包括共用校準(zhǔn)參考電阻器的存儲(chǔ)器的系統(tǒng)及其校準(zhǔn)方法
【專利說(shuō)明】包括共用校準(zhǔn)參考電阻器的存儲(chǔ)器的系統(tǒng)及其校準(zhǔn)方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求在2014年6月12日提交韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2014-0071260的優(yōu)先權(quán)，其整體內(nèi)容通過(guò)引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實(shí)施例總體上涉及集成電路，更具體地，在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例中，涉及具有多個(gè)存儲(chǔ)器的系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004]在存儲(chǔ)器控制器控制存儲(chǔ)器芯片的電子系統(tǒng)中，它們能夠通過(guò)信號(hào)傳輸線路來(lái)通信。為了滿足高性能電子系統(tǒng)的需求，可應(yīng)用于存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器控制器之間的通信的一些通信標(biāo)準(zhǔn)需要高數(shù)據(jù)速率和低信號(hào)擺幅。然而，在低信號(hào)擺幅方面，即便是存儲(chǔ)器芯片和存儲(chǔ)器控制器之間的信號(hào)傳輸線路中的相對(duì)小量的外部噪聲或阻抗失配也可能引起信號(hào)失真。
[0005]片內(nèi)端接(0TD)是將用于在這樣的傳輸線路中阻抗匹配的電阻器設(shè)置在半導(dǎo)體芯片內(nèi)部而非半導(dǎo)體芯片外部某處的技術(shù)。0DT技術(shù)也可以應(yīng)用于存儲(chǔ)器芯片。
[0006]此外，在需要針對(duì)工藝、電壓和溫度(PVT)變化來(lái)校準(zhǔn)阻抗的情況下，可以使用ZQ校準(zhǔn)技術(shù)。例如，存儲(chǔ)器芯片可以耦接到外部參考電阻器，并且可以通過(guò)使用外部參考電阻器來(lái)執(zhí)行ZQ校準(zhǔn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置可以包括:第一存儲(chǔ)器，其電耦接到共享參考電阻的第一端部；以及第二存儲(chǔ)器，其電耦接到共享參考電阻的第二端部，其中第一和第二存儲(chǔ)器中的每個(gè)通過(guò)響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)和鏡像功能信號(hào)而有選擇地使用共享參考電阻來(lái)執(zhí)行其基本校準(zhǔn)操作。
[0008]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置可以包括:第一存儲(chǔ)器，其電耦接到共享參考電阻的第一端部；以及第二存儲(chǔ)器，其電耦接到共享參考電阻的第一端部，其中共享參考電阻的第二端部電耦接到接地電壓，以及其中第一和第二存儲(chǔ)器中的每個(gè)通過(guò)響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)和鏡像功能信號(hào)而有選擇地連接到共享參考電阻來(lái)執(zhí)行其基本校準(zhǔn)操作。
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種包括共同耦接到共享參考電阻的第一和第二存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體裝置的校準(zhǔn)方法可以包括:響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)和鏡像功能信號(hào)而在第一時(shí)間區(qū)段對(duì)第一和第二存儲(chǔ)器中的一個(gè)執(zhí)行基本校準(zhǔn)操作；響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)和鏡像功能信號(hào)而在第一時(shí)間區(qū)段對(duì)第一和第二存儲(chǔ)器中的另一個(gè)執(zhí)行基本校準(zhǔn)操作；以及響應(yīng)于操作控制信號(hào)和鏡像功能信號(hào)而對(duì)第一和第二存儲(chǔ)器交替地執(zhí)行校正校準(zhǔn)操作。
【附圖說(shuō)明】
[0010]結(jié)合附圖描述特征、方面和實(shí)施例，在附圖中:
[0011]圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的電路圖，
[0012]圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，
[0013]圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的電路圖，
[0014]圖4是圖示圖3中所示的電子系統(tǒng)的框圖，
[0015]圖5是圖示圖4中所示的第一校準(zhǔn)控制部的框圖，
[0016]圖6和圖7是圖不根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的操作的時(shí)序圖，
[0017]圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的電路圖，以及
[0018]圖9是圖示圖8中所示的電子系統(tǒng)的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]圖1是圖示電子系統(tǒng)10的電路圖。電子系統(tǒng)10可以包括第一存儲(chǔ)器11和第二存儲(chǔ)器12。第一存儲(chǔ)器11和第二存儲(chǔ)器12從存儲(chǔ)器控制器(未示出)接收時(shí)鐘信號(hào)CLK、數(shù)據(jù)DQ以及命令和地址信號(hào)CMD/ADD，并且響應(yīng)于存儲(chǔ)器控制器的控制信號(hào)來(lái)執(zhí)行讀取和寫入操作。第一存儲(chǔ)器11和第二存儲(chǔ)器12中的每個(gè)耦接到其自身的外部參考電阻RZQ以執(zhí)行校準(zhǔn)操作。
[0020]參考圖2，電子系統(tǒng)1可以包括第一存儲(chǔ)器110、第二存儲(chǔ)器120、存儲(chǔ)器控制器130和共享參考電阻器SRZQ。第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120可以層疊在襯底140上。例如，一個(gè)存儲(chǔ)器可以層疊在另一存儲(chǔ)器上。第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120中的每個(gè)可以包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片。例如，第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120中的每個(gè)可以由層疊的半導(dǎo)體芯片形成。第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120可以響應(yīng)于存儲(chǔ)器控制器130的控制信號(hào)來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入和讀取操作。電子系統(tǒng)1還可以包括存儲(chǔ)器控制器130。例如，存儲(chǔ)器控制器130可以與襯底140上的第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120 —起封裝在單個(gè)封裝中。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)1可以實(shí)現(xiàn)成片上系統(tǒng)、封裝內(nèi)系統(tǒng)或多芯片封裝。第一存儲(chǔ)器110、第二存儲(chǔ)器120和存儲(chǔ)器控制器130可以使用凸球、球柵陣列或微凸點(diǎn)而在襯底140上封裝成層疊類型。襯底140可以是諸如插入式襯底的硅襯底，或者印刷電路板。第一存儲(chǔ)器110、第二存儲(chǔ)器120和存儲(chǔ)器控制器130中的每個(gè)可以通過(guò)諸如金屬線的信號(hào)線或者在襯底140中形成的穿通硅通孔而彼此電耦接。
[0021]共享參考電阻器SRZQ可以設(shè)置在襯底140之上。共享參考電阻器SRZQ可以共同地電耦接到第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120。參見(jiàn)圖1，第一存儲(chǔ)器11和第二存儲(chǔ)器12中的每個(gè)分別具有其自身的參考電阻RZQ。參見(jiàn)圖2，根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)可以具有共用參考電阻器的多個(gè)存儲(chǔ)器。如圖2中所示，例如，共享參考電阻器SRZQ可以共同地電耦接到第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120。此外，第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120中的每個(gè)可以使用共享參考電阻器SRZQ來(lái)執(zhí)行校準(zhǔn)操作，所述共享參考電阻器SRZQ共同地耦接到第一存儲(chǔ)器110和第二存儲(chǔ)器120。
[0022]圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)2的電路圖。電子系統(tǒng)2可以包括第一存儲(chǔ)器210、第二存儲(chǔ)器220和共享參考電阻器SRZQ。第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220可以從圖2中所示的存儲(chǔ)器控制器130接收時(shí)鐘信號(hào)CLK、數(shù)據(jù)DQ以及命令和地址信號(hào)CMD/ADD。第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220可以響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK、數(shù)據(jù)DQ以及命令和地址信號(hào)CMD/ADD來(lái)執(zhí)行各種操作，諸如數(shù)據(jù)寫入操作、數(shù)據(jù)讀取操作、測(cè)試操作、校準(zhǔn)操作和刷新操作。
[0023]共享參考電阻器SRZQ可以共同地耦接到第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220。例如，共享參考電阻器SRZQ的一個(gè)節(jié)點(diǎn)可以電耦接到第一存儲(chǔ)器210，而共享參考電阻器SRZQ的另一個(gè)節(jié)點(diǎn)可以電耦接到第二存儲(chǔ)器220。第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220中的每個(gè)可以響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK和鏡像功能信號(hào)MF而有選擇地使用共享參考電阻器SRZQ。當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)器210響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK和鏡像功能信號(hào)MF而使用共享參考電阻器SRZQ時(shí)，第一存儲(chǔ)器210可以執(zhí)行其基本校準(zhǔn)操作。當(dāng)?shù)诙鎯?chǔ)器220響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK和鏡像功能信號(hào)MF而使用共享參考電阻器SRZQ時(shí)，第二存儲(chǔ)器220可以執(zhí)行其基本校準(zhǔn)操作。第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220中的每個(gè)可以彼此獨(dú)立地執(zhí)行其自身的基本校準(zhǔn)操作。例如，可以依次執(zhí)行第一存儲(chǔ)器210的基本校準(zhǔn)操作和第二存儲(chǔ)器220的基本校準(zhǔn)操作。
[0024]第一存儲(chǔ)器210可以響應(yīng)于具有第一電平的鏡像功能信號(hào)來(lái)使用共享參考電阻器SRZQ，第二存儲(chǔ)器220可以響應(yīng)于具有第二電平的鏡像功能信號(hào)來(lái)使用共享參考電阻器SRZQ。例如，如果鏡像功能信號(hào)MF的第一電平是邏輯高電平，則鏡像功能信號(hào)的第二電平可以是邏輯低電平。例如，如果鏡像功能信號(hào)MF的第一電平是邏輯低電平，則鏡像功能信號(hào)MF的第二電平可以是邏輯高電平。例如，第一電平可以是接地電平，第二電平可以是電源電平，反之亦然。
[0025]例如，第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220可以響應(yīng)于操作控制信號(hào)而執(zhí)行其校正校準(zhǔn)操作，所述操作控制信號(hào)響應(yīng)于命令信號(hào)CMD而產(chǎn)生。在第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220完成其基本校準(zhǔn)操作之后，第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220可以響應(yīng)于操作控制信號(hào)和鏡像功能信號(hào)MF來(lái)交替地執(zhí)行其校正校準(zhǔn)操作。校正校準(zhǔn)操作可以包括在基本校準(zhǔn)操作完成之后執(zhí)行的任何類型的校準(zhǔn)操作。在校正校準(zhǔn)操作期間，在由于例如PVT變化而需要阻抗匹配的情況下，可以校正通過(guò)基本校準(zhǔn)操作設(shè)定的阻抗代碼。操作控制信號(hào)可以是用于第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220的各種操作的控制信號(hào)之一。例如，操作控制信號(hào)可以是指示第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220的刷新操作的刷新信號(hào)。在第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220是非易失性存儲(chǔ)器件的情況下，第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220可以執(zhí)行用于數(shù)據(jù)保持的刷新操作。在刷新操作期間存儲(chǔ)器不從存儲(chǔ)器控制器接收數(shù)據(jù)或者不向存儲(chǔ)器控制輸出數(shù)據(jù)。因此，在刷新操作期間存儲(chǔ)器可以執(zhí)行校正校準(zhǔn)操作。
[0026]圖4是圖示圖3中所示的電子系統(tǒng)2的框圖。圖4示出了包括第一存儲(chǔ)器210和第二存儲(chǔ)器220以及共享參考電阻器SRZQ的電子系統(tǒng)2的示例配置。參見(jiàn)圖4，第一存儲(chǔ)器210可以包括第一校準(zhǔn)控制部310、第一開(kāi)關(guān)330和第一校準(zhǔn)電路350。校準(zhǔn)控制部310可以響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CL