專利名稱：半導體存儲裝置、編程方法和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體而言涉及一種存儲系統(tǒng)，更具體而言，涉及一種半導體存儲裝置及其編程方法和使用半導體存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
背景技術：
諸如快閃存儲裝置的半導體存儲裝置是能代替現(xiàn)有的作為大容量儲存設備的硬盤驅動器(HDD)的存儲裝置。半導體存儲裝置具有小功耗，抗震，并且可以被配置成具有高容量和高集成度。

發(fā)明內容
在本發(fā)明的一個實施例中，一種半導體存儲裝置包括:存儲器單元區(qū)，所述存儲器單元區(qū)包括多個存儲器單元，每個存儲器單元連接在字線與位線之間；以及控制器，所述控制器被配置成響應于編程命令，而同時設定字線電壓和位線電壓。在本發(fā)明的一個實施例中，一種包括控制器以控制存儲器單元區(qū)的半導體存儲裝置的編程方法包括以下步驟:響應于編程命令，由控制器將存儲器單元區(qū)的全部存儲器單元設定成禁止編程的狀態(tài)；將存儲器單元的溝道升壓；穩(wěn)定與存儲器單元區(qū)連接的字線電壓和位線電壓；以及改變存儲器單元的溝道電壓。在本發(fā)明的一個實施例中，一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)包括:主機裝置；以及半導體存儲裝置，所述半導體存儲裝置經(jīng)由主機接口與主機裝置連接，其中，所述半導體存儲裝置包括控制器，所述控制器被配置成響應于編程命令，而同時設定存儲區(qū)的字線電壓和位線電壓。在本發(fā)明的一個實施例中，一種半導體存儲裝置包括:存儲器單元區(qū)，所述存儲器單元區(qū)串聯(lián)連接在與位線連接的漏極選擇開關和源極選擇開關之間，并包括多個存儲串，每個存儲串具有多個存儲器單元，每個存儲器單元具有與字線連接的柵極端子；塊開關，所述塊開關被配置成驅動漏極選擇開關；電壓提供器，所述電壓提供器被配置成根據(jù)半導體存儲裝置的每個操作模式來產(chǎn)生高電壓，并將產(chǎn)生的高電壓提供給字線；以及控制器，所述控制器被配置成響應于編程命令，經(jīng)由電壓提供器，將預定電平的電壓供應到字線和位線，同時經(jīng)由塊開關控制漏極選擇開關的導通/關斷，并且同時將字線電壓和位線電壓穩(wěn)定到預定的電平。


結合附圖描述本發(fā)明的特點、方面和實施例，其中:圖1是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一 個實施例的半導體存儲器件的存儲器單元陣列結構的示圖；圖2是用于解釋在半導體存儲裝置中的存儲器單元的位置走向的示圖；圖3是用于解釋在位線之間的耦合電容效應的示圖；圖4和圖5是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的設定存儲裝置中的位線電壓的方法的示圖；圖6是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的編程方法的時序圖；圖7是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲裝置的編程方法的一個實例的時序圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲裝置的配置圖；圖9是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的 一個實施例的編程方法的流程圖；圖10是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的編程方法的時序圖；以及圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的配置圖。
具體實施例方式在下文中，將通過示例性實施例，參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的半導體存儲裝置及其編程方法和利用半導體存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲裝置的配置圖。圖1是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲裝置的存儲器單元陣列結構的示圖。參見圖1，存儲器單元陣列可以具有存儲串結構。例如，與字線WL耦接的存儲器單元形成存儲串，并且每個存儲串與位線BL耦接。即，多個存儲器單元與由施加到漏極選擇線DSL的電壓驅動的漏極選擇開關串聯(lián)連接，由此形成存儲串，并且存儲串中的最后的單元與由施加到源極選擇線SSL的電壓驅動的源極選擇開關連接。此外，與字線WL連接的多個存儲器單元形成頁。如果半導體存儲裝置是NAND快閃存儲裝置，則基于頁執(zhí)行編程操作。編程操作涉及利用基于存儲器單元的溝道與浮柵之間的電場差的FN隧穿效應，將電子儲存在存儲器單元的浮柵中的操作。對于這種操作，控制柵的電壓可以通過將電壓傳送到字線來控制，并且溝道電壓可以通過調整位線電壓來控制。存儲器單元具有分開的溝道，并且被選中用于編程的單元和禁止編程的單元的溝道電壓經(jīng)由位線來控制。當施加編程命令時，設定位線電壓，并且將由電壓提供器產(chǎn)生的高電壓施加到編程目標塊中的選中的字線。位線電壓用作決定是否對存儲器單元編程的參考電壓。當施加高電壓到字線以執(zhí)行編程操作時，將電壓提供器所產(chǎn)生的高電壓經(jīng)由塊開關和全局字線傳送到局部字線。以下將更加詳細地描述這個過程。圖2是用于解釋在半導體存儲裝置中的存儲器單元的位置走向的示圖。參見圖2，將施加到全局字線GWL的高電壓經(jīng)由被塊選擇信號BLKWL驅動的塊開關，而施加到局部字線LWL。圖2強調了局部字線LWL。然而，在與局部字線LWL連接的存儲器單元MO至Mn之間分別存在電阻器和電容器，由此引起字線電壓的傳送延遲。因此，傳送到鄰近行譯碼器的存儲器單元和遠離行譯碼器的存儲器單元的電壓的大小根據(jù)時間而分別具有不同的值。參見圖2，可以看出鄰近行譯碼器的存儲器單元達到通過電壓VPASS，然后達到編程電壓VPGM，需要的時間短。而另一方面，遠離行譯碼器的存儲器單元達到通過電壓VPASS或編程電壓VPGM需要的時間長。在字線電壓達到編程電壓VPGM之后，需要預定的穩(wěn)定時間^肥!1。因此，在較早時間達到編程電壓VPGM的字線的穩(wěn)定時間T_NET_N可以根據(jù)在較晚時間達到編程電壓VPGM的字線的穩(wěn)定時間T_NET_F而變化。S卩，由于與字線連接的存儲器單元的位置走向，所以在單元之間的特性和電壓分布中發(fā)生差異。這種差異導致難以縮短用于穩(wěn)定編程電壓所需的時間。另外，半導體存儲裝置在編程操作期間，在供應字線電壓之前設定位線電壓。在相鄰位線之間，根據(jù)相鄰位線之間的距離而存在耦合電容。耦合電容用作決定位線電壓設定時間的一個因素。圖3是用于解釋位線之間的耦合電容的效應的示圖。參見圖3，可以看出在相鄰位線之間存在耦合電容器Ce。由于半導體存儲裝置被配置成具有高容量和高集成度，所以位線之間的距離減小。因此，耦合電容的大小增加。近來，已經(jīng)對用于排除由耦合電容引起的效應并高速設定位線電壓的各種方法進行了研究。圖4和圖5是用于解釋在存儲裝置中設定位線電壓的方法的示圖。圖4說明的是僅對禁止編程的單元的位線預充電到內部電壓Vinternal的情況。在這種情況下，由于 位線之間的耦合電容如之前的情況，所以需要很多時間(tRl)直到位線的電壓上升到內部電壓Vinternal。圖5說明的是同時對選中用于編程的單元的位線和禁止編程的單元的位線預充電的情況，并且在選中用于編程的單元位線的電壓上升到內部電壓Vinternal時，選中用于編程的單元的位線被放電到0V。在這種情況下，由于可以去除因位線之間的耦合電容引起的效應，所以可以很快對位線預充電(tR2)。然而，需要時間(tFl)來對選中用于編程的單元的位線放電，并且也需要時間來穩(wěn)定預充電的位線。圖6是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的編程方法、說明當應用參照圖4描述的位線電壓設定方法時的編程方法的時序圖。將漏極選擇開關和源極選擇開關導通，以將第一電源電壓(例如，5V)施加到漏極選擇線DSL和源極選擇線SSL。然后，設定位線電壓。將未選中的位線和選中的位線中的禁止編程的位線預充電到內部電壓Vinternal，并且將中間電壓VMID或接地電壓(OV)施加到選中的位線。當將選中的位線設定成中間電壓VMID時，可以應用雙編程方法。然后，將第二電源電壓(例如，1.5V)施加到漏極選擇線DSL和源極選擇線SSL，以便穩(wěn)定位線電壓。當穩(wěn)定位線電壓時，供應字線電壓。將編程電壓VPGM施加到選中用于編程的單元的字線，并且將通過電壓VPASS供應到禁止編程的單元的字線。在全部字線的電壓上升到通過電壓電平VPASS之后，選中用于編程的單元的字線電壓上升到編程電壓VPGM0在這種情況下，鄰近行譯碼器的存儲器單元(鄰近的單元)的字線電壓高速地上升到編程電壓VPGM，而遠離行譯碼器的存儲器單元(遠處的單元)的字線電壓低速地上升到編程電壓VPGM。將編程電壓VPGM施加到與選中的字線連接的全部存儲器單元的控制柵需要預定的穩(wěn)定時間NET_time。選中用于編程的單元的位線保持接地電壓或中間電壓。此外，由于漏極選擇開關關斷，所以位線與禁止編程的單元的溝道之間的連接被切斷，并且禁止編程的單元處于浮置狀態(tài)。此外，隨著字線電壓增加，由于耦合效應發(fā)生溝道升壓，由此引起高電壓狀態(tài)。因此，由于字線與溝道之間的電場差減小，所以不執(zhí)行編程操作。在穩(wěn)定字線電壓之后，對字線和位線放電。圖7是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲裝置的編程方法的另一個實例，說明當應用參照圖5描述的位線電壓設定方法時的編程方法的時序圖。圖7的編程方法與圖6的編程方法相似，但是在位線電壓設定方法上具有差異。
即，在將第一電源電壓(例如，5V)施加到漏極選擇線DSL和源極選擇線SSL之后，設定位線電壓。在將全部位 線預充電到內部電壓Vinternal之后，將選中用于編程的單元的位線放電到中間電壓VMID或接地電壓(0V)。然后，當位線穩(wěn)定時，供應字線電壓，并且當字線電壓穩(wěn)定時，對字線和位線放電。如圖6和圖7所知，半導體存儲裝置在編程操作期間，在位線電壓穩(wěn)定之后，供應字線電壓。然后，在字線電壓穩(wěn)定之后，將字線和位線放電。如上所述，由于位線之間的耦合電容，所以將位線電壓穩(wěn)定到期望的電平需要相當多的時間。此外，由于在相應的時間經(jīng)過之后，必須供應并穩(wěn)定字線電壓，所以整個編程時間必然地增加。此外，由于與字線連接的存儲器單元的位置走向，將遠離行譯碼器的存儲器單元的控制柵穩(wěn)定到期望的電平需要時間。結果，在半導體存儲裝置的編程操作期間，用于設定位線電壓所需的時間增加。此外，由于在不同的時間處設定位線電壓和字線電壓，所以整個編程時間會增加。近來，由于半導體存儲裝置的高集成度，字線和位線已經(jīng)在尺寸上逐步地減小，并且在長度上增加。這種趨勢會引起與字線連接的存儲器單元的位置走向，并且由于位線之間的耦合電容效應，會進一步地增加用于編程操作所需的時間。參見圖8，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲裝置10包括存儲器單元區(qū)110、塊開關120、行譯碼器130、塊譯碼器140、列譯碼器150、頁緩沖器電路160、IO控制電路170、電壓提供器180以及控制器200。存儲器單元區(qū)110可以包括一個或更多個存儲平面，每個存儲平面包括一個或更多個存儲體。例如，可以利用快閃存儲器單元來配置存儲器單元區(qū)110。此外，每個存儲器單元耦接在字線與位線之間，并且漏極選擇開關Tll和源極選擇開關T12被設置在每個存儲串的兩側。漏極選擇開關Tll由施加到漏極選擇線DSL的電壓來驅動，并且源極選擇開關T12由施加到源極選擇線SSL的電壓來驅動。此外，與字線WL耦接的存儲器單元可以形成頁。塊開關120被配置成根據(jù)從塊譯碼器140輸出的塊選擇信號BLKWL的電平，將由電壓提供器180產(chǎn)生的高電壓施加到存儲器單元區(qū)110。為了這個操作，塊開關120包括用于將全局字線GWL連接到存儲器單元區(qū)110的開關和用于將全局漏極選擇線GDSL和全局源極選擇線GSSL連接到存儲器單元區(qū)110的開關。行譯碼器130被配置成基于從外部提供的行地址，將用于存取存儲器單元區(qū)110的字線地址譯碼。塊譯碼器140被配置成將塊地址信號譯碼，并產(chǎn)生塊選擇信號BLKWL以控制塊開關120。此外，列譯碼器150基于從外部提供的列地址信號，而對要存取的位線地址譯碼。頁緩沖器電路160與從存儲器單元區(qū)110延伸的位線耦接。此外，頁緩沖器電路160根據(jù)列譯碼器150的譯碼結果來操作，并且將數(shù)據(jù)傳送到IO控制電路單元170以及從IO控制電路單元170中接收數(shù)據(jù)。電壓提供器180包括一個或更多個泵，并且被配置成提供用于半導體存儲裝置10的每種操作模式的高電壓。此外，經(jīng)由行譯碼器130將由電壓提供器180產(chǎn)生的高電壓提供給塊開關120。由于塊開 關120被塊譯碼器140導通，所以高電壓被施加到存儲器單元區(qū)110中的選中的塊?？刂破?00被配置成接收外部控制信號、命令信號以及外部地址信號，并產(chǎn)生與命令信號相對應的內部命令信號。此外，控制器200基于外部地址信號產(chǎn)生內部地址，并且將產(chǎn)生的內部地址提供給各個譯碼器130、140以及150。當提供編程命令時，控制器200產(chǎn)生內部編程命令，以控制電壓提供器180和譯碼器 130,140 以及 150。圖9是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的編程方法的流程圖。在步驟SlOl中，控制器200根據(jù)編程命令在漏極選擇開關Tll導通的狀態(tài)下，將全部位線預充電到內部電壓Vinternal。然后,在步驟S103中，關斷漏極選擇開關Tll,以將全部的存儲器單元設定在與禁止編程的單元相同的狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，在步驟S105供應字線電壓。然后，全部的存儲器單元的溝道被升壓到高電壓狀態(tài)。此外，在步驟S107在將字線穩(wěn)定的同時，在步驟S109設定位線電壓。位線電壓可以設定如下:將未選中的位線和與禁止編程的單元耦接的位線設定到內部電壓Vinternal，并且將與選中用于編程的單元耦接的位線設定到中間電壓VMID (在雙編程的情況下)或接地電壓(0V)。在穩(wěn)定字線電壓和位線電壓之后，在步驟Slll將漏極選擇開關Tll導通。這里，由于每個位線根據(jù)相應的存儲器單元是否編程而具有電壓電平，并且具有彼此不同的電壓電平，因此通過在位線與溝道之間的電荷共享來使位線電壓與溝道電壓相等。此外，由于位線電容與溝道電容之間的差大(位線電容》溝道電容)，所以在電荷共享之后的溝道電壓等于位線電壓。此外，由于未選中的位線和禁止編程的單元的位線保持內部電壓Vinternal，所以相應的單元的溝道保持升壓狀態(tài)。因此，不會發(fā)生FN隧穿。在完成編程操作之后，在步驟SI 13對字線和位線放電。圖10是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的編程方法的時序圖。在施加編程命令之后，將第一電源電壓VDSL1(例如，5V)施加到漏極選擇線DSL以導通漏極選擇開關T11。此外，將未選中的位線和選中的位線的選中用于編程的單元以及禁止編程的單元預充電到內部電壓電平Vinternal (BL setup)。然后，將低電平電壓施加到漏極選擇線DSL以關斷漏極選擇開關T11。然后，例如將全部存儲器單元設定在與禁止編程的單元相同的狀態(tài)。
此外，在漏極選擇開關Tll關斷的情況下(Vpass Rise)，供應字線電壓。因此，將全部存儲器單元的溝道升壓到高電壓狀態(tài)。此外，在穩(wěn)定字線的同時(Vpgm Rise+Net_time),設定并穩(wěn)定位線電壓。位線電壓可以設定如下:將未選中的位線和禁止編程的單元的位線設定到內部電壓Vinternal，并且將選中用于編程的單元的位線設定到中間電壓VMID (在雙編程的情況下)或接地電壓(OV)。在穩(wěn)定字線電壓和位線電壓之后，將第二電源電壓VDSL2 (例如，5V)施加到漏極選擇線DSL以導通漏極選擇開關T11。位線電壓通過位線與溝道之間的電荷共享而與溝道電壓相等。具體地，由于位線電容比溝道電容大很多，所以溝道電壓等于位線電壓。這里，由于未選中的位線和禁止編程的單元的位線保持內部電壓Vinternal，所以相應的單元的溝道維持升壓的狀態(tài)，使得不執(zhí)行編程。在完成編程操作之后，對字線和位線放電。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在將全部位線預充電的狀態(tài)下設定字線和位線電壓，并且控制漏極選擇開關，以將未選中的位線和禁止編程的位線的溝道電壓復位。因此，由于可以在相同的時段穩(wěn)定字線電壓和位線電壓，所以可以縮短用于編程所需的時間。不僅可以將這種編程方法應用于受屏蔽的位線結構，而且可以應用于全體位線結構。圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的配置圖。參見圖11，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)30包括主機裝置310和半導體存儲裝置320。半導體存儲裝置320可以包括微控制器單元(MCU)321、工作存儲器(RAM)323、主機接口 325、控制·器327、存儲器接口 329以及存儲器區(qū)331。MCU 321被配置成控制半導體存儲裝置320的全部操作，并且用于MCU 321的固件或應用程序可以被加載到RAM 323，然后被驅動。RAM 323可以包括用于暫時儲存MCU 321的操作所需的數(shù)據(jù)的器件。根據(jù)MCU321的控制，RAM 323可以暫時地儲存存儲器區(qū)331的數(shù)據(jù)，然后將儲存的數(shù)據(jù)提供給主機裝置310，或者可以暫時地儲存主機裝置310的數(shù)據(jù)，然后將儲存的數(shù)據(jù)提供給存儲器區(qū)331。主機接口 325被配置成控制主機裝置310與存儲器區(qū)331之間的數(shù)據(jù)交換，并且如果必要的話，提供協(xié)議轉換功能?？刂破?27經(jīng)由存儲器接口 329與存儲器區(qū)331耦接，并且被配置成提供命令、地址、控制信號以及數(shù)據(jù)以控制存儲器區(qū)331的操作。具體地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的控制器327在編程操作期間，控制要同時穩(wěn)定的位線電壓和字線電壓。更具體地，當施加編程命令時，控制器327將漏極選擇開關導通，然后將全部位線預充電到內部電壓電平Vinternal。然后，控制器327關斷漏極選擇開關，然后供應字線電壓。當供應字線電壓時，以未選中的位線和禁止編程的位線保持內部電壓電平并且選中的位線被設定到中間電壓或接地電壓的方式，來設定位線電壓。然后，當漏極選擇開關再次導通時，未選中的位線和禁止編程的位線通過字線電壓來保持升壓狀態(tài)。在這種情況下，由于防止FN隧穿，所以未執(zhí)行編程操作。另一方面，在溝道與選中的位線之間發(fā)生電荷共享，所以溝道電壓變成位線電壓電平。
在完成編程操作之后，將字線和位線放電。S卩，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的控制器327在將全部位線預充電的情況下，設定字線電壓和位線電壓，并控制漏極選擇開關，以將用于未選中的位線和禁止編程的位線的溝道電壓復位。因此，由于可以在同一時段穩(wěn)定字線電壓和位線電壓，所以可以縮短用于編程所需的時間。形成存儲器區(qū)331的存儲器單元陣列每個都可以包括多個半導體存儲器單元，并且可以被配置成具有一個或更多個存儲平面，或一個或更多個芯片，每個存儲平面或每個芯片包括多個存儲體。半導體存儲裝置320的配置不限于此，而是可以根據(jù)要應用的系統(tǒng)的環(huán)境來增加器件或部件。例如，半導體存儲裝置320還可以包括用于儲存在初始升壓操作所需的數(shù)據(jù)的ROM、錯誤校正單元、電源單元、通信模塊等?？梢詫雽w存儲裝置320封裝在存儲卡中。此外，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)30除了主機310以外，還可以包括單獨的應用芯片組，例如照相模塊。盡管以上已經(jīng)描述了某些實施例，但是對于本領域的技術人員將會理解的是描述的實施例僅僅是示例性的。因此，不應基于所描述的實施例來限定本文描述的半導體存儲裝置。更確切地說，應當僅根據(jù)所附權利要求并結合以上描述和附圖來限定本文描述的半導體存儲裝 置。
權利要求
1.一種半導體存儲裝置，包括: 存儲器單元區(qū)，所述存儲器單元區(qū)包括多個存儲器單元，每個存儲器單元耦接在字線與位線之間；以及 控制器，所述控制器被配置成響應于編程命令而同時設定字線電壓和位線電壓。
2.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述存儲器單元區(qū)包括與漏極選擇開關串聯(lián)耦接的多個存儲器單元，以及 所述控制器控制所述漏極選擇開關以同時設定所述字線電壓和所述位線電壓。
3.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，在將全部位線預充電的狀態(tài)下設定所述字線電壓和所述位線電壓。
4.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制器在將全部位線預充電之后，穩(wěn)定所述字線電壓和所述位線電壓，以便分別保持預定的電平。
5.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制器響應于所述編程命令而將全部存儲器單元設定成禁止編程的狀態(tài)，并在穩(wěn)定所述字線電壓和所述位線電壓以便分別保持預定的電平之后，控制與禁止編程的位線和未選中的位線耦接的存儲器單元的溝道電壓。
6.一種半導體存儲裝置的編程方法，包括以下步驟: 響應于編程命令，將存儲器單元區(qū)的全部存儲器單元設定成禁止編程的狀態(tài)； 將存儲器單元的溝道升壓； 穩(wěn)定與存儲器單元區(qū)耦接的字線電壓和位線電壓；以及 改變存儲器單元的溝道電壓。
7.如權利要求6所述的編程方法，其中，所述存儲器單元區(qū)包括與漏極選擇開關串聯(lián)耦接的多個存儲器單元，以及 將所述存儲器單元區(qū)的全部存儲器單元設定成禁止編程的狀態(tài)的步驟包括以下步驟: 在所述漏極選擇開關導通的狀態(tài)下，將全部存儲器單元的位線預充電；以及 關斷所述漏極選擇開關。
8.如權利要求7所述的編程方法，其中，將存儲器單元的溝道升壓的步驟包括供應字線電壓的步驟。
9.如權利要求7所述的編程方法，其中，穩(wěn)定所述字線電壓和所述位線電壓的步驟包括如下步驟:控制未選中的位線和禁止編程的位線的位線電壓以保持所述預充電的狀態(tài)，并且將與編程操作的目標單元耦接的位線的電壓電平改變到指定的電平。
10.如權利要求7所述的編程方法，其中，改變所述溝道電壓的步驟包括將所述漏極選擇開關導通的步驟。
11.一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，包括: 主機裝置； 半導體存儲裝置，所述半導體存儲裝置經(jīng)由主機接口與所述主機裝置耦接；以及 控制器，所述控制器被配置成響應于編 程命令，而同時設定存儲器區(qū)的字線電壓和位線電壓。
12.如權利要求11所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述控制器被布置在所述半導體存儲裝置中。
13.如權利要求11所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述控制器在將全部位線預充電之后，將所述字線電壓和所述位線電壓分別穩(wěn)定到預定的電平。
14.如權利要求11所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述控制器響應于所述編程命令將所述存儲器區(qū)的全部存儲器單元設定成禁止編程的狀態(tài)，并且在將所述字線電壓和所述位線電壓分別穩(wěn)定到預定的電平之后，控制與禁止編程的位線和未選中的位線耦接的存儲器單元的溝道電壓。
15.一種半導體存儲裝置，包括: 存儲器單元區(qū)，所述存儲器單元區(qū)串聯(lián)耦接在與位線耦接的漏極選擇開關和源極選擇開關之間，并且包括多個存儲串，每個存儲串具有多個存儲器單元，每個存儲器單元具有與字線耦接的柵極端子； 塊開關，所述塊開關被配置成驅動所述漏極選擇開關； 電壓提供器，所述電壓提供器被配置成根據(jù)所述半導體存儲裝置的每種操作模式來產(chǎn)生高電壓，并且將產(chǎn)生的高電壓提供給所述字線；以及 控制器，所述控制器被配置成響應于編程命令，而將預定電平的電壓經(jīng)由所述電壓提供器供應給所述字線和所述位線，同時經(jīng)由所述塊開關控制漏極選擇開關的導通/關斷，以及將所述字線電壓和所述位線電壓同時穩(wěn)定到預定的電平。
16.如權利要求15所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制器在將全部位線預充電之后，將所述字線電壓和所述位線電壓分別穩(wěn)定到預定的電平。
17.如權利要求15所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制器響應于所述編程命令，在所述漏極選擇開關導通的狀態(tài)下，在將所述全部存儲器單元的位線預充電之后，通過關斷所述漏極選擇開關而將全部存儲器單元設定成禁止編程的狀態(tài)，以及 當將存儲器單元的溝道升壓時，所述控制器在將所述字線電壓和所述位線電壓分別穩(wěn)定到預定的電平之后，控制與禁止編程的位線和未選中的位線耦接的存儲器單元的溝道電壓。
18.如權利要求17所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制器在將全部存儲器單元設定成禁止編程的狀態(tài)之后，施加字線電壓以將存儲器單元的溝道升壓。
19.如權利要求17所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制器將所述未選中的位線和所述禁止編程的單元的位線電壓保持在預充電的狀態(tài)，并且將與編程操作的目標單元耦接的位線的電壓電平改變成指定的電平，以便穩(wěn)定所述位線電壓。
20.如權利要求17所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制器導通所述漏極選擇開關以改變所述溝 道電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導體存儲裝置及其編程方法和使用半導體存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，所述半導體存儲裝置包括存儲器單元區(qū)，所述存儲器單元區(qū)包括多個存儲器單元，每個存儲器單元耦接在字線與位線之間；以及控制器，所述控制器被配置成響應于編程命令而同時設定字線電壓和位線電壓。
文檔編號G11C16/30GK103247340SQ20121041471
公開日2013年8月14日 申請日期2012年10月25日 優(yōu)先權日2012年2月9日
發(fā)明者李在浩 申請人:愛思開海力士有限公司