專(zhuān)利名稱(chēng)：：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及利用激光對(duì)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行退火(以下稱(chēng)為激光退火)的方法和進(jìn)行激光退火的激光裝置(該裝置包括激光器和將從激光器輸出的激光引導(dǎo)到處理對(duì)象的光學(xué)系統(tǒng))。本發(fā)明還涉及利用包括激光退火步驟的制造工藝制造的半導(dǎo)體器件以及該制造工藝方法。其中該半導(dǎo)體器件包括如液晶顯示器和EL顯示器之類(lèi)的電子光學(xué)器件和將電子光學(xué)器件作為其部件之一的電子裝置。近年來(lái)，薄膜晶體管(以下稱(chēng)為T(mén)FTs)有了很大的發(fā)展，并且使用多晶硅薄膜(polysiliconfilms)作為結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜的TFTs特別引人注目。特別是在液晶顯示器(液晶顯示器件)和EL(電致發(fā)光)顯示器中，這種TFTs用作轉(zhuǎn)換象素的元件和形成用以控制象素的驅(qū)動(dòng)電路的元件。獲得多晶硅薄膜的一般方法是將非晶硅薄膜結(jié)晶成為多晶硅薄膜的技術(shù)。其中利用激光使非晶硅薄膜結(jié)晶的方法近來(lái)已成為特別引人注目的方法。在本說(shuō)明書(shū)中，利用激光使非晶半導(dǎo)體薄膜結(jié)晶從而獲得結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜的情況被稱(chēng)為激光結(jié)晶化。激光結(jié)晶化能夠?qū)Π雽?dǎo)體薄膜瞬間加熱，因此，作為使形成于諸如玻璃襯底或塑料襯底等的低耐熱性襯底上的半導(dǎo)體薄膜退火的方法，它是一種有效的技術(shù)。此外，與使用電爐(以下稱(chēng)為退火爐退火)的常規(guī)加熱方法相比，激光退火無(wú)疑可使生產(chǎn)量提高。有各種激光，一般用于激光結(jié)晶化的激光是從作為光源的脈沖振蕩型受激準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生和發(fā)射的激光(下文稱(chēng)為受激準(zhǔn)分子激光)。受激準(zhǔn)分子激光器的優(yōu)點(diǎn)在于其輸出大且能夠以高頻率重復(fù)照射，并且，受激準(zhǔn)分子激光器具有對(duì)于硅薄膜來(lái)說(shuō)的高吸收系數(shù)。為了產(chǎn)生受激準(zhǔn)分子激光，使用KrF(波長(zhǎng)248nm)或XeCl(波長(zhǎng)308nm)作為激發(fā)氣體?？墒?，Kr(氪)氣體和Xe(氙)氣體是非常昂貴的，在頻繁填充氣體時(shí)引起生產(chǎn)成本增加的問(wèn)題。此外，每?jī)赡昊蛉?，受激?zhǔn)分子激光退火要求更換例如用于激光振蕩的激光管和用于去除在振蕩期間產(chǎn)生的不需要的化合物的氣體提純部件等附件。這些附件中的許多也都是昂貴的，從而增加了生產(chǎn)成本。如上可知，對(duì)于批量生產(chǎn)的激光裝置來(lái)說(shuō)，使用受激準(zhǔn)分子激光的激光裝置不具有高性能，并且還具有其維護(hù)非常麻煩和運(yùn)行成本(這指操作該裝置所需要的成本)高的缺點(diǎn)。鑒于上述問(wèn)題作出了本發(fā)明，因此本發(fā)明的目的在于提供激光裝置和使用該激光裝置的激光退火方法，該激光裝置能夠提供具有比現(xiàn)有技術(shù)大的晶粒尺寸的結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜并且運(yùn)行成本低。本發(fā)明的另一個(gè)方案是提供使用激光退火方法制造的半導(dǎo)體器件和制造該半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明的特征在于，利用從作為光源的固態(tài)激光器(使用晶體棒作為諧振腔來(lái)輸出激光的激光器)產(chǎn)生和發(fā)射的激光照射半導(dǎo)體薄膜的正面?zhèn)群推浔趁鎮(zhèn)?。?dāng)照射半導(dǎo)體薄膜時(shí)，最好用光學(xué)系統(tǒng)使激光線性化。為了使激光線性化，需要使激光形成為這樣的形狀，以便用激光照射處理對(duì)象時(shí)使被照射區(qū)域線性化。簡(jiǎn)要地說(shuō)，它表示激光的橫截面形狀是線性的，這里的術(shù)語(yǔ)“線性”并不表示嚴(yán)格意義上的字含義，而是指具有大的縱橫比例的矩形(或長(zhǎng)方形)。例如，具有10或以上(最好為100至10000)縱橫比的矩形或長(zhǎng)方形。在以上結(jié)構(gòu)中，固態(tài)激光器可以是一般公知的，例如YAG激光器(通常表示為NdYAG激光器)、NdYVO4激光器、NdYAIO3激光器、蘭寶石激光器、Ti紅寶石激光器或玻璃激光器。由于其在一致性和脈沖能量方面極優(yōu)，因而特別優(yōu)選YAG激光器。有連續(xù)波YAG激光器和脈沖振蕩型YAG激光器，在本發(fā)明中期望使用后者，因其可照射較大區(qū)域?？墒?，YAG激光器的基波(一次諧波)具有高至1064nm的波長(zhǎng)。因此，最好使用二次諧波(波長(zhǎng)532nm)、三次諧波(波長(zhǎng)355nm)或四次諧波(波長(zhǎng)266nm)。特別是，YAG激光器的二次諧波的頻率為532nm并處在這樣的波長(zhǎng)范圍內(nèi)(約530nm)，即在該波長(zhǎng)范圍內(nèi)，當(dāng)用二次YAG激光波照射非晶硅膜時(shí)，在非晶硅膜上的反射是最少的。此外，在該波長(zhǎng)范圍內(nèi)，可透過(guò)非晶半導(dǎo)體薄膜的激光量足以利用反射部件有效地從其背面?zhèn)仍俅握丈浞蔷О雽?dǎo)體薄膜。并且，二次諧波的激光能量大，最大約為1.5J/脈沖(在現(xiàn)有脈沖振蕩型YAG激光裝置中)。因此，當(dāng)它被線性化時(shí)，其在縱向方向的長(zhǎng)度被明顯地拉長(zhǎng)，從而能夠用激光同時(shí)照射大的區(qū)域。利用非線性晶體可獲得這些諧波。利用包括非線性元件的波長(zhǎng)調(diào)制器，可將基波調(diào)制成二次諧波、三次諧波或四次諧波。由下列任何公知的技術(shù)都可形成各諧波。在本說(shuō)明書(shū)中，“從作為光源的固態(tài)激光器產(chǎn)生和發(fā)射的激光”不僅包括基波而且還包括通過(guò)調(diào)制基波波長(zhǎng)而獲得的二次諧波、三次諧波和四次諧波。另外，還可使用常常用于YAG激光器中的Q開(kāi)關(guān)方法(Q調(diào)制開(kāi)關(guān)法)。該方法足以預(yù)先降低激光諧振器的Q值，然后迅速地提高Q值，從而輸出具有非常高的能量值的尖銳脈沖激光。該方法是公知技術(shù)中的一種?；旧?，只要固體晶體、諧振鏡和激活固體晶體的光源令人滿(mǎn)意，那么用于本發(fā)明的固態(tài)激光器便可輸出激光。因此，其維護(hù)并不象受激準(zhǔn)分子激光器那樣費(fèi)力。換言之，與受激準(zhǔn)分子激光器相比，固態(tài)激光器的運(yùn)行成本明顯較低，從而能夠較大地減少半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本。維護(hù)方面的減少導(dǎo)致批量生產(chǎn)線生產(chǎn)率提高，從而制造步驟中的生產(chǎn)量整體提高。這對(duì)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)成本的減少也相當(dāng)有利。并且，固態(tài)激光器比受激準(zhǔn)分子激光器占據(jù)更少的面積，這在設(shè)計(jì)生產(chǎn)線時(shí)也是有利的。此外，用激光照射非晶半導(dǎo)體薄膜的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)葋?lái)進(jìn)行激光退火能夠獲得其晶粒尺寸比現(xiàn)有技術(shù)大(僅從其正面?zhèn)日丈浞蔷О雽?dǎo)體薄膜)的結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜。按照本發(fā)明的應(yīng)用，可以認(rèn)為激光照射在非晶半導(dǎo)體薄膜的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)仁拱雽?dǎo)體薄膜的熔化和凝固周期緩慢，結(jié)果增大了晶粒尺寸。具有較大晶粒尺寸的結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜的獲得致使半導(dǎo)體器件的性能大大提高。以TFT為例，晶粒尺寸的擴(kuò)大使在溝道形成區(qū)域中獲得的晶粒邊界數(shù)量減少。即，它允許制造在其溝道形成區(qū)域中具有一個(gè)優(yōu)選為零的晶粒邊界。由于各晶粒結(jié)晶性是這樣的，以致基本上可以將其看作為單晶體，從而還可以獲得等于或高于利用單晶半導(dǎo)體的晶體管的遷移率(電場(chǎng)效應(yīng)遷移率)。并且，在本發(fā)明中載流子以非常低的頻率穿過(guò)晶粒邊界，從而減少了ON電流值(當(dāng)TFT處于ON狀態(tài)時(shí)的漏電流)、OFF電流值(當(dāng)TFT處于OFF狀態(tài)時(shí)的漏電流)、閾值電壓、S值和電場(chǎng)效應(yīng)遷移率的波動(dòng)。附圖中圖1A和1B是表示激光裝置結(jié)構(gòu)的圖；圖2A和2B是表示激光裝置的光學(xué)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的圖；圖3是展示本發(fā)明激光退火方法的圖；圖4A和4B是表示激光裝置結(jié)構(gòu)的圖；圖5是展示本發(fā)明激光退火方法的圖；圖6是展示本發(fā)明激光退火方法的圖；圖7A至7E是展示制造有源矩陣襯底的工藝方法的圖；圖8A至8D是展示制造有源矩陣襯底的工藝方法的圖；圖9A至9C是展示制造有源矩陣襯底的工藝方法的圖；圖10A至10E是展示制造有源矩陣襯底的工藝方法的圖；圖11A至11E是展示制造有源矩陣襯底的工藝方法的圖；圖12是展示象素結(jié)構(gòu)的圖；圖13A和13B是表示有源矩陣型液晶顯示器件橫截面結(jié)構(gòu)的圖；圖14是表示有源矩陣型液晶顯示器件頂部結(jié)構(gòu)的圖；圖15是表示有源矩陣型液晶顯示器件的透視圖；圖16A和16F是表示電子器件實(shí)例的圖；圖17A和17D是表示投影器實(shí)例的圖；圖18是展示本發(fā)明激光退火方法的圖。實(shí)施模式1下面說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施模式。圖1A是表示包括本發(fā)明激光器的激光裝置之結(jié)構(gòu)的圖。該激光裝置具有NdYAG激光器101、使從NdYAG激光器101產(chǎn)生和發(fā)射的激光線性化(最好是二次諧波、三次諧波或四次諧波)的光學(xué)系統(tǒng)201、和在其上固定可透光襯底的載物臺(tái)102。載物臺(tái)102配有加熱器103和加熱器控制器104，以將襯底加熱到100到450℃的溫度。反射部件105配置于載物臺(tái)102上，并將襯底106放置于反射部件105上，在該襯底上形成非晶半導(dǎo)體薄膜。如果從NdYAG激光器101輸出的激光要被調(diào)制成二次至四次諧波中的任一個(gè)，那么將包括非線性元件的波長(zhǎng)調(diào)制器設(shè)置于NdYAG激光器101后方。下面參照?qǐng)D1B說(shuō)明如何將襯底106固定于具有圖1A所示結(jié)構(gòu)的激光裝置中。由載物臺(tái)102固定的襯底106被設(shè)置于反應(yīng)室107中，并采用從作為光源的激光器101產(chǎn)生和發(fā)射的線性激光進(jìn)行照射。通過(guò)排氣系統(tǒng)(未示出)可使反應(yīng)室內(nèi)部減壓，或使用氣體系統(tǒng)(未示出)使反應(yīng)室內(nèi)部具有惰性氣體氣氛，以便可將半導(dǎo)體薄膜加熱到100到450℃的溫度而不會(huì)污染薄膜。在反應(yīng)室內(nèi)，載物臺(tái)102可沿導(dǎo)軌108移動(dòng)，從而使激光能夠照射襯底的整個(gè)表面。激光從襯底106頂部表面上的由石英構(gòu)成的窗口(未示出)進(jìn)入。圖1B中，傳送室109、過(guò)渡室110和裝載/卸載室111與反應(yīng)室107連接，這些室通過(guò)門(mén)閥112、113相互分離。能夠固定多片襯底的盒子114放置于裝載/卸載室111中。用安裝于傳送室109中的傳送自動(dòng)裝置115傳送襯底。參考標(biāo)號(hào)106′表示傳送中的襯底。利用這種結(jié)構(gòu)，在減小的壓力下或在惰性氣體氣氛中連續(xù)進(jìn)行激光退火。下面，參照?qǐng)D2A和2B說(shuō)明使激光線性化的光學(xué)系統(tǒng)201。圖2A是從其側(cè)面觀察的光學(xué)系統(tǒng)201的視圖，圖2B是從其頂部觀察的光學(xué)系統(tǒng)201的視圖。從作為光源的激光器101產(chǎn)生和發(fā)射的激光被柱面透鏡陣列202縱向地分裂。分裂的激光再被柱面透鏡陣列203橫向地分裂。即，最后用柱面透鏡陣列202、203將激光分裂成矩陣。然后，用柱面透鏡204會(huì)聚激光。激光穿過(guò)在柱面透鏡204后方的柱面透鏡205。此后，激光在反射鏡206處被反射，然后通過(guò)柱面透鏡207，并到達(dá)被照射區(qū)域208。此時(shí)，投射在被照射區(qū)域208上的激光是線性的。這意味著通過(guò)柱面透鏡207發(fā)射的激光截面形狀是線性的。通過(guò)柱面透鏡陣列202、柱面透鏡204和柱面透鏡207使其在寬度方向(較短的方向)上均勻。另一方面，通過(guò)柱面透鏡陣列203和柱面透鏡205使其在長(zhǎng)度方向(較長(zhǎng)的方向)上均勻。下面參照?qǐng)D3對(duì)用激光從其正面和背面照射形成于襯底上的處理薄膜的裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示圖1A中在襯底106與反射部件105之間的位置關(guān)系的圖。圖3中，參考標(biāo)號(hào)301表示透光襯底，其正面?zhèn)?將要形成薄膜或元件的一側(cè))具有形成于其上的絕緣膜302和非晶半導(dǎo)體薄膜(或微晶半導(dǎo)體薄膜)303。用于反射激光的反射部件304設(shè)置在透光襯底301之下。透光襯底301可以是玻璃襯底、石英襯底、結(jié)晶玻璃襯底或塑料襯底。對(duì)于絕緣膜302，可以使用例如氧化硅膜或氮氧化硅膜(SiOxNy)之類(lèi)的含硅的絕緣薄膜。用于非晶半導(dǎo)體薄膜膜303的保護(hù)膜包括非晶硅膜、非晶硅鍺膜等。形成于襯底表面(在該表面上將反射激光)的金屬薄膜可用作反射部件304?；蛘?，將由金屬元素形成的襯底用作反射部件304。在這種情況下，任何材料都可用于該金屬薄膜。一般采用的是包含從鋁、銀、鎢、鈦和鉭中選擇的任何元素的金屬薄膜。還可以在襯底301背面一側(cè)之上直接形成金屬薄膜來(lái)代替反射部件304的設(shè)置，從而在金屬薄膜處反射激光。應(yīng)該指出，該結(jié)構(gòu)僅在半導(dǎo)體器件制造期間形成于背面一側(cè)的金屬薄膜不被去除時(shí)是可能的。然后，利用已通過(guò)圖2A和2B中所示的光學(xué)系統(tǒng)201(圖中僅示出柱面透鏡207)被線性化的激光來(lái)照射非晶半導(dǎo)體薄膜303。此時(shí)，用兩束激光，即通過(guò)柱面透鏡207直接照射薄膜的激光305和在其照射非晶半導(dǎo)體薄膜303之前被反射部件304反射的激光306，來(lái)照射非晶半導(dǎo)體薄膜303。在本說(shuō)明書(shū)中，用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜正面?zhèn)鹊募す獗环Q(chēng)為主激光，而用于照射其背面?zhèn)鹊募す獗环Q(chēng)為輔助激光。在被聚光的過(guò)程中，激光通過(guò)柱面透鏡207，具有相對(duì)于襯底正面?zhèn)?5-90℃的入射角。為此，輔助激光306經(jīng)過(guò)更遠(yuǎn)的路徑達(dá)到非晶半導(dǎo)體薄膜303的背面?zhèn)纫员阏丈淠抢?。通過(guò)在反射部件304的反射表面上形成非均勻部分來(lái)散射激光，可以更有效地獲得輔助激光306。實(shí)際上，YAG激光的二次諧波具有532nm的頻率并在波長(zhǎng)范圍(約530nm)內(nèi)，在該波長(zhǎng)范圍內(nèi)，當(dāng)用二次YAG激光波照射非晶半導(dǎo)體薄膜時(shí)在非晶半導(dǎo)體薄膜處的反射是最少的。此外，在該波長(zhǎng)范圍內(nèi)，通過(guò)非晶半導(dǎo)體薄膜傳輸?shù)募す饬孔阋岳梅瓷洳考钠浔趁鎮(zhèn)扔行У卦俅握丈浞蔷О雽?dǎo)體薄膜。并且，二次諧波的激光能量大，最大約為1.5J/脈沖(在現(xiàn)有脈沖振蕩型YAG激光裝置中)。因此，當(dāng)它被線性化時(shí)，其在縱向方向的長(zhǎng)度被明顯地拉長(zhǎng)，從而能夠用激光同時(shí)照射大的區(qū)域。如上所述，按照本實(shí)施模式，從作為光源的固態(tài)激光器產(chǎn)生和發(fā)射的激光可被線性化，被線性化的激光可以在光學(xué)系統(tǒng)中被分裂成主激光和輔助激光，從而可分別用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜的正面?zhèn)群推浔趁鎮(zhèn)?。?shí)施模式2所述實(shí)施模式2是與實(shí)施模式1不同的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的模式。該實(shí)施模式展示一個(gè)實(shí)例，其中不使用實(shí)施模式1中所述的反射部件，而是利用通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)的某些結(jié)構(gòu)把其分裂成兩束激光的激光從其正面和背面照射非晶半導(dǎo)體薄膜。圖4A是表示包括本實(shí)施模式的激光的激光裝置的結(jié)構(gòu)圖。該結(jié)構(gòu)基本上與利用圖1A和1B在實(shí)施模式1中所述的的激光裝置結(jié)構(gòu)相同。因此，僅對(duì)與上述模式中不同的部件標(biāo)以不同的符號(hào)和進(jìn)行說(shuō)明。該激光裝置具有NdYAG激光器101、使從NdYAG激光器101產(chǎn)生和發(fā)射的激光線性化并且將其分裂成兩束激光(最好是三次諧波或四次諧波)的光學(xué)系統(tǒng)401、和在其上固定可透光襯底的可透光載物臺(tái)402。襯底403A設(shè)置在載物臺(tái)402上，非晶半導(dǎo)體薄膜403b形成于襯底403a上。如果從NdYAG激光器101輸出的激光被調(diào)制成三次諧波或四次諧波，那么包括非線性元件的波長(zhǎng)調(diào)制器設(shè)置于NdYAG激光器101的后方。在本實(shí)施模式的情況下，用射過(guò)載物臺(tái)402的激光照射非晶半導(dǎo)體薄膜403b，因此，載物臺(tái)402必須是可透光的。因?yàn)樵谕ㄟ^(guò)襯底傳輸激光時(shí)從載物臺(tái)402照射的激光能量(輔助激光)被衰減，因而期望盡量抑制在載物臺(tái)402處的衰減。圖4B是展示如何在圖4A所示的激光裝置中固定襯底403a的圖?？墒?，由于其設(shè)置與圖1B中所示的設(shè)置相同，只是在這里使用了可透光的載物臺(tái)402，因而省略其說(shuō)明。下面參照?qǐng)D5說(shuō)明圖4A中所示光學(xué)系統(tǒng)401的結(jié)構(gòu)。圖5是從其側(cè)面觀察的光學(xué)系統(tǒng)401的視圖。從作為光源的NdYAG激光器501產(chǎn)生和發(fā)射的激光(三次或四次諧波)被柱面透鏡陣列502縱向地分裂。分裂的激光再被柱面透鏡陣列503橫向地分裂。然后用柱面透鏡陣列502、503將激光分裂成矩陣。然后，用柱面透鏡504會(huì)聚激光。激光穿過(guò)在柱面透鏡504右后方的柱面透鏡505。直到該點(diǎn)，光學(xué)系統(tǒng)401與圖2A和2B中所示的部分相同。此后，激光進(jìn)入半透鏡506并在該處被分裂成主激光507和輔助激光508。主激光507在反射鏡509、510處被反射，通過(guò)柱面透鏡511，然后到達(dá)非晶半導(dǎo)體薄膜403b的正面?zhèn)?。由半透鏡506分裂的輔助激光508被反射鏡512、513、514反射，通過(guò)柱面透鏡515，然后射過(guò)襯底403a到達(dá)非晶半導(dǎo)體薄膜403b的背面?zhèn)?。此時(shí)，投射在襯底的被照射區(qū)域208上的激光象實(shí)施模式1中那樣是線性的。通過(guò)柱面透鏡陣列502、柱面透鏡504和柱面透鏡515使其在寬度方向(較短的方向)上均勻。另一方面，通過(guò)柱面透鏡陣列503、柱面透鏡505以及柱面透鏡509使其在長(zhǎng)度方向(較長(zhǎng)的方向)上均勻。如上所述，按照本實(shí)施模式，從作為光源的固態(tài)激光器產(chǎn)生和發(fā)射的激光可被線性化，被線性化的激光可以被分裂成主激光和輔助激光，以便分別用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜的正面?zhèn)群推浔趁鎮(zhèn)取?shí)施模式3下面將說(shuō)明的是與實(shí)施模式2不同的實(shí)施模式。該實(shí)施模式展示一個(gè)實(shí)例，其中利用光學(xué)系統(tǒng)的某些結(jié)構(gòu)把激光分裂成兩束激光，使這兩束激光分別成為三次諧波和四次諧波，用四次諧波照射其正面而用三次諧波照射其背面，從而進(jìn)行非晶半導(dǎo)體薄膜的激光退火。圖6是表示用于本實(shí)施模式的激光裝置的光學(xué)系統(tǒng)的側(cè)視圖。用半透鏡602分裂從作為光源的NdYAG激光器601產(chǎn)生和發(fā)射的激光。應(yīng)該指出，從NdYAG激光器601輸出的基波的一部分在到達(dá)半透鏡602之前被調(diào)制成波長(zhǎng)為355nm的三次諧波。首先，透過(guò)半透鏡602的激光(用作輔助激光)通過(guò)柱面透鏡陣列603和604、反射鏡607、柱面透鏡608和襯底609a，用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜609b的背面?zhèn)?。最終用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜609b背面?zhèn)鹊募す馐蔷€性的。線性化的處理與參照?qǐng)D2A和圖2B的光學(xué)系統(tǒng)的說(shuō)明相同，因此這里不再重述。由半透鏡602反射的激光(用作主激光)被包括非線性元件的波長(zhǎng)調(diào)制器610調(diào)制成波長(zhǎng)為266nm的四次諧波。因此，激光經(jīng)過(guò)反射鏡611、柱面透鏡陣列612和613、柱面透鏡614和615、反射鏡616和柱面透鏡617被用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜609b的正面?zhèn)?。最終用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜609b背面?zhèn)鹊募す馐蔷€性的。線性化的處理與參照?qǐng)D2A和圖2B的光學(xué)系統(tǒng)的說(shuō)明相同，因此這里不再重述。如上所述，本實(shí)施模式的特征在于，用波長(zhǎng)為266nm的四次諧波照射非晶半導(dǎo)體薄膜的正面?zhèn)?，同時(shí)用波長(zhǎng)為355nm的三次諧波照射非晶半導(dǎo)體薄膜的背面?zhèn)?。最好如本?shí)施模式那樣，使三次諧波和四次諧波的截面形狀線性化，以提高激光退火的生產(chǎn)量。當(dāng)襯底609a為玻璃襯底時(shí)，用波長(zhǎng)短于250nm左右的光不能透過(guò)襯底。就厚度為1.1mm的Coring，Ltd.的#1737襯底來(lái)說(shuō)，波長(zhǎng)大約為240nm的光首先透過(guò)襯底。該襯底允許波長(zhǎng)為300nm的光大約有38％從其透過(guò)，如果波長(zhǎng)為350nm，那么大約透過(guò)85％，如果波長(zhǎng)為400nm，那么大約透過(guò)90％。即，當(dāng)玻璃襯底被用作襯底609a時(shí)，期望使用波長(zhǎng)為350nm或以上(波長(zhǎng)最好為400nm或以上)的激光作為輔助激光。因此，當(dāng)如本實(shí)施模式那樣把NdYAG激光器用作固態(tài)激光器且將玻璃襯底用作其上形成非晶半導(dǎo)體薄膜的襯底時(shí)，期望使不能透過(guò)襯底的主激光作為四次諧波，使可透過(guò)襯底的輔助激光成為三次諧波。如上所述，根據(jù)襯底材料或非晶半導(dǎo)體薄膜的薄膜質(zhì)量，采用其波長(zhǎng)與用以照射非晶半導(dǎo)體薄膜背面?zhèn)鹊募す?輔助激光)的波長(zhǎng)不同的激光(主激光)來(lái)照射非晶半導(dǎo)體薄膜的正面?zhèn)仁怯行У?。盡管用于本實(shí)施模式的是由作為光源的一個(gè)激光器產(chǎn)生和發(fā)射的分離激光，但也可使用輸出不同波長(zhǎng)激光的兩個(gè)激光器。實(shí)施例1利用圖7A至9C說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。下面同時(shí)說(shuō)明象素部分的象素TFT和存儲(chǔ)電容器、設(shè)置于象素部分周邊的驅(qū)動(dòng)電路的n溝道TFT和p溝道TFT的制造方法。圖7A中，以Corning#7059玻璃和#1737玻璃為代表的硼硅酸鋇玻璃或硼硅酸鋁玻璃可用作襯底701。除這些玻璃襯底之外，還可使用沒(méi)有光學(xué)各向異性的例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、取乙烯奈醛(polyethylenenaphthalate)(PEN)、聚醚砜(PES)之類(lèi)的塑料襯底。為了防止從襯底701擴(kuò)散雜質(zhì)，包括如氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜之類(lèi)的基底膜702形成于其上將要形成TFT的襯底701的表面上。例如，構(gòu)成了用等離子體CVD由SiH4、NH3和N2O形成的厚度為10-200nm(最好為50-100nm)的氮氧化硅膜702a與類(lèi)似地由SiH4和N2O形成的厚度為50-200nm(最好為100-150nm)的氫化氮氧化硅膜702b的疊層。使用常規(guī)的平行板型增強(qiáng)等離子體CVD形成氮氧化硅膜。通過(guò)將10sccm的SiH4、100sccm的NH3和20sccm的N2O導(dǎo)入反應(yīng)室中，在325℃的襯底溫度、40Pa的反應(yīng)壓力、0.41W/cm2的放電功率密度和60MHZ的放電頻率的條件下，形成氮氧化硅膜702a。另一方面，通過(guò)將5sccm的SiH4、120sccm的N2O和125sccm的H2導(dǎo)入反應(yīng)室中，在400℃的襯底溫度、20Pa的反應(yīng)壓力、0.41W/cm2的放電功率密度和60MHZ的放電頻率的條件下，形成氫化的氮氧化硅膜702b。這此薄膜可以通過(guò)僅改變襯底溫度和變換反應(yīng)氣體來(lái)順序形成。并且，形成氮氧化硅膜702a，以便當(dāng)把該襯底看作為中心時(shí)其內(nèi)應(yīng)力為拉應(yīng)力。使氮氧化硅膜702b具有一種內(nèi)應(yīng)力，與氮氧化硅膜702a的應(yīng)力相比，該內(nèi)應(yīng)力在相同的方向上但其應(yīng)力的絕對(duì)值較小。接著，用諸如等離子體CVD或?yàn)R射之類(lèi)的公知方法形成其厚度為25-80nm(最好為30-60nm)的非晶半導(dǎo)體薄膜703和非晶結(jié)構(gòu)。例如，用等離子體CVD形成其厚度為55nm的非晶硅薄膜。連續(xù)形成基底膜702和非晶半導(dǎo)體薄膜703。例如，如上所述在用等離子體CVD連續(xù)形成氮氧化硅膜702a和氫化氮氧化硅膜702b之后，將反應(yīng)氣體SiH4、N2O和H2轉(zhuǎn)換為SiH4和H2或僅僅SiH4，可連接進(jìn)行淀積，并且不暴露于外部空氣氣氛。結(jié)果，可防止氫化氮氧化硅膜702b的表面被污染，并可減少要制造的TFT的特性變化和閥值電壓的波動(dòng)。由具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層703形成為如圖7B中虛線所示第一形狀的島狀半導(dǎo)體層704-708。圖10A是該狀態(tài)的島狀半導(dǎo)體層704和705的頂視圖，圖11A類(lèi)似表示島狀半導(dǎo)體層708的頂視圖。在圖10和11中，雖然將島狀半導(dǎo)體層形成為各側(cè)為50μm或以下的矩形，但是它可以形成為任意的島狀半導(dǎo)體層，優(yōu)選地只要從其中心到邊緣的最小距離為50μm或以下，它可以是任何多邊形或圓形。然后，對(duì)這樣的島狀半導(dǎo)體層704-708進(jìn)行結(jié)晶處理。在本實(shí)施例中，可以使用在實(shí)施模式1-3中所述的任何結(jié)晶處理方法和利用實(shí)施模式1的方法對(duì)島狀半導(dǎo)體層704-708進(jìn)行激光退火。然后由圖7B中實(shí)線所示的結(jié)晶硅薄膜形成島狀半導(dǎo)體層709-713。應(yīng)該指出，盡管本實(shí)施例展示了形成相應(yīng)于一個(gè)TFT的一個(gè)島狀半導(dǎo)體層的實(shí)例，但通過(guò)把一個(gè)島狀半導(dǎo)體層分隔成多個(gè)部件，在島狀半導(dǎo)體層所專(zhuān)用的表面區(qū)域較大的情況下(在一個(gè)TFT較大的情況下)，可以使多個(gè)TFTs部件串聯(lián)連接成一個(gè)TFT。在當(dāng)非晶硅膜結(jié)晶并收縮大約1-15％時(shí)，該薄膜變得致密。區(qū)域714形成在因收縮而產(chǎn)生應(yīng)變的島狀半導(dǎo)體層的邊緣部分。并且，當(dāng)把該襯底看作為其中心時(shí)，包括這樣的結(jié)晶硅薄膜的島狀半導(dǎo)體層具有拉應(yīng)力。圖10B和11B分別表示這種狀態(tài)下的島狀半導(dǎo)體層709、710和713的頂視圖。在相同圖中用虛線表示的區(qū)域704、705和708表示起初存在的島狀半導(dǎo)體層704、705和708的尺寸。當(dāng)將其中累積有這種應(yīng)變的區(qū)域714進(jìn)行重疊以形成TFT的柵電極時(shí)，由于存在一些缺陷級(jí)且結(jié)晶性不好，因而它成為引起TFT劣化的原因。例如，因電流被集中在該區(qū)域，因而OFF電流值增加或局部產(chǎn)生熱。因此，如圖7C所示，形成第二形狀的島狀半導(dǎo)體層715至719，以便去除其中累積有這種應(yīng)變的區(qū)域714。在該圖中用虛線表示的區(qū)域714′是存在累積應(yīng)變的區(qū)域714部分，該圖表示在這樣的區(qū)域內(nèi)形成第二形狀的島狀半導(dǎo)體層715至719的條件。第二形狀的島狀半導(dǎo)體層715至719的形狀可以任意設(shè)置。圖10C表示這種狀態(tài)的島狀半導(dǎo)體層715和714的頂視圖。并且，圖11C表示島狀半導(dǎo)體層719的頂視圖。此后，利用等離子體CVD或?yàn)R射由氧化硅膜形成厚度為50-100nm的掩模層720，以覆蓋島狀半導(dǎo)體層715至719。為了控制TFTs的閾值電壓(VT)的目的，將賦予P型的雜質(zhì)元素添加到這種狀態(tài)的島狀半導(dǎo)體層的整個(gè)表面上，達(dá)到1×1016至5×1017atoms/cm3的濃度。如硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)之類(lèi)的周期表第XIII組的元素是公知的對(duì)半導(dǎo)體賦予P型的雜質(zhì)元素。可采用離子注入或離子摻雜作為摻雜這些元素的方法，但是離子摻雜適于具有大面積的襯底。這種離子摻雜方法使用乙硼烷(B2H6)作為源氣體并添加硼(B)。這種雜質(zhì)元素的添加并不總是需要的，可以省略?？墒?，這是適用于保持預(yù)定范圍內(nèi)尤其是n溝道TFT的閾值電壓的方法。為了在驅(qū)動(dòng)電路的n溝道TFT中形成LDD區(qū)域，將可賦予n型的雜質(zhì)元素選擇性地添加進(jìn)入島狀半導(dǎo)體層716和718中。為此目的，預(yù)先形成抗蝕劑掩模721a至721e。可使用磷(P)或砷(As)作為可賦予n型的雜質(zhì)元素，在這里使用磷化氫(PH3)來(lái)添加磷(P)。在所形成的雜質(zhì)區(qū)域中磷(P)的濃度可以在2×1015至5×1019atoms/cm3的范圍內(nèi)，作為低濃度n型雜質(zhì)區(qū)域722和723。本整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，在這里形成的雜質(zhì)區(qū)域722和723中所包含的賦予n型的雜質(zhì)元素被表示為(n-)。并且，雜質(zhì)區(qū)域724是形成象素部分的存儲(chǔ)電容器的半導(dǎo)體層，將磷(P)按相同濃度添加到該區(qū)域中(圖7D)。接著，執(zhí)行激活所添加的雜質(zhì)元素的步驟。在氮?dú)夥罩性?00至600℃下加熱處理1至4小時(shí)來(lái)進(jìn)行激活或激光激活。此外，可組合這兩個(gè)方法。在采用激光激活的情況下，使用KrF受激準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)，在振蕩頻率為5至50Hz和能量密度為100至500mJ/cm2的條件下形成線性光束，以線性光束的覆蓋率達(dá)到80-98％的比例掃描光束，以處理其上形成島狀半導(dǎo)體層的襯底的整個(gè)表面。應(yīng)該指出，這里并不對(duì)激光照射條件進(jìn)行限制，它們可以由操作者適當(dāng)確定。可以實(shí)施該工藝處理而留下掩模層720，或在去除該掩模層720之后進(jìn)行工藝處理。圖7E中，利用等離子體CVD或?yàn)R射，由包含硅的絕緣膜形成厚度在40到150nm之間的柵絕緣膜725。例如，可以由氮氧化硅膜形成厚為120nm的柵絕緣膜725。并且，將O2添加到SiH4和N2O中所制備的氮氧化硅膜在其膜中的固定電荷密度被降低，因此是對(duì)于這種用途的優(yōu)選材料。不必多說(shuō)，柵絕緣膜725并不限于這樣的氮氧化硅膜，它還可以采用單層或包含硅的其它絕緣膜的疊層結(jié)構(gòu)。在任何情況下，都形成柵絕緣膜725，以便把襯底看作為其中心時(shí)有壓應(yīng)力。如圖7E所示，形成耐熱導(dǎo)電層，在柵絕緣膜725上形成柵電極。耐熱導(dǎo)電層可包括單層，但如果需要，也可以為例如雙層或三層等多層的疊層結(jié)構(gòu)。利用這樣的耐熱導(dǎo)電材料，例如可形成其中包括導(dǎo)電金屬氮化物薄膜的導(dǎo)電層(A)726與包括金屬膜的導(dǎo)電層(B)727的疊層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電層(B)727可由選自鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)的元素，或主要包括這些元素或組合以上元素而形成的合金膜(一般是Mo-W合金膜、Mo-Ta合金膜)，導(dǎo)電層(A)726可由氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉬(MoN)等構(gòu)成。導(dǎo)電層(A)726可以采用硅化鎢、硅化鈦或硅化鉬。為了低電阻，包含在導(dǎo)電層(B)727中的雜質(zhì)濃度最好減小，尤其是氧濃度可減小到30ppm或以下。例如，通過(guò)將氧濃度設(shè)置為30ppm或以下，相對(duì)于鎢(W)來(lái)說(shuō)，可實(shí)現(xiàn)20μΩcm或以下的電阻率?？蓪?dǎo)電層(A)726形成為10至50nm(最好20至30nm)，將導(dǎo)電層(B)727形成為200至400nm(最好250至350nm)。在使用W作為柵電極的情況下，利用W作為靶子進(jìn)行濺射并導(dǎo)入氬氣(Ar)和氮?dú)?N2)，形成厚度為50nm的氮化鎢(WN)作為導(dǎo)電層(A)726，且形成厚度為250nm的鎢(W)作為導(dǎo)電層(B)727。作為另一種方法，利用熱CVD，用六氟化鎢(WF6)來(lái)形成W膜。在任何情況下，對(duì)于用作柵電極來(lái)說(shuō)都需要設(shè)計(jì)低電阻率，W膜的電阻率最好不高于20μΩcm。通過(guò)增加晶粒尺寸，可以實(shí)現(xiàn)W膜的低電阻率，但當(dāng)如鎢中的氧之類(lèi)的雜質(zhì)元素的含量大時(shí)，因阻止結(jié)晶，因而電阻率變高。因此，當(dāng)采用濺射時(shí)，所用的W靶具有99.9999％的純度，并且應(yīng)充分注意，以免在形成膜期間因氣相混合雜質(zhì)。以這種方式，可實(shí)現(xiàn)9至20μΩcm的電阻率。另一方面，在用TaN膜作為導(dǎo)電層(A)726和用Ta膜作為導(dǎo)電層(B)727的情況下，它可以利用濺射簡(jiǎn)單地形成。用Ta作為靶和用Ar氣體與氮?dú)獾幕旌蠚怏w作為濺射氣體，可形成TaN膜，用氬氣(Ar)作為濺射氣體可形成Ta膜。當(dāng)添加適量的Xe或Kr到濺射氣體中時(shí)，可減輕所獲得的膜的內(nèi)應(yīng)力和防止膜的剝離。α相Ta膜的電阻大約為20μΩcm，該膜也可用作柵電極。可是，β相Ta膜的電阻大約為180μΩcm，并且該膜不適合作為柵電極。TaN膜具有與α相大約相同的晶體結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)Ta膜形成于TaN膜上時(shí)，可容易獲得α相Ta膜。順便指出，盡管圖中未示出，但在導(dǎo)電層(A)726下形成厚度約為2至20nm的摻雜磷(P)的硅膜。這樣做，可改進(jìn)附著力并防止形成于其上的導(dǎo)電膜氧化，同時(shí)，可以防止包含于導(dǎo)電層(A)726中或?qū)щ妼?B)727中的微量堿土金屬元素?cái)U(kuò)散進(jìn)柵絕緣膜725中。在任何情況下，最好將導(dǎo)電層(B)727的電阻設(shè)置在10至50μΩcm之間的范圍內(nèi)。下面，利用光掩模，通過(guò)光刻形成抗蝕劑掩模728a至728f，共同腐蝕導(dǎo)電層(A)726和導(dǎo)電層(B)727，以形成柵電極729至733和電容器布線734。這些柵電極729至733和電容器布線734包括具有導(dǎo)電層(A)的729a至733a和具有導(dǎo)電層(B)的729b至733b的整體結(jié)構(gòu)(圖8A)。圖10D中示出這種狀態(tài)下的島狀半導(dǎo)體層715和716和柵電極729和730之間的設(shè)置關(guān)系。同樣地，圖11D中示出島狀半導(dǎo)體層719、柵電極733和電容器布線734之間的設(shè)置關(guān)系。圖10D和11D中省略了柵絕緣膜725。盡管可由操作者適當(dāng)選擇腐蝕導(dǎo)電層(A)和導(dǎo)電層(B)的方法，但在它們由上述主要包括W的材料形成的情況下，最好采用利用高密度等離子體進(jìn)行高速度和高精度的干腐蝕方法。微波等離子體或?qū)щ婑詈系入x子體(ICP)腐蝕裝置可用作獲得高密度等離子體的裝置。例如，在使用ICP腐蝕裝置腐蝕W中，兩種氣體、CF4和Cl2被導(dǎo)入反應(yīng)室中，壓力設(shè)置為0.5至1.5Pa(最好1Pa)，對(duì)導(dǎo)電耦合部分施加200至1000W的高頻(13.56MHz)功率。此時(shí)，對(duì)其上放置襯底的載物臺(tái)施加20W的高頻功率，利用其自偏置充電到負(fù)電位，加速正離子并進(jìn)行各向異性腐蝕。使用ICP腐蝕裝置，即使對(duì)于如W等硬金屬膜來(lái)說(shuō)也可獲得2至5nm/秒的腐蝕速度。并且，為了腐蝕而不留下殘留物，通過(guò)按10-20％的比例延長(zhǎng)腐蝕時(shí)間，進(jìn)行過(guò)腐蝕較好?？墒牵枰⒁饣啄さ母g選擇比。例如，由于氮氧化硅膜(柵絕緣膜725)對(duì)W膜的選擇比為2.5-3，因而露出氮氧化硅膜的表面被腐蝕大約20-50nm，因這樣的過(guò)腐蝕處理而變得顯著較薄。此后，為了在象素TFT的n溝道TFT中形成LDD區(qū)，實(shí)施添加可賦予n型的雜質(zhì)元素的工藝處理(n-摻雜工藝)。利用柵電極729至733作為掩模，通過(guò)離子摻雜，以自對(duì)準(zhǔn)方式添加可賦予n型的雜質(zhì)元素。將作為可賦予n型的雜質(zhì)元素而被添加的磷(P)的濃度設(shè)置在1×1016至5×1019atoms/cm3之間。以這種方式，如圖8B所示，在島狀半導(dǎo)體層中形成低濃度的n型雜質(zhì)區(qū)735至739。隨后，在n溝道TFTs中形成作為源區(qū)或漏區(qū)的高濃度n型雜質(zhì)區(qū)(n+摻雜工藝)。利用光掩模，首先形成抗蝕劑掩模740a至740d，摻雜可賦予n型的雜質(zhì)元素，形成高濃度的n型雜質(zhì)區(qū)741至746。用磷(P)作為可賦予n型的雜質(zhì)元素。使用摻雜磷化氫(PH3)的離子，以便濃度落入1×1020至1×1021atoms/cm3的范圍內(nèi)(圖8C)。在形成p型溝道TFTs的島狀半導(dǎo)體層715和717中形成用作源區(qū)或漏區(qū)的高濃度p型雜質(zhì)區(qū)748至749。其中用柵電極729和731作為掩模，添加可賦予p型的雜質(zhì)元素，以自對(duì)準(zhǔn)方式形成高濃度p型雜質(zhì)區(qū)。此時(shí)，利用光掩模形成抗蝕劑膜747a至747c，從而覆蓋形成有p型溝道TFTs的島狀半導(dǎo)體薄膜716、718和719的整個(gè)表面。用乙硼烷(B2H6)離子摻雜形成高濃度p型雜質(zhì)區(qū)748至749。在該區(qū)域中硼(B)的濃度為3×1020至3×1021atoms/cm3的范圍內(nèi)(圖8D)。在前一步驟中，就高濃度p型雜質(zhì)區(qū)748a至749a而言，按1×1020至1×1021atoms/cm3的濃度，和就高濃度p型雜質(zhì)區(qū)748b至749b而言，按1×1016至5×1019atoms/cm3的濃度，將磷(P)添加到高濃度p型雜質(zhì)區(qū)748至749中。但是，在該步驟中設(shè)置所添加的硼(B)的濃度，使其高1.5至3倍，在用作P溝道TFT的源區(qū)和漏區(qū)中不會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。此后，如圖9A所示，由以上柵電極和柵絕緣膜形成保護(hù)絕緣膜750。保護(hù)絕緣膜可以包括氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜或包含這些膜的組合的疊層。在任何情況下，保護(hù)絕緣膜750都由無(wú)機(jī)絕緣材料形成。保護(hù)絕緣膜750的膜厚為100至200nm。當(dāng)使用氧化硅膜時(shí)，混合原硅酸四乙酯(TEOS)和O2，利用等離子體CVD，在40Pa的反應(yīng)壓力和300-400℃的襯底溫度下來(lái)形成膜，并且在0.5-0.8W/cm2的高頻(13.56MHz)功率密度下使等離子體放電，。當(dāng)使用氮氧化硅膜時(shí)，該膜包括利用等離子體CVD由SiH4、N2O和NH3形成的氮氧化硅膜或由SiH4和N2O形成的氮氧化硅膜。在這種情況下膜淀積條件是反應(yīng)壓力為20-200Pa，襯底溫度為300-400℃和高頻(60MHz)功率密度為0.1-1.0W/cm2。還可使用由SiH4、N2O和H2形成的氫化氮氧化硅膜。類(lèi)似地，利用等離子體CVD由SiH4和NH3形成氮化硅膜。把襯底看作中心，則形成保護(hù)絕緣膜，具有壓應(yīng)力。此后，對(duì)以各濃度添加的賦予n型或p型的雜質(zhì)元素進(jìn)行激活的步驟。利用退火爐用熱退火方法完成該步驟。除熱退火方法外，還可以采用激光退火方法和快速熱退火法(RTA法)。在含有其濃度為1ppm或以下、最好為0.1ppm以下的氧的氮?dú)鈿夥罩?，?00-700℃、一般為500-600℃的溫度下，實(shí)施熱退火方法。在本實(shí)施例中，在550℃下進(jìn)行4小時(shí)的熱處理。當(dāng)具有低耐熱溫度的塑料襯底用作襯底101時(shí)，采用激光退火方法(圖9B)。在激活步驟后，在包含3至100％的氫的氣氛中在300至450℃下進(jìn)行1至12小時(shí)的熱處理，以氫化島狀半導(dǎo)體層。這是利用熱激活的氫來(lái)限定島狀半導(dǎo)體層中的懸空鍵的工藝步驟。作為另一種氫化方式，可以使用等離子體氫化(使用由等離子體激發(fā)的氫)。此外，如果襯底701的耐熱允許，那么通過(guò)300至450℃下的熱處理對(duì)來(lái)自基底膜的氫化氮氧化硅膜702b和保護(hù)絕緣膜750的氫化氮氧化硅膜的氫進(jìn)行擴(kuò)散，可以氫化島狀半導(dǎo)體層。在完成激活步驟和氫化步驟后，形成平均厚度為1.0至2.0μm的有機(jī)絕緣材料構(gòu)成的層間絕緣膜751。作為有機(jī)樹(shù)脂材料，可以使用聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、polyimidamide、BCB(苯并丁烯)等。例如，當(dāng)使用這種類(lèi)型的聚酰亞胺時(shí)，即在施加給襯底后進(jìn)行熱聚合，材料在清潔的爐內(nèi)烘焙至300℃。當(dāng)使用丙烯酸時(shí)，使用兩種成分類(lèi)型。在將主劑和固化劑混合后，利用旋涂器將混合物涂敷于襯底的整個(gè)表面上。然后利用80℃的熱板進(jìn)行60秒的預(yù)備加熱，接著在250℃的清潔爐內(nèi)進(jìn)行60分鐘的烘焙。通過(guò)由有機(jī)絕緣材料形成層間絕緣膜，可以將其表面令人滿(mǎn)意地平面化。有機(jī)樹(shù)脂材料一般具有低介電常數(shù)，可以降低寄生電容。但是，由于它們是吸濕的，所以它們不適合用作保護(hù)膜。因此，有機(jī)絕緣材料必須與本實(shí)施例中作為保護(hù)絕緣膜750形成的氧化硅膜、氮氧化硅膜或氮化硅膜組合使用。然后，利用光掩模形成具有預(yù)定圖形的抗蝕劑掩模。形成達(dá)到各自島狀半導(dǎo)體層的源區(qū)或漏區(qū)的接觸孔。通過(guò)干式腐蝕來(lái)形成接觸孔。在這種情況下，將CF4、O2和He的混合氣體用作腐蝕氣體。首先腐蝕由有機(jī)絕緣材料形成的層間絕緣膜751。然后，將腐蝕氣體轉(zhuǎn)換為CF4和O2，腐蝕保護(hù)絕緣膜750。為了提高對(duì)島狀半導(dǎo)體層的選擇率，腐蝕氣體還轉(zhuǎn)換為CHF3，腐蝕柵極絕緣膜725。按這種方式，可以令人滿(mǎn)意地形成接觸孔。然后，通過(guò)濺射或真空汽相淀積來(lái)形成導(dǎo)電金屬膜，利用光掩模形成抗蝕劑掩模，通過(guò)腐蝕形成源極布線752至756以及漏極布線757至761。漏極布線762表示相鄰象素的漏極布線。其中，漏極布線761還具有象素電極的功能。盡管在圖中未示出，但該電極由厚度在50至150nm之間的Ti膜形成，與在島狀半導(dǎo)體層中形成源區(qū)或漏區(qū)的半導(dǎo)體薄膜形成接觸，在Ti膜上形成厚度300至400nm的鋁(Al)，從而形成布線。圖10E表示在該狀態(tài)下島狀半導(dǎo)體層715和716、柵極729和730、源極布線752和753以及漏極布線757和758的俯視圖。源極布線752和753通過(guò)在層間絕緣膜(未示出)中排布的接觸孔和參考序號(hào)為830和833的保護(hù)絕緣膜與島狀半導(dǎo)體層715和716連接。此外，漏極布線757和758在831和832中與島狀半導(dǎo)體層715和716連接。同樣，圖11E表示島狀半導(dǎo)體層719的俯視圖，柵極733、電容器布線734、源極布線756、漏極布線761和源極布線756在接觸部分834中與島狀半導(dǎo)體層719連接，在接觸部分835中與漏極布線761連接。總之，通過(guò)在具有第一形狀的島狀半導(dǎo)體層內(nèi)的區(qū)域中除去保留有應(yīng)力的區(qū)域、通過(guò)形成具有第二形狀的的島狀半導(dǎo)體層來(lái)形成TFT。當(dāng)在該狀態(tài)下進(jìn)行氫化處理時(shí)，對(duì)于TFT性能的改善來(lái)說(shuō)，可以獲得有利的效果。例如，在包含3至100％氫的氣氛中，最好在300至450℃下進(jìn)行1至12小時(shí)的熱處理。利用等離子體氫化方法可以獲得同樣的效果。這種熱處理可以把保護(hù)絕緣膜750和基底膜702中存在的氫擴(kuò)散到島狀半導(dǎo)體薄膜715至719中，并可以氫化這些膜?？傊瑣u狀半導(dǎo)體層715至719中的缺陷密度最好降低至1016/cm3或更低，為此，可以按大約5×1018至5×1019原子/cm3的量來(lái)添加氫(圖9C)。因此，可以制成具有驅(qū)動(dòng)電路的TFT和在相同的襯底上具有象素部分的象素TFT的襯底。在驅(qū)動(dòng)電路中形成第一p溝道TFT800、第一n溝道TFT801、第二p溝道TFT802和第二n溝道TFT803。在象素部分中形成象素TFT804和存儲(chǔ)電容器805。在本說(shuō)明書(shū)中，出于方便的緣故，將這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)為“有源矩陣襯底”。驅(qū)動(dòng)電路中第一p溝道TFT800有單漏極結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在島狀半導(dǎo)體薄膜715中包括溝道形成區(qū)806；分別包括高濃度p型雜質(zhì)區(qū)的源區(qū)807a和807b及漏區(qū)808a和808b。在第一n溝道TFT801的島狀半導(dǎo)體薄膜716中形成有溝道形成區(qū)809；疊置柵極730的LDD區(qū)810；源區(qū)812；和漏區(qū)811。在LDD區(qū)中，在溝道方向上疊置柵極730的該LDD區(qū)的長(zhǎng)度為0.5至3.0μm，最好為1.0至2.0μm。由于按這種方式來(lái)確定n溝道TFT中LDD區(qū)的長(zhǎng)度，所以可以減輕漏區(qū)附近出現(xiàn)的強(qiáng)電場(chǎng)，并且可以防止熱載流子的出現(xiàn)和TFT的退化。驅(qū)動(dòng)電路的第二P溝道TFT802類(lèi)似地具有單漏極結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，在島狀半導(dǎo)體薄膜717中形成溝道形成區(qū)813、包括高濃度p型雜質(zhì)的源區(qū)814a和814b及漏區(qū)815a和815b。在第二n溝道TFT803的島狀半導(dǎo)體薄膜718中形成溝道形成區(qū)816、局部疊置柵極732的LDD區(qū)817和818、源區(qū)820和漏區(qū)819。還將疊置柵極732的LDD區(qū)的長(zhǎng)度設(shè)定在0.5和3.0μm之間，最好為1.0至2.0μm。此外，在溝道長(zhǎng)度方向上未疊置柵極的LDD區(qū)的長(zhǎng)度為0.4至4.0μm，最好為1.0至2.0μm。在象素TFT804的島狀半導(dǎo)體薄膜719中形成溝道形成區(qū)821和822、LDD區(qū)823至825、源或漏區(qū)826至828。溝道長(zhǎng)度方向上LDD區(qū)的長(zhǎng)度為0.5至4.0μm，最好為1.5至2.5μm。由電容器布線734、用與柵極絕緣膜相同的材料組成的絕緣膜和與象素TFT804的漏區(qū)828連接的半導(dǎo)體層829來(lái)形成存儲(chǔ)電容器805。在圖9C中，象素TFT804為雙柵極結(jié)構(gòu)。但是，它也可以有單柵極結(jié)構(gòu)或具有多個(gè)柵極的多柵極結(jié)構(gòu)。圖12是表示象素部分的一個(gè)象素的俯視圖。圖中的橫截面A-A’對(duì)應(yīng)于圖9C所示的象素部分的剖面圖。象素TFT804的柵極733通過(guò)圖中未示出的柵極絕緣膜跨越島狀半導(dǎo)體層719。盡管在圖中未示出，但在島狀半導(dǎo)體層中形成源區(qū)、漏區(qū)和LDD區(qū)。參考序號(hào)834表示源極布線756和源區(qū)826之間的接觸部分。參考序號(hào)835表示漏極布線761和漏區(qū)828之間的接觸部分。由從象素TFT804的漏區(qū)828延伸的半導(dǎo)體層829與通過(guò)柵極絕緣膜的電容布線734的重疊區(qū)來(lái)形成存儲(chǔ)電容器805。有源矩陣襯底如上所述那樣制成。按照本實(shí)施例制造的有源矩陣襯底對(duì)應(yīng)于象素部分和驅(qū)動(dòng)電路的規(guī)格排列適當(dāng)結(jié)構(gòu)的TFT。這樣一來(lái)，可以提高工作性能和使用這種有源矩陣襯底的光電裝置的可靠性。應(yīng)該指出，在本實(shí)施例中，象素TFT804的漏極布線761被用作象素電極，有與反射型液晶顯示裝置對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)。但是，通過(guò)形成由與漏極布線761電連接的透明導(dǎo)電膜組成的象素電極，本發(fā)明可以與透射型液晶顯示裝置相適應(yīng)。此外，本實(shí)施例是半導(dǎo)體器件使用的制造工藝方法的實(shí)例，本發(fā)明不限于在本實(shí)施例中所示的材料和數(shù)值范圍。此外，可以由操作者適當(dāng)?shù)卮_定LDD區(qū)域等的排列。實(shí)施例2實(shí)施例1所示的實(shí)例是利用實(shí)施模式1至3中所述的方法對(duì)該膜的激光退火完成非晶半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶。在該實(shí)例中，對(duì)于已經(jīng)結(jié)晶至某種程度但未完全結(jié)晶的半導(dǎo)體薄膜可以代之以激光退火。就是說(shuō)，本發(fā)明的激光退火在這樣的情況下也是有效的，即利用爐內(nèi)退火已經(jīng)結(jié)晶的結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜再接受激光退火，以增強(qiáng)其結(jié)晶度。具體地說(shuō)，實(shí)施模式1至3的激光退火方法可以用于日本專(zhuān)利公開(kāi)No.平7-321339、日本專(zhuān)利公開(kāi)No.平7-131034說(shuō)明的激光照射步驟中，以及一些其它應(yīng)用。在把本發(fā)明用于上述公開(kāi)文件的激光照射步驟后，可以形成通過(guò)該步驟形成的使用結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜的TFT。換句話說(shuō)，本實(shí)施例可以與實(shí)施例1組合。實(shí)施例3本實(shí)施例說(shuō)明利用按照實(shí)施例1和2形成的有源矩陣襯底來(lái)制造有源矩陣型液晶顯示裝置的工藝方法。首先，如圖13A所示，通過(guò)在圖9C所示狀態(tài)的有源矩陣襯底上構(gòu)圖，由樹(shù)脂材料形成間隔層(spacer)901a至901f。另外，可以分散眾所周知的球形二氧化硅(sphericalsilica)等并將其用作間隔層。在本實(shí)施例中，作為樹(shù)脂材料形成的間隔層901a至901f，利用旋涂器來(lái)施加JSR制造的NN700，然后通過(guò)曝光和顯象處理形成指定的圖象。再有，將它在清潔的烘箱等中加熱到150至200℃的溫度以固化。然后，根據(jù)曝光條件和顯象處理?xiàng)l件，可以改變所形成的間隔層的形狀。由于當(dāng)有源矩陣襯底與對(duì)置襯底粘接時(shí)，間隔層確保作為液晶顯示裝置的機(jī)械強(qiáng)度，所以間隔層的最好形狀是帶有平頂?shù)闹巍?duì)間隔層的形狀沒(méi)有特別的限制，其形狀可以為圓錐形狀、角錐形狀等。例如，當(dāng)采用圓錐形狀時(shí)，間隔層的規(guī)定尺寸如下高度H為1.2至5μm，平均半徑L1為5至7μm，平均半徑L1和半徑L2之間的比率為1.5，在其側(cè)邊具有±15或更小的錐角。對(duì)于間隔層901a至901f來(lái)說(shuō)，可以采用任何排列。最好的排列如圖13A所示，在該排列中，形成間隔層以重疊和覆蓋象素部分中漏極布線761(象素電極)的接觸部分835。另外，在接觸部分835處損失水平性，不能適當(dāng)?shù)囟ㄏ蚰抢锏囊壕?。通過(guò)對(duì)間隔層用樹(shù)脂填充接觸部分835，可以防止識(shí)別等。然后形成定向膜902。一般來(lái)說(shuō)，聚酰亞胺樹(shù)脂被用作液晶顯示元件的定向膜。在形成定向膜后，進(jìn)行研磨處理，以便液晶分子以確定的預(yù)定傾角定向。最好使未接受研磨處理的區(qū)域從象素部分中設(shè)置的間隔層901a至901f的末端在研磨方向上延伸等于或小于2μm。在研磨處理中，產(chǎn)生的靜電常常造成麻煩。如果間隔層901a至901f形成一定寬度，以至少覆蓋驅(qū)動(dòng)電路的TFT上的源極布線和漏極布線，那么它們不僅起到作為間隔層的其原有作用，而且還在研磨處理中保護(hù)TFT不受靜電影響。在對(duì)置襯底903上形成遮光膜904、透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的對(duì)置電極905和定向膜906。作為遮光膜904，形成厚度為150至300nm的Ti、Cr或Al膜。然后將對(duì)置襯底用密封材料907與具有象素部分和在其上有形成驅(qū)動(dòng)電路的有源矩陣襯底粘接。濾色器908被混合在密封材料907中，濾色器908和間隔層901a至901f一起粘接于對(duì)置襯底和有源矩陣襯底，在它們之間有均勻的間隙。然后，在襯底之間注入液晶材料909，該液晶材料完全被末端密封材料(未示出)密封。眾所周知的液晶材料可以使用液晶材料909。例如，除了TN液晶以外可以使用的材料是展示光電響應(yīng)的無(wú)閾值反鐵電矩陣液晶，利用該液晶，透射率根據(jù)電場(chǎng)連續(xù)地變化。一些無(wú)閾值反鐵電矩陣液晶顯示這樣的光電響應(yīng)，在繪圖時(shí)形成字母V的形狀。對(duì)于其細(xì)節(jié)而言，參見(jiàn)“CharacteristicsandDrivingSchemeofPloymer-stabilizedMonostableFLCDExhibitingFastResponseTimeandHighContrastRatiowithGray-scaleCapability”，H.Furue等人，SID，1998，“AFull-colorThresholdlessAntiferroelectricLCDExhibitingViewingAnglewithFastResponseTime”，T.Yoshida等人，841，SID‘97DIGEST，1997’，“ThresholdlessAntiferroelectricityinLiquidCrystalsandItsApplicationtoDisplays，S.Inui等人，671-673，J.Mater.Chem.6(4)，1996，和美國(guó)專(zhuān)利No.5594569。因此，制成圖13B所示的有源矩陣型液晶顯示裝置。盡管間隔層901a至901e被分別形成在圖13A和圖13B所示驅(qū)動(dòng)電路的TFT的源極布線和漏極布線上，但可以代之形成間隔層，以覆蓋驅(qū)動(dòng)電路的整個(gè)表面。圖14是有源矩陣襯底的俯視圖，表示象素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分與間隔層和密封材料的位置關(guān)系。掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1401和圖象信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1402作為驅(qū)動(dòng)電路被設(shè)置在象素部分1400周?chē)?。信?hào)處理電路1403例如CPU和存儲(chǔ)器可以附加在其上或不附加在其上。這些驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)連接布線1411與外部的輸入/輸出終端1410連接。在象素部分1400中，從掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1401延伸的柵極布線組1404和從圖象信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1402延伸的源極布線組1405象矩陣那樣交叉，以形成象素。各個(gè)象素設(shè)有象素TFT804和電容器存儲(chǔ)器805。象素部分中設(shè)置的間隔層1406對(duì)應(yīng)于間隔層901f，并可以對(duì)每個(gè)象素來(lái)設(shè)置。另一方面，可以對(duì)每幾個(gè)象素來(lái)設(shè)置或?qū)ε帕谐删仃嚨拿繋资畟€(gè)象素來(lái)設(shè)置一個(gè)間隔層。就是說(shuō)，間隔層與總象素的比率大約為20至100％。驅(qū)動(dòng)電路部分中設(shè)置的間隔層1407至1409可以覆蓋其整個(gè)表面，或可以被分離成多片，以便與圖13A和13B所示的各TFT的源極布線和漏極布線的位置一致。在全部位于襯底701上的象素部分1400、掃描信號(hào)控制電路1401、圖象信號(hào)控制電路1402和其它信號(hào)處理電路1403的外面以及外部輸入/輸出終端1410的里面形成密封材料907。下面參照?qǐng)D15的透視圖說(shuō)明這類(lèi)有源矩陣型液晶顯示器的結(jié)構(gòu)。在圖15中，有源矩陣襯底由在玻璃襯底701上形成的象素部分1400、掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1401、圖象信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1402和其它信號(hào)處理電路1403組成。象素部分1400設(shè)有象素TFT804和電容器存儲(chǔ)器805，象素部分周?chē)O(shè)置的驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)CMOS電路構(gòu)成。掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1401和圖象信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1402分別通過(guò)柵極布線733和源極布線756與象素TFT804連接。柔性印刷電路1413與外部輸入/輸出終端1410連接，目的在于利用它來(lái)輸入圖象信號(hào)等。柔性印刷電路(FPC)1413用增強(qiáng)樹(shù)脂1412固定以增強(qiáng)粘接密度。FPC通過(guò)連接布線1411與各驅(qū)動(dòng)電路連接。盡管圖中未示出，但對(duì)置襯底903設(shè)有遮光膜和透明電極。利用實(shí)施例1和2中所示的有源矩陣襯底，可以構(gòu)成具有這種結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置。例如，采用圖9C所示的有源矩陣襯底，獲得反射型液晶顯示裝置，而使用實(shí)施例1所示的用于象素電極的透明導(dǎo)電膜的有源矩陣襯底時(shí)，獲得透射型液晶顯示裝置。實(shí)施例4盡管實(shí)施例1至3示出了本發(fā)明用于液晶顯示裝置的實(shí)例，但只要使用TFT，本發(fā)明也用于任何半導(dǎo)體器件。具體地說(shuō)，在制造有源矩陣型EL(場(chǎng)致發(fā)光)顯示器件或有源矩陣型EC(電致變色)顯示器件的半導(dǎo)體薄膜的激光退火步驟中可以采用本發(fā)明。在該情況下，可以采用實(shí)施模式1至3的任何一種結(jié)構(gòu)。本發(fā)明是在TFT制造工藝方法以外的與激光退火步驟有關(guān)的發(fā)明，對(duì)于制造工藝方法的其余步驟來(lái)說(shuō)，可以采用眾所周知的步驟。因此，當(dāng)制造有源矩陣型EL顯示裝置或有源矩陣型EC顯示裝置時(shí)，本發(fā)明采用眾所周知的技術(shù)。當(dāng)然，為了制造這些顯示裝置，也可以參照?qǐng)D7A至圖9C的制造工藝方法。實(shí)施例5本發(fā)明可以具體化為帶有光電裝置的電子裝置(也稱(chēng)為電子裝置)，例如有源矩陣型液晶顯示裝置或作為其顯示器的有源矩陣型EL。作為電子裝置，可以舉出個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、攝象機(jī)、便攜式信息終端(例如筆記本電腦、便攜式電話和電子圖書(shū))、導(dǎo)航系統(tǒng)等。圖16A表示個(gè)人計(jì)算機(jī)，它包括設(shè)有微處理器、存儲(chǔ)器等的主體2001、圖象輸入單元2002、顯示單元2003和鍵盤(pán)2004。在構(gòu)成顯示單元2003和其它信號(hào)處理電路中可以采用本發(fā)明。圖16B表示攝象機(jī)，它包括主體2101、顯示單元2102、聲音輸入單元2103、操作開(kāi)關(guān)2104、電池2105和圖象接收單元2106。在構(gòu)成顯示單元2102和其它驅(qū)動(dòng)電路中可以采用本發(fā)明。圖16C表示目鏡式顯示器，它包括主體2201、顯示單元2202和臂部分2203。在構(gòu)成顯示單元2202和其它未示出的驅(qū)動(dòng)電路中可以采用本發(fā)明。圖16D表示電子游戲機(jī)，它包括裝有電子電路2308例如CPU和記錄介質(zhì)2304的主體2301、控制器2305、顯示單元2303和裝入主體2301中的顯示單元2302。顯示單元2303和裝入主體2301中的顯示單元2302可以顯示相同的信息。另外，前者可以用作主顯示單元，而后者可以用作輔助顯示單元，以顯示記錄介質(zhì)2304或游戲機(jī)操作狀態(tài)的信息。通過(guò)對(duì)其附加觸摸傳感器功能，后者可以代替用作操作面板。主體2301、控制器2305和顯示單元2303通過(guò)有線通信或通過(guò)無(wú)線通信或通過(guò)設(shè)有傳感器單元2306、2307的光通信來(lái)彼此傳送信號(hào)。在構(gòu)成顯示單元2302、2303中可以采用本發(fā)明。傳統(tǒng)的CRT顯示器可以用作顯示單元2303。圖16E表示唱機(jī)，該唱機(jī)使用記錄介質(zhì)，在該介質(zhì)中存儲(chǔ)有程序(以下稱(chēng)為記錄介質(zhì))，該唱機(jī)包括主體2401、顯示單元2402、揚(yáng)聲器單元2403、記錄介質(zhì)2404和操作開(kāi)關(guān)2405。DVD(數(shù)字化視頻光盤(pán))、激光唱盤(pán)(CD)等用作記錄介質(zhì)，使唱機(jī)能夠重放音樂(lè)程序，顯示圖象，顯示視頻游戲(或電視圖象)，或顯示通過(guò)因特網(wǎng)獲得的信息。在構(gòu)成顯示單元2402和其它驅(qū)動(dòng)電路中可以采用本發(fā)明。圖16F表示數(shù)字照相機(jī)，它包括主體2501、顯示單元2502、目鏡部分2503、操作開(kāi)關(guān)2504和圖象接收單元(未示出)。在構(gòu)成顯示單元2502和其它驅(qū)動(dòng)電路中可以采用本發(fā)明。圖17A表示正投式投影機(jī)，它包括光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置2601及屏幕2602。在構(gòu)成顯示裝置和其它驅(qū)動(dòng)電路中可以采用本發(fā)明。圖17B表示背投式投影機(jī)，它包括主體2701、光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置2702、反射鏡2703和屏幕2704。在構(gòu)成顯示裝置和其它驅(qū)動(dòng)電路中可以采用本發(fā)明。圖17C表示分別在圖17A和17B中所示的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置2601、2702的結(jié)構(gòu)實(shí)例。各光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置2601、2702由光源光學(xué)系統(tǒng)2801、反射鏡2802、2804至2806、分色鏡2803、光束分離器2807、液晶顯示裝置2808、相差板2809和投射光學(xué)系統(tǒng)2810組成。投射光學(xué)系統(tǒng)2810由多個(gè)光學(xué)透鏡構(gòu)成。圖17C表示三屏板型投影機(jī)，其中使用三個(gè)液晶顯示裝置2808。但是，光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置不限于該類(lèi)型，可以由單屏板型光學(xué)系統(tǒng)組成。圖17C中用箭頭表示的光路可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有光學(xué)透鏡、具有偏振功能的薄膜、調(diào)整相位的薄膜、IR薄膜等。圖17D表示圖17C所示的光源光學(xué)系統(tǒng)2801的結(jié)構(gòu)實(shí)例。在本實(shí)施例中，光源光學(xué)系統(tǒng)2801由反射器2811、光源2812、透鏡陣列2813、2814、偏振轉(zhuǎn)換元件2815和聚光透鏡2816組成。應(yīng)該指出，圖17D所示的光源光學(xué)系統(tǒng)是一個(gè)實(shí)例，該系統(tǒng)2801不限于圖示結(jié)構(gòu)。盡管在這里未示出，但除了上述說(shuō)明的應(yīng)用以外，在制造導(dǎo)航系統(tǒng)、圖象傳感器的讀取電路等中都可以采用本發(fā)明。因此，本發(fā)明的應(yīng)用范圍如此廣闊，以致在制造任何領(lǐng)域的電子裝置中都可以采用本發(fā)明。實(shí)施例6與在構(gòu)圖后采用實(shí)施模式1至3的實(shí)施例1相反，本實(shí)施例表示參照附圖18的實(shí)例，在該實(shí)例中，在構(gòu)圖之前采用實(shí)施模式1的方法來(lái)進(jìn)行激光照射。首先，按照實(shí)施例1獲得圖7A所示的狀態(tài)。接著，實(shí)施使半導(dǎo)體薄膜結(jié)晶的步驟。以下將論述本實(shí)施例采用的結(jié)晶步驟，即用激光照射半導(dǎo)體薄膜的正面和背面，如圖18所示。在圖18中，參考符號(hào)1801表示在其正面帶有絕緣膜1802和非晶半導(dǎo)體薄膜(或微晶半導(dǎo)體薄膜)1803的透光襯底。反射激光的反射部件1804被配置在透光襯底1801之下。透光襯底1801可以是玻璃襯底、石英襯底、晶化玻璃襯底或塑料襯底。透光襯底1801本身可以調(diào)整輔助激光的有效能量密度。對(duì)于絕緣膜1802來(lái)說(shuō)，可以使用包含硅的絕緣膜，例如氧化硅膜或氮氧化硅膜(SiOxNy)。通過(guò)更換絕緣膜1802，可以進(jìn)行輔助激光的有效能量密度的調(diào)整。在圖18的結(jié)構(gòu)中，輔助激光是穿過(guò)非晶半導(dǎo)體薄膜1803一次然后反射在反射部件1804上的激光。因此，利用非晶半導(dǎo)體薄膜1803也可以調(diào)整輔助激光的有效能量密度。非晶半導(dǎo)體薄膜1803的實(shí)例包括化合物半導(dǎo)體薄膜，除了非晶硅膜以外，例如非晶硅鍺膜。襯底表面(在該表面反射激光)上形成的金屬膜可以用作反射部件1804。另外，金屬元素形成的襯底可以用作反射部件1804。在這種情況下，任何材料都可用于金屬膜。金屬膜一般使用包括從硅(Si)、鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中選擇的任何元素。例如，可以采用氮化鈦或氮化鉭(TaN)?？梢栽O(shè)置反射部件1804，與透光襯底1801接觸或與透光襯底分離。也可以在如上所述的襯底1801的背面(正面的相反面)上直接形成金屬膜，代替配置反射部件1804，使激光在金屬膜上反射。在兩種方式中，輔助激光的有效能量密度可以通過(guò)改變反射部件1804的反射來(lái)調(diào)整。如果反射部件1804被遠(yuǎn)離透光襯底1801放置，那么利用反射部件和襯底之間的間隙中帶電氣體也可以調(diào)整輔助激光的有效能量密度。然后用已經(jīng)通過(guò)圖2A和2B所示的光學(xué)系統(tǒng)201(圖中僅示出柱面透鏡207)線性化的激光來(lái)照射非晶半導(dǎo)體薄膜1803。通過(guò)掃描激光來(lái)進(jìn)行具有線性化激光的照射。在任何情況下，重要的是穿過(guò)柱面透鏡207用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜1803正面的主激光1805和輔助激光1806之間的有效密度比(I0′/I0)滿(mǎn)足0＜I0′/I0或1＜I0′/I0的關(guān)系，其中輔助激光1806穿過(guò)非晶半導(dǎo)體薄膜1803并在反射部件1804上反射，用于照射非晶半導(dǎo)體薄膜1803的背面。為此，反射部件1804對(duì)激光的反射最好為20至80％。在這方面，可以組合本實(shí)施例中上述說(shuō)明的用以減弱輔助激光的有效能量密度的某些措施，以獲得期望的密度比。在聚光處理期間，激光按相對(duì)于襯底的正面有45至90的入射角通過(guò)柱面透鏡207。由于該原因，輔助激光1806還達(dá)到非晶半導(dǎo)體薄膜1803的背面，以致照射那里。通過(guò)在反射部件1804的反射面上形成不平坦部分來(lái)擴(kuò)散激光，可以更有效地獲得輔助激光1806。適當(dāng)?shù)募す馐瞧洳ㄩL(zhǎng)設(shè)定在波長(zhǎng)范圍內(nèi)(在530nm周?chē)?的激光，在該激光中，相對(duì)于非晶半導(dǎo)體薄膜1803來(lái)說(shuō)，透光成分和光吸收成分是充分的。在本實(shí)施例中，利用YAG激光器的二次諧波(波長(zhǎng)532nm)來(lái)進(jìn)行結(jié)晶化。利用二次諧波，一部分照射光穿過(guò)非晶半導(dǎo)體薄膜并被反射部件反射，使非晶半導(dǎo)體薄膜的背面被照射。因此，可以有效地獲得輔助激光1806。接著構(gòu)圖獲得的半導(dǎo)體薄膜，以得到島狀半導(dǎo)體薄膜。按照實(shí)施例1來(lái)執(zhí)行剩余步驟，以獲得有源矩陣襯底。本實(shí)施例還可以與實(shí)施例2組合。如果實(shí)施例3與本實(shí)施例一起使用，那么可獲得有源矩陣型液晶顯示裝置。此外，本實(shí)施例也可以用于實(shí)施例4和5所示的半導(dǎo)體裝置。按照本發(fā)明，通過(guò)采用容易維護(hù)的固態(tài)激光器，可以實(shí)現(xiàn)提高使用普通準(zhǔn)分子激光器的激光退火的生產(chǎn)量，以及在激光退火中通過(guò)將激光線性化來(lái)提高生產(chǎn)量。這將導(dǎo)致TFT和由TFT形成的半導(dǎo)體裝置例如液晶顯示裝置的生產(chǎn)成本的降低。此外，通過(guò)用激光照射非晶半導(dǎo)體薄膜的正面和背面實(shí)施激光退火，與現(xiàn)有技術(shù)相比(其中，用激光僅照射非晶半導(dǎo)體薄膜的正面)，可以獲得具有更大晶粒尺寸的結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜。獲得具有更大晶粒尺寸的結(jié)晶半導(dǎo)體薄膜可以更加有助于半導(dǎo)體裝置能力的極大提高。權(quán)利要求1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束在半導(dǎo)體薄膜上的照射區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)寬比大于或等于10的橢圓形；以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的二次諧波。2.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。3.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。4.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。5.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。6.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的二次諧波。7.如權(quán)利要求6的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。8.如權(quán)利要求6的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。9.如權(quán)利要求6的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在塑料基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束在半導(dǎo)體薄膜上的照射區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)寬比大于或等于10的橢圓形；以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的二次諧波。11.如權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。12.如權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。13.如權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。14.如權(quán)利要求10的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。15.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及利用受激準(zhǔn)分子激光器的線性激光束照射源區(qū)和漏區(qū)；其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的二次諧波。16.如權(quán)利要求15的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。17.如權(quán)利要求15的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。18.如權(quán)利要求15的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。19.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；使結(jié)晶的半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的二次諧波。20.如權(quán)利要求19的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。21.如權(quán)利要求19的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。22.如權(quán)利要求19的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。23.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；使半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成島狀半導(dǎo)體薄膜；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射島狀半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的二次諧波。24.如權(quán)利要求23的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。25.如權(quán)利要求23的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。26.如權(quán)利要求23的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。27.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的二次諧波。28.如權(quán)利要求27的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。29.如權(quán)利要求27的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。30.如權(quán)利要求27的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。31.如權(quán)利要求27的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。32.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及通過(guò)用受激準(zhǔn)分子激光器的線性激光束照射源區(qū)和漏區(qū)，其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的二次諧波。33.如權(quán)利要求32的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。34.如權(quán)利要求32的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。35.如權(quán)利要求32的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。36.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；使結(jié)晶的半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的二次諧波。37.如權(quán)利要求36的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。38.如權(quán)利要求36的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。39.如權(quán)利要求36的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。40.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；使半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成島狀半導(dǎo)體薄膜；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射島狀半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的二次諧波。41.如權(quán)利要求40的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。42.如權(quán)利要求40的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。43.如權(quán)利要求40的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，二次諧波的波長(zhǎng)約為532nm。44.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束在半導(dǎo)體薄膜上的照射區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)寬比大于或等于10的橢圓形；以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的三次諧波。45.如權(quán)利要求44的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。46.如權(quán)利要求44的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。47.如權(quán)利要求44的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。48.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的三次諧波。49.如權(quán)利要求48的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。50.如權(quán)利要求48的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。51.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在塑料基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束在半導(dǎo)體薄膜上的照射區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)寬比大于或等于10的橢圓形；以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的三次諧波。52.如權(quán)利要求51的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。53.如權(quán)利要求51的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。54.如權(quán)利要求51的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。55.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及利用受激準(zhǔn)分子激光器的線性激光束照射源區(qū)和漏區(qū)；其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的三次諧波。56.如權(quán)利要求55的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。57.如權(quán)利要求55的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。58.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；使結(jié)晶的半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的三次諧波。59.如權(quán)利要求58的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。60.如權(quán)利要求58的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。61.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；使半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成島狀半導(dǎo)體薄膜；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射島狀半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的三次諧波。62.如權(quán)利要求61的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。63.如權(quán)利要求61的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。64.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的三次諧波。65.如權(quán)利要求64的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。66.如權(quán)利要求64的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。67.如權(quán)利要求64的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。68.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及通過(guò)用受激準(zhǔn)分子激光器的線性激光束照射源區(qū)和漏區(qū)，其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的三次諧波。69.如權(quán)利要求68的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。70.如權(quán)利要求68的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。71.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；使結(jié)晶的半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的三次諧波。72.如權(quán)利要求71的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。73.如權(quán)利要求71的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。74.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；使半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成島狀半導(dǎo)體薄膜；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射島狀半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的三次諧波。75.如權(quán)利要求74的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。76.如權(quán)利要求74的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。77.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束在半導(dǎo)體薄膜上的照射區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)寬比大于或等于10的橢圓形；以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的四次諧波。78.如權(quán)利要求77的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。79.如權(quán)利要求77的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。80.如權(quán)利要求77的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。81.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的四次諧波。82.如權(quán)利要求81的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。83.如權(quán)利要求81的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。84.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在塑料基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束在半導(dǎo)體薄膜上的照射區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)寬比大于或等于10的橢圓形；以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的四次諧波。85.如權(quán)利要求84的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。86.如權(quán)利要求84的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。87.如權(quán)利要求84的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。88.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及利用受激準(zhǔn)分子激光器的線性激光束照射源區(qū)和漏區(qū)；其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的四次諧波。89.如權(quán)利要求88的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。90.如權(quán)利要求88的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。91.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；使結(jié)晶的半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的四次諧波。92.如權(quán)利要求91的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。93.如權(quán)利要求91的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。94.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；使半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成島狀半導(dǎo)體薄膜；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射島狀半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的四次諧波。95.如權(quán)利要求94的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。96.如權(quán)利要求94的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，固態(tài)激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。97.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的四次諧波。98.如權(quán)利要求97的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。99.如權(quán)利要求97的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。100.如權(quán)利要求97的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，長(zhǎng)寬比為100-10000。101.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及通過(guò)用受激準(zhǔn)分子激光器的線性激光束照射源區(qū)和漏區(qū)，其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的四次諧波。102.如權(quán)利要求101的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。103.如權(quán)利要求101的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。104.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；使結(jié)晶的半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的四次諧波。105.如權(quán)利要求104的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。106.如權(quán)利要求104的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。107.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；使半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖以形成島狀半導(dǎo)體薄膜；通過(guò)用連續(xù)波激光束照射島狀半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；在結(jié)晶的島狀半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)、漏區(qū)、LDD區(qū)域以及溝道區(qū)域；以及其中LDD區(qū)域包括被一個(gè)柵電極所覆蓋的第一部分和未被該柵電極所覆蓋的第二部分，以及其中連續(xù)波激光束是包括Nd的激光器的四次諧波。108.如權(quán)利要求107的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。109.如權(quán)利要求107的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，激光器選自YAG激光器、YVO4激光器和YAlO3激光器。全文摘要一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在基底上形成絕緣薄膜；在絕緣薄膜上依次形成半導(dǎo)體薄膜而不將絕緣薄膜暴露在空氣中；以及通過(guò)用連續(xù)波激光束照射半導(dǎo)體薄膜使其結(jié)晶；其中連續(xù)波激光束在半導(dǎo)體薄膜上的照射區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)寬比大于或等于10的橢圓形；以及其中連續(xù)波激光束是固態(tài)激光器的二次、三次或四次諧波。文檔編號(hào)H01L21/20GK1516230SQ0113748公開(kāi)日2004年7月28日申請(qǐng)日期2000年8月14日優(yōu)先權(quán)日1999年8月13日發(fā)明者山崎舜平,一郎,大谷久,司,田中幸一郎,子,笠原健司,河崎律子申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所