專利名稱：具有集成器件的微電子襯底的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于微電子襯底的制造的裝置和工藝。特別是，本發(fā)明涉及一種可將至少一個微電子管芯密封在微電子襯底核心中或密封至少一個微電子管芯(無微電子襯底核心)以形成微電子襯底的制造技術(shù)。
背景技術(shù)：
在所有新近制造的電子設(shè)備中實(shí)際上都存在著將各個微電子器件相連的襯底。這些襯底通常為印制電路板。印制電路板基本上為介質(zhì)襯底，并且在介質(zhì)襯底中或其上形成有金屬跡線。一種類型的印制電路板為單面板。如圖20所示，單面板200包括諸如FR4材料、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、三嗪樹脂等的介質(zhì)襯底202，在其一側(cè)(如第一表面206)上具有諸如銅、鋁等的導(dǎo)電跡線204，其中導(dǎo)電跡線204與連接在第一表面206上的微電子器件208(如倒裝片)電連接。然而，單面板200導(dǎo)致了相對較長的導(dǎo)電跡線204，這又使速度和性能下降。單面板200還需要用于導(dǎo)電跡線204布線的較大表面積以便與多個微電子器件208互連，這增大了所得組件的尺寸。
當(dāng)然應(yīng)當(dāng)理解，關(guān)于圖20(以及后面的圖21和22)中的介質(zhì)襯底202、導(dǎo)電跡線204和微電子器件208的介紹只是出于說明的目的而給出，其中一些尺寸被放大以說明概念，而不是準(zhǔn)確地繪出了具體情況。
已經(jīng)開發(fā)出了雙面板210以減輕導(dǎo)電跡線較長的問題。如圖21所示，雙面板210包括介質(zhì)襯底202，在介質(zhì)襯底的第一表面206和介質(zhì)襯底的第二表面212上均具有導(dǎo)電跡線204。至少一個導(dǎo)電通孔214延伸穿過介質(zhì)襯底202，將第一表面206上的至少一個導(dǎo)電跡線204與第二表面212上的至少一個導(dǎo)電跡線204相連。因此，介質(zhì)襯底的第一表面206和介質(zhì)襯底的第二表面212上的微電子器件208可電連通。導(dǎo)電通孔214可以是涂鍍的通孔，可由本領(lǐng)域中已知的任何方式形成。
圖22顯示了另一種板設(shè)計(jì)，稱為多層板220。多層板220包括其上和其間帶有導(dǎo)電跡線204的兩片或多片介質(zhì)材料(顯示為第一介質(zhì)材料222和第二介質(zhì)材料224)，并且在第一介質(zhì)材料222和第二介質(zhì)材料224中形成了導(dǎo)電通孔214。對導(dǎo)電跡線204的布線來說，這種設(shè)計(jì)只需較短的跡線和較小表面積。
雖然這種板對于過去和當(dāng)前的微電子器件應(yīng)用來說是足夠的，然而隨著微電子器件的速度和性能的增加，對更高性能和更短跡線的襯底板的要求也增加。因此，希望開發(fā)出能夠達(dá)到更高的速度和性能的新型襯底/板。
附圖簡介雖然說明書以權(quán)利要求作為結(jié)束，且權(quán)利要求特別指出和清楚要求了被視為本發(fā)明的內(nèi)容，然而在結(jié)合附圖閱讀時可從本發(fā)明的下述介紹中更容易地清楚本發(fā)明的特征，在附圖中

圖1是根據(jù)本發(fā)明的微電子襯底核心的斜視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的具有間隔開的微電子襯底核心開口的示例的微電子襯底核心的頂平面視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的與保護(hù)膜相鄰的微電子襯底核心的側(cè)剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的置于微電子襯底核心的開口內(nèi)的微電子管芯的側(cè)剖視圖，其中微電子管芯也與保護(hù)膜相鄰；圖5是根據(jù)本發(fā)明的在密封后的圖4所示組件的側(cè)剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的除去保護(hù)膜后的圖5所示組件的側(cè)剖視圖；圖7到15是根據(jù)本發(fā)明的在微電子管芯、密封材料和微電子襯底核心上形成互連層的工藝的側(cè)剖視圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明的具有互連層和位于其上的焊球的圖6所示組件的側(cè)剖視圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明的未帶有微電子襯底核心的圖16所示組件的側(cè)剖視圖；圖18是不同尺寸的微電子管芯和器件的側(cè)剖視圖；圖19是位于一個核心開口內(nèi)的多個微電子管芯的側(cè)剖視圖；圖20是本領(lǐng)域內(nèi)已知的單面板的剖視圖；圖21是本領(lǐng)域內(nèi)已知的雙面板的剖視圖；和圖22是本領(lǐng)域內(nèi)已知的多層板的剖視圖。
所示實(shí)施例的詳細(xì)介紹雖然圖1到19顯示了本發(fā)明的各個視圖，然而這些圖并不意味著精確且詳細(xì)地描述了微電子組件。相反，這些圖只是以更清楚了表達(dá)了本發(fā)明概念的方式顯示了微電子組件。另外，在這些圖中共用的元件以相同的標(biāo)號表示。
本發(fā)明包括了一種襯底制造技術(shù)，其可將至少一個微電子管芯置于微電子襯底核心的至少一個開口內(nèi)并用密封材料將微電子管芯固定在所述開口內(nèi)，或者是將至少一個微電子管芯密封在沒有微電子襯底核心的密封材料內(nèi)。然后在微電子管芯、密封材料和微電子襯底核心(如果有的話)上制造出介質(zhì)材料和導(dǎo)電跡線的互連層，從而形成微電子襯底。用語“微電子襯底”包括了母板、外圍卡、管殼(cartridge)、多芯片模塊襯底和類似的結(jié)構(gòu)，這對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是很明顯的。
本發(fā)明的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)在于，它可以使微電子襯底制造在微電子管芯周圍，這就使微電子襯底內(nèi)的微電子管芯以及與之相連的微電子器件之間的互連距離較短。這又導(dǎo)致了速度和性能的提高。此外，本發(fā)明的微電子襯底還導(dǎo)致了較小的形狀因數(shù)，其能夠很好地適用于移動系統(tǒng)(例如膝上型計(jì)算機(jī)、手持設(shè)備、個人數(shù)字助理等)。
圖1顯示了用于制造微電子襯底的微電子襯底核心102。微電子襯底核心102最好包括大致平面的材料。用于制造微電子襯底核心102的此材料包括但不限于雙馬來酰亞胺三嗪(“BT”)樹脂的層合材料、FR4層合材料(一種阻燃玻璃/環(huán)氧樹脂材料)、各種聚酰亞胺層合材料、陶瓷材料等，以及金屬材料(如銅)等。微電子襯底核心102具有至少一個開口104，其從微電子襯底核心102的第一表面106延伸到微電子襯底核心102的相對的第二表面108。如圖2所示，開口104可具有任何形狀和大小，包括但不限于矩形/正方形104a、帶圓角的矩形/正方形104b以及圓形104c。對開口104的大小和形狀的唯一限制在于，它們的大小和形狀必須能在其中容納相應(yīng)的微電子管芯，如下所述。
圖3顯示了與保護(hù)膜112相鄰的微電子襯底核心的第一表面106。保護(hù)膜112最好為基本上柔性的材料，例如Kapton聚酰亞胺薄膜(美國特拉華州Wilmington的E.I.du Pont de Nemours andCompany)，然而也可以由任何適當(dāng)?shù)牟牧习ń饘俦∧ぶ瞥?。在一個優(yōu)選實(shí)施例中，保護(hù)膜112具有與微電子襯底核心的熱膨脹系數(shù)(CTE)基本上相同的熱膨脹系數(shù)。圖4顯示了置于微電子襯底核心102的對應(yīng)開口104中的微電子管芯114，其均具有有效面116和背面118。微電子管芯114可以是任何已知的有源或無源微電子器件，包括但不限于邏輯部件(CPU)、存儲器(DRAM，SRAM，SDRAM等)、控制器(芯片組)、電容器、電阻器、電感器，等等。
在一個優(yōu)選(所示)的實(shí)施例中，微電子襯底核心102的厚度117和微電子管芯114的厚度115基本上相等。微電子管芯114分別放置成使得它們的有效面116鄰接于保護(hù)膜112。保護(hù)膜112可具有例如硅酮或丙烯酸的粘合劑，其與微電子襯底核心的第一表面106和微電子管芯的有效面116相連。這種粘合劑型的膜可在將微電子管芯114和微電子襯底核心102放入到模具、液體分配密封系統(tǒng)(優(yōu)選)或用于密封工藝的其它設(shè)備中之前而施用。保護(hù)膜112可以是非粘合劑型的膜，例如ETFE(乙烯-四氟乙烯)或Telfon膜，其在密封工藝中通過模具或其它設(shè)備的內(nèi)表面而固定在微電子管芯的有效面116和微電子襯底核心的第一表面106上。
然后用密封材料122如塑料、樹脂、環(huán)氧樹脂、彈性體(如橡膠)材料等來密封微電子管芯114。如圖5所示，密封材料122放置在開口104中未被微電子管芯114所占據(jù)的部分中。微電子管芯114的密封可由任何已知的工藝來實(shí)現(xiàn)，包括但不限于傳遞和壓縮模制，以及分配。密封材料122將微電子管芯114固定在微電子襯底核心102內(nèi)，為所得的結(jié)構(gòu)提供了機(jī)械剛性，并為后續(xù)的跡線層構(gòu)造提供了表面積。
在密封后除去保護(hù)膜112，如圖6所示，暴露出微電子管芯的有效面116。同樣如圖6所示，密封材料122最好被模制或分配以填充在微電子襯底核心的第一表面106和微電子管芯的有效面116之間的空間內(nèi)。這就形成了至少一個表面124，其基本上與微電子管芯的有效面116和微電子襯底核心的第一表面106成一平面。密封材料表面124可與微電子襯底核心的第一表面106一起在其它制造工序中使用，作為形成互連層如介質(zhì)材料層和導(dǎo)電跡線的附加表面積。
雖然下述介紹涉及用于形成互連層的無突出塊(bumpless)的組合層技術(shù)，然而這種制造方法并不限于此?；ミB層可由本領(lǐng)域中已知的多種技術(shù)來制造。
圖7顯示了用密封材料122密封在微電子襯底核心102內(nèi)的一個微電子管芯114。當(dāng)然，微電子管芯114包括位于微電子管芯的有效面116上的多個電觸點(diǎn)132。電觸點(diǎn)132與微電子管芯114內(nèi)的電路(未示出)電連接。為簡單和清楚起見，圖中只顯示了四個電觸點(diǎn)132。
如圖8所示，在微電子管芯的有效面116(包括電觸點(diǎn)132)、微電子襯底核心的第一表面106和密封材料表面124上設(shè)置了第一介質(zhì)層136，例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、雙苯并環(huán)丁烯等。本發(fā)明的介質(zhì)層最好填充有環(huán)氧樹脂，其可從美國加利福尼亞州Santa Clara的Ibiden美國公司和美國新澤西州Paramus的Ajinomoto美國公司中得到?？赏ㄟ^任何已知的工藝來形成第一介質(zhì)層136，包括但不限于薄膜層合、旋涂、輥涂和噴射沉積。
如圖9所示，隨后形成穿過第一介質(zhì)層136的多個通孔138?？赏ㄟ^本領(lǐng)域中已知的任何方法來形成多個通孔138，包括但不限于激光打孔、光刻術(shù)(之后通常還進(jìn)行蝕刻)，并且如果第一介質(zhì)層136是光敏的話，則可通過本領(lǐng)域中已知的與在光刻工藝中制造光致抗蝕掩膜相同的方式來形成多個通孔138。
如圖10所示，在第一介質(zhì)層136上形成多個導(dǎo)電跡線142，其中各導(dǎo)電跡線142中的一部分延伸到至少一個所述多個通孔138(見圖9)中以與觸點(diǎn)132電接觸。該多個導(dǎo)電跡線142可由任何適用的導(dǎo)電材料制成，例如銅、鋁及它們的合金。
可通過任何已知的技術(shù)來形成多個導(dǎo)電跡線142，包括但不限于半添加電鍍(semi-additive plating)和光刻技術(shù)。代表性的半添加電鍍技術(shù)包括沉積原始層(seed layer)，例如第一介質(zhì)層136上的噴射沉積或無電沉積的金屬。隨后在原始層上形成抗蝕層的圖案，例如鈦/銅合金，然后在由形成圖案的抗蝕層中的開口區(qū)域所暴露出的原始層上電解電鍍上一層金屬，例如銅。剝?nèi)バ纬蓤D案的抗蝕層，并將原始層上未鍍有金屬層的部分蝕刻掉。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，其它形成此多個導(dǎo)電跡線142的方法是顯而易見的。
如圖11所示，在多個導(dǎo)電跡線142和第一介質(zhì)層136上設(shè)置第二介質(zhì)層144。可通過任何已知的工藝來形成第二介質(zhì)層144，包括但不限于薄膜層合、旋涂、輥涂和噴射沉積。
如圖12所示，隨后形成穿過第二介質(zhì)層144的多個第二通孔146?？赏ㄟ^本領(lǐng)域中已知的任何方法來形成多個第二通孔146，包括但不限于激光打孔，并且如果第二介質(zhì)層144是光敏的話，則可通過本領(lǐng)域中已知的與在光刻工藝中制造光致抗蝕掩膜相同的方式來形成多個第二通孔146。
如果多個導(dǎo)電跡線142無法使多個第二通孔146放入合適的位置，則在此多個第二通孔146內(nèi)和第二介質(zhì)層144上形成導(dǎo)電跡線的其它部分，在第二介質(zhì)層144上形成另一介質(zhì)層，并在此介質(zhì)層上例如如圖10-12所述地形成另一些多個通孔。重復(fù)介質(zhì)層的成層和導(dǎo)電跡線的形成，直到通孔處于合適的位置為止，這樣就建立了足夠的電連接性，可得到所需的電性能。因此，單個導(dǎo)電跡線的一些部分可從其多個部分中形成，并可位于不同的介質(zhì)層上。
可形成第二多個導(dǎo)電跡線148，其中第二多個導(dǎo)電跡線148中的每一個的一部分延伸到至少一個所述多個第二通孔146中。各個第二多個導(dǎo)電跡線148均包括一個連接區(qū)150(由虛線152表示的跡線上的擴(kuò)大區(qū)域)，如圖13所示。
一旦形成第二多個導(dǎo)電跡線148和連接區(qū)150，就可采用它們來形成與外部元件(未示出)相連的導(dǎo)電互連構(gòu)件，例如焊接塊、焊球、引腳等。例如，可在第二介質(zhì)層144和第二多個導(dǎo)電跡線154以及連接區(qū)150上設(shè)置焊接掩膜材料156。隨后在焊接掩膜材料156上形成多個通孔158，從而暴露出各連接區(qū)150的至少一部分，如圖14所示。如果需要的話，例如可通過但不限于在各連接區(qū)154的暴露部分上絲網(wǎng)印刷焊膏并隨后進(jìn)行回流焊接工藝或其它已知的涂鍍技術(shù)，從而形成多個導(dǎo)電凸起160如焊接塊，如圖15所示。
圖16顯示了用密封材料122密封在微電子襯底核心102內(nèi)的多個微電子管芯114，以形成本發(fā)明的微電子襯底170。在微電子管芯的有效面116、微電子襯底核心的第一表面106和密封材料表面124上以上述方式形成至少一個互連層。在圖16中，構(gòu)成互連層的介質(zhì)材料和導(dǎo)電跡線層被簡單地一起表示為互連層162。此互連層162不僅用于形成微電子管芯114和多個導(dǎo)電凸起160之間的連接，如上所述，而且允許在位于于微電子襯底核心102內(nèi)的微電子管芯114之間形成電連通。
一旦形成互連層162，就通過導(dǎo)電凸起160在互連層162的頂面166上連接至少一個微電子器件164。導(dǎo)電凸起160在至少一個微電子器件164和至少一個微電子管芯114之間形成了電連通。當(dāng)然應(yīng)當(dāng)理解，導(dǎo)電凸起160可形成于互連層162上(如圖15所示)，或形成于微電子器件164上。還可以理解，雖然圖16顯示了如封裝的倒裝片的微電子器件164，然而微電子器件可以是任何已知的有源或無源微電子器件164，包括但不限于邏輯部件(CPU)、存儲器(DRAM，SRAM，SDRAM等)、控制器(芯片組)、電容器、電阻器和電感器，等等。
此外，除倒裝片連接外，如圖16所示，微電子器件164的連接可通過其它方法來完成，例如引線結(jié)合法或本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它方法。
圖17顯示了圖16所示的組件，其中以用于微電子襯底170(如圖16所示)所述的相似方式來制造沒有微電子襯底核心102(如圖16所示)的微電子襯底180。
如圖18所示，微電子管芯114和微電子器件164可具有多種大小和形狀。此外，如圖19所示，可在微電子襯底核心102的一個開口中設(shè)置多個微電子管芯114。這種結(jié)構(gòu)允許使微電子管芯114相互作用，以便盡可能近地相互連通，從而通過縮短導(dǎo)電跡線(未示出)長度來提高電性能，這是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所能理解的。
通過上述對本發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)介紹，應(yīng)當(dāng)理解，由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明并不限于上述的特定細(xì)節(jié)，在不脫離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)或范圍的前提下，可對本發(fā)明進(jìn)行多種明顯的變動。
權(quán)利要求
1.一種微電子襯底，包括具有第一表面和相對的第二表面的微電子襯底核心，所述微電子襯底核心具有至少一個形成于其中的開口，其從所述微電子襯底核心的第一表面延伸到所述微電子襯底核心的第二表面；至少一個設(shè)置在所述至少一個開口內(nèi)的微電子管芯，所述至少一個微電子管芯具有有效面；和將所述微電子襯底核心與所述至少一個微電子管芯相連的密封材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子襯底，其特征在于，所述密封材料還包括至少一個與所述微電子管芯的有效面和所述微電子襯底核心的第一表面大致成一平面的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子襯底，其特征在于，所述微電子襯底還包括設(shè)置在所述微電子管芯的有效面、所述至少一個密封材料的表面以及所述微電子襯底核心的第一表面中的至少一個上的互連層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微電子襯底，其特征在于，所述微電子襯底還包括至少一個與所述互連層相連的微電子器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微電子襯底，其特征在于，所述互連層包括與所述微電子管芯的有效面、所述至少一個密封材料的表面以及所述微電子襯底核心的第一表面中的至少一個鄰接的至少一個介質(zhì)層，以及設(shè)置在所述至少一個介質(zhì)層上的至少一個導(dǎo)電跡線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微電子襯底，其特征在于，所述至少一個導(dǎo)電跡線延伸通過所述至少一個介質(zhì)層，從而與所述微電子管芯的有效面上的至少一個電觸點(diǎn)相接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子襯底，其特征在于，所述微電子襯底核心從包括有雙馬來酰亞胺三嗪樹脂的層合材料、FR4層合材料、聚酰亞胺層合材料、陶瓷和金屬的組中選擇。
8.一種微電子襯底，包括均具有有效面的多個微電子管芯；和至少位于各所述多個微電子管芯之間的密封材料，其中各所述多個微電子管芯的所述有效面暴露出來。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微電子襯底，其特征在于，所述密封材料還包括至少一個與各所述多個微電子管芯的有效面大致成一平面的表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微電子襯底，其特征在于，所述微電子襯底還包括設(shè)置在所述多個微電子管芯的有效面和所述至少一個密封材料的表面中的至少一個上的互連層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微電子襯底，其特征在于，所述微電子襯底還包括至少一個與所述互連層相連的微電子器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微電子襯底，其特征在于，所述互連層包括與所述微電子管芯的有效面和所述至少一個密封材料的表面中的至少一個鄰接的至少一個介質(zhì)層，以及設(shè)置在所述至少一個介質(zhì)層上的至少一個導(dǎo)電跡線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微電子襯底，其特征在于，所述至少一個導(dǎo)電跡線延伸通過所述至少一個介質(zhì)層，從而與所述微電子管芯的有效面上的至少一個電觸點(diǎn)相接觸。
14.一種制造微電子襯底的方法，包括提供具有第一表面和相對的第二表面的微電子襯底核心，所述微電子襯底核心具有至少一個形成于其中的開口，其從所述微電子襯底核心的第一表面延伸到所述微電子襯底核心的第二表面；將至少一個微電子管芯設(shè)置在所述至少一個開口內(nèi)，所述至少一個微電子管芯具有有效面；和用密封材料將所述微電子襯底核心與所述至少一個微電子管芯相連。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，用所述密封材料將所述微電子襯底核心與所述至少一個微電子管芯相連還包括形成至少一個密封材料的表面，其與所述微電子管芯的有效面和所述微電子襯底核心的第一表面大致成一平面。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述密封材料的表面、所述微電子管芯的有效面和所述微電子襯底核心的第一表面上設(shè)置互連層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法還包括將至少一個微電子器件與所述互連層的頂面電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，形成互連層包括在所述微電子管芯的有效面、所述至少一個密封材料的表面和所述微電子襯底核心的第一表面中的至少一部分上形成至少一個介質(zhì)材料層；形成穿過所述至少一個介質(zhì)材料層的至少一個通孔，從而暴露出所述微電子管芯的有效面的一部分；和在所述至少一個介質(zhì)材料層上形成至少一個導(dǎo)電跡線，所述至少一個導(dǎo)電跡線延伸到所述至少一個通孔中以與所述微電子管芯的有效面電接觸。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述方法還包括形成位于所述至少一個導(dǎo)電跡線和所述至少一個介質(zhì)材料層上的附加介質(zhì)材料層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述方法還包括形成至少一個附加導(dǎo)電跡線，以延伸穿過并停留在所述至少一個附加介質(zhì)材料層中。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述提供所述微電子襯底核心包括提供從包括有雙馬來酰亞胺三嗪樹脂的層合材料、FR4層合材料、聚酰亞胺層合材料、陶瓷和金屬的組中選出的微電子襯底核心。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在用密封材料將所述微電子襯底核心與所述至少一個微電子管芯相連之前使所述微電子襯底核心的第一表面和所述微電子管芯的有效面與保護(hù)膜相鄰接。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，使所述微電子襯底核心的第一表面和所述微電子管芯的有效面與保護(hù)膜相鄰接包括在用密封材料將所述微電子襯底核心與所述至少一個微電子管芯相連之前使所述微電子襯底核心的第一表面和所述微電子管芯的有效面與所述保護(hù)膜上的粘合層相鄰接。
24.一種制造微電子襯底的方法，包括提供保護(hù)膜；使多個微電子管芯的有效面與所述保護(hù)膜相鄰接；將密封材料至少放置在各所述多個微電子管芯之間；和除去所述保護(hù)膜。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，放置所述密封材料包括形成與所述微電子管芯的有效面大致成一平面的至少一個密封材料的表面。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的微電子襯底，其特征在于，所述方法還包括在所述多個微電子管芯的有效面和所述至少一個密封材料的表面中的至少一個上形成互連層。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述方法還包括將至少一個微電子器件電連接到所述互連層的頂面上。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，形成互連層包括在所述微電子管芯的有效面和所述至少一個密封材料的表面的至少一部分上形成至少一個介質(zhì)材料層；形成穿過所述至少一個介質(zhì)材料層的至少一個通孔，從而暴露出所述微電子管芯的有效面的一部分；和在所述至少一個介質(zhì)材料層上形成至少一個導(dǎo)電跡線，所述至少一個導(dǎo)電跡線延伸到所述至少一個通孔中以與所述微電子管芯的有效面電接觸。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述方法還包括形成至少一個位于所述至少一個導(dǎo)電跡線和所述至少一個介質(zhì)材料層上的附加介質(zhì)材料層。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述方法還包括形成至少一個附加導(dǎo)電跡線，以延伸穿過并停留在所述至少一個附加介質(zhì)材料層中。
31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，提供所述保護(hù)膜包括提供具有粘合劑的所述保護(hù)膜；使所述多個微電子管芯的有效面與所述保護(hù)膜相鄰接包括使所述多個微電子管芯的有效面與所述保護(hù)膜的所述粘合劑相鄰接。
全文摘要
一種微電子襯底，包括至少一個設(shè)置在微電子襯底核心的開口內(nèi)的微電子管芯，其中在開口中未被微電子管芯占據(jù)的部分內(nèi)設(shè)置了密封材料，或者在沒有微電子襯底核心下密封了多個微電子管芯。然后在微電子管芯、密封材料和微電子襯底核心(如果存在的話)上制造出介質(zhì)材料和導(dǎo)電跡線的互連層，從而形成微電子襯底。
文檔編號H01L23/12GK1524293SQ01817381
公開日2004年8月25日 申請日期2001年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月19日
發(fā)明者J·李, J 李, Q·鄔, S·托勒 申請人:英特爾公司