專利名稱：電路器件的制造方法
專利說明電路器件的制造方法 [發(fā)明所屬的技術領域]本發(fā)明涉及電路器件的制造方法，特別是不用支撐基板的薄型電路器件的制造方法。以前，在電子裝置中安裝的電路器件，因被移動電話、便攜式計算機等采用，所以正謀求小型化、薄型化、輕型化。
例如，作為電路器件，若以半導體器件為例進行說明，則作為一般的半導體器件，以前通常是用壓鑄密封的封裝型半導體器件。這種半導體器件，如

圖11所示，被安裝在印刷基板PS上。
另外，該封裝型半導體器件是用樹脂層3覆蓋半導體芯片2的周圍，從該樹脂層3的側(cè)面引出與外部連接用的引線端點4的器件。
但是，該封裝型半導體器件1，其引線端點4從樹脂層3引出至外部，因而其整體尺寸大，不滿足小型化、薄型化和輕型化的要求。
因此，各公司競相開發(fā)可能實現(xiàn)小型化、薄型化和輕型化的形形色色的結(jié)構(gòu)，最近，正在開發(fā)稱為CSP(芯片大小封裝)的、與芯片大小相同的晶片尺度的CSP，或者其大小比芯片尺寸略大的CSP。
圖12示出了采用玻璃環(huán)氧樹脂基板5作為支撐基板的比芯片尺寸略大的CSP6。這里，對在玻璃環(huán)氧樹脂基板5上安裝晶體管芯片T的情形進行說明。
在該玻璃環(huán)氧樹脂基板5的表面，形成第1電極7、第2電極8和小片焊區(qū)9，在背面形成第1背面電極10和第2背面電極11。然后，上述第1電極7和第1背面電極10，第2電極8和第2背面電極11經(jīng)通孔TH進行電連接。另外，上述配對晶體管T貼附在小片焊區(qū)9上，晶體管的發(fā)射極和第1電極7經(jīng)金屬細線12相連接，晶體管的基極和第2電極8經(jīng)金屬細線12相連接。進而，在玻璃環(huán)氧樹脂基板5上敷設樹脂層13，以覆蓋晶體管芯片T。
上述CPS6雖然采用了玻璃環(huán)氧樹脂基板5，但與晶片尺度CSP不同，它呈從芯片T到外部連接用的背面電極10、11的延展結(jié)構(gòu)，具有結(jié)構(gòu)簡單、可廉價制造的優(yōu)點。
另外，如圖11所示，上述CPS6被安裝在印刷基板PS上。在印刷基板PS上，設置構(gòu)成電路的電極、布線，并電連接和貼附上述CSP6、封裝型半導體器件1、芯片電阻器CR或芯片電容器CC等。
然后，將用這樣的印刷基板構(gòu)成的電路安裝在各色各樣的裝置中。
下面參照圖13和圖14對該CSP的制造方法進行說明。
首先，準備玻璃環(huán)氧樹脂基板5作為基礎構(gòu)件(支撐基板)，在它的兩面經(jīng)絕緣性粘接劑壓接上Cu箔20、21。(以上參照圖13A。)接著，在對應于第1電極7、第2電極8、小片焊區(qū)9、第1背面電極10和第2背面電極11的Cu箔20、21處覆蓋耐刻蝕的抗蝕劑22，對Cu箔20、21制作圖形。而且，構(gòu)制圖形最好是正反面分別進行。(以上參照圖13B。)接著，利用鉆頭或激光在上述玻璃環(huán)氧樹脂基板上形成用于通孔TH的孔，對該孔進行鍍覆，形成通孔TH。借助于該通孔TH，第1電極7和第1背面電極10，第2電極8和第2背面電極11進行電連接。(以上參照圖13C。)進而，在形成鍵合接線柱的第1電極7、第2電極8上鍍Au，同時也在形成小片鍵合接線柱的小片焊區(qū)9上鍍Au和對晶體管芯片T進行小片鍵合，這些在附圖中均從略。
最后，使晶體管芯片T的發(fā)射極和第1電極7，晶體管芯片T的基極和第2電極8，經(jīng)金屬細線12相連接，并用樹脂層13覆蓋住。(以上參照圖13D。)按照以上的制造方法，就制成了采用支撐基板5的CSP型電氣元件。即使采用柔性薄片作支撐基板，其制造方法也是一樣。
另一方面，圖14的流程示出了采用陶瓷基板的制造方法。準備好作為支撐基板的陶瓷基板后，形成通孔，然后用導電膏印刷表面和背面電極并燒結(jié)。此后，直到上述制造方法中的覆蓋樹脂層，都與圖13的制造方法相同，但是，陶瓷基板極易碎，因此，與柔性薄片或玻璃環(huán)氧樹脂基板不同，因為會立即破碎，所以有不能使用金屬模具進行澆注的問題。因此，在澆注并固化密封樹脂后，要進行研磨，使密封樹脂平坦，最后，使用切割裝置進行單片分離。在圖12上，晶體管芯片T、連接電極7～12以及樹脂層13，在進行與外部的電連接和晶體管的保護方面，是必要的構(gòu)成要素，但憑借僅此構(gòu)成要素，還難以提供實現(xiàn)小型化、薄型化、輕型化的電路元件。
另外，如前所述，構(gòu)成支撐基板的玻璃環(huán)氧樹脂基板5本來是不必要的。但是，在制造方法上，為將電極貼合，采用它作為支撐基板，因此，該玻璃環(huán)氧樹脂基板5是不能不要的。
因此，由于采用了該玻璃環(huán)氧樹脂基板5，使成本提高，進而，因玻璃環(huán)氧樹脂基板5厚，使電路元件變厚，對小型化、薄型化、輕型化造成限制。
進而，在用玻璃環(huán)氧樹脂基板或陶瓷基板時，連接兩面的電極的通孔形成工序一定是不可缺少的，因此還存在制造流程長的問題。本發(fā)明鑒于以上述諸課題，其特征在于，包括準備導電箔，在至少形成有多個電路元件的裝載部的除導電圖形以外區(qū)域的上述導電箔上，形成比上述導電箔的厚度淺的分離槽，以形成導電圖形的工序；用抗蝕劑層覆蓋上述導電圖形和上述分離槽表面，在上述導電圖形的所希望的區(qū)域形成電鍍層的工序；在所希望的上述導電圖形的上述各裝載部的上述電鍍層上貼附電路元件的工序；用絕緣樹脂整體澆注，將各裝載部的上述電路元件一并覆蓋，使上述分離槽被充填的工序；除去未設置上述分離槽的厚度部分的上述導電箔的工序；以及用切割方法將上述絕緣樹脂分離成各單個裝載部的工序。
在本發(fā)明中，形成導電圖形的導電箔是初始材料，直到進行絕緣樹脂澆注，導電箔都起支撐作用，澆注之后，由于絕緣樹脂有支撐功能，所以能夠不要支撐基板，可解決現(xiàn)有的課題。
另外，在本發(fā)明中，由于在形成分離槽之后，在導電圖形的所希望區(qū)域有選擇地形成電鍍層，并在電鍍層上進行電路元件的小片鍵合，所以可以實現(xiàn)電路元件和導電圖形的良好接觸，而且通過對每一個區(qū)塊進行處理，能批量生產(chǎn)多個電路器件，能夠解決現(xiàn)有的課題。圖1是本發(fā)明的制造流程說明圖。
圖2是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖3是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖4是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖5是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖6是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖7是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖8是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖9是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖10是本發(fā)明的電路器件的制造方法說明圖。
圖11是現(xiàn)有的電路器件的安裝結(jié)構(gòu)說明圖。
圖12是現(xiàn)有的電路器件說明圖。
圖13是現(xiàn)有的電路器件制造方法說明圖。
圖14是現(xiàn)有的電路器件制造方法說明圖。首先，參照圖1對本發(fā)明的電路器件的制造方法進行說明。
本發(fā)明由如下工序構(gòu)成準備導電箔，在至少形成有多個電路元件的裝載部的除導電圖形以外區(qū)域的上述導電箔上，形成比上述導電箔的厚度淺的分離槽，以形成導電圖形的工序；用抗蝕劑層覆蓋上述導電圖形和上述分離槽表面，在上述導電圖形的所希望的區(qū)域形成電鍍層的工序；在所希望的上述導電圖形的上述各裝載部的上述電鍍層上貼附電路元件的工序；形成將上述各裝載部的電路元件的電極與所希望的上述導電圖形進行電連接的連接電極的工序；用絕緣樹脂整體澆注，將各裝載部的上述電路元件一并覆蓋，使上述分離槽被充填的工序；除去未設置上述分離槽的厚度部分的上述導電箔的工序；以及用切割方法將上述絕緣樹脂分離成各單個裝載部的工序。
圖1所示流程與上述工序不太一致，通過Cu箔、鍍Ag、半刻蝕這3道工序形成導電圖形。通過電鍍工序?qū)Σ糠謱щ妶D形形成電鍍層。通過小片鍵合和引線鍵合這2道工序，使電路元件向各裝載部貼附以及電路元件的電極經(jīng)電鍍層與導電圖形連接。通過壓鑄的工序進行絕緣樹脂的整體澆注。通過除去背面Cu箔的工序?qū)o分離槽的厚度部分的導電箔進行刻蝕。通過背面處理工序?qū)β冻鲇诒趁娴膶щ妶D形的電極進行處理。通過測量工序?qū)M裝到各裝置部上的電路元件進行合格品鑒別和特性分類。通過切割工序用切割法從絕緣樹脂上進行單個電路元件的分離。
以下參照圖2～圖10對本發(fā)明的各工序進行說明。
本發(fā)明的第1工序，如圖2至圖4所示，是準備導電箔60，在至少形成有多個電路元件52的裝載部的除導電圖形51以外的區(qū)域的導電箔60上，形成比導電箔60的厚度淺的分離槽61，以形成導電圖形51。
在本工序中，首先，準備如圖2A的薄片狀導電箔60。在考慮到焊料的附著性能、鍵合性能、電鍍性能的情況下選擇該導電箔60的材料，可采用以Cu為主材料的導電箔、以Al為主材料的導電箔或者由Fe-Ni等合金構(gòu)成的導電箔等作為材料。
考慮到以后的刻蝕，導電箔的厚度以10μm～300μm左右為宜，這里采用了70μm(2盎司)的銅箔。但是，在10μm以上或300μm以下基本上是可以的。如后所述，只要能形成比導電箔60的厚度淺的分離槽61即可。
另外，薄片狀的導電箔60以一定的寬度，例如45mm，卷成卷準備著，這有利于在后述各工序中的傳送，也可以準備切成一定大小的長條狀導電箔60，在后述各工序中傳送。
具體地說，如圖2B所示，在長條狀導電箔60上，排列4～5個分離的、其上形成多個裝載部的區(qū)塊62。在各區(qū)塊62之間設置窄縫63，以吸收由澆注工序中的加熱處理所產(chǎn)生的導電箔60的應力。另外，在導電箔60的上下邊緣以設定的間隔設置指示孔64，用以在各工序中定位。
接著，形成導電圖形。
首先，如圖3所示，在Cu箔60上形成光致抗蝕劑(抗刻蝕掩模)PR，對光致抗蝕劑PR構(gòu)建圖形，使得除構(gòu)成導電圖形51的區(qū)域的導電箔60露出。然后，如圖4A所示，經(jīng)光致抗蝕劑PR有選擇地刻蝕導電箔60。
通過刻蝕形成的分離槽61的深度例如為50μm，由于其側(cè)面為粗糙面，所以與絕緣樹脂50的粘結(jié)性被提高了。
另外，該分離槽61的側(cè)壁，雖然在圖上原理性地示以直線，但它具有因除去方法而異的結(jié)構(gòu)。該除去工序可采用濕法刻蝕、干法刻蝕、激光蒸發(fā)或切割法。在濕法刻蝕的場合，刻蝕劑主要采用氯化鐵或氯化銅，上述導電箔或浸漬在該刻蝕劑中，或用該刻蝕劑進行噴淋。這里，由于濕法刻蝕通常是一種非各向異性刻蝕，所以側(cè)面形成彎曲結(jié)構(gòu)。
另外，在于刻蝕的場合，各向異性地、非各向異性地進行刻蝕都是可能的。現(xiàn)在，雖然說用反應性離子刻蝕除去Cu是不可能的，但可以用濺射法除去。另外，依據(jù)濺射條件可進行各向異性刻蝕或非各向異性刻蝕。
另外，可利用激光，直接照射激光能夠形成分離槽61，這時，無論如何，分離槽61的側(cè)面都形成筆直狀。
在圖4B中，示出了具體的導電圖形51。該圖對應于圖2B所示的區(qū)塊62之一的放大圖。一片涂黑的部分是一個裝載部65，它構(gòu)成導電圖形51，在一個區(qū)塊62中排列了呈5行10列矩陣狀的多個裝載部65，對每個裝載部65設置了相同的導電圖形。在各區(qū)塊的周圍，設置框狀圖形66，在與其稍稍分離的它的內(nèi)側(cè)，設置了用于切割時的對位標記67?？驙顖D形66用于與澆注模具的配合，另外，它還具有在導電箔60的背面被刻蝕后，增強絕緣樹脂50的功能。
本發(fā)明的第2工序，如圖5所示，是用抗蝕劑層80覆蓋導電圖形51和分離槽61的表面，在導電圖形51的所希望區(qū)域形成電鍍層81。
在本工序中，先除去形成分離槽61時使用的光致抗蝕劑PR，在清洗導電圖形51和分離槽61表面后，用電鍍法在整個面上附著抗蝕劑層80。
其次，通過曝光、顯影，除去導電圖形51上貼附電路元件52的小片焊區(qū)和鍵合焊區(qū)上的抗蝕劑層80，有選擇地使導電圖形51露出。然后通過電解電鍍在那里形成電鍍層81。因此，電鍍層81常常以比導電圖形51小的形狀形成，這對以后的工序中的圖形識別起重要作用，可考慮用作該電鍍層81的材料有Ag、Ni、Au、Pt或Pd等。這些材料具有原樣用作小片焊區(qū)、鍵合焊區(qū)的特征。在制造上最合適的材料是Ag、Au，而以Ag的價格為廉。
例如，Ag鍍層能同Au結(jié)合，也能同焊料結(jié)合。因此，如果在芯片的背面覆蓋Au膜，就能直接將芯片熱壓焊到導電圖形51上的Ag鍍層上，另外，也能經(jīng)焊錫等焊料貼附芯片。還有，能在Ag鍍層上焊接Au細線，所以也可以進行引線鍵合。因此，它具有能將電鍍層直接用作小片焊區(qū)、鍵合焊區(qū)的優(yōu)點。
本發(fā)明的第3工序，如圖6所示，是在各裝載部65的所希望的導電圖形51的電鍍層81上貼附電路元件52，和形成將各裝載部65的電路元件52的電極與所希望的導電圖形51的電鍍層81電連接的連接電極。
電路元件52是晶體管、二極管、IC芯片等半導體器件以及芯片電容器、芯片電阻器等無源元件。另外，也可以安裝CSP、BGA等倒裝半導體器件，不過這時厚度要厚些。
這里，配對晶體管芯片52A被小片鍵合到導電圖形51A的電鍍層81上，發(fā)射極和導電圖形51B的電鍍層81，基極和導電圖形51B的電鍍層81，經(jīng)用熱壓的球形鍵合或超聲的楔形鍵合等方法粘附的金屬細線55A相連接。另外，52B是芯片電容器或無源元件，它們用焊錫等焊料或者導電膏55B粘附。
在本工序中，由于在各區(qū)決62內(nèi)集成了多個導電圖形51，所以具有能以極高的效率進行電路元件52的貼附和引線鍵合的優(yōu)點。另外，在進行小片焊區(qū)和鍵合焊區(qū)的圖形識別時，通過對照導電圖形51和電鍍層81，很容易識別電鍍層81，因此具有能防止由分離槽61的光漫反射引起的識別障礙的優(yōu)點。
本發(fā)明的第4工序如圖7所示，是用絕緣樹脂50整體澆注，將各裝載部63的電路元件52一并覆蓋，并將分離槽61充填。
在本工序中，如圖7A所示，絕緣樹脂50完全覆蓋了電路元件52A、52B以及多個導電圖形51A、51B、51C，并且絕緣樹脂50充填在導電圖形51之間的分離槽61中，它們與導電圖形51A、51B、51C的側(cè)面相粘結(jié)，得到了牢固的固定效果。這樣，借助于絕緣樹脂50支撐了導電圖形51。
另外，本工序可用壓鑄、注塑、或者浸漬方法來實現(xiàn)。作為樹脂材料，使用環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂時，可用壓鑄法實現(xiàn)，用聚酰亞胺樹脂、聚亞苯基硫醚等熱可塑性樹脂時，可用注塑來實現(xiàn)。
進而，在本工序中進行壓鑄或注塑時，如圖7B所示，對各區(qū)塊62要使裝載部63納入一個共用的模塑模具中，對各區(qū)塊，分別用一團絕緣樹脂50整體地進行澆注。因此，與現(xiàn)有的如壓鑄等那樣對各裝載部分別澆注的方法相比，可謀求樹脂量的大幅削減。
對覆蓋在導電箔60表面上的絕緣樹脂50的厚度加以調(diào)整，使得從電路元件52的鍵合引線55A的最上部起，約有100μm受到覆蓋。根據(jù)對強度的考慮，該厚度可厚可薄。
本工序的特點是在覆蓋絕緣樹脂50之前，由形成導電圖形51的導電箔60構(gòu)成支撐基板。以往，如圖13那樣，采用原本不必要的支撐基板5形成導電線路7～11，而在本發(fā)明中，構(gòu)成支撐基板的導電箔60是作電極材料的必要材料。因此，具有能盡量節(jié)省構(gòu)成材料進行制作的優(yōu)點，從而可實現(xiàn)成本降低。
另外，由于分離槽61以比導電箔的厚度為淺的深度形成，所以導電箔60并未分離成一個一個的導電圖形51。因此，作為薄片狀的導電箔60可整體處理，故具有在澆注絕緣樹脂50時，向模具上搬運，向模具上安裝的操作非常方便的特征。
本發(fā)明的第5工序，如圖7所示，往往將未設置分離槽的厚度部分的導電箔60除去。
本工序是用化學的和/或物理的方法除去導電箔60的背面，使導電圖形51分離。該工序通過研磨、磨削、蝕刻、用激光使金屬蒸發(fā)等方法實施。
在實驗中，用研磨裝置或磨削裝置將整個面削去約30μm，讓絕緣樹脂50從分離槽61中露出。在圖7中用虛線示出了該露出面。其結(jié)果是，分離成約40μm厚的導電圖形51。另外，也可以對整個面濕法刻蝕導電箔60至絕緣樹脂50露出，以此使絕緣樹脂50露出。
此結(jié)果形成了導電圖形51的背面在絕緣樹脂50上露出的結(jié)構(gòu)。即，充填了分離槽61的絕緣樹脂50的表面和導電圖形51的表面實際是相同的結(jié)構(gòu)。因此，由于在本發(fā)明的電路器件53上，沒有設置如圖12所示的以往的背面電極10，11那樣的臺階，所以具有安裝時可依靠焊錫等的表面張力，原樣在水平面上移動，進行自對準的特點。
進而，進行導電圖形51的背面處理，得到圖8所示的最終結(jié)構(gòu)。即，根據(jù)需要，在露出的導電圖形51上覆蓋焊錫等導電材料，制成為電路器件。
本發(fā)明的第6工序如圖9所示，對用絕緣樹脂50一并澆注的各裝載部63的電路元件52的特性進行測定。
在上一工序中進行過導電箔60的背面刻蝕之后，使各區(qū)塊62從導電箔60上脫離。由于該區(qū)塊62用絕緣樹脂50與導電箔60的剩余部分相連接，所以無需使用切斷工具用機械方法從導電箔60的剩余部分上揭下，就能達到目的。
在各區(qū)塊62的背面，如圖9所示，露出了導電圖形51的背面，各裝載部65與導電圖形51形成時完全相同，排列成矩陣狀。用探針68對準該導電圖形51中從絕緣樹脂50露出的背面電極56，分別測定各裝載部65的電路元件52的特性參數(shù)，對其合格與否進行判定，并在不合格品上用磁性墨水等打上標記在本工序中，由于各裝載部65的電路器件53借助于絕緣樹脂50對每個區(qū)塊整體進行支撐，所以未零散地分離成單個器件。因此，通過將置于測試器承載臺上的區(qū)塊62，依一個裝載部65的尺寸，如箭頭所示，在縱向和橫向步進傳送，可以極快地、批量地對區(qū)塊62的各裝載部65的電路器件53進行測試。即，由于可以不要以往所必須的電路器件的正反面判別、電極位置的識別等，所以能謀求測定時間的大幅度縮短。
本發(fā)明的第7工序，如圖10所示，是通過切割將絕緣樹脂50分離成各裝載部65。
在本工序中，用真空將區(qū)塊62吸附到切割裝置的承載臺上，用切割刀片69沿各裝載部65之間的切割線70，切割分離槽61的絕緣樹脂50，以分離成單個的電路器件53。
在本工序中，切割刀片69以切斷絕緣樹脂50的切削深度工作，用直接吸附筒夾從切割裝置的承載臺上收入攻絲的收容孔中即可。另外，切割時，要識別預先在上述第1工序中設置的與各區(qū)塊周圍的框狀圖形66成為一體的相向配置的對位標記67，以此為基準進行切割。眾所周知，切割時在縱向?qū)⑺星懈罹€70進行切割后，再將承載臺旋轉(zhuǎn)90度，沿橫向的切割線70進行切割。在本發(fā)明中，使構(gòu)成導電圖形材料的導電箔本身起支撐基板的作用，在形成分離槽或安裝電路元件、覆蓋絕緣樹脂之前，以導電箔支持全體，另外，將導電箔分離為各導電圖形時，使絕緣樹脂起支撐基板的作用。因此，能夠以電路元件、導電箔、絕緣樹脂這些最低限度的必要構(gòu)件進行制造。如在以往的實施例中說明過的，構(gòu)成原先的電路器件用的支撐基板成為不必要，因而成本可以低廉。另外，由于不要支撐基板、導電圖形掩埋在絕緣樹脂中，因而還具有能通過調(diào)節(jié)絕緣樹脂和導電箔的厚度，形成非常薄的電路器件的優(yōu)點。
另外，在本發(fā)明中，通過在導電圖形上配置電鍍層，第1，具有可以壓低電路元件和導電圖形的接觸電阻，可批量進行良好的小片鍵合的優(yōu)點；第2，具有可以切實進行引線鍵合的優(yōu)點；第3，具有小片鍵合和引線鍵合工序中的既有圖形識別，又沒有與由分離槽造成的光漫反射有關的誤識別的優(yōu)點。
接著，在本發(fā)明中，由于在絕緣樹脂的模塑工序中對每一區(qū)塊進行整體澆注，所以樹脂用量得以大幅度削減。
進而，具有在切割工序中利用對位標記從而可迅速而可靠地識別切割線的優(yōu)點。進而，就切割而言，只進行絕緣樹脂層切斷就可以了，由于不切斷導電箔，所以切割刀片的壽命能夠延長，也不發(fā)生切割導電箔時所產(chǎn)生的金屬毛刺。
另外，由圖13可知，由于可以省去通孔形成工序、導體印刷工序(陶瓷基板的場合)等，所以與現(xiàn)有的相比，具有能大大縮短制造工序，全流程能內(nèi)部作業(yè)的優(yōu)點。另外，框架模具也全都不需要，所以它是具有極短交貨期的制造方法。
權利要求
1.一種電路器件的制造方法，其特征在于，包括準備導電箔，在至少形成有多個電路元件的裝載部的除導電圖形以外區(qū)域的上述導電箔上，形成比上述導電箔的厚度為淺的分離槽，以形成導電圖形的工序；用抗蝕劑層覆蓋上述導電圖形和上述分離槽表面，在上述導電圖形的所希望的區(qū)域形成電鍍層的工序；在所希望的上述導電圖形的上述各裝載部的上述電鍍層上貼附電路元件的工序；用絕緣樹脂整體澆注，將各裝載部的上述電路元件一并覆蓋，使上述分離槽被充填的工序；除去未設置上述分離槽的厚度部分的上述導電箔的工序；以及用切割方法將上述絕緣樹脂分離成各單個裝載部的工序。
2.一種電路器件的制造方法，其特征在于，包括準備導電箔，在至少形成有多個電路元件的裝載部的除導電圖形以外區(qū)域的上述導電箔上，形成比上述導電箔的厚度為淺的分離槽，以形成導電圖形的工序；用抗蝕劑層覆蓋上述導電圖形和上述分離槽表面，在上述導電圖形的所希望的區(qū)域形成電鍍層的工序；在所希望的上述導電圖形的上述各裝載部的上述電鍍層上貼附電路元件的工序；形成將上述各裝載部的電路元件的電極與所希望的上述導電圖形電連接的連接電極的工序；用絕緣樹脂整體澆注，將各裝載部的上述電路元件一并覆蓋，使上述分離槽被充填的工序；除去未設置上述分離槽的厚度部分的上述導電箔的工序；以及用切割方法將上述絕緣樹脂分離成各單個裝載部的工序。
3.如權利要求1或2所述的電路器件的制造方法，其特征在于上述導電箔用銅、鋁、鐵-鎳中的任何一種構(gòu)成。
4.如權利要求1或2所述的電路器件的制造方法，其特征在于上述電鍍層以比上述導電圖形小的形式形成。
5.如權利要求4所述的電路器件的制造方法，其特征在于上述電鍍層通過鍍金或鍍銀形成。
6.如權利要求1或2所述的電路器件的制造方法，其特征在于在上述導電箔上有選擇地形成的上述分離槽通過化學或物理刻蝕法形成。
7.如權利要求1或2所述的電路器件的制造方法，其特征在于上述電路元件將半導體配對芯片、芯片電路部件的任何一種或者兩者貼附起來。
8.如權利要求2所述的電路器件的制造方法，其特征在于上述連接電極由引線鍵合形成。
9.如權利要求8所述的電路器件的制造方法，其特征在于上述引線鍵合是在上述導電圖形的上述電鍍層上進行的。
10.如權利要求8所述的電路器件的制造方法，其特征在于通過對照上述導電圖形和上述電鍍層，進行上述引線鍵合的位置識別。
11.如權利要求1或2所述的電路器件的制造方法，其特征在于上述絕緣樹脂用壓鑄法附著。
12.如權利要求1或2所述的電路器件的制造方法，其特征在于排列了多個將在上述導電箔上至少形成多個電路元件的裝載部的導電圖形排列成矩陣狀的區(qū)塊。
13.如權利要求12所述的電路器件的制造方法，其特征在于用壓鑄法將上述絕緣樹脂附著在每個上述區(qū)塊上。
14.如權利要求12所述的電路器件的制造方法，其特征在于對每個用上述絕緣樹脂澆注的上述各區(qū)塊，用切割法分離成各個裝載部。
15.如權利要求14所述的電路器件的制造方法，其特征在于利用與上述導電圖形一起形成的對準標記進行切割。
16.如權利要求14所述的電路器件的制造方法，其特征在于利用與上述導電圖形一起形成的對置的對準標記進行切割。
全文摘要
本發(fā)明的課題是以陶瓷基板、柔性薄片等作為支撐基板安裝電路元件的電路器件。但是存在這些支撐基板的厚度構(gòu)成了電路器件小型、薄型化的障礙的問題。利用分離槽61,在導電箔60上形成每一區(qū)塊的導電圖形51之后,由于在導電圖形51上有選擇地配置了電鍍層81,所以可以實現(xiàn)能穩(wěn)定地進行電路元件52的小片鍵合,并且能穩(wěn)定地進行引線鍵合的節(jié)省資源的、適于批量生產(chǎn)的電路器件的制造方法。
文檔編號H01L23/50GK1377215SQ0113759
公開日2002年10月30日 申請日期2001年10月30日 優(yōu)先權日2001年3月22日
發(fā)明者坂本則明, 小林義幸, 阪本純次, 岡田幸夫, 五十嵐優(yōu)助, 前原榮壽, 高橋幸嗣 申請人:三洋電機株式會社