元Mn執(zhí)行一再重置動作。再重置動作與重置動作相似，均是令源極信號不為固定電平，而位信號為固定電平。
[0045]本發(fā)明并不限定再重置動作的源極信號的電平。在一可能實施例中，再重置動作的源極信號的電平等于、大于或小于在重置動作下的源極信號的電平。在另一可能實施例中，再重置動作是逐漸增加源極信號的電平。
[0046]當源極信號的電平等于一預設(shè)值后，再次對存儲單元Mn進行讀取動作。在讀取期間，控制檢測單元130令源極信號不為固定電平，而解碼單元120令位信號νΒ?為固定電平。此時，可變電阻220應具有高阻抗。若可變電阻220不具有高阻抗，則解碼單元110、120與控制檢測單元130再次對存儲單元Mn進行再重置動作，直到可變電阻220具有高阻抗。
[0047]本發(fā)明并不限定控制檢測單元130如何讀取可變電阻220的阻抗。在一可能實施例中，控制檢測單元130檢測流過源極線SQ的電流。當流過源極線SQ的電流大于一參考值時，表示可變電阻220具有低阻抗。相反地，當流過源極線SQ的電流未大于參考值時，表示可變電阻220具有高阻抗。
[0048]在本實施例中，設(shè)定期間早于重置期間，并且重置期間早于讀取期間。若需要對存儲單元Mn進行再重置動作時，則再重置動作位于重置與讀取動作之間。在其它實施例中，可利用重置取代再重置動作。在另一可能實施例中，在執(zhí)行設(shè)定動作之前，解碼單元110、120與控制檢測單元130先對存儲單元Mn進行一形成動作以及一初始化動作，用以活化存儲單元Mn。
[0049]在一形成期間，控制檢測單元130令源極信號為固定電平，解碼單元120令位信號不為固定電平。此時，可變電阻220具有低阻抗。在一可能實施例中，在形成期間的位信號V的電平等于、大于或小于在設(shè)定期間的位信號V的電平。
[0050]在一初始化期間，控制檢測單元130令源極信號不為固定電平，而解碼單元120令位信號為固定電平。在一可能實施例中，在初始化期間的源極信號的電平等于、大于或小于在重置或讀取的源極信號的電平。
[0051]在一可能實施例中，初始化期間位于形成期間與設(shè)定期間之間。在另一可能實施例中，形成與初始化動作在電阻式存儲器100出廠前完成。出廠后，電阻式存儲器100僅執(zhí)行上述設(shè)定、重置、再重置及讀取動作。其它實施例中，在不同期間，字線上柵信號具不同或相同電平，用以控制晶體管210的導通狀態(tài)。因此，任何適合的電平均可作為柵信號Vp
[0052]在一些實施例中，在設(shè)定動作之后，解碼單元110、120與控制檢測單元130可先對存儲單元Mn進行一第一讀取動作。當存儲單元Mn具有低阻抗時，再開始對存儲單元Mn進行重置動作，并在重置動作后，對存儲單元Mn進行一第二讀取動作。
[0053]在進行第一讀取動作時，若存儲單元Mn不具有低阻抗，則可對存儲單元Mn進行再設(shè)定動作，并再次讀取存儲單元Mn的阻抗，直到存儲單元Mn具有低阻抗。在一可能實施例中，再設(shè)定動作相似于設(shè)定動作，不同之處在于再設(shè)定動作是逐漸增加位線的電平。
[0054]圖3A為本發(fā)明控制方法的一可能實施例。電阻式存儲器具有一晶體管以及一可變電阻。為方便說明，以下以圖2為例。如圖示，可變電阻220耦接于晶體管210的第一端與一位線之間，而晶體管210的第二端耦接一源極線SL。
[0055]首先，對存儲單元Mn進行一設(shè)定動作(步驟S310)。在一設(shè)定期間，令位線的電平不為一固定電平(步驟S311)，并令源極線SQ為固定電平(步驟S312)。在一可能實施例中，在進行完設(shè)定動作后，存儲單元Mn具有低阻抗。位線的電平可為任何適當?shù)碾娖?。在一可能實施例中，固定電平為一接地電平?br>[0056]接著，對存儲單元Mn進行一重置動作(步驟S320)。在一重置期間，令位線的電平為固定電平(步驟S321)，并令源極線SQ的電平不為固定電平(步驟S322)。在一可能實施例中，進行完重置動作后，存儲單元Mn具有高阻抗。源極線SQ的電平可為任何適當?shù)碾娖健?br>[0057]然后，對存儲單元Mn進行一讀取動作(步驟S330)。讀取期間令位線電平為固定電平(步驟S331)，及令源極線SQ不為固定電平(步驟S332)。并不限定源極線SQ電平。源極線SQ電平可為任何適當?shù)碾娖?。一實施例中，步驟S332源極線SLiK電平等于、大于或小于步驟S322源極線SQ的電平。
[0058]在本實施例中，設(shè)定動作S310早于重置動作S320，而重置動作S320早于讀取動作S330。另外，在執(zhí)行設(shè)定動作S310、重置動作S320以及讀取動作S330時，晶體管210的柵極接收相對應的柵信號。在執(zhí)行不同的動作時，晶體管210的柵極可能接收相同或不同的柵信號。
[0059]圖3B為本發(fā)明控制方法的另一可能實施例。圖3B相似于圖3A，不同之處于圖3B多了再重置動作S340。再重置動作S340位于重置動作S320與讀取動作S330之間。
[0060]在讀取期間，令位線為固定電平(步驟S331)，以及令源極線SQ不為固定電平(步驟S332)。接著，判斷存儲單元Mn的阻抗是否等于一預設(shè)值(步驟S333)。在一可能實施例中，若存儲單元Mn的阻抗等于預設(shè)值(如高阻抗)，則表示存儲單元Mn正常(步驟S334)。若否，則執(zhí)行再重置動作S340。
[0061]在一再重置期間，令位線為固定電平(步驟S341)，以及令源極線SQ不為固定電平(步驟S342)。另一實施例中，步驟S342是逐漸增加源極線SLiK電平。源極線SQ電平被改變的次數(shù)可為任意次數(shù)。接著，執(zhí)行讀取動作S330，用以讀取存儲單元Mn阻抗。若存儲單元Mn不具高阻抗，則再次執(zhí)行再重置動作S340，再次重置存儲單元Mn，直到存儲單元Mn具高阻抗。
[0062]本發(fā)明并不限定如何讀取存儲單元Mn的阻抗。在一可能實施例中，借由測量流經(jīng)源極線SQ的電流量，便得知存儲單元Mn的阻抗。若當流經(jīng)源極線SQ的電流量大于一參考值時，表示存儲單元Mn具有低阻抗；若不大于參考值時，表示具高阻抗。
[0063]在其它實施例中，可利用重置動作S320取代再重置動作S340。在此例中，當存儲單元Mn的阻抗不等于預設(shè)值時，則執(zhí)行重置動作S320，用以再次重置存儲單元Mn。由于在執(zhí)行重置動作S320及讀取動作S330時，位線都維持在固定電平，故可大幅減少調(diào)整位線BQ的電平的時間。
[0064]圖3C為本發(fā)明控制方法的另一可能實施例。圖3C相似于圖3A，不同之處在于圖3C多了再設(shè)定動作S360及讀取動作S370。在設(shè)定動作S310后，存儲單元Mn應具有低阻抗。因此，在一讀取期間，令位線不為固定電平(步驟S371)，而令源極線SLiS固定電平(步驟S372)。在一可能實施例中，步驟S371的位線的電平等于、大于或小于步驟S361的位線BL:的電平。
[0065]接著，步驟S373判斷存儲單元Mn的阻抗是否等于一預設(shè)值(如低電平)。若否，則執(zhí)行再設(shè)定動作S360，直到存儲單元Mn的阻抗等于預設(shè)值。當存儲單元Mn的阻抗等于預設(shè)值時，執(zhí)行重置動作S320。
[0066]在一再設(shè)定期間，令位線不為固定電平(步驟S361)，而令源極線SQ為固定電平(步驟S362)。另一實施例中，步驟S361逐漸增加位線的電平。其它實施例中，可省略再設(shè)定動作S360。此例中，當存儲單元Mn的阻抗不等于預設(shè)值時，則執(zhí)行再設(shè)定動作S360，用以再次設(shè)定存儲單元Mn。另一實施例中，圖3B讀取動作S330以及再重置動作S340亦可應用至圖3C。此例中步驟S333與S373所使用預設(shè)值并不相同。
[0067]圖3D為本發(fā)明控制方法的另一可能實施例。圖3D相似于圖3A，不同之處在于圖3D多了形成動作S380以及初始化動作S390。形成動作S380