各種實施方式涉及一種存儲器裝置。

背景技術(shù)：

1、易失性存儲器裝置是當供電中斷時丟失所存儲的數(shù)據(jù)的存儲器裝置。非易失性存儲器裝置是即使當供電中斷時也維持所存儲的數(shù)據(jù)的存儲器裝置。非易失性存儲器裝置可執(zhí)行擦除操作以刪除所存儲的數(shù)據(jù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在實施方式中，一種存儲器裝置可包括串和外圍電路。串可連接在位線和源極線之間。外圍電路可被配置為通過對位線和源極線中的至少一條施加擦除電壓來對串當中的第一串執(zhí)行擦除操作，并且被配置為控制串當中的第二串在擦除操作期間被禁止擦除。

2、在實施方式中，一種存儲器裝置可包括串和外圍電路。串可連接在位線和源極線之間。外圍電路可被配置為在外圍電路對位線和源極線中的至少一條施加第一擦除電壓的第一區(qū)段期間在將連接到串當中的第二串的選擇線浮置的同時將擦除選擇電壓施加到與串當中的第一串連接的選擇線，并且被配置為在外圍電路對位線和源極線中的至少一條施加第二擦除電壓的第二區(qū)段期間將連接到第一串和第二串的選擇線浮置。

3、在實施方式中，一種存儲器裝置可包括串和外圍電路。串可連接在位線和源極線之間。外圍電路可被配置為在將擦除電壓施加到位線和源極線中的至少一條的同時將連接到串當中的非目標串的選擇線浮置，以禁止非目標串的存儲器單元被擦除。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，在所述外圍電路施加所述擦除電壓的整個持續(xù)時間期間，所述外圍電路將連接到所述第二串的選擇線浮置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，在所述外圍電路施加第一擦除電壓作為所述擦除電壓的第一區(qū)段期間，所述外圍電路對連接到所述第一串的選擇線施加低于所述第一擦除電壓的擦除選擇電壓，并且在所述外圍電路施加第二擦除電壓作為所述擦除電壓的第二區(qū)段期間，所述外圍電路將所述選擇線浮置，所述第二區(qū)段在所述第一區(qū)段之后。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器裝置，其中，在所述第二區(qū)段之后的第三區(qū)段期間，所述外圍電路停止施加所述第二擦除電壓，同時對所述位線、所述源極線和連接到所述串的選擇線進行放電。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，在所述外圍電路施加所述擦除電壓的整個持續(xù)時間期間，所述外圍電路對連接到所述串的字線施加低于所述擦除電壓的擦除選擇電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述外圍電路同時對所述串執(zhí)行擦除操作，對各個串集合執(zhí)行擦除驗證操作，并且基于所述擦除驗證操作的結(jié)果來確定所述第一串和所述第二串。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中，所述外圍電路將所述擦除驗證操作的結(jié)果是擦除失敗的串集合中的串確定為所述第一串，并且將所述擦除驗證操作的結(jié)果是擦除通過的串集合中的串確定為所述第二串。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，

9.一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，在所述第一區(qū)段和所述第二區(qū)段期間，所述外圍電路將所述擦除選擇電壓施加到與所述串連接的字線。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，在所述第二區(qū)段之后的第三區(qū)段期間，所述外圍電路停止施加所述第二擦除電壓，同時對所述位線、所述源極線和連接到所述串的所述選擇線進行放電。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，所述外圍電路同時對所述串執(zhí)行擦除操作，對各個串集合執(zhí)行擦除驗證操作，并且基于所述擦除驗證操作的結(jié)果來確定所述第一串和所述第二串。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器裝置，其中，所述外圍電路將所述擦除驗證操作的結(jié)果是擦除失敗的串集合中的串確定為所述第一串，并且將所述擦除驗證操作的結(jié)果是擦除通過的串集合中的串確定為所述第二串。

15.一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲器裝置，其中，在所述外圍電路施加第一擦除電壓作為所述擦除電壓的第一區(qū)段期間，所述外圍電路對連接到所述串當中的目標串的選擇線施加低于所述第一擦除電壓的擦除選擇電壓，并且在所述外圍電路施加第二擦除電壓作為所述擦除電壓的第二區(qū)段期間，所述外圍電路將連接到所述目標串的所述選擇線浮置，所述第二區(qū)段在所述第一區(qū)段之后。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器裝置，其中，在所述第二區(qū)段之后的第三區(qū)段期間，所述外圍電路停止施加所述第二擦除電壓，同時對所述位線、所述源極線和連接到所述串的選擇線進行放電。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲器裝置，其中，所述外圍電路在施加所述擦除電壓期間對連接到所述串的字線施加低于所述擦除電壓的擦除選擇電壓。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲器裝置，其中，所述外圍電路同時對所述串執(zhí)行擦除操作，對各個串集合執(zhí)行擦除驗證操作，并且基于所述擦除驗證操作的結(jié)果來確定所述非目標串。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器裝置，其中，所述外圍電路將所述擦除驗證操作的結(jié)果是擦除通過的串集合中的串確定為所述非目標串。

技術(shù)總結(jié)
一種存儲器裝置包括串和外圍電路。串連接在位線和源極線之間。外圍電路被配置為通過對位線和源極線中的至少一條施加擦除電壓來對串當中的第一串執(zhí)行擦除操作，并且被配置為控制串當中的第二串在擦除操作期間被禁止擦除。

技術(shù)研發(fā)人員：崔亨進,高貴韓
受保護的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/14