專利名稱：半導體器件的制作方法
本申請是申請?zhí)枮?7102173.2、申請人為株式會社日立制作所的專利申請的分案申請。
本發(fā)明涉及到樹脂密封型半導體器件及其安裝結(jié)構(gòu)，確切地說是涉及到其封裝的外部尺寸非常接近半導體芯片外部尺寸的一種半導體器件及其安裝結(jié)構(gòu)。
隨著半導體器件集成度的不斷提高，一直在發(fā)展一種提供封裝尺寸接近芯片尺寸的半導體器件的技術(shù)。在這種技術(shù)中有兩種方法。一種方法稱為裸芯片安裝，其中的半導體芯片直接安裝在印刷電路板(PCB)上并用樹脂進行密封。
另一種方法通常稱為CSP(芯片尺寸封裝或芯片尺度封裝)，將與現(xiàn)有技術(shù)類似地用樹脂密封過的封裝件的尺寸盡可能地減小到芯片的尺寸。
Tessera Co.Ltd．提出的日本專利JP-A-6-504408(PCT申請)公開了一種現(xiàn)有技術(shù)的CSP結(jié)構(gòu)，其中在半導體芯片的電路形成表面上提供了一個帶有外部端點的狹帶(tape)，以便在其間插入一個柔性材料(彈性體樹脂)，而外部端點被電連接到半導體芯片的電極。在JP-A-6-224259中公開了另一種現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)，其中的半導體芯片安裝在其中帶有通孔的陶瓷襯底上，此襯底安裝在PCB上且在芯片上配置有電極的相對一側(cè)。JA-A-6-302604公開了又一種帶有外部端點的現(xiàn)有技術(shù)的CPS結(jié)構(gòu)，其中的半導體芯片制作在其帶有金屬布線圖形的電路形成表面上。
本發(fā)明的目的提供一種CSP型半導體器件，其中由于減輕了焊塊和內(nèi)引線的熱疲勞而提供了高的可靠性。
CSP的外部端點包括排列成網(wǎng)格狀且連接于PCB的諸金屬塊。這些塊最普通是由焊料形成。具有這種結(jié)構(gòu)的CSP中的最大問題是焊塊連接的可靠性。若半導體芯片的線膨脹系數(shù)與PCB的線膨脹系數(shù)差別很大，則隨溫度的改變而在塊中出現(xiàn)應(yīng)力。這一應(yīng)力的反復出現(xiàn)可使器件由于熱疲勞而遭到損壞。
據(jù)信，JA-A-6-504408中所公開的半導體器件由于充分考慮了焊料的疲勞損傷而在現(xiàn)有技術(shù)的各種結(jié)構(gòu)中可靠性最高。在這種半導體器件中，在半導體芯片的電路形成表面上提供了一個狹帶，使其間能插入一個柔性彈性體樹脂，而且將連續(xù)到引線的金屬箔所制成的布線圖形附著在狹帶上。引線的終端與半導體芯片的電極相連。這些連接部位用密封樹脂密封起來。金屬塊被連接到布線圖形，并連接到制作在PCB上的布線圖形的相反一側(cè)。這樣就形成一個安裝結(jié)構(gòu)。由于在這種半導體器件中，帶有金屬塊的狹帶提供在半導體芯片的電路形成表面上，使其間安置有柔性彈性體樹脂，故半導體芯片和PCB二者線膨脹系數(shù)的差異被柔性彈性體樹脂的剪切形變所吸收。結(jié)果就沒有應(yīng)力加于金屬塊。
但在這種半導體器件中，由于彈性體樹脂是柔軟的而出現(xiàn)另一個問題。將半導體芯片的電極電連接到金屬塊的引線要沿深度方向穿過彈性體樹脂。因此，半導體芯片和PCB二者線膨脹系數(shù)之間的差異被彈性體樹脂的剪切形變吸收這一事實就意味著引線也被相似地形變。雖然金屬塊有高的可靠性，引線仍由于疲勞而可能斷裂。這最終可能引起半導體器件失效。
在半導體器件的電極和引線之間的連接部位用與彈性體樹脂同樣柔軟的樹脂密封起來。柔性樹脂，即彈性模量小的樹脂一般具有大的線膨脹系數(shù)。樹脂和引線二者線膨脹系數(shù)之間的差異本身就大。這就可能由于熱疲勞而引起引線損壞。
上述的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)型CSP既有焊塊可靠性的問題又有內(nèi)引線可靠性方面的問題，總體說來不具有足夠的可靠性。根據(jù)本發(fā)明，實現(xiàn)了一種CSP型半導體器件，它克服了現(xiàn)有技術(shù)CSP的缺點并在焊塊和內(nèi)引線兩方面都有高的可靠性。
本發(fā)明的目的由下述半導體器件來達到的，此半導體器件包含半導體芯片、彈性體樹脂部分(它粘結(jié)到除多個電極中的至少某些電極之外的上述半導體芯片上)、一個樹脂狹帶層(它連接于上述彈性體樹脂部位并在其表面上帶有布線圖形)以及多個焊塊(它連接于上述樹脂狹帶層上的布線圖形)，上述樹脂狹帶層的上述布線圖形被連接到上述半導體芯片的多個電極，上述樹脂狹帶層的布線圖形和上述半導體芯片的電極之間的連接部位用密封樹脂進行密封，其中，對彈性體樹脂部位的模量和引線密封樹脂的線膨脹系數(shù)進行了優(yōu)化。
本發(fā)明的半導體器件的特征是(1)上述彈性體樹脂部位的橫向彈性模量≥50MPa，且≤750MPa,(2)上述彈性體樹脂部位的縱向彈性模量≥150MPa，且≤2250MPa，或(3)上述密封樹脂的線膨脹系數(shù)≤100×10-6/℃。本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)的特征是由(1)-(3)中任何一個所定義的半導體器件安裝在玻璃布環(huán)氧樹脂制成的PCB上。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，半導體芯片和PCB兩者線膨脹系數(shù)之間的差異所造成的形變，由彈性體樹脂部位和焊塊以完滿平衡的方式分擔。因此，可降低焊塊和內(nèi)引線二者中由溫度變化所造成的應(yīng)力，以致可大大提高CSP型半導體器件的可靠性。


圖1示出了本發(fā)明第一實施例的半導體器件的剖面；圖2A和2B解釋了發(fā)生在一般CSP型半導體器件中的熱形變；圖3示出了本發(fā)明第二實施例的半導體器件的剖面；圖4示出了本發(fā)明第三實施例的半導體器件的剖面；圖5示出了本發(fā)明第四實施例的半導體器件的剖面；以及圖6示出了本發(fā)明第五實施例的半導體器件的剖面。
現(xiàn)參照附圖來描述本發(fā)明的半導體器件的最佳實施例。
圖1所示的本發(fā)明第一實施例的半導體器件包含一個半導體芯片1，此芯片1提供在帶有狹帶3的電路制作表面上，使柔性彈性體樹脂2插入其間。狹帶3由金屬箔制成，且連續(xù)到引線4的布線圖形5附著于狹帶3。引線4的一端連接到半導體芯片1的電極10。引線4和電極10之間的連接用密封樹脂6密封起來。金屬塊7連接于布線圖形5。金屬塊7在布線圖形5相反的一側(cè)上連接到制作在PCB 8上的布線圖形9。這就形成了安裝結(jié)構(gòu)。
由于帶有金屬塊7的狹帶3提供在半導體芯片1的電路形成表面上的方式使這種半導體器件中的柔性彈性體樹脂2插入在其間，故半導體芯片1和PCB8二者之間的線膨脹系數(shù)差異被柔性彈性體樹脂2的剪切形變吸收，結(jié)果就沒有應(yīng)力被加至金屬塊7。
圖2A和2B示意地示出了圖1所示CSP的熱形變。圖2A是剖面圖，示出了高溫下CSP的熱形變?？紤]到結(jié)構(gòu)的對稱性，只示出了CSP的右半部。彈性體樹脂層2的厚度用te表示，而金屬塊7的高度用ts表示。圖2B示出了相對于高溫而冷卻了的CSP的形狀。由于PCB8的線膨脹系數(shù)大于半導體芯片1的線膨脹系數(shù)，故PCB8的熱收縮比半導體芯片1的大，因而在彈性體樹脂層2的上下表面之間以及金屬塊7的上下表面之間分別出現(xiàn)相對位移各自為δe和δs，以致各部分發(fā)生剪切形變。
如果由于狹帶3很薄而忽略狹帶3的形變，則PCB8上表面與半導體芯片1下表面之間的相對位移δ可表為δe和δs之和；δ=δe+δs (1)若出現(xiàn)在彈性體樹脂部位2和金屬塊7中的剪應(yīng)力分別表為γe和γs，則有γe=δe/te (2)γs=δs/ts (3)若出現(xiàn)在彈性體樹脂部位2中的剪應(yīng)力表為τe，其橫向彈性模量表為Ge，出現(xiàn)在金屬塊7中的剪應(yīng)力表為τs，其橫向彈性模量表為Gs，則有γe=τe/Ge (4)γs=τs/Gs (5)若與半導體芯片表面平行的彈性體樹脂部位2表面的面積表為As且金屬塊7的總面積表為Ae，則由于出現(xiàn)在彈性體樹脂部位2和金屬塊7中的剪力之間的平衡而有Ae·τe=As·τs (6)由方程(1)-(6)得到Ge=(As·te/Ae)·[1/(δ/τs-ts/Gs)](7)PCB8上表面和半導體芯片1下表面之間的相對位移δ可表示為δ=Δα·ΔT·L (8)其中Δα表示PCB8和半導體芯片1二者線膨脹系數(shù)之間的差異，ΔT表示溫度變化，L表示從金屬塊的形變中心到半導體器件形變中心的距離。
金屬塊7最通常是由焊料構(gòu)成且其高度ts約為0.5mm。彈性體樹脂部位2由硅橡膠構(gòu)成且其厚度由于應(yīng)用特性而約為0.2mm。金屬塊排列成網(wǎng)格狀且其間距為例如1mm。因此，彈性體樹脂部位2的面積與金屬塊7的面積之比(Ae/As)為4。即使間距不大于1mm而為約0.5mm，本發(fā)明也可應(yīng)用。
半導體芯片1由單晶硅組成且其線膨脹系數(shù)為3×10-6/℃。PCB由玻璃環(huán)氧樹脂組成且其線膨脹系數(shù)為15×10-6/℃。因此，系數(shù)之差為Δα=12×10-6/℃。
半導體器件抗溫度變化的可靠性要求能在-50℃～150℃的溫度循環(huán)測試中經(jīng)受1000次重復。本發(fā)明人所進行的實驗表明在焊料的情況下，為了忍受1000次重復，剪應(yīng)力應(yīng)抑制到不大于2％。在Trans.JSME第50卷第505期A章P1709頁的一篇文章中描述了這一點。與此應(yīng)力有關(guān)的-50℃低溫下的剪切應(yīng)變τs為30MPa(指的是上述文章)。因此，在這一限制內(nèi)，焊料的橫向彈性模量為Gs=30/0.02=1500MPa。
金屬塊7和半導體器件的形變中心之間的距離L為半導體芯片最大尺寸的一半。由于用在CSP中的非常小的半導體芯片對CSP的固有性質(zhì)沒有影響，故采用尺寸為10mm或更大的芯片。于是假設(shè)L=5mm，由式(8)得到δ=Δα·ΔT·L=12×10-6×200×5=0.0012mm。將此值代入式(7)，則有Ge=(As·te·Ae)·[1/(δ/τs-ts/Gs)]=(0.2/4)×[1/(0.012/30-0.5/1500)]=750[MPa] (9)若彈性體樹脂部位的橫向彈性模量超過750MPa，則焊料的應(yīng)力超過2％，致使器件無法忍受1000次重復的溫度循環(huán)測試。
現(xiàn)考慮引線4的形變。由式(2)-(5),δe對δs的比可表示為δe/δs=(te·As·Gs)/(ts·Ae·Ge) (10)由式(1)和(10),Ge可表示為Ge=(δ/δe-1)·(te·As·Gs)/(ts·Ae)(11)若假設(shè)圖4中的引線4為帶有固定于半導體芯片1和狹帶3的相對端的圓柱，則引線的相對位移，亦即彈性體樹脂部位2的上下表面之間的相對位移可表示為δe=(2·p·I3)/(3·E1·I)(12)其中P表示由于出現(xiàn)相對位移σe而加于引線4的根部的負載；I是引線4的長度的一半；E1表示引線4的縱向彈性模量；而I表示引線4面積的慣性矩。
出現(xiàn)在引線4中的應(yīng)變δ1可表為σ1=P·l/Z=P·l·h/(2·I)(13)其中Z表示截面模量，h表示引線4的厚度。
由式(12)和(13),δe=(4·l2·σ1)/(3·E1·h)=(4·l2·ε1)/(3·h)(14)其中l(wèi)表示出現(xiàn)在引線4上的應(yīng)力。將(11)代入(14)，有Ge=(δ/δe-1)·(te·As·Gs)/(ts·Ae){(3·h·δ)/(4·l2·ε1)-1}·(te·As·Gs)/(ts·Ae)(15)引線通常由銅箔制成。固定在狹帶上的銅箔的厚度約為0.03mm。由于引線4的長度基本上等于彈性體樹脂2的厚度，故l=te/2=0.1mm。
在JSME預印本第830-10期第243頁的一篇文章中公開了構(gòu)成引線4的銅箔的疲勞情況。發(fā)現(xiàn)，為了銅箔能忍受1000次重復，應(yīng)力應(yīng)該不大于2％。因此，采用E=0.02和與式(1)-(9)中所用相同的式(15)參數(shù)值，則Ge可表為Ge={(3·0.03·0.012)/(4·0.1·0.1·0.02)-1}·(0.2·1500)/(0.5·4)50[Mpa] (16)若彈性體樹脂部位2的橫向彈性模量小于50MPa，則引線4的應(yīng)力超過2％，致使器件不能承受1000次重復的溫度循環(huán)。
從分析的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，借助于使橫向彈性模量≥50MPa且≤75MPa，可確保引線4和金屬塊7的CSP可靠性。
彈性體樹脂部位的泊松比約為0.5。由于存在縱向彈性模量=2×(1+泊松比)×橫向彈性模量這樣一種關(guān)系，故上述的條件等價于縱向彈性模量≥150MPa且≤2250MPa的條件。
最后來考慮密封樹脂6的材料。若環(huán)繞引線4的密封樹脂6的模量同上面所述的接近并且硬到某種程度且其線膨脹系數(shù)較引線的足夠大，則由于樹脂的體積比引線的大得多而在引線中出現(xiàn)與樹脂的熱膨脹基本相同的應(yīng)力。因此，下式成立ε1=αP·ΔT(17)其中αP表示密封樹脂的線膨脹系數(shù)。
如上所述，必須使200℃溫度差的溫度循環(huán)測試中出現(xiàn)在引線中的應(yīng)力抑制度到不大于2％。因此，下式成立αP=ε1/ΔT=0.02/200=100×10-6[1/℃](18)因此，借助于使密封樹脂6的線膨脹系數(shù)不大于100×10-6/℃，可防止在給定溫度循環(huán)測試中由于熱疲勞而造成的引線損傷。
現(xiàn)參照圖1剖面圖，示出了本發(fā)明第一實施例的一種CSP。在此實施例中，半導體芯片1提供在帶有聚酰亞胺制成的狹帶層3的電路制作表面上，使彈性體樹脂層2插入其間。連續(xù)至引線4的銅箔制成的布線圖形5附著在狹帶層3。引線4的一端連接于半導體芯片1的電極10。連接部位用密封樹脂6密封起來。在本發(fā)明中，半導體芯片1的電極10沿其外圍排列。金屬塊7連接于布線圖形5。金屬塊由錫鉛易熔焊料構(gòu)成。金屬塊在其背對著引線4的一側(cè)連接于形成在玻璃環(huán)氧樹脂所制成的PCB8上的布線圖形9。這樣就制得了一個安裝結(jié)構(gòu)。
本實施例的彈性體樹脂2由橫向彈性模量≥50MPa且≤750MPa的樹脂組成。具有這種模量的樹脂包括組分為100份重量硅樹脂中加入180份重量熔凝硅石填料的樹脂、組分為100份重量環(huán)氧改性聚丁二烯(poly butadiene)樹脂和采用含環(huán)氧的粘合膜的材料中加4.4份重量固化劑酚醛清漆(phenol novolac)和1份重量固化助催化劑三苯基磷酸酯的樹脂。密封樹脂6由橫向彈性模量與彈性體樹脂2的相同且線膨脹系數(shù)小于100×10-6/℃的樹脂構(gòu)成。與彈性體樹脂相同的樹脂被用作密封樹脂6。借助于采用彈性模量很小的材料(例如硅橡膠)作為密封樹脂6，消除了對彈性體樹脂的性質(zhì)進行優(yōu)選的負面影響。因此，本實施例的CSP對引線和金屬(焊料)都有高的可靠性。
彈性體樹脂2的橫向彈性模量可以是不小于50MPa且不大于750MPa，最好在200MPa左右，這是二個數(shù)值的幾何平均。當然，密封樹脂6的線膨脹系數(shù)要接近銅的線膨脹系數(shù)即17×10-6/℃。
為了在電極10的金屬塊7之間容易進行連接，在引線4的表面上最好適當?shù)夭捎面嚒⒔鹬惖慕饘偻繉?。為了防止各個樹脂發(fā)生碎裂，最好使彈性樹脂2和密封樹脂6的物理性質(zhì)盡可能接近。
現(xiàn)參照圖3，示出了本發(fā)明第二實施例的CSP的剖面圖。本實施例的結(jié)構(gòu)除了半導體芯片1的電極10排列在半導體芯片1的中央外，其它方面基本上與第一實施例的結(jié)構(gòu)全同。
在本實施例中也用橫向彈性模量≥50MPa且≤750MPa的樹脂作為彈性體樹脂2。橫向彈性模量相似于彈性體樹脂2的且線膨脹系數(shù)不大于100×10-6/℃的樹脂被用作密封樹脂6。因此，CSP對引線和金屬(焊料)都有高可靠性。圖3所示的CSP通常用作DRM。
現(xiàn)參照圖4，示出了本發(fā)明的半導體器件的第三實施例。在此實施例中，為了在第一實施例的基礎(chǔ)上增加CSP的金屬塊的數(shù)目，半導體芯片被固定在金屬基座11上，并在面向電路板8的一側(cè)將彈性體樹脂2b和狹帶3b連接于基座11且進一步提供連續(xù)到連接于電極10b的引線4b的布線圖形5b。布線圖形5b通過金屬(焊料)塊7b連接于PCB8的布線圖形9b。若基座11由Cu、Al之類的金屬構(gòu)成，則由于半導體芯片1所產(chǎn)生的熱被迅速移去而使封裝件的熱阻降低。但這些金屬的線膨脹系數(shù)明顯地大于半導體芯片1的線膨脹系數(shù)。因此，在某些情況下，芯片有被損壞的危險。為了防止這一點，可采用諸如Fe-Ni合金、Mo、W之類的線膨脹系數(shù)小的材料。采用諸如玻璃布環(huán)氧樹脂襯底之類的樹脂襯底作為基座11，可使封裝件的重量得以降低。
在本實施例中也采用橫向彈性模量≥50MPa且≤750MPa的樹脂作為彈性體樹脂2a和2b。橫向彈性模量相似于彈性樹脂2a和2b的且線膨脹系數(shù)≤100×10-6/℃的樹脂被用作密封樹脂6。因此，CSP對引線和金屬(焊料)都有高可靠性。圖3所示CSP通常用作DRM。
雖然對應(yīng)于半導體芯片的表面的內(nèi)側(cè)和外側(cè)都分別提供了金屬塊(7a)和(7b)，但也可只在某一側(cè)提供。雖然為便于理解，電極4a和4b被偏移成水平方向，但也可沿垂直于圖面的方向的一條線對準。圖4所示結(jié)構(gòu)的熱耗散作用也是很優(yōu)良的。
現(xiàn)描述本發(fā)明的第四和第五實施例。
在圖1的第一實施例中，布線圖形5排列在狹帶3的下側(cè)且連接于金屬塊7。實際上，金屬塊7由焊料組成。為了防止連接時熔融的焊料發(fā)生不希望有的溢出，用一個焊料保護層將狹帶3和布線圖形5的指定區(qū)域覆蓋起來。
圖5示出了本發(fā)明的第四實施例。在第四實施例中，布線圖形5排列在狹帶3和彈性體樹脂部位2之間。狹帶3制成帶有穿通孔，金屬塊7在其中連接于布線圖形5。雖然金屬塊7由焊料組成，但由于可借助制作在狹帶3中的穿通孔來防止連接時熔融焊料的溢出，故不一定要用焊料保護層來覆蓋狹帶3和布線圖形5。借助于穿通孔可提高金屬塊的定位精度。
圖6示出了本發(fā)明的第五實施例。在第五實施例中，通過金屬球12來達到連續(xù)至布線圖形5的引線4與半導體芯片1的電極10之間的連接。這種連接方法通常稱為帶狀自動連接法。由于金有優(yōu)良的電導率、柔韌且焊接性能優(yōu)良，故金屬球12由例如金(Au)組成。采用這種連接方法可同時獲得多個引線的連接，且能增強連接的可靠性。
權(quán)利要求
1．一種半導體器件，其特征是上述器件包含其中央帶有多個用于外部連接的電極的半導體芯片；由彈性體樹脂組成的彈性體樹脂部件，它們被粘結(jié)到除了上述多個電極中至少某些電極之外的上述半導體芯片上；一個在其表面上包括狹帶布線圖形的樹脂狹帶層；多個用來將上述印刷布線圖形粘結(jié)到上述狹帶布線圖形上的焊料塊；用于將上述半導體芯片的上述多個電極連接到上述狹帶布線圖形的引線；以及用于覆蓋上述引線和由上述引線連接的上述多個電極的密封樹脂。
2．一種半導體器件，其特征是上述器件包含帶有多個用于外部連接的電極的半導體芯片；由彈性體樹脂組成的彈性體樹脂部位，它們被粘結(jié)到除了上述多個電極中至少某些電極之外的上述半導體芯片上；在其表面上包括狹帶布線圖形的一個狹帶樹脂層；用于將上述印刷布線圖形粘結(jié)到上述狹帶布線圖形的多個焊料塊；在上述半導體芯片的上述多個電極上的由金組成的金屬球；用于將上述半導體芯片的上述多個電極通過上述金屬球連接到上述狹帶布線圖形的引線，以及用于覆蓋上述引線和由上述引線及金屬球連接的上述多個電極的密封樹脂。
3．一種半導體器件，其特征是上述半導體器件包含其中央帶有多個用于外部連接的電極的半導體芯片；由彈性體樹脂組成的彈性體樹脂部位，它們被粘結(jié)到除了所述多個電極中至少某些電極之外的所述半導體芯片上；連接所述半導體芯片和所述彈性樹脂部位的樹脂狹帶層；設(shè)置在所述狹帶樹脂層的表面上、用于連接所述半導體芯片的多個電極的狹帶布線圖形；多個用于將上述狹帶布線圖形粘結(jié)到印刷布線圖形上的焊料塊；用于連接所述半導體芯片的多個電極和上述狹帶布線圖形的引線；以及用于覆蓋所述狹帶布線圖形和所述多個電極的連接部分的密封樹脂。
4．一種半導體器件，其特征是包含具有多個用于外部連接的電極的半導體芯片；由彈性體樹脂組成的彈性體樹脂部位，它們被粘結(jié)到除了所述多個電極中至少某些電極之外的所述半導體芯片上；連接所述半導體芯片和所述彈性樹脂部位的狹帶樹脂層；設(shè)置在所述狹帶樹脂層的表面上、用于連接所述半導體芯片的多個電極的狹帶布線圖形；多個用于將所述狹帶布線圖形粘結(jié)到印刷布線圖形上的焊料塊；在所述半導體芯片的多個電極上的由金組成的金屬球；用于將所述半導體芯片的多個電極通過所述金屬球連接到所述狹帶布線圖形的引線，以及用于覆蓋所述引線和由所述引線及金屬球連接的所述多個電極的密封樹脂。
全文摘要
提供了一種半導體器件,包括其中央帶有多個電極的半導體芯片、粘接到除多個電極中至少某些電極之外的半導體芯片的由彈性體樹脂組成的彈性體樹脂部位、一個表面上包括狹帶布線圖形的狹帶樹脂層、用于將印刷布線圖形粘結(jié)到狹帶布線圖形的多個焊料塊、用于將半導體芯片的多個電極連接到狹帶布線圖形的引線、以及覆蓋引線和多個電極的密封樹脂。上述多個電極上還可具有金屬球,用于使多個電極通過金屬球連接到狹帶布線圖形。
文檔編號H01L23/495GK1309424SQ0013537
公開日2001年8月22日 申請日期2000年12月18日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月19日
發(fā)明者北野誠, 河野龍治, 田中直敬, 矢口昭弘, 熊澤鐵雄, 安生一郎, 田中英樹, 西村朝雄, 江口州治, 永井晃, 御田護 申請人:株式會社日立制作所