專利名稱：一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置和方法。
背景技術(shù)：
隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，并行芯片測試被引入印刷電路板、通訊產(chǎn)品和片上系統(tǒng)等集成電路領(lǐng)域并得到廣泛應(yīng)用。并行芯片測試指在同一時(shí)間內(nèi)完成多項(xiàng)測試任務(wù)，包括在同一時(shí)間內(nèi)完成對多個(gè)待測芯片的測試，或者，在單個(gè)待測芯片上異步或者同步地運(yùn)行多個(gè)測試任務(wù)，同時(shí)完成對待測芯片多項(xiàng)參數(shù)的測量。存儲(chǔ)芯片的基本存儲(chǔ)單位為存儲(chǔ)單元(memory cell)，為了存儲(chǔ)芯片內(nèi)數(shù)據(jù)的安全可靠性，其通常不允許一個(gè)memory cell的損壞，因此，在并行測試存儲(chǔ)芯片的過程中，需要對存儲(chǔ)芯片進(jìn)行修復(fù)。從測試角度出發(fā)，記錄存儲(chǔ)芯片中的錯(cuò)誤地址即認(rèn)為實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)芯片的修復(fù)。已有的存儲(chǔ)芯片修復(fù)方法的實(shí)現(xiàn)過程通常為，自動(dòng)測試設(shè)備(ATE，Automatic TestEquipment)依次針對每個(gè)待測存儲(chǔ)芯片，對其進(jìn)行地址遍歷讀取數(shù)據(jù)，并根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)判斷讀取數(shù)據(jù)正確與否，如果錯(cuò)誤，則認(rèn)為當(dāng)前地址為錯(cuò)誤地址，于是記錄當(dāng)前地址至寄存器。這樣，在遍歷完所有的存儲(chǔ)芯片后，ATE就會(huì)依據(jù)寄存器中記錄的錯(cuò)誤地址，逐個(gè)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行修復(fù)?？梢钥闯?，為了記錄不同存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址，現(xiàn)有的存儲(chǔ)芯片修復(fù)方法需要串行讀取各存儲(chǔ)芯片；并且，由于存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址記錄在ATE的寄存器中，導(dǎo)致依據(jù)寄存器中記錄的錯(cuò)誤地址進(jìn)行各存儲(chǔ)芯片的串行修復(fù)，這就違背了并行測試的初衷，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片修復(fù)速度的降低。另外，由于ATE的硬件限制，其僅能提供有限空間的寄存器；這樣，在每個(gè)存儲(chǔ)芯片中都有大量(如IOM個(gè))錯(cuò)誤地址時(shí)，32(32為并測數(shù)量)個(gè)存儲(chǔ)芯片就會(huì)產(chǎn)生32X1024個(gè)錯(cuò)誤地址，ATE很難將所有存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址記錄下來，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片修復(fù)的失敗。總之，需要本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的一個(gè)技術(shù)問題就是如何能夠提高存儲(chǔ)芯片修復(fù)的速度和成功率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置和方法，能夠?qū)崿F(xiàn)存儲(chǔ)芯片的并行修復(fù)，從而能夠提高存儲(chǔ)芯片修復(fù)的速度和成功率。為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置，位于存儲(chǔ)芯片內(nèi)部，包括數(shù)據(jù)比較模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；錯(cuò)誤地址寄存器，用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址進(jìn)行記錄；及保存模塊，用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址。優(yōu)選的，所述裝置還包括控制狀態(tài)機(jī)，用于控制所述數(shù)據(jù)比較模塊、錯(cuò)誤地址寄存器和保存模塊的操作。優(yōu)選的，所述控制狀態(tài)機(jī)包括設(shè)定模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所處存儲(chǔ)芯片的地址中的數(shù)據(jù)設(shè)定為所述預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述控制狀態(tài)機(jī)包括保存控制模塊，用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，依據(jù)外界的保存指令，通過控制將所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址保存至所述保存模塊。優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)比較模塊，還用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)送錯(cuò)誤信號至所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制狀態(tài)機(jī)包括記錄控制模塊，用于依據(jù)所述錯(cuò)誤信號，通過控制將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄至所述錯(cuò)誤地址寄存器。優(yōu)選的，所述控制狀態(tài)機(jī)包括增加模塊，用于在所處存儲(chǔ)芯片中增設(shè)冗余空間；地址比較模塊，用于將所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址和外界輸入的地址進(jìn)行比較；及替代模塊，用于在所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址與外界輸入的地址相同時(shí)，使用冗余空間來替代所處存儲(chǔ)芯片中的該錯(cuò)誤地址對應(yīng)的空間。優(yōu)選的，所述控制狀態(tài)機(jī)還包括冗余設(shè)定模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所述冗余空間中的數(shù)據(jù)設(shè)定為第一預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。另一方面，本發(fā)明還公開了一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)方法，所述方法在存儲(chǔ)芯片內(nèi)部執(zhí)行，包括比較步驟在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；記錄步驟在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄到錯(cuò)誤地址寄存器；保存步驟在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址。優(yōu)選的，所述方法還包括控制步驟利用控制狀態(tài)機(jī)控制所述比較步驟、記錄步驟和保存步驟的執(zhí)行。優(yōu)選的，所述控制步驟包括在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所處存儲(chǔ)芯片的地址中的數(shù)據(jù)設(shè)定為所述預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述控制步驟包括在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，依據(jù)外界的保存指令，通過控制將所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址保存至所述保存模塊。優(yōu)選的，所述比較步驟還包括在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)送錯(cuò)誤信號至所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制步驟包括依據(jù)所述錯(cuò)誤信號，通過控制將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄至所述錯(cuò)誤地址寄存器。優(yōu)選的，所述方法還包括在所處存儲(chǔ)芯片中增設(shè)冗余空間；將所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址和外界輸入的地址進(jìn)行比較；在所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址與外界輸入的地址相同時(shí)，使用冗余空間來替代所處存儲(chǔ)芯片中的該錯(cuò)誤地址對應(yīng)的空間。優(yōu)選的，所述方法還包括在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所述冗余空間中的數(shù)據(jù)設(shè)定為第一預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。與背景技術(shù)的已有方法相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)相對于背景技術(shù)的已有方法，ATE通過串行讀取存儲(chǔ)芯片來記錄不同存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址到寄存器；本發(fā)明在ATE并行讀取存儲(chǔ)芯片的過程中，由存儲(chǔ)芯片本身記錄錯(cuò)誤地址，不僅能夠減少記錄所花費(fèi)的測試時(shí)間；并且，由于從測試角度來分析，作為存儲(chǔ)芯片修復(fù)依據(jù)的錯(cuò)誤地址分別存儲(chǔ)在各自的存儲(chǔ)芯片中，就意味著能夠分別依據(jù)內(nèi)部的錯(cuò)誤地址進(jìn)行各存儲(chǔ)芯片的修復(fù)，也即，能夠保證在真正意義上實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片的并行修復(fù)，因此，本發(fā)明能夠大大提高存儲(chǔ)芯片修復(fù)的速度。另外，由于本發(fā)明的錯(cuò)誤地址寄存器僅用來存儲(chǔ)所處存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址，即使所處存儲(chǔ)芯片具有大量(如IOM個(gè))錯(cuò)誤地址，錯(cuò)誤地址寄存器的容量也能夠滿足所述大量錯(cuò)誤地址的空間需求；因此，相對于背景技術(shù)的已有方法，ATE很難將所有存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址記錄下來，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片修復(fù)的失敗的情形，本發(fā)明能夠大大提高存儲(chǔ)芯片修復(fù)的成功率。再者，背景技術(shù)的已有方法中，由ATE在并行測試過程中進(jìn)行存儲(chǔ)芯片的修復(fù)，不能保證修復(fù)的成功率，并且，即使能夠保證修復(fù)的成功率，也難免會(huì)出現(xiàn)memory cell在修復(fù)成功后損壞的情形，這就嚴(yán)重影響用戶的使用體驗(yàn)；而本發(fā)明能夠在用戶的使用過程中，自動(dòng)完成存儲(chǔ)芯片的修復(fù)，對于用戶來講，所述自動(dòng)修復(fù)過程執(zhí)行速度快且不可見，因此，不會(huì)影響用戶的使用體驗(yàn)。


圖1是本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)圖；圖3是本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)方法實(shí)施例1的流程圖；圖5是本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)方法實(shí)施例2的流程圖6是本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)方法實(shí)施例3的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明實(shí)施例的核心構(gòu)思之一在于，在ATE并行讀取存儲(chǔ)芯片的過程中，由存儲(chǔ)芯片本身記錄錯(cuò)誤地址；因此，相對于背景技術(shù)的已有方法，ATE通過串行讀取存儲(chǔ)芯片來記錄不同存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址到寄存器，本發(fā)明能夠減少記錄所花費(fèi)的測試時(shí)間，并且，從測試角度來分析，分別存儲(chǔ)在各自存儲(chǔ)芯片中的錯(cuò)誤地址，能夠保證并行修復(fù)存儲(chǔ)芯片的可行性，從而能夠提高存儲(chǔ)芯片修復(fù)的速度。參照圖1，示出了本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)圖，其位于存儲(chǔ)芯片內(nèi)部，具體可以包括數(shù)據(jù)比較模塊101，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；錯(cuò)誤地址寄存器102，用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址進(jìn)行記錄；及保存模塊103，用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器102中的錯(cuò)誤地址。本發(fā)明的修復(fù)裝置可以應(yīng)用在各種存儲(chǔ)芯片的測試過程中，例如，F(xiàn)lash芯片，EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory)芯片等，對于Flash芯片，其又可以包括NOR Flash(或非閃存)、NAND Flash(與非閃存)、Low Power SRAM(低功耗隨機(jī)存儲(chǔ)器)及I^seudo SRAM(虛擬靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體)等。下面僅僅以Flash芯片為例進(jìn)行說明，其它存儲(chǔ)芯片請參照即可。首先給出自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片的示例多(以下主要以32為例)個(gè)存儲(chǔ)芯片安裝在探針臺中，通過探針卡與測試機(jī)臺相連，由測試機(jī)臺通過執(zhí)行測試指令以完成對待測芯片的測試過程，其中，探針卡的探針與存儲(chǔ)芯片的引腳(pin) —一連接；并行讀取即是同時(shí)讀取32個(gè)存儲(chǔ)芯片引腳地址中的數(shù)據(jù)。在ATE并行讀取存儲(chǔ)芯片的過程中，存儲(chǔ)芯片會(huì)在內(nèi)部記錄本身的錯(cuò)誤地址。具體而言，數(shù)據(jù)比較模塊101會(huì)對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，比較結(jié)果為相同代表沒有出錯(cuò)，比較結(jié)果為不同代表出錯(cuò)，此時(shí)，則由錯(cuò)誤地址寄存器102將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址進(jìn)行記錄。由于錯(cuò)誤地址寄存器102中的數(shù)據(jù)會(huì)在斷電后丟失，其只能用來暫存數(shù)據(jù)；故本發(fā)明還在存儲(chǔ)芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)保存模塊103，用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器102中的錯(cuò)誤地址。這樣，本發(fā)明記錄的錯(cuò)誤地址能夠在斷電后繼續(xù)保存在存儲(chǔ)芯片內(nèi)部的保存模塊103中。從測試角度來分析，由于作為存儲(chǔ)芯片修復(fù)依據(jù)的錯(cuò)誤地址分別存儲(chǔ)在各自的存儲(chǔ)芯片中，因此能夠保證分別依據(jù)內(nèi)部的錯(cuò)誤地址進(jìn)行各存儲(chǔ)芯片的修復(fù)，也即，能夠保證在真正意義上實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片的并行修復(fù)，從而能夠提高存儲(chǔ)芯片修復(fù)的速度。另外，由于錯(cuò)誤地址寄存器102僅存儲(chǔ)所處存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址，即使所處存儲(chǔ)芯片具有大量(如IOM個(gè))錯(cuò)誤地址，錯(cuò)誤地址寄存器102的容量也能夠滿足所述大量錯(cuò)誤地址的空間需求；因此，相對于背景技術(shù)的已有方法，ATE很難將所有存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址記錄下來，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片修復(fù)的失敗的情形，本發(fā)明能夠提高存儲(chǔ)芯片修復(fù)的成功率。參照圖2，示出了本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)圖，其位于存儲(chǔ)芯片內(nèi)部，具體可以包括數(shù)據(jù)比較模塊201、錯(cuò)誤地址寄存器202、保存模塊203和控制狀態(tài)機(jī)204，其中，所述數(shù)據(jù)比較模塊201，可用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；所述錯(cuò)誤地址寄存器202，可用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址進(jìn)行記錄；所述保存模塊203，可用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器202中的錯(cuò)誤地址；所述控制狀態(tài)機(jī)204，則可用于控制所述數(shù)據(jù)比較模塊201、錯(cuò)誤地址寄存器202和保存模塊203的操作。本實(shí)施例相對于實(shí)施例1的區(qū)別在于，增加了控制狀態(tài)機(jī)204，來協(xié)調(diào)或控制所述數(shù)據(jù)比較模塊201、錯(cuò)誤地址寄存器202和保存模塊203工作。在具體實(shí)現(xiàn)中，控制狀態(tài)機(jī)204可依據(jù)外界或內(nèi)部的指令信息，實(shí)現(xiàn)上述協(xié)調(diào)或控制，具體可以包括一、在控制狀態(tài)機(jī)204中設(shè)計(jì)設(shè)定模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所處存儲(chǔ)芯片的地址中的數(shù)據(jù)設(shè)定為所述預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。在實(shí)際中，控制狀態(tài)機(jī)204 —般會(huì)在ATE并行讀取存儲(chǔ)芯片前，接收到外界的準(zhǔn)備指令，然后，由所述設(shè)定模塊依據(jù)該準(zhǔn)備指令，將所處存儲(chǔ)芯片的地址中的數(shù)據(jù)全部設(shè)為目標(biāo)值，如 All FF, All 00 等。需要說明的是，本發(fā)明還可以修復(fù)包括Check board (檢驗(yàn)板)，Inversion CheckBoard(反檢驗(yàn)板)在內(nèi)的其它錯(cuò)誤類型，相應(yīng)地，所述設(shè)定模塊也可以設(shè)定與Checkboard. Inversion Check Board相關(guān)的目標(biāo)數(shù)據(jù)，本發(fā)明對此不加以限制。二、在控制狀態(tài)機(jī)204中設(shè)計(jì)保存控制模塊，用于依據(jù)外界的保存指令，通過控制將所述錯(cuò)誤地址寄存器202中的錯(cuò)誤地址保存至所述保存模塊203。在實(shí)際中，ATE —般根據(jù)存儲(chǔ)芯片的容量，通過地址遍歷來達(dá)到讀取數(shù)據(jù)的目的，并且，在將存儲(chǔ)芯片的所有地址遍歷一遍后，ATE會(huì)發(fā)送保存(例如program REDCAM)指令；由所述保存控制模塊，將錯(cuò)誤地址寄存器202中的錯(cuò)誤地址自動(dòng)對應(yīng)到保存模塊203中。三、在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)比較模塊201，還可用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)送錯(cuò)誤信號至所述控制狀態(tài)機(jī)；此時(shí)，可以在所述控制狀態(tài)機(jī)204中設(shè)計(jì)記錄控制模塊，用于依據(jù)所述錯(cuò)誤信號，通過控制將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄至所述錯(cuò)誤地址寄存器202。總之，控制狀態(tài)機(jī)204對外與ATE交互，對內(nèi)協(xié)調(diào)或控制所述數(shù)據(jù)比較模塊201、錯(cuò)誤地址寄存器202和保存模塊203，以達(dá)到在ATE并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)自動(dòng)記錄和存儲(chǔ)各存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址的目的。參照圖3，示出了本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)圖，其位于存儲(chǔ)芯片內(nèi)部，具體可以包括數(shù)據(jù)比較模塊301、錯(cuò)誤地址寄存器302、保存模塊303和控制狀態(tài)機(jī)304，其中，所述數(shù)據(jù)比較模塊301，可用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；所述錯(cuò)誤地址寄存器302，可用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址進(jìn)行記錄；所述保存模塊303，可用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器202中的錯(cuò)誤地址；所述控制狀態(tài)機(jī)304，則可用于控制所述數(shù)據(jù)比較模塊201、錯(cuò)誤地址寄存器302和保存模塊303的操作，具體可以包括增加模塊341，用于在所處存儲(chǔ)芯片中增設(shè)冗余空間；地址比較模塊342，用于將所述保存模塊303中保存的錯(cuò)誤地址和外界輸入的地址進(jìn)行比較；及替代模塊343，用于在所述保存模塊303中保存的錯(cuò)誤地址與外界輸入的地址相同時(shí)，使用冗余空間來替代所處存儲(chǔ)芯片中的該錯(cuò)誤地址對應(yīng)的空間。相對于實(shí)施例2，本實(shí)施例的控制狀態(tài)機(jī)304除了可以在ATE并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)自動(dòng)記錄和存儲(chǔ)各存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤地址外，還可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片的修復(fù)。假設(shè)存儲(chǔ)芯片中已有正常memory cell陣列的數(shù)目為10 ，那么，增加模塊341可以通過增加一定數(shù)目(例如數(shù)目為16)的備份cell，以增加一些額外的地址空間，也即冗余(redundancy)空間。由于保存模塊303能夠永久保存修復(fù)過程中檢查出的錯(cuò)誤地址，那么，在用戶使用存儲(chǔ)芯片的過程中，可以將所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址和用戶輸入的地址進(jìn)行比較，則把該錯(cuò)誤地址對應(yīng)的空間關(guān)掉，而用冗余空間來代替。
背景技術(shù)：
的已有方法中，由ATE在并行測試過程中進(jìn)行存儲(chǔ)芯片的修復(fù)，不能保證修復(fù)的成功率，并且，即使修復(fù)成功，也難免會(huì)出現(xiàn)memory cell在修復(fù)成功后損壞的情形，這就嚴(yán)重影響用戶的使用體驗(yàn)。由于本實(shí)施例能夠在用戶的使用過程中，自動(dòng)完成存儲(chǔ)芯片的修復(fù)，對于用戶來講，所述自動(dòng)修復(fù)過程快速且不可見，因此，不會(huì)影響用戶的使用體驗(yàn)。對于已增設(shè)冗余空間的存儲(chǔ)芯片，還可以在控制狀態(tài)機(jī)304設(shè)計(jì)冗余設(shè)定模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所述冗余空間中的數(shù)據(jù)設(shè)定為第一預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。這里的第一預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)可與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)相同或不同，本發(fā)明對此不加以限制。與前述裝置實(shí)施例1相應(yīng)，本發(fā)明還公開了一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)方法實(shí)施例1，參照圖4，所述方法在存儲(chǔ)芯片內(nèi)部執(zhí)行，具體可以包括比較步驟401、在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；記錄步驟402、在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄到錯(cuò)誤地址寄存器；保存步驟403、在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址。參照圖5，示出了本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)方法實(shí)施例2的流程圖，具體可以包括比較步驟501、在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；記錄步驟502、在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄到錯(cuò)誤地址寄存器；保存步驟503、在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址；控制步驟504、利用控制狀態(tài)機(jī)控制所述比較步驟501、記錄步驟502和保存步驟503的執(zhí)行。在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述控制步驟504可以包括在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所處存儲(chǔ)芯片的地址中的數(shù)據(jù)設(shè)定為所述預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述控制步驟504可以包括在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，依據(jù)外界的保存指令，通過控制將所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址保存至所述保存模塊。在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述比較步驟501還可以包括在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)送錯(cuò)誤信號至所述控制狀態(tài)機(jī)；相應(yīng)地，所述控制步驟504可以包括依據(jù)所述錯(cuò)誤信號，通過控制將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄至所述錯(cuò)誤地址寄存器。參照圖6，示出了本發(fā)明一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)方法實(shí)施例3的流程圖，具體可以包括比較步驟601、在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；記錄步驟602、在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄到錯(cuò)誤地址寄存器；保存步驟603、在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址；控制步驟604、利用控制狀態(tài)機(jī)控制所述比較步驟601、記錄步驟602和保存步驟603的執(zhí)行；增加步驟605、在所處存儲(chǔ)芯片中增設(shè)冗余空間；地址比較步驟606、將所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址和外界輸入的地址進(jìn)行比較；替代步驟607、在所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址與外界輸入的地址相同時(shí)，使用冗余空間來替代所處存儲(chǔ)芯片中的該錯(cuò)誤地址對應(yīng)的空間。在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述方法還可以包括
在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所述冗余空間中的數(shù)據(jù)設(shè)定為第一預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于方法實(shí)施例而言，由于其與裝置實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。以上對本發(fā)明所提供的一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置和方法，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置，其特征在于，位于存儲(chǔ)芯片內(nèi)部，包括數(shù)據(jù)比較模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；錯(cuò)誤地址寄存器，用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址進(jìn)行記錄；及保存模塊，用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括控制狀態(tài)機(jī)，用于控制所述數(shù)據(jù)比較模塊、錯(cuò)誤地址寄存器和保存模塊的操作。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述控制狀態(tài)機(jī)包括設(shè)定模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所處存儲(chǔ)芯片的地址中的數(shù)據(jù)設(shè)定為所述預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述控制狀態(tài)機(jī)包括保存控制模塊，用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，依據(jù)外界的保存指令，通過控制將所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址保存至所述保存模塊。
5.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)比較模塊，還用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)送錯(cuò)誤信號至所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制狀態(tài)機(jī)包括記錄控制模塊，用于依據(jù)所述錯(cuò)誤信號，通過控制將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄至所述錯(cuò)誤地址寄存器。
6.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述控制狀態(tài)機(jī)包括增加模塊，用于在所處存儲(chǔ)芯片中增設(shè)冗余空間；地址比較模塊，用于將所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址和外界輸入的地址進(jìn)行比較；及替代模塊，用于在所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址與外界輸入的地址相同時(shí)，使用冗余空間來替代所處存儲(chǔ)芯片中的該錯(cuò)誤地址對應(yīng)的空間。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述控制狀態(tài)機(jī)還包括冗余設(shè)定模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所述冗余空間中的數(shù)據(jù)設(shè)定為第一預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。
8.一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)方法，其特征在于，所述方法在存儲(chǔ)芯片內(nèi)部執(zhí)行，包括比較步驟在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；記錄步驟在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄到錯(cuò)誤地址寄存器；保存步驟在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括控制步驟利用控制狀態(tài)機(jī)控制所述比較步驟、記錄步驟和保存步驟的執(zhí)行。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述控制步驟包括在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所處存儲(chǔ)芯片的地址中的數(shù)據(jù)設(shè)定為所述預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述控制步驟包括在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，依據(jù)外界的保存指令，通過控制將所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址保存至所述保存模塊。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述比較步驟還包括在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)送錯(cuò)誤信號至所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制步驟包括依據(jù)所述錯(cuò)誤信號，通過控制將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址記錄至所述錯(cuò)誤地址寄存ο
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包括在所處存儲(chǔ)芯片中增設(shè)冗余空間；將所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址和外界輸入的地址進(jìn)行比較；在所述保存模塊中保存的錯(cuò)誤地址與外界輸入的地址相同時(shí)，使用冗余空間來替代所處存儲(chǔ)芯片中的該錯(cuò)誤地址對應(yīng)的空間。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，還包括在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片前，依據(jù)外界的準(zhǔn)備指令，將所述冗余空間中的數(shù)據(jù)設(shè)定為第一預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)芯片的修復(fù)裝置和方法，其中的修復(fù)裝置位于存儲(chǔ)芯片內(nèi)部，包括數(shù)據(jù)比較模塊，用于在自動(dòng)測試設(shè)備并行讀取存儲(chǔ)芯片時(shí)，對所處存儲(chǔ)芯片的當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；錯(cuò)誤地址寄存器，用于在該當(dāng)前地址中的數(shù)據(jù)不同于預(yù)設(shè)目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，將該當(dāng)前地址作為錯(cuò)誤地址進(jìn)行記錄；及保存模塊，用于在所處存儲(chǔ)芯片讀取完畢時(shí)，保存所述錯(cuò)誤地址寄存器中的錯(cuò)誤地址。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)存儲(chǔ)芯片的并行修復(fù)，從而能夠提高存儲(chǔ)芯片修復(fù)的速度和成功率。
文檔編號G11C29/44GK102592680SQ201110005399
公開日2012年7月18日 申請日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者舒清明, 蘇志強(qiáng) 申請人:北京兆易創(chuàng)新科技有限公司