和針腳式接合的另 一個(gè)缺陷是如果外部金屬RF屏蔽連接 在電纜上并且放置在引線上方，則引線可能會(huì)短路。另一個(gè)將電纜引線接合在導(dǎo)電焊盤上的方法是異方性導(dǎo)電膜 (ACF)接合。ACF接合使用其中具有導(dǎo)電球的粘合劑。電纜引線和 襯底上的導(dǎo)電焊盤首先與被夾在它們之間的ACF膜對(duì)齊。烊盤和引 線然后在高溫下被壓在一起。此壓力導(dǎo)致導(dǎo)電球被壓縮以在合適的引 線和襯底焊盤之間形成電接合。導(dǎo)電球足夠濃密以在電引線和襯底焊 盤之間提供電接觸，同時(shí)足夠分散以避免在相鄰的引線和焊盤之間形 成電橋。高溫導(dǎo)致粘合劑凝固以在電纜和襯底之間形成牢固和永久的 粘結(jié)接合。ACF接合優(yōu)于其他提到的接合方法。因?yàn)锳CF膜內(nèi)的粘合劑起到應(yīng)力消除的作用，所以ACF接合不需要另外的應(yīng)力消除。此外， 電纜內(nèi)的引線被電纜基底支承以便更加可靠并且防止電纜受到機(jī)械 損傷。在ACF接合之后，引線不會(huì)暴露，從而電纜接地平面可在引 線上方延伸。ACF接合的可能的缺陷是使用具有低玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的粘 合劑接合封閉物。例如，ACF接合內(nèi)使用的一種粘合劑是3M公司銷 售的3MTM Scoth-WeldTM Epoxy Adhesive 2290 Amber,其Tg為大約 90。C。 ACF接合利用較高的溫度，因此可在高于其Tg的溫度下加熱 封閉物的粘合劑。這可導(dǎo)致封閉物相對(duì)于襯底移動(dòng)，并且與襯底和磁 帶支承面(TBS)的平面未對(duì)齊。如果封閉物TBS高于襯底TBS，則 襯底內(nèi)嵌入的閱讀器測(cè)量的磁場(chǎng)密度強(qiáng)度對(duì)于被寫在磁帶上的高密 度磁性轉(zhuǎn)變將減小，已知為Wallace間隙損耗。由于Wallace間隙損 耗，信號(hào)與閱讀器和磁帶表面之間的間隙成指數(shù)地減小。寫場(chǎng)強(qiáng)類似 于由于Wallace間隙損耗而隨多巨離減小。上述的雙向?qū)?讀磁帶頭的模塊彼此相鄰。當(dāng)向磁帶寫數(shù)據(jù)時(shí)， 一個(gè)或多個(gè)寫元件生成磁場(chǎng)以將數(shù)據(jù)寫在磁帶上。此磁場(chǎng)的射頻(RF) 輻射可被下游模塊的讀元件接收到。讀元件接收到的RF輻射是干擾 從磁帶上讀取正確數(shù)據(jù)的讀元件的噪聲源?，F(xiàn)有的將讀元件與寫元件發(fā)出的射頻輻射屏蔽開(kāi)的方法是在兩 個(gè)模塊之間添加RF屏蔽120。在當(dāng)前的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)磁帶設(shè)備，例如 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司(IBM) ， Armonk， New York制造的線性磁帶開(kāi) 放協(xié)議(LTO)磁帶驅(qū)動(dòng)器中，射頻(RF)屏蔽120被安置在模塊之 間，以減小當(dāng)寫數(shù)據(jù)時(shí)讀元件接收到的噪聲量。通常，RF屏蔽包含金屬箔或薄板，并且固定在耦合到頭的一個(gè) 模塊的數(shù)據(jù)電纜上。在數(shù)據(jù)電纜的引線接合到襯底上的器件元件焊盤 之后，RF屏蔽被固定在數(shù)據(jù)電纜上。RF屏蔽被安置在電纜上以便其 延伸到兩個(gè)才莫塊之間的通道內(nèi)，但是沒(méi)有在TBS的平面之上。因此， 金屬箔RF屏蔽必須在電纜上被精確地對(duì)齊，從而其接近TBS而不會(huì) 突出到TBS的平面上方。 一旦金屬箔在電纜上并從而在模塊上對(duì)齊，則RF屏蔽被固定在電纜上。可理解，此過(guò)程勞動(dòng)密集從而成本高。 周期性地，RF屏蔽未對(duì)齊，并且高成本的模塊必須被廢棄或者RF 屏蔽被重新對(duì)齊。RF屏蔽重新對(duì)齊包括從電纜上剝落粘結(jié)接合的RF 屏蔽，這常常會(huì)由于破壞電纜引線或者對(duì)讀器件造成靜電荷損壞 (ESD)而損壞模塊。因此，很清楚，本領(lǐng)域內(nèi)需要一種可提供足夠的RF信號(hào)阻隔并 且制造簡(jiǎn)單且成本合算的磁帶頭用的射頻屏蔽。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例包括用于柔性磁存儲(chǔ)介質(zhì)例如磁帶的配備 有原地射頻屏蔽的讀/寫頭。當(dāng)頭的寫元件寫數(shù)據(jù)時(shí)，本發(fā)明的原地射 頻(RF)屏蔽禁止頭的讀元件接收到RF輻射。讀元件接收到的RF 輻射是噪聲源，該噪聲源干擾讀元件讀取介質(zhì)上存儲(chǔ)的正確數(shù)據(jù)，并 且可能會(huì)隨著時(shí)間的過(guò)去損壞讀元件。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，本發(fā)明的讀/寫頭包括彼此相鄰地安置的一對(duì)模塊。每個(gè)模塊包括具有讀和寫元件的襯底。讀和寫元件可與 最接近另一個(gè)模塊的襯底的側(cè)邊相鄰地嵌入該襯底。RF屏蔽可安置 在嵌入每個(gè)模塊的讀和寫元件之間。在優(yōu)選實(shí)施例中，RF屏蔽可安 放在與另一個(gè)模塊相鄰的一個(gè)模塊的襯底的側(cè)面上。任選地，封閉物可接合在模塊上以便減少襯底的磨損。如果提供 封閉物，則RF屏蔽可在原地被安置在封閉物和嵌入模塊的襯底的讀/ 寫元件之間。封閉物可接合在襯底上以在封閉物和襯底之間生成牢固 接合。此接合應(yīng)該足夠牢固以防止在制造過(guò)程期間例如當(dāng)數(shù)據(jù)電纜接 合在模塊上時(shí)，或者在正常操作期間封閉物相對(duì)于襯底移動(dòng)。另外， 必要時(shí)，封閉物和襯底之間的接合應(yīng)使封閉物與襯底保持相同的電 勢(shì)。這可通過(guò)蝕刻通過(guò)襯底的層并且形成導(dǎo)電柱以將封閉物接合在襯 底上實(shí)現(xiàn)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)成讀/寫頭的兩個(gè)模塊中的被選擇 的一個(gè)模塊包括該原地RF屏蔽。在可選擇實(shí)施例中，構(gòu)成該讀/寫頭的每個(gè)模塊配置有RF屏蔽。每個(gè)模塊具有RF屏蔽還使得來(lái)自頭的 寫元件的RF輻射和被頭的讀元件接收到的RF輻射最小。RF屏蔽的尺寸和材料可基于頭的操作頻率和被選擇為構(gòu)成RF 屏蔽的材料的趨膚深度選擇。優(yōu)選地，在頭的操作頻率下，構(gòu)成RF 屏蔽的材料的趨膚深度小于該材料的厚度。數(shù)據(jù)電纜接合到構(gòu)成該頭的兩個(gè)模塊上以在該頭和控制器之間 提供數(shù)據(jù)通路。數(shù)據(jù)電纜可使用已知方法例如超聲波焊接接合在模塊 上。在優(yōu)選實(shí)施例中，數(shù)據(jù)電纜使用異方性導(dǎo)電膜(ACF)接合被接 合在頭的每個(gè)模塊的器件元件焊盤上。與現(xiàn)有技術(shù)內(nèi)發(fā)現(xiàn)的電纜引線 的很大一部分被暴露相反，使用ACF接合將電纜接合到模塊上使得 僅需要暴露電纜引線的接合面。結(jié)果，在電纜的背面上的金屬接地平 面可被延伸以覆蓋引線。延伸金屬接地平面可為頭的器件元件焊盤和 讀/寫元件提供另外的RF屏蔽。


現(xiàn)有技術(shù)的圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的傳統(tǒng)平面重疊磁帶頭的側(cè)視圖；圖2是示出本發(fā)明的讀/寫頭的實(shí)施例的模塊的剖面?zhèn)纫晥D； 圖3是示出本發(fā)明的讀/寫頭的可選擇實(shí)施例的剖面?zhèn)纫晥D； 圖4是示出耦合到本發(fā)明的讀/寫頭的數(shù)據(jù)電纜的局部端視圖；并且圖5是示出耦合到本發(fā)明的讀/寫頭的數(shù)據(jù)電纜的可選擇實(shí)施例 的局部端視圖。
具體實(shí)施方式
參照附圖的圖2，示出本發(fā)明的讀/寫頭10的示例性實(shí)施例。本 發(fā)明的讀/寫頭10配置有原地射頻(RF)屏蔽12，當(dāng)數(shù)據(jù)被頭10的 其它器件元件寫入時(shí)，該屏蔽禁止讀取數(shù)據(jù)的頭10的器件元件接收 到射頻(RF)輻射。在示例性實(shí)施例中，本發(fā)明的頭10包括總體上用14示出的一對(duì) 模塊。但是，在可選擇實(shí)施例中，頭IO可包括或多或少的模塊14。 模塊14足夠長(zhǎng)，以至于當(dāng)頭IO在磁帶16的數(shù)據(jù)軌道(未示出)之 間跳進(jìn)時(shí)能夠支承磁帶16?；?8粘附在每個(gè)模塊14上以便支承該 模塊14?；?8使用已知的方法例如膠粘粘結(jié)耦合在一起。每個(gè)模塊14可包括晶片襯底20，該襯底20具有粘附在基部18 上的底面22和構(gòu)成磁帶支承面24的頂面。晶片襯底20優(yōu)選地使用 已知的方法例如薄膜制造技術(shù)構(gòu)建。使用這種技術(shù)，構(gòu)成襯底20的 部件通常被分層構(gòu)建?？墒褂盟黾夹g(shù)在頭10的每個(gè)晶片襯底20內(nèi)形成多個(gè)器件元件 26，并且每個(gè)襯底20具有相同數(shù)量的元件26。器件元件26被提供用 于從磁帶16讀數(shù)據(jù)(閱讀器)和向磁帶16寫數(shù)據(jù)(寫入器)。器件 元件26包括一些已知的用于在柔性磁存儲(chǔ)介質(zhì)上讀和寫數(shù)據(jù)的器件 元件配置中的任何一個(gè)。讀/寫頭共用的器件元件配置包括并排和馱栽 (Piggy-back)配置。在任何一種配置中，第一襯底20可配置有讀元 件l、寫元件2、讀元件3、寫元件4，...，第二襯底可配置有寫元件 1、讀元件2、寫元件3、讀元件4，...，從而讀元件n與寫元件n對(duì) 齊。對(duì)于"向前運(yùn)動(dòng)"，寫元件2n+l (磁帶16的單數(shù)數(shù)據(jù)軌道)將寫 數(shù)據(jù)，并且讀元件2n+l將讀取被該寫元件2n+l寫的數(shù)據(jù)。對(duì)于"倒 退運(yùn)動(dòng)"，寫元件2n(磁帶16的偶數(shù)數(shù)據(jù)軌道)將寫數(shù)據(jù)，并且讀元 件2n將讀取被該寫元件2n寫的數(shù)據(jù)。在并排配置中，寫元件和讀元 件沿模塊的長(zhǎng)度間隔開(kāi)。在馱載配置中，該2n+l讀元件和2n寫元件 沿相同軌道方向?qū)R，寫元件2n+l和讀元件2n也是如此。器件元件引線28耦合到每個(gè)器件元件26，以便向和從頭10傳 輸數(shù)據(jù)。每個(gè)器件元件引線28包含導(dǎo)電材料，并且使用已知方法例 如通過(guò)沉積電鍍?cè)谀K14內(nèi)形成。每個(gè)引線28的第一端部30耦合 到器件元件26，并且引線28的第二端部32耦合到器件焊盤34。每 個(gè)器件元件26需要至少兩個(gè)器件元件引線。參照?qǐng)D2到圖5，多個(gè)器件元件焊盤34被提供用于將數(shù)據(jù)電纜 36耦合到頭10以便在頭10和控制器(未示出)之間傳輸數(shù)據(jù)。多個(gè) 器件元件焊盤34可在晶片襯底20的端部38上形成。器件元件焊盤 34可包含導(dǎo)電材料例如銅，并且使用已知方法在制造過(guò)程期間在襯底 20的端部38上形成。器件元件焊盤34的銅可被涂覆鎳層(未示出) 以用作抵抗?jié)駳夥稚⒌钠琳?。如果被提供，則鎳層可然后被涂覆金層 以便減小氧化或腐蝕抑制。器件元件焊盤34可通過(guò)布置或者電鍍構(gòu) 成焊盤34的導(dǎo)電材料，然后蝕刻端部34以形成焊盤34形成。參照?qǐng)D2，本發(fā)明的頭10的射頻(RF)屏蔽12安置在嵌入每個(gè) 模塊14的器件元件26之間。當(dāng)其它器件元件26向磁帶16寫數(shù)據(jù)時(shí)， RF屏蔽12禁止讀數(shù)據(jù)的器件元件26接收到RF輻射。讀數(shù)據(jù)的器件 元件26接收到的RF輻射是噪聲源，該噪聲源會(huì)禁止讀數(shù)據(jù)的器件元 件26讀取磁帶16上存儲(chǔ)的正確數(shù)據(jù)，并且可能會(huì)隨著時(shí)間的過(guò)去損 壞元件26。在示例性實(shí)施例中，RF屏蔽12被在相鄰模塊14之間在原地安 置在晶片襯底20的端部38上。構(gòu)成頭10的兩個(gè)模塊14中的每一個(gè) 具有RF屏蔽12。在如圖3所示的可選擇實(shí)施例200中，選擇的一個(gè) 模塊14具有RF屏蔽12。為每個(gè)模塊14配置RF屏蔽12基本上可使 寫數(shù)據(jù)的器件元件26發(fā)出的RF輻射和讀數(shù)據(jù)的器件元件26接收到 的RF輻射最小。RF屏蔽12根據(jù)頭10的操作頻率和被選擇構(gòu)成RF屏蔽12的材 料的趨膚深度形成尺寸。優(yōu)選地，在頭10的操作頻率下，被選擇構(gòu) 成RF屏蔽12的材料的趨膚深度小于該材料的厚度。例如，被選擇構(gòu)成RF屏蔽12的材料及其厚度被選擇為使得趨 膚深度U)為<formula>formula see original document page 12</formula>其中co是頭10的操作頻率o是構(gòu)成RF屏蔽12的材料的導(dǎo)電率 Hf是構(gòu)成RF屏蔽12的材料的相對(duì)磁導(dǎo)率可用于構(gòu)建RF屏蔽12的材料的一些示例包括鎳、鐵、鎳-鐵80/20 合金、鎳-鐵的44/55合金、鋁硅鐵粉、79/16/5 NiFeMo合金、金、銅 和鋁。例如，鎳的ct為1.3xl07mho/m，并且Hr為100。在lMHz下， 鎳的趨膚深度(8 )為14jim。在優(yōu)選實(shí)施例中，RF屏蔽12使用包括 80/20鎳-鐵的合金或鋁硅鐵粉制造。上述金屬和合金是用于制造磁帶 頭的公知材料，因此可容易地得到。RF屏蔽12可使用本領(lǐng)域內(nèi)已知的方法構(gòu)建，并且可由構(gòu)成RF 屏蔽12的材料確定。例如，RF屏蔽12可使用本領(lǐng)域內(nèi)已知的方法 被鍍?cè)谝r底20的端部38上，或者被沉積和蝕刻。RF屏蔽12可被蝕 刻成，使得其上邊緣13與模塊14的磁帶支承面24對(duì)齊，并且RF屏 蔽的下邊緣15接近器件元件焊盤34。如果使用封閉物40,則封閉物40耦合到模塊14，并且RF屏蔽 12安置在封閉物40和模塊14的器件元件26之間。封閉物40可使用 已知的在封閉物40和襯底20之間產(chǎn)生牢固接合的方法接合在襯底20 上。此接合應(yīng)足夠牢固，以防止在制造過(guò)程期間例如當(dāng)數(shù)據(jù)電纜34 接合在模塊14上時(shí)，或者在正常操作期間，封閉物相對(duì)于襯底20移 動(dòng)。參照?qǐng)D2到圖5，數(shù)據(jù)電纜36耦合到元件焊盤34上，以在頭10 和控制器之間提供數(shù)據(jù)通路。數(shù)據(jù)電纜36可使用導(dǎo)電粘合劑使用確 定的方法例如超聲波焊接或膠粘耦合到器件元件焊盤34上，在優(yōu)選實(shí)施例中，使用異方性導(dǎo)電膜(ACF)接合將電纜36接 合到器件元件焊盤34上。與其他已知的接合方法相比，使用ACF接 合將電纜36接合到器件元件焊盤34上提供了 一種成本高效的將電纜 36接合到頭IO上的過(guò)程，并且提供可靠的接合。由于用于將電纜36 接合到器件元件焊盤34上的ACF粘合劑還用于將電纜36接合到模 塊14上，所以省去了對(duì)另外的應(yīng)變消除的需要。電纜36可包括任何合適的已知數(shù)據(jù)電纜。通常，數(shù)據(jù)電纜36 包括具有內(nèi)部導(dǎo)電層44和外部導(dǎo)電層46的柔性襯底層42，該襯底層 包含導(dǎo)電接地平面。電纜襯底層42包含聚合材料例如聚酰亞胺。內(nèi)部導(dǎo)電層44由多 個(gè)導(dǎo)電引線48構(gòu)成以便耦合到多個(gè)器件元件焊盤34,為每個(gè)焊盤34 提供一個(gè)引線48。內(nèi)部導(dǎo)電層44可以是本領(lǐng)域內(nèi)已知的任何合適的 材料，例如銅。通過(guò)首先使每個(gè)引線48的接合表面與器件焊盤34對(duì)齊，將電纜 36接合在器件元件焊盤34上。包含導(dǎo)電顆粒例如小金屬球54和粘合 劑56的異方性導(dǎo)電膜(ACF)52被應(yīng)用在將被接合的至少一個(gè)表面、 例如引線48的接合面50或器件焊盤34上。對(duì)引線48的接合面50 和器件元件焊盤34進(jìn)行熱壓縮——熱和壓力的組合，以將引線48接 合到焊盤34上。在接合期間，球54被壓縮以將引線48電耦合到焊 盤34上。該球具有足夠低的密度，以至于它們不會(huì)在器件元件焊盤 34的相鄰引線48之間形成水平導(dǎo)電橋。如圖6所示，在可選擇實(shí)施例中，接地平面46配置成在電纜引 線48和器件元件焊盤34上方延伸。與現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的暴露引線48 的很大一部分相反，并且如圖4所示，使用ACF接合來(lái)將電纜36接 合到器件元件34上時(shí)僅需暴露電纜引線48的接合面50。因此，在本 發(fā)明中，接地平面46可配置成在電纜引線48和器件元件焊盤34上 方延伸。接地平面46在引線48和焊盤34上方延伸可為頭IO的器件 元件焊盤34和器件元件26提供另外的RF屏蔽。當(dāng)接地平面46配置成在引線48上方延伸時(shí)，引線48與器件元 件焊盤34很難以對(duì)齊。在此實(shí)施例中，可在接地平面46內(nèi)形成一個(gè) 或多個(gè)窗口 58。在優(yōu)選實(shí)施例中，在接地平面46內(nèi)形成兩個(gè)窗口 58。 接地平面46內(nèi)的窗口 58使得引線48和器件元件焊盤34能夠視覺(jué)對(duì) 齊。 一旦對(duì)齊，引線48可如文中所述地接合到焊盤34上。任選地，接地平面46可在電纜引線48和器件元件焊盤34上方 延伸，并且耦合到RF屏蔽12。接地平面46在引線48和焊盤34上 方延伸可將接地平面46耦合到RF屏蔽12，可為頭10的器件元件焊 盤34和器件元件26提供另外的RF屏蔽。在此實(shí)施例中，接地平面 46優(yōu)選地使用上文所述的ACF接合接合到RF屏蔽12上。將接地平面46接合到RF屏蔽上為頭10的器件元件焊盤34和器件元件26提 供了另外的RF屏蔽。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，可構(gòu)造出剛剛說(shuō)明的優(yōu)選實(shí)施例的多種 修改和變型而不會(huì)背離本發(fā)明的范圍和精神。因此，應(yīng)理解，在所附 權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可與本文中具體說(shuō)明不同地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種用于柔性磁存儲(chǔ)介質(zhì)的讀/寫頭，該頭包括至少一個(gè)模塊，該模塊包括晶片襯底；在該襯底內(nèi)形成的至少一個(gè)器件元件；以及在所述至少一個(gè)模塊之一上形成并且介于所述至少一個(gè)模塊中的被選擇的一個(gè)模塊的器件元件和所述至少一個(gè)模塊中的另一個(gè)模塊的器件元件之間的射頻屏蔽，該射頻屏蔽減少由讀數(shù)據(jù)的器件元件接收到的、由寫數(shù)據(jù)的器件元件發(fā)出的輻射的幅值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的讀/寫頭，其中所迷射頻屏蔽根據(jù)所述頭的
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的讀/寫頭，其中在所述頭的操作頻率下，構(gòu) 成所述射頻屏蔽的材料的趨膚深度小于該材料的厚度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2的讀/寫頭，其中構(gòu)成所述射頻屏蔽的材料包 括電磁和導(dǎo)電材料中的所選的一個(gè)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的讀/寫頭，其中所述頭包含多于兩個(gè)的模塊。
6. —種用于柔性磁存儲(chǔ)介質(zhì)的讀/寫頭，該頭包括 耦合到基部上的至少一個(gè)模塊，每個(gè)模塊包括形成有磁帶支承面的晶片襯底，在從柔性磁存儲(chǔ)介質(zhì)讀數(shù) 據(jù)或者向該介質(zhì)寫數(shù)據(jù)時(shí)該介質(zhì)沿該磁帶支承面被傳遞；在該襯底內(nèi)形成并且被安置在該磁帶支承面的平面內(nèi)的至 少一個(gè)器件元件，該至少一個(gè)器件元件適于根據(jù)該介質(zhì)在沿磁帶 支承面被傳遞時(shí)的行進(jìn)方向從該介質(zhì)中讀數(shù)據(jù)或者向該介質(zhì)寫 數(shù)據(jù)；和耦合到該至少一個(gè)器件元件的至少一個(gè)器件元件焊盤； 耦合到該襯底并且介于所述至少一個(gè)模塊中的被選擇的一個(gè)模 塊的所述至少一個(gè)器件元件和所述至少一個(gè)模塊中的另一個(gè)模塊的所述至少一個(gè)器件元件之間的射頻屏蔽，該射頻屏蔽禁止讀數(shù)據(jù)的所 述至少一個(gè)器件元件接收到向介質(zhì)寫數(shù)據(jù)的所述至少一個(gè)器件元件發(fā)出的輻射；以及耦合到至少一對(duì)器件元件焊盤的數(shù)據(jù)電纜，該數(shù)據(jù)電纜在其背面 上具有接地平面，該接地平面配置成在該至少一個(gè)器件元件焊盤上方 延伸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的讀/寫頭，其中所述射頻屏蔽根據(jù)所述頭的
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的讀/寫頭，其中在所述頭的操作頻率下，構(gòu) 成所述射頻屏蔽的材料的厚度大于該材料的趨膚深度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7的讀/寫頭，其中構(gòu)成所述射頻屏蔽的材料包 括透磁鐵磁材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的讀/寫頭，其中構(gòu)成所述射頻屏蔽的所述透 磁鐵磁材料選自鎳-鐵合金、鋁硅鐵粉、銅合金、金合金和銀合金。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8的讀/寫頭，其中構(gòu)成所述射頻屏蔽的材料包 含選自銅、金、鋁和銀的導(dǎo)電材料。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8的讀/寫頭，其中所述射頻屏蔽包含透磁鐵磁 材料和導(dǎo)電材料中的選擇的一個(gè)的疊層結(jié)構(gòu)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求6的讀/寫頭，其中所述射頻屏蔽具有與所述磁 帶支承面的平面相鄰的上邊緣。
14. 根據(jù)權(quán)利要求6的讀/寫頭，其中所述數(shù)據(jù)電纜的引線接合在 至少一對(duì)所述器件元件焊盤上，從而數(shù)據(jù)電纜引線接合在每個(gè)器件元 件焊盤上，數(shù)據(jù)電纜的引線使用導(dǎo)電粘合劑接合在器件元件焊盤上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的讀/寫頭，其中所述數(shù)據(jù)電纜上的接地平 面在所述至少一個(gè)器件焊盤和數(shù)據(jù)電纜引線上方延伸，以便禁止該數(shù) 據(jù)電纜引線和器件元件焊盤接收到向所述介質(zhì)寫數(shù)據(jù)的所述至少一 個(gè)器件元件生成的噪聲。
16. 根據(jù)權(quán)利要求7的讀/寫頭，其中所述數(shù)據(jù)電纜上的接地平面 接合在所述射頻屏蔽上，以便進(jìn)一步禁止讀數(shù)據(jù)的所述至少一個(gè)器件元件接收到向所述介質(zhì)寫數(shù)據(jù)的所述至少一個(gè)器件元件生成的噪聲。
17. —種用于磁存儲(chǔ)介質(zhì)的讀/寫頭，該頭包括 耦合在一起的一對(duì)基部； 耦合在每個(gè)基部上的模塊，每個(gè)模塊包括 形成有磁帶支承面的晶片襯底；在該襯底內(nèi)形成并且被安置在該磁帶支承面的平面內(nèi)的多 個(gè)器件元件，所述器件元件適于根據(jù)磁存儲(chǔ)介質(zhì)的行進(jìn)方向從該 介質(zhì)中讀數(shù)據(jù)或者向該介質(zhì)寫數(shù)據(jù)；在該襯底內(nèi)形成的多個(gè)器件元件引線，每個(gè)器件元件引線 耦合到器件元件以提供導(dǎo)電信號(hào)通路；在該襯底上與所述器件元件相鄰地形成的射頻屏蔽，該射 頻屏蔽禁止從介質(zhì)讀數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)器件元件接收到向介質(zhì) 寫數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)器件元件發(fā)出的輻射；耦合到該襯底的封閉物，該封閉物具有與該磁帶支承面的 平面對(duì)齊的頂面；和在該襯底上形成的并且耦合到所述器件元件引線的多個(gè)器 件元件焊盤；以及接合到所述多個(gè)器件元件焊盤的數(shù)據(jù)電纜，該數(shù)據(jù)電纜包括用于 耦合到所述多個(gè)器件元件焊盤中的每一個(gè)的多個(gè)引線，該數(shù)據(jù)電纜配 置成在其背面上具有接地平面，該接地平面在所述多個(gè)器件焊盤上方 延伸以便禁止該數(shù)據(jù)電纜引線和器件元件焊盤接收到向該介質(zhì)寫數(shù) 據(jù)的器件元件生成的噪聲。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的讀/寫頭，其中所述射頻屏蔽根據(jù)所述頭
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的讀/寫頭，其中在所述頭的操作頻率下， 構(gòu)成所述射頻屏蔽的材料的厚度大于該材料的趨膚深度。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19的讀/寫頭，其中構(gòu)成所述射頻屏蔽的材料 包括選自鎳-鐵合金、鋁硅鐵粉、銅合金、金合金和銀合金的透磁鐵磁 材料。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17的讀/寫頭，其中所述射頻屏蔽具有與所述 磁帶支承面的平面平齊的上邊緣。
22. 根據(jù)權(quán)利要求17的讀/寫頭，其中所述數(shù)據(jù)電纜的引線使用 異方性導(dǎo)電膜接合被接合在所述多個(gè)器件元件焊盤上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種配置有原地射頻(RF)屏蔽的磁帶用讀/寫頭。本發(fā)明的RF屏蔽禁止讀數(shù)據(jù)的器件元件讀取寫數(shù)據(jù)的其它器件元件發(fā)出的RF輻射。RF屏蔽可安放在一個(gè)模塊的器件元件和第二模塊的器件元件之間。RF屏蔽的尺寸和材料可根據(jù)頭的操作頻率以及構(gòu)成該RF屏蔽的材料的趨膚深度選擇。數(shù)據(jù)電纜可使用ACF接合被接合在模塊的器件元件焊盤上。將電纜ACF接合在模塊上使得該電纜上的金屬接地平面將被延伸以提供另外的RF屏蔽。
文檔編號(hào)G11B5/127GK101226747SQ200810002958
公開(kāi)日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月15日
發(fā)明者安德魯·C.·丁, 艾可·E·伊本, 路易斯·H.·帕拉西斯 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司