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      化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠的制作方法

      文檔序號:6784646閱讀:1016來源:國知局
      專利名稱:化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠,它含有一種堿性樹脂和一種光酸發(fā)生劑,具體地說,本發(fā)明涉及一種遠(yuǎn)紫外線光刻膠,它具有與硅基片優(yōu)良的粘合性能,曝光后改善的對圖線的拖延和布位的抗性,和改善的圖形形狀。
      含有一種堿性樹脂和一種光酸發(fā)生劑的常規(guī)的遠(yuǎn)紫外線光刻膠含有一種作為所說的堿性樹脂的具有環(huán)狀碳酸酯的(叔丁基保護(hù)的聚羧基降莰烷(nor-bomane)),它對遠(yuǎn)紫外輻射具有高的透明度,抵抗蝕刻的性能優(yōu)良,并在主鏈中捕獲,使其中的碳原子-碳原子之間的連鍵如下式(1)所示。
      此外,含有一種堿性樹脂和一種光酸發(fā)生劑的常規(guī)的遠(yuǎn)紫外線光刻膠也含有一種樹脂(四羥基保護(hù)的羧基四環(huán)十二烷基甲基丙烯酸酯),它從主鏈分支出來,如式(2)所示。
      常規(guī)的遠(yuǎn)紫外線光刻膠主要使用這些樹脂。
      但是,上述的常規(guī)的遠(yuǎn)紫外線光刻膠對硅基片的粘合差,并且當(dāng)用于精細(xì)圖形或散焦時圖形變形。而且,一些常規(guī)的遠(yuǎn)紫外線光刻膠不能用2.38% TMAH標(biāo)準(zhǔn)顯影劑顯影,從而使這種光刻膠在實(shí)際中應(yīng)用困難。
      而且,使用羥基苯乙烯作為堿性樹脂并具有較好的抗蝕性的常規(guī)的KrF(λ=248nm)的光刻膠不能應(yīng)用于其中所使用的波長較短的ArF(λ=193nm)或遠(yuǎn)紫外線輻射的光刻技術(shù)中,因有強(qiáng)的吸收。因而,現(xiàn)在使用一種具有脂肪環(huán)基團(tuán)的光刻膠,但是,這種光刻膠具有顯著的疏水性,從而導(dǎo)致光刻膠和基片之間的粘合不足的缺陷。而且,改善粘合的成分的加入將造成脂環(huán)基團(tuán)的比率的降低,降低抗蝕性,因而無法同時滿足對粘合性和抗蝕性的要求。
      本發(fā)明的目的是提供一種化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠,它具有與硅基片優(yōu)良的粘合性能,曝光后改善了圖線拖延和布位的抗性,和改善的圖形形狀,可用作遠(yuǎn)紫外線光刻膠。
      本發(fā)明的化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠含有一種堿性樹脂和光酸發(fā)生劑,其特征在于,所述的堿性樹脂對遠(yuǎn)紫外線透明,并且含有一種通過一個酰胺鍵連接的具有抗蝕性的環(huán)狀碳酸酯的樹脂。
      本發(fā)明的化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠含有一種羰基基團(tuán)和一種氨基基團(tuán)的極性基團(tuán),因而對其表面具有高極性硅烷醇基團(tuán)的硅基片具有優(yōu)良的粘合性。此外,樹脂結(jié)構(gòu)中的氨基基團(tuán)捕獲由曝光產(chǎn)生的酸并抑制酸的擴(kuò)散,從而也改善了對曝光后產(chǎn)生的圖線拖延和布位的抗性并改善圖形形狀。
      本發(fā)明中被用作堿性樹脂的樹脂具有一種通過酰胺鍵(amid bond)連接的環(huán)狀碳酸酯,它對遠(yuǎn)紫外線輻射是高度透明的并具有優(yōu)良的抗蝕性。這些樹脂最好是,例如,示于下式(3)的叔丁基保護(hù)的聚(2,5-對羧基降莰烷酰胺),示于下式(4)的叔丁基保護(hù)的聚(對羧基氨基環(huán)己烷酰胺),和示于下式(5)的叔丁基保護(hù)的聚(2,5-羧基氨基-金剛烷酰胺)。

      本發(fā)明的化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠含有一種羰基基團(tuán)和一種氨基基團(tuán)的極性基團(tuán),因而對其表面具有高極性硅烷醇基團(tuán)的硅基片具有優(yōu)良的粘合性。此外,樹脂結(jié)構(gòu)中的氨基基團(tuán)捕獲由曝光產(chǎn)生的酸并抑制酸的擴(kuò)散,從而也改善了對曝光后產(chǎn)生的圖線拖延和布位的抗性并改善圖形形狀。
      本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案下文詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。
      示于下式(6)的2,5-羧基氨基降莰烷被用作單體并通過熱處理或通過使用催化劑進(jìn)行聚合。然后,在得到的聚合物的氨基部分加上示于下式(7)的叔丁基碳酰氯。隨后,用一種酸催化劑進(jìn)行脫保護(hù)反應(yīng),直至達(dá)到預(yù)定的保護(hù)率(35%),從而精制成示于下式(8)的樹脂,叔丁基保護(hù)的聚(2,5-羧基降莰烷酰胺),分子量為15000。
      制備一種具有35%保護(hù)率的所說的叔丁基保護(hù)的聚(2,5-羧基降莰烷酰胺)的樹脂,所述的保護(hù)基是叔丁基,和一種示于下式(9)的三苯基锍三氟甲烷磺酸(基于樹脂的比率為8%重量),然后用ArF激光曝光,從而產(chǎn)生寬度為0.17μm的線-和-空間(下文稱作L&amp;S)的分辨率。
      寬度為0.18μm的L&amp;S圖形的聚焦深度為0.5μm。在寬度為0.18μm的L&amp;S圖形中即使散焦為±0.20μm也沒有發(fā)現(xiàn)圖形變形。而且,用氯氣蝕刻相對于酚醛清漆樹脂產(chǎn)生的蝕刻率為1.3。
      下文描述本發(fā)明的第二個實(shí)施方案。
      示于下式(10)的對羧基氨基環(huán)己烷被用作單體,并通過熱處理或使用催化劑進(jìn)行聚合。
      然后,在得到的聚合物的氨基部分加上叔丁基碳酰氯。隨后,用一種酸催化劑進(jìn)行脫保護(hù)反應(yīng),直至達(dá)到預(yù)定的保護(hù)率(35%),從而精制成示于下式(11)的樹脂,對羧基氨基環(huán)己烷酰胺,分子量為12000。
      制備一種具有35%保護(hù)率的所說的叔丁基保護(hù)的聚(對羧基氨基環(huán)己烷酰胺)的光刻膠,所述的保護(hù)基是叔丁基,和一種三苯基锍三氟化物(基于樹脂的比率為8%重量),然后用ArF激光曝光,從而產(chǎn)生寬度為0.17μm的L&amp;S分辨率。寬度為0.18μm的L&amp;S圖形的聚焦深度為0.4μm。在寬度為0.18μm的L&amp;S圖形中即使散焦為±0.20μm也沒有發(fā)現(xiàn)圖形變形。用氯氣蝕刻相對于酚醛清漆樹脂產(chǎn)生的蝕刻率為1.3。
      下文描述本發(fā)明的第三個實(shí)施方案。
      示于下式(12)的2,5-羧基金剛烷被用作單體,并通過熱處理或使用催化劑進(jìn)行聚合。
      然后,在得到的聚合物的氨基部分加上叔丁基碳酰氯。隨后,用一種酸催化劑進(jìn)行脫保護(hù)反應(yīng),直至達(dá)到預(yù)定的保護(hù)率(35%),從而精制成示于下式(13)的樹脂,叔丁基保護(hù)的聚(2,5-羧基氨基金剛烷酰胺),分子量為8000。
      制備一種具有35%保護(hù)率的所說的叔丁基保護(hù)的聚(2,5-羧基氨基金剛烷酰胺)的光刻膠,所述的保護(hù)基是叔丁基,和一種三苯基锍三氟化物的光酸發(fā)生劑(基于樹脂的比率為7%重量),然后用ArF激光曝光,從而產(chǎn)生寬度為0.17μm的L&amp;S分辨率。寬度為0.18μm的L&amp;S圖形的聚焦深度為0.5μm。在寬度為0.18μm的L&amp;S圖形中即使散焦為±0.20μm也沒有發(fā)現(xiàn)圖形變形。用氯氣蝕刻相對于酚醛清漆樹脂產(chǎn)生的蝕刻率為1.55。
      權(quán)利要求
      1.一種化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠,含有一種堿性樹脂和光酸發(fā)生劑,其特征在于,所述的堿性樹脂對遠(yuǎn)紫外線透明,并且含有一種通過一個酰胺鍵連接的具有抗蝕性的環(huán)狀碳酸酯的樹脂。
      2.按照權(quán)利要求1所述的化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠,其特征在于所說的堿性樹脂是示于下式的叔丁基保護(hù)的聚(2,5-羧基降莰烷酰胺),
      3.按照權(quán)利要求1所述的化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠,其特征在于所說的堿性樹脂是示于下式的叔丁基保護(hù)的聚(對羧基氨基環(huán)己烷酰胺),
      4.按照權(quán)利要求1所述的化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠,其特征在于所說的堿性樹脂是示于下式的叔丁基保護(hù)的聚(2,5-羧基氨基金剛烷酰胺),
      全文摘要
      一種遠(yuǎn)紫外線光刻膠是一種化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠,它含有一種堿性樹脂和光酸發(fā)生劑。作為堿性樹脂,使用的是一種通過一個酰胺鍵連接的具有一種環(huán)狀碳酸酯的樹脂,它對遠(yuǎn)紫外線透明,并具有優(yōu)良的抗蝕性。這些樹脂包括叔丁基保護(hù)的聚(2,5-對羧基降莰烷酰胺),叔丁基保護(hù)的聚(對羧基氨基環(huán)己烷酰胺),和叔丁基保護(hù)的聚(2,5-羧基氨基-金剛烷酰胺)。這些樹脂具有優(yōu)良的與硅基片的粘合性,改善了對曝光后產(chǎn)生的圖線拖延和布位的抗性并改善圖形形狀。
      文檔編號H01L21/027GK1268679SQ00103570
      公開日2000年10月4日 申請日期2000年3月28日 優(yōu)先權(quán)日1999年3月29日
      發(fā)明者山名慎治 申請人:日本電氣株式會社
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