半導體器件的制作方法
【專利說明】半導體器件
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求2014年6月16日提交的申請?zhí)枮?0-2014-0072959的韓國專利申請的優(yōu)先權，其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
[0003]本發(fā)明的各種實施例涉及一種半導體設計技術，且更具體而言，涉及一種包括感測放大器的半導體器件。
【背景技術】
[0004]動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM)是代表性的易失性存儲器件。DRAM的存儲器單元中的每個包括單元晶體管和單元電容器。單元晶體管選擇單元電容器，并且單元電容器儲存與數(shù)據(jù)相對應的電荷。
[0005]由于電荷因為泄漏成分的緣故而流入單元電容器或者從單元電容器中流出，因此存儲器單元要周期性地再次儲存相應的數(shù)據(jù)。周期性地執(zhí)行以準確保持數(shù)據(jù)的操作被稱作為刷新操作。在刷新操作期間，存儲器件以預定的周期在激活模式和預充電模式之間反復。刷新操作執(zhí)行如下。在激活模式中，存儲器單元被選中，且隨后位線感測放大器被使能。因而，位線感測放大器感測并放大從選中的存儲器單元中傳送的數(shù)據(jù)，然后將數(shù)據(jù)重新寫入存儲器單元。在預充電模式中，不選擇存儲器單元，并且位線感測放大器被禁止。因而，存儲器單元保持儲存的數(shù)據(jù)。
[0006]然而，當泄漏成分增加時，存儲器單元的數(shù)據(jù)保持時間、即存儲器單元在執(zhí)行預充電操作之后能夠可靠地保持儲存在單元電容器中的數(shù)據(jù)的時間變短。因此，需要用于解決這些問題的技術。

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明的各種實施例針對一種半導體器件，其具有改善的存儲器單元的數(shù)據(jù)保持時間。
[0008]此外，本發(fā)明的各種實施例針對一種半導體器件，其可以改善存儲器單元的數(shù)據(jù)保持時間，并且改善在預充電模式中相應的數(shù)據(jù)線對的預充電時間。
[0009]此外，本發(fā)明的各種實施例針對一種半導體器件，其具有改善的將重新寫入的數(shù)據(jù)傳送至存儲器單元所花費的時間、改善的存儲器單元的數(shù)據(jù)保持時間、以及改善的在預充電模式中相應的數(shù)據(jù)線對的預充電時間。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種半導體器件包括：感測放大塊，其適于基于經(jīng)由上拉電源線供應的上拉驅動電壓和經(jīng)由下拉電源線供應的下拉驅動電壓來感測并放大加載在數(shù)據(jù)線對上的數(shù)據(jù)；以及電壓供應塊，其適于在第一模式中，將第一高電壓作為上拉驅動電壓供應至上拉電源線，并且將第一低電壓作為下拉驅動電壓供應至下拉電源線，以及在作為第一模式的后續(xù)模式的第二模式的初始化時段期間，將第一高電壓作為上拉驅動電壓供應至上拉電源線，并且將具有比第一低電壓的電壓電平低的電壓電平的第二低電壓作為下拉驅動電壓供應至下拉電源線。
[〇〇11] 第一模式可以包括將加載在數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)放大并保持的部分，以及第二模式可以包括利用預定的電壓對數(shù)據(jù)線預充電的時段。
[0012]電壓供應塊可以在第一模式的初始時段期間供應具有比第一高電壓的電壓電平高的電壓電平的第二高電壓作為上拉驅動電壓，以及在第一模式的其余時段期間供應第一高電壓作為上拉驅動電壓。
[0013]電壓供應塊可以包括：第一上拉驅動單元，其適于在第一模式的初始時段期間，利用第二高電壓來驅動上拉電源線；第二上拉驅動單元，其適于在第一模式的其余時段期間，利用第一高電壓來驅動上拉電源線；第一下拉驅動單元，其適于在第一模式的初始時段和其余時段期間，利用第一低電壓來驅動下拉電源線；以及第二下拉驅動單元，其適于在第二模式的初始時段期間，利用第二低電壓來驅動下拉電源線。
[0014]半導體器件還可以包括：第一預充電塊，其適于在第二模式的其余時段期間，利用預定的預充電電壓對數(shù)據(jù)線預充電；以及第二預充電塊，其適于在第二模式的其余時段期間，利用預充電電壓對上拉電源線和下拉電源線預充電。
[0015]預充電電壓可以具有與第一高電壓的一半相對應的電壓電平。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種半導體器件包括：感測放大塊，其適于基于經(jīng)由上拉電源線供應的上拉驅動電壓和經(jīng)由下拉電源線供應的下拉驅動電壓來感測并放大加載在數(shù)據(jù)線對上的數(shù)據(jù)；以及電壓供應塊，其適于在第一模式中，將第一高電壓作為上拉驅動電壓供應至上拉電源線，并且將第一低電壓作為下拉驅動電壓供應至下拉電源線，以及在作為第一模式的后續(xù)模式的第二模式的初始時段期間，將具有比第一高電壓的電壓電平高的電壓電平的第二高電壓作為上拉驅動電壓供應至上拉電源線，并且將具有比第一低電壓的電壓電平低的電壓電平的第二低電壓作為下拉驅動電壓供應至下拉電源線。
[0017]第一模式可以包括將加載在數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)放大且保持的時段，以及第二模式可以包括利用預定的電壓對數(shù)據(jù)線預充電的時段。
[0018]電壓供應塊可以在第一模式的初始時段期間，供應具有比第一高電壓的電壓電平高、且比第二高電壓的電壓電平低的電壓電平的第三高電壓作為上拉驅動電壓，以及在第一模式的其余時段期間供應第一高電壓作為上拉驅動電壓。
[0019]電壓供應塊可以包括：第一上拉驅動單元，其適于在第一模式的初始時段期間，利用第三高電壓來驅動上拉電源線；第二上拉驅動單元，其適于在第一模式的其余時段期間，利用第一高電壓來驅動上拉電源線；第三上拉驅動單元，其適于在第二模式的初始時段期間，利用第二高電壓來驅動上拉電源線；以及第二下拉驅動單元，其適于在第二模式的初始時段期間，利用第二低電壓來驅動下拉電源線。
[0020]半導體器件還可以包括：第一預充電塊，其適于在第二模式的其余時段期間，利用預定的預充電電壓對數(shù)據(jù)線預充電；以及第二預充電塊，其適于在第二模式的其余時段期間，利用預充電電壓對上拉電源線和下拉電源線預充電。
[0021 ] 預充電電壓可以具有與第一高電壓的一半相對應的電壓電平。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種半導體器件包括：位線對，其包括位線和互補位線；存儲器單元，其與位線和互補位線之間的一個位線耦接；感測放大塊，其適于基于經(jīng)由上拉電源線供應的上拉驅動電壓和經(jīng)由下拉電源線供應的下拉驅動電壓來感測并放大加載在位線上的數(shù)據(jù)；第一上拉驅動塊，其適于在預充電模式的初始時段期間，利用升高的電壓來驅動上拉電源線；第一下拉驅動塊，其適于在預充電模式的初始時段期間，利用負電壓來驅動下拉電源線；以及第一預充電塊，其適于在預充電模式的其余時段期間，利用預定的預充電電壓對位線預充電。
[0023]半導體器件還可以包括：第二上拉驅動單元，其適于在激活模式的初始時段期間，利用具有比升高的電壓的電壓電平低的電壓電平的電源電壓來驅動上拉電源線；第三上拉驅動單元，其適于在激活模式的其余時段期間，利用具有比電源電壓的電壓電平低的電壓電平的內部電壓來驅動上拉電源線；以及第二下拉驅動單元，其適于在激活模式的初始時段和其余時段期間，利用具有比負電壓的電壓電平高的電壓電平的接地電壓來驅動下拉電源線。
[0024]預充電電壓可以具有與內部電壓的一半相對應的電壓電平。
[0025]內部電壓可以包括核心電壓，以及預充電電壓包括位線預充電電壓。
[0026]半導體器件還可以包括：第二預充電塊，其適于在預充電模式的其余時段期間，利用預充電電壓對上拉電源線和下拉電源線預充電。
【附圖說明】
[0027]圖1是圖示半導體器件的框圖。
[0028]圖2是用于描述圖1中所示的半導體器件的操作的時序圖。
[0029]圖3是用于描述根據(jù)圖1中所示的半導體器件的操作的位線對的電壓電平變化的波形圖。
[0030]圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體器件的框圖。
[0031]圖5是用于描述圖4中所示的半導體器件的操作的時序圖。
[0032]圖6是用于描述根據(jù)圖4中所示的半導體器件的操作的位線對的電壓電平變化的波形圖。
【具體實施方式】
[0033]在下文中，參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的各種實施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式實施，而不應解釋為限制于本文所列的實施例。確切地說，提供這些實施例使得本公開充分與完整，并向本領域