技術(shù)總結(jié)
一種SRAM存儲單元、形成SRAM存儲單元的電路及形成方法，SRAM存儲單元包括：第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一傳輸晶體管以及第二傳輸晶體管；第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管形成雙穩(wěn)態(tài)電路；其中，第一傳輸晶體管、第二傳輸晶體管靠近源極的柵介質(zhì)層具有缺陷，所述缺陷通過熱載流子注入形成。在讀操作時(shí)，第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管的飽和源漏電流值變小，提高了SRAM存儲單元的讀取裕度，且不會影響SRAM存儲單元的寫入裕度。

技術(shù)研發(fā)人員：甘正浩;馮軍宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201210214726
技術(shù)研發(fā)日：2012.06.26
技術(shù)公布日：2017.02.22