專(zhuān)利名稱(chēng)：自旋轉(zhuǎn)移力矩-磁性隧道結(jié)裝置和操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及非易失性存儲(chǔ)器裝置，且更特定來(lái)說(shuō)涉及使用自旋力矩轉(zhuǎn)移的磁性隧道結(jié)(MTJ)裝置。
背景技術(shù)：
磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)為使用磁化來(lái)表示所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。MRAM通常包括呈一陣列的多個(gè)磁性單元。每一單元表示一位的數(shù)據(jù)。一單元包括例如 MTJ裝置等磁性元件。MTJ裝置的鐵磁板通常包括通過(guò)薄穿隧勢(shì)壘層分離的自由層和釘扎層(pinned layer)(固定層)。所述板與磁化方向(或磁矩的定向)相關(guān)聯(lián)。在自由層中，磁化方向能夠自由旋轉(zhuǎn)。反鐵磁層可用以將釘扎層的磁化固定于特定方向上。通過(guò)改變磁性元件的鐵磁板的自由層的磁化方向來(lái)將位寫(xiě)入到MTJ裝置。視自由層和釘扎層的磁矩的定向而定， MTJ裝置的電阻改變。自旋力矩轉(zhuǎn)移(STT)為用于向MTJ裝置寫(xiě)入的一種技術(shù)。在將自旋極化電流施加到自由層的情況下，電子得以再極化。電子的再極化導(dǎo)致自由層經(jīng)歷與經(jīng)再極化電子的角動(dòng)量的改變相關(guān)聯(lián)的力矩。因此，如果電流密度或開(kāi)關(guān)電流足夠高，那么此力矩可切換自由層的磁化的方向。使用STT來(lái)向磁性元件寫(xiě)入的優(yōu)點(diǎn)包括較小的位單元大小和非易失性存儲(chǔ)。此類(lèi)進(jìn)展已導(dǎo)致改進(jìn)性能并促進(jìn)更廣泛應(yīng)用的可縮放性的更多需求。舉例來(lái)說(shuō)，需要設(shè)計(jì)減小相鄰MTJ裝置之間的磁場(chǎng)干擾的MRAM。此外，需要減小開(kāi)關(guān)電流。

發(fā)明內(nèi)容
一特定實(shí)施例控制通過(guò)STT-MTJ裝置的位線或源極線的電流以抵銷(xiāo)施加到自由層的磁場(chǎng)。經(jīng)抵銷(xiāo)的所述磁場(chǎng)可能由接近于經(jīng)施加開(kāi)關(guān)電流的所述位線和源極線的電極產(chǎn)生。抵銷(xiāo)在MTJ的易磁化軸(easy axis)上的磁場(chǎng)可減小在寫(xiě)入操作期間的開(kāi)關(guān)電流。所述電流誘發(fā)的磁場(chǎng)可促進(jìn)所述MTJ裝置的自由層處的MTJ雜散磁場(chǎng)的抵銷(xiāo)。所述位線和所述源極線中的一者或兩者可相對(duì)于所述STT-MTJ裝置的長(zhǎng)軸或易磁化軸正交定位。所得的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可平行于所述易磁化軸，且可用以調(diào)制所述STT-MTJ裝置的凈磁矩。在另一特定實(shí)施例中，恒定電流在切換期間可施加于所述位線或所述源極線處， 以在所述自由層處產(chǎn)生恒定磁場(chǎng)。通過(guò)所述位線或源極線電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可定向于與所述自由層磁矩相反的方向上。電流可經(jīng)由所述位線和所述源極線在相反的方向上流動(dòng)，以產(chǎn)生所要磁場(chǎng)抵銷(xiāo)。所述位線、所述源極線或兩者中的電流的方向可進(jìn)一步經(jīng)設(shè)定以減小相鄰STT-MTJ裝置中的潛在電磁干擾。在另一特定實(shí)施例中，揭示一種方法，所述方法包括控制經(jīng)由源極線或位線的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)。所述電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)輔助切換STT-MTJ裝置內(nèi)的磁性存儲(chǔ)器元件的自由層的磁場(chǎng)的方向。
在另一特定實(shí)施例中，一種設(shè)備包括STT-MTJ裝置，所述STT-MTJ裝置具有與磁場(chǎng)相關(guān)聯(lián)的自由層。所述設(shè)備進(jìn)一步包括位線、源極線和控制邏輯電路。所述位線和所述源極線兩者與所述STT-MTJ裝置電連通。所述控制邏輯電路經(jīng)配置以控制經(jīng)由所述源極線或所述位線發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所述電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)輔助切換與所述STT-MTJ裝置的所述自由層相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)的方向。在另一特定實(shí)施例中，一種計(jì)算機(jī)可讀有形媒體存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行代碼，所述代碼包括可由計(jì)算機(jī)執(zhí)行以自動(dòng)控制經(jīng)由源極線或位線的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)的代碼。所述電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)經(jīng)施加以輔助切換STT-MTJ裝置內(nèi)的磁性存儲(chǔ)器元件的自由層的磁場(chǎng)的方向。在另一特定實(shí)施例中，一種設(shè)備包括電流路徑，所述電流路徑支持在固定方向上通過(guò)多個(gè)STT-MTJ裝置的電流流動(dòng)。另一電流路徑支持在與所述固定方向相反的方向上通過(guò)所述多個(gè)STT-MTJ裝置的電流流動(dòng)。在另一特定實(shí)施例中，一種設(shè)備包括STT-MTJ裝置，以及用于控制經(jīng)由源極線或位線發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向從而產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)以輔助切換所述STT-MTJ裝置內(nèi)的磁性元件的自由層的磁場(chǎng)的方向的裝置。在另一特定實(shí)施例中，一種方法包括接收設(shè)計(jì)信息，所述設(shè)計(jì)信息包括電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息。所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置包括包含STT-MTJ裝置的結(jié)構(gòu)，所述STT-MTJ裝置包括與磁場(chǎng)相關(guān)聯(lián)的自由層。所述經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置還包括與所述STT-MTJ裝置電子連通的位線，與所述STT-MTJ裝置電子連通的源極線，以及控制邏輯電路。所述控制邏輯電路經(jīng)配置以控制經(jīng)由所述源極線或所述位線發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，從而輔助切換與所述STT-MTJ裝置的所述自由層相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)的方向。由所揭示實(shí)施例提供的特定優(yōu)點(diǎn)可包括減小的開(kāi)關(guān)電流。實(shí)施例可另外減小MRAM 的相鄰STT-MTJ單元之間的磁性干擾。所述實(shí)施例的方面可因此改進(jìn)STT-MRAM存儲(chǔ)器裝置的性能和可縮放性。本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將在審閱包括以下部分的完整申請(qǐng)案之后變得顯而易見(jiàn)


具體實(shí)施方式
和權(quán)利要求書(shū)。

圖1為STT-MTJ裝置的存儲(chǔ)器單元的圖，所述存儲(chǔ)器單元經(jīng)配置以執(zhí)行涉及從反平行配置切換到平行配置的寫(xiě)入操作；圖2為STT-MTJ裝置的存儲(chǔ)器單元的圖，所述存儲(chǔ)器單元類(lèi)似于展示于圖1中的存儲(chǔ)器單元，且經(jīng)配置以執(zhí)行涉及從平行配置到反平行配置的切換操作的寫(xiě)入操作；圖3展示STT-MTJ裝置的類(lèi)似于展示于圖2中的存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元的橫截面；圖4展示STT-MTJ裝置的存儲(chǔ)器單元的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元類(lèi)似于展示于圖 3中的存儲(chǔ)器單元，且經(jīng)配置以執(zhí)行從反平行狀態(tài)到平行狀態(tài)的切換操作；圖5展示STT-MTJ裝置的存儲(chǔ)器單元的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元類(lèi)似于展示于圖 3中的存儲(chǔ)器單元，且包括頂部通孔而無(wú)底部通孔；
圖6展示STT-MTJ裝置的存儲(chǔ)器單元的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元類(lèi)似于展示于圖 3中的存儲(chǔ)器單元，且包括源極線(所述源極線具有垂直于位線的軸線的軸線)；圖7展示STT-MTJ裝置的存儲(chǔ)器單元的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元類(lèi)似于展示于圖 5中的存儲(chǔ)器單元，且包括源極線(所述源極線具有垂直于位線的軸線的軸線)；圖8展示MRAM布局，所述MRAM布局包括通常具有說(shuō)明于圖2到圖5中的類(lèi)型的 MTJ裝置的布置；圖9展示MRAM布局，所述MRAM布局包括通常具有說(shuō)明于圖6和圖7中的類(lèi)型的 MTJ裝置的布置；圖10為RH環(huán)形圖表，其說(shuō)明影響平行到反平行切換的抵銷(xiāo)磁場(chǎng)，例如可由通過(guò)圖 2的位線或源極線傳播的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)；圖11為展示向包括圖1到圖7的STT-MTJ裝置的磁性存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入的方法的流程圖；圖12為使用具有說(shuō)明于圖1到圖7中的類(lèi)型的STT-MTJ裝置的系統(tǒng)的特定實(shí)施例的框圖；以及圖13為用于制造STT-MTJ裝置的電子裝置制造系統(tǒng)的特定實(shí)施例的框圖。
具體實(shí)施例方式圖1為自旋力矩轉(zhuǎn)移磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)的存儲(chǔ)器單元100的圖，所述存儲(chǔ)器單元100經(jīng)配置以執(zhí)行寫(xiě)入操作。存儲(chǔ)器單元100經(jīng)配置以執(zhí)行從反平行配置到平行配置的切換操作。存儲(chǔ)器單元100包括磁性隧道結(jié)(MTJ)裝置102、晶體管104、位線 106和字線108。存儲(chǔ)器單元100還包括源極線110和偏壓產(chǎn)生器112。MTJ裝置102可包括自由層114、勢(shì)壘層116、釘層118、分隔層120，和釘扎層122。 示范性MTJ裝置102進(jìn)一步包括反鐵磁層124。偏壓產(chǎn)生器112可在位線106與源極線110之間產(chǎn)生寫(xiě)入電壓。偏壓產(chǎn)生器112 可在位線106的一側(cè)中添加抵銷(xiāo)電壓(與位線106的另一側(cè)相比)。視位線106與源極線 110之間的電壓的極性而定，MTJ裝置102的自由層114的極性可改變。可將對(duì)應(yīng)邏輯狀態(tài)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器單元100。MTJ裝置102的電阻基于自由層114的極性而改變。此改變可歸因于STT隧道磁阻效應(yīng)。在釘層118與自由層114具有相同極性的情況下(寫(xiě)入之后)，電阻為低的。在此狀況下，邏輯“0”被寫(xiě)入到存儲(chǔ)器單元100。處于此狀態(tài)的MTJ裝置處于平行配置。如果釘層118與自由層114具有相反極性，那么電阻較高，且邏輯“ 1 ”被寫(xiě)入到存儲(chǔ)器單元100 (如圖2中所示)。此配置被稱(chēng)為反平行配置。如圖1中所示，釘扎層122的磁矩由箭頭140來(lái)表示。釘層118的磁矩由箭頭142 來(lái)表示。自由層114的磁矩由箭頭144來(lái)表示，所述箭頭144定向于與箭頭142反平行的方向上。MTJ裝置102的定向因此為反平行的(在寫(xiě)入操作之前)。電流可沿通過(guò)位線106和源極線110的路徑1 進(jìn)行傳播，以建立磁場(chǎng)1 和130。 磁場(chǎng)128、130中的一者或兩者可對(duì)抗或以其它方式抵銷(xiāo)自由層114的磁矩。當(dāng)施加開(kāi)關(guān)電流時(shí)，由磁場(chǎng)1觀、130抵銷(xiāo)的一個(gè)此類(lèi)非所要磁場(chǎng)可能源于接近于位線106或接近于源極線110的電極。所得抵銷(xiāo)磁場(chǎng)可使得能夠減小存儲(chǔ)器單元100的STT-MRAM的自由層114的從反平行狀態(tài)到平行狀態(tài)的開(kāi)關(guān)電流。因而，可減小用于在MTJ裝置102中寫(xiě)入并存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的開(kāi)關(guān)電流?？墒勾艌?chǎng)128、130中的一者或兩者指向存儲(chǔ)器單元100的易磁化軸。所述易磁化軸可與存儲(chǔ)器單元100的最長(zhǎng)維度對(duì)準(zhǔn)。舉例來(lái)說(shuō)，最長(zhǎng)維度可能平行于源極線110、位線 106或兩者?；蛘撸琈TJ裝置的最短維度或難磁化軸(hard axis)可能平行于源極線110、位線106或兩者。在一個(gè)實(shí)施例中，用以建立磁場(chǎng)128、130的電流可在約50 μ A到約150 μ A 的范圍內(nèi)。在另一實(shí)施例中，所述電流可在約150 μ A到約400 μ A的范圍內(nèi)。圖1因此展示經(jīng)配置以在減小的電流需求下實(shí)現(xiàn)切換操作的存儲(chǔ)器單元100。通過(guò)位線106或源極線110發(fā)送電流以產(chǎn)生至少一個(gè)抵銷(xiāo)磁場(chǎng)128、130。圖1的存儲(chǔ)器單元 100可使用電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)128、130中的一者或一者以上來(lái)在平行狀態(tài)與反平行狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)變期間抵銷(xiāo)磁場(chǎng)。抵銷(xiāo)磁場(chǎng)可減小在寫(xiě)入操作期間需要的開(kāi)關(guān)電流。電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可促進(jìn)MTJ的易磁化軸在自由層114處的自旋力矩轉(zhuǎn)移。MTJ的易磁化軸可包括(例如) MTJ的長(zhǎng)軸，MTJ可經(jīng)設(shè)計(jì)以具有長(zhǎng)軸和短軸。所得電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可實(shí)質(zhì)上平行于MTJ裝置102的易磁化軸，且可用以調(diào)制MTJ裝置102的凈磁矩。圖2為說(shuō)明STT-MRAM的類(lèi)似于展示于圖1中的存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元200的特定實(shí)施例的圖，所述存儲(chǔ)器單元200正執(zhí)行從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的切換操作。電流在與圖1的路徑126相反的方向上流經(jīng)路徑226。存儲(chǔ)器單元200包括MTJ裝置202、晶體管204、位線206、字線208、源極線210，和偏壓產(chǎn)生器212。MTJ裝置202可包括自由層214、勢(shì)壘層216，和合成釘扎層217。合成釘扎層217 可包括釘層218、分隔層220和釘扎層222。示范性MTJ裝置202進(jìn)一步包括反鐵磁(AFM) 層 224。如圖2中所示，釘扎層222的磁矩由箭頭240來(lái)表示。釘層218的磁矩由箭頭242 來(lái)表示。自由層214的磁矩由箭頭244來(lái)表示，所述箭頭244定向于與箭頭242平行的方向上。MTJ裝置202的定向因此處于平行狀態(tài)，且隨時(shí)可切換到反平行狀態(tài)。電流可沿通過(guò)位線206和源極線210中的一者或兩者的路徑2 進(jìn)行傳播，以建立至少一個(gè)磁場(chǎng)228、330。磁場(chǎng)2觀、230可抵銷(xiāo)自由層214的磁矩。經(jīng)抵銷(xiāo)的磁場(chǎng)可有助于減小開(kāi)關(guān)電流。所得經(jīng)抵銷(xiāo)磁場(chǎng)允許減小存儲(chǔ)器單元200的STT-MRAM的自由層214的從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的開(kāi)關(guān)電流。經(jīng)由位線206和源極線210中的一者或兩者來(lái)發(fā)送電流以產(chǎn)生抵銷(xiāo)磁場(chǎng)。存儲(chǔ)器單元200使用電流誘發(fā)的磁場(chǎng)以在從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的轉(zhuǎn)變期間產(chǎn)生所述抵銷(xiāo)磁場(chǎng)。因此，存儲(chǔ)器單元200經(jīng)配置以在減小的開(kāi)關(guān)電流需求下實(shí)現(xiàn)切換操作。圖3展示STT-MRAM的存儲(chǔ)器單元300的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元300類(lèi)似于圖2 的存儲(chǔ)器單元200且經(jīng)配置以執(zhí)行寫(xiě)入操作。圖3進(jìn)一步說(shuō)明經(jīng)配置以執(zhí)行從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的切換操作的STT-MRAM。存儲(chǔ)器單元300可形成于例如半導(dǎo)體襯底等襯底上， 所述襯底包括(例如)硅、鍺和/或復(fù)合半導(dǎo)體材料。存儲(chǔ)器單元300包括位線306和源極線330。位線306和源極線330可由適于導(dǎo)電的材料(例如，Al、Cu、Au、Ag和Ta)形成。 位線306和源極線330中的至少一者可將電流供應(yīng)到MTJ裝置302。在圖3中，電流在如由340表示的方向上沿位線306的軸線并離開(kāi)頁(yè)面行進(jìn)而流動(dòng)。如由342所表示，電流還向頁(yè)面中并沿源極線330的軸線而流動(dòng)。
位線306可耦合到頂部電極332。源極線330可耦合到底部電極334。在圖3的實(shí)施例中，晶種通孔336耦合到源極線330和底部電極334兩者。在其它結(jié)構(gòu)(未圖示)存在于源極線330的部分與底部電極334之間的情況下，晶種通孔336可促進(jìn)源極線330與底部電極334之間的電連接性。MTJ裝置302可包括自由層314、勢(shì)壘層(例如，氧化物勢(shì)壘)316，和合成釘扎層 348。合成釘扎層348可包括釘層318、分隔層320和釘扎層322。說(shuō)明性MTJ裝置302進(jìn)一步包括反鐵磁層324。反鐵磁層3M可包括一個(gè)或一個(gè)以上反鐵磁層。在說(shuō)明于圖3中的實(shí)施例中，自由層314耦合到頂部電極332，且反鐵磁層3 耦合到底部電極334。線360 展示與MTJ裝置302相關(guān)聯(lián)的磁性退火(magnetic anneal)的方向。在圖3中，如由340所表示，電流沿位線306的軸線并離開(kāi)頁(yè)面而流動(dòng)。如由342 所表示，電流還向頁(yè)面中并沿源極線330的軸線而流動(dòng)。電流沿路徑350而流動(dòng)通過(guò)MTJ裝置302。通過(guò)源極線330的電流流動(dòng)342可產(chǎn)生第一磁場(chǎng)344，其影響且可抵銷(xiāo)自由層314 的磁矩。通過(guò)位線306的電流流動(dòng)340可產(chǎn)生磁場(chǎng)346，其可替代地或額外地抵銷(xiāo)自由層 314的磁矩。如圖3中所示，釘扎層322的磁矩由箭頭370來(lái)表示。釘層318的磁矩由箭頭372 來(lái)表示。自由層314的磁矩由箭頭374來(lái)表示，所述箭頭374定向于與箭頭372平行的方向上。MTJ裝置302的定向因此為平行的。以此方式，具有展示于圖3中的晶種通孔336的存儲(chǔ)器單元300可提供電流產(chǎn)生的抵銷(xiāo)磁場(chǎng)，其促進(jìn)從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的切換。抵銷(xiāo)磁場(chǎng)可減小寫(xiě)入操作期間的開(kāi)關(guān)電流。電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可促進(jìn)自由層314處的自旋力矩轉(zhuǎn)移。所得電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可用以調(diào)制MTJ裝置302的凈磁矩。圖4展示STT-MRAM的類(lèi)似于展示于圖1中的存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元400的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元400正執(zhí)行從反平行狀態(tài)到平行狀態(tài)的切換操作。存儲(chǔ)器單元400 包括位線406和源極線430。位線406和源極線430中的至少一者可將電流供應(yīng)到MTJ裝置402。在圖4中，電流在如由440所表示的方向上沿位線406的軸線并向頁(yè)面中流動(dòng)。如由442所表示，電流還離開(kāi)頁(yè)面并沿源極線430的軸線而流動(dòng)。如圖4中所示，釘扎層422的磁矩由箭頭470來(lái)表示。釘層418的磁矩由箭頭472 來(lái)表示。自由層414的磁矩由箭頭474來(lái)表示，所述箭頭474定向于與箭頭472相反的方向上。MTJ裝置402的定向因此為反平行的。位線406可耦合到頂部電極432。源極線430可耦合到底部電極434。在圖4的實(shí)施例中，晶種通孔436耦合到源極線430和底部電極434兩者。在其它結(jié)構(gòu)(未圖示)存在于源極線430的部分與底部電極434之間的情況下，晶種通孔436可促進(jìn)源極線430與底部電極434之間的電連接性。MTJ裝置402可耦合到電極432、434。MTJ裝置402可包括自由層414、勢(shì)壘層(例如，氧化物勢(shì)壘)416，和合成釘扎層448。合成釘扎層448可包括釘層418、分隔層420和釘扎層422。示范性MTJ裝置402進(jìn)一步包括反鐵磁層424。反鐵磁層似4可包括一個(gè)或一個(gè)以上反鐵磁層。在說(shuō)明于圖4中的實(shí)施例中，自由層414耦合到頂部電極432，且反鐵磁層4 耦合到底部電極434。線460展示與MTJ裝置402相關(guān)聯(lián)的磁性退火的方向。在圖4中，如由440所表示，電流沿位線406的軸線且向頁(yè)面中流動(dòng)。如由442所表示，電流還離開(kāi)頁(yè)面并沿源極線430的軸線而流動(dòng)。電流沿路徑450而流動(dòng)通過(guò)MTJ裝置402。通過(guò)源極線430的電流流動(dòng)442可產(chǎn)生第一磁場(chǎng)444，其影響自由層414。通過(guò)位線406的電流流動(dòng)440可產(chǎn)生另一磁場(chǎng)446，其也影響自由層414。以此方式，具有展示于圖4中的晶種通孔436的存儲(chǔ)器單元400可提供電流產(chǎn)生的抵銷(xiāo)磁場(chǎng)，其促進(jìn)反平行狀態(tài)到平行狀態(tài)之間的切換。抵銷(xiāo)磁場(chǎng)可允許減小寫(xiě)入操作期間的開(kāi)關(guān)電流。電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可促進(jìn)自由層414處的自旋力矩轉(zhuǎn)移。所得電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可用以調(diào)制MTJ裝置402的凈磁矩。圖5展示STT-MRAM的存儲(chǔ)器單元500的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元500類(lèi)似于展示于圖3中的存儲(chǔ)器單元，但無(wú)晶種通孔而包括頂部通孔552。示范性存儲(chǔ)器單元500可執(zhí)行從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的切換操作。存儲(chǔ)器單元500包括位線506和源極線530。位線 506和源極線530中的至少一者可將電流供應(yīng)到MTJ裝置502。在圖5中，電流在如由540 表示的方向上沿位線506的軸線并離開(kāi)頁(yè)面行進(jìn)而流動(dòng)。如由542所表示，電流還向頁(yè)面中且沿源極線530的軸線而流動(dòng)。位線506可耦合到頂部電極532。源極線530可耦合到底部電極534。在圖5的實(shí)施例中，頂部通孔552耦合到位線506和頂部電極532兩者。在其它結(jié)構(gòu)(未圖示)存在于位線506的部分與頂部電極532之間的情況下，頂部通孔552可促進(jìn)位線506與頂部電極532之間的電連接性。MTJ裝置502可耦合到電極532、534。MTJ裝置502可包括自由層514、勢(shì)壘層(例如，氧化物勢(shì)壘)516，和合成釘扎層M8。合成釘扎層548可包括釘層518、分隔層520和釘扎層522。示范性MTJ裝置502進(jìn)一步包括反鐵磁層524。在說(shuō)明于圖5中的實(shí)施例中，自由層514耦合到頂部電極532，且反鐵磁層5 耦合到底部電極534。線560展示與MTJ裝置502相關(guān)聯(lián)的磁性退火的方向。如圖5中所示，釘扎層522的磁矩由箭頭570來(lái)表示。釘層518的磁矩由箭頭572 來(lái)表示。自由層514的磁矩由箭頭574來(lái)表示，所述箭頭574定向于與箭頭572平行的方向上。MTJ裝置502的定向因此為平行的。在圖5中，如由540所表示，電流沿位線506的軸線且離開(kāi)頁(yè)面而流動(dòng)。如由542 所表示，電流還向頁(yè)面中且沿源極線530的軸線而流動(dòng)。電流沿路徑550而流動(dòng)通過(guò)MTJ 裝置502。通過(guò)源極線530的電流流動(dòng)542可產(chǎn)生第一磁場(chǎng)M4，其影響自由層514。通過(guò)位線506的電流流動(dòng)540可產(chǎn)生另一磁場(chǎng)M6，其替代地或額外地抵銷(xiāo)自由層514的磁矩。以此方式，具有展示于圖5中的頂部通孔552的存儲(chǔ)器單元500可提供電流產(chǎn)生的抵銷(xiāo)磁場(chǎng)，其在減小的開(kāi)關(guān)電流下促進(jìn)平行狀態(tài)與反平行狀態(tài)之間的切換。在存儲(chǔ)器單元500進(jìn)行反平行狀態(tài)與平行狀態(tài)之間的電流切換的實(shí)施例中，相應(yīng)電流路徑M0、M2、550的方向可經(jīng)反向。抵銷(xiāo)磁場(chǎng)可減小寫(xiě)入操作期間的開(kāi)關(guān)電流。電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可促進(jìn)自由層514處的自旋力矩轉(zhuǎn)移。所得電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可用以調(diào)制MTJ裝置502的凈磁矩。圖6展示STT-MRAM的存儲(chǔ)器單元600的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元600類(lèi)似于展示于圖3中的存儲(chǔ)器單元但包括源極線630，所述源極線630具有垂直于位線606的軸線的軸線。示范性存儲(chǔ)器單元600可執(zhí)行從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的切換操作。位線606和源極線630中的至少一者可將電流供應(yīng)到MTJ裝置602。在圖6中，電流在如由640表示的方向上沿位線606的軸線并離開(kāi)頁(yè)面行進(jìn)而流動(dòng)。如由642所表示，電流還沿源極線630的軸線而流動(dòng)。因此，在圖6中，位線606中的電流流動(dòng)640的方向垂直于源極線630的電流流動(dòng)642的方向。位線606可耦合到頂部電極632。源極線630可耦合到底部電極634。在圖6的實(shí)施例中，晶種通孔636將源極線630耦合到底部電極634。在其它結(jié)構(gòu)(未圖示)存在于源極線630的部分與底部電極634之間時(shí)，晶種通孔636可促進(jìn)源極線630與底部電極 634之間的電連接性。線660展示與MTJ裝置602相關(guān)聯(lián)的磁性退火的方向。MTJ裝置602可耦合到電極632、634。MTJ裝置602可包括自由層614、勢(shì)壘層616， 和合成釘扎層648。合成釘扎層648可包括釘層618、分隔層620和釘扎層622。示范性MTJ 裝置602進(jìn)一步包括反鐵磁層624。如圖6中所示，釘扎層622的磁矩由箭頭670來(lái)表示。釘層618的磁矩由箭頭672 來(lái)表示。自由層614的磁矩由箭頭674來(lái)表示，所述箭頭674定向于與箭頭672平行的方向上。MTJ裝置602的定向因此為平行的。在圖6中，如由640所表示，電流沿位線606的軸線且離開(kāi)頁(yè)面而流動(dòng)。如由642 所表示，電流還沿源極線630的軸線而流動(dòng)。電流沿路徑650而流動(dòng)通過(guò)MTJ裝置602。通過(guò)位線606的電流流動(dòng)640可產(chǎn)生磁場(chǎng)646，其影響自由層614。通過(guò)源極線630的電流流動(dòng)642可另外產(chǎn)生磁場(chǎng)(未圖示)。以此方式，具有晶種通孔636和源極線630(所述源極線630相對(duì)于位線606正交布置)的存儲(chǔ)器單元600可在減小的開(kāi)關(guān)電流下促進(jìn)平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)之間的電流切換。在存儲(chǔ)器單元600進(jìn)行反平行狀態(tài)與平行狀態(tài)之間的電流切換的實(shí)施例中，相應(yīng)電流路徑640、642、650的方向可經(jīng)反向。抵銷(xiāo)自由層614中的磁場(chǎng)可通過(guò)促進(jìn)自旋力矩轉(zhuǎn)移而減小開(kāi)關(guān)電流。自由層614 處的所得電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可用以調(diào)制MTJ裝置602的凈磁矩。圖7展示STT-MRAM的存儲(chǔ)器單元700的橫截面，所述存儲(chǔ)器單元700類(lèi)似于展示于圖6中的存儲(chǔ)器單元，但包括頂部通孔752而非晶種通孔(例如，圖6的晶種通孔636)。 示范性存儲(chǔ)器單元700可執(zhí)行從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的切換操作。位線706和源極線 730中的至少一者可將電流供應(yīng)到MTJ裝置702。在圖7中，電流在如由740所表示的方向上沿位線706的軸線并離開(kāi)頁(yè)面而流動(dòng)。如由742所表示，電流還沿源極線730的軸線而流動(dòng)。位線706可耦合到頂部電極732。源極線730可耦合到底部電極734。在圖7的實(shí)施例中，頂部通孔752耦合到位線706和頂部電極732。在其它結(jié)構(gòu)(未圖示)存在于位線706的部分與頂部電極732之間的情況下，頂部通孔752可促進(jìn)位線706與頂部電極 732之間的電連接性。線760展示與MTJ裝置702相關(guān)聯(lián)的磁性退火的方向。MTJ裝置702可耦合到電極732、734。MTJ裝置702可包括自由層714、勢(shì)壘層716， 和合成釘扎層748。所述合成釘扎層可包括釘層718、分隔層720和釘扎層722。示范性MTJ 裝置702進(jìn)一步包括反鐵磁層724。如圖7中所示，釘扎層722的磁矩由箭頭770來(lái)表示。釘層718的磁矩由箭頭772 來(lái)表示。自由層714的磁矩由箭頭774來(lái)表示，所述箭頭774定向于與箭頭772平行的方向上。MTJ裝置702的定向因此為平行的。如由740所表示，電流在圖7中沿位線706的軸線且離開(kāi)頁(yè)面而流動(dòng)。如由7428/13 頁(yè)
所表示，電流還沿源極線730的軸線而流動(dòng)。電流沿路徑750而流動(dòng)通過(guò)MTJ裝置702。通過(guò)位線706的電流流動(dòng)740可產(chǎn)生磁場(chǎng)746，其影響自由層714。通過(guò)源極線730的電流流動(dòng)742可另外產(chǎn)生磁場(chǎng)(未圖示)。通過(guò)抵銷(xiāo)自由層714中的磁場(chǎng)，可促進(jìn)自旋力矩轉(zhuǎn)移， 且可減小開(kāi)關(guān)電流。自由層714處的所得電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可用以調(diào)制MTJ裝置702的凈磁矩。 以此方式，具有頂部通孔752和源極線730 (所述源極線730相對(duì)于位線706正交布置)的存儲(chǔ)器單元700可在減小的開(kāi)關(guān)電流下促進(jìn)從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的電流切換。在存儲(chǔ)器單元700進(jìn)行從反平行狀態(tài)到平行狀態(tài)的電流切換的實(shí)施例中，相應(yīng)電流路徑740、742、750的方向可經(jīng)反向。圖8展示MTJ布局800，所述MTJ布局800包括通常具有描述于圖3到圖5中的類(lèi)型的MTJ裝置的布置。示范性布局800可包含MRAM的一部分。列852可包括沿共同軸線布置的位線840和源極線846。列邪4可包括沿共同軸線布置的位線842和源極線848，且列856可包括沿共同軸線布置的位線844和源極線850。列852、邪4和856可彼此平行。布局800 可包括多個(gè) MTJ 裝置 860、862、864、866、868、870、872、874、876。MTJ 裝置 860可耦合到電極880。MTJ裝置862可耦合到電極882。MTJ裝置864可耦合到電極884。 MTJ裝置866可耦合到電極886。MTJ裝置868可耦合到電極888。MTJ裝置870可耦合到電極890。MTJ裝置872可耦合到電極892。MTJ裝置874可耦合到電極894。MTJ裝置876 可耦合到電極 896。線 898 展示與 MTJ 裝置 860、862、864、866、868、870、872、874、876 相關(guān)聯(lián)的磁性退火的方向。示范性列邪4展示所產(chǎn)生的磁場(chǎng)820、822。列邪4說(shuō)明位線中的第一電流路徑擬4和與從反平行狀態(tài)到平行狀態(tài)的寫(xiě)入操作相關(guān)聯(lián)的第三電流路徑825。位線中的第一電流路徑擬4可支持固定方向上的電流流動(dòng)。列邪4中的第三電流路徑825可在相對(duì)于第一電流路徑擬4相反的方向上流動(dòng)，且可對(duì)應(yīng)于從反平行狀態(tài)到平行狀態(tài)的寫(xiě)入操作。列 854還包括位線中的第二電流路徑擬6和與從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的寫(xiě)入操作相關(guān)聯(lián)的第四電流路徑827。位線中的第二電流路徑擬6可支持固定方向上的電流流動(dòng)。列邪4中的第四電流路徑827可在相對(duì)于第二電流路徑擬6相反的方向上流動(dòng)，且可對(duì)應(yīng)于從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的寫(xiě)入操作。圖8展示平行列852、邪4、856的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)經(jīng)配置以最小地影響相鄰列的操作。舉例來(lái)說(shuō)，平行列852、854、856的磁場(chǎng)的定向經(jīng)分階段定向以減小相鄰MTJ 裝置之間的磁場(chǎng)干擾。圖8的MTJ布局800還展示經(jīng)配置而以減小的開(kāi)關(guān)電流操作的MTJ 裝置862、864、866、868、870、872、874、876。抵銷(xiāo)磁場(chǎng)可減小用以切換MTJ裝置860,862, 864、866、868、870、872、874、876的相應(yīng)自由層的磁化的方向的電流量。圖9展示MTJ布局900，所述MTJ布局900包括通常具有描述于圖6和圖7中的類(lèi)型的MTJ裝置的布置。存儲(chǔ)器單元的列952包括位線940。列卯4平行于列952，且包括位線942。存儲(chǔ)器單元的列956也平行于列952，且包括位線944。列952還包括源極線946。 源極線946沿正交于位線940的軸線的軸線而布置。列卯4包括源極線948。源極線948 沿正交于位線942的軸線的軸線而布置。列956包括正交于位線944的源極線950的一部分。線998展示與MTJ裝置960、962、964、966、968、970、972、974、976相關(guān)聯(lián)的磁性退火的方向。
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布局900 包括多個(gè) MTJ 裝置 960、962、964、966、968、970、972、974、976。MTJ 裝置 960可耦合到電極980。MTJ裝置962可耦合到電極982。MTJ裝置964可耦合到電極984。 MTJ裝置966可耦合到電極986。MTJ裝置968可耦合到電極988。MTJ裝置970可耦合到電極990。MTJ裝置972可耦合到電極992。MTJ裝置974可耦合到電極994。MTJ裝置976 可耦合到電極996。圖9的示范性列％4包括抵銷(xiāo)磁場(chǎng)920、922。使磁場(chǎng)920、922與每一 MTJ裝置966、 970的相應(yīng)易磁化軸對(duì)準(zhǔn)。列％4說(shuō)明與從反平行狀態(tài)到平行狀態(tài)的寫(xiě)入操作相關(guān)聯(lián)的第一電流路徑924。第一電流路徑924的方向可為固定的。列％4中的第二電流路徑擬6可在相對(duì)于第一電流路徑擬4垂直或相反的方向上行進(jìn)，且可對(duì)應(yīng)于從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)的寫(xiě)入操作。圖9展示列952、％4、956的電流產(chǎn)生的誘發(fā)磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)可最小地影響相鄰列的操作。舉例來(lái)說(shuō)，列952、％4、956的磁場(chǎng)的定向經(jīng)分階段定向以減小相鄰MTJ裝置之間的磁場(chǎng)干擾。圖9的MTJ布局900還展示經(jīng)配置而以減小的開(kāi)關(guān)電流操作的MTJ裝置962、 964、966、968、970、972、974、976。抵銷(xiāo)磁場(chǎng)可減小用以切換相應(yīng)MTJ裝置自由層的磁化的
方向的電流量。圖10展示圖表1000，所述圖表1000說(shuō)明抵銷(xiāo)磁場(chǎng)，例如可使用通過(guò)圖2的位線 206和源極線210中的至少一者傳播的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)。R-H環(huán)形圖表1000繪制電阻R(Om) 與磁場(chǎng)H(Oe)以展示兩個(gè)值1002、1004之間的移位。所述移位跟隨箭頭，且表示用以切換例如展示于圖2中的STT-MRAM裝置中的狀態(tài)的開(kāi)關(guān)電流的減小。抵銷(xiāo)磁場(chǎng)可減小STT-MRAM 裝置的從平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)所需要的開(kāi)關(guān)電流。除其它益處外，此減小的開(kāi)關(guān)電流還可促進(jìn)減小的電路大小和延長(zhǎng)的電池壽命方面的進(jìn)步。圖11展示用于向磁性存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入的方法1100，所述磁性存儲(chǔ)器包括STT-MTJ 裝置(例如，圖1的STT-MTJ裝置102)。在1102處，所述方法可控制經(jīng)由源極線或位線(例如，STT-MTJ裝置102的源極線110和位線106中的一者)發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向。在 1104處，電流流動(dòng)可用以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)(例如，圖1的電流磁場(chǎng)128、130)，以輔助自由層的磁場(chǎng)的方向的切換。舉例來(lái)說(shuō)，可切換圖1的STT-MTJ裝置102內(nèi)的磁性存儲(chǔ)器元件的自由層114的磁場(chǎng)的方向。在1106處，在寫(xiě)入操作期間在STT-MTJ裝置處可施加連續(xù)電流。在1108處，所述方法可使用電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)來(lái)減小用以切換自由層的磁場(chǎng)的方向的開(kāi)關(guān)電流。在1110處，所述方法可控制經(jīng)由相鄰磁性存儲(chǔ)器裝置的源極線和位線(例如，圖 1的源極線110和位線106)中的一者發(fā)送的電流的相鄰電流流動(dòng)方向。所述相鄰電流流動(dòng)方向可經(jīng)控制，使得所述相鄰電流流動(dòng)方向在與電流流動(dòng)方向相同的方向上流動(dòng)。相鄰 MTJ單元在不同位置中可分階段為目標(biāo)單元，以使彼此之間的擾亂最小化。圖11因此展示一種用于以可減小STT-MTJ裝置的開(kāi)關(guān)電流的方式對(duì)磁性存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入的方法。所述方法可進(jìn)一步減小相鄰STT-MTJ裝置之間的磁性干擾。舉例來(lái)說(shuō)， 圖8中的平行列852、854、856的磁場(chǎng)經(jīng)分階段定向以減小裝置之間的磁場(chǎng)干擾。電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可進(jìn)一步減小影響STT-MRAM的自由層的極性且因此影響存儲(chǔ)器單元的邏輯狀態(tài)所需要的開(kāi)關(guān)電流。除其它益處外，此減小的開(kāi)關(guān)電流還可促進(jìn)進(jìn)一步減小的電路大小和延長(zhǎng)的電池壽命方面的進(jìn)展。
圖12為設(shè)備1200的特定實(shí)施例的框圖，所述設(shè)備1200包括經(jīng)配置以控制發(fā)送到 MRAM 1286的源極線和位線中的一者的電流的電流流動(dòng)方向的控制邏輯電路1264。舉例來(lái)說(shuō)，控制邏輯1264可調(diào)整位線或源極線上的電壓以控制電流流動(dòng)方向。電流流動(dòng)可以減小影響MRAM 1286的自由層的極性且因此影響存儲(chǔ)器單元的邏輯狀態(tài)所需要的開(kāi)關(guān)電流的方式來(lái)加以控制。除其它益處外，減小的開(kāi)關(guān)電流還可促進(jìn)減小的電路大小和延長(zhǎng)的電池壽命方面的進(jìn)展。所發(fā)送的電流產(chǎn)生磁場(chǎng)以輔助切換與STT-MTJ裝置1288的自由層相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)的方向，所述STT-MTJ裝置1288與MRAM 1286相關(guān)聯(lián)。設(shè)備1200可以便攜式電子裝置來(lái)實(shí)施，且包括耦合到存儲(chǔ)器1232的處理器1210，例如數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)。相機(jī)接口控制器1270耦合到處理器1210，且還耦合到例如視頻相機(jī)等相機(jī)1272。 相機(jī)控制器1270可對(duì)處理器1210作出響應(yīng)，從而(例如)用于自動(dòng)調(diào)焦和自動(dòng)曝光控制。 顯示控制器12 耦合到處理器1210且耦合到顯示裝置12 。編碼器/解碼器(CODEC) 1234 還可耦合到處理器1210。揚(yáng)聲器1236和麥克風(fēng)1238可耦合到CODEC12;34。無(wú)線接口 1240 可耦合到處理器1210且耦合到無(wú)線天線1242。處理器1210還可適于產(chǎn)生經(jīng)處理圖像數(shù)據(jù)1280。顯示控制器12 經(jīng)配置以接收經(jīng)處理圖像數(shù)據(jù)1280并將經(jīng)處理圖像數(shù)據(jù)1280提供到顯示裝置12觀。此外，存儲(chǔ)器1232 可經(jīng)配置以接收并存儲(chǔ)經(jīng)處理圖像數(shù)據(jù)1觀0，且無(wú)線接口 1240可經(jīng)配置以檢索經(jīng)處理圖像數(shù)據(jù)1280以供經(jīng)由天線1242進(jìn)行發(fā)射。在特定實(shí)施例中，處理器1210、顯示控制器12 、存儲(chǔ)器1232、CODEC 1234、無(wú)線接口 1240和相機(jī)控制器1270包括于系統(tǒng)級(jí)封裝或芯片上系統(tǒng)裝置1222中。在特定實(shí)施例中，輸入裝置1230和電源供應(yīng)器1244耦合到芯片上系統(tǒng)裝置1222。此外，在特定實(shí)施例中，如圖12中所說(shuō)明，顯示裝置12 、輸入裝置1230、揚(yáng)聲器1236、麥克風(fēng)1238、無(wú)線天線1M2、視頻相機(jī)1272和電源供應(yīng)器1244在芯片上系統(tǒng)裝置1222外部。然而，顯示裝置 1228、輸入裝置1230、揚(yáng)聲器1236、麥克風(fēng)1238、無(wú)線天線1M2、相機(jī)1272和電源供應(yīng)器 1244中的每一者可耦合到芯片上系統(tǒng)裝置1222的組件(例如，接口或控制器)。本文中所描述的裝置和功能性可經(jīng)設(shè)計(jì)和配置為存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體上的計(jì)算機(jī)文件(例如，RTL、⑶SII、GERBER等)?？蓪⒁恍┗蛩写祟?lèi)文件提供到基于此類(lèi)文件制造裝置的制造處置者。所得產(chǎn)品包括半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片接著被切割為半導(dǎo)體裸片并封裝成半導(dǎo)體芯片。所述芯片接著用于上文所描述的裝置中。圖13描繪電子裝置制造過(guò)程1300的特定說(shuō)明性實(shí)施例。在制造過(guò)程1300中，例如在研究計(jì)算機(jī)1306處，接收物理裝置信息1302。物理裝置信息1302可包括設(shè)計(jì)信息，所述設(shè)計(jì)信息表示例如圖1的STT-MRAM等半導(dǎo)體裝置的至少一個(gè)物理性質(zhì)。舉例來(lái)說(shuō)，物理裝置信息1302可包括物理參數(shù)、材料特性，和經(jīng)由耦合到研究計(jì)算機(jī)1306的用戶接口 1304輸入的結(jié)構(gòu)信息。研究計(jì)算機(jī)1306包括耦合到例如存儲(chǔ)器1310等計(jì)算機(jī)可讀媒體的處理器1308(例如，一個(gè)或一個(gè)以上處理核心)。存儲(chǔ)器 1310可存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可讀指令，所述計(jì)算機(jī)可讀指令可執(zhí)行以使處理器1308轉(zhuǎn)換物理裝置信息1302以使其符合文件格式并產(chǎn)生庫(kù)文件1312。在特定實(shí)施例中，庫(kù)文件1312包括至少一個(gè)數(shù)據(jù)文件，所述數(shù)據(jù)文件包括經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)信息。舉例來(lái)說(shuō)，庫(kù)文件1312可包括半導(dǎo)體裝置(包括圖1的STT-MRAM)的庫(kù)。
在包括耦合到存儲(chǔ)器1318的處理器1316(例如，一個(gè)或一個(gè)以上處理核心)的設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)1314處，可結(jié)合EDA工具1320使用庫(kù)文件1312。EDA工具1320可作為處理器可執(zhí)行指令存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器1318處，以使得設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)1314的用戶能夠設(shè)計(jì)電路。舉例來(lái)說(shuō)， 設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)1314的用戶可經(jīng)由耦合到設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)1314的用戶接口 13M輸入電路設(shè)計(jì)信息1322。電路設(shè)計(jì)信息1322可包括設(shè)計(jì)信息，所述設(shè)計(jì)信息表示例如圖1的STT-MRAM等半導(dǎo)體裝置的至少一個(gè)物理性質(zhì)。為說(shuō)明起見(jiàn)，電路設(shè)計(jì)性質(zhì)可包括電路設(shè)計(jì)中的特定電路的識(shí)別和與其它元件的關(guān)系、定位信息、特征大小信息、互連信息，或表示半導(dǎo)體裝置的物理性質(zhì)的其它信息。設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)1314可經(jīng)配置以轉(zhuǎn)換包括電路設(shè)計(jì)信息1322的設(shè)計(jì)信息以使其符合文件格式。為說(shuō)明起見(jiàn)，文件格式可包括表示平面幾何形狀、文本標(biāo)記和關(guān)于呈階層格式的電路布局的其它信息的數(shù)據(jù)庫(kù)二進(jìn)制文件格式，例如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(GDSII)文件格式。 設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)1314可經(jīng)配置以產(chǎn)生包括經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件(例如，⑶SII文件 13 )，所述GDSII文件13 包括描述圖1的STT-MRAM的信息以及其它電路或信息。為說(shuō)明起見(jiàn)，數(shù)據(jù)文件可包括對(duì)應(yīng)于芯片上系統(tǒng)(SOC)的信息，所述芯片上系統(tǒng)(SOC)包括圖1 的STT-MRAM，且還包括SOC內(nèi)的額外電子電路和組件?？稍谥圃爝^(guò)程13 處接收⑶SII文件1326，以根據(jù)⑶SII文件13 中的經(jīng)轉(zhuǎn)換的信息來(lái)制造圖1的STT-MRAM。舉例來(lái)說(shuō)，裝置制造過(guò)程可包括將⑶SII文件13 提供到掩模制造商1330以建立說(shuō)明為代表性掩模1332的一個(gè)或一個(gè)以上掩模，例如待用于光刻處理的掩模。在制造過(guò)程期間可使用掩模1332以產(chǎn)生一個(gè)或一個(gè)以上晶片1334，所述一個(gè)或一個(gè)以上晶片1334可經(jīng)測(cè)試并分離成例如代表性裸片1336等裸片。裸片1336包括電路，所述電路包括圖1的STT-MRAM?？蓪⒙闫?336提供到封裝過(guò)程1338，在所述封裝過(guò)程1338處，將裸片1336并入到代表性封裝1340中。舉例來(lái)說(shuō)，封裝1340可包括單一裸片1336或多個(gè)裸片，例如系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)布置。封裝1340可經(jīng)配置以遵照一個(gè)或一個(gè)以上標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范，例如電子裝置工程聯(lián)合委員會(huì)(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)。關(guān)于封裝1340的信息可(例如)經(jīng)由存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)1346處的組件庫(kù)而分布到各個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)者。計(jì)算機(jī)1346可包括耦合到存儲(chǔ)器1350的處理器1348，例如一個(gè)或一個(gè)以上處理核心。印刷電路板(PCB)工具可作為處理器可執(zhí)行指令存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器1350處，以處理經(jīng)由用戶接口 1344從計(jì)算機(jī)1346的用戶接收到的PCB設(shè)計(jì)信息1342。舉例來(lái)說(shuō)，PCB 設(shè)計(jì)信息1342可包括電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置、對(duì)應(yīng)于包括圖1的STT-MRAM的封裝 1340的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息。計(jì)算機(jī)1346可經(jīng)配置以轉(zhuǎn)換PCB設(shè)計(jì)信息1342以產(chǎn)生例如GERBER文件1352等具有數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)文件，所述數(shù)據(jù)包括電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置以及例如跡線和通孔等電連接的布局的物理定位信息。在其它實(shí)施例中，通過(guò)經(jīng)轉(zhuǎn)換PCB設(shè)計(jì)信息產(chǎn)生的數(shù)據(jù)文件可具有不同于GERBER格式的格式。GERBER文件1352可在板裝配過(guò)程13M處接收，且用以建立例如代表性PCB 1356 等根據(jù)存儲(chǔ)于GERBER文件1352內(nèi)的設(shè)計(jì)信息制造的PCB。舉例來(lái)說(shuō)，可將GERBER文件 1352上載到用于執(zhí)行PCB生產(chǎn)過(guò)程的各種步驟的一個(gè)或一個(gè)以上機(jī)器。PCB 1356可由包括封裝1340的電子組件組裝，以形成所表示的印刷電路組合件(printed circuit assembly,PCA)1358。PCA 1358可在產(chǎn)品制造過(guò)程1360處接收，并被集成到一個(gè)或一個(gè)以上電子裝置 (例如，第一代表性電子裝置1362和第二代表性電子裝置1364)中。作為說(shuō)明性且非限制性實(shí)例，第一代表性電子裝置1362、第二代表性電子裝置1364或兩者可選自以下各者的群組機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理 (PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元，和計(jì)算機(jī)。作為另一說(shuō)明性而非限制性實(shí)例，電子裝置1362和 1364中的一者或一者以上可為例如移動(dòng)電話等遠(yuǎn)程單元、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、例如個(gè)人數(shù)據(jù)助理等便攜式數(shù)據(jù)單元、具有全球定位系統(tǒng)(GPQ能力的裝置、導(dǎo)航裝置、例如儀表讀取設(shè)備等固定位置數(shù)據(jù)單元，或存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其它裝置，或其任何組合。雖然圖1到圖13中的一者或一者以上可說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的教示的遠(yuǎn)程單元，但本發(fā)明不限于這些所說(shuō)明的示范性單元。本發(fā)明的實(shí)施例可合適地用于包括主動(dòng)集成電路(所述主動(dòng)集成電路包括存儲(chǔ)器)以及用于測(cè)試和表征的芯片上電路的任何裝置中。因此，如說(shuō)明性過(guò)程1300中所描述，可將實(shí)施例制造、處理且并入到電子裝置中。 關(guān)于圖1到圖13所揭示的實(shí)施例的一個(gè)或一個(gè)以上方面可包括于各種處理階段處，例如包括于庫(kù)文件1312、⑶SII文件13 和GERBER文件1352內(nèi)，以及存儲(chǔ)于在各種階段(例如在板裝配過(guò)程1354)使用的研究計(jì)算機(jī)1306的存儲(chǔ)器1310、設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)1314的存儲(chǔ)器 1318、計(jì)算機(jī)1346的存儲(chǔ)器1350、一個(gè)或一個(gè)以上其它計(jì)算機(jī)或處理器(未圖示)的存儲(chǔ)器處，且還并入到一個(gè)或一個(gè)以上其它物理實(shí)施例中，例如并入到掩模1332、裸片1336、封裝1340、PCA 1358、例如原型電路或裝置(未圖示)等其它產(chǎn)品，或其任一組合中。雖然描繪從物理裝置設(shè)計(jì)到最終產(chǎn)品的生產(chǎn)的各種代表性階段，但在其它實(shí)施例中，可使用較少階段，或可包括額外階段。類(lèi)似地，過(guò)程1300可通過(guò)單一實(shí)體或通過(guò)執(zhí)行過(guò)程1300的各階段的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)體來(lái)執(zhí)行。已描述多種存儲(chǔ)器控制技術(shù)?？梢杂布④浖?、固件，或其任何組合來(lái)實(shí)施所述技術(shù)。如果以軟件來(lái)實(shí)施，那么所述技術(shù)可針對(duì)包含程序代碼的計(jì)算機(jī)可讀媒體，所述程序代碼在裝置中執(zhí)行時(shí)使裝置執(zhí)行本文中所描述的技術(shù)中的一者或一者以上。在所述狀況下， 計(jì)算機(jī)可讀媒體除了 MRAM外還可包含例如同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)等任何隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器等。程序代碼可以計(jì)算機(jī)可讀指令的形式存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器中。在所述狀況下，例如DSP 等處理器可執(zhí)行存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器中的指令，以便實(shí)行圖像處理技術(shù)中的一者或一者以上。在一些狀況下，可通過(guò)調(diào)用各種硬件組件以加速圖像處理的DSP來(lái)執(zhí)行所述技術(shù)。在其它狀況下，可將本文中所描述的單元實(shí)施為微處理器、一個(gè)或一個(gè)以上專(zhuān)用集成電路(ASIC)、一個(gè)或一個(gè)以上現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)，或某一其它硬件-軟件組合。技術(shù)人員將進(jìn)一步了解，結(jié)合本文中所揭示的實(shí)施例描述的各種說(shuō)明性邏輯塊、 配置、模塊、電路和算法步驟可實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。為了清楚地說(shuō)明硬件與軟件的此可互換性，各種說(shuō)明性組件、塊、配置、模塊、電路和步驟已大體按其功能性予以了描述。此功能性實(shí)施為硬件還是軟件視特定應(yīng)用和強(qiáng)加于整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束而定。熟練的技術(shù)人員可針對(duì)每一特定應(yīng)用以變化的方式實(shí)施所描述的功能性，但此類(lèi)實(shí)施決策不應(yīng)解釋為會(huì)引起偏離本發(fā)明的范圍。結(jié)合本文中所揭示的實(shí)施例而描述的方法或算法的步驟可直接體現(xiàn)于硬件中、由處理器執(zhí)行的軟件模塊中，或兩者的組合中。除MRAM外，軟件模塊還可駐留于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、快閃存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PR0M)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、寄存器、硬盤(pán)、可拆卸盤(pán)、緊密光盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)，或此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它形式的存儲(chǔ)媒體中。示范性存儲(chǔ)媒體耦合到處理器，使得所述處理器可從所述存儲(chǔ)媒體讀取信息并將信息寫(xiě)入到所述存儲(chǔ)媒體。在替代方案中，存儲(chǔ)媒體可與處理器成一體式。所述處理器和所述存儲(chǔ)媒體可駐留于專(zhuān)用集成電路(ASIC)中。所述ASIC可駐留于計(jì)算裝置或用戶終端中。在替代方案中，處理器和存儲(chǔ)媒體可作為離散組件駐留于計(jì)算裝置或用戶終端中。提供所揭示實(shí)施例的先前描述以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制造或使用所揭示的實(shí)施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易了解對(duì)這些實(shí)施例的各種修改，且本文中所界定的一般原理可在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下應(yīng)用于其它實(shí)施例。因此，本發(fā)明不希望限于本文中所展示的實(shí)施例，而是應(yīng)被賦予與如所附權(quán)利要求書(shū)界定的原理和新穎特征一致的可能的最廣范圍。
權(quán)利要求
1.一種方法，其包含控制待經(jīng)由源極線和位線中的至少一者發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，從而輔助切換自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置內(nèi)的磁性存儲(chǔ)器元件的自由層的磁場(chǎng)的方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述自由層的所述磁場(chǎng)的所述方向與入射于所述自由層的另一磁場(chǎng)的方向相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述STT-MTJ裝置的寫(xiě)入操作期間控制所述電流流動(dòng)方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述寫(xiě)入操作期間施加連續(xù)電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含使所述電流在所述電流流動(dòng)方向上流動(dòng)通過(guò)所述源極線或所述位線，以輔助所述自由層的所述磁場(chǎng)的所述方向的所述切換。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含向所述源極線或所述位線選擇性地施加電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含選擇性地設(shè)定所述電流流動(dòng)方向以輔助所述自由層的所述磁場(chǎng)的所述方向的所述切換。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含調(diào)節(jié)所述電流到所述STT-MTJ裝置的頂部電極和底部電極的流動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電流具有在約50μ A到約400 μ A的范圍內(nèi)的量值。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電流具有在約150μ A到約200 μ A的范圍內(nèi)的量值。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)減小用以切換所述自由層的所述磁場(chǎng)的所述方向的開(kāi)關(guān)電流。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含在寫(xiě)入操作期間經(jīng)由所述位線發(fā)送所述電流。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含控制經(jīng)由相鄰磁性存儲(chǔ)器裝置的源極線和位線中的一者發(fā)送的電流的相鄰電流流動(dòng)方向，使得所述相鄰電流流動(dòng)方向平行于所述電流流動(dòng)方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中待經(jīng)由所述源極線或所述位線發(fā)送的電流的所述電流流動(dòng)方向平行于待經(jīng)由所述源極線或所述位線中的另一者發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向。
15.一種設(shè)備，其包含自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置，其包括與磁場(chǎng)相關(guān)聯(lián)的自由層；位線，其與所述STT-MTJ裝置電子連通；源極線，其與所述STT-MTJ裝置電子連通；以及控制邏輯電路，其經(jīng)配置以控制待經(jīng)由所述源極線或所述位線發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所述電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)輔助切換與所述STT-MTJ裝置的所述自由層相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)的方向。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述位線或所述源極線與所述自由層的易磁化軸正交。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述控制邏輯電路進(jìn)一步經(jīng)配置以調(diào)整所述位線或所述源極線上的電壓以控制所述電流流動(dòng)方向。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含耦合到所述位線的第一電極和耦合到所述源極線的第二電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含耦合到電極且耦合到所述位線或所述源極線的通孔。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述位線的軸線正交于所述源極線的軸線。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中電流在相反方向上經(jīng)由所述位線與所述源極線而流動(dòng)。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備包含無(wú)線裝置、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、 相機(jī)和攝像機(jī)中的一者。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中與所述STT-MTJ裝置的所述自由層相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)的所述方向與所述STT-MTJ的易磁化軸的方向匹配。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其集成于半導(dǎo)體裸片中。
25.一種存儲(chǔ)可由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的指令的計(jì)算機(jī)可讀有形媒體，所述指令包含可由所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行以自動(dòng)控制待經(jīng)由源極線或位線發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生磁場(chǎng)的指令，其中所述電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)經(jīng)施加以輔助切換自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置內(nèi)的磁性存儲(chǔ)器元件的自由層的磁場(chǎng)的方向。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的計(jì)算機(jī)可讀有形媒體，其中所述指令可由集成于裝置中的處理器執(zhí)行，所述裝置選自由以下各者組成的群組機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元，和所述計(jì)算機(jī)。
27.一種設(shè)備，其包含第一電流路徑，其支持在固定方向上通過(guò)多個(gè)自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置的電流流動(dòng)；以及第二電流路徑，其支持在與所述固定方向相反的方向上通過(guò)所述多個(gè)STT-MTJ裝置的電流流動(dòng)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述第一電流路徑用于將所述多個(gè)STT-MTJ裝置中的一 STT-MTJ裝置從反平行狀態(tài)切換到平行狀態(tài)。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的設(shè)備，其中所述第二電流路徑用于使所述多個(gè)STT-MTJ裝置中的一 STT-MTJ裝置在平行狀態(tài)到反平行狀態(tài)之間切換。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)STT-MTJ裝置處于磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器內(nèi)。
31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述相反方向是固定的。
32.—種設(shè)備，其包含用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置；以及用于控制待經(jīng)由源極線或位線發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)從而輔助切換所述用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的STT-MTJ裝置內(nèi)的磁性元件的自由層的磁場(chǎng)的方向的裝置。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含選自由以下各者組成的群組的裝置 機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元，和計(jì)算機(jī)，所述裝置集成于前述各者中。
34.一種方法，其包含接收設(shè)計(jì)信息，所述設(shè)計(jì)信息包括電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息，所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置，其包括與磁場(chǎng)相關(guān)聯(lián)的自由層； 位線，其與所述STT-MTJ裝置電子連通； 源極線，其與所述STT-MTJ裝置電子連通；以及控制邏輯電路，其經(jīng)配置以控制發(fā)送到所述源極線或所述位線的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，從而輔助切換與所述STT-MTJ裝置的所述自由層相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)的方向；以及轉(zhuǎn)換所述設(shè)計(jì)信息以產(chǎn)生數(shù)據(jù)文件。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GERBER格式。
36.一種方法，其包含第一步驟，其用于控制待經(jīng)由源極線和位線中的至少一者發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，從而輔助切換自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置內(nèi)的磁性存儲(chǔ)器元件的自由層的磁場(chǎng)的方向；以及第二步驟，其用于選擇性地設(shè)定所述電流流動(dòng)方向以輔助所述自由層的所述磁場(chǎng)的所述方向的所述切換。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述第一步驟和所述第二步驟由集成于電子裝置中的處理器來(lái)執(zhí)行。
38.一種方法，其包含接收包含設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件，所述設(shè)計(jì)信息對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體裝置；以及根據(jù)所述設(shè)計(jì)信息來(lái)制造所述半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包含 自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置，其包括與磁場(chǎng)相關(guān)聯(lián)的自由層； 位線，其與所述STT-MTJ裝置電子連通； 源極線，其與所述STT-MTJ裝置電子連通；以及控制邏輯電路，其經(jīng)配置以控制發(fā)送到所述源極線或所述位線的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，從而輔助切換與所述STT-MTJ裝置的所述自由層相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)的方向。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GDSII格式。
40.一種方法，其包含接收包含設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件，所述設(shè)計(jì)信息包含電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息；以及根據(jù)所述設(shè)計(jì)信息制造所述電路板，所述電路板經(jīng)配置以接納所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置，其中所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置包含自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)STT-MTJ裝置，其包括與磁場(chǎng)相關(guān)聯(lián)的自由層； 位線，其與所述STT-MTJ裝置電子連通；源極線，其與所述STT-MTJ裝置電子連通；以及控制邏輯電路，其經(jīng)配置以控制發(fā)送到所述源極線或所述位線的電流的電流流動(dòng)方向以產(chǎn)生電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，從而輔助切換與所述STT-MTJ裝置的所述自由層相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)的方向。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GERBER格式。
42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其進(jìn)一步包含將所述電路板集成到裝置中，所述裝置選自由以下各者組成的群組機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元，和計(jì)算機(jī)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種方法，所述方法包括控制經(jīng)由磁性存儲(chǔ)器裝置的源極線或位線發(fā)送的電流的電流流動(dòng)方向。電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)輔助切換自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隧道結(jié)(STT-MTJ)裝置內(nèi)的磁性元件的自由層的磁場(chǎng)的方向。
文檔編號(hào)G11C11/16GK102449700SQ201080023820
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月29日
發(fā)明者升·H·康, 朱曉春, 李康浩, 李霞 申請(qǐng)人:高通股份有限公司