專利名稱：熱處理方法以及熱處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱處理方法以及熱處理裝置，尤其涉及一種確保 處理均勻性，并且增加處理塊數(shù)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，為了對(duì)被處理基板，例如半導(dǎo)體晶片(下 表面，也稱為晶片)進(jìn)行氧化、擴(kuò)散、CVD (Chemical Vapor Deposition) 等處理，使用各種處理裝置(半導(dǎo)體制造裝置)。而且，作為其中一種 處理裝置，可以一次對(duì)多塊被處理基板進(jìn)行熱處理的立式熱處理裝置 為眾所周知。該熱處理裝置具備熱處理爐，沿上下方向且以規(guī)定間隔保持多 塊晶片并相對(duì)所述熱處理爐可以搬入搬出的作為基板保持件的晶片舟 (例如，參照引用文獻(xiàn)1)。另外，在上述熱處理爐下方形成的加載區(qū) (作業(yè)領(lǐng)域)中安裝有升降機(jī)構(gòu)和移載機(jī)構(gòu)等，其中，升降機(jī)構(gòu)在借 助作為爐口隔熱部件的保溫筒將上述晶片舟載置到封閉上述熱處理爐爐口的蓋體上部的狀態(tài)下，使蓋體上升下降，向爐內(nèi)搬入晶片舟以及 對(duì)加載區(qū)搬出晶片舟，移載機(jī)構(gòu)在搬入到加載區(qū)的晶片舟與可收納多 塊晶片的收納容器之間移載晶片。上述晶片舟構(gòu)成為，在底板和頂板之間設(shè)置多根支柱，在這些支 柱上沿著上下方向且以規(guī)定間隔(間距)形成支撐晶片周邊部的槽狀 或者突狀基板支撐部。尤其，所有的晶片以被處理面的表面作為上表 面的狀態(tài)搭載到上述晶片舟上。
但是，在上述熱處理裝置中，在晶片舟上搭載的晶片塊數(shù)的間距 寬度根據(jù)處理面內(nèi)以及面間的均勻性的觀點(diǎn)以及移載觀點(diǎn)定為最小 值，難以增加搭載塊數(shù)。而且，若為了進(jìn)一步增強(qiáng)處理面內(nèi)以及面間 的均勻性而增大上述間距大小，則搭載塊數(shù)減少。[專利文獻(xiàn)l]:日本特開2001-223254號(hào)公報(bào) 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決上述以往技術(shù)存在的問題，其目的在于提供一種確保 處理均勻性的同時(shí)，能夠相比以往增加基板保持件搭載塊數(shù)的熱處理 方法以及熱處理裝置。本發(fā)明提供一種熱處理方法，在基板保持件上沿上下方向且以規(guī) 定間隔搭載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定熱處理，其特征在于，具備在上述基板保持件上 配置被處理基板，從而使上下相鄰的被處理基板背面對(duì)背面或表面對(duì) 表面的工序；將被處理基板表面之間的間隔設(shè)定為能夠確保處理均勻 性的間隔，設(shè)定被處理基板背面之間的間隔小于表面之間的間隔的工 序。本發(fā)明的熱處理方法的特征在于，上述基板保持件由2個(gè)保持件 構(gòu)成體構(gòu)成，各保持件構(gòu)成體沿上下方向以規(guī)定間隔設(shè)有多個(gè)支撐被 處理基板周邊部的基板支撐部，并具有配置在同一圓周上的多根支柱， 在一個(gè)保持件構(gòu)成體上搭載將表面作為上表面的被處理基板，在另外 一個(gè)保持件構(gòu)成體上搭載將背面作為上表面的被處理基板，并以使上 下相鄰的被處理基板背面對(duì)背面和表面對(duì)表面交替的方式配置被處理 基板；通過使2個(gè)保持件構(gòu)成體沿著上下方向相對(duì)移動(dòng)，將被處理基 板表面之間的間隔設(shè)定為能夠確保處理均勻性的間隔，將被處理基板 背面之間的間隔設(shè)定為比表面之間的間隔小。本發(fā)明的熱處理方法的特征在于，另外具備使上述2個(gè)保持件 構(gòu)成體沿著圓周方向相對(duì)旋轉(zhuǎn)的工序，從而，各保持件構(gòu)成體的支柱 以小于該被處理基板直徑的間隔包圍上述被處理基板周邊部。本發(fā)明提供一種熱處理裝置，具備沿著上下方向且以規(guī)定間隔 搭載多塊被處理基板的基板保持件、和搬入該基板保持件且對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定熱處理的熱處理爐，其特征在于，上述基板保持件具有 多個(gè)基板支撐部，其中，該基板支撐部支撐被處理基板的周邊部，從 而，使上下相鄰的被處理基板以背面對(duì)背面和表面對(duì)表面交替的方式配置；以使被處理基板表面之間的間隔形成能夠確保處理均勻性的間 隔，并使被處理基板背面之間的間隔小于表面之間的間隔的方式構(gòu)成 各基板支撐部。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，上述基板保持件由2個(gè)保持件 構(gòu)成體構(gòu)成，各保持件構(gòu)成體具有配置在同一圓周上的多根支柱，其 中，該支柱上沿上下方向且以規(guī)定間隔設(shè)置多個(gè)有支撐被處理基板周 邊部的基板支撐部； 一個(gè)保持件構(gòu)成體的基板支撐部支撐將表面作為 上表面的被處理基板，另外一個(gè)保持件構(gòu)成體的基板支撐部支撐將背 面作為上表面的被處理基板，組裝2個(gè)保持件構(gòu)成體，則上下相鄰的 被處理基板以背面對(duì)背面和表面對(duì)表面交替的方式配置；通過上下移 動(dòng)機(jī)構(gòu)使2個(gè)保持件構(gòu)成體沿著上下方向相對(duì)移動(dòng)，使被處理基板表 面之間的間隔形成能夠確保處理均勻性的間隔，使被處理基板背面之 間的間隔小于表面之間的間隔。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，在封閉上述熱處理爐爐口的蓋 體上設(shè)置具有旋轉(zhuǎn)軸的基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，上述上下運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)具 備貫通基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行升降移動(dòng)的升降軸以及 升降移動(dòng)該升降軸的升降驅(qū)動(dòng)部。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，在封閉上述熱處理爐爐口的蓋 體上設(shè)置保溫筒，上述上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)具備升降機(jī)構(gòu)和卡止機(jī)構(gòu)，其中， 該升降機(jī)構(gòu)相對(duì)熱處理爐搬入搬出上述基板保持件中的一個(gè)保持件構(gòu) 成體和另外一個(gè)保持件構(gòu)成體，該卡止機(jī)構(gòu)在通過該升降機(jī)構(gòu)從熱處 理爐搬出基板保持件時(shí)，卡止另外一個(gè)保持件構(gòu)成體，恢復(fù)與一個(gè)保 持件構(gòu)成體在上下方向的相對(duì)位置關(guān)系。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，還具備使上述2個(gè)保持件構(gòu) 成體沿著圓周方向相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)的轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，從而，保持件構(gòu)成體的上述 支柱以小于該被處理基板直徑的間隔包圍上述被處理基板的周邊部。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，在封閉上述熱處理爐爐口的蓋 體上設(shè)置具有旋轉(zhuǎn)軸的基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)由貫通
旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行升降移動(dòng)的升降軸構(gòu)成，上述升降軸自由旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)具備卡止機(jī)構(gòu)和 基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其中，該卡止機(jī)構(gòu)在從熱處理爐搬出基板保 持體時(shí)，卡止一個(gè)保持件構(gòu)成體，恢復(fù)與另外一個(gè)保持件構(gòu)成體在上 下方向的相對(duì)位置關(guān)系，該基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)相對(duì)卡止到該卡止 機(jī)構(gòu)上的另外一個(gè)保持件構(gòu)成體，使一個(gè)保持件構(gòu)成體沿著圓周方向 僅轉(zhuǎn)動(dòng)規(guī)定角度。本發(fā)明提供一種熱處理方法，在基板保持件上沿上下方向且以規(guī) 定間隔搭載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被 處理基板進(jìn)行規(guī)定熱處理，其特征在于，通過支撐環(huán)支撐各被處理基板的周邊部，以使2塊被處理基板的背面相對(duì)，從而構(gòu)成復(fù)板單元的 工序；使多個(gè)該復(fù)板單元以比被處理基板在復(fù)板單元上的間隔大的間 隔沿著上下方向保持在上述基板保持件上，從而使上述被處理基板背 面之間的間隔小于表面之間的間隔。本發(fā)明的熱處理方法的特征在于，上述支撐環(huán)具有支撐將背面作為上表面的被處理基板的第一支撐環(huán)，和在該第一支撐環(huán)上部載置 的、支撐將表面作為上表面的被處理基板的第二支撐環(huán)。本發(fā)明的熱處理方法的特征在于，上述第一支撐環(huán)以及第二支撐 環(huán)在外周以適當(dāng)間隔突設(shè)的突片，在第一支撐環(huán)的突片上載置第二支 撐環(huán)的突片，至少第二支撐環(huán)的突片厚度設(shè)定為，能夠相對(duì)第一支撐 環(huán)上的被處理基板以規(guī)定間隔保持第二支撐環(huán)上的被處理基板的厚 度。本發(fā)明提供一種熱處理方法，在基板保持件上沿上下方向且以規(guī) 定間隔搭載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定熱處理，其特征在于，具備沿著上下方向且以規(guī) 定間隔在上述基板保持件上保持將背面作為上表面的被處理基板的工 序；構(gòu)成通過支撐環(huán)支撐將表面作為上表面的被處理基板周邊部的單 板單元的工序；通過支撐環(huán)在基板保持件上保持該單板單元，使上述 基板保持件上的被處理基板和單板單元上的被處理基板背面相對(duì)，從 而，使上述被處理基板背面之間的間隔小于表面之間的間隔的工序。 本發(fā)明的熱處理方法的特征在于，上述基板保持件具有包圍被處 理基板周圍配置的多根支柱，該支柱具備保持被處理基板的爪部、 和通過上述單板單元的支撐環(huán)突片支撐單板單元的單元支撐部。本發(fā)明提供一種熱處理裝置，在基板保持件上沿上下方向且以規(guī) 定間隔搭載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被 處理基板進(jìn)行規(guī)定熱處理，其特征在于，上述基板保持件具備多個(gè)支 柱和多個(gè)支撐環(huán)，其中，該支撐環(huán)支撐各被處理基板的周邊部，使2 塊被處理基板的背面相對(duì)，構(gòu)成多個(gè)復(fù)板單元；在各支柱上沿上下方 向設(shè)置有，通過支撐環(huán)以比被處理基板在該復(fù)板單元上的間隔大的間 隔保持上述復(fù)板單元的爪部，上述復(fù)板單元的被處理基板背面之間的 間隔小于表面之間的間隔。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，上述支撐環(huán)具有支撐將背面 作為上表面的被處理基板的第一支撐環(huán)，和在該第一支撐環(huán)上部載置 的、支撐將表面作為上表面的被處理基板的第二支撐環(huán)。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，上述第一支撐環(huán)以及第二支撐 環(huán)具有在外周以適當(dāng)間隔突設(shè)的突片，在第一支撐環(huán)的突片上載置第 二支撐環(huán)的突片，至少第二支撐環(huán)的突片厚度設(shè)定為，相對(duì)第一支撐 環(huán)上的被處理基板、能夠以規(guī)定間隔保持第二支撐環(huán)上的被處理基板 的厚度。本發(fā)明提供一種熱處理裝置，在基板保持件上沿上下方向且以規(guī) 定間隔搭載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被 處理基板進(jìn)行規(guī)定熱處理，其特征在于，上述基板保持件具備多個(gè) 支柱和支撐將表面作為上表面的被處理基板周邊部的構(gòu)成單板單元的 多個(gè)支撐環(huán)；在各支柱上設(shè)置有沿著上下方向且以規(guī)定間隔保持將背面作為上表面的被處理基板的爪部，和通過支撐環(huán)支撐上述單板單 元使上述爪部上的被處理基板和單板單元上的被處理基板背面相對(duì)的 單元支撐部；上述被處理基板背面之間的間隔小于表面之間的間隔。本發(fā)明的熱處理裝置的特征在于，上述單板單元的支撐環(huán)具有在 外周以適當(dāng)間隔突設(shè)的突片，上述單元支撐部支撐上述突片。根據(jù)本發(fā)明，在基板保持件上配置被處理基板，以使上下相鄰的 被處理基板背面對(duì)背面和表面對(duì)表面交替的方式配置被處理基板，將 表面之間的間隔設(shè)定為能夠確保處理均勻性的間隔，將背面之間的間
隔設(shè)定為比表面之間的間隔小，因此，能夠確保處理均勻性的同時(shí)， 相比以往增加基板保持件的收納塊數(shù)。而且，使搭載塊數(shù)與以往相同 時(shí)，增大表面之間的間隔，從而，能夠確保搭載塊數(shù)，同時(shí)進(jìn)一步增 強(qiáng)處理均勻性。根據(jù)本發(fā)明，上述基板保持件由2個(gè)保持件構(gòu)成體構(gòu)成，各保持 件構(gòu)成體具有配置在同一圓周上的多根支柱，其中，該支柱上沿上下 方向且以規(guī)定間隔設(shè)置有多個(gè)支撐被處理基板周邊部的基板支撐部； 在一個(gè)保持件構(gòu)成體上搭載將表面作為上表面的被處理基板，在另外 一個(gè)保持件構(gòu)成體上搭載將背面作為上表面的被處理基板，使上下相 鄰的被處理基板以背面對(duì)背面和表面對(duì)表面交替的方式配置；通過使2 個(gè)保持件構(gòu)成體沿著上下方向相對(duì)移動(dòng)，使表面之間的間隔形成為能 夠確保處理均勻性的間隔，使背面之間的間隔小于表面之間的間隔。 從而，能夠確保處理均勻性的同時(shí)，相比以往增加基板保持件的收納 塊數(shù)。而且，使搭載塊數(shù)與以往相同時(shí)，增大表面之間的間隔，從而， 確保搭載塊數(shù)的同時(shí)，進(jìn)一步增強(qiáng)處理均勻性。根據(jù)本發(fā)明，上述2個(gè)保持件構(gòu)成體沿著圓周方向相對(duì)移動(dòng)，從 而，上述支柱以小于該被處理基板直徑的間隔包圍上述被處理基板的 周邊部，因此，能夠防止被處理基板從基板保持件飛出或者脫落。根據(jù)本發(fā)明，能夠簡單地構(gòu)成上述上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明， 能夠簡單地構(gòu)成上述轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，構(gòu)成通過支撐環(huán)支撐周邊部，使2塊被處理基板的 背面相對(duì)的復(fù)板單元；使多個(gè)該復(fù)板單元以比被處理基板在復(fù)板單元 上的間隔大的間隔沿著上下方向保持在上述基板保持件上。從而，上 述被處理基板背面之間的間隔小于表面之間的間隔，被處理基板之間 不會(huì)粘上，能夠確保處理均勻性的同時(shí)，相比以往增加基板保持件的 搭載塊數(shù)。根據(jù)本發(fā)明，上述支撐環(huán)具有支撐將背面作為上表面的被處理 基板的第一支撐環(huán)，和在該第一支撐環(huán)上部載置的、支撐將表面作為 上表面的被處理基板的第二支撐環(huán)。從而，能夠簡單地將2塊被處理 基板保持在背面相對(duì)的狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明，上述第一支撐環(huán)以及第二支撐環(huán)具有在外周以適當(dāng) 間隔突設(shè)的突片，在第一支撐環(huán)的突片上載置第二支撐環(huán)的突片，至 少第二支撐環(huán)的突片厚度設(shè)定為，能夠相對(duì)第一支撐環(huán)上的被處理基 板以規(guī)定間隔保持第二支撐環(huán)上的被處理基板的厚度。從而，能夠通過簡單的構(gòu)造，簡單地將2塊被處理基板保持在背面相對(duì)的狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明，沿著上下方向以規(guī)定間隔在上述基板保持件上保持 將背面作為上表面的被處理基板；構(gòu)成通過支撐環(huán)支撐將表面作為上 表面的被處理基板周邊部的單板單元；通過支撐環(huán)在基板保持件上保 持該單板單元，從而，使上述基板保持件上的被處理基板和單板單元 上的被處理基板背面相對(duì)。從而，上述被處理基板背面之間的間隔小 于表面之間的間隔，被處理基板之間不會(huì)粘上，能夠確保處理均勻性 的同時(shí)，相比以往增加基板保持件的搭載塊數(shù)。根據(jù)本發(fā)明，上述基板保持件具有包圍被處理基板周圍配置的多 根支柱，在支柱上設(shè)置有保持被處理基板的爪部和通過上述單板單 元的支撐環(huán)突片支撐單板單元的單元支撐部。因此，能夠通過簡單構(gòu) 造，簡單地將2塊被處理基板保持在背面相對(duì)的狀態(tài)。


圖1為概略表示本發(fā)明實(shí)施方式的熱處理裝置的縱向截面圖。 圖2 (a)為概略表示基板保持件的一個(gè)例子的俯視圖，圖2 (b) 為其主視圖。圖3 (a) (b)為說明基板保持件的作用的說明圖。 圖4 (a) (b) (c)為說明基板保持件作用的說明圖。 圖5 (a) (b) (c) (d)為說明基板保持件作用的說明圖。 圖6 (a) (b) (c)為說明基板保持件作用的說明圖。 圖7為概略表示基板保持件的其它例子的主視圖。 圖8為概略表示上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的截面圖。 圖9為概略表示上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)的另外一個(gè)例子的截面圖。 圖10 (a) (b)為概略表示基板保持件的其它例子的俯視圖。 圖ll (a) (b) (c)為概略說明基板保持件的其他例子的說明圖。 圖12 (a) (b)為概略表示圖11 (a) (b) (c)所示基板保持件的 俯視圖。
圖13為概略表示本實(shí)施方式的熱處理裝置的縱向截面圖。圖14 (a) (b) (c) (d)為概略說明使用支撐環(huán)支撐2塊晶片，使 其背面彼此相對(duì)的一個(gè)例子的說明圖。圖15為概略表示使用支撐環(huán)、使每2塊晶片沿著上下方向且以規(guī) 定間隔保持在晶片舟上的狀態(tài)的主視圖。圖16 (a)為概略表示支撐環(huán)的立體圖，圖16 (b)為其主要部分 的放大立體圖。圖17 (a) (b) (c) (d)為概略說明使用支撐環(huán)支撐2塊晶片，使 其背面彼此相對(duì)的其它例子的說明圖。圖18為概略表示使用支撐環(huán)、使每2塊晶片沿著上下方向且以規(guī) 定間隔保持在晶片舟上的狀態(tài)的主視圖。圖19 (a) (b)為概略說明使用支撐環(huán)支撐1塊晶片的其他例子的 說明圖。圖20 (a) (b)為概略表示將背面作為上表面的晶片直接保持在晶 片舟上，將表面作為上表面的晶片通過支撐環(huán)保持在晶片舟上的狀態(tài) 的主視圖。圖21 (a)為概略表示支撐環(huán)整體的立體圖，圖21 (b)為其主要 部分的放大立體圖。圖22為概略表示晶片舟的一個(gè)例子的立體圖。 圖23為圖20的主要部分放大圖。圖24為概略表示晶片舟上的支撐環(huán)的保持狀態(tài)的俯視圖。
具體實(shí)施方式
(第一實(shí)施方式)下表面，參照附圖、對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的最佳方式進(jìn)行詳細(xì)說明。 圖1為概略表示本發(fā)明實(shí)施方式的熱處理裝置的縱向截面圖，圖2為 概略表示基板保持件的一個(gè)例子的圖，(a)為俯視圖，(b)為主視圖。在圖1中，1為立式的熱處理裝置，該熱處理裝置1具有形成外殼 的框體2。在該框體2內(nèi)的上方設(shè)置立式熱處理爐3，其中，該熱處理 爐3用于收納多塊被處理基板、例如薄圓板狀的半導(dǎo)體晶片w，并對(duì) 其進(jìn)行規(guī)定處理、例如CVD處理等。該熱處理爐3主要包括下部作為爐口4開口的縱長處理容器、例如石英制反應(yīng)管5，開閉該反應(yīng)管5 的爐口4的、可以升降的蓋體6，以覆蓋上述反應(yīng)管5周圍的方式設(shè)置 的可以將反應(yīng)管5內(nèi)加熱控制到規(guī)定溫度、例如300 120(TC的加熱器 (加熱裝置)7。用于設(shè)置構(gòu)成熱處理爐3的反應(yīng)管5或加熱器7的、例如SUS制 的底板8水平設(shè)置在上述框體2內(nèi)。在底板8中形成未圖示開口部， 以用于從下方向上方插入反應(yīng)管5。在反應(yīng)管5的下端部形成朝外的凸緣部，該凸緣部通過凸緣保持 構(gòu)件保持在底板8上，由此，將反應(yīng)管5設(shè)置成從下方向上方插通底 板8開口部的狀態(tài)。為了清潔反應(yīng)管5，從底板8向下方取出反應(yīng)管5。 在反應(yīng)管5上連接有向反應(yīng)管5內(nèi)導(dǎo)入處理氣體或凈化用惰性氣體的 多個(gè)氣體導(dǎo)入管、或排氣管，其中，該排氣管具有可以對(duì)反應(yīng)管5 內(nèi)進(jìn)行減壓控制的真空泵、或壓力控制閥等(省略圖示)。而且，也可 以在反應(yīng)管5下端部連接具有連接氣體導(dǎo)入管或排氣管的氣體導(dǎo)入孔 或排氣孔的圓筒狀岐管，這時(shí)，該岐管形成爐口。在上述框體2內(nèi)的底板8下方設(shè)置加載區(qū)(作業(yè)領(lǐng)域)11，用于 將通過保溫筒13載置到蓋體6上的晶片舟(基板保持件)10搬入(裝 載到)熱處理爐3 (即反應(yīng)管5)內(nèi)；或從熱處理爐3搬出(卸載)； 或者相對(duì)晶片舟IO移載晶片w。在該加載區(qū)11中設(shè)置升降機(jī)構(gòu)12(參 照?qǐng)Dll)，為了搬入、搬出晶片舟10而使蓋體6升降。上述蓋體6構(gòu)成為與爐口4的開口端抵接并封閉爐口4。在蓋體6 的上部，通過作為防止從爐口 4散熱的部件(也稱為爐口隔熱部件) 的保溫筒13載置晶片舟10。而且，在蓋體6上部設(shè)置未圖示旋轉(zhuǎn)臺(tái)， 其中，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)載置保溫筒13，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；在蓋體6下部設(shè)置使該旋 轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)的晶片舟旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)14。在框體2的前部設(shè)置載置臺(tái)(裝載臺(tái))16，其中，該載置臺(tái)16用 于載置能夠以規(guī)定間隔收納多塊、例如25塊左右晶片的收納容器15， 并相對(duì)框體2進(jìn)行搬入搬出。收納容器15采用密閉型收納容器(也稱 為環(huán)箍)，其前面具有可以裝卸的未圖示蓋。在加載區(qū)11內(nèi)的前后設(shè) 置有門機(jī)構(gòu)17，該門機(jī)構(gòu)17取下收納容器15的蓋，使收納容器15 相對(duì)加載區(qū)11連通開放，并且在加載區(qū)11內(nèi)設(shè)置有移載機(jī)構(gòu)20，該
移載機(jī)構(gòu)20在收納容器15和晶片舟10之間移載晶片w,并具有相距 規(guī)定間隔的多個(gè)叉板(移載板)18。在加載區(qū)11外的前部上側(cè)設(shè)置有用于預(yù)先存放收納容器15的 保管棚部21;以及用于從搬入搬出用的載置臺(tái)16向保管棚部21或者 相反地搬送收納容器15的未圖示搬送機(jī)構(gòu)。而且，在加載區(qū)11的上 方設(shè)置有閘門機(jī)構(gòu)22，當(dāng)打開蓋體6時(shí)，為了抑制以至防止高溫的爐 內(nèi)熱量從爐口 4向下方的加載區(qū)11釋放出，該閘門機(jī)構(gòu)22覆蓋(或 者塞住)爐口4。另外，在上述載置臺(tái)16的下方設(shè)置有校正裝置(調(diào) 整器)23，其中，該校正裝置23用于使設(shè)置在通過移載機(jī)構(gòu)20移載 的晶片w外周的切口部(例如缺口)都朝向一個(gè)方向。上述移載機(jī)構(gòu)20具有水平的沿上下方向以規(guī)定間隔支撐多塊、例 如5塊晶片w的多個(gè)例如5個(gè)移載板(也稱為叉板)18。這時(shí)，中央 的叉板可以單獨(dú)向前方進(jìn)退移動(dòng)，中央以外的叉板(第一個(gè)、第二個(gè)、 第4個(gè)以及第5個(gè))以中央的叉板為基準(zhǔn)、通過間距變換機(jī)構(gòu)可以沿 上下方向無等級(jí)地改變間距。由于存在晶片在收納容器15內(nèi)的收納間 距和晶片在晶片舟10內(nèi)的搭載間距不同的情況，所以即使在該情況下， 也可以在收納容器15和晶片舟10之間多塊地移載晶片。移載機(jī)構(gòu)20具有可以升降以及旋轉(zhuǎn)的基臺(tái)24。具體地說，移載機(jī) 構(gòu)20具備通過圓頭螺釘?shù)瓤梢匝厣舷路较蛞苿?dòng)(升降)的升降臂25， 箱形基臺(tái)24可以水平旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在該升降臂25上。第一移動(dòng)體26以 及第二移動(dòng)體27可以分別沿著水平方向、即基臺(tái)24的長度方向進(jìn)退 移動(dòng)地設(shè)置到該基臺(tái)24上，其中，該第一移動(dòng)體26可以向前方移動(dòng) 中央的一塊叉板，該第二移動(dòng)體27可以向前方移動(dòng)隔著中央叉板上下 分別配備的2塊共4塊叉板。而且，也可以在上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)20的叉板18的基部設(shè)置夾緊機(jī)構(gòu)， 其中，該夾緊機(jī)構(gòu)可以在基部和頂端部的定位槽之間、沿叉板縱向從 前后握持晶片w。另外，上述移載機(jī)構(gòu)20的叉板18也可以構(gòu)成為， 可以選擇地進(jìn)行從下方支撐或者握持(從下表面夾住)晶片w并進(jìn)行 移載的一般移載，和從上方支撐或者握持(從上表面夾住)晶片并進(jìn) 行移載的特殊移載。另外，也可以在叉板18頂端部設(shè)置映像傳感器， 該映像傳感器用于檢測(cè)晶片舟10內(nèi)或收納容器15內(nèi)晶片的位置，并
進(jìn)行映像。上述晶片舟io為例如為石英制的，并以水平狀態(tài)沿上下方向且以 規(guī)定間隔(間距寬度)支撐大直徑、例如直徑300mm的晶片w。具體 地說，如圖2所示，上述晶片舟10具備2個(gè)晶片舟構(gòu)成體(保持件構(gòu) 成體)10a、 10b，各晶片舟構(gòu)成體10a、 10b具有多根、例如3根支柱 28。在各支柱28上、沿上下方向以規(guī)定間隔設(shè)置支撐晶片w周邊部的 基板支撐部，即爪(突部)30，上述支柱28配置在同一圓周中(包含 大致同一圓周)。晶片舟構(gòu)成體10a、 10b包括大致呈T字狀并在上下 成對(duì)的頂部構(gòu)件31和底部構(gòu)件32、以及搭在上述頂部構(gòu)件31和底部 構(gòu)件32各自的端部之間并固定的上述3根支柱28。從上述3根支柱 28中的間隔較大的支柱之間(晶片取送部)取送、移載晶片。如圖2 所示，2個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a、 10b的對(duì)應(yīng)的支柱28彼此在同一圓周上 接近，在該狀態(tài)中，將2個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a、 10b組裝成可以沿上下 方向相對(duì)移動(dòng)(可以沿上下方向錯(cuò)開位置)。這時(shí)，優(yōu)選將一個(gè)晶片舟 構(gòu)成體10a作為固定側(cè)，將另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b作為移動(dòng)側(cè)， 可以簡化上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)的構(gòu)造。在上述2個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a、 10b中，爪30的間距寬度相同。 如圖4、圖5或者圖6所示，分別在一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a上搭載將表 面wa作為上表面的晶片，在另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b上搭載將背面 wb作為上表面的晶片w，上下相鄰的晶片w的背面對(duì)背面和表面對(duì)表 面沿上下方向交替配置。2個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a、 10b可以上下相對(duì)移 動(dòng)，以將表面之間的間隔pa設(shè)置為能夠確保處理均勻性的間隔，將背 面之間的間隔pb設(shè)置為小于表面之間的間隔pb。這時(shí)，如圖2 (b) 所示，優(yōu)選在上下相對(duì)移動(dòng)操作2個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a、 10b的基礎(chǔ)上， 使一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a形成為比另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b大(沿 上下方向的長度長)。在圖4或者圖5中，將一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a的爪30與另外一個(gè) 晶片舟構(gòu)成體10b的爪30之間的間隔預(yù)先設(shè)定較小，首先，如圖4以 及圖5 (a)所示，在從下方支撐或者從下表面夾住將表面wa作為上表 面的晶片w的狀態(tài)下，依次將該晶片w移載到一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a 的爪30上。接著，如圖5 (b)所示，向下方移動(dòng)另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成
體10b，如圖4 (b)至圖5 (c)所示，在從上表面夾住將背面wb作 為上表面的晶片w的狀態(tài)下，依次將晶片w移載到該晶片舟構(gòu)成體10b 的爪30上。接著，如圖4 (c)至圖5 (d)所示，向上方移動(dòng)另外一 個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b，使其返回到原來的位置，從而，使表面之間的間 隔pa為能夠確保處理均勻性的間隔，使背面之間的間隔pb為比表面 之間的間隔小的間隔。圖6中，將一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a的爪30與另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成 體10b的爪30的間隔預(yù)先設(shè)定為相同，首先，如圖6 (a)所示，在從 下方支撐或者從下表面夾住將表面wa作為上表面的晶片w的狀態(tài)下， 將該晶片w依次移載到一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a的爪30上。接著，如圖 6 (b)所示，在從下方支撐或者從下表面夾住將背面wb作為上表面的 晶片w的狀態(tài)下，將該晶片w依次移載到另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b 的爪30上。接著，如圖6 (c)所示，向上方移動(dòng)另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成 體10b，使另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b的爪30接近一個(gè)晶片舟構(gòu)成體 10a的爪30下方，從而，使表面之間的間隔pa為能夠確保處理均勻性 的間隔，使背面之間的間隔pb為比表面之間的間隔小間隔。這時(shí)，如圖3 (a)所示，晶片厚度ta、與叉板厚度tb與上下移載 間隙sa、 sb的和為移載間距pt，該移載間距pt為晶片舟間距(一個(gè)晶 片舟構(gòu)成體的爪的間距寬度)P的一半。背面之間的間隔pb稍稍大于 爪厚度tc與晶片w厚度ta的和。另外，表面之間的間隔pa為晶片舟 間距P與背面之間的間隔pb的差。若在現(xiàn)有系統(tǒng)(移載間距為8X61 槽)中使用，并進(jìn)行研究，則將移載間距pt設(shè)定為7mm時(shí)，形成7X 70槽，塊數(shù)增加9塊。使移載間距pt達(dá)到5.6mm時(shí)，形成5.6X87槽， 塊數(shù)增加26塊，增加了 l個(gè)收納容器部分的塊數(shù)。而且，需要改變表 面之間的間隔pa時(shí)，可以調(diào)整下述上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)33的位置，可以在 大約Omm (例如，爪的厚度為2mm左右)到大于或等于10mm (例如， llmm左右)之間改變間隔。同樣，也可以改變背面之間的間隔pb。上述2個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a、 10b通過上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)33，可以沿 上下方向相對(duì)移動(dòng)。在本實(shí)施方式中，在設(shè)置到蓋體6上部的旋轉(zhuǎn)臺(tái) 34 (參照?qǐng)D8)上載置、固定一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a
蓋體6下部的晶片舟用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)14上安裝該上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)33。該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)14具有在蓋體6軸心部固定的圓筒狀套筒35;通過 滾珠軸承36可以旋轉(zhuǎn)地設(shè)置到該套筒35外周的旋轉(zhuǎn)體37;固定到該 旋轉(zhuǎn)體37下部中央部并通過上述套筒35內(nèi)向蓋體6上表面延伸出的、 與該蓋體6上的未圖示旋轉(zhuǎn)臺(tái)34連接的中空旋轉(zhuǎn)軸38;以及通過纏繞 在上述旋轉(zhuǎn)體37外周的未圖示環(huán)形帶、驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)體37旋轉(zhuǎn)的未圖示 電動(dòng)機(jī)。上述上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)33具備貫通上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)14的旋轉(zhuǎn)軸38進(jìn) 行升降移動(dòng)的升降軸(上下移動(dòng)軸)40;和使該升降軸40升降移動(dòng)的 升降驅(qū)動(dòng)部41。具體地說，上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)33具有通過引導(dǎo)部42、 可以上下移動(dòng)地支撐在上述旋轉(zhuǎn)體37下部的圓板狀上下移動(dòng)體43;立 設(shè)在該上下移動(dòng)體43的中央部并通過上述旋轉(zhuǎn)軸38的中空部(軸孔) 38a向蓋體6上方延伸出的升降軸40;以及使該升降軸40升降移動(dòng)的 例如氣動(dòng)缸等未圖示升降驅(qū)動(dòng)部。為了保持上述升降軸40的貫通部的 氣密性，優(yōu)選在上述旋轉(zhuǎn)體37和上下移動(dòng)體43之間設(shè)置波紋管44。 上述升降軸40的上端部貫通旋轉(zhuǎn)臺(tái)34以及保溫筒13，向上方延伸出， 并與上述另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b的底部構(gòu)件32連接。若根據(jù)上述構(gòu)成的熱處理方法以及熱處理裝置，則上述晶片舟由2 個(gè)保持件構(gòu)成體10a、 10b構(gòu)成，各保持件構(gòu)成體10a、 10b具有配置 在同一圓周上的多根支柱，同時(shí)，在各支柱上沿上下方向、以規(guī)定間 隔設(shè)置有支撐晶片周邊部的爪30。而且，分別在一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a 上搭載將表面wa作為上表面的晶片w，在另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b 上搭載將背面wb作為上表面的晶片w之后，使2個(gè)保持件構(gòu)成體10a、 10b沿上下方向相對(duì)移動(dòng)。從而，上下相鄰的晶片w背面對(duì)背面和表 面對(duì)表面地沿上下方向交替配置，使表面之間的間隔pa為能夠確保處 理均勻性的間隔，使背面之間的間隔pb為比表面之間的間隔小間隔。 從而，能夠確保處理均勻性的同時(shí)，相比以往增加晶片舟10的搭載塊 數(shù)，可以增大生產(chǎn)量。或者，使搭載塊數(shù)與以往相同時(shí)，增大表面之 間的間隔pa，從而，確保搭載塊數(shù)的同時(shí)，進(jìn)一步增強(qiáng)處理均勻性。圖7為概略表示晶片舟的其他例子的主視圖。本實(shí)施方式的晶片 舟10與上述實(shí)施方式的晶片舟不同，不是由2個(gè)晶片舟構(gòu)成體構(gòu)成，
而是由具有多根、例如3根支柱28的1個(gè)晶片舟構(gòu)成，在各支柱28 中設(shè)置配置晶片的爪30，其中，該爪30預(yù)先設(shè)置圖3 (b)所示的間 距寬度，即，使上下相鄰的晶片背面對(duì)背面和表面對(duì)表面地沿上下方 向交替配置。而且，將晶片w的表面wa之間的間隔pa設(shè)定為能夠確 保處理均勻性的間隔，背面wb之間的間隔pb設(shè)定為比表面wa之間 的間隔小的間隔。若根據(jù)本實(shí)施方式，則構(gòu)造簡單，能夠確保處理均 勻性的同時(shí)，相比以往增加基板保持件的收納塊數(shù)。或者，使搭載塊 數(shù)與以往相同時(shí)，增大表面之間的間隔pa，從而，確保搭載塊數(shù)的同 時(shí)，進(jìn)一步增強(qiáng)處理的均勻性。圖IO為概略表示基板保持件的其他例子的俯視圖。對(duì)于本實(shí)施方 式的晶片舟10，為了防止晶片從該晶片舟10的晶片取送部飛出或者脫 落，通過下述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)45使上述2個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a、 10b沿圓周 方向相對(duì)旋轉(zhuǎn)，從而，支柱28以小于晶片w直徑的間隔包圍晶片w 周邊部。這時(shí)，優(yōu)選相對(duì)于一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a使另外一個(gè)晶片舟 構(gòu)成體10b以規(guī)定角度6 、例如9 =60 90度左右進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。例如，上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)45如圖9所示地構(gòu)成。為了使升降軸40 (參 照?qǐng)D8)可以相對(duì)旋轉(zhuǎn)軸38獨(dú)立旋轉(zhuǎn)，第二旋轉(zhuǎn)體46通過引導(dǎo)部42 以及波紋管44、可以上下移動(dòng)地支撐在上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)14的旋轉(zhuǎn)體37 下部。通過滾珠軸承47，上述升降軸40的基部40a可以旋轉(zhuǎn)地支撐在 第二旋轉(zhuǎn)體46內(nèi)部。在上述第二旋轉(zhuǎn)體46下部安裝有驅(qū)動(dòng)升降軸40 旋轉(zhuǎn)的未圖示電動(dòng)機(jī)。另外，在第二旋轉(zhuǎn)體46下方設(shè)置有例如氣動(dòng)缸 等未圖示升降驅(qū)動(dòng)部，其中，該升降驅(qū)動(dòng)部使升降軸40與該第二旋轉(zhuǎn) 體46 —起升降移動(dòng)。據(jù)此，由于不僅可以使升降軸40升降移動(dòng)，還 可以使升降軸40轉(zhuǎn)動(dòng)，因此，通過升降軸40的轉(zhuǎn)動(dòng)，能夠簡單地使 另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b相對(duì)于一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。圖11為概略說明基板保持件的其他例子的說明圖，圖12為概略 表示圖ll中基板保持件的俯視圖。在本實(shí)施方式中，設(shè)置使另外一個(gè) 晶片舟構(gòu)成體10b相對(duì)于一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a上下移動(dòng)的上下移動(dòng) 機(jī)構(gòu)33。該上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)33具有升降機(jī)構(gòu)12和卡止機(jī)構(gòu)48，其中， 該升降機(jī)構(gòu)12使晶片舟10相對(duì)熱處理爐搬入搬出地進(jìn)行升降，該晶 片舟10通過保溫筒13載置到封閉上述熱處理爐爐口的蓋體6上部，　該卡止機(jī)構(gòu)48在通過該升降機(jī)構(gòu)12從熱處理爐搬出該晶片舟10時(shí)， 在停止位置稍前，卡止另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b，使其恢復(fù)(復(fù)位到) 與一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a在上下方向的相對(duì)位置關(guān)系。另外，這時(shí)，使另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b相對(duì)于一個(gè)晶片舟構(gòu) 成體10a旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)45具有上述卡止機(jī)構(gòu)48;相對(duì)于卡止到該 卡止機(jī)構(gòu)48上的另外一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b使一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a 沿圓周方向僅轉(zhuǎn)動(dòng)規(guī)定角度e的晶片舟用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)14。上述卡止機(jī)構(gòu)48具備多個(gè)、例如3個(gè)卡止構(gòu)件48a和例如氣動(dòng)缸 等進(jìn)退驅(qū)動(dòng)部(省略圖示)，其中，該卡止構(gòu)件48a卡止另外一個(gè)晶片 舟構(gòu)成體10a下表面、例如底部構(gòu)件32的各端部(與各支柱28下端 對(duì)應(yīng)的部分)下表面，該進(jìn)退驅(qū)動(dòng)部在蓋體6升降時(shí)，為了避免妨礙 蓋體6，分別使上述卡止構(gòu)件48a向晶片舟10直徑方向外方后退，或 者為了卡止另外一個(gè)晶片舟1 Ob，使卡止構(gòu)件48a向直徑方向內(nèi)方前進(jìn)。首先，在圖11 (a)以及圖12 (a)所示的狀態(tài)下，相對(duì)晶片舟10 移載晶片。這時(shí)，對(duì)于兩個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a、 10b，對(duì)應(yīng)的支柱28處 于接近的狀態(tài)，并且，相對(duì)于一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a使另外一個(gè)晶片 舟構(gòu)成體10b處于卡止在卡止構(gòu)件48a上方的狀態(tài)。如果移載完晶片， 則在圖11 (a)所示的狀態(tài)下，通過晶片舟用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)14使一個(gè)晶片 舟構(gòu)成體10a僅旋轉(zhuǎn)規(guī)定角度9 ，如圖12 (b)所示，兩個(gè)晶片舟構(gòu)成 體10a、 10b通過多個(gè)支柱28以小于晶片直徑的間隔包圍晶片w周圍。 從而，在搬入搬出晶片舟時(shí)或進(jìn)行熱處理時(shí)，防止晶片w飛出或者脫 落。接著，通過升降機(jī)構(gòu)12使蓋體6上升，將晶片舟10搬入熱處理 爐內(nèi)的同時(shí)，用蓋體6封閉熱處理爐的爐口。這時(shí)，在蓋體6上升的 過程中，首先，如圖ll (b)所示，使一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10a相對(duì)另外 一個(gè)晶片舟構(gòu)成體10b向上方僅移動(dòng)(改變位置)規(guī)定高度，這時(shí)， 形成圖4乃至圖6 (c)所示狀態(tài)(晶片表面之間的間隔較寬，背面之 間的間隔比表面之間的間隔小的狀態(tài))。另外，在蓋體6上升的過程中， 如圖11 (c)所示，使卡止機(jī)構(gòu)48的卡止構(gòu)件48a向直徑方向外方移 動(dòng)(退避)，從而，不妨礙蓋體6。另夕卜，當(dāng)搬出晶片舟10時(shí)，以與上 述相反的順序、即按照?qǐng)D11 (c)、 (b)、 (a)的順序進(jìn)行。若根據(jù)本實(shí)
施方式，則可以產(chǎn)生與上述實(shí)施方式相同的效果。以上，根據(jù)附圖、對(duì)本發(fā)發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是， 本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)，可以在 設(shè)計(jì)上進(jìn)行各種變更等。 (第二實(shí)施方式)下面，根據(jù)附圖，對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的最佳實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖13為概略表示本發(fā)明實(shí)施方式的熱處理裝置的縱截面圖，圖14 為概略說明使用支撐環(huán)、使2塊晶片在背面相對(duì)的狀態(tài)下得到支撐的 一個(gè)例子的說明圖，圖15為概略表示使用支撐環(huán)、使每2塊晶片沿上 下方向且以規(guī)定間隔保持在晶片舟上的狀態(tài)的主視圖，圖16為表示 支撐環(huán)的圖，圖16 (a)為整體概略立體圖，圖16 (b)為主要部分的 放大立體圖。在圖13中，101為立式熱處理裝置，該熱處理裝置101具有形成 外殼的框體102。在該框體102內(nèi)的上方設(shè)置有立式熱處理爐103，該 熱處理爐103用于收納多塊被處理基板、例如薄圓板狀的半導(dǎo)體晶片 w,進(jìn)行規(guī)定處理、例如CVD處理等。該熱處理爐103主要包括下 部作為爐口 104而開口的縱長處理容器、例如石英制反應(yīng)管105;開閉 該反應(yīng)管105的爐口 104的、可以升降的蓋體106;以覆蓋上述反應(yīng)管 105周圍的方式設(shè)置的可以將反應(yīng)管105內(nèi)加熱控制到規(guī)定溫度、例如 300 120(TC的加熱器(加熱裝置)107。用于設(shè)置構(gòu)成熱處理爐103的反應(yīng)管105或加熱器107的例如SUS 制的底板108水平設(shè)置在上述框體102內(nèi)。在底板108上形成未圖示 開口部，用于使反應(yīng)管105從下方向上方插入。在反應(yīng)管105的下端部形成朝外的凸緣部，通過凸緣保持構(gòu)件將 該凸緣部保持在底板108上，由此，將反應(yīng)管105設(shè)置為從下方向上 方插通底板108的狀態(tài)。為了清潔反應(yīng)管105，從底板108向下方取出 反應(yīng)管105。向反應(yīng)管105內(nèi)導(dǎo)入處理氣體或凈化用惰性氣體的多個(gè)氣 體導(dǎo)入管、可以對(duì)反應(yīng)管105內(nèi)進(jìn)行減壓控制的真空泵或排氣管連接 反應(yīng)管105 (省略圖示)，其中，該排氣管具有壓力控制閥等。而且， 具有與氣體導(dǎo)入管或排氣管連接的氣體導(dǎo)入孔或排氣孔的圓筒狀岐管 也可以連接反應(yīng)管105下端部，這時(shí)，該岐管形成爐口。
在上述框體102內(nèi)的底板108下方設(shè)置加載區(qū)(作業(yè)領(lǐng)域)112， 該加載區(qū)112用于將通過作為爐口保溫部件的保溫筒110載置到蓋體 106上的晶片舟(基板保持件)111搬入(裝載到)熱處理爐103 (即 反應(yīng)管105)內(nèi)，或者從熱處理爐103搬出(卸載)，或者相對(duì)晶片舟 lll移載晶片w。在該加載區(qū)112中設(shè)置升降機(jī)構(gòu)(省略圖示)，該升 降機(jī)構(gòu)用于使搬入、搬出晶片舟lll的蓋體106升降。上述蓋體106構(gòu)成為抵接爐口 104的開口端，對(duì)爐口 104進(jìn)行封 閉。在蓋體106下部安裝有用于使晶片舟111旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)113。該 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)113的旋轉(zhuǎn)軸氣密性地貫通蓋體106,使在蓋體上配置的未圖 示旋轉(zhuǎn)臺(tái)、或者圖IIO所示的在晶片舟111底部中央設(shè)置的支撐腳130 旋轉(zhuǎn)。在框體102前部設(shè)置有載置臺(tái)(裝載臺(tái))115，該載置臺(tái)115用于 載置能夠以規(guī)定間隔收納多塊、例如25塊左右晶片的收納容器114， 并相對(duì)框體102進(jìn)行搬入搬出。收納容器114采用前面具有可以裝卸 的未圖示蓋的密閉型收納容器(也稱為環(huán)箍)。在加載區(qū)112內(nèi)的前后 設(shè)置門機(jī)構(gòu)116，取下收納容器114的蓋，該門機(jī)構(gòu)116使收納容器114 相對(duì)加載區(qū)112連通開放；并在加載區(qū)112設(shè)置移載機(jī)構(gòu)118，該移載 機(jī)構(gòu)118沿上下方向以規(guī)定間隔具有水平的多個(gè)、例如5個(gè)叉板(移 載板)117，該叉板117在收納容器114和晶片舟111之間移載晶片w。在加載區(qū)112外的前部上側(cè)設(shè)置有用于預(yù)先存放收納容器114 的保管棚部120;以及從搬入搬出用的載置臺(tái)115向保管棚部120或者 相反地搬送收納容器114的未圖示搬送機(jī)構(gòu)。而且，在加載區(qū)112上 方設(shè)置有閘門機(jī)構(gòu)121，為了抑制以及防止當(dāng)打開蓋體106時(shí)，高溫的 爐內(nèi)的熱量從爐口 104向下方加載區(qū)112釋放出，該閘門機(jī)構(gòu)121覆 蓋(或者塞住)爐口 104。另外，在上述載置臺(tái)115下方設(shè)置有校正裝 置(調(diào)整器)122，該校正裝置122用于使設(shè)置在通過移載機(jī)構(gòu)118移 載的晶片w外周的切口部(例如缺口)都朝向一個(gè)方向。上述叉板117中的中央的叉板可以單獨(dú)向前方進(jìn)退移動(dòng)，中央以 外的叉板(第一個(gè)、第二個(gè)、第4個(gè)以及第5個(gè))以中央的叉板為基 準(zhǔn)、通過間距變換機(jī)構(gòu)可以沿上下方向無等級(jí)地改變間距。由于存在 晶片在收納容器114內(nèi)的收納間距和晶片在晶片舟111內(nèi)的搭載間距不同，所以即使在這種情況下，也可以在收納容器ii4和晶片舟m 之間多塊地移載晶片。移載機(jī)構(gòu)118具有可以升降以及旋轉(zhuǎn)的基臺(tái)123。具體地說，移載 機(jī)構(gòu)118具備通過圓頭螺釘?shù)取⒖梢匝厣舷路较蛞苿?dòng)(升降)的升降 臂124，箱形基臺(tái)123可以水平旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在該升降臂124上。在該基 臺(tái)123上分別設(shè)置有第一移動(dòng)體125和第二移動(dòng)體126，其中，該第一 移動(dòng)體125可以沿著基臺(tái)123縱向移動(dòng)中央的1塊叉板，該第二移動(dòng) 體126可以移動(dòng)隔著中央叉板上下分別配備2塊的共4塊叉板。而且，也可以在上述移載機(jī)構(gòu)118的叉板117基部設(shè)置夾緊機(jī)構(gòu)， 其中，該夾緊機(jī)構(gòu)可以在基部和頂端部的定位槽之間、沿叉板縱向前 后握持晶片w。另夕卜，也可以構(gòu)成上述移載機(jī)構(gòu)118的叉板117，從而， 選擇從下方支撐或者握持(從下表面夾住)晶片w、進(jìn)行移載的一般 移載，和從上方支撐或者握持(從上表面夾住)晶片、進(jìn)行移載的特 殊移載。另外，也可以在叉板118的頂端部設(shè)置映像檢測(cè)器，其中， 該映像檢測(cè)器檢測(cè)晶片在晶片舟111內(nèi)或收納容器114內(nèi)的位置，進(jìn) 行映像。上述晶片舟111為例如石英制晶片舟，以水平狀態(tài)沿上下方向且 以規(guī)定間隔(間距寬度)搭載大直徑、例如直徑300mm的晶片w。例 如，如圖22所示，上述晶片舟lll具有頂板llla、底板lllb、以及 在上述頂板llla和底板lllb之間設(shè)置的多根、例如3根支柱127。也 可以與上述支柱127 —起，適當(dāng)設(shè)置輔助柱128。該晶片舟111在底部 中央具有一個(gè)支撐腳130，該支撐腳130與設(shè)置在蓋體106上的旋轉(zhuǎn)機(jī) 構(gòu)113的旋轉(zhuǎn)軸連接。在這種晶片舟的情況下，在蓋體106和底板lllb 之間設(shè)置未圖示隔熱構(gòu)件來取代保溫筒。作為晶片舟也可以不具備支 撐腳，通過保溫筒搭載到蓋體上部的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上(參照?qǐng)D13)。如圖14乃至圖15所示，由上述晶片舟111上保持有多個(gè)復(fù)板單 元132。各復(fù)板單元132通過支撐環(huán)(支撐環(huán))131支撐周邊部，從而， 使該2塊晶片w的背面彼此相對(duì)，對(duì)個(gè)該復(fù)板單元132以比該復(fù)板單 元132上的晶片w的間隔Pa大的間隔Pb，沿上下方向保持在晶片舟 111上。上述支撐環(huán)131例如為石英制的。上述支撐環(huán)131具有水平 支撐將背面wb作為上表面(即，將表面wa作為下表面)的晶片w的
第一支撐環(huán)131a;和在該第一支撐環(huán)131a上部載置的、水平支撐將表 面wa作為上表面的晶片w的第二支撐環(huán)131b。如圖4所示，上述第一支撐環(huán)131a以及第二支撐環(huán)131b具有 直徑(外徑)與晶片相同或者稍稍大于晶片的圓環(huán)部131x;和以適當(dāng) 間隔突設(shè)在該圓環(huán)部131x外周的多個(gè)、例如4個(gè)突片131y。為了確保 載置到復(fù)板單元132下層的晶片w朝下的表面(被處理面)wa的處理 面積較大，優(yōu)選至少第一支撐環(huán)131a的圓環(huán)部131x內(nèi)徑盡可能大地 形成，以接近晶片w直徑大小。優(yōu)選圓環(huán)部131x的上表面與突片131y的上表面為同一平面(一 個(gè)平面)，突片131y的上表面也可以從圓環(huán)部131x的上表面突出，通 過該突片131y，可以防止晶片w由于橫滑而飛出或者脫落。在第一支 撐環(huán)131a的突片131y上載置第二支撐環(huán)131b的突片131y，至少第二 支撐環(huán)131b的突片131y的厚度t為，相對(duì)第一支撐環(huán)131a上的晶片 w能夠以規(guī)定間隔Pa保持第二支撐環(huán)131b上的晶片w的厚度。組裝上述復(fù)板單元132時(shí)，也可以如圖14 (a)、 (b)所示，在第 一支撐環(huán)131a的圓環(huán)部131x上表面載置晶片w，接著如圖14(c)、 (d) 所示，在上述第一支撐環(huán)131a上載置上述第二支撐環(huán)131b，在該第二 支撐環(huán)131b的圓環(huán)部131x上表面載置晶片w?？梢栽跓崽幚硌b置1 內(nèi)進(jìn)行上述組裝作業(yè)，或者也可以將預(yù)先組裝好的復(fù)板單元132收納 到收納容器114內(nèi)。在上述晶片舟111的支柱127上設(shè)置爪部133，該爪部133用于以 比該復(fù)板單元132上的晶片w的間隔Pa大的間隔Pb保持上述復(fù)板單 元132。即，在上述爪部133上表面載置(卡止)復(fù)板單元132的第一 支撐環(huán)131a的突片131y，支撐復(fù)板單元132。復(fù)板單元132上的晶片 w的間隔(間距)Pa例如為2mm，晶片舟111上的復(fù)板單元132的間 隔(間距)Pb例如為llmm。由此，與以往相比，晶片舟111的搭載 塊數(shù)能夠僅增加收納容器1批次部分的塊數(shù)(25塊)。而且，在圖所示例子中，第一支撐環(huán)131a的突片131y厚度與第 二支撐環(huán)131b的突片131y厚度t相同，但是，第一支撐環(huán)131a的突 片131y厚度也可以與圓環(huán)部131x的厚度相同。由于上述突片131y的 截面與支柱127的截面相比非常小，因此，不會(huì)像支柱127 —樣對(duì)晶
片w產(chǎn)生影響(對(duì)于支柱127，由于晶片w的被處理面wa周邊附近位 于支柱127后面，因此，可能影響到處理的面內(nèi)均勻性)。另外，支撐 環(huán)131通過突片131y、支撐在支柱127的爪部133，因此，晶片w的 周邊部遠(yuǎn)離支柱127，而且，由于在圓環(huán)部131x上表面載置晶片w的 周邊部，因而，與所謂的環(huán)晶片舟相同，能夠進(jìn)行尤其包括晶片w周 邊部的面內(nèi)均勻處理。根據(jù)上述構(gòu)成的熱處理方法或者熱處理裝置101，構(gòu)成通過支撐環(huán) 131以周邊部支撐復(fù)板單元132，從而，使2塊晶片w背面相對(duì)，使多 塊該復(fù)板單元132沿上下方向、以比晶片w在復(fù)板單元132上的間隔 Pa大的間隔Pb保持在晶片舟lll上。由此，上下相鄰的晶片w背面 對(duì)背面和表面對(duì)表面地沿上下方向交替，晶片背面之間的間隔Pa比表 面之間的間隔Pb小。因此，使表面之間的間隔Pa為能夠確保處理均 勻性的間隔，使背面之間的間隔Pb為比表面之間的間隔小的間隔，所 以，能夠確保處理均勻性的同時(shí)，相比以往增加晶片舟111的搭載塊 數(shù)，增大生產(chǎn)量。而且，由于構(gòu)成通過支撐環(huán)131以周邊部進(jìn)行支撐 的復(fù)板單元132，使2塊晶片w背面相對(duì)，因此，2塊晶片之間不會(huì)粘 上，另外，可以連同復(fù)板單元132—起收納到收納容器114中，能夠 每2塊地移載晶片，因此，能夠提高效率、縮短移載時(shí)間、進(jìn)一步增 大生產(chǎn)量。圖17為概略說明使用支撐環(huán)、在2塊晶片背面相對(duì)的狀態(tài)下進(jìn)行 支撐的其他例子的說明圖，圖18為概略表示使用支撐環(huán)、使晶片每2 塊地沿著上下方向且以規(guī)定間隔保持在晶片舟上的狀態(tài)的主視圖。在 該例中，上下相反地使用構(gòu)成復(fù)板單元132的支撐環(huán)131、即第一支撐 環(huán)131a以及第二支撐環(huán)131b。g卩，使圓環(huán)部131x的下表面與突片131y 的下表面為同一面(在相同面內(nèi))，將突片131y的上表面設(shè)定為比載 置到圓環(huán)部131x上的晶片w的上表面高。這時(shí)，在圓環(huán)部131x上表 面載置的晶片w周圍由突片131y包圍，因此，防止晶片w由于橫滑 而飛出或脫落。即使在本例中，也可以發(fā)揮與上述實(shí)施方式相同的效 果。圖19為概略說明使用支撐環(huán)、支撐1塊晶片的其他例子(實(shí)施方 式)的說明圖，圖20為概略表示使將背面作為上表面的晶片直接保持
在晶片舟上、使將表面作為上表面的晶片通過支撐環(huán)保持在晶片舟上的狀態(tài)的主視圖。在該例中，將背面wb作為上表面的晶片w、與通過 支撐環(huán)134支撐將表面wa作為上表面的晶片w周邊部的單板單元135， 沿上下方向以規(guī)定間隔交替保持在晶片舟111上。這時(shí)，使上述晶片舟111上的晶片w與單板單元135上的晶片w 的背面相對(duì)地被保持，上述晶片w背面之間的間隔Pa設(shè)定為比表面之 間的間隔Pb小。如圖19所示，上述單板單元135通過在支撐環(huán)134上表面載置將 表面(被處理面)wa作為上表面的晶片而構(gòu)成。上述支撐環(huán)134具有 直徑(外徑)與晶片相同或稍稍大于晶片的圓環(huán)部134x;和以適當(dāng)間 隔突設(shè)在該圓環(huán)部134x外周的多個(gè)、例如4個(gè)突片134y。圓環(huán)部134x 的厚度小，例如為2.5mm。圓環(huán)部134x的厚度與突片部134y的厚度 相同。對(duì)圓環(huán)部134x內(nèi)徑的大小沒有特別限制。在組裝上述單板單元135時(shí)，如圖19 (a)、 (b)所示，只要在支 撐環(huán)134的圓環(huán)部134x上表面載置晶片w即可。也可以在熱處理裝置 內(nèi)進(jìn)行上述組裝作業(yè)，或者，也可以將預(yù)先組裝的單板單元135收納 在收納容器114內(nèi)。這時(shí)，作為收納容器114使用收納晶片w的第一 收納容器、和收納單板單元135的第二收納容器。如圖22、圖23乃至圖24所示，上述晶片舟lll具有以圍繞晶片 w周圍的方式配置的多根、例如3根支柱127,在該支柱127上設(shè)置保 持晶片w的爪部136、和通過上述單板單元135的支撐環(huán)134的突片 134y支撐單板單元135的單元支撐部137。圖示例子中的晶片舟111 具有頂板llla，底板lllb，和設(shè)置在頂板llla與地板lllb之間的 多根、例如3根支柱127以及2根輔助柱128;從圖24右側(cè)移載(搭 載)晶片w或者單板單元135。在與晶片w移載方向(圖24左右方向)垂直的方向上配置一對(duì)支 柱127，在移載方向的內(nèi)側(cè)中央配置1根支柱127，輔助柱128隔著該 支柱127配置在兩側(cè)。在上述3根支柱127中，支撐晶片w周邊部的 爪部136沿上下方向、以規(guī)定間隔(間距)Pc進(jìn)行配設(shè)。Pc-Pa+Pb。作為單元支撐部137，相對(duì)于移載方向在左右一對(duì)支柱127上向前 面一側(cè)(圖24右方)突出地形成板狀的平面圓弧狀的前部單元支撐部 137a，該前部單元支撐部137a支承(支撐)支撐環(huán)134后側(cè)的一對(duì)突 片134y，在一對(duì)輔助支柱128上形成后部單元支撐部137b，該后部單 元支撐部137b支承(支撐)支撐環(huán)134前側(cè)的一對(duì)突片134y。而且， 根據(jù)場(chǎng)合，也可以在后側(cè)支柱127與一對(duì)輔助柱128之間搭有平板狀 的圓弧狀支撐板138，作為后部單元支撐部。在本實(shí)施方式中，也可以如圖20 (a)所示，首先，通過移載機(jī)構(gòu) 118、使將表面作為上表面的晶片w依次搭載到晶片舟111的爪部136 上后，如圖20 (b)所示，通過突片134y將單板單元135搭載到晶片 舟111的單元支撐部137上。若根據(jù)本實(shí)施方式，則晶片之間不會(huì)粘 上，能夠確保處理均勻性的同時(shí)，相比以往增加晶片舟111的搭載塊 數(shù)。以上，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是，本 發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)，可以在設(shè) 計(jì)上進(jìn)行各種變更等。
權(quán)利要求
1. 一種熱處理方法，在基板保持件上沿上下方向以規(guī)定間隔搭載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定的熱處理，其特征在于，包括在所述基板保持件上配置被處理基板，以使上下相鄰的被處理基板背面對(duì)背面或表面對(duì)表面的工序；以及將被處理基板表面之間的間隔設(shè)定為能夠確保處理均勻性的間隔，將被處理基板背面之間的間隔設(shè)定為比表面之間的間隔小的工序。
2. 如權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于所述基板保持件由2個(gè)保持件構(gòu)成體構(gòu)成，各保持件構(gòu)成體沿上下方向以規(guī)定間隔設(shè)有多個(gè)支撐被處理基板周邊部的基板支撐部，并 具有配置在同一圓周上的多根支柱，在一個(gè)保持件構(gòu)成體上搭載將表面作為上表面的被處理基板，在 另外一個(gè)保持件構(gòu)成體上搭載將背面作為上表面的被處理基板，并以 使上下相鄰的被處理基板背面對(duì)背面和表面對(duì)表面交替的方式配置被處理基板；通過使2個(gè)保持件構(gòu)成體沿著上下方向相對(duì)移動(dòng)，將被處理基板 表面之間的間隔設(shè)定為能夠確保處理均勻性的間隔，將被處理基板背 面之間的間隔設(shè)定為比表面之間的間隔小。
3. 如權(quán)利要求2所述的熱處理方法，其特征在于 還具有使所述2個(gè)保持件構(gòu)成體沿著圓周方向相對(duì)旋轉(zhuǎn)的工序，由此，各保持件構(gòu)成體的支柱以比該被處理基板直徑小的間隔包圍所 述被處理基板的周邊部。
4. 一種熱處理裝置，具備沿著上下方向以規(guī)定間隔搭載多塊被處 理基板的基板保持件、和搬入該基板保持件并對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定 的熱處理的熱處理爐，其特征在于所述基板保持件具有多個(gè)基板支撐部，該基板支撐部支撐被處理基板的周邊部，以使上下相鄰的被處理基板背面對(duì)背面和表面對(duì)表面 交替配置，各基板支撐部以使被處理基板表面之間的間隔形成能夠確 保處理均勻性的間隔，并使被處理基板背面之間的間隔比表面之間的 間隔小的方式構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求4所述的熱處理裝置，其特征在于 所述基板保持件由2個(gè)保持件構(gòu)成體構(gòu)成，各保持件構(gòu)成體沿上下方向以規(guī)定間隔設(shè)有多個(gè)支撐被處理基板周邊部的基板支撐部，并 具有配置在同一圓周上的多根支柱，在一個(gè)保持件構(gòu)成體的基板支撐部上搭載將表面作為上表面的被 處理基板，在另外一個(gè)保持件構(gòu)成體的基板支撐部上搭載將背面作為上表面的被處理基板，如果組裝2個(gè)保持件構(gòu)成體，則上下相鄰的被 處理基板以背面對(duì)背面和表面對(duì)表面交替的方式配置；2個(gè)保持件構(gòu)成體通過上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠沿著上下方向相對(duì)移動(dòng)， 使被處理基板表面之間的間隔形成為能夠確保處理均勻性的間隔，使 被處理基板背面之間的間隔形成為比表面之間的間隔小。
6. 如權(quán)利要求5所述的熱處理裝置，其特征在于 在封閉所述熱處理爐爐口的蓋體上設(shè)置有具有旋轉(zhuǎn)軸的基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，所述上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)具備貫通基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)并進(jìn)行升降移 動(dòng)的旋轉(zhuǎn)軸的升降軸、和使該升降軸升降移動(dòng)的升降驅(qū)動(dòng)部。
7. 如權(quán)利要求5所述的熱處理裝置，其特征在于-在封閉所述熱處理爐爐口的蓋體上設(shè)置有保溫筒， 所述上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)具備升降機(jī)構(gòu)和卡止機(jī)構(gòu)，其中，該升降機(jī)構(gòu)相對(duì)熱處理爐搬入搬出所述基板保持件的一個(gè)保持件構(gòu)成體和另外一 個(gè)保持件構(gòu)成體，該卡止機(jī)構(gòu)在通過該升降機(jī)構(gòu)從熱處理爐搬出基板 保持件時(shí)，卡止另外一個(gè)保持件構(gòu)成體，恢復(fù)與一個(gè)保持件構(gòu)成體在 上下方向的相對(duì)位置關(guān)系。
8. 如權(quán)利要求5所述的熱處理裝置，其特征在于還具有使所述2個(gè)保持件構(gòu)成體沿著圓周方向相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)的轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，由此，保持件構(gòu)成體的所述支柱以小于該被處理基板直徑的間隔 包圍所述被處理基板周邊部。
9. 如權(quán)利要求8所述的熱處理裝置，其特征在于-在封閉所述熱處理爐爐口的蓋體上設(shè)置有具有旋轉(zhuǎn)軸的基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)由貫通旋轉(zhuǎn)軸并進(jìn)行升降移動(dòng)的升降軸 構(gòu)成，該升降軸自由旋轉(zhuǎn)。
10. 如權(quán)利要求8所述的熱處理裝置，其特征在于 所述轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)由卡止機(jī)構(gòu)和基板保持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)構(gòu)成，其中，該卡止機(jī)構(gòu)在從熱處理爐搬出基板保持體時(shí)，卡止一個(gè)保持件構(gòu)成體， 恢復(fù)與另外一個(gè)保持件構(gòu)成體在上下方向的相對(duì)位置關(guān)系，該基板保 持件用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)相對(duì)于卡止在該卡止機(jī)構(gòu)上的另外一個(gè)保持件構(gòu)成 體，使一個(gè)保持件構(gòu)成體沿著圓周方向僅轉(zhuǎn)動(dòng)規(guī)定角度。
11. 一種熱處理方法，在基板保持件上沿上下方向以規(guī)定間隔搭 載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定的熱處理，其特征在于，包括通過支撐環(huán)支撐各被處理基板的周邊部，以使2塊被處理基板背 面彼此相對(duì)，從而構(gòu)成復(fù)板單元的工序；和多塊該復(fù)板單元以比復(fù)板單元的被處理基板之間的間隔大的間隔 沿上下方向保持在所述基板保持件上，由此，使所述被處理基板背面 之間的間隔小于表面之間的間隔的工序。
12. 如權(quán)利要求ll所述的熱處理方法，其特征在于 所述支撐環(huán)具有支撐將背面作為上表面的被處理基板的第一支撐環(huán)；和在該第一支撐環(huán)上部載置的、支撐將表面作為上表面的被處 理基板的第二支撐環(huán)。
13. 如權(quán)利要求12所述的熱處理方法，其特征在于 所述第一支撐環(huán)以及第二支撐環(huán)具有在外周以適當(dāng)間隔突設(shè)的突片，在第一支撐環(huán)的突片上載置有第二支撐環(huán)的突片，至少第二支撐 環(huán)的突片厚度設(shè)定為，相對(duì)于第一支撐環(huán)上的被處理基板，能夠以規(guī) 定間隔保持第二支撐環(huán)上的被處理基板的厚度。
14. 一種熱處理方法，在基板保持件上沿上下方向且以規(guī)定間隔搭載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定熱處理，其特征在于，包括在所述基板保持件上沿著上下方向以規(guī)定間隔保持將背面作為上 表面的被處理基板的工序；構(gòu)成通過支撐環(huán)支撐將表面作為上表面的被處理基板周邊部的單 板單元的工序；以及通過支撐環(huán)在基板保持件上保持該單板單元，以使所述基板保持 件上的被處理基板和單板單元上的被處理基板背面彼此相對(duì)，由此， 使所述被處理基板背面之間的間隔小于表面之間的間隔的工序。
15. 如權(quán)利要求13所述的熱處理方法，其特征在于， 所述基板保持件具有以包圍被處理基板周圍的方式配置的多根支柱，該支柱具有保持被處理基板的爪部、和通過所述單板單元的支撐 環(huán)的突片支撐單板單元的單元支撐部。
16. —種熱處理裝置，在基板保持件上沿上下方向以規(guī)定間隔搭 載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被處理基板 進(jìn)行規(guī)定的熱處理，其特征在于，所述基板保持件具備多個(gè)支柱和多個(gè)支撐環(huán)，該支撐環(huán)支撐各被 處理基板的周邊部，以使2塊被處理基板背面彼此相對(duì)，從而構(gòu)成多 個(gè)復(fù)板單元，在各支撐柱上沿著上下方向設(shè)置有爪部，該爪部通過支 撐環(huán)以比該復(fù)板單元的被處理基板的間隔大的間隔保持所述復(fù)板單 元，所述復(fù)板單元的被處理基板的背面之間的間隔小于表面之間的間 隔。
17. 如權(quán)利要求16所述的熱處理裝置，其特征在于 所述支撐環(huán)具有支撐將背面作為上表面的被處理基板的第一支撐環(huán)；和在該第一支撐環(huán)上部載置的、支撐將表面作為上表面的被處 理基板的第二支撐環(huán)。
18. 如權(quán)利要求17所述的熱處理裝置，其特征在于 所述第一支撐環(huán)以及第二支撐環(huán)具有在外周以適當(dāng)間隔突設(shè)的突片，在第一支撐環(huán)的突片上載置有第二支撐環(huán)的突片，至少第二支撐 環(huán)的突片厚度設(shè)定為，相對(duì)于第一支撐環(huán)上的被處理基板能夠以規(guī)定 間隔保持第二支撐環(huán)上的被處理基板的厚度。
19. 一種熱處理裝置，在基板保持件上沿上下方向且以規(guī)定間隔搭載多塊被處理基板，將該基板保持件搬入熱處理爐內(nèi)，對(duì)被處理基 板進(jìn)行規(guī)定熱處理，其特征在于，所述基板保持件具備多個(gè)支柱；和支撐將表面作為上表面的被 處理基板的周邊部，構(gòu)成單板單元的多個(gè)支撐環(huán)，在各支柱上設(shè)置爪部和單元支撐部，其中，該爪部沿著上下方向 以規(guī)定間隔保持將被背面作為上表面的被處理基板，該單元支撐部通 過支撐環(huán)支撐所述單板單元，使所述爪部上的被處理基板和單板單元 上的被處理基板背面相對(duì)，所述被處理基板背面之間的間隔小于表面 之間的間隔。
20. 如權(quán)利要求19所述的熱處理裝置，其特征在于 所述單板單元的支撐環(huán)具有在外周以適當(dāng)間隔突設(shè)的突片，所述單元支撐部支撐所述突片。
全文摘要
提供一種確保處理均勻性，并相比以往增加基板保持件搭載塊數(shù)的熱處理方法和熱處理裝置。多塊被處理基板(w)沿著上下方向且以規(guī)定間隔搭載到基板保持件(10)上，將該基板保持件(10)搬入熱處理爐(3)內(nèi)，對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定熱處理。上述基板保持件(10)具有2個(gè)保持件構(gòu)成體(10a)、(10b)，各保持件構(gòu)成體(10a)、(10b)具備配置在同一圓周上的多根支柱(28)、設(shè)置在各支柱(28)上且支撐被處理基板(w)周邊部的基板支撐部(30)。在一個(gè)保持件構(gòu)成體(10a)上搭載將表面作為上表面的被處理基板，在另外一個(gè)保持件構(gòu)成體(10b)上搭載將背面作為上表面的被處理基板，由此，使上下相鄰的被處理基板(w)背面對(duì)背面和表面對(duì)表面交替。
文檔編號(hào)H01L21/673GK101399173SQ20081016142
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月26日
發(fā)明者井上久司, 松本俊一, 竹內(nèi)靖 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社