專利名稱：磁盤用玻璃基板的制造方法、磁盤用玻璃基板、磁盤的制造方法及磁盤的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種安裝于硬盤驅動裝置的磁盤用玻璃基板的制造方法、磁盤用玻璃 基板、磁盤的制造方法及磁盤。
背景技術：
作為安裝于硬盤驅動裝置(HDD裝置)的磁記錄介質具有磁盤。磁盤通過在由鋁 鎂合金等構成的金屬板上附著NiP膜的基板、玻璃基板、陶瓷基板上層疊磁性層及保護層 而制作。以往，作為磁盤用基板廣泛使用鋁合金基板，但是，隨著近年來的磁盤小型化、薄板 化、高密度記錄化，正在使用與鋁合金基板相比表面的平坦度及薄板的強度優(yōu)良的玻璃基 板。這樣的磁記錄用玻璃基板經由如下工序制造，S卩，坯料加工工序及第一研磨工序 (第一磨削工序)、端部形狀工序(形成孔部的去芯工序、在端部(外周端部及內周端部) 形成倒角面的倒角工序(倒角面形成工序))、端面拋光工序(外周端部及內周端部)、第二 研磨工序(第二磨削工序)、主表面拋光工序(第一及第二拋光工序)、化學強化工序等。磁盤的記錄密度逐年增加，已開發(fā)出單面100GB以上的磁盤?，F在，磁盤的兩面 都滿足所需要的記錄密度，但是，若這樣增加記錄密度，則在不太需要記錄密度的電子儀 器中，只要單面就能滿足需要的記錄密度。若這樣用單面滿足所需要的記錄密度，則由于 在HDD裝置側對一張磁盤將磁頭設為一個等可減少部件個數因而對成本有利，且可實現薄 型化。因此，可預想今后對只在單面設置磁性層的磁盤的需要將會增長(例如，參照特開 2001-351229號公報(專利文獻1))?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1 特開2001-351229號公報

發(fā)明內容
發(fā)明所要解決的課題這樣，對于只在單面設置磁性層的磁盤用玻璃基板，省略了對不設置磁性層的主 表面的主表面拋光工序，可進行成本(拋光布、拋光劑(漿料)、加工費用、人工費等)的消 減。特別是通過省略使算術表面粗糙度達到非常低的水平的第二拋光工序，可有效謀求成 本消減。但是，作為磁盤用玻璃基板的玻璃，有時使用含有鈉及鋰等堿金屬的鋁硅酸鹽玻 璃。這些堿金屬有時因環(huán)境而在基板表面溶解析出。若這樣在基板表面溶解析出堿金屬， 則通過目視觀察可識別出白色狀的污垢(所謂的腐蝕)。雖然這樣的污垢可通過洗滌工序 除去，但是，由于成為污染洗滌裝置的原因，因而需要盡可能控制。本發(fā)明是鑒于這一點而完成的，其目的之一在于，提供一種可得到防止腐蝕的發(fā)生，只以單面作為記錄面使用的、高記錄密度的磁盤用玻璃基板的磁盤用玻璃基板的制造 方法及磁盤用玻璃基板。另外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種在防止基板構成成分溶解 析出的狀態(tài)下，可只以單面為記錄面使用的高記錄密度的磁盤及其該磁盤的制造方法。用于解決課題的手段本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法包括對具有一對主表面的玻璃基板進行拋 光的主表面拋光工序，其特征在于，在所述主表面拋光工序中，對所述玻璃基板的一個主表 面以達到規(guī)定的算術平均粗糙度(Ra)的方式進行主表面拋光處理，以達到使所述玻璃基 板的另一個主表面比所述一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止構成所述磁盤 用玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度的方式對所述另一個主 表面進行主表面拋光處理。根據該方法，由于在主表面拋光工序中，以達到為防止構成磁盤用玻璃基板的成 分的溶解析出的充分的粗糙度的方式進行主表面拋光處理，因而可防止基板構成成分從不 作為磁記錄面使用的主表面溶解析出，由此可抑制在不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法包括對具有一對主表面的玻璃基板進行拋 光的主表面拋光工序，其特征在于，在所述主表面拋光工序中，對所述玻璃基板的一個主表 面，以達到為了進行磁記錄而要求的算術平均粗糙度(Ra)的方式進行主表面拋光處理，以 達到使所述玻璃基板的另一個主表面比所述一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為 防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的充分的粗糙度的方式對所述另一個主表 面進行主表面拋光處理。根據該方法，在作為磁記錄面使用的主表面具有為進行磁記錄而要求的算術平均 粗糙度，同時可防止基板構成成分從不作為磁記錄面使用的主表面溶解析出，由此可防止 在不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中，優(yōu)選在所述主表面拋光工序中，對所 述玻璃基板的另一個主表面進行的主表面拋光處理的次數比對所述玻璃基板的一個主表 面進行的主表面拋光處理的次數少。根據該方法，可謀求成本的消減等。在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中，優(yōu)選為防止構成所述磁盤用玻璃基板 的成分從所述另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度為5. Onm以下。另外，若是所述另一 個主表面的粗糙度為5. Onm以下的狀態(tài)，則也可以在所述主表面拋光工序中，對所述玻璃 基板的另一個主表面至少不進行最終的主表面拋光處理。在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中，優(yōu)選對所述玻璃基板的一個主表面以 使算術平均粗糙度(Ra)達到0. 30nm以下的方式進行主表面拋光處理。在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中，優(yōu)選還具備通過光學式自動外觀檢查 識別所述磁盤用玻璃基板的一個主表面的工序。本發(fā)明的磁盤用玻璃基板具有一對主表面，其特征在于，一個主表面具有規(guī)定的 算術平均粗糙度(Ra)，另一個主表面具有比所述一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、 為防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度。根 據該構成，可以在抑制不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕的狀態(tài)下，只以單面為磁記錄層 使用。本發(fā)明的磁盤用玻璃基板具有一對主表面，其特征在于，一個主表面具有為進行磁記錄而要求的算術平均粗糙度(Ra)，另一個主表面具有比所述一個主表面的算術平均粗 糙度(Ra)粗糙、為防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的充分的粗糙度。根據該 構成，可以在抑制不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕的狀態(tài)下，實現可發(fā)揮所需要的特性 的單面磁記錄層。本發(fā)明的磁盤的特征在于，在上述磁盤用玻璃基板的所述一個主表面上至少形成 有磁記錄層。優(yōu)選本發(fā)明的磁盤只在上述磁盤用玻璃基板的所述一個主表面上至少形成有磁 記錄層，在所述另一個主表面上形成有防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的基 板構成成分溶解析出防止層。根據該構成，由于在磁盤用玻璃基板的主表面上形成有防止構成磁盤用玻璃基板 的成分溶解析出的基板構成成分溶解析出防止層，因而，在上述磁盤用玻璃基板的另一個 主表面具有為防止構成磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的充分的粗糙度的情況下，可進一 步阻止主表面的基板構成成分的溶解析出，由此，可進一步抑制在不作為磁記錄面使用的 面發(fā)生腐蝕。本發(fā)明的磁盤是在具有一對主表面的磁盤用玻璃基板上至少形成有磁記錄層而 制成的磁盤，其特征在于，只在所述磁盤用玻璃基板的具有為進行磁記錄而要求的算術平 均粗糙度(Ra)的一個主表面上至少形成有磁記錄層，在另一個主表面上形成有防止構成 所述磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的基板構成成分溶解析出防止層。根據該構成，由于在磁盤用玻璃基板的主表面上形成防止構成所述磁盤用玻璃基 板的成分溶解析出的基板構成成分溶解析出防止層，因而可阻止主表面的基板構成成分的 溶解析出，由此，可抑制在不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。另外，在該情況下，優(yōu)選形成 有基板構成成分溶解析出防止層一側的磁盤用玻璃基板的主表面的粗糙度為6nm以下。若 粗糙度在該范圍內，則可有效抑制腐蝕的發(fā)生。在本發(fā)明的磁盤中，優(yōu)選所述基板構成成分溶解析出防止層的厚度為4nm以上。 通過設為4nm以上，作為基板構成成分溶解析出防止層可得到充分的效果。在本發(fā)明的磁盤中，優(yōu)選所述基板構成成分溶解析出防止層由含有鈦單體的鈦合 金構成。在本發(fā)明的磁盤中，優(yōu)選在所述基板構成成分溶解析出防止層上形成有磁盤翹曲 防止層。 在本發(fā)明的磁盤中，優(yōu)選在所述基板構成成分溶解析出防止層或磁盤翹曲防止層 上形成有在所述磁盤記錄層上形成的保護層。在本發(fā)明的磁盤中，優(yōu)選形成于所述一個主表面上的層的合計厚度和形成于所述 另一個主表面上的層的合計厚度相同。根據該構成，可達到兩主表面的膜應力的均衡，抑制 磁盤翹曲。本發(fā)明的磁盤的制造方法為在經由對具有一對主表面的玻璃基板進行拋光的主 表面拋光工序而得到的磁盤用玻璃基板上至少形成有磁記錄層的磁盤的制造方法，其特征 在于，只在一個主表面上至少形成有磁記錄層。本發(fā)明的磁盤的制造方法為在經由對具有一對主表面的玻璃基板進行拋光的主 表面拋光工序而得到的磁盤用玻璃基板上至少形成有磁記錄層而制成的磁盤的制造方法，其特征在于，只在一個主表面上至少形成有磁記錄層，在另一個主表面上，形成有防止構成 所述磁盤用玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的基板構成成分溶解析出防止層。根據該方法，由于在磁盤用玻璃基板的主表面上形成防止構成磁盤用玻璃基板的 成分溶解析出的基板構成成分溶解析出防止層，因而可抑制主表面的基板構成成分的溶解 析出，由此，可抑制在不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。發(fā)明效果由于本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法是，在主表面拋光工序中，對玻璃基板 的一個主表面以達到規(guī)定算術平均粗糙度的方式進行主表面拋光處理，以達到使玻璃基板 的另一個主表面比一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止構成磁盤用玻璃基板 的成分從另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度的方式對另一個主表面進行主表面拋光 處理，因而，可防止基板構成成分從不作為磁記錄面使用的主表面溶解析出，由此可抑制在 不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。因為本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的一個主表面具有規(guī)定的算術平均粗糙度(Ra)，另 一個主表面具有比所述一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止構成所述磁盤用 玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度，因此，可防止基板構成成 分從不作為磁記錄面使用的主表面溶解析出，由此可防止在不作為磁記錄面使用的面發(fā)生 腐蝕。由于本發(fā)明的磁盤只在具有一對主表面的磁盤用玻璃基板的具有為進行磁記錄 而要求的算術平均精糙度(Ra)的一個主表面上至少形成有磁記錄層，在另一個主表面上 形成有防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的基板構成成分溶解析出防止層，因 而可阻止不作為磁記錄面使用的主表面的基板構成成分的溶解析出，由此，可抑制在不作 為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。因為本發(fā)明的磁盤的制造方法為只在經由對具有一對主表面的玻璃基板進行拋 光的主表面拋光工序而得到的磁盤用玻璃基板的一個主表面上至少形成有磁記錄層，在另 一個主表面上形成有防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出 的基板構成成分溶解析出防止層，因此，可阻止不作為磁記錄面使用的主表面的基板構成 成分的溶解析出，由此，可抑制在不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。


圖1是表示由鋁硅酸鹽玻璃構成的玻璃基板的算術平均粗糙度(Ra)和構成玻璃 基板的成分即堿金屬的溶解析出量之間的關系的特性圖；圖2是表示本發(fā)明實施方式的磁盤用玻璃基板的制造工序的具體順序的圖；圖3是表示光學式自動外觀檢查的外觀檢查裝置的概略圖；圖4是表示由鋁硅酸鹽玻璃構成的玻璃基板的基板構成成分溶解析出防止層厚 度和構成玻璃基板的成分即堿金屬的溶解析出量之間的關系的特性圖；圖5是表示本發(fā)明實施方式的磁盤構成的一例的圖。
具體實施例方式下面，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。在本實施方式中，作為磁盤用玻璃基板的材料可使用鋁硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、硼 硅酸鹽玻璃等。特別是出于能提供可實施化學強化，且主表面的平坦性及基板強度優(yōu)良的 磁盤用玻璃基板這一點，可優(yōu)選使用鋁硅酸鹽玻璃。磁盤用玻璃基板的制造工序包括坯料加工工序及第一研磨工序、端部形狀工序 (形成孔部的去芯工序、在端部(外周端部及/或內周端部)形成倒角面的倒角工序(倒 角面形成工序))、第二研磨工序、端面拋光工序(外周端部及內周端部)、主表面拋光工序 (第一及第二拋光工序)、化學強化工序等工序。下面，對磁盤用玻璃基板的制造工序的各工序進行說明。另外，還對使用了所制作 的磁盤用玻璃基板的磁盤的制造工序進行說明。另外，也可以適宜改變各工序的順序。(1)坯料加工工序及第一研磨工序首先，在坯料加工工序中，例如可以熔融玻璃為材料，使用壓制法及浮法、下拉法、 多級拉伸法、熔融法等公知的制造方法進行制造。這些方法中，若使用壓制法則可廉價制造 板狀玻璃。在第一研磨工序，對板狀玻璃的兩主表面進行研磨加工，做成盤狀的玻璃基材。該 研磨加工可通過利用行星齒輪機構的雙面研磨裝置，使用氧化鋁系游離磨粒進行。具體而 言，使研磨平臺從上下按壓到板狀玻璃的兩面，將含有游離磨粒的磨削液供給到板狀玻璃 的主表面上，使它們相對移動來進行研磨加工。通過該研磨加工，可得到具有平坦的主表面 的玻璃基板。(2)端部形狀工序(形成孔部的去芯工序、在端部(外周端部及內周端部)形成倒 角面的倒角工序(倒角面形成工序))在去芯工序中，例如，使用圓筒狀的金剛石鉆頭在該玻璃基板的中心部形成內孔， 做成環(huán)狀的玻璃基板。在倒角工序中，通過金剛石砂輪對內周端面及外周端面進行磨削，實 施規(guī)定的倒角加工。(3)第二研磨工序在第二研磨工序中，對得到的玻璃基板的兩主表面與第一研磨工序同樣進行第二 研磨加工。通過進行該第二研磨工序，去除在前面工序形成于主表面的微細凹凸形狀/表 面損傷 傷痕等，且通過使表面粗糙度比第一研磨更低，使得可用短時間完成后續(xù)的對主表 面的拋光工序。(4)端面拋光工序在端面拋光工序中，通過刷磨方法對玻璃基板的外周端面及內周端面進行鏡面拋 光。此時，作為拋光磨?？墒褂美绾醒趸嬆チ５臐{料(游離磨粒)。通過該端面拋光 工序，因進行在玻璃基板的端面的污染·損傷·傷痕的去除，而成為可防止發(fā)生作為鈉及鉀 那樣的腐蝕原因的離子析出的狀態(tài)。(5)主表面拋光工序(第一拋光工序)作為主表面拋光工序，首先實施第一拋光工序。第一拋光工序是以去除因上述的 兩級研磨工序殘留于主表面的傷痕及變形以及用于在最終拋光工序中的表面粗糙度形成 的前階段粗糙度調整為主要目的的工序。在該第一拋光工序中，通過具有行星齒輪機構的雙面拋光裝置，使用硬質樹脂拋光具進行主表面的拋光。作為拋光劑可使用氧化鈰磨粒。在該第一拋光工序中，為防止構成玻璃基板的成分(例如堿金屬)從玻璃基板的 磁記錄面的相反側的面(不設置磁記錄層的面)溶解析出而以達到充分的粗糙度的方式進 行拋光處理。本發(fā)明人注意到玻璃基板的主表面的算術平均粗糙度(Ra)和構成玻璃基板的成分 的溶解析出之間的關系。圖1是表示由鋁硅酸鹽玻璃構成的玻璃基板的算術平均粗糙度(Ra) 和構成玻璃基板的成分即堿金屬的溶解析出量之間的關系的特性圖。在此，例如可使用原子 力顯微鏡，以256 X 256像素的分辨率測定2 μ mX 2 μ m角的測定區(qū)域而求出算術平均粗糙度。 另外，該堿金屬的溶解析出量表示將玻璃基板在80°C、80% RH環(huán)境下暴露7天進行腐蝕試驗 時的溶解析出量。另外，計數是用光學顯微鏡(X200倍率)按腐蝕試驗后的玻璃基板每單位 面積(約200μπιΧ300μπι的區(qū)域)的亮點數。該“亮點”是在高溫高濕環(huán)境下堿擴散加速， 擴散到玻璃基板表面的堿成分而引起的。因此，該亮點數越多表明耐腐蝕性越差。由圖1得知，當算術平均粗糙度(Ra)提高到一定程度時，則耐腐蝕性下降。因此， 為防止構成玻璃基板的成分的溶解析出而存在充分的粗糙度。本發(fā)明人基于該認識，發(fā)現 在只以單面作為記錄面使用的磁盤用玻璃基板中，還必須對不作為記錄面使用的面以達到 一定程度的算術平均粗糙度的方式實施拋光處理，以至于完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明的要點在于，在主表面拋光工序，對玻璃基板的一個主表面以達到規(guī)定 的算術平均粗糙度的方式進行主表面拋光處理，以達到使玻璃基板的另一個主表面比一個 主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止構成磁盤用玻璃基板的成分從另一個主表面 溶解析出的充分的粗糙度的方式對另一個主表面進行主表面拋光處理，由此，來抑制在只 以單面為磁記錄面使用的磁盤用玻璃基板的不作為記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。因此，在第一拋光工序中，以至少使磁記錄面的相反側的面的算術平均粗糙度達 到用于防止構成磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的充分的粗糙度的方式，對主表面進行拋 光處理。另外，作為用于防止構成磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的充分的粗糙度例如為 5. Onm以下。這樣，通過對磁記錄面的相反側的面以使其算術平均粗糙度達到用于防止構成 磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的充分的粗糙度的方式實施拋光處理，可抑制在只以單面 作為記錄面使用的高記錄密度的磁盤用玻璃基板的不作為磁記錄面使用的面發(fā)生腐蝕。(6)主表面拋光工序(最終拋光工序)然后，作為最終拋光工序，實施第二拋光工序。第二拋光工序是以只將兩主表面中 作為記錄面的面精加工成鏡面狀為目的的工序。在該第二拋光工序中，通過具有行星齒輪 機構的雙面拋光裝置使用軟質發(fā)泡樹脂拋光具進行主表面的鏡面拋光。作為漿料，可使用 比在第一拋光工序中使用的氧化鈰磨粒細的氧化鈰磨?；蚰z態(tài)硅石等。在本發(fā)明的方法中，優(yōu)選只對用作磁記錄面的主表面進行最終拋光處理。即，如圖 2所示，對用作磁記錄面的主表面(Α面)進行最終拋光處理，對不用作磁記錄面的主表面 (B面)不進行最終拋光處理。因此，這樣得到的磁盤用玻璃基板的A面具有規(guī)定的算術平 均粗糙度(Ra)，B面比A面的算術平均粗糙度粗糙，具有足夠用于防止構成玻璃基板的成 分從B面溶解析出的粗糙度。該規(guī)定粗糙度是指例如為進行磁記錄而要求的算術平均粗糙 度。另外，為進行磁記錄而要求的算術平均粗糙度可根據磁記錄層的記錄密度來確定。為了對A面進行最終拋光處理，對B面不進行最終拋光處理。例如在對不作為磁記錄面使用的主表面進行遮蔽的狀態(tài)下進行最終拋光處理。通過這樣操作，可只對一個主 表面進行需要成本的最終拋光處理，防止基板成分在不作為磁記錄面使用的面溶解析出， 從而可抑制腐蝕的發(fā)生，可謀求成本消減。由此，可以使對磁盤用玻璃基板的不用作磁記錄層的主表面進行的主表面拋光處 理的次數少于對磁盤用玻璃基板的用作磁記錄層的主表面進行的主表面拋光處理的次數。 因此，使磁盤用玻璃基板的不用作磁記錄層的主表面的算術平均粗糙度比用作磁記錄層的 主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙。另外，在該最終拋光工序中，優(yōu)選以使磁盤用玻璃基 板的用作磁記錄層的主表面的算術平均粗糙度(Ra)達到0. 30nm以下的方式對其進行主表 面拋光處理。另外，在圖2中，說明了不對B面進行最終拋光處理的情況，但是，在本發(fā)明中，例 如在B面不是足夠用于防止構成玻璃基板的成分溶解析出的粗糙度的情況下，也可以對B 面進行最終拋光處理。另外，在上述說明中，說明了只是不對B面進行最終拋光處理的情 況，但是，本發(fā)明不限于此，在B面為足夠用于防止構成玻璃基板的成分溶解析出的粗糙度 的情況下，也可以對B面不進行第一拋光處理及最終拋光處理的任一項。(7)化學強化工序在化學強化工序中，對完成了上述的研磨工序及拋光工序的玻璃基板實施化學強 化。作為用于化學強化的化學強化液，例如可使用硝酸鉀(60% )和硝酸鈉(40% )的混合 溶液等。通過將化學強化液加熱到300°C 400°C，將完成洗滌的玻璃基板預熱到200°C 300°C，將其在化學強化液中浸漬3小時 4小時來進行化學強化。在該浸漬時，為了對玻 璃基板的表面整體進行化學強化，優(yōu)選在使多個玻璃基板以端面保持的方式，收納于保持 架中的狀態(tài)下進行。這樣，通過在化學強化溶液中進行浸漬處理，將玻璃基板表層的鋰離子及鈉離子 分別置換為化學強化溶液中離子半徑相對較大的鈉離子及鉀離子，使玻璃基板得到強化。這樣，根據本發(fā)明，在主表面拋光工序中，由于對磁盤用玻璃基板的一個主表面以 達到規(guī)定的算術平均粗糙度的方式進行主表面拋光處理，以達到使磁盤用玻璃基板的另一 個主表面比一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止構成磁盤用玻璃基板的成分 從另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度的方式對另一個主表面進行主表面拋光處理，因 而，可防止基板構成成分從不用作磁記錄面使用的主表面溶解析出，由此，可抑制在不用作 磁記錄面的面發(fā)生腐蝕。(8)磁盤制造工序(記錄層等形成工序)如圖3所示，通過在經上述工序得到的玻璃基板的A面，依次在玻璃基板11的表 面形成附著層12、軟磁性層13、非磁性基底層14、垂直磁記錄層15、保護層16及潤滑層17， 制造垂直磁記錄盤。作為構成附著層12的材料，可列舉Cr合金等。作為構成軟磁性層13 的材料，可列舉CoTa^ 基合金等。作為非磁性基底層14，可列舉顆粒狀非磁性層等。作為 垂直磁記錄層15，可列舉顆粒狀非磁性層等。作為構成保護層16的材料，可列舉氫化碳等。 作為構成潤滑層17的材料，可列舉氟樹脂等。例如，更具體地說，這些記錄層等是使用串聯 式濺射裝置，在玻璃基板上依次形成CrTi附著層、CoTaZr/Ru/CoTaZr軟磁性層、CoCrSiO2 非磁性顆粒狀基底層、CoCrPt-SiO2* TW2顆粒狀磁性層、氫化碳保護層，再通過浸漬法形成 全氟聚醚潤滑層。
在該記錄層等形成工序中，優(yōu)選在用作磁記錄層的主表面上至少形成磁記錄層， 在不用作磁記錄層的主表面上形成防止構成磁盤用基板的成分從該主表面溶解析出的基 板構成成分溶解析出防止層(緩沖層)。通過在B面形成緩沖層，可進一步抑制不用作磁記 錄面的主表面的基板構成成分的溶解析出，由此可進一步抑制在不作為磁記錄面使用的面 發(fā)生腐蝕。作為該緩沖層的材料，只要是可防止構成磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的材 料就無特別限制，但是，從可減薄層厚的觀點、與玻璃基板的附著性好的觀點、成本低的觀 點等出發(fā)，優(yōu)選含有鈦單體的鈦合金膜、含有鉻單體的鉻合金膜，特別優(yōu)選CrTi膜。另外，在上述說明中，示出了將磁盤用玻璃基板的B面做成足夠用于防止構成磁 盤用玻璃基板的成分溶解析出的粗糙度，具體而言是做成5nm以下的構成，但是，在B面設 置緩沖層的情況下，不限于此。這是因為通過在B面形成緩沖層，可抑制該成分的溶解析 出。例如，即使磁盤用玻璃基板B面的粗糙度具體而言是在超過5nm而不足6nm的范圍，通 過在B面形成緩沖層，也可抑制該成分的溶解析出至在組裝有磁盤用玻璃基板的HDD裝置 的使用中不存在問題的程度。本發(fā)明人注意到緩沖層的厚度和構成玻璃基板的成分的溶解析出之間的關系。圖 4是表示形成于由含有鋁硅酸鹽玻璃的多成分系玻璃構成的玻璃基板上的緩沖層的厚度和 構成玻璃基板的成分即堿金屬的溶解析出量之間的關系的特性圖。另外，關于該堿金屬的 溶解析出量，是將磁盤在65°C、90% RH環(huán)境下暴露5天，將該磁盤組裝在HDD裝置中實施查 找試驗(4000萬次查找，計算其間的讀出/寫入錯誤(R/W錯誤))，將該計數值作為堿金屬 溶解析出量。另外，B面的粗糙度為6nm。即，在高溫高濕環(huán)境下，促進腐蝕，由于磁盤旋轉 使從不作為磁記錄層使用的面(B面)產生的腐蝕生成物飛散，在用作磁記錄層的面(A面) 的查找試驗中該飛散物附著于磁頭上，誘發(fā)R/W錯誤。因此，該計數值越大則堿金屬溶解析 出量越大(耐腐蝕性差)。另外，所謂多成分系玻璃是指除形成玻璃主骨架的Si之外為改 善玻璃的熔融特性及其它特性而添加其它成分的玻璃，除上述鋁硅酸鹽玻璃之外還有許多 玻璃。其中，特別是作為磁盤用玻璃基板，特別優(yōu)選鋁硅酸鹽玻璃、硼鋁硅酸鹽玻璃及鈉鈣 玻璃。由圖4得知，若緩沖層的厚度薄到一定程度，則耐腐蝕性下降。因此，為防止構成 玻璃基板的成分的溶解析出要有足夠的緩沖層厚度。本發(fā)明人基于該認識發(fā)現，為了阻止 基板構成成分的溶解析出，必須在磁盤用玻璃基板的不用作磁記錄面的面形成一定程度厚 度的緩沖層，以至于完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明的要點在于，通過在一個主表面上至少形成磁記錄層，在另一個主表面 上形成防止構成磁盤用玻璃基板的成分從該另一個主表面溶解析出的基板構成成分溶解 析出防止層，可阻止不用作磁記錄面的主表面的基板構成成分的溶解析出，抑制在不用作 磁記錄面的面發(fā)生腐蝕。如圖3所示，在本發(fā)明中，在磁盤用玻璃基板的不用作磁記錄層的面(在圖3中為 下面)上，至少形成基板構成成分溶解析出防止層即緩沖層18。根據如圖4所示，優(yōu)選該緩 沖層18的厚度為4nm以上。另外，作為構成緩沖層18的材料，可列舉Ti、Cr、碳等。另外，還認為若在用作磁記錄層的主表面(A面)形成磁記錄層等，在不用作磁記 錄層的主表面(B面)不形成層，則打破A面和B面之間的膜應力的平衡而造成磁盤的翹曲。 如圖3所示，考慮到這樣的情況，優(yōu)選在緩沖層18上形成防止磁盤翹曲層19。作為構成防止磁盤翹曲層19的材料，可列舉構成形成于A面的層的材料，例如Cr合金等。該情況下， 優(yōu)選形成于A面上的層的合計厚度和形成于B面上的層的合計厚度相同。因此，為使兩主 表面上的層的合計厚度相同，希望考慮形成于A面上的層的構成及厚度，適宜確定防止磁 盤翹曲層19的厚度。這樣，通過在緩沖層18上設置防止磁盤翹曲層19，可更有效阻止基板 構成成分的溶解析出，可防止磁盤翹曲。另外，也可以根據需要，在緩沖層18或者防止磁盤 翹曲層19上形成有在A面上形成的保護層及潤滑層。在此，說明對所制造的磁盤用玻璃基板識別用作磁記錄面的主表面(A面)，在該 主表面上形成磁記錄層等來制造磁盤的情況。所制造的磁盤用玻璃基板具備用作磁記錄面的主表面(A面)、和不用作磁記錄 面的主表面(B面)。因此，考慮到磁盤制造工序，為了準確無誤地在A面形成磁記錄層等， 必須識別所制造的磁盤用玻璃基板的A面。由于玻璃基板為透明體，而且B面也具有規(guī)定 水平的算術平均粗糙度，因而很難通過目視高精度識別A面。因此，例如使用如圖5所示的 光學式自動外觀檢查(Α0Ι Automated Optical Inspection)的外觀檢查裝置2高精度識 別A面。圖5所示的外觀檢查裝置2具備兩個缺陷檢測探針用激光器21a、21b、和分別檢 測激光的大致全方向的散射光的四個檢測器2 22d。兩個缺陷檢測探針用激光器21a、 21b使激光輸出方向相同并分開配置。缺陷檢測探針用激光器21a輸出測定用激光，缺陷檢 測探針用激光器21b輸出參照用激光。檢測器22a、22b、22c配置于可檢測缺陷檢測探針用 激光器21a的激光照射位置的衍射 散射光的位置，分別檢測來自磁盤用玻璃基板10的衍 射 散射光，獲得散射光強度信息。另外，檢測器22b以檢測被配置于檢測器22c的前段的 分光器23分割后的一方的光的方式配置。另外，檢測器22d配置于可檢測缺陷檢測探針用 激光器21b的激光照射位置的衍射 散射光的位置，檢測作為磁盤用玻璃基板10的基準的 衍射·散射光，獲得參照散射光強度信息。根據這樣得到的散射光強度信息及參照散射光 強度信息判定算術平均粗糙度的大小。即，由于算術平均粗糙度大的主表面(B面)散射光 強度相對較大，算術平均粗糙度小的主表面(A面)散射光強度相對較小，因而在B面散射 光強度和參照散射光強度之間的差值相對較大，在A面散射光強度和參照散射光強度之間 的差值相對較小。使用另外制作的樣品調查算術平均粗糙度(Ra)和散射光強度之間的關系。其結 果如表1所示。根據這樣的關系，可通過AOI識別A面及B面。表 權利要求
1.一種磁盤用玻璃基板的制造方法，包括對具有一對主表面的玻璃基板進行拋光的主 表面拋光工序，其特征在于，在所述主表面拋光工序中，對所述玻璃基板的一個主表面以達 到規(guī)定的算術平均粗糙度(Ra)的方式進行主表面拋光處理，以達到使所述玻璃基板的另 一個主表面比所述一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止構成所述磁盤用玻璃 基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度的方式對所述另一個主表面進 行主表面拋光處理。
2.一種磁盤用玻璃基板的制造方法，包括對具有一對主表面的玻璃基板進行拋光的主 表面拋光工序，其特征在于，在所述主表面拋光工序中，對所述玻璃基板的一個主表面，以 達到為了進行磁記錄而要求的算術平均粗糙度(Ra)的方式進行主表面拋光處理，以達到 使所述玻璃基板的另一個主表面比所述一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止 構成所述磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的充分的粗糙度的方式對所述另一個主表面進 行主表面拋光處理。
3.權利要求1或2所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在所述主表面拋光 工序中，對所述玻璃基板的另一個主表面進行的主表面拋光處理的次數比對所述玻璃基板 的一個主表面進行的主表面拋光處理的次數少。
4.權利要求1或2所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，為防止構成所述磁 盤用玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度為5. Onm以下。
5.權利要求1或2所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，對所述玻璃基板的 一個主表面以使算術平均粗糙度(Ra)達到0. 30nm以下的方式進行主表面拋光處理。
6.權利要求1或2所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，還具備通過光學式 自動外觀檢查識別所述玻璃基板的一個主表面的工序。
7.—種磁盤用玻璃基板，具有一對主表面，其特征在于，一個主表面具有規(guī)定的算術平 均粗糙度(Ra)，另一個主表面具有比所述一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止 構成所述磁盤用玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度。
8.—種磁盤用玻璃基板，具有一對主表面，其特征在于，一個主表面具有為進行磁記 錄而要求的算術平均粗糙度(Ra)，另一個主表面具有比所述一個主表面的算術平均粗糙度 (Ra)粗糙、為防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分的溶解析出的充分的粗糙度。
9.一種磁盤，其特征在于，在權利要求7或者8所述的磁盤用玻璃基板的所述一個主表 面上至少形成有磁記錄層。
10.一種磁盤，其特征在于，在權利要求7或者8所述的磁盤用玻璃基板的所述另一個 主表面上形成有防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分溶解析出的基板構成成分溶解析出 防止層。
11.一種磁盤，在具有一對主表面的磁盤用玻璃基板上至少形成有磁記錄層，其特征在于，只在所述磁盤用玻璃基板的具有為進行磁記錄而要求的算術平均粗糙度(Ra)的一個 主表面上至少形成有所述磁記錄層，在另一個主表面上形成有防止構成所述磁盤用玻璃基 板的成分溶解析出的基板構成成分溶解析出防止層。
12.權利要求11所述的磁盤，其特征在于，所述基板構成成分溶解析出防止層的厚度 為4nm以上。
13.權利要求11所述的磁盤，其特征在于，所述基板構成成分溶解析出防止層由含有 鈦單體的鈦合金構成。
14.權利要求11所述的磁盤，其特征在于，在所述基板構成成分溶解析出防止層上形 成有磁盤翹曲防止層。
15.權利要求11所述的磁盤，其特征在于，在所述基板構成成分溶解析出防止層上形 成有在所述磁記錄層上形成的保護層。
16.權利要求14所述的磁盤，其特征在于，在所述磁盤翹曲防止層上形成有在所述磁 記錄層上形成的保護層。
17.權利要求11所述的磁盤，其特征在于，形成于所述一個主表面上的層的合計厚度 和形成于所述另一個主表面上的層的合計厚度相同。
18.—種磁盤的制造方法，其是在權利要求7或者8所述的磁盤用玻璃基板上至少形成 有磁記錄層而制成的磁盤的制造方法，其特征在于，只在一個主表面上至少形成磁記錄層。
19.一種磁盤的制造方法，其是在經由對具有一對主表面的玻璃基板進行拋光的主表 面拋光工序而得到的磁盤用玻璃基板上至少形成有磁記錄層的磁盤的制造方法，其特征在 于，只在所述磁盤用玻璃基板的一個主表面上至少形成有磁記錄層，在另一個主表面上，形 成有防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的基板構成成分 溶解析出防止層。
20.權利要求19所述的磁盤的制造方法，其特征在于，對所述磁盤用玻璃基板的另一 個主表面至少不進行最終的主表面拋光處理。
全文摘要
本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法的特征在于，在主表面拋光工序中，對玻璃基板的一個主表面以達到規(guī)定的算術平均粗糙度的方式進行主表面拋光處理，以達到使玻璃基板的另一個主表面比所述一個主表面的算術平均粗糙度(Ra)粗糙、為防止構成所述磁盤用玻璃基板的成分從所述另一個主表面溶解析出的充分的粗糙度的方式對所述另一個主表面進行主表面拋光處理。
文檔編號G11B5/73GK102150209SQ200980135240
公開日2011年8月10日 申請日期2009年9月2日 優(yōu)先權日2008年9月10日
發(fā)明者友永忠, 西森賢一 申請人:Hoya株式會社, Hoya玻璃磁盤(泰國)公司