專利名稱:熱處理裝置和熱處理方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及對半導體單晶片等被處理體實施單片成膜處理等的熱處理裝置和熱處理方法。
背景技術(shù):
一般來說,在半導體集成電路的制造中,對半導體單晶片等的被處理體進行成膜處理、蝕刻處理、氧化擴散處理等各種處理。在高集成化、高微細化及薄膜化日新月異的今天,提高上述處理中的膜質(zhì)成為重大課題。在這種狀況下,開發(fā)了原子層堆積法(Atomic Layer Deposition以下稱ALD)作為得到良好膜質(zhì)的膜的成膜方法。
ALD就是利用針對吸附面的原料氣體的第一層的吸附能和第二層以后的吸附能之差,以原子水平或分子水平堆積每層所期望的膜。具體地說,就是通過控制成膜時的溫度、壓力,即,使溫度、壓力反復地上升、下降,一邊除去第二層以后的剩余原料氣體一邊成膜。
下面,以使用四氯化鈦(TiCl4)和氨(NH3)作為原料進行氮化鈦(TiN)成膜的情況為例來詳細敘述ALD。
進行ALD的熱處理裝置在特開平6-244143號公報、特開平7-78766號公報、特開平7-153706號公報等都有公開。圖6是表示用于進行上述ALD的熱處理裝置的結(jié)構(gòu)的一個示例。
如圖6所示,熱處理裝置102例如具有截面略呈圓形狀的鋁制的容器104。形成的容器104下部直徑比上部直徑小。由此,容器104內(nèi)部的容量盡可能小,以便得到高的排氣效率。在容器104的側(cè)壁設(shè)置有用于導入處理氣體的石英制的管嘴106。通過管嘴106向處理空間S供給處理氣體。
在容器104的側(cè)壁設(shè)置有門閥108。該門閥108是用于將作為被處理體的半導體單晶片搬入到容器104或搬出容器104。門閥108可以進行密封地開關(guān)。
在容器104的下部,如上所述,形成比上部窄的下部空間110。中空圓筒狀的軸112從容器104的底部豎直貫通下部空間110。軸112貫通容器104的底部,容器104的底部和軸112的接合部利用O形環(huán)等密封部件114密封。
在軸112的上部,例如,固定有厚度t1為數(shù)cm的圓板狀載置臺116。載置臺116的上面可以載置半導體單晶片W。另外,在載置臺116的內(nèi)部設(shè)置有按規(guī)定圖案配置的由電阻體形成的加熱器118。載置臺116由燒結(jié)的例如由氮化鋁等形成的陶瓷構(gòu)成。軸112使用與載置臺116同樣的材料,例如由氮化鋁構(gòu)成,通過固相接合120與載置臺116接合。另外,載置臺116設(shè)置有貫通其上下的由石英等形成的升降支桿126,可通過空氣汽缸128進行升降。
加熱器118與穿過中空軸112內(nèi)部的電線122連接,通過電線122給加熱器118提供電力。因此,軸112的內(nèi)部形成大氣環(huán)境氛圍,充分進行電線122的散熱,可防止燒損。
設(shè)定軸112的長度L1要考慮到下端設(shè)置的密封部件114的耐熱性。也就是說,例如,長度L1設(shè)定為30cm左右,在設(shè)置載置臺116的上端和下端之間,能確保足夠的溫度差。另外,為了保護密封部件114,容器104的底部設(shè)置有冷卻水流動的冷卻套124。
容器104下部側(cè)壁形成連接于下部空間110的排氣口130。排氣口130與連接于未圖示的排氣裝置的排氣管132相連。通過排氣裝置,包含下部空間110的容器104內(nèi)可以設(shè)定為高真空。
下面,利用上述熱處理裝置102,說明通過ALD來進行TiN成膜的工序。
首先,將載置臺116維持在適于TiCl4附著的溫度例如600℃,在短時間內(nèi)例如在數(shù)秒鐘內(nèi)把TiCl4氣體導入到容器104內(nèi)。因此,根據(jù)需要,TiCl4氣體即使與載氣一起導入也可以。由此,單晶片W的表面附著有多層TiCl4分子層。
接著,將容器104內(nèi)排氣到例如1.33×10-3Pa(10-5Torr)左右的高真空,同時,使載置臺116的溫度降溫到適于NH3附著的溫度例如300℃。在該排氣過程中,由于吸附能之差,單晶片W的表面附著的TiCl4分子層殘留下第1層分子層后飛散。由此,在單晶片W表面附著有1層的TiCl4層。
通過排氣,容器104內(nèi)的壓力達到1.33×10-3Pa左右,而且載置臺116的溫度為300℃左右,在短時間內(nèi)例如在數(shù)秒鐘內(nèi)把NH3氣體導入到容器104內(nèi)。通過氣體的導入,容器104內(nèi)的壓力回到133Pa(1Torr)左右。因此,根據(jù)需要,NH3氣體即使與載氣一起導入也可以。由此,單晶片表面的1層TiCl4分子和NH3氣體進行反應(yīng)形成1層TiN層,TiN層上面附著有多層的NH3分子層。
接著,容器104內(nèi)排氣到1.33×10-3Pa左右的同時,載置臺116升溫到例如600℃。這時,除了TiN膜上附著的第1層的NH3分子以外,第2層以上的NH3分子層飛散。
接著,在數(shù)秒內(nèi)把TiCl4氣體導入到容器104內(nèi)。這時,TiN膜上的1層NH3分子層和TiCl4進行反應(yīng)形成1層TiN膜,同時,該TiN膜上附著有多層TiCl4分子層。因此,這時單晶片W表面形成2層TiN膜。
然后,進行與上述同樣的操作,即反復地進行規(guī)定次數(shù)各原料的分別供給和排氣、以及載置臺116的升降溫,使TiN膜一層一層地堆積,得到所期望厚度的TiN膜。上述操作例如要反復進行100~數(shù)百次左右。
如上所述,由于通過ALD可以一層一層地成膜,所以能高精度地控制膜厚。而且能得到整體膜質(zhì)高的膜。另外,因為能使每1分子層堆積,所以即使膜質(zhì)稍有變化等,也可以擁有特性梯度。
可是,如上所述,ALD需要反復多次地進行載置臺116的升降溫、容器104內(nèi)氣體的供給和排氣。因此,為了得到高生產(chǎn)性及高生產(chǎn)率,必須在短時間內(nèi)且迅速地進行升降溫及排氣。
但是,在上述熱處理裝置102中,因為載置臺116的厚度t1為數(shù)cm左右,所以熱容量比較大、升降溫要花費時間。另外,載置臺116的降溫是借助于與該載置臺116接合的軸112,并通過容器104底部的冷卻套124來進行散熱的。但是,由陶瓷形成的軸112的熱傳導率比較低,就這點來說,載置臺116的降溫要花費時間。
為了提高降溫速度,通??紤]到縮短軸112、使用熱傳導性良好的材料。但是,過于縮短軸112的長度時,由于熱會損傷耐熱溫度為150C~200℃左右的密封部件114。另外,軸112使用與陶瓷制的載置臺116的線膨脹率不同的其它材料時,會在相互的接合部120附近產(chǎn)生破損。
另外,通過確保軸112的長度L1為某種程度,下部空間110的容積也增大了,所以容器104整體的容積也增大了。因此,達到規(guī)定的真空狀態(tài)的排氣也要花費時間。
這樣,現(xiàn)有的熱處理裝置的問題是載置臺、進而被處理體的升降溫要花費時間,另外,容器內(nèi)的真空排氣也要花費時間。
發(fā)明內(nèi)容
為了達到上述目的,本發(fā)明的目的在于提供一種可以使被處理體高速升降溫的熱處理裝置和熱處理方法。
另外,本發(fā)明的目的在于提供一種可以使容器內(nèi)高速排氣的熱處理裝置和熱處理方法。
為了解決上述問題,
圖1表示本實施方式的熱處理裝置的剖面結(jié)構(gòu)。
圖2是圖1所示的熱處理裝置的局部放大圖。
圖3是本實施方式的處理方法的圖表。
圖4A~圖4H是表示膜形成情況的示意圖。
圖5表示本發(fā)明的其它實施方式的熱處理裝置的結(jié)構(gòu)。
圖6表示現(xiàn)有的熱處理裝置的剖面結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式
以下,參照
本發(fā)明的實施方式的熱處理裝置。本實施方式的熱處理裝置是通過原子層堆積法(Atomic Layer DepositionALD)、在半導體單晶片(以下稱單晶片W)的表面形成由四氯化鈦(TiCl4)和氨(NH3)生成氮化鈦(TiN)膜。
圖1表示本發(fā)明實施方式的熱處理裝置10的剖面結(jié)構(gòu)。并且,圖2是圖1所示的熱處理裝置10的局部放大圖。
在此,熱處理裝置10具備控制器11,控制與熱處理裝置10成膜處理有關(guān)的全體動作。另外,為了容易理解,省略了控制器11的詳細動作。
如圖1所示,熱處理裝置10具備略呈圓筒狀的例如由鋁制成的容器12。在容器12的側(cè)壁設(shè)置有由石英制成的多個的例如2個管嘴13。通過管嘴13,從未圖示的原料氣體源把原料氣體按規(guī)定流量導入到處理空間S。另外,也可以使用淋浴噴頭代替管嘴13。
另外,在容器12的側(cè)壁設(shè)置有搬入搬出口14,該搬入搬出口14是用于把作為被處理體的單晶片W搬入容器12或搬出容器12。在搬入搬出口14設(shè)置有可以進行密封開關(guān)的門閥15。
在容器12的底部設(shè)置有由熱傳導性良好的材料例如鋁制的圓柱狀的冷卻塊16。在冷卻塊16上面和容器12頂部之間形成處理空間S。
在冷卻塊16的下部設(shè)置有冷卻水等冷卻介質(zhì)流動的冷卻介質(zhì)室17。冷卻介質(zhì)室17與貫通容器12底部并延長的冷卻介質(zhì)導入管道18及冷卻介質(zhì)排出管道19相連。冷卻介質(zhì)導入管道18及冷卻介質(zhì)排出管道19與容器12底部的連接部都是通過O形環(huán)等密封部件20來密封的。控制器11調(diào)節(jié)流向冷卻介質(zhì)室17的冷卻介質(zhì)的流量、控制冷卻功率。
冷卻塊16的上面形成平坦的面,在該面上設(shè)置有加熱板21。加熱板21由例如氮化鋁等陶瓷構(gòu)成并形成平板狀。加熱板21上載置有作為被處理體的單晶片W。
如圖2所示,加熱器板21在內(nèi)部設(shè)置有按規(guī)定圖案配置的薄電阻加熱器22,可以加熱載置于加熱板21上的單晶片W。由此,加熱板21的厚度t2較薄例如為5mm左右。能使用特開2001-196152號公報記述的方法制造加熱板21。另外,冷卻介質(zhì)室17和加熱板21之間的距離L2,根據(jù)冷卻功率來設(shè)定,例如可以設(shè)定為5~15cm。
另外,如圖1所示,加熱板21的周邊部利用環(huán)狀的夾緊部件23押好。夾緊部件23使用與加熱器板21同樣的材料,此時,由氮化鋁構(gòu)成。夾緊部件23通過螺絲24固定在冷卻塊16上。
如圖2所示,貫通冷卻塊16及容器12底部形成第一貫通孔25。配線管26通過第一貫通孔25內(nèi)部,其下端延伸到容器12的外部。配線管26使用與加熱板21同樣的材料,此時,由氮化鋁構(gòu)成。配線管26的上端26A通過固相接合27氣密性地密封在加熱板21的下面,配線管26的內(nèi)部成為大氣環(huán)境氛圍。
回到圖1,與加熱板21內(nèi)部的電阻加熱器22相連的導線28通過配線管26的內(nèi)部。導線28接在電源29上??刂破?1控制電源29,從而控制加熱板21的溫度。另外,雖然未圖示,但接在溫度測定用熱電偶上的導線等的其它配線穿過配線管26。
配線管26和容器12底部的連接部通過O形環(huán)等的密封部件30而密封。
另外,如圖2所示,在配線管26的周圍貫通冷卻塊16及容器12的底部,形成第二及第三貫通孔31、32。例如不銹鋼制的氣體導入管33和氣體吸引管34分別通過第二及第三貫通孔31、32?;氐綀D1,通過O形環(huán)等密封部件35、36分別密封氣體導入管33及氣體吸引管34和容器12底部的連接部。
氣體導入管33在容器12外部通過質(zhì)量流控制器等的流量控制裝置37及閥38連接在熱傳導氣體源39上。在熱傳導氣體源39中容納有氦氣(He)??刂破?1控制著流量控制裝置37及閥38,從而控制熱傳導氣體的供給及供給量。
另一方面,氣體吸引管34與泵40相連。另外,氣體吸引管34通過APC(Auto Pressure Controller)與泵40相連也可以。
如圖2所示,冷卻塊16上只載置加熱板21。因此,在加熱板21和冷卻塊16之間存在不規(guī)則的一點點空隙41。臨近該空隙41設(shè)置氣體導入管33上端的氣體出口33A,He等熱傳導氣體可以導入到空隙41內(nèi)。在加熱板21降溫時,通過在空隙41內(nèi)導入熱傳導氣體,可以提高加熱板21和冷卻塊16之間的熱傳導效率,加熱板21的冷卻速度加快。
氣體吸引管34上端的吸引口34A臨近空隙41設(shè)置,特別是吸引、排出空隙41存在的He等熱傳導氣體。由此,防止了導入至空隙41內(nèi)的熱傳導氣體漏到處理空間S內(nèi)。另外,控制器11,如后述的那樣,對泵40等進行控制,對應(yīng)于熱傳導氣體的導入而進行排氣。
回到圖1,貫通冷卻塊16、容器12的底部及加熱板21設(shè)置多個例如3根升降支桿孔42,各升降支桿孔42中可以插入由石英制成的升降支桿43。另外,升降支桿43的下端部與共同的連接環(huán)44相連。通過用未圖示的螺絲管使連接環(huán)44升降,從而使升降支桿43一體升降。通過升降動作,升降支桿43的前端在加熱板21上面出沒,進行單晶片W的交接。
在各升降支桿孔42和容器12底部的連接部設(shè)置有例如金屬制的伸縮軟管45,通過伸縮軟管45的伸縮,可以在維持容器12內(nèi)的密封性的狀態(tài)下,進行升降支桿43的升降。
在容器12底部形成排氣口46。排氣口46與未圖示的真空泵等排氣裝置相連??刂破?1控制排氣裝置,使容器12內(nèi)排氣,例如達到真空程度的壓力。
下面,參照圖3及圖4來說明使用上述結(jié)構(gòu)的熱處理裝置10的成膜方法。
圖3是表示加熱板21的溫度縱剖面圖、容器12內(nèi)的壓力縱剖面圖及原料氣體的供給定時的圖表的一個示例。另外,圖4是表示TiN膜形成情況的示意圖。
首先,未處理的單晶片W保持在未圖示的搬送臂上,通過打開的門閥15和搬入搬出口14搬入到容器12內(nèi)。搬入的單晶片W在上升的升降支桿43上進行交接,再通過升降支桿43下降載置在加熱板21上。
搬送臂退出后,控制器11關(guān)閉門閥15,通過未圖示的排氣裝置開始容器12內(nèi)的排氣。由此開始進行成膜處理。
另外,在以下說明的成膜處理中,冷卻塊16中的冷卻介質(zhì)室17內(nèi)經(jīng)常流動著冷卻介質(zhì),從而對冷卻塊16進行冷卻。
首先,將容器12內(nèi)排氣到規(guī)定的壓力例如133Pa(1Torr)左右,而且加熱板21升溫到適于TiCl4附著的溫度例如600℃。在該狀態(tài)下,在數(shù)秒鐘例如3秒鐘向容器12內(nèi)供給TiCl4氣體。另外,對供給時間沒有特別的限制,但數(shù)秒鐘就足夠了。由此,如圖4A所示,在單晶片W的表面上附著有多層TiCl4分子層50。
接著,控制器11使容器12內(nèi)的壓力下降到例如1.33×10-3Pa(10-5Torr)左右。同時,控制器11切斷或降低供給加熱板21的電力,使加熱板21降溫到適于NH3附著的溫度例如300℃。
降溫時,控制器11將He等熱傳導氣體導入到空隙41,提高加熱板21和冷卻塊16之間的熱傳導效率,促進加熱板21的降溫。并且同時,控制器11通過氣體吸引管34吸引空隙41的熱傳導氣體。這時的降溫速度例如為100℃/分鐘左右。
這樣,如圖4B所示,在排氣過程中,附著于單晶片W表面的TiCl4分子層50由于吸附能之差除了第1層外而飛散。由此,單晶片W的表面附著有1層的TiCl4分子層50。
這樣做,容器12內(nèi)的壓力成為1.33×10-3Pa左右,而且加熱板21的溫度降低到300℃左右,在該狀態(tài)下,NH3氣體在短時間內(nèi)例如3秒鐘左右被導入到容器12內(nèi)。另外,對NH3的導入時間沒有特別的限制,但數(shù)秒鐘就足夠了。
由此,如圖4C所示,單晶片W表面的1層TiCl4分子層50和導入的NH3分子進行反應(yīng),形成1層TiN層51。而且,在形成的TiN層51上附著有多層NH3分子層52。
接著,通過導入NH3氣體,容器12內(nèi)的壓力變成133Pa左右,再接著下降到1.33×10-3Pa左右。同時,加熱板21再次升溫到600℃左右。這時的升溫速度例如為100℃/分鐘左右。另外,加熱板21升溫前,控制器11停止對空隙41的氣體供給及從空隙41氣體的排出。由此,加熱板21和冷卻塊16之間的熱傳導效率降低,防止加熱板21的升溫速度降低。
通過上述的排氣過程,如圖4D所示,TiN層51上附著的NH3分子層52除了第1層外而飛散。因此,這時TiN層51上只附著1層NH3分子層52。
接著,再次向容器12內(nèi)導入TiCl4氣體。這時,如圖4E所示,TiN層51上的一層NH3分子層52和TiCl4反應(yīng)形成新的TiN層51,同時,在該TiN層51上附著多層TiCl4分子層50。因此,這時單晶片W上形成2層的TiN層51。
然后,如圖4F所示,通過NH3氣體的導入形成第3層TiN層51。而且,如圖4G所示,除了附著于第3層上的第1層NH3分子層52外,排氣除去。這樣,與上述一樣,按規(guī)定次數(shù)反復進行各原料氣體的供給、排氣、以及加熱板21的升降溫,一層一層地堆積TiN層51,由此得到所期望厚度的TiN層51。上述操作要反復進行例如100~數(shù)百次。
如以上說明的那樣,在本實施方式的熱處理裝置10中,雖然加熱板21由陶瓷構(gòu)成,但厚度薄至5mm左右。因此,加熱板21的熱容量比較小。而且,加熱板21的下面全部與冷卻塊16接觸,確保熱傳導面比較大。由此,加熱板21具有高的降溫速度及高的效率。
而且,加熱板21降溫時,熱傳導氣體導入到加熱板21和冷卻塊16之間的空隙41。由此,提高了兩部件間的熱傳導效率,進而提高了加熱板21的降溫速度。另外,導入至空隙41的熱傳導氣體通過連接于空隙41上的氣體吸引管34而被吸引,防止漏向氣體的處理領(lǐng)域S。另外,加熱板21升溫時,停止熱傳導氣體的導入,防止降低升溫速度。
另外,冷卻塊16不是由陶瓷而是由熱傳導性比較高的金屬材料構(gòu)成的。因此,加熱板21的冷卻機構(gòu)即冷卻塊16可以小型化。而且,即使小型化,也可防止基于大的溫度梯度的發(fā)生所造成的熱膨脹率之差產(chǎn)生的破損。
如上所述,冷卻塊16可以小型化,例如能使高度L2為10cm左右。因此,容器12的容積比較小。因此,可以進行容器12內(nèi)部的高速排氣(抽成真空),獲得高的效率。
另外,加熱板21通過夾緊部件23間接地固定在冷卻塊16上。通過夾緊部件23,允許加熱板21和冷卻塊16之間存在熱膨脹率差,防止加熱板21升降溫時的破損或劣化。
另外,在上述TiN膜的成膜處理中,使用的氣體及溫度、壓力等成膜條件沒有一例過量。因此,使用的氣體種類如果是可以形成TiN膜的物質(zhì),什么樣的物質(zhì)都可以。當然,為了符合上述情況可分別設(shè)定成膜條件。
另外,上述的實施方式作為形成TiN膜的實施方式。但是,對此沒有限定。當然,在形成其它膜種的膜的情況下,也能適用本發(fā)明。
另外,加熱板21由耐熱性及耐腐蝕性良好的AlN陶瓷構(gòu)成。但是,對此沒有限制,加熱板21也能由其它的陶瓷材料或陶瓷以外的材料構(gòu)成。
另外,在上述成膜處理中,附著于面上的剩余的分子層通過達到高真空狀態(tài)的排氣而除去,只剩下第1層的分子層。但是,也可以通過利用惰性氣體的清除而進行排氣工序。這種情況下,可以將清除進行中的容器12內(nèi)的原料氣體的分壓降低至規(guī)定壓力。另外,作為惰性氣體來說,可以列舉出氬、氦、氙、氖、氮等。
另外,冷卻塊16具備冷卻介質(zhì)室17,通過向冷卻介質(zhì)室17內(nèi)流入冷卻介質(zhì)而被冷卻。但是,對使冷卻塊16冷卻的冷卻機構(gòu)沒有限制,什么樣的機構(gòu)都可以。
另外,用于供給或吸引熱傳導氣體的氣體出口33A及吸引口34A分別配置在配線管26的周圍。但是,如果可以進行加熱板21的均勻冷卻,氣體出口33A及吸引口34A配置在什么樣的位置上都可以。
在上述的實施方式中,控制器11控制向加熱板21和冷卻塊16之間導入氣體的導入開始和導入停止,對其流量不能進行細微控制。但是,在由于急速的溫度變化而使被處理體即基板或加熱板21受到損傷、劣化的情況下,控制器11通過流量控制裝置37和閥38調(diào)節(jié)氣體的流量,緩和溫度梯度也可以。另外,沒有氣體流量,基于氣體的壓力,控制器11控制加熱板21的升降溫速度也可以。這時,例如,如圖5所示,可以在流量控制裝置37的排氣側(cè)設(shè)置壓力計47??刂破?1接受從壓力計47來的氣體壓力數(shù)據(jù),控制流量控制裝置37。
另外,作為被處理體,雖然以半導體單晶片為例進行了說明,但對此沒有限制,當然,液晶表示基板、玻璃基板等也能適用本發(fā)明。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性可以將本發(fā)明有效地用于半導體裝置等電子裝置的制造中。
本發(fā)明基于2000年9月29日申請的特愿2000-300398號,包含其說明書、權(quán)利要求范圍、附圖及摘要。本說明書中引述并包含上述申請的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種熱處理裝置,其特征在于包括容器;加熱板,該加熱板設(shè)置在所述容器內(nèi),在一個面上載置被處理體,并在內(nèi)部設(shè)置加熱器,可以加熱所載置的所述被處理體;冷卻塊,該冷卻塊以與所述加熱板的另一個面相接的方式載置所述加熱板,并在內(nèi)部設(shè)置冷卻機構(gòu),可以冷卻所述加熱板。
2.如權(quán)利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于所述加熱板通過夾緊部件固定于所述冷卻塊。
3.如權(quán)利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于還具備用于向所述加熱板和所述冷卻塊之間的空隙導入熱傳導性氣體的氣體導入管。
4.如權(quán)利要求3所述的熱處理裝置,其特征在于所述加熱板降溫時,所述熱傳導性氣體導入到所述空隙。
5.如權(quán)利要求3所述的熱處理裝置,其特征在于所述加熱板升溫時,停止導入所述熱傳導性氣體。
6.如權(quán)利要求3所述的熱處理裝置,其特征在于還具備用于調(diào)節(jié)所述熱傳導氣體的流量的流量調(diào)節(jié)裝置。
7.如權(quán)利要求6所述的熱處理裝置,其特征在于還具備用于測定所述熱傳導氣體的壓力的壓力計,根據(jù)來自所述壓力計的壓力數(shù)據(jù)來調(diào)節(jié)所述流量。
8.如權(quán)利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于所述加熱板和所述冷卻機構(gòu)之間的距離設(shè)定在5~15cm范圍內(nèi)。
9.一種使用熱處理裝置的熱處理方法,該熱處理裝置包括容器;加熱板,該加熱板設(shè)置在所述容器內(nèi),在一個面上載置被處理體,并在內(nèi)部設(shè)置加熱器,可以加熱所載置的所述被處理體;冷卻塊,該冷卻塊以與所述加熱板的另一個面相接的方式載置所述加熱板,并在內(nèi)部設(shè)置冷卻機構(gòu),可以冷卻所述加熱板,其特征在于向所述加熱板和所述冷卻塊之間供給熱傳導氣體。
全文摘要
將載置單晶片W并在內(nèi)部具備加熱器(22)的加熱板(21)載置于在內(nèi)部具備冷卻介質(zhì)室的冷卻塊(16)上。在冷卻塊(16)上設(shè)置貫穿其的氣體導入管(33)。氣體導入管(33)與加熱板(21)和冷卻塊(16)的間隙(41)相連,可以將作為熱傳導氣體的He氣體供給至間隙(41)。另外,間隙(41)連接有氣體吸引管(34),可以吸引He氣體。
文檔編號H01L21/00GK1531743SQ0181657
公開日2004年9月22日 申請日期2001年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月29日
發(fā)明者河南博, 田村登, 小島康彥, 石坂忠大, 大, 彥 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社