專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器及其制造方法，特別是涉及能夠不發(fā)生漏電流并且增大電荷存儲(chǔ)容量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器及其制造方法。
近來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，目前對(duì)存儲(chǔ)器件的需求激增。因此，要求存儲(chǔ)器件在狹小的面積上具有大的電容量。這種電容器的靜電容量(capacitance)是通過擴(kuò)大下部電極表面積、采用高介電常數(shù)的電介質(zhì)來增大的。已有的電容器是采用介電常數(shù)比氮化物-氧化物(NO)膜更高的氧化鉭(Ta2O5)作為電介質(zhì)膜、形成三雛的下部電極的結(jié)構(gòu)。


圖1是已有的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器的剖面圖。如圖所示，在預(yù)定部位形成場(chǎng)氧化膜11的半導(dǎo)體襯底10上，按公知方式形成下部帶有柵絕緣膜12的柵電極13。在柵電極13兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10上形成結(jié)區(qū)14，形成MOS晶體管。在形成了MOS晶體管的半導(dǎo)體襯底10上形成第一層間絕緣膜16和第二層間絕緣膜18。采用公知方式在存儲(chǔ)結(jié)點(diǎn)接觸孔h內(nèi)形成圓筒狀的下部電極20，與露出的結(jié)區(qū)14接觸。為了進(jìn)一步增大下部電極20的表面積，在下部電極20的表面形成HSG(半球形顆粒)膜21。此時(shí)，在后續(xù)工序中形成氧化鉭膜23。首先，在形成氧化鉭23之前，對(duì)HSG層21的表面清洗，再按非原位(ex-situ)方式進(jìn)行RTN(快速熱氮化)處理。由RTN處理在HSG膜21表面上形成氮化硅膜22。然后，在約400-450℃的溫度下，形成53-57厚的第一氧化鉭膜。之后，在低溫進(jìn)行退火處理后，采用與第一氧化鉭膜相同的工序和相同的厚度形成第二氧化鉭膜。之后，進(jìn)行連續(xù)的低溫和高溫退火處理，在氧化鉭膜23和第二層間絕緣膜18的上部蒸鍍上部電極24，制成電容器。
但是，以氧化鉭膜為電介質(zhì)膜的已有電容器，存在以下問題。
首先，由于一般的氧化鉭膜具有不穩(wěn)定的化學(xué)計(jì)量比(stoichiometry)，所以Ta和O的組成比例發(fā)生差異。因此，在薄膜內(nèi)產(chǎn)生置換型Ta原子即空位原子(vacancy atom)。這種空位原子是奪取了氧的位置，所以成為漏電流的原因。可以通過構(gòu)成氧化鉭膜的構(gòu)成要素的含量和結(jié)合程度來調(diào)節(jié)空位原子，但是難以完全去除。
現(xiàn)在，為了穩(wěn)定氧化鉭膜的不穩(wěn)定化學(xué)計(jì)量比，對(duì)氧化鉭膜進(jìn)行氧化，以便去除氧化鉭膜內(nèi)的置換型Ta原子。但是，如果氧化用于防止漏電流的氧化鉭膜，則出現(xiàn)以下問題。即，氧化鉭膜與多晶硅或TiN形成的上部和下部電極的氧化反應(yīng)性大。因此，進(jìn)行為了氧化置換型Ta原子而進(jìn)行氧化處理時(shí)，氧化鉭膜與上部電極或下部電極反應(yīng)，從而在界面產(chǎn)生介電常數(shù)低的氧化膜，氧在氧化鉭膜和下部電極的界面移動(dòng)，降低了界面的均勻性。
而且，作為前體(precusor)使用的Ta(OC2H5)5的有機(jī)物和O2(或者N2O)氣體發(fā)生反應(yīng)，從而在氧化鉭膜內(nèi)產(chǎn)生碳原子(C)、碳化合物(CH4、C2H4)和H2O等雜質(zhì)。這些雜質(zhì)增大了電容器的漏電流，并且降低了氧化鉭膜的介電常數(shù)，所以不能獲得大容量的電容器。
并且，使用氧化鉭膜作為電介質(zhì)膜的方法，在形成氧化鉭膜之前進(jìn)行清洗處理，因此必須進(jìn)行非原位(ex-situ)處理，必須按2階段蒸鍍氧化鉭膜，形成氧化鉭膜之后必須進(jìn)行經(jīng)過低溫和高溫2次的熱處理工序。所以工序復(fù)雜。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠減少漏電流的發(fā)生，具有介電常數(shù)高的電介質(zhì)膜，確保大容量的半導(dǎo)體元件的電容器。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種制造工序能夠簡(jiǎn)化的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的電容器，包括下部電極，在下部電極上形成的電介質(zhì)膜，和在電介質(zhì)膜上形成的上部電極，其中所述電介質(zhì)膜是TaON膜。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極；在所述下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜；和在所述TaON膜上形成上部電極。
而且，根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極；在下部電極表面上進(jìn)行阻止自然氧化膜發(fā)生的表面處理；在所述下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜；一邊釋放所述TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化；和在所述TaON膜上形成上部電極。
再有，根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極的階段，在下部電極表面上進(jìn)行阻止自然氧化膜發(fā)生的表面處理的階段，在所述下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜的階段，一邊釋放所述TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的階段，和在所述TaON膜上形成上部電極的階段，所述蒸鍍TaON膜的階段，是保持0.1-10乇的壓力和300-600℃的溫度，在供給O2氣體、NH3氣體的LPCVD反應(yīng)室內(nèi)，通過O2氣體、NH3氣體和從前體獲得的Ta化學(xué)蒸汽的表面化學(xué)反應(yīng)，形成TaON膜。
再有，根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括，在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極的階段，在下部電極表面上進(jìn)行阻止自然氧化膜發(fā)生的表面處理的階段，在所述下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜的階段，一邊釋放所述TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的階段，和在所述TaON膜上形成上部電極的階段，蒸鍍所述TaON膜的階段，是保持0.1-10乇的壓力和300-600℃的溫度，在供給O2氣體、NH3氣體的LPCVD反應(yīng)室內(nèi)，通過O2氣體、NH3氣體和從前體獲得的Ta化學(xué)蒸汽的表面化學(xué)反應(yīng)，形成TaON膜，采用等離子體在LPCVD反應(yīng)室內(nèi)按原位(in-situ)方式進(jìn)行所述下部電極的表面處理，在NH3氣體或N2/H2氣體氣氛中，300-600℃的溫度下，持續(xù)30秒-5分鐘，在下部電極表面上形成氮化膜。
圖1是已有的半導(dǎo)體元件的電容器的剖面圖。
圖2A-圖2D是本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的電容器的剖面圖。
圖3-圖5是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的電容器的剖面圖。
圖6A和圖6B是本發(fā)明實(shí)驗(yàn)1的具有TaON膜的電容器的最小和最大電容量的測(cè)定曲線。
圖7A和圖7B是已有技術(shù)的Ta2O5電容器的最小和最大電容量的測(cè)定曲線。
圖8A和圖8B是本發(fā)明實(shí)驗(yàn)2的TaON電容器的負(fù)向漏電流和正向漏電流的測(cè)定曲線。
圖9A和圖9B是已有技術(shù)的Ta2O5電容器的負(fù)向漏電流和正向漏電流的測(cè)定曲線。
圖10A和圖10B是本發(fā)明實(shí)驗(yàn)3的TaON膜電容器的負(fù)向絕緣擊穿電壓和正向絕緣擊穿電壓的測(cè)定曲線。
圖11A和圖11B是已有技術(shù)的Ta2O5電容器的負(fù)向絕緣擊穿電壓和正向絕緣擊穿電壓的測(cè)定曲線。
圖12A是蒸鍍TaON膜后，在700℃、N2O氣體氣氛中進(jìn)行60分鐘退火時(shí)的TaON膜的SEM照片。
圖12B是蒸鍍Ta2O5膜后，在700℃、N2O氣體氣氛中進(jìn)行60分鐘退火時(shí)的Ta2O5膜的SEM照片。
圖13是以NO膜作為電介質(zhì)膜的NO電容器、Ta2O5電容器和TaON電容器的電容曲線。
以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
參見圖2A，在具有預(yù)定導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底30的預(yù)定部位，按公知方式形成場(chǎng)氧化膜31。在半導(dǎo)體襯底30上的預(yù)定部位形成底部具有絕緣膜32的柵電極33，在柵電極33的兩側(cè)按公知方式形成隔離層34。在柵電極33兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底30上形成結(jié)區(qū)35，制成MOS晶體管。在形成了MOS晶體管的半導(dǎo)體襯底30上形成第一層間絕緣膜36和第二層間絕緣膜38。之后，對(duì)第二和第一層間絕緣膜38、36進(jìn)行布圖，以便露出結(jié)區(qū)35之中的任一個(gè)，形成存儲(chǔ)結(jié)點(diǎn)接觸孔。形成圓筒狀的下部電極40，與露出的結(jié)區(qū)14接觸。為了增大下部電極40的表面積，采用公知方法在下部電極40的表面形成HSG膜41。
參見圖2B，在下部電極40表面形成作為電介質(zhì)膜的TaON膜43。采用化學(xué)汽相淀積方式例如LPCVD方式形成本發(fā)明的TaON膜43，Ta(OC2H5)5(乙醇鉭)、Ta(N(CH3)2)5(戊-二甲基-氨基-鉭)物質(zhì)用做前體。其中，Ta(OC2H5)5、Ta(N(CH3)2)5由公知的液體狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檎羝麪顟B(tài)后，供給LPCVD反應(yīng)室內(nèi)。亦即，采用與MFC(質(zhì)流控制器，mass flow controller)同樣的流量調(diào)節(jié)器使溶液狀態(tài)的前體定量化后，采用包括小孔(orifice)或噴嘴(nozzle)的蒸發(fā)器或蒸發(fā)管進(jìn)行蒸發(fā)，形成Ta化學(xué)蒸汽。此時(shí)，應(yīng)按80-100mg/分鐘的流量向LPCVD反應(yīng)室內(nèi)供給Ta化學(xué)蒸汽。而且，蒸發(fā)器和成為Ta蒸汽的流動(dòng)路徑(flow path)的供給管的溫度應(yīng)保持在150-200℃，以便能夠防止Ta化學(xué)蒸汽冷凝。采用這種方法向LPCVD反應(yīng)室內(nèi)供給的Ta化學(xué)蒸汽、反應(yīng)氣體的O2氣體(過量氣體)和NH3氣體相互反應(yīng)，在HSG膜41上形成厚約100-150的非晶態(tài)的TaON膜43。
此時(shí)，為了使產(chǎn)生的顆粒最小化，抑制Ta化學(xué)蒸汽、O2氣體和NH3氣體在反應(yīng)室內(nèi)的汽相反應(yīng)(gas phase reaction)，使化學(xué)反應(yīng)僅產(chǎn)生于晶片表面。這里，通過反應(yīng)氣體等的流量和反應(yīng)室內(nèi)的壓力來調(diào)節(jié)汽相反應(yīng)。而且，在本實(shí)施例中，為了能夠抑制汽相反應(yīng)，分別按10-1000sccm程度的流量供給反應(yīng)氣體O2氣體和NH3氣體，LPCVD反應(yīng)室內(nèi)的溫度保持在300-600℃，壓力保持在0.1-10乇。再有，LPCVD反應(yīng)室內(nèi)淀積的TaON膜43是非晶態(tài)。
之后，如圖2C所示，在熱處理工序使TaON膜43結(jié)晶化，保持更穩(wěn)定的狀態(tài)。此時(shí)，結(jié)晶化工序是采用原位或者非原位方式，在保持N2O或O2氣氛和600-950℃溫度的反應(yīng)室內(nèi)，進(jìn)行30秒-10分鐘的快速熱處理(RTP)。通過這種結(jié)晶化，非晶態(tài)TaON膜43成為結(jié)晶態(tài)TaON膜43a，釋放出這種膜43a內(nèi)的C、CH4、C2H4、H2O等雜質(zhì)，改善TaON膜43a的介電常數(shù)。而且，在保持N2O、O2或N2氣氛和600-950℃溫度的電爐中完成結(jié)晶化工序。再有，結(jié)晶化工序是在包含氮的氣體例如NH3、N2、N2／H2氣氛和600-950℃溫度下，采用RTP或電爐進(jìn)行退火。此時(shí)，如果在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行退火，非晶態(tài)的TaON膜結(jié)晶化，釋放出膜內(nèi)的雜質(zhì)，TaON膜表面氮化，能夠在表面形成薄膜的氮化膜。
TaON膜43退火后，在結(jié)晶化的TaON膜43a上形成導(dǎo)電阻擋層44例如TiN膜。在導(dǎo)電阻擋層44上用摻雜的多晶硅膜形成上部電極45。而且，如圖4所示，可采用TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2、Pt等金屬層47作為上部電極，代替摻雜的多晶硅層。此時(shí)，形成厚約100-600的金屬層47。這種金屬層47可以采用LPCVD、PECVD、RF磁濺射法中的任一種來形成。為了防止電容器的電特性劣化，在金屬層47構(gòu)成的上部電極上形成緩沖層48。采用多晶硅膜作為緩沖層48。再有，下部電極也采用與上部電極同樣的金屬層形成。
這樣，電介質(zhì)如果采用TaON，則有以下的優(yōu)點(diǎn)。
首先，由于TaON膜43a具有20-26的高介電常數(shù)，所以比NO膜介電特性優(yōu)秀。而且，由于TaON膜43具有Ta-O-N鍵合結(jié)構(gòu)，所以具有比氧化鉭膜更穩(wěn)定的化學(xué)計(jì)量比。由此，能夠耐受由外部施加的電沖擊，絕緣擊穿電壓(breakdown voltage)高，漏電流非常低。而且，由于TaON膜43的氧化反應(yīng)性非常低，所以電容器的下部電極40、41和上部電極44的氧化反應(yīng)基本沒有。由此，由于等效電介質(zhì)膜厚比已有的氧化鉭膜更薄，所以具有TaON層的電容器的電容比具有Ta2O5層的電容器的電容高。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，參照?qǐng)D3，在形成TaON膜之前，為了阻止下部電極40表面上發(fā)生自然氧化膜，對(duì)下部電極40和第二層間絕緣膜38的表面進(jìn)行氮化處理。在采用等離子體的LPCVD(低壓化學(xué)汽相淀積)室內(nèi)，按原位方式在NH3氣體或N2/H2氣體氣氛和300-600℃溫度下，進(jìn)行30秒-5分鐘的這種氮化處理。通過這種等離子體原位氮化處理，含有HSG膜41的下部電極40和第二層間絕緣膜38的表面氮化，然后在其表面形成薄膜的氮化膜42。在后續(xù)的熱處理工序時(shí)氮化膜42抑制了下部電極40表面的自然氧化。而且，由于等離子體原位氮化處理是在保持真空狀態(tài)下進(jìn)行的，所以極少發(fā)生自然氧化膜。因此，可以防止電介質(zhì)膜增厚。
根據(jù)另一實(shí)施例，在蒸鍍TaON膜之前，為了阻止下部電極40表面上發(fā)生自然氧化膜，在650-950℃溫度和NH3氣氛中，對(duì)下部電極40和第二層間絕緣膜38的表面進(jìn)行RTP處理。通過RTP處理，下部電極40和第二層間絕緣膜38的表面氮化后，在其表面上形成薄膜的氮化膜42。接著，按原位或者非原位方式蒸鍍TaON膜43。
而且，在蒸鍍TaON膜之前，為了阻止下部電極40表面上發(fā)生自然氧化膜，按原位或者非原位方式，對(duì)直至下部電極40所形成的半導(dǎo)體襯底的所得物進(jìn)行電爐退火。此時(shí)，應(yīng)在500-1000℃溫度和NH3氣氛中進(jìn)行電爐退火。通過這種電爐退火，含有HSG膜4l的下部電極40和第二層間絕緣膜38的表面氮化，然后在其表面形成薄膜的氮化膜42。
根據(jù)又一實(shí)施例，在蒸鍍TaON膜之前，為了阻止下部電極40表面上發(fā)生自然氧化膜，采用HF蒸汽(HF vapor)、HF溶液(solution)或者含有HF的化合物，對(duì)下部電極40和第二層間絕緣膜38的表面進(jìn)行清洗。再有，在清洗工序的前后，為了進(jìn)一步改善界面的均勻性，可以采用NH4OH溶液或者H2SO4溶液等，對(duì)下部電極40和第二層間絕緣膜38的表面進(jìn)行界面處理。
根據(jù)再一實(shí)施例，為了從根本上防止低介電自然氧化膜的發(fā)生，在N2O或O2氣氛中對(duì)直至下部電極40所形成的半導(dǎo)體襯底的所得物進(jìn)行熱處理。由此，改善了多晶硅膜的懸空鍵造成的缺陷和不均勻性，提高了抗氧化性。之后，在熱處理的所得物表面上淀積厚5-30的氮化硅膜Si3N4，然后立刻淀積TaON膜。
而且，如圖5所示，下部電極400可以形成為層疊結(jié)構(gòu)。即使層疊結(jié)構(gòu)的下部電極400的表面積小于圓柱形的下部電極的表面積，由于TaON膜43的介電常數(shù)優(yōu)異，所以也能獲得期望容量RAM元件。此時(shí)，在層疊結(jié)構(gòu)的下部電極400表面上形成HSG膜41。
(實(shí)驗(yàn)1)圖6A和圖6B是展示具有本發(fā)明TaON膜的電容器(以下稱為TaON膜電容器)的最小和最大電容量的曲線圖，圖7A和圖7B是展示具有已有技術(shù)的Ta2O5膜的電容器(以下稱為Ta2O5電容器)的最小和最大電容的曲線圖。
本實(shí)驗(yàn)是隨著TaON膜和Ta2O5膜的厚度調(diào)節(jié)電容量。在本實(shí)驗(yàn)中，按能作為電介質(zhì)膜使用的起碼最小厚度，形成TaON膜電容器和Ta2O5電容器的電介質(zhì)膜。其中，TaON膜具有25的等效厚度，Ta2O5膜具有35的等效厚度。此時(shí)，TaON膜和Ta2O5膜的實(shí)際淀積厚度相同，其等效厚度隨著自然氧化特性而變化。其中，等效厚度按下式表示Tox=tsio2+(εsio2／εTaoN或Ta2O5)×tTaON或Ta2O5……(式1)Tox電介質(zhì)膜的等效厚度tsio2自然氧化膜的產(chǎn)生厚度εsio2自然氧化膜的介電常數(shù)εTaON或Ta2O5TaON膜(或Ta2O5膜)的介電常數(shù)tTaON或Ta2O5TaON膜(或Ta2O5膜)的厚度根據(jù)上述公式，電介質(zhì)膜的等效厚度隨著用做電介質(zhì)膜的物質(zhì)的介電常數(shù)和自然氧化膜的厚度而變化。從而，即使蒸鍍同樣厚度的TaON膜或Ta2O5膜，由于TaON膜的自然氧化率低，所以能夠具有更低的等效厚度。
圖6A和圖7A中的最小電容量，是在各電容器僅施加-1.25V電壓時(shí)測(cè)定的。圖6B和圖7B中的最大電容量，是在各電容器僅施加+1．25V電壓時(shí)測(cè)定的。參見圖6A和圖7A，在各電容器施加-1.25V電壓時(shí)，TaON電容器和Ta2O5電容器的最小電容量Cmin，在大部分樣品中分別呈現(xiàn)約30-35fF/cell的程度。另一方面，參見圖6B和圖7B，在各電容器施加+1.25V電壓時(shí)，TaON電容器和Ta2O5電容器的最大電容量Cmax，在大部分樣品中分別呈現(xiàn)約30-40fF/cell的程度。
從本實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，雖然TaON電容器具有比Ta2O5電容器更薄的等效厚度，但是卻能夠保證與Ta2O5電容器類似的高電容量。
(實(shí)驗(yàn)2)
圖8A和圖8B是展示本發(fā)明的TaON電容器的負(fù)向漏電流和正向漏電流的測(cè)定曲線，圖9A和圖9B是展示已有技術(shù)的Ta2O5電容器的負(fù)向漏電流和正向漏電流的曲線。
本實(shí)驗(yàn)是在施加同樣電壓時(shí)測(cè)定TaON電容器和Ta2O5電容器的漏電流，測(cè)定穩(wěn)定性。此時(shí)，一邊在電容器施加-1.25V一邊測(cè)定各電容器的負(fù)向漏電流，一邊在電容器施加+1.25V一邊測(cè)定各電容器的正向漏電流。而且，與實(shí)驗(yàn)1相同地，按能作為電介質(zhì)膜使用的起碼最小厚度，形成各電介質(zhì)膜的厚度，本實(shí)驗(yàn)中的TaON膜形成25的等效厚度，Ta2O5膜形成35的等效厚度。
參見圖8A和圖9A，在電容器施加-1.25V時(shí)，TaON電容器和Ta2O5電容器的負(fù)向漏電流分別測(cè)定為10-16A/cell的低值。參見圖8B和圖9B，TaON電容器和Ta2O5電容器的正向漏電流也測(cè)定為10-15A/cell的低值。這里，兩個(gè)電容器具有大容量適合的低漏電流。但是，本發(fā)明的TaON電容器的等效厚度如果確定比Ta2O5電容器的薄10，則可知具有TaON膜的電容器的漏電流特性更為優(yōu)秀。因此，TaON電容器比Ta2O5電容器在安全性方面更為優(yōu)秀。
(實(shí)驗(yàn)3)圖10A和圖10B是展示本發(fā)明的具有TaON膜的電容器的負(fù)向絕緣擊穿電壓和正向絕緣擊穿電壓的曲線，圖11A和圖11B是展示已有技術(shù)的具有Ta2O5膜的電容器的負(fù)向絕緣擊穿電壓和正向絕緣擊穿電壓的曲線。
本實(shí)驗(yàn)是在電容器中流過預(yù)定電流時(shí)測(cè)定絕緣擊穿電壓，用于比較與實(shí)驗(yàn)2同樣的電容器穩(wěn)定性。本實(shí)驗(yàn)中，一邊施加-1pA/Cell的電流一邊測(cè)定各電容器的負(fù)向絕緣擊穿電壓，一邊施加+1pA/cell的電流一邊測(cè)定各電容器的正向絕緣擊穿電壓。各電介質(zhì)膜的等效厚度與實(shí)驗(yàn)1和實(shí)驗(yàn)2的相同，TaON膜為25，Ta2O5膜為35。
參見圖10A和圖11A，施加-1pA／Cell的電流時(shí)，TaON膜電容器和Ta2O5膜電容器的負(fù)向絕緣擊穿電壓測(cè)定為-3.8～4.2V的程度。另一方面，參見圖10B和圖11B，施加+1pA／Cell的電流時(shí)，TaON膜電容器和Ta2O5膜電容器的正向絕緣擊穿電壓測(cè)定為3.8～4.2V的程度。
這里，兩個(gè)電容器具有大容量適合的低漏電流。但是，本發(fā)明的TaON電容器的等效厚度即使比Ta2O5電容器的薄10，由于具有與Ta2O5膜基本相同的絕緣擊穿電壓，則可知具有TaON膜的電容器在絕緣擊穿電壓特性方面更為優(yōu)秀。
(實(shí)驗(yàn)4)圖12A是蒸鍍TaON膜后，在700℃、N2O氣體氣氛中進(jìn)行60分鐘退火時(shí)的TaON膜的SEM照片，圖12B是蒸鍍Ta2O5膜后，在700℃、N2O氣體氣氛中進(jìn)行60分鐘退火時(shí)的Ta2O5膜的SEM照片。此時(shí)，TaON膜和Ta2O5膜分別蒸鍍60。
參見圖12A，蒸鍍TaON膜后如果在700℃、N2O氣體氣氛中進(jìn)行60分鐘退火，則TaON膜的厚度增大約0.5程度，產(chǎn)生約20的自然氧化膜。另一方面，參見圖12B，蒸鍍Ta2O5膜后如果在700℃、N2O氣體氣氛中進(jìn)行60分鐘退火，則Ta2O5膜的厚度增大約7程度，產(chǎn)生約27度的自然氧化膜。由此可見TaON膜退火工序后產(chǎn)生的自然氧化膜少。
(實(shí)驗(yàn)5)圖13是以NO膜作為電介質(zhì)膜的NO電容器、Ta2O5電容器和TaON電容器的電容曲線。根據(jù)圖13可知，在同樣條件下，與NO電容器和Ta2O5電容器相比，TaON電容器的電容量非常優(yōu)秀。
正如以上詳細(xì)說明那樣，采用TaON作為電介質(zhì)，具有如下效果。
TaON膜具有20-26程度的高介電常數(shù)，具有Ta-O-N的穩(wěn)定鍵合結(jié)構(gòu)。由此，比NO膜的介電特性優(yōu)秀，具有比氧化鉭膜更為穩(wěn)定的化學(xué)計(jì)量比。從而能夠抗外加電沖擊，絕緣擊穿電壓高，漏電流非常低。
而且，由于TaON膜內(nèi)不存在氧化鉭膜那樣的置換型Ta原子，所以可省略其他氧化工序。而且，由于TaON膜的氧化反應(yīng)性非常低，所以電容器下部電極和上部電極的氧化反應(yīng)不存在。因此，可以控制等效電介質(zhì)膜厚度薄到不足35。
而且，形成TaON膜后，通過進(jìn)行熱處理，除去TaON膜內(nèi)的雜質(zhì)，實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化。因此，TaON膜的介電常數(shù)增加，漏電流大幅度降低。
在制造方法方面，本實(shí)施例的TaON膜的制造工序，是在蒸鍍前按原位方式進(jìn)行氮化處理工序，形成單一層的TaON膜。蒸鍍后為了釋放雜質(zhì)可以僅進(jìn)行一次退火。由此，比已有的氧化鉭膜的制造方法非常簡(jiǎn)單。
為薄膜形式并且具有高的介電常數(shù)的TaON膜用做電容器的電介質(zhì)膜，可使下部電極的狀態(tài)單純化。由此，下部電極的制造工序能夠簡(jiǎn)單化。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器，包括下部電極；在所述下部電極上形成的電介質(zhì)膜；和在所述電介質(zhì)膜上形成的上部電極，其中，所述電介質(zhì)膜是TaON膜。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器，其中，還有氮化硅膜介于所述下部電極和所述上部電極之間。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器，其中，所述下部電極是表面具有布圖的圓柱形結(jié)構(gòu)。
4．根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器，其中，所述下部電極是表面具有布圖的層疊結(jié)構(gòu)。
5．根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器，其中，所述下部電極或者所述上部電極由摻雜的多晶硅膜形成。
6．根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器，其中，所述下部電極或者所述上部電極由金屬層形成。
7．根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器，其中，所述金屬層是TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2、Pt中的任意一種。
8．一種半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極；在所述下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜；和在所述TaON膜上形成上部電極。
9．根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，采用選自Ta(OC2H5)5、Ta(N(CH3)2)5構(gòu)成的含Ta有機(jī)金屬化合物中的一種前體形成所述TaON膜。
10．根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，保持在0.1-10乇的壓力和300-600℃的溫度，向LPCVD反應(yīng)室內(nèi)供給O2氣體、NH3氣體和從所述前體獲得的Ta化學(xué)蒸汽，通過它們的表面化學(xué)反應(yīng)，形成所述TaON膜。
11．根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，分別按10-1000sccm氣體流量供給所述O2氣體、NH3氣體。
12．根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，采用流量調(diào)節(jié)器使99.999％以上的前體定量化后，通過蒸發(fā)器或蒸發(fā)管蒸發(fā)獲得所述Ta化學(xué)蒸汽。
13．根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，僅按50-500mg/分鐘的流量供給所述Ta化學(xué)蒸汽。
14．根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述蒸發(fā)器或蒸發(fā)管保持在150-200℃的溫度。
15．根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述TaON膜的蒸鍍厚度是50-150。
16．根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在所述下部電極形成階段和所述TaON蒸鍍階段之間，對(duì)下部電極表面進(jìn)行用于阻止自然氧化膜發(fā)生的表面處理。
17．根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在LPCVD反應(yīng)室內(nèi)按原位方式，采用等離子體進(jìn)行所述下部電極的表面處理，在NH3氣體或者N2/H2氣體氣氛中，在300-600℃的溫度下持續(xù)30秒-5分鐘，使下部電極表面氮化。
18．根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理是在NH3氣體氣氛中、650-950℃溫度下進(jìn)行RTP處理，使下部電極表面氮化。
19．根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在500-1000℃溫度下，在NH3氣體氣氛的電爐內(nèi)，按原位或者非原位方式進(jìn)行所述下部電極的表面處理，使下部電極的表面氮化。
20．根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理是采用HF蒸汽(HF vapor)、HF溶液(solution)或者含有HF的化合物進(jìn)行清洗。
21．根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在所述清洗工序前后，利用NH4OH溶液或者H2SO4溶液再進(jìn)行界面處理。
22．根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理包括，在N2O或者O2氣體氣氛中對(duì)所得物進(jìn)行熱處理的階段，在熱處理后的表面蒸鍍厚5-30的氮化膜(Si3N4)的階段。
23．根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在所述TaON膜蒸鍍階段和上部電極形成階段之間，再進(jìn)行一邊釋放TaO膜內(nèi)的雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序。
24．根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述一邊釋放TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序，是在600-950℃溫度、含有氮的氣氛中，采用RTP或者電爐對(duì)蒸鍍了TaON膜的所得物進(jìn)行退火。
25．根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述一邊釋放TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序，是在600-950℃溫度、含有氧的氣氛中，采用RTP或者電爐對(duì)蒸鍍了TaON膜的所得物進(jìn)行退火。
26．根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極和上部電極中的至少一個(gè)是由摻雜的多晶硅形成的。
27．根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極和上部電極中的至少一個(gè)是由金屬層形成的。
28．根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述金屬層是TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2、Pt中的任意一種。
29．根據(jù)權(quán)利要求28的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述金屬層是由LPCVD、PECVD、RF磁濺射法中的任意一種形成的。
30．一種半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極的階段；在下部電極表面上進(jìn)行阻止自然氧化膜發(fā)生的表面處理的階段；在所述下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜的階段；和在所述TaON膜上形成上部電極的階段。
31．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，采用選自Ta(OC2H5)5、Ta(N(CH3)2)5構(gòu)成的含Ta有機(jī)金屬化合物中的一種前體形成所述TaON膜。
32．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，保持在0.1-10乇的壓力和300-600℃的溫度，向LPCVD反應(yīng)室內(nèi)供給O2氣體、NH3氣體和從所述前體獲得的Ta化學(xué)蒸汽，通過它們的表面化學(xué)反應(yīng)，形成所述TaON膜。
33．根據(jù)權(quán)利要求32的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，分別按10-1000sccm氣體流量供給所述O2氣體、NH3氣體。
34．根據(jù)權(quán)利要求32的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，采用流量調(diào)節(jié)器使99.999％以上的前體定量化后，通過蒸發(fā)器或蒸發(fā)管蒸發(fā)獲得所述Ta化學(xué)蒸汽。
35．根據(jù)權(quán)利要求34的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，僅按50-500mg/分鐘的流量供給所述Ta化學(xué)蒸汽。
36．根據(jù)權(quán)利要求35的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述蒸發(fā)器或蒸發(fā)管保持在150-200℃的溫度。
37．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述TaON膜的蒸鍍厚度是50-150。
38．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在LPCVD反應(yīng)室內(nèi)按原位方式，采用等離子體進(jìn)行所述下部電極的表面處理，在NH3氣體或者N2/H2氣體氣氛中，在300-600℃的溫度下持續(xù)30秒-5分鐘，使下部電極表面氮化。
39．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理是在NH3氣體氣氛中、650-950℃溫度下進(jìn)行RTP處理，使下部電極表面氮化。
40．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在500-1000℃溫度下，在NH3氣體氣氛的電爐內(nèi)，按原位或者非原位方式進(jìn)行所述下部電極的表面處理，使下部電極的表面氮化。
41．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理是采用HF蒸汽(HF vapor)、HF溶液(solution)或者含有HF的化合物進(jìn)行清洗。
42．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在所述清洗工序前后，利用NH4OH溶液或者H2SO4溶液再進(jìn)行界面處理。
43．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理包括，在N2O或者O2氣氛中對(duì)所得物進(jìn)行熱處理的階段，在熱處理后的表面蒸鍍厚5-30的氮化膜(Si3N4)的階段。
44．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述一邊釋放TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序，是在600-950℃溫度、含有氮的氣氛中，采用RTP或者電爐對(duì)蒸鍍了TaON膜的所得物進(jìn)行退火。
45．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述一邊釋放TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序，是在600-950℃溫度、含有氧的氣氛中，采用RTP或者電爐對(duì)蒸鍍了TaON膜的所得物進(jìn)行退火。
46．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極和上部電極中的至少一個(gè)是由摻雜的多晶硅形成的。
47．根據(jù)權(quán)利要求30的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極和上部電極中的至少一個(gè)是由金屬層形成的。
48．根據(jù)權(quán)利要求47的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述金屬層是TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2、Pt中的任意一種。
49．根據(jù)權(quán)利要求48的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述金屬層是由LPCVD、PECVD、RF磁濺射法中的任意一種形成的。
50．一種半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極的階段；在下部電極表面上進(jìn)行阻止自然氧化膜發(fā)生的表面處理的階段；在所述下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜的階段；一邊釋放所述TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的階段；和在所述TaON膜上形成上部電極的階段，其中，所述TaON膜蒸鍍階段，是保持0.1-10乇的壓力和300-600℃的溫度，在供給O2氣體、NH3氣體的LPCVD反應(yīng)室內(nèi)，通過O2氣體、NH3氣體和從前體獲得的Ta化學(xué)蒸汽的表面化學(xué)反應(yīng)，形成所述TaON膜。
51．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，分別按10-1000sccm氣體流量供給所述O2氣體、NH3氣體。
52．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，采用選自Ta(OC2H5)5、Ta(N(CH3)2)5構(gòu)成的含Ta有機(jī)金屬化合物中的一種前體形成所述TaON膜。
53．根據(jù)權(quán)利要求52的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，采用流量調(diào)節(jié)器使99.999％以上的前體通過蒸發(fā)器或蒸發(fā)管蒸發(fā)，向反應(yīng)室內(nèi)供給所述Ta化學(xué)蒸汽。
54．根據(jù)權(quán)利要求53的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給的Ta化學(xué)蒸汽量是50-500mg/分鐘。
55．根據(jù)權(quán)利要求53的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述蒸發(fā)器或蒸發(fā)管保持在150-200℃的溫度。
56．根據(jù)權(quán)利要求53的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述TaON膜的蒸鍍厚度是50-150。
57．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在LPCVD反應(yīng)室內(nèi)按原位方式，采用等離子體進(jìn)行所述下部電極的表面處理，在NH3氣體或者N2/H2氣體氣氛中，在300-600℃溫度下持續(xù)30秒-5分鐘，使下部電極表面氮化。
58．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理是在NH3氣體氣氛中、650-950℃溫度下進(jìn)行RTP處理，使下部電極表面氮化。
59．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在500-1000℃溫度下，在NH3氣體氣氛的電爐內(nèi)，按原位或者非原位方式進(jìn)行所述下部電極的表面處理，使下部電極的表面氮化。
60．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理是采用HF蒸汽(HF vapor)、HF溶液(solution)或者含有HF的化合物進(jìn)行清洗。
61．根據(jù)權(quán)利要求60的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，在所述清洗工序前后，利用NH4OH溶液或者H2SO4溶液再進(jìn)行界面處理。
62．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極的表面處理包括，在N2O或者O2氣體氣氛中對(duì)所得物進(jìn)行熱處理的階段，在熱處理后的表面蒸鍍厚5-30的氮化膜(Si3N4)的階段。
63．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述一邊釋放TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序，是在600-950℃溫度、含有氮的氣氛中，采用RTP或者電爐對(duì)蒸鍍了TaON膜的所得物進(jìn)行退火。
64．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述一邊釋放TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序，是在600-950℃溫度、含有氧的氣氛中，采用RTP或者電爐對(duì)蒸鍍了TaON膜的所得物進(jìn)行退火。
65．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極和上部電極中的至少一個(gè)是由摻雜的多晶硅形成的。
66．根據(jù)權(quán)利要求50的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述下部電極和上部電極中的至少一個(gè)是由金屬層形成的。
67．根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述金屬層是TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2、Pt中的任意一種。
68．根據(jù)權(quán)利要求28的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述金屬層是由LPCVD、PECVD、RF磁濺射法中的任意一種形成的。
69．一種半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，包括在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極的階段；在下部電極表面上進(jìn)行阻止自然氧化膜發(fā)生的表面處理的階段；在所述下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜的階段；一邊釋放所述TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的階段；和在所述TaON膜上形成上部電極的階段，其中，所述TaON膜蒸鍍階段，是保持0.1-10乇的壓力和300-600℃的溫度，在供給O2氣體、NH3氣體的LPCVD反應(yīng)室內(nèi)，通過O2氣體、NH3氣體和從前體獲得的Ta化學(xué)蒸汽的表面化學(xué)反應(yīng)，形成所述TaON膜，在LPCVD反應(yīng)室內(nèi)按原位方式，采用等離子體進(jìn)行所述下部電極的表面處理，在NH3氣體或者N2／H2氣體氣氛中，在300-600℃溫度下持續(xù)30秒-5分鐘，使下部電極表面氮化。
70．根據(jù)權(quán)利要求69的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，分別按10-1000sccm氣體流量供給所述O2氣體和NH3氣體。
71．根據(jù)權(quán)利要求69的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，采用選自Ta(OC2H5)5、Ta(N(CH3)2)5構(gòu)成的含Ta有機(jī)金屬化合物中的一種前體形成所述TaON膜。
72．根據(jù)權(quán)利要求69的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，采用流量調(diào)節(jié)器使99.999％以上的前體通過蒸發(fā)器或蒸發(fā)管蒸，向反應(yīng)室內(nèi)供給所述Ta化學(xué)蒸汽。
73．根據(jù)權(quán)利要求69的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給的Ta化學(xué)蒸汽量是50-500mg/分鐘。
74．根據(jù)權(quán)利要求69的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述蒸發(fā)器或蒸發(fā)管保持在150-200℃的溫度。
75．根據(jù)權(quán)利要求69的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述TaON膜的蒸鍍厚度是50-150。
76．根據(jù)權(quán)利要求69的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述一邊釋放TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序，是在600-950℃溫度、含有氮的氣氛中，采用RTP或者電爐對(duì)蒸鍍了TaON膜的所得物進(jìn)行退火。
77．根據(jù)權(quán)利要求69的半導(dǎo)體元件的電容器的制造方法，其中，所述一邊釋放TaON膜內(nèi)雜質(zhì)一邊結(jié)晶化的工序，是在600-950℃溫度、含有氧的氣氛中，采用RTP或者電爐對(duì)蒸鍍了TaON膜的所得物進(jìn)行退火。
全文摘要
一種能夠減少漏電流的發(fā)生,具有介電常數(shù)高的電介質(zhì)膜,確保大容量的半導(dǎo)體元件的電容器及其制造方法。本發(fā)明包括在半導(dǎo)體襯底上形成下部電極。在下部電極表面上進(jìn)行阻止自然氧化膜發(fā)生的表面處理。在下部電極上蒸鍍作為電介質(zhì)膜的TaON膜。然后,一邊釋放TaON膜內(nèi)的雜質(zhì)一邊結(jié)晶化。之后在TaON膜上形成上部電極。
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1287386SQ0012681
公開日2001年3月14日 申請(qǐng)日期2000年6月25日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月25日
發(fā)明者李起正, 韓一根, 梁洪善 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社